Diode

DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:51ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY TO-220 15V 20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:250mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:700A DIODE SCHOTTKY TO-247 35V 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:1.02kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:30mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:20mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:TO-247; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE TO-247 300V 30A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE SCHOTTKY TO-247 100V 60A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:2.2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:60A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:15mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:640mV; Type de boîtier:TO-247; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE TO-247 1200V 16A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:190A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:135ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:3V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:190A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Puissance, Ptot:2.5W; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Températur DIODE SCHOTTKY 3A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:9.4A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE DE SUPPRESSION 1500W 100V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.52m DIODE DE SUPPRESSION 1500W 150V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:7.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lo DIODE DE SUPPRESSION 1500W 160V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:136V; Gamme de tension de claquage:152V 168V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.52 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:26.2V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur: DIODE DE SUPPRESSION 1500W 200V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.52 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 7.5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.4V; Gamme de tension de claquage:7.13V 7.88V; Tension, bloquée max..:11.3V; Courant, impulsion crête:133A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:500è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteu DIODE DE SUPPRESSION 600W 100V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:4.4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longue DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 13V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11.1V; Gamme de tension de claquage:12.4V 13.7V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 160V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:136V; Gamme de tension de claquage:152V 168V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:2.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; DIODE DE SUPPRESSION 600W 16V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Gamme de tension de claquage:15.2V 16.8V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:27A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 16V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Gamme de tension de claquage:15.2V 16.8V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:27A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 200V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longue DIODE DE SUPPRESSION 600W 20V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur DIODE DE SUPPRESSION 600W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lo DIODE DE SUPPRESSION 600W 400V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; DIODE DE SUPPRESSION 600W 68V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longu DIODE CMS 3A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):2.62mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:3D; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:2.5è¾s; T DIODE DE SUPPRESSION 500W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage compo DIODE DE SUPPRESSION 500W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:12.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage compo DIODE DE SUPPRESSION 500W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage compo DIODE DE SUPPRESSION 500W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:600è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage comp DIODE DE SUPPRESSION 500W 5.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:600è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage composa DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 5.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ5V0CA; Marquage, CMS:AE; Polarité, dire DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:61.5A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ15CA; Marquage, CMS:GEM; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:51.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ18A; Marquage, CMS:GET; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:42.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ22CA; Marquage, CMS:GEX; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:38.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ24CA; Marquage, CMS:GEZ; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ30A; Marquage, CMS:GFK; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ30CA; Marquage, CMS:GFK; Polarité, directionnelle: DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 6.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:145.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ6V0CA; Marquage, CMS:GDG; Polarité, directi DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Puissance, Ptot:2.5W; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Températur DIODE SCHOTTKY 3A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:9.4A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE DE SUPPRESSION 1500W 100V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lon DIODE DE SUPPRESSION 1500W 160V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:136V; Gamme de tension de claquage:152V 168V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lo DIODE DE SUPPRESSION 1500W 6.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/haute DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 20V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; Po DIODE DE SUPPRESSION 600W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:18.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62 DIODE DE SUPPRESSION 600W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62 DIODE DE SUPPRESSION 600W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 47V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lon DIODE DE SUPPRESSION 600W 62V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:53V; Gamme de tension de claquage:58.9V 65.1V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:7.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; M DIODE DE SUPPRESSION 600W 7.5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.4V; Gamme de tension de claquage:7.13V 7.88V; Tension, bloquée max..:11.3V; Courant, impulsion crête:53.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:500è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7. DIODE DE SUPPRESSION 600W 8.2V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.02V; Gamme de tension de claquage:7.79V 8.61V; Tension, bloquée max..:12.1V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:200è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.6 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 150V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:7.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.52 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:71A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; DIODE DE SUPPRESSION 1500W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:49A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:49A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; DIODE DE SUPPRESSION 600W 10V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:41A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:10è¾A; Courant, fuite inverse, max..:10è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lon DIODE DE SUPPRESSION 600W 13V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:11.1V; Gamme de tension de claquage:124V 137V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longue DIODE DE SUPPRESSION 600W 150V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; DIODE DE SUPPRESSION 600W 160V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:136V; Gamme de tension de claquage:152V 168V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:2.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longue DIODE DE SUPPRESSION 600W 200V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; DIODE DE SUPPRESSION 600W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:30.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lo DIODE DE SUPPRESSION 600W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lo DIODE DE SUPPRESSION 600W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 39V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 400V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longue DIODE DE SUPPRESSION 600W 62V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:53V; Gamme de tension de claquage:58.9V 65.1V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:7.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueu DIODE REDRESSEMENT DOUX 30A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:325A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:70A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220; Type de termina DIODE CMS 3A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):2.62mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:3A; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Temp DIODE DE SUPPRESSION 500W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage co DIODE DE SUPPRESSION 500W 13V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.9V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, d DIODE DE SUPPRESSION 500W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:12.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage co DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:600W; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur: DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ24A; Marquage, CMS:LZ; Polarité, d DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ36CA; Marquage, CMS:CP; Polarité, direc DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ5V0A; Marquage, CMS:KE; Polarité, di DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:75.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ12A; Marquage, CMS:GEE; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:75.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ12CA; Marquage, CMS:GEE; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:51.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ18CA; Marquage, CMS:GET; Polarité, directionnelle: DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.1A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.5kW; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; M DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.1A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.5kW; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marq DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:25.8A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ36A; Marquage, CMS:GFP; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:25.8A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.5kW; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marqua DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 6.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:145.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ6V0A; Marquage, CMS:GDG; Polarité, direc DIODE DE SUPPRESSION 600W 8.2V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.02V; Gamme de tension de claquage:7.79V 8.61V; Tension, bloquée max..:12.1V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:200è¾A; Courant, fuite inverse, max..:200è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; DIODE REDRESSEMENT DOUX 8A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:16A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminais DIODE DE SUPPRESSION 500W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage co DIODE DE SUPPRESSION 500W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage compo DIODE DE SUPPRESSION 500W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:17.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION 500W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:17.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, direct DIODE DE SUPPRESSION 500W 20V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage co DIODE DE SUPPRESSION 500W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Marquage co DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ12A; Marquage, CMS:LE; Polarité, d DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 16V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:23.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LM; Polarité, directionnelle:Bidirectionnel; Pro DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ18CA; Marquage, CMS:LT; Polarité, direc DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:16.9A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BX; Polarité, directionnelle:Bidirectionnel; P DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ24CA; Marquage, CMS:BZ; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ30CA; Marquage, CMS:CK; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:MM; Polarité, directionnelle:Bidirectionnel; P DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 9.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:39A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:10è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:KV; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ5V0A; Marquage, CMS:GDE; Polarité, directionnel DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 9.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:9.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite:10è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GDV; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température DIODE REDRESSEMENT RAPIDE CMS 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.5mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Profondeur:2.5mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj DIODE ULTRA-RAPIDE CMS 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):8.13mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:6.22mm; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, dir DIODE REDRESSEMENT RAPIDE CMS 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.3mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.15mm; Profondeur:2.6mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr ty DIODE REDRESSEMENT RAPIDE CMS 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.3mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.15mm; Profondeur:2.6mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:120 DIODE SCHOTTKY 3A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SB3H100; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:10 DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Longueur/hauteur:6.1mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.5V; Type de boîtier:DO-204AP; Type de terminaison PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:565nm; Angle, moitié:50Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:TO-5; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:8mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:565.00nm; Longueur/hauteur:3mm; Pas:5mm; Réponse spectrale crête:565nm; Surface active:7.5mmË›; Temps de descente:3.5è¾s; Temps de montée:3.5è¾s; Tension Vr max..:10V; Tension, claquage:10V; Type de boîtier:TO-5 DIODE SCHOTTKY MICROWAVE; Configuration diode:Dual, Series; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:0.3pF; Config. Brochage:B; Courant, If moy.:100mA; Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8.0mm; Marquage, CMS:T2; Tension Vr max..:4V; Tension, Vrrm:4V; Tension, claquage:4V; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de DIODE SCHOTTKY RF DOUBLE BOITIER SOT-23; Configuration diode:Dual, Series; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:410mV; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:1.2pF; Courant, If moy.:1A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Dissipation de puissance, max..:250mW; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:B2; Tension Vr max..:20V; Tension, Vrrm:20V; Tension DIODE RF; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.3pF; Courant If Rs:100mA; Marquage composant:K0; Résistance, séries de diodes, rs:1.5ohm; Temps, trr typ.:80ns; Tension Vr max..:50V; Tension de claquage:200V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RF COMMUTATION RAPIDE DOUBLE; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.8pF; Résistance @ If:0.6ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:1pF; Courant If Rs:10mA; Marquage composant:F4; Résistance, séries de diodes, rs:0.6ohm; Tension Vr max..:20V; Tension de claquage:35V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY RF BOITIER SOT-23; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:2V; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:250mV; Capacité totale max..:0.3pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:0.3pF; Courant, If moy.:150mA; Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:P0; Marquage, CMS:P0; Puissance, Ptot:75mW; Tension Vr max..:2V; Tension, Vrrm:2V; Tension, direct If:250mV; Type de boît DIODE ULTRA RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Longueur/hauteur:4.6mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.5V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Bro DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:90A DIODE SCHOTTKY TO-220 30V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:360A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:200è¾A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:360A DIODE SCHOTTKY TO-247 150V 60A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:2.3kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:60A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0.5mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:TO-247; Type DIODE SCHOTTKY TO-247 20V 80A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:320mV; Courant, Ifs max.:2.2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:40A; Courant, direct, If:80A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:27mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:320mV; Type de boîtier:TO-247; Type de DIODE ULTRA-RAPIDE TO-247 600V 25A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:23ns; Courant, Ifs max.:225A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:100A; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:225A DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:1mA; Marquage composant:74; Marquage, CMS:74; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:410mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; couran DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, Ir, max..:2.5mA; Courant, direct, If:200mA; Marquage, CMS:A4s; Puissance, Ptot:250mW; Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Tension de c DIODE RF BOITIER SOT-23; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.35pF; Résistance @ If:3ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.35pF; Marquage composant:E0; Résistance, high limit Rh min:1500ohm; Résistance, limite basse Rl max.:10ohm; Résistance, séries de diodes, rs:3ohm; Tension de claquage:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY RF BOITIER SOT-23; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:340mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:1pF; Config. Brochage:A; Courant, If moy.:1A; Courant, Ifs max.:1A; Courant, Ir, max..:0.1è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:C0; Tension Vr max..:15V; Tension, Vrrm:15V; Tension, claquage:15V; T DIODE SCHOTTKY RF BOITIER SOT-23; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:1.2pF; Config. Brochage:Single; Courant, If moy.:1A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Dissipation de puissance, max..:250mW; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:B0; Tension Vr max..:20V; Tension, Vrrm:20V; DIODE SCHOTTKY RF DOUBLE BOITIER SOT-23; Configuration diode:Dual, Series; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:340mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:1pF; Courant, If moy.:1A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Dissipation de puissance, max..:250mW; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:C2; Tension Vr max..:20V; Tension, Vrrm:20V; Tension, cl MODULE MULTIMODE AVEC DIODE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MT Series Multimode Relay DIODE ULTRA RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches DIODE PETITS SIGNAUX BOITIER DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:150V; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Puissance, Ptot:2.5W; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Températur DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE DE SUPPRESSION 1500W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:90A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; DIODE DE SUPPRESSION 1500W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:71A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 20V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:54.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.52 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 27V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 400V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:2.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.52 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 400V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:2.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Lo DIODE DE SUPPRESSION 1500W 47V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W DIODE DE SUPPRESSION 1500W 8.2V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.02V; Gamme de tension de claquage:7.79V 8.61V; Tension, bloquée max..:12.1V; Courant, impulsion crête:124A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:200è¾A; Courant, fuite inverse, max..:200è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissan DIODE DE SUPPRESSION 600W 10V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:41A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:10è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 39V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Long DIODE DE SUPPRESSION 600W 47V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62m DIODE DE SUPPRESSION 600W 68V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; DIODE DE SUPPRESSION 600W 6.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:57.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur: DIODE DE SUPPRESSION 600W 9.1V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.78V; Gamme de tension de claquage:8.65V 9.55V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:45A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:50è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62 DIODE DE SUPPRESSION 600W 9.1V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.78V; Gamme de tension de claquage:8.65V 9.55V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:45A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:50è¾A; Courant, fuite inverse, max..:50è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; L DIODE CMS 1.0A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.28mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:1J; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s DIODE DE SUPPRESSION 500W 13V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, dire DIODE DE SUPPRESSION 500W 28V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ12CA; Marquage, CMS:LE; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ15CA; Marquage, CMS:LM; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 16V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:23.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LP; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:16.9A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LX; Polarité, directionnelle:Unidirectionne DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:61.5A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ15A; Marquage, CMS:GEM; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:42.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ22A; Marquage, CMS:GEX; Polarité, directionne DIODE SCHOTTKY 2.0A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500mA; Marquage, CMS:24; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; coura DIODE SCHOTTKY 2.0A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:700mA; Marquage, CMS:26; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; coura DIODE PETIT SIGNAL DO-41; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:350V; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:1è¾s; Courant, Ifs max.:15A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:BY206GP; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; DIODE SCHOTTKY 60A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:600A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY 2X60A; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:660mV; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:800A; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:660mV; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:800A DIODE SCHOTTKY 2X35A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:35A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:660mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY TO220AC 16A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:230A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:640mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:230A DIODE TO220AB 30A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.45V; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Simple; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:900V; Tension, direct If:1.45V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:320mV; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A,2K; Courant, If, Vf:1mA; Marquage, CMS:S0; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:260mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2K2,3(K1+A2); Marquage, CMS:2N; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DOUBLE SOT-143; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:125mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1.7A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:General Purpose Diode; Config. Brochage:1K1, 4A1, 2K2, 3A2; Configuration diode:Double; Courant, If max..:225mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, Ir, max..:100nA; Courant, direct, If:125mA; Marq DIODE VARI-CAP SOT-23; Capacité max. Cd @ Vr F:6pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:30V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:5pF; Capacité, Cd, min. Vr:32pF; Capacité, Cd, typ. Vr:26pF; Config. Brochage:1A,2N/C,3K; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Profondeur:2.5mm; Ratio, chan DIODE ULTRA RAPIDE 2X10A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:125A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:TO-220AB (Double); Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:137A DIODE ULTRA FAST 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE ZENER 1.5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C6V2; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Vue de dessus; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Photodiode; Largeur (externe):4.7mm; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:4.3mm; Pas:5.1mm; Profondeur:2.8mm; Réponse spectrale crête:900nm; Sensibilité:0.62A/W; Surface active:7.5mmË›; Temps de descente:0.05è¾s; Temps de montée:0.05è¾s; Tension Vr max..:60V; Tensio PHOTODIODE FILTRE IR; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Photodiode; Largeur (externe):5mm; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:6.8mm; Pas:2.5mm; Profondeur:4mm; Réponse spectrale crête:940nm; Sensibilité:0.6A/W; Surface active:7.5mmË›; Temps de descente:0.05è¾s; Temps de montée:0.05è¾s; Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:60V; Type de boîtier:Rectang DIODE DE COMMUTATION SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Marquage, CMS:A6s; Puissance, Ptot:370mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Tension DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vf max..:380mV; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:1mA; Marquage composant:44; Marquage, CMS:44; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Double; Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, Ir, max..:2.5mA; Courant, direct, If:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A7s; Profondeur:2.5mm; Puissance, DIODE SCHOTTKY RF BOITIER SOT-23; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:70V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Capacité totale max..:2pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:2pF; Courant, If moy.:1A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Dissipation de puissance, max..:250mW; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:A0; Tension Vr max..:70V; Tension, Vrrm:70V; Tension, claquage:70V; Tensi DIODE SCHOTTKY RF DOUBLE BOITIER SOT-23; Configuration diode:Double cathode commune; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:1V; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:1A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:B4; Tension Vr max..:20V; Tension, Vrrm:20V; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RF COMMUTATION RAPIDE; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.8pF; Résistance @ If:0.6ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:1pF; Courant If Rs:10mA; Marquage composant:F0; Résistance, séries de diodes, rs:0.6ohm; Tension Vr max..:20V; Tension de claquage:35V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RF COMMUTATION RAPIDE DOUBLE; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.8pF; Résistance @ If:0.6ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:1pF; Courant If Rs:10mA; Marquage composant:F2; Résistance, séries de diodes, rs:0.6ohm; Tension Vr max..:20V; Tension de claquage:35V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RF DOUBLE ATTENUATEUR; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.35pF; Résistance @ If:3ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.35pF; Marquage composant:E4; Résistance, high limit Rh min:1500ohm; Résistance, limite basse Rl max.:10ohm; Résistance, séries de diodes, rs:4ohm; Tension de claquage:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRA RAPIDE 3.5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:4.5mm; Longueur/hauteur:5mm; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches ax DIODE HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:2kV; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:Fast Rect; Config. Brochage:Cathode Band; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, Ir, max..:100è¾A; Courant, direct, If:250mA; Temps, trr typ.:300ns; Tempér DIODE SCHOTTKY 25A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:590mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:590mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE SCHOTTKY 2X120A; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:590mV; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:1.6kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:590mV; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.6kA DIODE SCHOTTKY 2X40A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:510mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY 2X40A; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:700mV; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:450A; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:450A DIODE SCHOTTKY 2X60A; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:740mV; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:700A; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:730mV; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:700A DIODE SCHOTTKY 2X25A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:450A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:680mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:450A DIODE SCHOTTKY 2X100A; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:770mV; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:1.2kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.2kA DIODE SCHOTTKY 2X15A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:180V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE TO247AD 48A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:48A; Tension, Vf max..:1.18V; Courant, Ifs max.:475A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Simple; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:900V; Tension, direct If:1.18V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:475A DIODE TO247AD 48A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:48A; Tension, Vf max..:1.18V; Courant, Ifs max.:475A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Simple; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.7kV; Tension, direct If:1.18V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:475A DIODE TO247AD 2X28A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:28A; Tension, Vf max..:1.6V; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Double; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE TO247AD 2X28A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:28A; Tension, Vf max..:1.6V; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Double; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.7kV; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE TO247AD 2X45A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:45A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:480A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Dual; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.23V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:480A DIODE TO247AD 2X45A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:45A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:480A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Double; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.7kV; Tension, direct If:1.23V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:480A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:1A; Tension, Vrrm:25V; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:2+5=K, 1+3+4+6=A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:320mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2A2,3comK; Connexion commune:Cathode; Marquage, CMS:43; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE ULTRA RAPIDE 2X10A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:125A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:TO-220AB (Double); Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:125A DIODE ULTRA FAST 2X10A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.35V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:120A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2Kcom,3A2; Courant, If, Vf:10A; Courant, Ir, max..:50è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:T DIODE ZENER 500MW 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.3W 51V; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:4mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.5W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C18; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C20; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C27; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C5V1; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE HAUTE TENSION SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Haute tension; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:100è¾A; Marquage, CMS:JSs; Puissance, Ptot:350mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension de DIODE SCHOTTKY SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:2.5A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:250mA; Courant, Ir, max..:50è¾A; Courant, direct, If:750mA; Marquage composant:C; Marquage, CMS:c; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension de claquage:40V; Tension, Vr, mesure Ir:30V; Type DIODE SCHOTTKY RF DOUBLE BOITIER SOT-23; Configuration diode:Dual, Series; Tension inverse Vr:70V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Capacité totale max..:2pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:2pF; Courant, If moy.:1A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Dissipation de puissance, max..:250mW; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:A2; Tension Vr max..:70V; Tension, Vrrm:70V; Tension, cla DIODE SCHOTTKY RF DOUBLE SOT-143; Configuration diode:2 Indépendantes; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:1.2pF; Courant, If moy.:1A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Dissipation de puissance, max..:250mW; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:B5; Tension Vr max..:20V; Tension, Vrrm:20V; Tension, cl DIODE SCHOTTKY DOUBLE BOITIER SOT-23; Configuration diode:Dual, Series; Tension inverse Vr:2V; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:250mV; Capacité totale max..:0.3pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:0.3pF; Courant, If moy.:150mA; Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:P2; Marquage, CMS:P2; Puissance, Ptot:75mW; Tension Vr max..:2V; Tension, Vrrm:2V; Tension, direct If:250mV; DIODE SCHOTTKY DOUBLE BOITIER SOT-23; Configuration diode:Dual, Series; Tension inverse Vr:4V; Courant max.:5mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.26pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:0.26pF; Courant, direct, If:5mA; Diode Type:Schottky RF; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:2R; Marquage, CMS:2R; Puissance, Ptot:75mW; Tension Vr max..:4V; Tension, Vrrm:4V; Tension, claquage:4V; Tension, direct If:350mV; Type de bo DIODE SCHOTTKY 2X40A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:8V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:340mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Courant, If, Vf:40A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:230mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY 2X20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 2X10A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 2X30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:690mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE TO220AB 30A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.45V; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Simple; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:900V; Tension, direct If:1.45V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE TO220AC 2X11A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:11A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Double; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.15V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE DOUBLE SOT-143; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1K1,2K2,3A2,4A1; Configuration diode:Double; Courant, If max..:500mA; Courant, If, Vf:150mA; Courant, Ir, max..:30nA; Courant, direct, If:215mA; Marquage, CMS:JTp; Puissance, Ptot:250mW; Température, Tj max..:150Â°C DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:260mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K1,2K2,3comA; Connexion commune:Anode; Marquage, CMS:2L; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE RAPIDE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:125mA; Tension, Vrrm:60V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1A1,2A2,3ComK; Configuration diode:Double; Courant, If max..:450mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:30nA; Courant, direct, If:125mA; Marquage, CMS:JA; Puiss DIODE 4A; Diode Type:Avalanche standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.5kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:20è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ifrm:8A; Courant, Ifwm max.:5A; Diamètre, extérieur:3.81mm; Longueur/hauteur:4.57mm; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE AVALANCHE 2A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Courant, direct, If:2A; Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:4è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminais DIODE DE REDRESSEMENT 1A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Longueur/hauteur:4.6mm; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.5V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broch DIODE ULTRA RAPIDE 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.07V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches ax DIODE ULTRA-FAST 15A 500V; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:14A; Tension, Vf max..:1.38V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:130A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:130A DIODE ULTRA FAST 9A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:50è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA FAST 2X15A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:28ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2Kcom,3A2; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:1mA; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Tr DIODE ZENER 500MW 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C12; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 25A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:25A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 2X30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:650A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE SCHOTTKY 2X40A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY 2X160A; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:810mV; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Courant, Ifs max.:1.4kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.4kA DIODE SCHOTTKY 2X5A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:180V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE TO247AD 48A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:48A; Tension, Vf max..:1.18V; Courant, Ifs max.:475A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Simple; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.18V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:475A DIODE 2X56A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:56A; Tension, Vf max..:1.2V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:650A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:650A DIODE RAPIDE BOITIER DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:450mA; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Marquage composant:1N4148; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:200Â°C; DIODE DE COMMUTATION SOT-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:175mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1A,2NC,3K; Configuration diode:Une; Courant, If max..:500mA; Courant, If, Vf:150A; Courant, Ir, max..:30nA; Courant, direct, If:175mA; Marquage, CMS:A6; Puissan DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:320mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2K2,3(K1&A2); Marquage, CMS:44; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:260mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2A2,3comK; Connexion commune:Cathode; Marquage, CMS:2M; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DOUBLE SOT-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1A1,2A2,3ComK; Configuration diode:Double; Courant, If max..:500mA; Courant, If, Vf:150mA; Courant, Ir, max..:30nA; Courant, direct, If:100mA; Marquage, CMS:A4; Puissan DIODE DOUBLE SOT-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1A1,2K2,3(K1+A2); Configuration diode:Double; Courant, If max..:500mA; Courant, If, Vf:150mA; Courant, Ir, max..:30nA; Courant, direct, If:130mA; Marquage, CMS:A7; Puissance, Ptot:200W; Temps, trr typ.:4ns; Tempéra DIODE RF SOT-23; Diode Type:RF; Courant, If moy.:140mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.25pF; Tension Vr max..:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RF SOT-23; Diode Type:RF; Courant, If moy.:140mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.25pF; Tension Vr max..:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRA FAST 9A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:50è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA FAST 2X15A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:28ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2Kcom,3A2; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:1mA; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Tr DIODE ZENER 1.5W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90-C15; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C5V6; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Marquage, CMS:BZV90C8V2; Profondeur:7.3mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE DE COMMUTATION SOD-80C; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:250mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:General Purpose; Config. Brochage:1A, 2K; Configuration diode:Une; Courant, If max..:625mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, Ir, max..:100nA; Courant, direct, If:250mA; Puissance, Ptot: DIODE ZENER 500MW 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 2.7V; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 2.7V; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 51V; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 68V; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C10; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C12; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C30; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 39V; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:6mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C39; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:45mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C5V6; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:35mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C6V8; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, puissance:50Â°C; Tension, Vf max..:5.71V; Tension, Vf min.:5.49V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, puissance:50Â°C; Tension, Vf max..:6.32V; Tension, Vf min.:6.08V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE RAPIDE SOD-80C; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE LOW LEAKAGE DO-34; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:125V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Puissance, Ptot:300mW; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE PETITS SIGNAUX DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, direct, If:200mA; Marquage composant:BAV21; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier: DIODE PETITS SIGNAUX DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:100mA; Marquage composant:BAW62; Puissance, Ptot:350mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:200Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-3 DIODE RF SOT-23; Diode Type:RF; Courant, If moy.:140mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.25pF; Tension Vr max..:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE SOD-80C; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1NC; 2A;3K; Configuration diode:Une; Courant, If max..:450mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:25nA; Courant, direct, If:200mA; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr DIODE RAPIDE SOD-80C; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:450mA; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:High Speed; Config. Brochage:1A, 2K; Configuration diode:Une; Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:10mA; Courant, Ir, max..:25nA; Courant, direct, If:200mA; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tc If:25Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Temp DIODE ZENER 500MW 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 11V; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 3.0V; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 62V; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C15; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C33; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C9V1; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, puissance:50Â°C; Tension, Vf max..:12.2V; Tension, Vf min.:11.8V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE RAPIDE BOITIER DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:5mA; Marquage composant:1N4448; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:200Â°C; T MODULE DIODE/THYRISTOR 50A 1400V; Tension Vdrm:1400V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:50A; Courant, It efficace:95A; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A7; Courant, Itsm:1500A; Diamètre, trous de fixation:6.4mm; Entraxe de fixation:80mm; Largeur (externe):30mm; Longueur/hauteur:93mm; Profondeur:20mm; Tension, Vrrm:1400V; Tension, isolation:3000V; Type Thyrist DIODE RF SOD-323; Diode Type:RF; Courant, If moy.:50mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.22pF; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tension Vr max..:50V; Tension, Vf max..:1.1V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE RF SC-79; Diode Type:RF; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SC-79; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.24pF; Tension Vr max..:50V; Type de boîtier:SC-79; Type de terminaison:CMS DIODE RF SOT-343; Diode Type:RF; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.6pF; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:SOT-343; Type de terminaison:CMS DIODE DE COMMUTATION SOD-80C; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:250mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:General Purpose; Config. Brochage:1A, 2K; Configuration diode:Une; Courant, If max..:625mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, Ir, max..:100nA; Courant, direct, If:250mA; Puissance, Ptot: DIODE ZENER 500MW 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 22V; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 56V; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C18; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C27; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:6mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 47V; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:4mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 62V; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:4mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:35mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C7V5; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, puissance:50Â°C; Tension, Vf max..:4.79V; Tension, Vf min.:4.61V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:320mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A,2K; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY DO-34; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Courant, Ir, max..:2000nA; Marquage composant:BAT85; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales; coura DIODE PETITS SIGNAUX DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, direct, If:200mA; Marquage composant:BAV20; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier: PONT DE DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:15ns; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; Type de boîtier diode:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Dissipation de puissance:1W; Dissipation de puissance Pd:1W; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Nombre de canaux de sortie:2; Numéro de la fonction logique:3610; Numéro générique:3610; Racine de la référence:3610; Températu DIODE RF SOD-323; Diode Type:RF; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.92pF; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tension Vr max..:35V; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE RF SOT-23; Diode Type:RF; Courant, If moy.:200mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.9pF; Tension Vr max..:150V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 39V; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Marquage, CMS:Yellow band; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 39V; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 47V; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 56V; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:4mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:45mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C5V1; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:4mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZV85-C8V2; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:400mW; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, puissance:50Â°C; Tension, Vf max..:5.2V; Tension, Vf min.:5V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY DO-34; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:450mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:100è¾A; Marquage composant:BAT86; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, Vr, mesure Ir:300mV; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales; cou BLOCS DE JONCTION AVEC DIODE; Type de connecteur:Bornier, Rail DIN; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Pas:6mm; Nombre de contacts:4; Wire Size (AWG):22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, Rail DIN; Couleur:Light Brown; Courant:27A; Largeur (externe):50mm; Longueur, ruban, isolation extérieure:9mm; Longueur/hauteur:56.5mm; Matière:Polyamide; Nombre de pÃ¢les:4; Nombre de voies:4; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:22AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Pr BORNIER DIN. DIODE; Type de connecteur:Bornier, Rail DIN; Série:SAK; Montage connecteur:Rail DIN; Pas:6mm; Nombre de contacts:4; Wire Size (AWG):22AWG 12AWG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bornier, Rail DIN; Couleur:Light Brown; Courant:27A; Largeur (externe):50mm; Longueur, ruban, isolation extérieure:9mm; Longueur/hauteur:59mm; Matière:Polyamide; Nombre de pÃ¢les:4; Nombre de voies:4; Numéro AWG max..:12AWG; Numéro AWG min.:22AWG; Orientation du connecteur:Rail DIN; Profondeur:6mm DIODE FAIBLE COURANT DE FUITE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3ns; Courant, Ifs max.:4.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, Ir, max..:5nA; Courant, direct, If:200mA; Marquage, CMS:Jys; Puissance, Ptot:330mW; Temps, trr typ.:0.6è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension de claquage:70V; Tension, Vr, mesure Ir:70V; T DIODE FAIBLE COURANT DE FUITE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:4.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:150mA; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:250mA; Marquage, CMS:JVs; Puissance, Ptot:370mW; Temps, trr typ.:0.6è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension de claquage:75V; Tension, Vr, mesure Ir:75 DIODE TRISIL 270VBD CMS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:243V; Gamme de tension de claquage:345V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:30pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:100A; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; C FICHE ELECTRO VANNE+DIODE; Genre:Connecteur mÃ¢le; Nombre de contacts:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:CÃ¢ble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Approval Bodies:CSA / DSRK / SEV / UL / UR; Body Plating:Etain; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Etain; Contact Type:Broche; Courant:16A; Diamètre, cÃ¢ble max..:9mm; Diamètre, cÃ¢ble min.:6mm; IP / NEMA Rating:IP65; Longueur/hauteur:51mm; Matière:Polyamide; M PHOTODIODE FILTRE IR; Longueur d'onde typ.:580nm; Angle, moitié:50Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:21F; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-20Â°C +75Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Photodiode; Gamme spectrale max..:720nm; Gamme spectrale min.:330nm; Largeur (externe):8mm; Longueur d'onde, crête:580.00nm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:1.8mm; Surface active:5.16mmË›; Tension Vr max..:40V; Tension, claquage:40V; Type de boîtier:Flat Top DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:2A; Courant, If, Vf:500mA; Courant, direct, If:500mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A PHOTODIODE SCHMITT O/P; Nombre de voies:1; Optocoupler Output Type:Trigger de Schmitt; Courant, entrée:12mA; Tension, sortie:2.4V; Type de boîtier opto:Aspect latéral; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:55Â°; Courant, alimentation:4mA; Courant, alimentation max.:6mA; Courant, sortie max.:18mA; Irradiation, point de fonctionnement max...:1.2mW/cmË›; Irradiation, point de libération:2.35mW/cmË›; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:5.7mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.3mm; RESEAU DE DIODE DE SUPPRESSION; Tension , Vrwm:70V; Gamme de tension de claquage:80V; Courant, impulsion crête:90A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:30pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:30A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Itsm:8A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:10è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:TPI80N; Tension Vr max..:70V; Ten MODULE DIODE+ LED; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:24VDC; Tension, entrée min.:6VDC DIODE MODULE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:220VDC; Tension, entrée min.:6VDC DIODE ZENER 75W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:75W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2A; Diode Type:Zener; Polarité:Stud Cathode; Puissance, Ptot:75W; Taille du filetage:28 UNF; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser DIODE ZENER 75W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:75W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2A; Diode Type:Zener; Polarité:Stud Cathode; Puissance, Ptot:75W; Taille du filetage:28 UNF; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser DIODE ZENER 20W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; Courant de Zener:1A; Courant, test:1A; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:20W; Polarité:Stud Cathode; Puissance, Ptot:20W; Taille du filetage:10-32UNF; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser DIODE RF COMMUTATION RAPIDE; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:2.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.2pF; Courant If Rs:1A; Marquage composant:G4; Résistance, séries de diodes, rs:2.5ohm; Tension Vr max..:5V; Tension de claquage:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS CARTE AMPLIFICATEUR 2 VOIES A PHOTODIODE; Silicon Fabricant:Twlux; Contenu du kit:Board; Caractéristiques du kit:Multifunctional, 2-Channel, Adjustable Gain; Core Architecture:Amplificateur; Core Sub-Architecture:Amplificateur multifonction; MCU Supported Families:TW30; Type:Amplifier Board PHOTODIODE IR FILTREE; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:75Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dimension de la lentille:5mm sommet plat; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850nm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:900nm; Sensibilité:0.59A/W; Surface active:1mmË›; Taille de lampe:5mm Flat Top; Temps de descente:0.002è¾s; Temps de montée:0.002è¾s; Tension Vr PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:850nm; Angle, moitié:10Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dimension de la lentille:5mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850nm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité:0.62A/W; Surface active:1mmË›; Taille de lampe:5mm; Temps de descente:0.005è¾s; Temps de montée:0.005è¾s; Tension Vr max..:50V; Type de boîtier:T-1 3 MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:3mW; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Courant, alimentation:70mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 3r; Diamètre, extérieur:11mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:35mm; Largeur (externe):11mm; Longueur d'onde, crête:670nm; Longueur/hauteur:37mm; Temps moyen d'erreur:150000h; Température de fonctionnement:-10Â°C +55Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:633nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Courant, alimentation:70mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:11mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:35mm; Largeur (externe):11mm; Longueur/hauteur:37mm; Temps moyen d'erreur:30000h; Température de fonctionnement:-10Â°C +45Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension, alimentation min.:3.5V DIODE DE REDRESSEMENT; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:12kV; Courant, If moy.:600mA; Tension, Vf max..:11V; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:F1; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:720mA; Courant, Ir, max..:1A; Diamètre, extérieur:15mm; Longueur/hauteur:101mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:15Â°C/W; Taille du filetage:M5; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1.7è¾A; Type de boîtier diode:Planar; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:0.5mA; Diode Type:Puce photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:5.1mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:10.40mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:5è¾A; Type de boîtier diode:Planar; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:2.3mA; Diode Type:Puce photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:25.4mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:45.20mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE FILTREE NB; Longueur d'onde typ.:550nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:100nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-20Â°C +85Â°C; Courant de court-circuit:55è¾A; Diode Type:Photodiode filtrée; Longueur d'onde, crête:550.00nm; Réponse spectrale crête:550nm; Surface active:9.8mmË›; Temps de descente:6è¾s; Temps de montée:4è¾s; Tension Vr max..:50V; Tension, claquage:50V; Type de boîtier:Bombé DIODE LASER PULSE 905NM; Longueur d'onde typ.:905nm; Courant:40A; Nombre de broches:2; Puissance de sortie:25W; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:40A; Diamètre, faisceau:0.2mm; Divergence faisceau:11rad; Longueur d'onde, crête:905nm; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température, stockage max..:100Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C PHOTODIODE BLEU AMELIORE; Longueur d'onde typ.:850nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:DIP; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:72pF; Diode Type:Photodiode; Gamme spectrale max..:1100nm; Gamme spectrale min.:350nm; Largeur (externe):4.5mm; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:4mm; Pas:5.1mm; Profondeur:2.2mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité:0.2A/W; Surface active:7.45mmË›; PHOTODIODE IR FILTREE; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:10Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dimension de la lentille:T1_3/4; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:4.2mm; Photosensibilité:2.54; Réponse spectrale crête:900nm; Sensibilité:0.59A/W; Surface active:1mmË›; Taille de lampe:5mm / T-1 3/4; Temps de descente:0.005è¾s; Temps de DIODE VARI-CAP SOD-323; Capacité max. Cd @ Vr F:21.26pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:35V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:2.225pF; Capacité, Cd, min. Vr:21.26pF; Capacité, Cd, typ. Vr:2.1pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:1.1mm; Marquage DIODE SMB RAPIDE 2A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â° PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:850nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 4 - 72 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Photodiode; Largeur (externe):4.4mm; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:1.15mm; Profondeur:6.45mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité:0.62A/W; Sensibilité, seuil max..:0.62A/W; Surface active:7mmË›; Temps de descente:0.001è¾s; Temps de montée:0.001è¾s; Tension Vr max..: PHOTODIODE IR FILTREE; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 4 - 72 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Photodiode; Largeur (externe):4.4mm; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:1.15mm; Profondeur:6.45mm; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité:0.59A/W; Surface active:7mmË›; Temps de descente:0.002è¾s; Temps de montée:0.002è¾s; Tension Vr max..:32V; Type de boîtier:CM DIODE SCHOTTKY 3A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:4mA; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:115Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A PHOTODIODE. DETECTEUR IR; Fréquence porteuse:38kHz; Temps de montée:1.2ns; Temps de descente:1ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:500è¾A; Type de boîtier opto:Traversant; Température de fonctionnement:-10Â°C +70Â°C; Courant, sortie max.:1.5mA; Fréquence, fonctionnement:38kHz; Largeur (externe):5.5mm; Longueur/hauteur:8.8mm; Pas:2.54mm; Profondeur:5.3mm; Température de fonctionnement max..:70Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, Vcc max..:5.5V; Tensio DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:635nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Laser Lens:Asphérique; Courant, alimentation:35mA; Tension:6V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:12mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Longueur/hauteur:43mm; Stabilité, puissance de sortie:< 5%; Température de fonctionnement:-10Â°C +40Â°C; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:3V PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1è¾A; Type de boîtier diode:Planar; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +105Â°C; Courant de court-circuit:1.2mA; Diode Type:Puce photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:5.1mm; Profondeur:5.1mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:21.40mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:3.3è¾A; Type de boîtier diode:Planar; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:4mA; Diode Type:Puce photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:10.2mm; Profondeur:10.2mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:93.60mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Sensibilité Spectrale:0.55A/W; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:3.3è¾A; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +105Â°C; Courant de court-circuit:4mA; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur cordon:130mm; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:10.2mm; Profondeur:10.2mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:93.60mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:3.3è¾A; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +105Â°C; Courant de court-circuit:6mA; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur cordon:130mm; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:5.1mm; Profondeur:25.4mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:109.10mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:100nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-20Â°C +75Â°C; Courant de court-circuit:700è¾A; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Réponse spectrale crête:930nm; Surface active:9.8mmË›; Temps de descente:6è¾s; Temps de montée:4è¾s; Tension Vr max..:50V; Tension, claquage:50V; Type de boîtier:Bombé MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Courant, alimentation:70mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:11mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:35mm; Largeur (externe):11mm; Longueur d'onde, crête:670nm; Longueur/hauteur:37mm; Temps moyen d'erreur:150000h; Température de fonctionnement:-10Â°C +55Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Tension, alimentation max..:5V; Tensio MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:5mm x 5mm; Courant, alimentation:35mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:16mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:150mm; Largeur (externe):16mm; Longueur/hauteur:49mm; Temps moyen d'erreur:30000h; Température de fonctionnement:-10Â°C +45Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension, alimentation min.:3.5V PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur d'onde, crête:950nm; Sensibilité:0.7A/W; Surface active:4.84mmË›; Temps de montée:20ns; Tension Vr max..:20V; Type de terminaison:CMS DIODE LASER PULSE 850NM; Longueur d'onde typ.:850nm; Courant:12A; Nombre de broches:2; Puissance de sortie:10W; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:12A; Diamètre, faisceau:0.2mm; Divergence faisceau:11rad; Longueur d'onde, crête:850nm; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température, stockage max..:100Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:635nm; Puissance de sortie:3mW; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Laser Lens:Asphérique; Courant, alimentation:65mA; Tension:6V; Classe, laser:Classe 3a; Diamètre, extérieur:12mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Longueur/hauteur:43mm; Stabilité, puissance de sortie:5%; Température de fonctionnement:-10Â°C +40Â°C; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:3V DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:3mW; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Laser Lens:Asphérique; Courant, alimentation:55mA; Tension:6V; Classe, laser:Classe 3a; Diamètre, extérieur:12mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Longueur/hauteur:43mm; Stabilité, puissance de sortie:5%; Température de fonctionnement:-10Â°C +60Â°C; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:3V PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1.7è¾A; Type de boîtier diode:Planar; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:2.1mA; Diode Type:Puce photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:5.1mm; Profondeur:10.2mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:45.90mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1.7è¾A; Type de boîtier diode:Planar; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:0.17mA; Diode Type:Puce photodiode; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:1.3mm; Profondeur:3.4mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:2.70mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1.7è¾A; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +105Â°C; Courant de court-circuit:0.5mA; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur cordon:130mm; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:5.1mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:10.40mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1.7è¾A; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +105Â°C; Courant de court-circuit:2.1mA; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur cordon:130mm; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:5.1mm; Profondeur:10.2mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:45.90mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire RESEAU PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Courant d'obscurité:3è¾A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:80è¾A; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Surface active:9.36mmË›; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire DIODE LASER. 905NM; Longueur d'onde typ.:905nm; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:25W; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, faisceau:0.2mm; Divergence faisceau:15rad; Longueur d'onde, crête:905nm; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température, stockage max..:100Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension, alimentation max..:20V DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:320mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Marquage, CMS:L42; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DRIVER DE DIODE LASER; Type de driver laser:Laser Diode; Courant, alimentation:90mA; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 6V; Type de boîtier CI Driver:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation max.:90mA; Numéro générique:WKL; Racine de la référence:08; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:2.4V; Type de boîtier:SOIC DRIVER DE DIODE LASER; Type de driver laser:Laser Diode; Courant, alimentation:300mA; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 15V; Type de boîtier CI Driver:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation max.:300mA; Numéro générique:WKN; Racine de la référence:08; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:2.4V; Type de boîtier: DIODE LASER 655NM; Longueur d'onde typ.:655nm; Courant:25mA; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:5mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +50Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:25mA; Longueur d'onde, crête:655nm; Température de fonctionnement max..:50Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:2.2V; Tension, alimentation max..:2.5V DIODE LASER APC 655NM; Longueur d'onde typ.:655nm; Courant:27mA; Type de boîtier diode:TO-5; Nombre de broches:2; Puissance de sortie:7mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:30mA; Longueur d'onde, crête:655nm; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:2.2V; Tension, alimentation max..:2.5V DIODE LASER 808NM; Longueur d'onde typ.:808nm; Courant:260mA; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:200mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +50Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:260mA; Longueur d'onde, crête:808nm; Température de fonctionnement max..:50Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-10Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:1.7V; Tension, alimentation max..:1.9V DRIVER DE DIODE LASER; Type de driver laser:Laser Diode; Courant, alimentation:350mA; Gamme de tension d'alimentation:3.6V 15V; Type de boîtier CI Driver:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation max.:350mA; Numéro générique:WKM; Racine de la référence:08; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:3.6V; Type de boîtier: DIODE LASER 635NM; Longueur d'onde typ.:635nm; Courant:33mA; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:5mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +50Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:33mA; Divergence faisceau:7.5rad; Longueur d'onde, crête:635nm; Température de fonctionnement max..:50Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:2.2V; Tension, alimentation max..:2.5V DIODE LASER 655NM; Longueur d'onde typ.:650nm; Courant:27mA; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:7mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:25mA; Longueur d'onde, crête:655nm; Température de fonctionnement max..:70Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:2.2V; Tension, alimentation max..:2.5V PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:850nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5mm; Dimension de la lentille:5mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:6.8mm; Pas:2.54mm; Sensibilité:0.62A/W; Surface active:7mmË›; Taille de lampe:5mm; Temps de descente:0.35è¾s; Temps de montée:0.35è¾s; Tension Vr max..:32V; Type PHOTODIODE IR FILTREE; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:20Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dimension de la lentille:5mm sommet plat; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850nm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:900nm; Sensibilité:.59A/W; Surface active:1mmË›; Taille de lampe:5mm Flat Top; Temps de descente:0.002è¾s; Temps de montée:0.002è¾s; Tension Vr m DIODE TVS SMB 400V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:360V; Gamme de tension de claquage:400V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:100A; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Di DIODE ULTRA-RAPIDE 2X6A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifs DIODE ULTRA-RAPIDE 2X7.5A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:7.5A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm DIODE ULTRA-RAPIDE 2X7.5A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:53ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:7.5A; Courant, Ir, max..:15è¾A; Temps, trr typ.:53ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant DIODE ULTRA-RAPIDE 20A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:175A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:16ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:175 DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:3è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de termi DIODE ULTRA-RAPIDE 30A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:42ns; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:15è¾A; Temps, trr typ.:42ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE ULTRA-RAPIDE 30A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:42ns; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:DO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:15è¾A; Temps, trr typ.:42ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:0.000003è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:30è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:40 DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:42ns; Courant, Ifs max.:240A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:15è¾A; Nombre de phases:Une; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de ter DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:47ns; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:47ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:8è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 2X15A 170V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:170V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 5.5A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:5A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:10mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:350mV; Type d DIODE SCHOTTKY 5.5A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:5A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:630mV; Type d DIODE SCHOTTKY 6.6A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:7A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:490A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:610mV; DIODE SCHOTTKY 6.6A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:7A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:440A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:5mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:630mV DIODE SCHOTTKY 6A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:490A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:650mV; T DIODE SCHOTTKY 40A TO-247; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:2.95kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:20A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:11.25mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:175Â°C; DIODE SCHOTTKY 400A TO-224; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:400A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:20kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-244; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:190mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:128Â°C; Tension, direct If:1.21V; Type de boîtier:TO-244; Type de terminaison: visse DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:400è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison DIODE SCHOTTKY 5A 40V SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 30A ISOPLUS247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.74V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:ISOPLUS-247; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single Diode (1:K, 2:A); Courant, If, Vf:30A; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.74V; Type de boîtier:ISOPLUS247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE DE REDRESSEMENT 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Bro DIODE SCHOTTKY 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:3-2A1A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; Type de boîtier:3-2A1A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE SCHOTTKY 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:3-2A1A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:3-2A1A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:633nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:5mm x 5mm; Courant, alimentation:35mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:16mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:150mm; Largeur (externe):16mm; Longueur/hauteur:49mm; Temps moyen d'erreur:30000h; Température de fonctionnement:-10Â°C +45Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension, alimentation min.:3.5V DIODE ULTRA-RAPIDE 2X7.5A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:53ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:15è¾A; Temps, trr typ.:53ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1 DIODE ULTRA-RAPIDE 30A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:57ns; Courant, Ifs max.:210A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Temps, trr typ.:57ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm: DIODE ULTRA-RAPIDE 30A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:57ns; Courant, Ifs max.:210A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Temps, trr typ.:57ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:210A DIODE ULTRA-RAPIDE 5A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:48ns; Courant, Ifs max.:55A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:48ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:55A DIODE ULTRA-RAPIDE 5A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:48ns; Courant, Ifs max.:55A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:48ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:55A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.18V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:330A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:0.00003è¾A; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:330A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:49ns; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Temps, trr typ.:49ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Nombre de phases:Une; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de DIODE ULTRA-RAPIDE 2X4A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:17ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:4A; Courant, Ir, max..:6è¾A; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100 DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:8è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 2X10A 170V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:170V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 2X20A 170V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:170V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1.7è¾A; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +105Â°C; Courant de court-circuit:0.17mA; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur cordon:130mm; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Longueur/hauteur:1.3mm; Profondeur:3.4mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:2.70mmË›; Tension Vr max..:20V; Tension, circuit ouvert:0.4V; Tension, claquage:20V; Type de boîtier:Rectangulaire PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:850nm; Angle, moitié:75Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dimension de la lentille:5mm sommet plat; Diode Type:Photodiode; Largeur (externe):4.4mm; Longueur d'onde, crête:850nm; Longueur/hauteur:1.15mm; Profondeur:6.45mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité:0.62A/W; Surface active:1mmË›; Taille de lampe:5mm Flat Top; Temps de descente DIODE TVS SMB 320V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:290V; Gamme de tension de claquage:320V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:100A; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:300A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Di DIODE ULTRA-RAPIDE 2X50A 200V; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:50A; Courant, Ifs max.:50A; Courant, Ir, max..:0.005è¾A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Temps trr max.:20ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de boîtier diode:ISOTOP; Type de terminaison: visser; cour DIODE ULTRA-RAPIDE 2X60A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:420A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If, Vf:60A; Courant, Ir, max..:30è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; DIODE ULTRA-RAPIDE 2X6A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:48ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:67ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X6A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:48ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:67ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE ULTRA-RAPIDE 20A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:175A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:16ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1 DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:17ns; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:0.00002è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:23ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type d DIODE ULTRA-RAPIDE 30A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:42ns; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:DOP-3I; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:15è¾A; Temps, trr typ.:42ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:30 DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:3è¾A; Temps, trr typ.:16ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:75A DIODE ULTRA-RAPIDE 4A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.05V; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:4A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:16ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:210A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:25è¾A; Nombre de phases:Une; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:600V; Tension, direct If:1.85V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:47ns; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:47ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1kV; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:8è¾A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:TO-220 Isolé; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:8 DIODE ULTRA-RAPIDE 2X45A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:45A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:420A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If, Vf:45A; Courant, Ir, max..:30è¾A; Nombre de phases:Une; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de RESEAU DE DIODE TVS USB2; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:3.5pF; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage composant:USBLC6-4SC6; Marquage, CMS:UL46; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température d'utilisation DIODE SCHOTTKY 2X30A 170V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:170V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:940mV; Courant, Ifs max.:270A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:940mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:270A DIODE SCHOTTKY 2X40A 170V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:170V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:500A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:40A; Courant, direct, If:40A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:840mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE RAPIDE 16A D2-PAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:3.93V; Temps trr max.:245ns; Courant, Ifs max.:190A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:16A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:135ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:190A DIODE RAPIDE 4A D2-PAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:38ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:42ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 10A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:10A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:20mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; coura DIODE SCHOTTKY 12A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:6A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:10mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:370mV DIODE SCHOTTKY 3.3A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:535A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:8mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:350mV; Type de DIODE SCHOTTKY 5.5A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:5A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:7mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:540mV; Type de DIODE SCHOTTKY 6.6A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:7A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:535A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:8mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:350mV; DIODE SCHOTTKY 6A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:490A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:650mV; T DIODE RAPIDE 15A D2-PAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Polarité:Common Cathode; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.05V; Ty DIODE SCHOTTKY 12A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:550A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:6A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:9mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:480mV; DIODE SCHOTTKY 3.3A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:490A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de DIODE SCHOTTKY 5.5A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:5A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:9mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:440mV; Type de DIODE SCHOTTKY 3A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:490A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:8mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:490mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de term DIODE SCHOTTKY 3.3A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A(1+3), K(4,2); Courant, direct, If:3A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:8mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:490mV; Type de PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:850nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur d'onde, crête:950nm; Sensibilité:0.62A/W; Surface active:2.2mmË›; Temps de montée:20ns; Tension Vr max..:20V; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 2A 100V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminai DIODE SCHOTTKY 5A 60V SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE RAPIDE 15A ISOPLUS247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:4.04V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:110A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:ISOPLUS-247; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single Diode (1:K, 2:A); Courant, If, Vf:15A; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:4.04V; Type de boîtier:ISOPLUS247; Type de terminaison:Traversa DIODE RAPIDE 60A ISOPLUS247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:2.66V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:500A; Type de boîtier diode:ISOPLUS-247; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single Diode (1:K, 2:A); Courant, If, Vf:60A; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.66V; Type de boîtier:ISOPLUS247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE 4A 1000V SMC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:4A; Résistance thermique, jonction-carcasse:13Â°C/W; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison DIODE SCHOTTKY 3A 100V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:SMA; Type de termina DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:5000è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaiso DIODE SCHOTTKY 1A 100V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:SMB; Type de termina DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaiso DIODE SCHOTTKY 3A 100V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:SMB; Type de termina DIODE SCHOTTKY 3A 100V SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison: DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A PHOTODIODE, PIN; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de court-circuit:80è¾A; Largeur (externe):4.5mm; Longueur cordon:26.5mm; Longueur d'onde, crête:940nm; Longueur/hauteur:6mm; Pas:2.54mm; Profondeur:5mm; Sensibilité:0.6A/W; Surface active:7.5mmË›; Temps de descente:100ns; Temps de montée:100ns; Température de fonctionneme DIODE SCHOTTKY 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:400mV; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:3-2A1A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:50è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:3-2A1A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE SCHOTTKY 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:3-2A1A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; Tension, direct If:360mV; Type de boîtier:3-2A1A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE SCHOTTKY 1.5A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:3-2A1A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; Tension, direct If:360mV; Type de boîtier:3-2A1A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE AVALANCHE 1.5A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; DIODE AVALANCHE 1.5A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; DIODE RAPIDE 5A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:58mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, d DIODE RAPIDE CMS 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:3mm; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO- DIODE RAPIDE CMS 1A 400V; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:5mm; Profondeur:3mm; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:DO-213AB; Type de terminaison DIODE RAPIDE CMS 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:3mm; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtie DIODE RAPIDE CMS 5A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:500mA; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:2mm; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, dire DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:56mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Tension, d DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:62mm; Profondeur:6mm; Température de fonctionnement max..:125Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Tension, entrée efficace:28V; Type de boîtier DIODE SCHOTTKY 4A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisat DIODE SCHOTTKY 4A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisat DIODE CMS 0.5A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:2mm; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.2V; Tension, en DIODE CMS 0.5A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:2mm; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.2V; Tension, en DIODE CMS 1.5A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tensi DIODE CMS 1A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Temps, trr typ.:2000ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée e DIODE CMS 1A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Temps, trr typ.:2000ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée eff DIODE CMS 1A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Temps, trr typ.:2000ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée e DIODE AVALANCHE CMS 1.5A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:4è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â° DIODE SCHOTTKY CMS 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:3mm; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Température d'utilisation min:-55Â°C; Tension, direct If:500mV; Tension, entr PHOTODIODE, PIN; Longueur d'onde typ.:940nm; Bande passante:100MHz; Angle, moitié:20Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de court-circuit:50è¾A; Diamètre, extérieur:5mm; Longueur cordon:26.3mm; Longueur d'onde, crête:940nm; Longueur/hauteur:8.6mm; Pas:2.54mm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:0.78mmË›; Temps de descente:2.5ns; Temps de montée:2.5ns; Température de fo DIODE PIN SOT-25; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.22pF; Résistance @ If:3ohm; Fréquence, centrale:1.35GHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-25; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Atténuation:36dB; Capacité totale max..:0.22pF; Courant, If max..:1A; Marquage composant:BTx; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-25; Type de terminaison:CMS DIODE PIN SOT-323; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.2pF; Résistance @ If:3ohm; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.2pF; Config. Brochage:Cathode commune; Courant, If max..:1A; Marquage composant:L4; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY SOT-323; Configuration diode:Série; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:10mA; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:Series; Courant, If moy.:1A; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Diode Type:Schottky RF; Marquage composant:C2; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:1V; Tension, Vrrm:15V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de te DIODE SCHOTTKY SOT-143; Configuration diode:Paire non connexe; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:Unconnected Pair; Courant, If, Vf:1mA; Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:4V; Tension, Vrrm:4V; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SOT-143; Type de ter DIODE VARICAP SOD323; Capacité max. Cd @ Vr F:17pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:30V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:1pF; Capacité, Cd, min. Vr:17pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Marquage composant:P1; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:12; Ratio, changement de capacité, Cd, min.: DIODE VARICAP SOD523; Capacité max. Cd @ Vr F:21.26pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:35V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:2.25pF; Capacité, Cd, min. Vr:21.26pF; Capacité, Cd, typ. Vr:2.1pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Marquage composant:9; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:9; R DIODE LASER 655NM; Longueur d'onde typ.:655nm; Courant:28mA; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:7mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:30mA; Longueur d'onde, crête:655nm; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:2.2V; Tension, alimentation max..:2.5V DIODE LASER 785NM; Longueur d'onde typ.:785nm; Courant:115mA; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:90mW; Température de fonctionnement:-10Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:115mA; Longueur d'onde, crête:785nm; Température de fonctionnement max..:70Â°C; Température, stockage max..:85Â°C; Température, stockage min.:-40Â°C; Température d'utilisation min:-10Â°C; Tension, alimentation:2.0V; Tension, alimentation max..:2.2V; Tension, alimentation min.:1.5V DIODE 1A 1300V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.3kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:56mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direc DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:57mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, d DIODE RAPIDE CMS 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Températur DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:57mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température de fonctionnement max..:125Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Tension, e DIODE SCHOTTKY 1A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:56mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Tension, d DIODE SCHOTTKY 5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:175A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):9mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7mm; Style de boîtier alternatif:DO-220AA; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisation m DIODE CMS 1A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:5mm; Profondeur:3mm; Temps, trr typ.:2000ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée DIODE CMS 1A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Temps, trr typ.:2000ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée e DIODE TVS 400W. 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:9.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Itsm:40A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profondeur:3mm; DIODE SCHOTTKY SOT-143; Configuration diode:Paire non connexe; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:Unconnected Pair; Courant, If moy.:1A; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:1A; Diode Type:Schottky RF; Marquage composant:C5; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:1V; Tension, Vrrm:15V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:S DIODE SCHOTTKY SOD323; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:380mV; Capacité totale max..:5pF; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:120mA; Courant, If moy.:120mA; Courant, If, Vf:1mA; Courant, Ifs max.:200mA; Courant, direct, If:120mA; Diode Type:Schottky RF; Marquage composant:S4; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Te DIODE VARICAP SOD323; Capacité max. Cd @ Vr F:21pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:30V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:2.1pF; Capacité, Cd, min. Vr:21pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Marquage composant:P5; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:8.9; Ratio, changement de capacité, Cd, mi CAPTEUR DE TEMPERATURE REMOTE DIODE CMS; Type de sortie CI:Tension; Gamme de précision de détection:è… 1Â°C; Gamme de température de détection:0Â°C +85Â°C; Courant, alimentation:0.8mA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Résolution (Bits):11bit; Type de boîtier de capteur CI:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10è¾A; Racine de la référence:99; Résolution:11bit; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Températur PHOTODIODE; Taux de transfert de données max..:5Mbps; Longueur d'onde typ.:700nm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:4mA; Diamètre de la broche:2.2mm; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Sensibilité:600 to 780nm; Surface active:3.08mmË›; Temps de descente:250ns; Temps de montée:100ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C DIODE 1A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:56mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direc DIODE RAPIDE 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Largeur (externe):4mm; Longueur/hauteur:59mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tens DIODE RAPIDE CMS 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:3mm; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtie DIODE RAPIDE CMS 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:5mm; Profondeur:3mm; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO- DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:56mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Tension, d DIODE SCHOTTKY 1A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:175Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de ter DIODE SCHOTTKY 3A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:61mm; Profondeur:6mm; Température de fonctionnement max..:175Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température d'utilisation min:-55Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier DIODE CMS 0.5A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:6mm; Profondeur:2mm; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, entrée efficace:420V; Type de DIODE CMS 1A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-213AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée efficace:560V; Type de bo DIODE CMS 3A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):9mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, CAPTEUR DE TEMP 4 DIODES 2 FILS I/F CMS; Type de sortie CI:Courant; Gamme de précision de détection:è… 1Â°C; Gamme de température de détection:-40Â°C +125Â°C; Courant, alimentation:0.57mA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Résolution (Bits):11bit; Type de boîtier de capteur CI:LLP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10è¾A; Racine de la référence:95214; Résolution:11bit; Température de fonctionnement:-40Â°C +140Â°C; Température de fonctionnement max..:140Â°C; T DIODE PIN SOT-323; Diode Type:RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.2pF; Résistance @ If:3.8ohm; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.2pF; Config. Brochage:Série; Courant, If max..:1A; Marquage composant:G2; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY SOT-323; Configuration diode:Série; Tension inverse Vr:2V; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:250mV; Capacité totale max..:0.3pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:Series; Courant, If moy.:1A; Courant, If, Vf:1mA; Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Marquage composant:P2; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:2V; Tension, Vrrm:2V; Tension, direct If DIODE VARICAP SOD323; Capacité max. Cd @ Vr F:2.75pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:35V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:2.75pF; Capacité, Cd, min. Vr:42.35pF; Capacité, Cd, typ. Vr:2.6pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Marquage composant:PC; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:15; DRIVER DE DIODE LASER 4.25GBPS CMS; Type de driver laser:Laser Diode; Courant, alimentation:32mA; Courant Bias:100mA; Courant de modulation:90mA; Taux de transfert:4.25Gbps; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier CI Driver:LFCSP; Nombre de broches:24; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation max.:32mA; Racine de la référence:2871; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température, max..:85Â°C; Te DIODE SCHOTTKY 2A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:340mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:220è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE ULTRA-RAPIDE 2X50A 200V; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If, Vf:50A; Courant, Ifs max.:750A; Courant, Ir, max..:50è¾A; Nombre de broches:4; Temps trr max.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:ISOTOP; Type de boîtier diode:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:750A DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:3è¾A; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:200V; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:60A DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 1200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:1.2kV; Tension, direct If:1.75V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Typ DIODE ULTRA-RAPIDE 2X30A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:830mV; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:600A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:3è¾A; Temps, trr typ.:66ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:400V; Tension, direct If:830mV; Type de boîtier:DO-247; Type de terminaison:Traversant DIODE ULTRA-RAPIDE 60A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:60A; Courant, Ir, max..:50è¾A; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:600V; Tension, direct If:1.85V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A RESEAU DE DIODE TVS USB2; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:3.5pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage composant:USBLC6-2P6; Marquage, CMS:F; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température d'utilisation min:-55Â°C; T DIODE SCHOTTKY 2X100A 170V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:170V; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:700A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100A; Courant, direct, If:100A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:700A DIODE TVS 400W 64V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:67.8V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:270pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3.3W; Marquage DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:10A; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE RAPIDE 8A D2-PAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:160ns; Courant, Ifs max.:130A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:28ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:130A DIODE RAPIDE 30A D2-PAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:90ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Polarité:Common Cathode; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; DIODE RAPIDE 8A D2-PAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:90ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE SCHOTTKY 20A TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY 12A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:6A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:7mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, di DIODE SCHOTTKY 12A D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:6A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:650mV DIODE SCHOTTKY 30A TO-247; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:920A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), CommonK(4); Courant, direct, If:15A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:7.5mJ; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:175Â°C; Tens DIODE 4A 400V SMC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:4A; Résistance thermique, jonction-carcasse:13Â°C/W; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj DIODE SCHOTTKY 2A 40V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison DIODE SCHOTTKY 2A 60V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison DIODE SCHOTTKY 2A 60V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:400è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison DIODE SCHOTTKY 3A 60V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaiso DIODE RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE RAPIDE 30A ISOPLUS247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.51V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Common Cathode (1:A, 2: K, 3: A); Courant, If, Vf:30A; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.51V; Type de boîtier:ISOPLUS247; Type de terminaison: DIODE RAPIDE 30A ISOPLUS247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:5V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:ISOPLUS-247; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single Diode (1:K, 2:A); Courant, If, Vf:30A; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:5V; Type de boîtier:ISOPLUS247; Type de terminaison:Traversant; co DIODE SCHOTTKY ISOPLUS247; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:17A; Tension, Vf max..:3.32V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:ISOPLUS-247; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:15A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0.2mJ; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:3.32V; Tension, isolation:2.5kV; Type de boîtier:ISOPLUS247; Typ DIODE RAPIDE 600A TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.36V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:30A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.7Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type DIODE RAPIDE 20A TO-220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Common Cathode; Courant, If, Vf:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.3Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tc If:145Â°C; Températur DIODE RAPIDE 240A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:1.39V; Config. Brochage:Common Cathode; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Configuration module:Non isolée; Courant, If, Vf:120A; Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.2Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Tempér DIODE RAPIDE 30A TO-247AD; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30mA; Config. Brochage:Common Cathode; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Courant, Ifs max.:140A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:3; Temps trr max.:25ns; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tc If:115Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:TO-247AD; Type de boîtier diode:TO-247AD DIODE RAPIDE 30A TO-247AD; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.78V; Config. Brochage:Common Cathode; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ifs max.:90A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:3; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:40ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Température, Tc If:125Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, dir DIODE RAPIDE 60A TO-247AD; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.78V; Config. Brochage:Common Cathode; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ifs max.:200A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:3; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:40ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Température, Tc If:115Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, di DIODE RAPIDE 15A ISOPLUS220; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Courant, Ifs max.:115A; Type de boîtier diode:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Phase Leg; Courant, If, Vf:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6Â°C/W; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tc If:115Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:ISOPLUS220 DIODE RAPIDE 60A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.58V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ifs max.:250A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.15Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:95Â°C; Te DIODE RAPIDE 120A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.68V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:60A; Courant, Ifs max.:600A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.85Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:30ns; Temps, trr typ.:30ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:75Â°C; T DIODE RAPIDE 120A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:2.42V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:60A; Courant, Ifs max.:800A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:40ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:80Â°C; T DIODE RAPIDE 180A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:90A; Tension, Vf max..:1.72V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:90A; Courant, Ifs max.:1kA; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:30ns; Temps, trr typ.:30ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:65Â°C; Ten DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123FL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:340mV; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123FL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:340mV; Type de boîtier:SOD-123FL; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:45A DIODE SCHOTTKY 20A 30V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:5000è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:580mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 3A 100V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:790mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:20è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:510mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE SCHOTTKY 2A 10V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:15è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 25A 15V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:15000è¾A; Température, Tj max..:100Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 70V SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:500mV; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:0.2è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE DE SIGNAL 75V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A), 2(N/C), 3(K); Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:BAS116; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE SIGNAL 200V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:625mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A), 2(N/C), 3(K); Courant, If, Vf:200mA; Marquage composant:BAS20; Puissance, Ptot:385mW; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:200V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:625mA DIODE DE SIGNAL 30V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(K1), 2(K2), 3(A1+A2); Courant, If, Vf:10mA; Marquage composant:BAT54A; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(A2), 3(K1+K2); Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:BAV70; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3.2W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:POWERMITE; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:60.5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:3.2W; Type de boîtier:POWERMITE; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:113.6mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:104.2mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:37.5mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 200V; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1.9mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:8.5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5.2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 51V; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2.5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS IC, CONTROLLER, DIODE, SMD, MSOP8; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:80è¾A; Courant, sortie max.:170è¾A; Nombre de canaux de sortie:1; Racine de la référence:4357; Température de fonctionnement max..:70Â°C; Température d'utilisation min:0Â°C; Tension d'entrée primaire:80V; Tension, alimentation max..:80V; Tension, alimentation min.:9V; Tension, entrée max..:80V; Tension, sortie:80V; Tension, sortie max..:90V; Type de boîtier:M DIODE RAPIDE 600A TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:2.31V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Common Cathode; Courant, If, Vf:20A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:2.15 DIODE RAPIDE 20A TO-220AB; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.96V; Config. Brochage:Common Cathode; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Courant, If, Vf:10A; Courant, Ifs max.:40A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:3; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.5Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:40ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Température, Tc If:115Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, dir DIODE RAPIDE 6A ISOPLUS220; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Phase Leg; Courant, If, Vf:6A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3Â°C/W; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tc If:150Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.35V; Type de boîtier:ISOPLUS220; Type de terminaison:Travers DIODE RAPIDE 12A TO-220AC; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:2.1V; Config. Brochage:Single; Configuration diode:Une; Courant, If, Vf:12A; Courant, Ifs max.:75A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:60ns; Temps, trr typ.:50ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:100Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boît DIODE RAPIDE 30A TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:930mV; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:30A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tc If:145Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tensi DIODE RAPIDE 30A TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.26V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:30A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tc If:135Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tensi DIODE RAPIDE 30A TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.81V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:30A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tc If:115Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tens DIODE RAPIDE 120A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.48V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:60A; Courant, Ifs max.:600A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.85Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:65Â°C; T DIODE RAPIDE 15A ISOPLUS220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:130A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Phase Leg; Courant, If, Vf:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.75Â°C/W; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tc If:130Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE RAPIDE 104A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:52A; Tension, Vf max..:2.15V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, If, Vf:60A; Courant, Ifs max.:450A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.7Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:60ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:50Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; T DIODE RAPIDE 60A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.72V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ifs max.:200A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.15Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:40ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:70Â°C; T DIODE RAPIDE 70A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:35A; Tension, Vf max..:2.5V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:35A; Courant, Ifs max.:100A; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6Â°C/W; Temps trr max.:20ns; Temps, trr typ.:20ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:100Â°C; Tension, direct If:2V; Type DIODE RAPIDE 180A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:90A; Tension, Vf max..:2.05V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:90A; Courant, Ifs max.:1kA; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:55Â°C; Ten DIODE SCHOTTKY SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:40è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:350A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:350A DIODE SCHOTTKY 0.5A 30V SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:130è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:430mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:6000è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 30V SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:60è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 3A 50V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 40A 250V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:250V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:970mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:30è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:970mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 60A 100V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:980mV; Courant, Ifs max.:350A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:980mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:350A DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:300è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 1A 30V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 8A 45V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:140A DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123FL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123FL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:40è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:SOD-123FL; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:760mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:760mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:930mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:4.5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 3A 60V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 40A 100V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:350A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:12ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:350A DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 20A 200V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 3A 40V DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 3A 60V DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 6A 60V DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE DE SIGNAL 120V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:120V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:625mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A), 2(N/C), 3(K); Courant, If, Vf:200mA; Marquage composant:BAS19; Puissance, Ptot:385mW; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:120V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:625mA DIODE DE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(K2), 3(K1+A2); Courant, If, Vf:15mA; Marquage composant:BAS70-04; Puissance, Ptot:225mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE DE SIGNAL 30V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(A2), 3(K1+K2); Courant, If, Vf:10mA; Marquage composant:BAT54C; Puissance, Ptot:225mW; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 15A 45V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:840mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 40A 30V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:350è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:300A DIODE SCHOTTKY 6A 50V DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:75A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE DE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(N/C), 2(K), 3(A); Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:BAL99; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE SIGNAL 30V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(K1), 2(K2), 3(A1 + A2); Courant, If, Vf:100mA; Marquage composant:BAT54; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(K1), 2(K2), 3(A1+A2); Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:BAW56; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE DE SIGNAL 100V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A), 3(K); Courant, If, Vf:10mA; Marquage composant:MMBD914; Puissance, Ptot:300mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:73.5mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20.8mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:12.5mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:11.4mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:113.6mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:55.1mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:28.8mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE DE SIGNAL 30V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(K2), 3(K1+A2); Courant, If, Vf:10mA; Marquage composant:BAT54S; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(K2), 3(K1+A2); Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:BAV199; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE DE SIGNAL 50V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(A2), 3(C1 + C2); Courant, If, Vf:100mA; Marquage composant:BAV74; Puissance, Ptot:225mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:50V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:C DIODE ZENER 1.5W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:66.9mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:37.5mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20.8mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:11.4mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:13.9mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:96.1mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:73.5mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:66.9mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:31.2mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:16.8mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:18.7mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:15.6mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:13.9mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:12.5mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:15mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:8.5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1.7mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRA RAPIDE 12A TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K1(1), K2(3), commonA(2); Courant, If, Vf:6A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminai DIODE ULTRA RAPIDE 16A TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), commonK(2); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-220; Type de termin DIODE ULTRA RAPIDE 30A TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K1(1), K2(3), commonA(2); Courant, If, Vf:975mA; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; cour IC, CONTROLLER, DIODE, SMD, MSOP8; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:80è¾A; Courant, sortie max.:170è¾A; Nombre de canaux de sortie:1; Racine de la référence:4357; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension d'entrée primaire:80V; Tension, alimentation max..:80V; Tension, alimentation min.:9V; Tension, entrée max..:80V; Tension, sortie:80V; Tension, sortie max..:90V; Type de boîti DIODE SCHOTTKY 20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1),2(K1+K2),3(A2); Courant, Ir, max..:5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:+65Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminais DIODE SCHOTTKY 20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1),2(K1+K2),3(A2); Courant, Ir, max..:5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminais DIODE SCHOTTKY 10A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1),2(N/C),3(A2),4-TAB(K1+K2); Courant, Ir, max..:5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:950mV; Tension, isolation:4.5kV; Type de DIODE SCHOTTKY 20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:970mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1),2(N/C),3(A2),4-TAB(K1+K2); Courant, Ir, max..:5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:880mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de te DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 500V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminai DIODE ULTRA RAPIDE 30A TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), commonK(2); Courant, If, Vf:15A; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier: DIODE, TVS, 3.3V; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:8pF; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Diode Type:TVS; Inflammabilité:UL 94V-0; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension, bloquée max.. 8/20us:18V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS, 5V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:11V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRA RAPIDE 16A TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K1(1), K2(3), commonA(2); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-220; Type de termina DIODE ULTRA RAPIDE 30A TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), commonK(2); Courant, If, Vf:975mA; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boît DIODE ARRAY, TVS, 12V; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:24V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max.. 8/20us:24V; Tension, isolement:12V; Tension, rupture min.:13.3V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS, 12V; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:26.6V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Capacité, Cd, typ. Vr:8pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max.. 8/20us:26.6V; Tension, isolement:12V; Tension, rupture min.:13.3V; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 5V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; Capacité, Cd, typ. Vr:1.5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:25V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SC-70; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, -7V TO 12V, SOT23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:45pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max.. 8/20us:26V; Tension, isolement:12V; Tension, rupture min.:1 DIODE, TVS, 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:11V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOIC; Type de termi DIODE, TVS, 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max..:30V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:75pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max.. 8/20us:30V; Tension, isolement:15V; Tension, rupture min. DIODE, TVS, 3.3V; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Capacité, Cd, typ. Vr:3pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:15V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 1A, 40V, 1607; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:Mini SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Style de boîtier alternatif:(same as SOD-123 footprint); Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:Mini SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, SIGNAL, 100MA, 90V, 603; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Style de boîtier alternatif:(same footprint as SOD-523); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:80V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS DIODE, STANDARD, 15A, 600V, TO-220; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9.5A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:225A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:225A SCR/DIODE MODULE; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:55A; Courant, It efficace:95A; Courant Itsm (50Hz):1.5kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double Thyristor série; Courant, Itsm:1500A; Température, courant:85Â°C; Tension, Vrrm:1600V; Tension, Vrsm:1700V; Type Thyristor/Tr DIODE, TVS, 5V, UNI, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:65.3A; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension Vdrm:5V; Type Thyristor/Triac:Thyristors de protection transitoires; Type de boîtier:DO-214AA; Type de termina DIODE 3A 1300V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.3kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:61mm; Profondeur:6mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, entrée effi DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, DIODE SCHOTTKY 2A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:75A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:175Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température d'utilisati DIODE SCHOTTKY 3A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:75A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:3mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisati DIODE SCHOTTKY 3A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):9mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7mm; Style de boîtier alternatif:DO-220AA; Température de fonctionnement max..:175Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température d'utilisation min:-65Â°C; Tension, dir DIODE SCHOTTKY 5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:175A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):9mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:10ns; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température d'utilisation m DIODE CMS 1.5A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:4mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tensi DIODE CMS 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):9mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, DIODE CMS 3A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):9mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, DIODE SCHOTTKY 20A 150V; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:970mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1),2(K1+K2),3(A2); Courant, Ir, max..:5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 0.1A SOD-923; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:385mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-923; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:0.35è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-923; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE, TVS, 6V; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:8V; Tension, bloquée max..:16V; Courant, impulsion crête:200A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:16; Capacité, Cd, typ. Vr:50pF; Courant, crête max.., 8/20us:95A; Diode Type:TVS; Inflammabilité:UL 94V-0; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:8V; Tension, isolement:6V; Tension, rupture min.:8V; Type de boîtier:SO-16; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS, 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max..:30V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max.. 8/20us:30V; Tension, isolement:15V; Tension, rupture min.:16.7V; Type DIODE ARRAY, TVS, 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V; Tension, bloquée max..:55V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:55V; Tension, isolement:24V; Tension, rupture min.:26.7V; Type de b DIODE, TVS, 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SC-75; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:0.6pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:125W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Température de fonctionnement max..:125Â°C; Température d'utilisation min:-55Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:25V; Tension, isolement DIODE ARRAY, TVS, 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:9.8V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:9.8V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boî DIODE ARRAY, TVS, 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max..:24V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:100pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max.. 8/20us:24V; Tension, isolement:15V; Tension, rupture min.:16.7V; Ty DIODE, TVS, 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V; Tension, bloquée max..:55V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:50pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:26.7V; Tension, bloquée max.. 8/20us:55V; Tension, isolement:24V; Tension, rupture min.: DIODE, TVS, 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:12.5V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; Capacité, Cd, typ. Vr:150pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:12.5V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtie DIODE, TVS, 3.3V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; Capacité, Cd, typ. Vr:12pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:8V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SC-70; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 5V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Capacité, Cd, typ. Vr:3pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:20V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 3.3V; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:9.5V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:30pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:9.5V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 1A, 60V, SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:60V; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, SCHOTTKY, 3A, 40V, SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE, TVS, BI, 6.5V, DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:7.22V 7.98V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:45.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:7.22V; Tension, isolement:6.5V; Tension, rupture DIODE, STANDARD, 1A, DO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, rupture max..:1kV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE, TVS, UNI, 15V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:71A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE, TVS, UNI, 33V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +17 DIODE, TVS, UNI, 36V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE, TVS, UNI, 6.3V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:9.4V; Courant, impulsion crête:160A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:300è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension DIODE, ZENER, 3.9V, 1.5W; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:96.1mA; Dissipation de puissance, max..:1.5W; Puissance, Ptot:1.5W; Tension, rupture max..:12V; Type de boîtier:403D; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, 250V, SOD-323; Diode Type:Faible signal; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:625mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:250V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 3.9V, 225MW; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Tension, rupture max..:4.1V; Tension, rupture min.:3.9V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 5.1V, 225MW; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Tension, rupture max..:5.4V; Tension, rupture min.:5.1V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 1A, POWERMITE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:365mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:POWERMITE; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:365mV; Type de boîtier:PowerMite; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY, 1A, POWERMITE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-216AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Tension, rupture max..:20V; Type de boîtier:457; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, TVS, 6V; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.8V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:8pF; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Diode Type:TVS; Inflammabilité:UL 94V-0; Puissance, impulsionnelle crête:2kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6.8V; Tension, bloquée max.. 8/20us:20V; Tension, isolement:6V; Tension, rupture min.:6.8V; Type de boîtier:SOIC; DIODE, TVS, 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:350W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:14.5V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boît DIODE, TVS, 5V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:11V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:11V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOI DIODE, TVS, 2.8V; Tension , Vrwm:2.8V; Tension, bloquée max..:8.5V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Capacité, Cd, typ. Vr:10pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:3V; Tension, bloquée max.. 8/20us:8.5V; Tension, isolement:2.8V; Tension, rupture min.:3V; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 5V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:4pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:20V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 3.3V; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:4pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:15V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 3.3V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:4pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:15V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:8A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:60pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max.. 8/20us:25V; Tension, isolement:12V; Tension, rupture min.:13.3V; Type d DIODE, TVS, UNI, 36V, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:40V; Tension, isolement:36V; Tension, rupture min.:40V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 30MA, 45V, 603; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Style de boîtier alternatif:(same as SOD-523 footprint); Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:45V; Tension, direct If:370mV; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, 150MA, 100V, 603; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:50mA; Style de boîtier alternatif:(same footprint as SOD-523); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS DIODE, STANDARD, 20A, 800V, TO-220; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:12.7A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A SCR/DIODE MODULE; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:40A; Courant, It efficace:75A; Courant Itsm (50Hz):1kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double Thyristor série; Courant, Itsm:1000A; Température, courant:85Â°C; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vrsm:1300V; Type Thyristor/Tria DIODE, SCHOTTKY, 1A, 59-10; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE, ZENER, 6.2V, 3W; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:60.5mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Tension, rupture max..:6.2V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, TVS, UNI, 18V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +17 DIODE, TVS, UNI, 14V, 600W, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:403A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1245pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tempéra DIODE, ZENER, 15V, 3W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Tension, rupture max..:15.75V; Tension, rupture min.:15V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, 75V, SC70; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:75V; Type de boîtier:SC-70; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, 30V, SOD-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:30V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE, ZENER, 12V, 225MW; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Tension, rupture max..:12.7V; Tension, rupture min.:12V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 3A, 40V, AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE, SCHOTTKY, 2A, SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:230A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:700è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:230A DIODE, SCHOTTKY, 1A, POWERMITE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:380mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:POWERMITE; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:410è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:77; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY, 1A, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Tension, rupture max..:30V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE, SCHOTTKY, 2A, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:2000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:430mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE, ZENER, 15V, 1.5W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Tension, rupture max..:15.75V; Tension, rupture min.:15V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, UNI, 5V, 600W, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:403A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:800è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température DIODE, ZENER, 4.7V, 225MW; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Tension, rupture max..:5V; Tension, rupture min.:4.7V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY 1A POWERMITE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:POWERMITE; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:PowerMite; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY 1A POWERMITE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-216AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:457; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY, 2A, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:70A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:80è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:430mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE, SCHOTTKY, 3A, SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:130A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:50è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:790mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:130A DIODE, SCHOTTKY, 3A, SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:2000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Tension, rupture max..:30V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:80A DIODE, ZENER, 2.4V, 0.2W; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Tension, rupture max..:2.6V; Tension, rupture min.:2.4V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, 100V, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:100V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, UNI, 5.6V, SC-74; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.6V; Gamme de tension de claquage:5.32V 5.88V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SC-74; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:2è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Tension de claquage:5.88V; Tension, claquage:5.6V; Tension, rupture mi DIODE, ZENER, 4.3V, 0.5W; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tension, rupture max..:4.52V; Tension, rupture min.:4.3V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 5.1V, 0.5W; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tension, rupture max..:5.36V; Tension, rupture min.:5.1V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, FAST, 3A, 200V, AXIAL; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1.25V; Tension, rupture max..:200V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE, STANDARD, 1A, SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.18V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, STANDARD, 1A, SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, rupture max..:400V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, FAST, 1A, 100V, SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:875mV; Tension, rupture max..:100V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, FAST, 2A, 200V, SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:950mV; Tension, rupture max..:200V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE, FAST, 3A, 600V, SMC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.28V; Tension, rupture max..:600V; Type de boîtier:SMC (DO-214AB); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE, TVS, BI, 18V, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:545pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600mW; Tension de claquage:18V; Tension, isolemen DIODE, TVS, UNI, 6.8V, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:57A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2380pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1000è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension Vr DIODE, ZENER, 4.7V, 0.5W; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tension, rupture max..:4.94V; Tension, rupture min.:4.7V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 10V, 0.5W; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tension, rupture max..:10.5V; Tension, rupture min.:10V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 4.3V, 0.5W; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, STANDARD, 1A, SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, rupture max..:1kV; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, FAST, 16A, 400V, TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.3V; Tension, rupture max..:400V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE, FAST, 1A, 200V, SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:875mV; Tension, rupture max..:200V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE, FAST, 3A, 400V, SMC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.28V; Tension, rupture max..:400V; Type de boîtier:SMC (DO-214AB); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A PHOTODIODE, 935NM; Longueur d'onde, crête:935nm; Courant, If moy.:50mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:24Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.6V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:Metal Can; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, LED:Infrared; Courant, direct, If:50mA; Courant, direct, If:50mA; Dissipation de puissance:75mW; Dissipation de puissance Pd:75mW; Longueur d'onde typ.:935nm; Tension, Vf max..:1.6V; Typ PHOTODIODE, 880NM; Longueur d'onde, crête:880nm; Courant, If moy.:50mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:15Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.7V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, LED:Infrared; Courant, direct, If:50mA; Courant, direct, If:50mA; Dissipation de puissance:70mW; Dissipation de puissance Pd:70mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Tension, Vf max..:1.7V; Type PHOTODIODE, 880NM; Longueur d'onde, crête:880nm; Courant, If moy.:50mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:10Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.7V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, LED:Infrared; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Tension, Vf max..:1.7 DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:225A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Tension, rupture max..:30V; Type de boîtier:DO-204AL; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 5.5A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Tension, rupture max..:60V; Type de boîtier:D-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:320A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:430A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:100Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:430A DIODE STANDARD 70A 400V; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Une; Courant, Ifs max.:1.25kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.35V; Type de boîtier diode:D-55; courant Ifsm:1.2kA DIODE SCHOTTKY 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:450mV; Tension, rupture max..:20V; Type de boîtier:DO-204AL; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 40A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:1.1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Tension, rupture max..:30V; Type de boîtier:D2-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.1kA DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:200mA; Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS MODULE DOUBLE DIODE FAST 42A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:42A; Tension, Vf max..:1.85V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If efficace:120A; Courant, Ifs max.:1.2kA; Nombre de broches:3; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:2.14è¾s; Température de fonctionnement:-40Â°C +130Â°C; Température, courant:85Â°C; Tension, Vrsm:1.4kV; Tension, direct If:1.85V; Tension, isolation:3.6kV; Type de boîtier:SEMIPACK 1; Type de boîtier diode: DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE HAUTE RAPIDITE SOD-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:350mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Puissance, Ptot:200mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:350mA DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:6.2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:200mA; Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 1A 1000V DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 30A 600V TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:325A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:325A DIODE RAPIDE 1A 100V DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE 1A 600V DO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V CMS SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:385mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 1A 40V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 3A 20V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 3A 60V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 1A 100V CMS D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 1A 30V CMS SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:300mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 3A 40V CMS DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 3A 60V CMS DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE RAPIDE 0.2A 50V LL-34; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY 41-MINIDIP; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:MiniDIP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:MiniDIP; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE SCHOTTKY 41-MINIDIP; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:350mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:7.5A; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:7.5A DIODE ZENER 0.5W 2.4V DO-35; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 10V DO-41; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 5.1V CMS SOD-123; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 120V DO-204; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:102V; Gamme de tension de claquage:114V 126V; Tension, bloquée max..:165V; Courant, impulsion crête:3.6A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:114V; Tension, isolement:102V; Tension, rupture mi DIODE TVS 600W 130V DO-204; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:111V; Gamme de tension de claquage:124V 137V; Tension, bloquée max..:179V; Courant, impulsion crête:3.4A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:124V; Tension, isolement:111V; Tension, rupture mi DIODE TVS 600W 250V DO-15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:214V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Courant, impulsion crête:1.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:237V; Tension, isolement:214V; Tension, rupture min. DIODE TVS 600W 20V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:18.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:22.2V; Tension, isolement:20V; Tension, rupture min.:22.2V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 51V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:7.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:56.7V; Tension, isolement:51V; Tension, rupture min.:56.7V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W 100V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:111V; Tension, isolement:100V; Tension, rupture min.:111V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W 10V CMS DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:88.2A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:11.1V; Tension, isolement:10V; Tension, rupture min.:11.1V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W 13V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:69.8A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:14.4V; Tension, isolement:13V; Tension, rupture min.:14.4V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 18V ARRAY CMS 8-SOIC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:7pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Tension, isolement:18V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 440V DO-204; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:418V; Tension, isolement:376V; Tension, rupture min.:418 DIODE TVS 600W 56V DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:47.8V; Gamme de tension de claquage:53.2V 58.8V; Tension, bloquée max..:77V; Courant, impulsion crête:7.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:53.2V; Tension, isolement:47.8V; Tension, rupture min. DIODE TVS 1500W 13V CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:69.8A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:14.4V; Tension, isolement:13V; Tension, rupture min.:14.4V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaiso MODULE DIODE 100A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:125A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.75kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Anode to Stud; Taille du filetage:M12; Temps actif pour IFSM:10ms; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.6V; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:DO-205AC; Type de boîtier diode:DO-205AC; courant Ifsm:1.75kA DIODE RAPIDE 1A 50V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 16A 600V TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE RAPIDE 1A 200V CMS DO-214AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 2A 1200V 2-TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:70ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:3.2V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE 1A 400V DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 1A 1200V CMS SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.65V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:18A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:18A DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V CMS SOT-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 1A 40V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, SCHOTTKY, 1A, POWERMITE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-216AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:40è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:450mV; Tension, rupture max..:20V; Type de boîtier:457; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY, 2A, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:20è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE, SCHOTTKY, 3A, SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:2000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Tension, rupture max..:20V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:80A DIODE, FAST, 3A, 600V, AXIAL; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1.25V; Tension, rupture max..:600V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE, SOFT, 8A, 600V, TO-220; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Tension, rupture max..:600V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE, FAST, 2A, 1000V, AXIAL; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.2V; Tension, rupture max..:1kV; Type de boîtier:59; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:35A DIODE, FAST, 1A, 600V, SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.25V; Tension, rupture max..:600V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, TVS, UNI, 15V, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:403A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1175pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension Vr ma DIODE, TVS, UNI, 39V, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.2A; Type de boîtier diode:403A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension Vr max DIODE, SIGNAL, 30V, SOD-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:30V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE, TVS, UNI, 6.7V, 59AA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:Case 59; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:600è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; PHOTODIODE 11PF; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:12Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:TO-18; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Longueur d'onde, crête:900nm; Sensibilité:0.6A/W; Surface active:0.78mmË›; Temps de montée:7ns; Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:200V; Type de boîtier:2-TO-18 PHOTODIODE 1.3V 0.05A; Longueur d'onde typ.:920nm; Angle, moitié:50Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:TO-5; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-55Â°C +100Â°C; Longueur d'onde, crête:920nm; Surface active:7.5mmË›; Temps de montée:3.4è¾s; Tension Vr max..:10V; Tension, claquage:10V; Type de boîtier:TO-5 PHOTODIODE 1.3V 0.05A; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur d'onde, crête:940nm; Sensibilité:0.6A/W; Surface active:7.5mmË›; Temps de montée:100ns; Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:60V PHOTODIODE 1.3V 0.05A; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Longueur d'onde, crête:940nm; Sensibilité:0.6A/W; Surface active:5.7mmË›; Temps de montée:70ns; Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:60V DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 150V 3.5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:90A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 600V 3.5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:1.35V; Temps trr max.:210ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:90A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 800V 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:4è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE DE REDRESSEMENT STANDARD 1000V 3A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE DE REDRESSEMENT STANDARD; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6è¾s; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE DE REDRESSEMENT SCHOTTKY 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY 200A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:200mA; Courant, test:200mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Dissipation de puissance, max..:200mW; Tension, Vz:30V; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS CAPTEUR OPTIQ E/S PHOTODIODE; Gamme de distance de détection:0.6mm; Courant, sortie:100mA; Sensor Output1:Photodiode PIN; Température de fonctionnement:-55Â°C +85Â°C PHOTODIODE, 880NM; Longueur d'onde, crête:880nm; Courant, If moy.:50mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:15Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.7V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, LED:Infrared; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Dissipation de puissance:70mW; Dissipation de puissance Pd:70mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Tension, Vf max..:1.7V; Type DIODE SCHOTTKY 1.5A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 2.1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:1.05kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:175Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:D2-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.05kA DIODE SCHOTTKY 15A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Tension, rupture max..:60V; Type de boîtier:D2-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1kA DIODE SCHOTTKY 10A 80V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Tension, rupture max..:80V; Type de boîtier:D2-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY 1.5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:1.58kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.58kA DIODE SCHOTTKY SOT-523; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:10mA; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:Single; Courant, If moy.:1A; Courant, direct, If:10mA; Diode Type:Schottky RF; Marquage composant:Yx; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:15V; Tension, Vrrm:15V; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 16A 60V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 30V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:445mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:445mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 5A 50V DO-201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 40V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 15A 150V DO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 2A 100V CMS DO-214AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE RAPIDE 0.2A 100V CMS SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE ZENER 1W 3.3V DO-41; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:76mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 24V DO-41; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 10V DO-35; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 1500W 43V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:21.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:52.8V; Tension, isolement:43V; Tension, rupture min.:47.8V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 45V CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:45V; Gamme de tension de claquage:50V 55.3V; Tension, bloquée max..:72.7V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:50V; Tension, isolement:45V; Tension, rupture min.:50V; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W CMS DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:300V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Courant, impulsion crête:1.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:332V; Tension, isolement:300V; Tension, rupture min.:332 DIODE TVS 1500W CMS DO-214AB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:46.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:22.2V; Tension, isolement:20V; Tension, rupture min.:22.2V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison: DIODE TVS 1500W CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:31.1V; Tension, isolement:28V; Tension, rupture min.:31.1V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 750MA SOT23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:750mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:490mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:750mA; Marquage, CMS:1G1; Puissance, Ptot:350W; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:490mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 10A TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:84A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(K),2(A); Courant, If, Vf:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:84A DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.6mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:3.8mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:200mA; Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:200mA; Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.8W SOD-87; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-87; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Puissance, Ptot:800mW; Type de boîtier:SOD-87; Type de terminaison:CMS PHOTODIODE 1.3V 0.05A; Longueur d'onde typ.:940nm; Bande passante:100MHz; Angle, moitié:20Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur d'onde, crête:940nm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:0.78mmË›; Temps de montée:2.5ns; Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:60V; Type de boîtier:T-1 3/4 DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 100V 1.4A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.4A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 600V 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 200A; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:200mA; Tension, Vz:50V; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.3W 2.7V; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:80mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Puissance, Ptot:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:650nm; Bande passante:4kHz; Courant d'obscurité:500fA; Type de boîtier diode:TO-99; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Sensibilité:0.47A/W; Surface active:5.2mmË›; Temps de montée:90è¾s; Type de boîtier:TO-99; Type de boîtier opto:TO-99 MODULE DIODE 70A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.15kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Anode to Stud; Taille du filetage:M8; Temps actif pour IFSM:10ms; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.6V; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:DO-203AB; Type de boîtier diode:DO-203AB; courant Ifsm:1.15kA MODULE DIODE 100A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:125A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.75kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode to Stud; Taille du filetage:M12; Temps actif pour IFSM:10ms; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, Vrsm:1.6V; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:DO-205AC; Type de boîtier diode:DO-205AC; courant Ifsm:1.75kA DIODE RAPIDE 1A 200V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 3A 100V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:SMC (DO-214AB); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE 16A 600V TO-220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE RAPIDE 1A 1000V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 5A 100V DO-201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 20V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 2A 20V CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 2A 50V CMS DO-214AA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-214AA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 1A 30V CMS DO-214AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:45A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:45A DIODE SCHOTTKY 2A 30V CMS SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:375mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE FAIBLE PERTE DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE ZENER 1W 8.2V DO-41; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:31mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 15V DO-41; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 6.2V DO-35; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 10V DO-35; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 3.3V DO-41; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:80mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 600W 170V DO-204; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:145V; Gamme de tension de claquage:162V 179V; Tension, bloquée max..:234V; Courant, impulsion crête:2.6A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:162V; Tension, isolement:145V; Tension, rupture mi DIODE TVS 600W 220V DO-15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:185V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:209V; Tension, isolement:185V; Tension, rupture min. DIODE TVS 600W 51V DO-204; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43.6V; Gamme de tension de claquage:48.5V 53.6V; Tension, bloquée max..:70.1V; Courant, impulsion crête:8.6A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:53.6V; Tension, isolement:43.6V; Tension, ruptu DIODE TVS 600W 75V DO-204; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:64.1V; Gamme de tension de claquage:71.3V 78.8V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:78.8V; Tension, isolement:64.1V; Tension, ruptur DIODE TVS 1500W 40V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:23.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:44.4V; Tension, isolement:40V; Tension, rupture min.:44.4V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 51V DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43.6V; Gamme de tension de claquage:48.5V 53.6V; Tension, bloquée max..:70.1V; Courant, impulsion crête:8.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:48.5V; Tension, isolement:43.6V; Tension, rupture mi DIODE TVS 600W 13V CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:27.9A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:14.4V; Tension, isolement:13V; Tension, rupture min.:14.4V; Type de boîtier:DO-214AA; Type de terminaison: DIODE TVS 1500W 54V CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:17.2A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:60V; Tension, isolement:54V; Tension, rupture min.:60V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 400W 410V CMS DO-214-AC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:46.7V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:27A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:370pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3.3W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:44.4V; Tension, bloq DIODE TVS BIDIRECTIONNEL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Tension, bloquée max..:60V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:0603; Nombre de broches:2; Capacité:0.15pF; Capacité, Cd, typ. Vr:0.15pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Température de fonctionnement:-56Â°C +105Â°C; Tension, isolement:24V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W CMS DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:64.1V; Gamme de tension de claquage:71.3V 78.8V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:71.3V; Tension, isolement:64.1V; Tension, rupture min DIODE TVS 1500W CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:120V; Gamme de tension de claquage:133V 147V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:7.8A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:133V; Tension, isolement:120V; Tension, rupture min.:133V; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W CMS DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:57.7A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:17.8V; Tension, isolement:16V; Tension, rupture min.:17.8V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison DIODE TVS 1500W CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:35.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:28.9V; Tension, isolement:26V; Tension, rupture min.:28.9V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CM DIODE TVS 1500W CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:60V; Gamme de tension de claquage:66.7V 73.7V; Tension, bloquée max..:96.8V; Courant, impulsion crête:15.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:66.7V; Tension, isolement:60V; Tension, rupture min.:66.7V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CM PHOTODIODE 1.3V 0.05A; Longueur d'onde typ.:920nm; Bande passante:250MHz; Angle, moitié:20Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Longueur d'onde, crête:920nm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:0.78mmË›; Temps de montée:2.5ns; Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:60V; Type de boîtier:T-1 3/4 DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 400V 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.5V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE DE REDRESSEMENT SCHOTTKY 0.03A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:500mA DIODE FAIBLE SIGNAL 1.2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:1.2A; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:1.2A; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.3W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:49mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Puissance, Ptot:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:45mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Puissance, Ptot:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY 16A TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:118A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(K),2(A); Courant, If, Vf:16A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:118A DIODE, TVS; Gamme de tension de claquage:6.5V 8V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:385mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:35pF; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:385mW; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Tension de claquage:7V; Tension, isolement:6V; Tension, rupture min.:7V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 3A CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:525mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 1A CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE TVS 600W CMS DO-204; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:214V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Courant, impulsion crête:1.8A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:237V; Tension, isolement:214V; Tension, rupture min.:2 DIODE TVS 1500W CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:53.3V; Tension, isolement:48V; Tension, rupture min.:53.3V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CM DIODE DE PROTECTION ESD CMS; Diode Type:Protection ESD; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro de la fonction logique:9503; Racine de la référence:9503; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Type de boîtier:TSOC; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 1800A TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.8kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:230ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:20A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tc If:80Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Ty DIODE RAPIDE 1800A TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.8kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:2.7V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:650A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:60A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.3Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tc If:80Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Ty DIODE RAPIDE 1200A TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:2.38V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.8Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tens DIODE RAPIDE 1200A TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:2.37V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:135A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:20A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Typ DIODE RAPIDE 600A TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:2.31V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:20A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type DIODE RAPIDE 17A TO-220AC; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:17A; Tension, Vf max..:1.87V; Config. Brochage:Single; Configuration diode:Une; Courant, If, Vf:12A; Courant, Ifs max.:130A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.87V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de boîtier diode:TO-220AC; Type de terminais DIODE RAPIDE 69A TO-247; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:69A; Tension, Vf max..:880mV; Config. Brochage:Single; Configuration diode:Une; Courant, If, Vf:60A; Courant, Ifs max.:600A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:50ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:85Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:880mV; Type de bo DIODE RAPIDE 15A TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.79V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tc If:125Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tensi DIODE RAPIDE 15A TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.35V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:110A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Config. Brochage:Single; Courant, If, Vf:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tc If:140Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tensi DIODE SCHOTTKY 3A 30V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:2000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123FL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:SOD-123FL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de boîtier:SOD-123FL; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOD-123FL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-123FL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOD-123FL; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 1A 50V AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 15A 45V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:840mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 40A 15V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10000è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:540mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 60A 45V SOT-93; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-93; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SOT-93; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE SCHOTTKY 20A 60V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:150è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 30A 45V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:820mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE DE SIGNAL 250V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:625mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A), 2(N/C), 3(K); Courant, If, Vf:200mA; Marquage composant:BAS21; Puissance, Ptot:385mW; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:250V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:625mA DIODE ZENER 1.5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:60.5mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:55.1mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:45.7mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:23.4mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.5W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:15.6mA; Dissipation de puissance, max..:1500mW; Puissance, Ptot:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:79.8mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10.4mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 47V; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:8mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 51V; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7.3mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 56V; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:6.7mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 100V; Tension, Vz:100V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:3.7mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.225W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Puissance, Ptot:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS CONTROLLER, DIODE, SMD, DFN-6, 4357; Tension d'entrée primaire:80V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:80V; Courant, sortie:80è¾A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:170è¾A; Racine de la référence:4357; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension, alimentation max..:80V; Tension, alimentation min.:9V; Tension, entrée max DIODE ULTRA RAPIDE 12A TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A1(1), A2(3), commonK(2); Courant, If, Vf:6A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-220; Type de termin DIODE SCHOTTKY 10A 200V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:970mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1),2(N/C),3(A2),4-TAB(K1+K2); Courant, Ir, max..:5è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:970mV; Tension, isolation:4.5kV; Type de DIODE SCHOTTKY SOD-923; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:350mA; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:30mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-923; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:0.5è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SOD-923; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30mA DIODE, TVS, 2.8V; Tension , Vrwm:2.8V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:15V; Tension, isolement:2.8V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 2.8V; Tension , Vrwm:2.8V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:8pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:17V; Tension, isolement:2.8V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS, 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V; Tension, bloquée max..:60V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:45pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:40V; Tension, bloquée max.. 8/20us:60V; Tension, isolement:36V; Tension, rupture min.:40V; Type de b DIODE, TVS, 3.3V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:8.7V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Capacité, Cd, typ. Vr:35pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, bloquée max.. 8/20us:8.7V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 5V; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:17.5V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1.5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:17.5V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS, 5.25V; Tension , Vrwm:5.25V; Gamme de tension de claquage:6V; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; Capacité, Cd, typ. Vr:47pF; Diode Type:TVS; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5.25V; Tension, rupture min.:6V; Type de boîtier:SC-70; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, UNI, 28V, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:13.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:31.1V; Tension, isolement:28V; Tension, rupture min.:31.1V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, PROTECTION, 15V, SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max..:33V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration diode:Bidirectionnel; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Température de fonctionnement max..:125Â°C; Température d'utilisation min:-55Â°C; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:5V; Type de boîtier:SOIC; Type de boîtier de transis DIODE, STANDARD, 1A, DO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, rupture max..:50V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE, STANDARD, 3A, 267-05; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Tension, rupture max..:50V; Type de boîtier:267-05; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE, SCHOTTKY, 3A, 59-10; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:2000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:525mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE, TVS, UNI, 6.2V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:8.5V; Courant, impulsion crête:120A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:300è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension Vr max..:5V; Tension de claquage:6V; Tension, DIODE, TVS, UNI, 6.8V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1000è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C + DIODE, TVS, UNI, 16V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Gamme de tension de claquage:15.2V 16.8V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:67A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE, TVS, UNI, 30V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE, TVS, UNI, 42.4V, 41A-04; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:42.4V; Tension, bloquée max..:65.2V; Courant, impulsion crête:23A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:2è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tensi DIODE, SIGNAL, 75V, SOD-323; Diode Type:Faible signal; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:75V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, SOD-523; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE, SCHOTTKY, 3A, DO-201AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:600è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:790mV; Tension, rupture max..:100V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE, SCHOTTKY, 30A, D2-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:820mV; Tension, rupture max..:45V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE, SCHOTTKY, 1A, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:1000è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Tension, rupture max..:20V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE, SCHOTTKY, 1A, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:750mV; Tension, rupture max..:90V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SIGNAL, 70V, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SIGNAL, 100V, SOD-123; Diode Type:Faible signal; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, rupture max..:100V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE, ZENER, 1.8V, 0.5W; Tension, Vz:1.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tension, rupture max..:1.89V; Tension, rupture min.:1.8V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 5.6V, 0.5W; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tension, rupture max..:5.88V; Tension, rupture min.:5.6V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, STANDARD, 1A, SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Tension, rupture max..:600V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, FAST, 1A, 100V, AXIAL; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.25V; Tension, rupture max..:100V; Type de boîtier:59-10; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:35A DIODE, FAST, 16A, 200V, TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:85ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE, FAST, 1A, 400V, SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:65ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:65ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:35A DIODE, FAST, 1A, 400V, SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.25V; Tension, rupture max..:400V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:35A DIODE, TVS, UNI, 36V, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:403A-03; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:540pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension Vr PHOTODIODE, 935NM, TO-46; Longueur d'onde, crête:935nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:20Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.7V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, LED:Infrared; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Longueur d'onde typ.:935nm; Tension, Vf max..:1 PHOTODIODE, 880NM; Longueur d'onde, crête:880nm; Courant, If moy.:50mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:50Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.7V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, LED:Infrared; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Tension, Vf max..:1.7 DIODE SCHOTTKY 2A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:420A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Tension, rupture max..:40V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:420A DIODE SCHOTTKY 20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Tension, rupture max..:45V; Type de boîtier:D2-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.8kA DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.2W SOD-323; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W SOD-80C; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.41W SOD-123; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Courant, Ifs max.:2A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:410mW; Puissance, Ptot:410mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W SOT-23; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:250mA; Courant, Ifrm:250mA; Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:900mV; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5.2mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:200mA; Courant, test:5.2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:200mA; Courant, test:4.6mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.8W SOD-87; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-87; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Puissance, Ptot:800mW; Type de boîtier:SOD-87; Type de terminaison:CMS MODULE DOUBLE DIODE FAST 42A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.5kV; Courant, If moy.:42A; Tension, Vf max..:1.85V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Cathode commune; Courant, Ifs max.:1.2kA; Nombre de broches:3; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:2.14è¾s; Température de fonctionnement:-40Â°C +130Â°C; Température, courant:85Â°C; Tension, Vrsm:1.5kV; Tension, direct If:1.85V; Tension, isolation:3.6kV; Type de boîtier:SEMIPACK 1; Type de boîtier diode:SEMIPACK 1; Type d DIODE RAPIDE 2A 100V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE RAPIDE 2A 200V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE RAPIDE 1A 700V DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 1A 600V CMS SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE 1A 800V DO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE 1A 1000V DO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Marquage composant:1N4007; Puissance, Ptot:2.5W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V CMS SOT-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V CMS SOT-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 16A 45V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 30V CMS SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 5A 20V DO-201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 5A 40V DO-201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 5A 60V DO-201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 2A 23V 41-MINIDIP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:23V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:5A; Type de boîtier diode:MiniDIP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:MiniDIP; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY 3A 10V CMS SOT-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:5A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:580mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY 2A 20V CMS SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:320mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE FAIBLE PERTE DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE RAPIDE 0.5A 125V DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:125V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:1è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE FAIBLE PERTE CMS SOT-323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:400ns; Courant, Ifs max.:3A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:400ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE RAPIDE 0.2A 100V CMS SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE RAPIDE 0.2A 100V CMS SOD-123; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE RAPIDE 0.2A 100V CMS SOD-123; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE ZENER 1W 6.8V DO-41; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:37mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 18V DO-41; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:14mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 18V DO-35; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 15V DO-35; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 6.8V DO-35; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 15V DO-41; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:15mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W 20V DO-41; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Puissance, Ptot:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.5W 3.3V CMS SOD-123; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 300V DO-15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:285V; Tension, isolement:256V; Tension, rupture min. DIODE TVS 600W 43V DO-15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36.8V; Gamme de tension de claquage:40.9V 45.2V; Tension, bloquée max..:59.3V; Courant, impulsion crête:10.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:1ps; Tension de claquage:45.2V; Tension, isolement: DIODE TVS 600W 26V CMS DO-214AA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:14.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:28.9V; Tension, isolement:26V; Tension, rupture min.:28.9V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 75V CMS DO-214; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:75V; Gamme de tension de claquage:83.3V 92.1V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:83.3V; Tension, isolement:75V; Tension, rupture min.:83.3V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W 14V CMS DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:15.6V 17.2V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:64.7A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:15.6V; Tension, isolement:14V; Tension, rupture min.:15.6V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 600W 43V DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36.8V; Gamme de tension de claquage:40.9V 45.2V; Tension, bloquée max..:59.3V; Courant, impulsion crête:10.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:40.9V; Tension, isolement:36.8V; Tension, rupture m DIODE TVS 600W 26V CMS DO-214AA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:14.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:28.9V; Tension, isolement:26V; Tension, rupture min.:28.9V; Type de boîtier:DO-214AA; Type de terminaiso DIODE TVS 600W 40V CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:44.4V; Tension, isolement:40V; Tension, rupture min.:44.4V; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W 40V CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:23.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:44.4V; Tension, isolement:40V; Tension, rupture min.:44.4V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaiso DIODE TVS 9V ARRAY CMS SOT-23-6L; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:7pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1000V 3A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:100ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:100ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.4V; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 600V 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.5V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 200V 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.07V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1500V 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.5kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:20è¾s; Température, Tj max..:140Â°C; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1000V 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE DE REDRESSEMENT STANDARD 1V 150A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:8ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:2A DIODE DE REDRESSEMENT SCHOTTKY 0.03A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE DE REDRESSEMENT SCHOTTKY 400A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:15A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:15A DIODE SCHOTTKY 200A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:5A; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:200mA; Tension, Vz:30V; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL 0.15A; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:300mA; Tension, Vz:75V; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.3W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:28mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Puissance, Ptot:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:14mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Puissance, Ptot:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:10.5mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Puissance, Ptot:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DE REDRESSEMENT.100V; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:350mW; Puissance, Ptot:350mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 1A 200V CMS DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 15A 1200V CMS TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:65ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:3.2V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 3A CMS DO-214; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE TVS 600W CMS DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:285V; Tension, isolement:256V; Tension, rupture min.:285 DIODE TVS 600W CMS DO-214AA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:3.7A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:111V; Tension, isolement:100V; Tension, rupture min.:111V; Type de boîtier:DO-214AA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W CMS DO-214AB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:170V; Gamme de tension de claquage:189V 209V; Tension, bloquée max..:275V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:189V; Tension, isolement:170V; Tension, rupture min.:189V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W CMS DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:31.1V; Tension, isolement:28V; Tension, rupture min.:31.1V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison DIODE TVS 1500W CMS DO-214; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:64V; Gamme de tension de claquage:71.1V 78.6V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:14.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:71.1V; Tension, isolement:64V; Tension, rupture min.:71.1V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 1500W CMS DO-214AB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:75V; Gamme de tension de claquage:83.3V 92.1V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:83.3V; Tension, isolement:75V; Tension, rupture min.:83.3V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:C DIODE SCHOTTKY SOD523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:510mA; Tension, Vf max..:810mV; Temps trr max.:1.6ns; Courant, Ifs max.:4.2A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Puissance, Ptot:285mW; Temps, trr typ.:1.6ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4.2A PHOTODIODE PLASTIQUE T-1; Longueur d'onde typ.:935nm; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:35è¾A; Courant, direct, If:35è¾A; Courant, fuite inverse, max..:60nA; Diamètre, tête:3.05mm; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:4.82mm; Pas:2.54mm; Temps de descente:5ns; Temps de montée:5ns; Températur DIODE RAPIDE 1A 600V DO-214AC CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1mA; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE,ZENER,6.2V,5%,1W,DO-41; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:41mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE TVS 15NA 15V SSOT-6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension, bloquée max..:33V; Type de boîtier diode:SSOT-6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:90pF; Capacité, Cd, typ. Vr:60pF; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:E4; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:18V; Tension, bloquée max.. 8/20us:33V; Tension, isolement:15V; Tension, rupture min.:17V; Type de boîtier:SSOT-6; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 50NA 24V SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25.4V 30.3V; Tension, bloquée max..:70V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:17pF; Capacité, Cd, typ. Vr:13pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AM; Puissance, impulsionnelle crête:160W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension DIODE TVS 0.8UA 3.3V SSOT-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.3V 5.9V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SSOT-6; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:300pF; Capacité, Cd, typ. Vr:215pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:E1; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tens DIODE TVS 1UA 5V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:7V 8.2V; Tension, bloquée max..:28V; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:75pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:V4; Puissance, impulsionnelle crête:350W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:7.6V; Tension, bloquée max.. DIODE RAPIDE 8A 600V TO-220F; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boîtier:TO-220F; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:60A DIODE RAPIDE 30A 600V TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:325A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:70A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.4V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:325A DIODE SIGNAL LL-34; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Small Signal; Courant, direct, If:5mA; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A PHOTODIODE 760NM 1GHZ; Longueur d'onde typ.:760nm; Bande passante:1GHz; Courant d'obscurité:1pA; Type de boîtier diode:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Diamètre, extérieur:5.4mm; Longueur cordon:13mm; Longueur d'onde, crête:800nm; Longueur/hauteur:3.6mm; Pas:2.54mm; Sensibilité:0.52A/W; Surface active:0.12mmË›; Température de fonctionnement max..:+100Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension Vr max..:20V; Type de boîtier:Radial PHOTODIODE PIN TO-5; Longueur d'onde typ.:960nm; Bande passante:30MHz; Courant d'obscurité:100pA; Type de boîtier diode:TO-5; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Diamètre, extérieur:9.1mm; Longueur cordon:20mm; Longueur d'onde, crête:960nm; Longueur/hauteur:4.1mm; Pas:5.08mm; Sensibilité:0.54A/W; Surface active:6.6mmË›; Température de fonctionnement max..:+100Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:Radial DIODE RAPIDE 8A 200V TO-220F ; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8mA; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8mA; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220F; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 2A 10V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:460mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 1.5A 20V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:660mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 2A 20V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:525mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 0.5A 40V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:470mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:640mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 1A 60V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:660mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE TVS 15NA 12V SOT-23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.2V 16.7V; Tension, bloquée max..:39V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:1.5pF; Capacité, Cd, typ. Vr:0.6pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AR; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tensio DIODE TVS 50NA 24V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25.4V 30.3V; Tension, bloquée max..:70V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:17pF; Capacité, Cd, typ. Vr:11pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AN; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de DIODE TVS 2UA 3.3V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.8V 6.9V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:101pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:V3; Puissance, impulsionnelle crête:350W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6.4V; Tension, bloqué DIODE TVS 25NA 5V SOT353; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:15pF; Capacité, Cd, typ. Vr:12pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:V2; Puissance, impulsionnelle crête:16W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de IC TEMP SENSOR, DUAL REMOT DIODE, 3V; Type de sortie CI:Courant; Gamme de précision de détection:è… 1Â°C; Gamme de température de détection:-40Â°C +125Â°C; Courant, alimentation:0.57mA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Résolution (Bits):13bit; Type de boîtier de capteur CI:LLP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10è¾A; Nombre de bits:11; Nombre de voies:2; Racine de la référence:95233; Résolution:13bit; Sensibilité:0.125Â°CLSB; Température de fonctionnement:- IC TEMP SENSOR, SINGL REMOT DIODE, 3V; Type de sortie CI:Tension; Gamme de précision de détection:è… 0.5Â°C; Gamme de température de détection:-40Â°C +85Â°C; Courant, alimentation:350è¾A; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Résolution (Bits):13bit; Type de boîtier de capteur CI:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10mA; Nombre de bits:11; Nombre de voies:1; Racine de la référence:95245; Résolution:13bit; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Températu DIODE ZENER 5.6V PROTEGEE; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Courant de Zener:100mA; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:700mW; Puissance, Ptot:700mW; Résistance, Rz:0.12ohm; Type de boîtier:SMT; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 39V; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:SMF; Typ DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 500V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:SMF; Type DIODE, FAST, SMA, GP, 0.8A, 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtie DIODE, FAST SMF GP 0.8A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE, SMF GP 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant DIODE, SCHOTTKY SMF 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:100Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:900A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:900A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:2.2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:2.2kA DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:920A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:920A DIODE REDRESSEMENT HYPER RAPIDE 15A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:120A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:22ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:600V; Type de boîtier:D2-Pak; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:120A DIODE RAPIDE 8A 600V TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:2.6V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE RAPIDE 30A 600V TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:325A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:70A; Temps, trr typ.:27ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.4V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:325A PHOTODIODE 800NM 500MHZ; Longueur d'onde typ.:800nm; Bande passante:500MHz; Courant d'obscurité:10pA; Type de boîtier diode:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Diamètre, extérieur:5.4mm; Longueur cordon:13mm; Longueur d'onde, crête:800nm; Longueur/hauteur:3.6mm; Pas:2.54mm; Sensibilité:0.57A/W; Surface active:0.5mmË›; Température de fonctionnement max..:+100Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension Vr max..:20V; Type de boîtier:Radial PHOTODIODE LATERAL; Longueur d'onde typ.:935nm; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:18è¾A; Courant, direct, If:18è¾A; Courant, fuite inverse, max..:60nA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Longueur cordon:12.7mm; Longueur d'onde, crête:935nm; Longueur/hauteur:5.71mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.28mm; Temps de descente:5ns; Temps DIODE RAPIDE 1A 500V DO-214AC CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:1mA; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE STANDARD BOBINE 5000; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:MELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Polarité:Cathode; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance, Ptot:1.1W; Quantité par DIODE STANDARD BOBINE 800; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode; Quantité par bobine:800; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE MINIMELF BOBINE 2500; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, Ifrm:450è¾A; Diamètre, extérieur:1.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:500mW; Quantité par bobine:2500; DIODE ZENER BOBINE 1500; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C10 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Quantité par bobine:1500; Résistance, Rz:4ohm; Style de boît DIODE TVS 600W BOBINE 4000; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueu REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 10A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:20mJ; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:6.15mm; Profondeur:1.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMPC; T REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 8A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:20mJ; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:6.15mm; Profondeur:1.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMPC; Typ DIODE REDRESSEUR STANDARD 1A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):2.18mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:1.15mm; Temps, trr typ.:1.8ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMP; Type de REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:10mJ; Largeur (externe):2.18mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:1.15mm; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMP; Type de ter DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:10è¾A; Puissance, Ptot:70W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:390mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:160A DIODE SCHOTTKY TO220ACFP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:110A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAB; Nombre de broches:2; Courant, Ir, max..:6mA; Puissance, Ptot:30W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de boîtier:TO-220FPAB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:110A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.75è¾A; Puissance, Ptot:215W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:550mV; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:10mA; Puissance, Ptot:70W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:160A DIODE SCHOTTKY TO220ABFP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:220A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.2è¾A; Puissance, Ptot:35W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:230A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.5è¾A; Puissance, Ptot:160W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:230A DIODE SCHOTTKY TO-3P; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:2mA; Puissance, Ptot:375W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:300è¾A; Puissance, Ptot:60W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:45A; Tension, Vf max..:860mV; Courant, Ifs max.:450A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1.8mA; Puissance, Ptot:275W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:860mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:450A DIODE RAPIDE TO-220ACFP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:35W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE TO-220ABFP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:65W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE TO-3P; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.06V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:100è¾A; Puissance, Ptot:160W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE RAPIDE TO-220ABFP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:65W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE, ZENER 0.8W 100V; Tension, Vz:100V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 120V; Tension, Vz:120V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 47V; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:SMF; Typ DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 300V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; Type DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:SMF; Type DIODE, FAST SMF GP 0.8A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE, FAST SMF GP 0.8A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE, SMF GP 1A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant DIODE, SCHOTTKY SMF 1A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:100Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:920A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:920A DIODE SCHOTTKY BOBINE 3000; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:385mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:500mA; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:B2; Quantité par bobine:3000; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE ZENER BOBINE 1500; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:45mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur, bande:12mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Quantité par bobine:1500; Résistance, Rz:400ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CM DIODE RAPIDE 10A 200V TO-220F ; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10mA; Tension, Vf max..:895mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5mA; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-220F; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:390mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY 1A 40V SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:640mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE TVS 1NA 24V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25.4V 30.3V; Tension, bloquée max..:70V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:17pF; Capacité, Cd, typ. Vr:11pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:ZJ; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de DIODE TVS 15NA 24V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension, bloquée max..:76V; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:1.5pF; Capacité, Cd, typ. Vr:0.6pF; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AT; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:27.8V; Tension, bloquée max.. 8/20us:76V; Tension, isolement:24V; Tension, rupture min.:25.4V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison DIODE TVS CAN SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.2V 30.3V; Tension, bloquée max..:41V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:30pF; Capacité, Cd, typ. Vr:25pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:6R; Puissance, impulsionnelle crête:230W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claq DIODE TVS 0.8UA 3.3V SOT-23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.8V 6.9V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:1.5pF; Capacité, Cd, typ. Vr:0.6pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AP; Puissance, impulsionnelle crête:80W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tensio DIODE TVS 13V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:11.1V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-11B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:13.7V; Tension, isolement:11.1V DIODE TVS 150V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:128V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-128B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:158V; Tension, isolement:128V; T DIODE TVS 15V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-13; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:15.8V; Tension, isolement:12. DIODE TVS 170V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:145V; Tension, bloquée max..:234V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-145B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:179V; Tension, isolement:145V; DIODE TVS 180V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:154V; Tension, bloquée max..:246V; Courant, impulsion crête:1.6A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-154; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:189V; Tension, isolement:154 DIODE TVS 20V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-17; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:21V; Tension, isolement:17. DIODE TVS 27V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:10.7A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-23; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:28.4V; Tension, isolement:2 DIODE TVS 440V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Tension, bloquée max..:603V; Courant, impulsion crête:670mA; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-376B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:462V; Tension, isolement:376V DIODE TVS 47V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-40; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:49.4V; Tension, isolement:40 DIODE TVS 100V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-85B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:105V; Tension, isolement:85.5V DIODE TVS 10V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Tension, bloquée max..:165V; Courant, impulsion crête:3.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:19A; Courant, crête max.., 8/20us:3.6A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:120V; Tension, DIODE TVS 15V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:24A; Courant, crête max.., 8/20us:123A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:18V; Tensio DIODE TVS 15V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:24A; Courant, crête max.., 8/20us:123A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:18V; Tension, DIODE TVS 31V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:12A; Courant, crête max.., 8/20us:62A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:36V; Tension, bl DIODE TVS 100V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:4.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:105V; Tension, isolement:85.5V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 12V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:37A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:12.6V; Tension, isolement:10.2V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 13V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11.1V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:34A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:13.7V; Tension, isolement:11.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 15V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:29A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:15.8V; Tension, isolement:12.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 16V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:16.8V; Tension, isolement:13.6V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 200V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:210V; Tension, isolement:171V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 20V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:21V; Tension, isolement:17.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 27V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:28.4V; Tension, isolement:23.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 36V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:37.8V; Tension, isolement:30.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 400V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:420V; Tension, isolement:342V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 440V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Tension, bloquée max..:600V; Courant, impulsion crête:1.04A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:462V; Tension, isolement:376V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 47V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:49.4V; Tension, isolement:40.2V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 68V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:71.4V; Tension, isolement:58.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 8.2V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.02V; Tension, bloquée max..:12.1V; Courant, impulsion crête:52A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:8.61V; Tension, isolement:7.02V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 18V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:18.9V; Tension, isolement:15.3V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 200V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:20V; Tension, isolement:171V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 33V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:34.7V; Tension, isolement:28.2V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 33V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:34.7V; Tension, isolement:28.2V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 36V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:37.8V; Tension, isolement:30.8V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 39V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:41V; Tension, isolement:33.3V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 62V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:53V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:7.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:65.1V; Tension, isolement:53V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 68V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:71.4V; Tension, isolement:58.1V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 6.8V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:60A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:7.14V; Tension, isolement:5.8V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 10V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:12.3V; Tension, isole DIODE TVS 10V5% 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:12.3V; Tension, isolem DIODE TVS 120V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:120V; Gamme de tension de claquage:133V 147V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:2.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:147V; Tension, isoleme DIODE TVS 13V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:15.9V; Tension, iso DIODE TVS 13V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:15.9V; Tension, isolem DIODE TVS 16V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:19.7V; Tension, isolemen DIODE TVS 22V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:14.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:26.9V; Tension, isol DIODE TVS 28V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:11.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:34.4V; Tension, isol DIODE TVS 33V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:9.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:40.6V; Tension, isole DIODE TVS 51V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:6.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:62.7V; Tension, is DIODE TVS 51V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:6.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:62.7V; Tension, isole DIODE TVS 0.05 500W6.5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:7.22V 7.98V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:46A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:7.98V; Tensi DIODE TVS 7V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7V; Gamme de tension de claquage:7.78V 8.6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:8.6V; Tension, isolemen DIODE TVS 7.5V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:9.21V; Tension, i DIODE TVS 75V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:75V; Gamme de tension de claquage:88.3V 92.1V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:4.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:92.1V; Tension, iso DIODE TVS 75V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:75V; Gamme de tension de claquage:88.3V 92.1V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:4.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:92.1V; Tension, isolem DIODE TVS 8.0V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8V; Gamme de tension de claquage:8.89V 9.83V; Tension, bloquée max..:13.6V; Courant, impulsion crête:38A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:9.83V; Tension, isolem DIODE TVS 16V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:19.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 24V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:29.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 26V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:9.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:31.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 28V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:34.4V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 36V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:44.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 40V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:49.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 5.0V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 6.0V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:38.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:7.37V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 7.0V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:8.6V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 8.5V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:27.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:10.4V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 85V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:85V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:104V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 1A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):1.4mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Profondeur:0.75mm; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:Micro SMP; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:10mA; Puissance, Ptot:70W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:440mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:140A DIODE SCHOTTKY TO-262; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:2.5mA; Puissance, Ptot:85W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:TO-262; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:140A DIODE SCHOTTKY TO-262; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:10mA; Puissance, Ptot:70W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:TO-262; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:160A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.03è¾A; Puissance, Ptot:85W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:140A DIODE SCHOTTKY TO220ABFP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:300è¾A; Puissance, Ptot:35W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:680mV; Type de boîtier:TO-220FPAB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:220A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.2è¾A; Puissance, Ptot:62W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY TO-3P; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:300è¾A; Puissance, Ptot:85W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY TO-3P; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:230A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:500è¾A; Puissance, Ptot:160W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:230A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:35A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.75è¾A; Puissance, Ptot:215W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:320A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:730mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:700è¾A; Puissance, Ptot:250W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:730mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.3è¾A; Puissance, Ptot:85W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:20mA; Puissance, Ptot:145W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:320A DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.5è¾A; Puissance, Ptot:160W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE RAPIDE TO-220ACPF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.04V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220ACFP; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220ACFP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE TO-3P; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.13V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:160W; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE RAPIDE TO-220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:90W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE RAPIDE TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:90W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE RAPIDE TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:65W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE 15A 600V TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:30A; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.2V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE RAPIDE 8A 1200V TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.3V; Temps trr max.:44ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:16A; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:3.3V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE 15A 600V TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:30A; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.2V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE RAPIDE 1A 300V DO-214AC CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:1mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE TVS 200V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-171B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:210V; Tension, isolement:171V; DIODE TVS 22V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-19B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:23.1V; Tension, isolement:18.8V DIODE TVS 24V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-20; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:25.2V; Tension, isolement:20. DIODE TVS 33V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-28; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:34.7V; Tension, isolement:28 DIODE TVS 400V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:750mA; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-342; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:420V; Tension, isolement:34 DIODE TVS 440V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Tension, bloquée max..:603V; Courant, impulsion crête:670mA; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-376; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:462V; Tension, isolement:37 DIODE TVS 56V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:47.8V; Tension, bloquée max..:77V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-48; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:58.8V; Tension, isolement:47.8 DIODE TVS 20V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:28A; Courant, crête max.., 8/20us:93A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:24V; Tension, bl DIODE TVS 13V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:11.1V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:34A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:13.7V; Tension, isolement:11.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 15V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:29A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:15.8V; Tension, isolement:12.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 160V5% 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:136V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:2.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:168V; Tension, isolement:136V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 16V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:16.8V; Tension, isolement:13.6V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 22V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:23.1V; Tension, isolement:18.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 24V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:25.2V; Tension, isolement:20.5V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 300V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:315V; Tension, isolement:256V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 33V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:34.7V; Tension, isolement:28.2V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 36V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:37.8V; Tension, isolement:30.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 39V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:41V; Tension, isolement:33.3V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 7.5V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6.4V; Tension, bloquée max..:11.3V; Courant, impulsion crête:55A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:7.88V; Tension, isolement:6.4V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 9.1V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.78V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:47A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:9.55V; Tension, isolement:7.78V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 10V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:10.5V; Tension, isolement:8.55V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 150V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:128V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:158V; Tension, isolement:128V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 0.05 500W120V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:120V; Gamme de tension de claquage:133V 147V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:2.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:147V; Tension, DIODE TVS 150V5% 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:150V; Gamme de tension de claquage:167V 185V; Tension, bloquée max..:243V; Courant, impulsion crête:2.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:185V; Tension, is DIODE TVS 150V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:150V; Gamme de tension de claquage:167V 185V; Tension, bloquée max..:243V; Courant, impulsion crête:2.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:185V; Tension, isoleme DIODE TVS 16V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:19.7V; Tension, isole DIODE TVS 18V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:22V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:17.9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:22.1V; Tension, iso DIODE TVS 22V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:14.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:26.9V; Tension, i DIODE TVS 33V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:9.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:40.6V; Tension, is DIODE TVS 36V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:44.2V; Tension, isolement DIODE TVS 9V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:34A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:11.1V; Tension, isolement: DIODE TVS 10V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:23.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:12.3V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 110V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:110V; Tension, bloquée max..:177V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:135V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 120V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:120V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:1.6A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:147V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 13V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:18.6A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:15.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 15V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:18.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 15V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:18.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 22V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:26.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 28V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:34.4V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 43V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:52.8V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 5.0V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 51V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:51V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:4.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:62.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 51V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:51V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:4.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:62.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 58V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:4.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:71.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 75V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:75V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:3.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:92.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 8.5V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:27.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:10.4V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 9.0V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:11.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 3A 10V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:390mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY 1A 20V SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:430mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 1.5A 30V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 2A 30V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY 0.5A 40V SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:470mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE TVS 0.05UA 12V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.2V 16.7V; Tension, bloquée max..:37V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:19pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:V5; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:15.8V; Tension, bloq DIODE TVS 15NA 24V SSOT-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25.5V 29V; Tension, bloquée max..:52V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:SSOT-6; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:70pF; Capacité, Cd, typ. Vr:45pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:K8; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de DIODE TVS 15NA 24V SSOT-6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension, bloquée max..:52V; Type de boîtier diode:SSOT-6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:70pF; Capacité, Cd, typ. Vr:45pF; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:E5; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:27V; Tension, bloquée max.. 8/20us:52V; Tension, isolement:24V; Tension, rupture min.:25.5V; Type de boîtier:SSOT-6; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 0.8UA 3.3V SSOT-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.3V 5.9V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SSOT-6; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:300pF; Capacité, Cd, typ. Vr:215pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:K4; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tens DIODE TVS 0.2UA 3.3V SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.5V 9.5V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:3.5pF; Capacité, Cd, typ. Vr:2.9pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:7V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:5.5V; Type de boîtier:SOD-323; Ty DIODE TVS 1UA 5V SOT-23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:7V 8.2V; Tension, bloquée max..:21V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:1.5pF; Capacité, Cd, typ. Vr:0.6pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AQ; Puissance, impulsionnelle crête:80W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de cla DIODE, ZENER 0.8W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 150V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:SMF; Typ DIODE, FAST SMF GP 0.5A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:150Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE, FAST SMF GP 0.5A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:150Â°C/W; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE, FAST SMF GP 0.5A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:150Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE, SMF GP 1A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; coura DIODE, SMF GP 1A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant DIODE,SCHOTTKY,60V,1A,SUB SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:100Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:8mA; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:60mA; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:2.2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:2.2 DIODE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 60A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.68V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:34ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-75Â°C; Tension Vr max..:600V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; co DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:920A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:920A DIODE RAPIDE BOBINE 1800; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Quantité par bobine:1800; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temp DIODE SCHOTTKY BOBINE 2500; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:MiniMELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:500mA; Diamètre, extérieur:1.62mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:3.6mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:200mW; Quantité par bobine:2500; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct DIODE SCHOTTKY BOBINE 2500; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:395mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur, bande:12mm; Marquage, CMS:1BL3; Quantité par bobine:2500; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:120Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:395mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; coura DIODE DE COMMUTATION BOBINE 3000; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Une; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, direct, If:50mA; Courant, test:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A6; Profonde DIODE ZENER BOBINE 1500; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C18 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Quantité par bobine:1500; Résistance, Rz:15ohm; Style de boî DIODE ZENER BOBINE 5000; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3.25W; Longueur/hauteur:4.57mm; Puissance, Ptot:3.25W; Quantité par bobine:5000; Résistance, Rz:500ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE INFRAROUGE; Longueur d'onde, crête:880nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:90Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.9V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Matière:Metal; Puissance de sortie:10.5mW; Tension DIODE TVS UNIDIR. SMP 400W 14V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:14V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:17.2A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):2.18mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:1.15mm; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Temps de réponse:300è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tens DIODE SCHOTTKY TO-247AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:450A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:30mA; Puissance, Ptot:180W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:580mV; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:450A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:690mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:10mA; Puissance, Ptot:70W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:690mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SIGNAL; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Commutation haute fréquence; Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:100mA; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; coura DIODE TVS SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:45V; Gamme de tension de claquage:50V 55.3V; Tension, bloquée max..:72.7V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Tension de claquage:50V; Tension, isolement:45V; Type de boîtier:SMC/DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3V; Gamme de tension de claquage:5.89V 6.51V; Tension, bloquée max..:8.7V; Courant, impulsion crête:2.76A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Zener TVS deux anodes; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Tension de claquage:6.2V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Redresseur standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:4W; Tension de claquage:33V; Tension, isolement:28.2V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:350W; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:111V; Gamme de tension de claquage:124V 137V; Tension, bloquée max..:179V; Courant, impulsion crête:8.4A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:5W; Tension de claquage:137V; Tension, isolement:111V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Broches a DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:47.8V; Gamme de tension de claquage:53.2V 58.8V; Tension, bloquée max..:77V; Courant, impulsion crête:19.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:58.8V; Tension, isolement:47.8V; Type de boîtier:DO-201AE; Type DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:3W; Tension de claquage:27.05V; Tension, isolement:23.1V; Type de boîtier:SMB; T DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.1V 7.2V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:100pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Tension de claquage:7.2V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:104.2mA; Dissipation de puissance, max..:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY TO220ACFP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:220A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:0.2è¾A; Puissance, Ptot:35W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:720mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY TO-220AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; Courant, Ir, max..:10è¾A; Puissance, Ptot:70W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:390mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:160A DIODE SCHOTTKY TO-220AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Courant, Ir, max..:300è¾A; Puissance, Ptot:85W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:140A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:280A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:500è¾A; Puissance, Ptot:175W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:670mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:280A DIODE SCHOTTKY TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:130A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:500è¾A; Puissance, Ptot:85W; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:680mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:130A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:700A DIODE RAPIDE TO-220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:65W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE RAPIDE TO-3P; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.22V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:2.75W; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE RAPIDE TO-220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.08V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:90W; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE TVS; Nombre de circuits:14; Type Thyristor/Triac:Thyristors de protection transitoires; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, crête max.., 8/20us:3A; Type de boîtier:DIP-16; Type de terminaison:Traversant MODULE THYRISTOR/DIODE; Tension Vdrm:600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant, It moy:15A; Courant Itsm (50Hz):225A; Tension, Vgt:2.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Diode de roue libre; Courant, Itsm:225A; Type Thyristor/Triac:Module thyristor / diode DIODE RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-203AA; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:145A DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE REDRESSEUR STANDARD; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A RESEAU DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Capacité, Cd, typ. Vr:325pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE STANDARD 2 A SOD-57; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 3 A DO-201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 70 A SOD-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 30 A MINIMELF; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE SCHOTTKY 300 A SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:650mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE FAIBLE SIGNAL 50V DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE FAIBLE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE FAIBLE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE FAIBLE SIGNAL 250V 41-MINIDIP; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE FAIBLE SIGNAL 100V DO-219AB; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:1.2A; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE FAIBLE SIGNAL 75V 41-MINIDIP; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE FAIBLE SIGNAL 100V 41-MINIDIP; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:8ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE ZENER 5.1V 1.3 W; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:49mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 10V 1.3 W; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 12V 1.3 W; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:21mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 15V 1.3 W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 15V 1.3 W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5.1V 0.5W; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, If moy.:200mA; Diode Type:Recouvrement standard; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tension, Vrrm:2V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 10V 0.5W; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, If moy.:200mA; Diode Type:Recouvrement standard; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, Vf max..:1.1V; Tension, Vrrm:8V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER V 0.5W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, test:8.5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 30V 2.3 W; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 8.2V 2.3 W; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 33V 3 W; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 12V 1.3 W; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 18V 1.3 W; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:15mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 20V 1.3 W; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 62V 1.3 W; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:4mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 12V DO-219; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:10.1A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:440pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, isolement:12V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE TVS 36V SOT23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36.5V; Gamme de tension de claquage:27.5V 30.7V; Tension, bloquée max..:72V; Courant, impulsion crête:3.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:248W; Tension de claquage:43V; Tension, isolement:36V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 5V LLP1006; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V 7.5V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:LLP1006; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:33W; Tension de claquage:6.8V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:LLP1006; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE SCHOTTKY 2A 40V; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DE COMMUTATION QUADROMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:8ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE DE COMMUTATION DO219; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vrrm:1kV; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE DE COMMUTATION DO219; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vrrm:400V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE DE COMMUTATION SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:4.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4.5A DIODE DE COMMUTATION SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE ZENER 1W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 12V.; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.8W 11V; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.8W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS CONNECTOR, LED, PROTECTIVE DIODE, BLACK; Genre:Embase; Nombre de contacts:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:CÃ¢ble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:étain; Plaquage du contact:Etain; Approval Bodies:VDE; Connector Type:Industrie; Contact Material:Sn; Contact Plating:Etain; Contact Type:Droit; Couleur:Black; IP / NEMA Rating:IP65; Insulator Material:PA; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voies:2 + PE; Orientation du connecteur:CÃ¢ble; Type de connecteur:Rectangulaire d CONNECTOR, LED, PROTECTIVE DIODE, GRAY; Genre:Embase; Nombre de contacts:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:CÃ¢ble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:étain; Plaquage du contact:Etain; Approval Bodies:VDE; Connector Type:Industrie; Contact Material:Sn; Contact Plating:Etain; Contact Type:Droit; Couleur:Grey; IP / NEMA Rating:IP65; Insulator Material:PA; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voies:2 + PE; Orientation du connecteur:CÃ¢ble; Type de connecteur:Rectangulaire de DIODE, ZENER, 15V, 1W; Tension, Vz:15.75V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:304mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 16V, 1W; Tension, Vz:16.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:15.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:285mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, SOD-123F, 75V; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:10mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ifrm:300mA; Puissance, Ptot:400mW; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:410mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Courant, Ir, max..:100nA; Marquage, CMS:74; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600A DIODE, ZENER, 500MW 15V; Tension, Vz:15.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 16V; Tension, Vz:17.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 22V; Tension, Vz:23.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 2V0; Tension, Vz:2.11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 2V7; Tension, Vz:2.89V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 39V; Tension, Vz:41V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 3V3; Tension, Vz:3.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 43V; Tension, Vz:46V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 6V8; Tension, Vz:7.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 9V1; Tension, Vz:9.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, dire DIODE RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, di DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, di DIODE STANDARD 1.5A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 1.5A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 1.5A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 3A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:45Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:B DIODE STANDARD 3A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:45Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:B DIODE STANDARD 3A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:40Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:B DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températ DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Tempéra DIODE RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 2A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:55A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 3A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE RAPIDE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de ter DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tensio DIODE RAPIDE 2A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de ter DIODE RAPIDE 2A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de t DIODE RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Ty DIODE RAPIDE 6A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:37Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de termin DIODE SCHOTTKY 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:MELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:80Â°C/W; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 15A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Courant, If, Vf:7.5A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant DIODE SCHOTTKY 16A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 16A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 20A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 30A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:940mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 30A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 30A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Courant, If, Vf:15A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:2 DIODE SCHOTTKY 40A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:2A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 7A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Courant, If, Vf:15A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 7A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 7A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 7A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:10A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier DIODE RAPIDE 2A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:55Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max DIODE RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:55Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max DIODE RAPIDE 2A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:55Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max DIODE RAPIDE 3A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150 DIODE RAPIDE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:1 DIODE STANDARD 2A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:53Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMB (D DIODE STANDARD 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC (DO-21 DIODE ULTRA-RAPIDE 6A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:30Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; T DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 5A 90V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:10Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:85 DIODE SCHOTTKY 2A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:400è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 2A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:400è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 3A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type DIODE ULTRA-RAPIDE 0.6A 150V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:600mA; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TS-1; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:97Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:TS-1; DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:45Â°C/W; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Typ DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températu DIODE PIN 0.05A SOD-323; Diode Type:RF; Courant, If moy.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, min. Vr:0.4pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:50mA; Courant, If max..:50mA; Puissance, Ptot:500mW; Tension Vr max..:50V; Tension, Vf max..:1.1V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Dual, Series; Courant, If, Vf:1mA; Courant, Ir, max..:100nA; Marquage, CMS:74; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE TVS 15V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-13B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:15.8V; Tension, isolement:12.8V DIODE TVS 33V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-28B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:34.7V; Tension, isolement:28.2 DIODE TVS 36V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:8A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-31B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:37.8V; Tension, isolement:30.8V; DIODE TVS 47V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-40B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:49.4V; Tension, isolement:40.2 DIODE TVS 51V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43.6V; Tension, bloquée max..:70.1V; Courant, impulsion crête:5.7A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-44; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:53.6V; Tension, isolement:43 DIODE TVS 56V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43.6V; Tension, bloquée max..:70.1V; Courant, impulsion crête:5.7A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-44B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:53.6V; Tension, isolement:43.6 DIODE TVS 56V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:47.8V; Tension, bloquée max..:77V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-48B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:58.8V; Tension, isolement:47.8V; DIODE TVS 75V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:64.1V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:3.9A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-64B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:78.8V; Tension, isolement:64.1V DIODE TVS 13V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:28A; Courant, crête max.., 8/20us:147A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:15V; Tension DIODE TVS 13V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:28A; Courant, crête max.., 8/20us:147A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:15V; Tension, DIODE TVS 12V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:37A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:12.6V; Tension, isolement:10.2V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 180V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:154V; Tension, bloquée max..:246V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:189V; Tension, isolement:154V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 180V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:154V; Tension, bloquée max..:246V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:189V; Tension, isolement:154V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 18V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:18.9V; Tension, isolement:15.3V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 200V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:210V; Tension, isolement:171V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 22V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:23.1V; Tension, isolement:18.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 24V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:25.2V; Tension, isolement:20.5V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 30V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:31.5V; Tension, isolement:25.6V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 33V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:34.7V; Tension, isolement:28.2V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 39V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:41V; Tension, isolement:33.3V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 400V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:420V; Tension, isolement:342V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 440V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Tension, bloquée max..:600V; Courant, impulsion crête:1.04A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:462V; Tension, isolement:376V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 47V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:49.4V; Tension, isolement:40.2V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 91V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:77.8V; Gamme de tension de claquage:86.5V 95.5V; Tension, bloquée max..:125V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:95.5V; Tension, isolement:77.8V; Type de boîtier:DO-15; Ty DIODE TVS 91V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:77.8V; Tension, bloquée max..:125V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:95.5V; Tension, isolement:77.8V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 100V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:4.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:105V; Tension, isolement:85.5V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 10V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:10.5V; Tension, isolement:8.55V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 150V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:125V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:158V; Tension, isolement:128V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 22V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:23.1V; Tension, isolement:18.8V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 22V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:23.1V; Tension, isolement:18.8V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 27V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:28.4V; Tension, isolement:23.1V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 36V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:37.8V; Tension, isolement:30.8V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 39V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:41V; Tension, isolement:33.3V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 47V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.7A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:49.4V; Tension, isolement:40.2V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 6.8V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:60A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:7.14V; Tension, isolement:5.8V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 20V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:24.5V; Tension, isolem DIODE TVS 28V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:11.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:34.4V; Tension, i DIODE TVS 36V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:44.2V; Tension, isolem DIODE TVS 7.5V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:9.21V; Tension, isol DIODE TVS 8.0V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8V; Gamme de tension de claquage:8.89V 9.83V; Tension, bloquée max..:13.6V; Courant, impulsion crête:38A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:11mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:9.83V; Tension, is DIODE TVS 110V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:110V; Tension, bloquée max..:177V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:135V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 12V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:14.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 130V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:130V; Tension, bloquée max..:209V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:159V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 150V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:150V; Tension, bloquée max..:243V; Courant, impulsion crête:1.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:185V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 160V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:160V; Tension, bloquée max..:259V; Courant, impulsion crête:1.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:197V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 170V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:170V; Tension, bloquée max..:275V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:209V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 18V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:13.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:22.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 24V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:29.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 30V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:36.8V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 36V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:44.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 43V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:52.8V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 54V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:54V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:4.6A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:66.3V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 54V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:54V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:4.6A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:66.3V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 6.5V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:35.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:7.98V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 60V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:60V; Tension, bloquée max..:96.8V; Courant, impulsion crête:4.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:73.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 64V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:64V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:3.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:78.6V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 7.5V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:9.21V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 78V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:78V; Tension, bloquée max..:126V; Courant, impulsion crête:3.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:95.8V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE CONTROLLER, LO VOLTAGE, 12DFN; Tension, entrée:18V; Tension, sortie:12V; Commutateur interne:No; Type de boîtier CI numérique:DFN; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:200è¾A; Racine de la référence:4352; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:2.9V; Tension, entrée max..:18V; Tension, sortie max..:24V; Type de boîtier:DFN; Type de contrÃ´leur:Faible tension; Type de sortie:Tension; Type de ter DIODE CONTROLLER, LO VOLTAGE, 12MSOP; Tension, entrée:18V; Tension, sortie:12V; Commutateur interne:No; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:200è¾A; Racine de la référence:4352; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:2.9V; Tension, entrée max..:18V; Tension, sortie max..:24V; Type de boîtier:MSOP; Type de contrÃ´leur:Faible tension; Type de sortie:Tension; Type de DIODE PONT REDRESSEUR; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Diode Mounting Type:Traversant; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier pont redresseur:DFM; Nombre de broches:4; Type de boîtier:DFM; Type de terminaison:Traversant DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:890mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:2.8V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE REDRESS. PUISSANCE; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:595A; Diode Type:Recouvrement standard; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-203AB; Type de boîtier diode:DO-203AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:595A DIODE SCHOTTKY 4A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2kA DIODE SCHOTTKY 4A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:4A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.2kA DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:380mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:POWERMITE; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:POWERMITE; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 1.0A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:380A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:380A DIODE SCHOTTKY 16A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AC; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ITO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 30MA DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:MicroMELF; courant Ifsm:500mA DIODE FAIBLE SIGNAL 200MA; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:150V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE FAIBLE SIGNAL 200MA; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE FAIBLE SIGNAL 200MA; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY 200MA DIRECT; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:320mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE FAIBLE SIGNAL 750MA; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:715mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE ZENER VZ 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:4W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:4W; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.1V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:70A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension, Vz:12V; Type de boîtier:457; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 2.5V; Tension, Vz:2.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:111V; Gamme de tension de claquage:124V 137V; Tension, bloquée max..:179V; Courant, impulsion crête:3.4A; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension de claquage:124V; T DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.3V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2035pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:60V; Gamme de tension de claquage:66.7V 73.7V; Tension, bloquée max..:96V; Courant, impulsion crête:15.5A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:66.7V; Tension, isolement DIODE EMETTEUR IR; Longueur d'onde, crête:940nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:800ns; Temps de descente:800ns; Intensité rayonnée:40mW/Sr; Angle, vision:25Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.35V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Courant, direct, If:1A; Courant, direct, If:1A; Dissipation de puissance:210mW; Dissipation de puissance Pd:210mW; Longueur d'onde typ.:940nm; Tension, Vf max..:2.6V; Type de boîtier:T-1 3/4 DIODE EMETTEUR IR; Longueur d'onde, crête:950nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:800ns; Intensité rayonnée:50mW/Sr; Angle, vision:5Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.3V; Type de boîtier diode:TO-18; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:170mW; Dissipation de puissance Pd:170mW; Longueur d'onde typ.:950nm; Tension, Vf max..:1.3V; Type de boîtier:TO-18 IDEAL DIODE OR 16SOIC; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4355; Tension, alimentation max..:80V; Tension, alimentation min.:9V; Tension, entrée max..:80V; Tension, sortie max..:80V; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Drain ouvert; Type de terminaison:CMS IDEAL DIODE DOUBLE 10DFN; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4413; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.5V; Tension, entrée max..:6V; Tension, sortie max..:6V; Type de boîtier:DFN; Type de terminaison:CMS IDEAL DIODE CONTROLEUR 6DFN; Applications ContrÃ´leur:Infrastructure de télécommunication, Systèmes automobiles; Tension, entrée:80V; Tension, sortie:80V; Commutateur interne:Oui; Gamme de tension d'alimentation:9V 80V; Type de boîtier CI numérique:DFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:170è¾A; Racine de la référence:4357; Tension, alimentation max..:80V; Tension, alimentation min.:9V; Tension, entrée max..:80V; Ten PHOTODIODE; Taux de transfert de données max..:5Mbps; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):5.5mm; Longueur cordon:25mm; Longueur d'onde, crête:700nm; Longueur/hauteur:9mm; Taux de transfert:5Mbps; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:-40Â°C; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:-0.5V DIODE REF DE TENSION 2.5V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:30ppm/Â°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:Traversant DIODE REF DE TENSION 2.5V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:150ppm/Â°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:Traversant DIODE DE SUPPRESSION; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-204AC; Tension, isolement:342V; Tension, rupture max..:420V; DIODE ZENER 16V 1W; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:57mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:15.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:745A; Pointe de courant:285mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 27V 1W; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:34mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:9.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:750A; Pointe de courant:170mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 30V 1W; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:30mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:8.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:751A; Pointe de courant:150mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 47V 1W; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:19mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:5.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:756A; Pointe de courant:95mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 68V 1W; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:13mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:3.7mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:760A; Pointe de courant:65mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS IC TEMP SENSOR, QUAD REMOT DIODE, 3V; Type de sortie CI:Tension; Gamme de précision de détection:è… 1Â°C; Gamme de température de détection:-40Â°C +125Â°C; Courant, alimentation:0.57mA; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Résolution (Bits):13bit; Type de boîtier de capteur CI:LLP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10è¾A; Nombre de bits:11; Nombre de voies:4; Racine de la référence:95234; Résolution:13bit; Sensibilité:0.125Â°CLSB ; Température de fonctionnement: DIODE TVS 120V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:120V; Gamme de tension de claquage:133V; Tension, bloquée max..:215V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de f DIODE TVS 15V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.6V; Tension, bloquée max..:26.9V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:6750pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de DIODE TVS 180V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:180V; Gamme de tension de claquage:200V; Tension, bloquée max..:322V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température DIODE TVS 47V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:47V; Gamme de tension de claquage:52V; Tension, bloquée max..:83.2V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2050pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fo DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:28.3V; Courant, impulsion crête:102A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de foncti DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:62.8V; Courant, impulsion crête:48A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonction DIODE TRANSIL 1500W SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V; Tension, bloquée max..:328V; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:312.5pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension de DIODE TRANSIL 1500W SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:156A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension DIODE TVS 400W DO-216AA PLAT; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-222AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:2.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Temps de réponse:50ms; Tempéra DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.45V; Temps trr max.:100ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:24ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:300A DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.45V; Temps trr max.:100ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:24ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A RESEAU DE DIODES; Diode Type:A bus; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA RESEAU DE DIODES ISOLE; Diode Type:Isolée; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:9; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 1A SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 12A TO220; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:20A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 4A SMC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:70A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:16ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE, TVS, 600W, 36V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tensi DIODE, TVS, 600W, 40V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:8.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Ten DIODE, TVS, 600W, 48V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:7.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Ten DIODE, TVS, 1.5KW, 22V, BIDIR, SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:42.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temp DIODE, RECTIFIER, 1A, 600V, SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de phases:Une; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 200V; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER 0.8W 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; Type DIODE, SMF GP 1A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant DIODE, SCHOTTKY SMF 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:100Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, SCHOTTKY SMF 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:100Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, SCHOTTKY SMF 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:100Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SUB SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, TVS, 54V, 500W, AXL, BI; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:5.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Temps de réponse:5ns; Tension de claquage:66.3V; Tension, isolement:54 DIODE, SCHOTTKY, 3A, 60V, DO201; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-60Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE, TVS, 24V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:45.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â° DIODE, TVS, 170V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:145V; Gamme de tension de claquage:162V 179V; Tension, bloquée max..:234V; Courant, impulsion crête:6.4A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 68V, 1500W, AXL, UNIDIRC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:16.3A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-5 DIODE, TVS, 68V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:16.3A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, ZENER, 0.5W, 10V, SOD123; Tension, Vz:10.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:100è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 20V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:54.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 39V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 16V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Gamme de tension de claquage:15.2V 16.8V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:67A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 47V, 1500W, AXL, UNIDIRC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/ha DIODE, TVS, 51V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43.6V; Gamme de tension de claquage:48.5V 53.6V; Tension, bloquée max..:70.1V; Courant, impulsion crête:21.4A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â° DIODE FAST, 2A, 150V, SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY, 3A, 50V, SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE, SCHOTTKY, 30A, 60V, TO247 AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE, ULTRA FAST, 0.2A, 50V, DO-35; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:75V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, SCHOTTKY, 20A, 60V, TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE, SS, 250V, 0.2A, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, ZENER, 1W, 4.7V, DO41; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:53mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 1W, 5.1V, DO41; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:49mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 3.6V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales RECT DIODE 150V 0.2A LL-34; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE DUAL, 16A, 600V, TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE, ZENER, 0.5W, 15V, SOD-123; Tension, Vz:15.75V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:100è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 0.5W, 3.6V, SOD-123; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 5A, 80V, DO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE, ZENER, 1W, 4.3V, DO41; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:58mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 0.5W, 3.9V, DO-35; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 27V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.6mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, SS, 80V, 0.5W, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, ZENER, 22V, 0.5W, DO35; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5.6mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 1W, 12V, DO41; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:21mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 0.35W, 3.6V, SOT-23; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DUAL, 100V, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE, ZENER, 0.35W, 22V, SOT-23; Tension, Vz:23.4V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 9.0V, 600W, BI DIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:39A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:11.1V; Tension, isolement:9V; Type de DIODE, SS, 0.2A, 70V, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A ZENER DIODE, 6.8V DUAL COM ANODE SC70; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Type de boîtier:SC70; Type de terminaison:CMS DIODE 1N4148 AMMO-BOX 10K; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:450mA; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, SCHOTTKY DIODE 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Type de boîtier:MicroMELF ZENER DIODE 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:2-SOD-123 ZENER DIODE 3.7V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Type de boîtier:DO-219 ZENER DIODE 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Type de boîtier:DO-219 ZENER DIODE 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Type de boîtier:DO-219AB ZENER DIODE 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Type de boîtier:DO-219AB DIODE, TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Tension de claquage:6.8V; Tension, isolement:5.8V; Type de boîtier:SMC DIODE, TVS, BIDIR; Gamme de tension de claquage:6.8V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:TVS bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:2kW; Tension de claquage:6.8V; Type de boîtier:8-SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE 1N4148 AMMO-BOX 5K; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:10mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY HAUTE PERFORMANCE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:900A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension Vr max..:100V; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:900A IR EMITTING DIODE; Longueur d'onde, crête:890nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:30ns; Temps de descente:30ns; Intensité rayonnée:180mW/Sr; Angle, vision:10Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.4V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:180mW; Dissipation de puissance Pd:180mW; Longueur d'onde typ.:890nm; Tension, Vf max..:1.6V; Type de boîtier:T-1 DIODE SCHOTTKY BOBINE 2500; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:350mA; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:7.5A; Type de boîtier diode:MiniMELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:1A; Diamètre, extérieur:1.62mm; Longueur/hauteur:3.6mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:330mW; Quantité par bobine:2500; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:Mini MELF; Type de ter DIODE ZENER BOBINE 1500; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C24 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Quantité par bobine:1500; Résistance, Rz:15ohm; Style de boî DIODE ZENER BOBINE 1500; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur, bande:12mm; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Quantité par bobine:1500; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type DIODE SCHOTTKY 45V 2 X 15A TO220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:880A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:880A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE TVS SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:78V; Gamme de tension de claquage:86.7V 95.8V; Tension, bloquée max..:126V; Courant, impulsion crête:11.9A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Tension de claquage:86.7V; Tension, isolement:78V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:77.8V; Gamme de tension de claquage:86.5V 95.5V; Tension, bloquée max..:125V; Courant, impulsion crête:4.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:5ns; Tension de claquage:86.5V; Tension, isolement:77.8V; Type de boîti DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:11V; Gamme de tension de claquage:12.2V 13.5V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:27.4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Temps de réponse:5ns; Tension de claquage:12.2V; Tension, isolement:11V; Type de boîtier DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:60A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Tension de claquage:17.6V; Tension, isolement:15V; Type de boîtier:41A; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-262; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:690A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-263AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:111V; Gamme de tension de claquage:124V 137V; Tension, bloquée max..:179V; Courant, impulsion crête:8.4A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:5W; Tension de claquage:137V; Tension, isolement:111V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Broches axi DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:2.6A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:5W; Tension de claquage:462V; Tension, isolement:376V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Broches a DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:214V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Courant, impulsion crête:4.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:5W; Tension de claquage:263V; Tension, isolement:214V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Broches a DIODE TVS; Tension , Vrwm:35V; Gamme de tension de claquage:22V 35V; Tension, bloquée max..:40V; Courant, impulsion crête:37.5A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3000pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:35V; Tension, isolement:35V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE REDRESSEUR STANDARD; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:75V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:860mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9.4V; Gamme de tension de claquage:10.5V 11.6V; Tension, bloquée max..:15.6V; Courant, impulsion crête:38A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:11.6V; Tension, isolement:9.4V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches ax DIODE RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-203AA; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:145A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:760mV; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE RAPIDE 1.5 A DO-214; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE 1 A SOD-64; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 200 A SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:410mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE 30V SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE SCHOTTKY 20 MA SOD-80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:15A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:15A DIODE SCHOTTKY 1.1 A DO-219; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE FAIBLE SIGNAL 100V -SOD-23; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:350mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL V DO-219; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE ZENER 12V 1.3 W; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:21mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.9V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:G3; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE ZENER 188V; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.6V 2.3 W; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 130V 3 W; Tension, Vz:130V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 18V 3 W; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 16V 3 W; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:15mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 4.7V 3 W; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:45mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.6V 3 W; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:45mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 30V 0.5W; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 6.8V 0.5W; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 2.02V; Tension, Vz:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.6V 500 MW; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 58V SMC; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:3.5V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS PHOTODIODE SILICIUM PIN; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:15Â°; Courant d'obscurité:1nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Angle, vision:15Â°; Couleur, LED:Infrarouge; Forme de lentille:Rond; Sensibilité:0.6A/W; Tension, Vf max..:1V; Type de LED:Standard; Type de boîtier opto:CMS RESEAU DIODE TVS 12V SOT23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:27.5V 30.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:312W; Tension de claquage:15V; Tension, isolement:12V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER TVS 200W 18V SMF; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:20V; Tension, isolement:18V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER TVS 200W 43V SMF; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:47.8V; Tension, isolement:43V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison: RESEAU DIODE TVS 4 LINE USB PORTS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.9V 8.7V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:LLP75; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:0.8pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:3W; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Tension de claquage:7.1V; Tension, isolement:5V; Type DIODE SCHOTTKY 2A 40V; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY 0.2A 40V; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DE COMMUTATION SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE ZENER 3W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:3.4mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 22V, 1W; Tension, Vz:23.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:11.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:205mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 47V, 1W; Tension, Vz:49.35V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:95mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 51V, 1W; Tension, Vz:53.55V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:90mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, HIGH SPEED, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:855mV; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Marquage, CMS:A6; Temps actif pour IFSM:1s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE, SCHOTTKY, DO-35; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, SCHOTTKY, SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Marquage, CMS:S7; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A SCHOTTKY DIODE, 30V, SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Marquage, CMS:L43; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE, DUAL, SMALL SIG, 75V, SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:855mV; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Marquage, CMS:A7; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE, ZENER, 500MW 27V; Tension, Vz:28.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 30V; Tension, Vz:32V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 33V; Tension, Vz:35V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 62V; Tension, Vz:66V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, HIGH SPEED, MINI-MELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MiniMELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:25nA; Température, Tj max..:175Â°C; Tension de claquage:100V; Tension, Vr, mesure Ir:20V; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE STANDARD 1.5A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:80Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; T DIODE STANDARD 6A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:250 DIODE STANDARD 6A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:250 DIODE STANDARD 6A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches axi DIODE STANDARD 3A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:40Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:B DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 300V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températ DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 500V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températ DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températu DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 150V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Tempéra DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Tempéra DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températ DIODE RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 3A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:40Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de t DIODE RAPIDE 1.5A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, DIODE RAPIDE 1.5A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de DIODE RAPIDE 1.5A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tensio DIODE STANDARD 1A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE STANDARD 1A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 10A 200V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 15A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Courant, If, Vf:7.5A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant If DIODE SCHOTTKY 16A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 20A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 30A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 30A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:940mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 40A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Courant, If, Vf:20A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:3 DIODE SCHOTTKY 60A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:420A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:420A DIODE SCHOTTKY 60A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:930mV; Courant, Ifs max.:420A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:420A DIODE SCHOTTKY 7A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:10A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier DIODE ULTRA-RAPIDE 16A 600V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversa DIODE RAPIDE 4A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:890mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:28Â°C/W; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:2Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220A DIODE RAPIDE 2A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:55Â°C/W; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max DIODE RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max..:1 DIODE STANDARD 3A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC (DO-21 DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Typ DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; DIODE ULTRA-RAPIDE 5A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:20Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; T DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 10A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 3A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:8 DIODE SCHOTTKY 3A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE SCHOTTKY 3A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températu DIODE SIGNAL SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:700mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Courant, Ifrm:450mA; Temps actif pour IFSM:1s; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE, SCHOTTKY, 1200V, 5A, TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE, SCHOTTKY, 600V, 4A, TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:31.9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:31.9A DIODE, SCHOTTKY, 600V, 4A, TO252-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:31.9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-252; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:110A DIODE, SCHOTTKY, 600V, 10A, TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE PONT REDRESSEUR; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.1V; Diode Mounting Type:Traversant; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier pont redresseur:D-72; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:50A; Courant, sortie max.:3A; Diode Type:Pont redresseur, monophasé; Hauteur corps max..:6.35mm; Largeur (externe):16.7mm; Longueur cordon:22mm; Longueur/hauteur:6.6mm; Profondeur:16.7mm; Température, Tc:50Â° DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-218AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-218AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-218AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-218AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE REDRESS. COURANT RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-50Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE REGULATEUR DE COURANT; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:4.7mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE FAIBLE SIGNAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:6.51V; Température de fonctionnement:-55Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE FAIBLE SIGNAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:9.45V; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-7; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:75Â°C; Type de boîtier:DO-7; Type de terminaison:Broches axiales DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:430A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:430A DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:365mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:POWERMITE; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:POWERMITE; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 2A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:90A DIODE SCHOTTKY 30MA DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:500mA DIODE ZENER VZ 6.2V; Tension, Vz:6.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Diode Type:Faible signal; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ULTRA RAPIDE 600V 50A; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:50A; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE ZENER VZ 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:45mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 11V; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:23mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension, Vz:12.8V; Dissipation de puissance Pd:4W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:4W; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension, Vz:28V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:1mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 2V; Tension, Vz:2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204; Nombre de broches:2; Courant, test:15.5mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-204; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:6mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:26.2V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-65Â°C + DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:54.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-65Â°C +17 DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:64.1V; Gamme de tension de claquage:71.3V 78.8V; Tension, bloquée max..:104V; Courant, impulsion crête:14.6A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-65Â°C +1 DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.8V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:35.3A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:12.8V; Tension, isolement:10V; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:15.6V 17.2V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:25.9A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:15.6V; Tension, isolement:14V; Type de boîtier:DO-214; Type d DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:150V; Gamme de tension de claquage:167V 185V; Tension, bloquée max..:243V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:185V; Tension, isolement:150V; Type de boîtier:DO-214; Type de terminaison:CMS DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:150V; Gamme de tension de claquage:167V 185V; Tension, bloquée max..:243V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:167V; Tension, isolement:150V; Type de boîtie DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:36V; Tension, isolem DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:675pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension d DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:14.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:30V; Tension, isole DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25V; Tension, bloquée max..:38V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:300pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:25V; Tension, isolement:24V; Type de boîtier:SOIC DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:86.1A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:8W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Tension de claquage:40V; Tension, isolement:36V; Type DIODE EMETTEUR IR 870NM; Longueur d'onde, crête:870nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:15ns; Temps de descente:15ns; Intensité rayonnée:180mW/Sr; Angle, vision:10Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Dissipation de puissance Pd:250mW; Longueur d'onde typ.:870nm; Tension, Vf max..:1.8V; Type de boîti DIODE EMETTEUR IR 890NM; Longueur d'onde, crête:890nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:30ns; Temps de descente:30ns; Intensité rayonnée:70mW/Sr; Angle, vision:22Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.4V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:180mW; Dissipation de puissance Pd:180mW; Longueur d'onde typ.:890nm; Tension, Vf max..:1.6V; Type de boîtie DIODE REF DE TENSION 2.5V 8-SO; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:150ppm/Â°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS DIODE REF DE TENSION 2.5V 8-SO; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:150ppm/Â°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS RESEAU PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:890nm; Courant d'obscurité:10nA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Sensibilité:0.45A/W; Tension Vr max..:50V; Type de boîtier:CMS DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE TVS SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:15.6V 17.2V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:64.7A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Tension de claquage:15.6V; Tension, isolement:14V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:110A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:110A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:A barrière de Schottky RF; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36.8V; Gamme de tension de claquage:40.9V 45.2V; Tension, bloquée max..:59.3V; Courant, impulsion crête:25.3A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Tension de cla DIODE ZENER 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:31.2mA; Dissipation de puissance, max..:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:41.2mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:550mW; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:214V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Courant, impulsion crête:4.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:5W; Tension de claquage:263V; Tension, isolement:214V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Broches axi DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.45V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:35A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43.6V; Gamme de tension de claquage:48.5V 53.6V; Tension, bloquée max..:70.1V; Courant, impulsion crête:21.4A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:5W; Tension de claquage:53.6V; Tension, isolement:43.6V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Br DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3V; Gamme de tension de claquage:6.1V 7.2V; Type de boîtier diode:SOT-665; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:7.5pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:30W; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Tension de claquage:7.2V; Tension, isolement:3V; Type de boîtier:SOT-665; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE TVS; Gamme de tension de claquage:11V; Tension, bloquée max..:100V; Type de boîtier diode:DRL; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1.5pF; Diode Type:TVS; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension de claquage:11V; Type de boîtier:DRL; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Nombre de circuits:14; Type Thyristor/Triac:Thyristors de protection transitoires; Type de boîtier Thyristor / Triac:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, crête max.., 8/20us:3A; Type de boîtier:SO-16; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Nombre de circuits:6; Type Thyristor/Triac:Thyristors de protection transitoires; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, crête max.., 8/20us:3A; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.6V; Tension, Vz:6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:70V; Gamme de tension de claquage:77.8V 86V; Tension, bloquée max..:113V; Courant, impulsion crête:13.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:86V; Tension, isolement:70V; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:94V; Gamme de tension de claquage:106V 116V; Tension, bloquée max..:152V; Courant, impulsion crête:9.9A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:116V; Tension, isolement:94V; Type de boîtier:DO-201AE; Type de terminaison:Broches DIODE ZENER 7.5V 1W; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:121mA; Courant de fuite:50è¾A; Courant, test:34mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:737A; Pointe de courant:605mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 18V 1W; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:50mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:14mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:746A; Pointe de courant:250mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 56V 1W; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:16mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:4.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:758A; Pointe de courant:80mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 12V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:22V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9475pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fo DIODE TVS 18V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V; Tension, bloquée max..:32.2V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:11500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température d DIODE TVS 27V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:27V; Gamme de tension de claquage:30V; Tension, bloquée max..:48.3V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3500pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fo DIODE TVS 39V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:39V; Gamme de tension de claquage:43.3V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4800pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température DIODE TVS 82V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:82V; Gamme de tension de claquage:91V; Tension, bloquée max..:145V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1300pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fon DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:18.8V; Courant, impulsion crête:157A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctio DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonct DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:31.4V; Courant, impulsion crête:93A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonct DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:9.4V 10.4V; Tension, bloquée max..:13.3V; Courant, impulsion crête:205A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctio DIODE TRANSIL 1500W SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:187A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension DIODE TRANSIL 1500W SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:156A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1250pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension de DIODE TRANSIL 1500W SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension DIODE TRANSIL 1500W SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:746A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Tension d DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 300V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:41ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1kA DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 600V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:1.55V; Temps trr max.:80ns; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:85ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:800A DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:18ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A PHOTODIODE 50MA SOT-23; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Longueur d'onde, crête:950nm; Sensibilité:0.6A/W; Temps de montée:100ns; Tension Vr max..:1.3V; Tension, claquage:60V DIODE RAPIDE 800 A SOD-57; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.8kV; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:400ns; Courant, Ifs max.:20A; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:400ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:20A DIODE RAPIDE 1.25 A SOD-64; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.25A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:100ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +165Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:100ns; Température, Tj max..:165Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE ULTRA-RAPIDE 3.5 A SOD-64; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:110V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:90A; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:90A DIODE STANDARD 1 A DO-214AC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:1.8è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE STANDARD 1.5A 2-SMB; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 200 A DO-204; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:5A REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 2A 0.5V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 40 A TO-247; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE SCHOTTKY 400 A DO-204; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:15A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:15A DIODE FAIBLE SIGNAL 40V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE FAIBLE SIGNAL 40V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE ZENER 39V 1.3 W; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:6.5mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 4.7V 2.3 W; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 180V 3 W; Tension, Vz:180V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 9.8V 0.5W; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 11V 0.5W; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 24V 0.5W; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 100V AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:30.9A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:8W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Tension de claquage:111V; Tension, isolement:100V; Type de boîtier:P600; Type d RESEAU DE DIODES; Diode Type:A bus; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA RESEAU DE DIODES; Diode Type:A bus; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA DIODE TVS 5V DO-219; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:21.7A; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:1030pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6.4V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS PHOTODIODE NPN; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Réponse spectrale crête:950nm; Temps de montée:100ns; Type de boîtier:Radial DIODE SCHOTTKY BOBINE 3K; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:18mJ; Largeur, bande:12mm; Quantité par bobine:3000; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:119Â°C; Temp DIODE TVS DOUBLE 5V SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE TVS 5V LLP75; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V 8V; Tension, bloquée max..:12.5V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:LLP75; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:43pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:70W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:LLP75; Type DIODE ZENER TVS 200W 24V SMF; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:5.1A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:26.7V; Tension, isolement:24V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison: DIODE ZENER TVS 200W 36V SMF; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:3.4A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:40V; Tension, isolement:36V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER TVS 200W 5V SMF; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:21.7A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:200W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:200W; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6.4V; Tens DIODE TVS 5V LLP1006; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.9V 8.7V; Tension, bloquée max..:16V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:LLP1006; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1.3pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:45W; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Tension de claquage:7.9V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:L DIODE DE COMMUTATION MICROMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE DE COMMUTATION DO219; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vrrm:600V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE DE COMMUTATION SOD323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:350mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:350mA DIODE DE COMMUTATION SOD323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE ZENER 1W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1.3W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 0.3W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 7.5A D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:18A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:18A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 2A SMC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 30A DOP31; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:70ns; Courant, Ifs max.:160A; Type de boîtier diode:DOP-3I; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DOP-3I; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:160A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 8A D2PAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:80A DIODE, TVS, 1.5KW, 43V, BIDIR, KE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36.8V; Gamme de tension de claquage:40.9V 45.2V; Tension, bloquée max..:59.3V; Courant, impulsion crête:24.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, crête max.., 8/20us:25.3A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; DIODE, TVS, 400W, 26V, UNIDIR, SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:9.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:CE; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Temps DIODE TVS 400W 33V BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1mA; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:2.9mm; Profondeur:5.6mm; Puissance, impulsionnelle cr DIODE, TVS, 600W, 15V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:22.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Te DIODE, TVS, 600W, 18V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:18.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tens DIODE, TVS, 600W, 28V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Te DIODE, TVS, 600W, 45V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:45V; Gamme de tension de claquage:50V 55.3V; Tension, bloquée max..:72.7V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tensi DIODE, TVS, 600W, 5V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:62.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tensi DIODE, TVS, 600W, 51V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:7.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Ten DIODE, TVS, 1.5KW, 28V, UNIDIR, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Te DIODE, TVS, 1.5KW, 30V, BIDIR, SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps DIODE, TVS, 1.5KW, 48V, BIDIR, SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temp DIODE, TVS, 62V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:53V; Gamme de tension de claquage:58.9V 65.1V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:17.7A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5 DIODE, TVS, 33V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, ZENER, 0.5W, 12V, SOD123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS RECT DIODE 100V 2A SMB; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE, SCHOTTKY, 30V, 0.2A, SOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE, ZENER, 30V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 4.7V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, SS, 200V, 0.2A, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE BRIDGE, 400V, 2A, KBPM; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Diode Mounting Type:Traversant; Température de fonctionnement:-55Â°C +165Â°C; Type de boîtier pont redresseur:KBPM; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:KBPM; Type de terminaison:Traversant DIODE DUAL, 15A, 60V, TO220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE, ZENER, 0.5W, 25V, SOD-123; Tension, Vz:25V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 20V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:6.2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DUAL, 15A, 45V, TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE FAST, DUAL, 100V, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE FAST, 1A, 600V, DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE FAST, DUAL, 0.2A, 100V, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE, TVS, 90V, 600W, UNIDIR, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:39A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:11.1V; Tension, isolement:9V; Type DIODE, SS, 100V, 0.2A, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, ZENER, 18V, 1W; Tension, Vz:18.9V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:14mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:250mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 20V, 1W; Tension, Vz:21V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:12.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:225mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 24V, 1W; Tension, Vz:25.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:190mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 27V, 1W; Tension, Vz:28.35V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:9.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:170mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 36V, 1W; Tension, Vz:37.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:125mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, SCHOTTKY, SOD323-F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Puissance, Ptot:200mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE, SCHOTTKY, SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Marquage, CMS:LV3; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE, SCHOTTKY, SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Marquage, CMS:L44; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE, DUAL, SMALL SIG, SOT23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:855mV; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Marquage, CMS:A4; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE, ZENER, 500MW 12V; Tension, Vz:12.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 4V7; Tension, Vz:5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 56V; Tension, Vz:60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 5V6; Tension, Vz:6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 8V2; Tension, Vz:8.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE STANDARD 1.5A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 1.5A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 6A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches ax DIODE STANDARD 6A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches DIODE STANDARD 6A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:250 DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 300V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE RAPIDE 2A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 6A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:30Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj m DIODE RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de t DIODE RAPIDE 1.5A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tensio DIODE RAPIDE 2A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de t DIODE RAPIDE 6A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:37Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de term DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 30A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 30A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 7A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Courant, If, Vf:15A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:10A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier DIODE RAPIDE 4A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:28Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE 8A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:3Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220 DIODE RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj ma DIODE RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:1 DIODE STANDARD 1A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Températur DIODE STANDARD 2A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:53Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMB (D DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 150V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Typ DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 300V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type DIODE SCHOTTKY 16A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.05V; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:170A DIODE SCHOTTKY 16A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:170A DIODE SCHOTTKY 16A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:170A DIODE SCHOTTKY 16A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:170A DIODE SCHOTTKY 16A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:170A DIODE SCHOTTKY 3A 90V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:850 DIODE SCHOTTKY 1A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:400è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 3A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA-RAPIDE 6A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:600mA; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TS-1; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:97Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:TS-1; Typ DIODE ULTRA-RAPIDE 6A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:600mA; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TS-1; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:97Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:TS-1; T DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températu POWER RECTIFIER DIODE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15kV; Courant, If moy.:550mA; Tension, Vf max..:10V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:130Â°C; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A ZENER DIODE 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:87.2mA; Dissipation de puissance, max..:1.5W; Type de boîtier:SMA DIODE, TVS, UNIDIR; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:4.1V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:200A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:5200pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6W; Tension de claquage:4.1V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SMB TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:12.5V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:160pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOD-523 DIODE SCHOTTKY 100V 2 X 10A DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:810mV; Courant, Ifs max.:610A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:810mV; Type de boîtier:TO-252AA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:610A DIODE FRED HYPER-RAPIDE 600V 15A TO220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:115A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:15A; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.4V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversan DIODE FRED HYPER-RAPIDE 600V 8A TO220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:19ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:8A; Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.4V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; DIODE, MODULE, 100A, 1200V, GEN VII; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:1.45V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Une; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier:ADD-A-Pak; Type de boîtier diode:Module; Type de terminaison: visser DIODE, SCHOTT, 600V, 2X10A, TO247-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:90A DIODE REDRESS. COURANT RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:1.2V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:1.3kA; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Temps trr max.:60ns; Temps, trr typ.:60ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-227; Type de boîtier diode:SOT-227; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.3kA DIODE REDRESS. COURANT RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.35V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-50Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE REDRESS. PUISSANCE FAST; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE FAIBLE SIGNAL; Tension, Vz:6.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; Diode Type:Recouvrement standard; Température, Tj max..:200Â°C; Tension, Vf max..:6.51V; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE REDRESS. PUISSANCE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-223; Type de boîtier diode:SOT-223; Type de terminaison:CMS DIODE GERMANIUM; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:65V; Courant, If moy.:50mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +75Â°C; Type de boîtier diode:DO-7; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:75Â°C; Type de boîtier:DO-7; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:500mA DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:4è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 7.5A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:300mV; Courant, Ifs max.:430A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:430A DIODE SCHOTTKY 1.5A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2.1A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 1.5A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2.1A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 1.5A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 200MA DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:320mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 1.1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-204AL; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE ZENER VZ 6.2V; Tension, Vz:6.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AH; Nombre de broches:2; Diode Type:Faible signal; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-204AH; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY 200MA DIRECT; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:125V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE FAIBLE SIGNAL 300MA; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE ZENER VZ 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:15.5mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 22V; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:11.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 5.1V; Tension, Vz:4.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:45mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:35mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10.4mA; Dissipation de puissance, max..:1.5W; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 3V; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â° DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:6.4A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:64.4V; Tension, isolement:58V; Type de boîtier:DO-214AA; Typ DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:110V; Gamme de tension de claquage:122V 135V; Tension, bloquée max..:177V; Courant, impulsion crête:8.5A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:122V; Tension, isolement:110V; Type de boîtie DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:130V; Gamme de tension de claquage:144V 159V; Tension, bloquée max..:209V; Courant, impulsion crête:7.2A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:144V; Tension, isolement:130V; Type de boîtie DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:21.6A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:52.8V; Tension, isolement:43V; Type de boîtier:DO-214; Type DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.4V; Tension, bloquée max..:9.8V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOD-923; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:150mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:0.9pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:150mW; Puissance, impulsionnelle crête:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de c DIODE ZENER TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:28V; Courant, impulsion crête:1.4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:20V; Tension, isolement:17V; Ty DIODE TVS; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SLP2510P8; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:0.3pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SLP2510P8; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V; Tension, bloquée max..:24V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:26.7V; Tension, isolement:24V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE EMETTEUR IR; Longueur d'onde, crête:890nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:900ns; Temps de descente:800ns; Intensité rayonnée:32mW/Sr; Angle, vision:40Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.7V; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Tension, Vf m DIODE IR; Longueur d'onde, crête:945nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:800ns; Temps de descente:800ns; Intensité rayonnée:7.5mW/Sr; Angle, vision:50Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:50mA; Courant, direct, If:50mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Longueur d'onde typ.:940nm; Tension, Vf max..:1.5V DIODE REDRESSEUR ULTRA RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1mA; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):2.18mm; Longueur/hauteur:4mm; Profondeur:1.15mm; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMP; Type d DIODE RAPIDE TO-247AD; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE RAPIDE TO-263AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:550A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:335W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:550A IC, VOLT REF DIODE 1.2V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:150ppm/Â°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:1%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:Traversant DIODE ZENER 9.1V 1W; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:100mA; Courant de fuite:50è¾A; Courant, test:28mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:739A; Pointe de courant:500mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 12V 1W; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:76mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:12mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:742A; Pointe de courant:380mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 24V 1W; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:38mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:10.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:749A; Pointe de courant:190mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 33V 1W; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:27mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:7.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:752A; Pointe de courant:135mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 36V 1W; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:25mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:7mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:753A; Pointe de courant:125mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR IGBT+DIODE 1200V 105A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:105A; Tension, Vce sat max..:2.75V; Dissipation de puissance Pd:595W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Super-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:105A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance:595W; Dissipation de puissance, max..:595W; Polarité transistor:N Canal; Temps de descente, max.:58ns; Temps de montée:32ns; Tension Vces:1.2kV; DIODE TVS 100V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V; Tension, bloquée max..:179V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de DIODE TVS 27V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:27V; Gamme de tension de claquage:30V; Tension, bloquée max..:48.3V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:7000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de DIODE TVS 33V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.6V; Tension, bloquée max..:59V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2875pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de fo DIODE TVS 39V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:39V; Gamme de tension de claquage:43.3V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2400pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de DIODE TVS 56V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:56V; Gamme de tension de claquage:62.2V; Tension, bloquée max..:99.6V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1700pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de DIODE TVS 68V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:68V; Gamme de tension de claquage:75.6V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température d DIODE TVS 68V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:68V; Gamme de tension de claquage:75.6V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1500pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de f DIODE TVS 82V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:82V; Gamme de tension de claquage:91V; Tension, bloquée max..:145V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2600pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:130V; Gamme de tension de claquage:144V 159V; Tension, bloquée max..:204V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionne DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:51.9V; Courant, impulsion crête:57A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonct DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.1V; Courant, impulsion crête:298A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionn DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:120A DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:14ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A RESEAU DE DIODES; Diode Type:A bus; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA RESEAU DE DIODES ISOLE; Diode Type:Isolée; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA RESEAU DE DIODES; Diode Type:A bus; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:9; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 1A SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 2X3A DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DPAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 7.5A TO220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.65V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:20A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A DO41; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE, TVS, 1.5KW, 36V, BIDIR, KE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:28.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, crête max.., 8/20us:30.1A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; DIODE, TVS, 400W, 36V, BIDIR, SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1mA; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:YP; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Temps de ré DIODE, TVS, 600W, 12V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:27.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Te DIODE, TVS, 600W, 16V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:20.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tens DIODE, TVS, 600W, 24V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:14A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tens DIODE, TVS, 600W, 28V, UNIDIR, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C DIODE, TVS, 1.5KW, 33V, BIDIR, SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:25.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temp DIODE, TVS, 1.5KW, 58V, UNIDIR, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temp DIODE, SCHOTTKY RECTIFIER, 12A, 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:100mJ; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:6.15mm; Profondeur:1.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; Type de boîtier:SM DIODE, RECTIFIER, 1A, 200V, SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de phases:Une; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 0.5W, 3.3V, SOD123; Tension, Vz:3.47V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:100è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 2.7V, 0.5W, DO35; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 14V, 0.5W, DO35; Tension, Vz:14V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:9mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, TVS, 350V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:300V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Courant, impulsion crête:3.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 300V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:3.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 220V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:185V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Courant, impulsion crête:4.6A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 10V, 1500W, AXL, UNIDIRC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:103A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-5 DIODE, ZENER, 11V, 0.5W, DO35; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, TVS, 200V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5 DIODE, TVS, 91V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:77.8V; Gamme de tension de claquage:86.5V 95.5V; Tension, bloquée max..:125V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, TVS, 350V, 1500W, AXL, UNIDIR; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:300V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Courant, impulsion crête:3.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-55Â°C DIODE, ZENER, 3.9V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 3.3V, 0.5W, DO35; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, SS, 250V, 0.2A, SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE, ZENER, 0.5W, 5.6V, SOD-123; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE FAST, 16A, 500V, TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE, SCHOTTKY, 7.5A, 35V, TO220AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE, HYPER, 1200V, 30A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:65ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:85ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE, ZENER, 0.5W, 6.0V, DO35; Tension, Vz:6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DUAL, 16A, 150V, TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE DUAL, 16A, 200V, TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE, ZENER, 0.5W, 6.8V, SOD-123; Tension, Vz:7.14V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:100è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 1A, 60V, DO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE TVS 13V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11.1V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-11; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:13.7V; Tension, isolement:11. DIODE, SS, 80V, 0.2A, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, ZENER, 0.5W, 4.3V, DO-35; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 28V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:28V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 16V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:17.8A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-14B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:16.8V; Tension, isolement:13. DIODE TVS 18V 400W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-15; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:18.9V; Tension, isolement:15. DIODE TVS 18V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-15B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:18.9V; Tension, isolement:15.3V DIODE TVS 20V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-17B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:21V; Tension, isolement:17.1V DIODE, ZENER, 33V, 1W, DO-41; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 3.6V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 8.2V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 5.6V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, 200V, 1A, DO41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE, SCHOTTKY, 30V, 1A, DO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE TVS 27V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:10.7A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-23B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:28.4V; Tension, isolement:23. DIODE TVS 30V 400W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Tension, bloquée max..:41.5V; Courant, impulsion crête:9.6A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:BZW04-26B; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:31.5V; Tension, isolement:25.6 DIODE TVS 33V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:11.1A; Courant, crête max.., 8/20us:57A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:39V; Tension DIODE TVS 10V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:10.5V; Tension, isolement:8.55V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 10V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:10.5V; Tension, isolement:8.55V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 110V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:94V; Tension, bloquée max..:152V; Courant, impulsion crête:4.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:116V; Tension, isolement:94V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 110V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:94V; Tension, bloquée max..:152V; Courant, impulsion crête:4.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:116V; Tension, isolement:94V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 120V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:102V; Gamme de tension de claquage:114V 126V; Tension, bloquée max..:165V; Courant, impulsion crête:3.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:126V; Tension, isolement:102V; Type de boîtier:DO-15; Type DIODE TVS 150V5% 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:128V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:158V; Tension, isolement:128V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales ZENER DIODE 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Type de boîtier:DO-219 DIODE, TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:58.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Tension de claquage:6.45V; Tension, i DIODE, TVS, 5KW, 500A, P600; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:77.5A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE, TVS, UNIDIR; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:8-SOIC TVS DIODE ARRAY; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:8-DIP DIODE TVS 160V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:136V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:2.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:168V; Tension, isolement:136V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 18V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:18.9V; Tension, isolement:15.3V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 20V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17.1V; Tension, bloquée max..:27.7V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:21V; Tension, isolement:17.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 30V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:31.5V; Tension, isolement:25.6V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 62V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:53V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:7.4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:65.1V; Tension, isolement:53V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 62V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:53V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:7.4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:65.1V; Tension, isolement:53V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 68V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:71.4V; Tension, isolement:58.1V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 8.2V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.02V; Tension, bloquée max..:12.1V; Courant, impulsion crête:52A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:8.61V; Tension, isolement:7.02V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 9.1V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.78V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:47A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:9.55V; Tension, isolement:7.78V; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 27V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:28.4V; Tension, isolement:23.1V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 47V 600W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.7A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:49.4V; Tension, isolement:40.2V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS UNIDIR. 500W100V5%; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:3.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:123V; Tens DIODE TVS 100V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:3.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:123V; Tension, isoleme DIODE TVS 20V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:24.5V; Tension, iso DIODE TVS 48V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:6.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:58.9V; Tension, is DIODE TVS 48V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:6.7A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:58.9V; Tension, isole DIODE TVS 7V 500W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7V; Gamme de tension de claquage:7.78V 8.6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:8.6V; Tension, isolement:7 DIODE TVS 9.0V 500W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:34A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Tension de claquage:11.1V; Tension, isole DIODE TVS 100V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:123V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 11V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:13.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 11V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:11V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:13.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 120V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:120V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:1.6A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:147V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 12V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:14.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 13V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:18.6A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:15.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 150V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:150V; Tension, bloquée max..:243V; Courant, impulsion crête:1.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:185V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 16V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:19.7V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 18V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:13.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:22.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 20V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:12.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:24.5V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 26V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:26V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:9.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:31.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 30V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:36.8V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 33V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:40.6V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 33V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:40.6V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 45V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:45V; Tension, bloquée max..:72.7V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:55.3V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 48V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:58.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 48V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:58.9V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 58V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:4.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:71.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 100V 10A DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:810mV; Courant, Ifs max.:610A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:810mV; Type de boîtier:TO-252AA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:610A DIODE SCHOTTKY 45V 20A DPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:900A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:TO-252AA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:900A DIODE FRED HYPER-RAPIDE 600V 8A TO220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:13ns; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:8A; Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.4V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant If DIODE FRED UTRAFAST 200V 2 X 3A DPAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DPAK; Type de terminaison:CMS; courant DIODE SCHOTTKY 45V 2 X 30A TO247AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:2.5kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:30A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:580mV; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:2.5kA DIODE TVS 6.0V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:38.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:7.37V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 7.5V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:9.21V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 78V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:78V; Tension, bloquée max..:126V; Courant, impulsion crête:3.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:95.8V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 85V 300W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:104V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 9.0V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:11.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-277A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:180A DIODE, SCHOTTKY, RECTIFIER, 1A, 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):1.4mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Profondeur:0.75mm; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:Micro SMP; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DUAL, DIODE, MODULE, 100A, 1200V; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:1.45V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier:ADD-A-Pak; Type de boîtier diode:Module; Type de terminaison: visser DIODE, SCHOTTKY, 600V, 6A, TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE, SCHOTTKY, 600V, 6A, TO263-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-263; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A PONT REDRESSEUR SCHOTTKY+DIODE; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vf max..:640mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Diode Mounting Type:Montage en surface; Type de boîtier pont redresseur:SM8; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ifs max.:13A; Temps actif pour IFSM:100è¾s; Type de boîtier:SM-8; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.1V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:5; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6.1V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 30V, DUAL, SOT-666; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:580mV; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A RF SCHOTTKY DIODE; Configuration diode:Une; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SC-79; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension Vr max..:2V; Tension, direct If:320mV; Type de boîtier:SC-79; Type de terminaison:CMS RF TUNING VARACTOR DIODE; Capacité max. Cd @ Vr F:2.86pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:15V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SC-79; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:2.86pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:20mA; Diode Type:Varactor d'accord RF; Résistance @ If:1.5ohm; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:SC-79; Type de terminaison:CMS IC, DIODE ARRAY ESD-PROT 3CH 6SON; Fonction CI:Réseau de protection ESD 3 canaux pour interface de données haut débit; Gamme de tension d'alimentation:900mV 5.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier CI numérique:SON; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:900mV; Type de boîtier:QFN; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 40V 0.2A SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE REDRESSEUR ULTRA-RAPIDE 200V D2PAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:137A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-404; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-404; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:137A DIODE PIN 30V 100MA SOD-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.9pF; Résistance @ If:0.35ohm; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.9pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:100mA; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE SW 110V 0.25A SOT-23; Diode Type:Applications générales; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:110V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE COMMUTATION HIGH SPEED SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE ZENER 0.375W 2.4V SOD123F; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 62V SOD123F; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 8.2V SOD123F; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 3.9V SOD323; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 6.2V SOD323; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 15V SOD523; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.25W 13V SOT23; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.25W 30V SOT23; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 17V SOD323; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 5.1V SOD328; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 5.6V SOD329; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 6.8V SOD331; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ESD USB 6-TSOP; Gamme de tension de claquage:6V 9V; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1pF; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension de claquage:6V; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de cl DIODE AXIALAVEC M4 2.5A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:2.5A; Tension, Vf max..:1.2V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:180A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:E5; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:180A DIODE IR PHOTOREL+PHOTMOSFET 4PINDIP; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Commande de grille; Courant, entrée:7.5mA; Tension, sortie:60V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:50mA; Courant, direct, If:50mA; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension, Vf max..:1.3V; Type de sortie:Commande de grille MODULE DIODE + LED 6-24VDC; Type d'accessoire:Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 10A. 400V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-50Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE DE REDRESSEMENT 10A. 1200V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE DE REDRESSEMENT 25A. 400V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-50Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:650A DIODE DE REDRESSEMENT 25A. 1000V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:870mV; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-50Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:650A DIODE, INTERFAC ESD PROTECT, SOT-666; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:0.75pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:90W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison: TRANSIL BIDIR DIODE ESD PROT SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25.4V 30.3V; Tension, bloquée max..:50V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:160W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Tension de claquage:27.8V; Ten LOGIC, DIODE ARRAY RC TERM, 20SOIC; Type de logique:Réseau de terminaisons de bus diode de barrière de Schottky; Type de boîtier CI logique:SOIC; Nombre de broches:20; Gamme de tension d'alimentation:1.25V; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Famille Circuit logique:F; Fonction logique:16-Bit Schottky Barrier Diode R-C-Bus Termination Array; Nombre de voies:16; Numéro de base de la fonction logique:741016; Numéro de la fonction logique:741016; Type de boîtier DIODE SCHOTTKY 0.5A. 40V. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:0.5A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE REDRES STANDARD. GPP.1A. 400V. SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE REDRES STANDARD. GPP.1A. 600V. SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY. BUS TERM. 30V. SOT363; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Bridge; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.15W. SOT523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY. 70V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY. 60V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.225W. SOT26; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-26; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-26; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE SCHOTTKY. 20V. 0.25W. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE SCHOTTKY. 30V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:750mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:500mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.15W SOT523; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.2W SOT363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.2W SOT363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RESEAU DE DIODE SW. 350V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:350V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.2W SOT363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.2W SOT363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.2W SOT353; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-353; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE ZENER DOUBLE 16V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 24V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 13V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 33V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHTKY, 0.1A, 100V, MINIMELF; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:450mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:MINIMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE SCHOTTKY. 12A. 40V. AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:280A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:Axial; courant Ifsm:280A DIODE ZENER 5.1V. 0.5W. 5%. DO35; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE ZENER 4.7V. 0.5W. 5%. DO35; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE ZENER 15V. 0.5W. 5%. DO35; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE ZENER 12V. 1.3W. 5%. DO41; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:1.3W DIODE ZENER 15V. 1.3W. 5%. DO41; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:1.3W DIODE ZENER 5.6V. 1.3W. 5%. DO41; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:1.3W DIODE ZENER 5.6V. 0.8W. 5%. DO41; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:800mW DIODE ZENER 12V. 0.8W. SMF; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:800mW DIODE SCHOTTKY 60V 0.03A. SOD80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2 DIODE DE COMMUTATION 1000V. 0.7A. SMF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:1kV; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:22A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2 DIODE DE COMMUTATION 200V. 0.7A. SMF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:22A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2 PHOTODIODE TOP VIEW FILTR 950NM; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:Vue de dessus; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:60V DIODE TVS 2CANAUX3.3V.150A.SOIC8; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:3.3V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:150A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 5V.SC70; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 6V.SC70; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:4.5A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel RF TUNING VARACTOR DIODE; Capacité max. Cd @ Vr F:18.5pF; Tension, Vrrm:15V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:18.5pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:20mA; Diode Type:Varactor d'accord RF; Résistance @ If:0.5ohm; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.2V; Tension, bloquée max..:14V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1.5pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +85Â°C; Tension de claquage:6.2V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ARRAY, TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:0.7pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +85Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 30V, DUAL, SOT-3233; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE, SCHOTTKY, 45V, 2X30A, TO-247; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A IC, DIODE ARRAY ESD-PROT 4CH 6SON; Fonction CI:Réseau de protection ESD 4 canaux pour interface de données haut débit; Gamme de tension d'alimentation:900mV 5.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier CI numérique:SON; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:900mV; Type de boîtier:QFN; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS ARRAY, 5.3V, TSLP-2-7; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:TSLP-2-7; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Triple DIODE, ESD ARRAY, 5.3V, TSLP-3-7; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:TSLP-3-7; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double anode commune DIODE, TVS, 5.3V, BI-DIR, TSLP-2-17; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:7V; Tension, bloquée max..:21V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:TSLP-2-17; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une DIODE SCHOTTKY 40V 0.12A SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOT363; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE VHF VARICAP 32V SOD523; Capacité max. Cd @ Vr F:42.35pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:35V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité @ VR2:2.6pF; Capacité VR1:42.35pF; Courant, If max..:20mA; Diode Type:Capacité variable; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:15; Tension Vr max..:32V; Tension inverse Vr1:1V; Tension inverse Vr2:28V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE VHF VARICAP 32V SOD523; Capacité max. Cd @ Vr F:62pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:35V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité @ VR2:2.7pF; Capacité VR1:62pF; Courant, If max..:20mA; Diode Type:Capacité variable; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:22; Tension Vr max..:32V; Tension inverse Vr1:1V; Tension inverse Vr2:28V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE VARICAP 6V SOD-523; Capacité max. Cd @ Vr F:33.5pF; Courant, If moy.:10mA; Tension, Vrrm:6V; Température de fonctionnement:-55Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité @ VR2:11.2pF; Capacité VR1:33.5pF; Courant, If max..:10mA; Diode Type:Capacité variable; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:2.5; Tension Vr max..:6V; Tension inverse Vr1:200mV; Tension inverse Vr2:2.3V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE PIN 175V 100MA SOD-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.35pF; Résistance @ If:0.7ohm; Tension, Vrrm:175V; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.35pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:100mA; Tension Vr max..:175V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE PIN 50V 100MA SOD-523; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.25pF; Résistance @ If:1.4ohm; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.25pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:100mA; Tension Vr max..:50V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE DOUBLE 100V 0.15A SOT416; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-416; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE ZENER 0.375W 4.7V SOD123F; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 5.1V SOD123F; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 6.2V SOD123F; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 9.1V SOD123F; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W 8.2V SOT89; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOT-89; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.6V SOD80C; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 16V SOD323; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 5.1V SOD523; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 18V SOD523; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 16V SOD27; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-27; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-27 DIODE ZENER 0.4W 11V SOD323; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 12V SOD323; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 3.3V SOD323; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 3.9V SOD324; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 4.7V SOD327; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 6.2V SOD330; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE PROTECTION ESD SOT-363; Gamme de tension de claquage:6V 9V; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1pF; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension de claquage:6V; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS DIODE PROTECTION ESD BIDIR SOD-882; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.5V 9.5V; Tension, bloquée max..:14V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:35pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:130W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:9.5V; Tension, isolement:5V; Type de bo DIODE, HDMI ESD PROTECTION, SOT23-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:0.6pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RF PIN DIODE, LOW DISTORTION; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:15ohm; Tension, Vrrm:200V; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.3pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:10mA; Tension Vr max..:200V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS RF LIMITER DIODE; Diode Type:Limiteur RF; Résistance @ If:1.2ohm; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.7pF; Configuration diode:Série; Courant direct de test If:10mA; Tension Vr max..:20V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RF SCHOTTKY DIODE; Configuration diode:Une; Capacité totale max..:0.3pF; Type de boîtier diode:SC-79; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension Vr max..:1V; Tension, direct If:240mV; Type de boîtier:SC-79; Type de terminaison:CMS DOUBLE DIODE SCHOTTKY 40V SOT23; Configuration diode:Dual, Series DOUBLE DIODE SCHOTTKY 40V SOT23; Configuration diode:Dual, Common Cathode DOUBLE DIODE SCHOTTKY 70V SOT23; Configuration diode:Dual, Series DOUBLE DIODE SCHOTTKY 70V SOT23; Configuration diode:Dual, Common Cathode DOUBLE DIODE SCHOTTKY 70V SOT323; Configuration diode:Dual, Common Anode DIODE TVS BIDIR 100V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 16V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 170V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 33V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 40V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 5V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 5V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 6V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 60V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 7.5V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 8.5V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 100V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 14V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 150V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 16V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 33V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 40V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 43V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 45V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 70V 1500W SMC DIODE ZENER 5W 14V 5% DO-201AE; Tension, Vz:14V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 17V 5% DO-201AE; Tension, Vz:17V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 39V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 47V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 51V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 75V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 120V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 200V 5% DO-201AE DIODE SCHOTTKY 70V 0.07A SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY 40V 0.2A SOT323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE BAND-SWITCHING SOD523; Diode Type:Commutation de bande; Capacité max. Cd @ Vr F:1.2pF; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:10mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:10mA; Tension Vr max..:35V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE VARICAP DOUBLE 15V SOT-23; Capacité max. Cd @ Vr F:102pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:15V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité @ VR2:27.6pF; Capacité VR1:95pF; Courant, If max..:20mA; Diode Type:Capacité variable; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:3.8; Tension Vr max..:15V; Tension inverse Vr1:1V; Tension inverse Vr2:7.5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE PIN 175V 100MA SOD-523; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.35pF; Résistance @ If:0.7ohm; Tension, Vrrm:175V; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.35pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:100mA; Tension Vr max..:175V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE 80V 0.17A HI-SPEED SC70; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE 80V 0.17A HI-SPEED SC70; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE HI SPEED SW 50V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE AVAL SW 90V 0.25A SOT-23; Diode Type:Applications générales; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:110V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE DOUBLE 90V 0.15A H-S SC-75; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-416; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE COMMUTATION HIGH SPEED SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE ZENER 0.375W 15V SOD123F; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 30V SOD123F; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.375W 3.3V SOD123F; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W 10V SOT89; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOT-89; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 10V SOD80C; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 15V SOD80C; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 4.7V SOD523; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 5.6V SOD523; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.25W 27V SOT23; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.25W 3.3V SOT23; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 9.77V SOD323; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 33V SOD325; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ESD USB SC-74; Gamme de tension de claquage:6V 9V; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1pF; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension de claquage:9V; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS DIODE PROTECTION ESD UNI 5V SC-79; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.8V 8.8V; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1.7pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6.8V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE M24 OEILLET AVEC CABLE 320A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:320A; Tension, Vf max..:1.35V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:9kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:E16; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:9kA MODULE DIODE 80A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Module de puissance; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:A12; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:2kA DIODE ZENER. 5.1V. 500MW; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales MODULE DIODE; Type d'accessoire:Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE DIODE + LED 6-24VDC; Type d'accessoire:Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 10A. 50V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-50Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE SCHOTTKY 0.5A. 30V. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 0.5A. 20V. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:385mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 0.5A. 40V. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:3A DIODE SCHOTTKY 0.75A. 40V. SOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:750mA; Tension, Vf max..:650mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.15W. SOT523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY. 60V. 0.25W. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.25W. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE SCHOTTKY. 30V. 0.25W. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE TVS DOUBLE UN. 6.5V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:14.2V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claqu DIODE TVS DOUBLE UNID. 26V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:31.35V 34.65V; Tension, bloquée max..:46V; Courant, impulsion crête:870mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de cla DIODE TVS DOUBLE UNID. 6V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:8.65V 9.56V; Tension, bloquée max..:14V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage DIODE TVS DOUBLE UNID. 4.5V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:4.5V; Gamme de tension de claquage:6.46V 7.14V; Tension, bloquée max..:9.6V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de cla RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.15W SOT523; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.2W SOT363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 350V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:350V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 250V. 0.15W SOT523; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2.5A RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 300V. 0.35W. SOT26; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:350V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-26; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-26; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE ZENER. 2.7V. 0.15W. SOD523; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 12V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 18V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 3V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 3.3V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 6.2V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 3.9V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 12V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 6.2V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 5.1V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 3.3V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE RECOUV. RAPIDE 12A. 50V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:375A DIODE RECOUV. RAPIDE 12A. 400V. AXIAL; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:375A DIODE SCHOTTKY. 30A. 20V. AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:Axial; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:650A DIODE SCHOTTKY 1A. 40V. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 0.5A. 20V. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE REDRES STAN. GPP.1A. 1000V. SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY. 70V. 0.2W. SOT363; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY. 50V. 0.25W. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.25W. SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY. 40V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE SCHOTTKY. 20V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE SCHOTTKY. 50V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:1ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE TVS DOUBLE UNID. 22V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:25.65V 28.35V; Tension, bloquée max..:40V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claqua DIODE TVS DOUBLE UNID. 3V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3V; Gamme de tension de claquage:5.32V 5.88V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:5. DIODE. TVS. UNID. 20V. 3000W. SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:92.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3300pF; Diode Type:Unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:3kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Tension de claquage:24.5V; Tension, isolement:20V; Type de boîtier:SMC; Type de terminai RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.2W SOT323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.2W SOT363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.15W SOD523; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE ZENER DOUBLE 4.3V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 5.6V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 36V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:36V; Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 3.6V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 5.1V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 4.7V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 15V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 6.8V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 22V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 6.8V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 18V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 24V. 1.3W. 5%. DO41; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:1.3W DIODE ZENER 68V. 0.8W. SMF; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:800mW DIODE ZENER 36V. 0.8W. SMF; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:800mW DIODE SCHOTTKY 40V 0.03A. SOD80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:1ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, UFAST, 2A, 200V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 2A, 20V, MSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 2A, 30V, MSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 1A, 400V, SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 3A, 50V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:780mV; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 3A, 60V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:780mV; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 5A, 40V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 6600W, 33V, UNIDIR, DO218AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:124A; Type de boîtier diode:DO-218AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE, TVS, 15V, 400W, SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 12V, 600W, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 36V, 600W, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 30V, 1500W, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE, TVS, 36V, 1500W, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:25.8A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 11V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11V; Gamme de tension de claquage:12.2V 13.5V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 13V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:18.6A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 26V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:9.5A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 36V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel PHOTOPIN DIODE DAYL.FGULLWING; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, Vf max..:1.3V; Tension, claquage:60V IR EMIT HI SPD DIODE DH 940NM; Longueur d'onde, crête:940nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:15ns; Temps de descente:15ns; Intensité rayonnée:13mW/Sr; Angle, vision:60Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.35V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:PLCC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Intensité radian max..:21mW/Sr; Intensité radian min.:7mW/Sr DIODE SCHOTTKY 10A 100V SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:880mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS UNIDIR 400W 33V 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE UNIDIR TVS 2 VOIES 5V SOT-143; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 5V SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:18.3V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE UNIDIR TV 4 VOIES 5V SOT23-6; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:10V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE TVS 4 VOIES ESD HDMI 1.3 MSOP-10L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:MSOP; Nombre de broches:10; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE TVS 2 VOIES ESD USB1/ 2 S0T23-6L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:7.7V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE TVS 4 VOIES ESD ETHER/USB SC70-6L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE TVS 480V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:408V; Gamme de tension de claquage:456V 504V; Tension, bloquée max..:658V; Courant, impulsion crête:2.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 33V 15KW 5% UNI AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.9V 40.4V; Tension, bloquée max..:54.7V; Courant, impulsion crête:276.1A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 33V 5KW 10% UNI AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:93.9A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 28V 400W 5% UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 30V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS AVAL 2 VOIES SOT23; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance:225mW DIODE TVS 36V 1500W 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30.5A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 440V 1500W 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 12V 5KW 5% BI SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:252A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 12V 5KW 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:252A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 43V 5KW 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:72.1A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 22V 400W BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 100V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:3.7A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 15V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 26V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:14.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 35V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:350V; Gamme de tension de claquage:391V 432V; Tension, bloquée max..:567V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 43V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:8.7A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 8.5V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:9.44V 10.4V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:41.7A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 36V 3000W BIDIR SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:51.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 6.5V SOT23; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:14.2V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 12V SOT23; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.25V 15.75V; Tension, bloquée max..:21V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DIODE SCHOTTKY REDR 40V 2A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:535mV; Courant, Ifs max.:18A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 60V 2A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 12V SOT23; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:350mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance:350mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 14.5V SOT23; Tension , Vrwm:14.5V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:1.6A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 17V SOT23; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:28V; Courant, impulsion crête:1.4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 17V SOT23; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:28V; Courant, impulsion crête:1.4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:350mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance:350mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 3V SOT23; Tension , Vrwm:3V; Gamme de tension de claquage:5.32V 5.88V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DOUBLE DIODE ESD TVS UNI DIR 36V SOT23; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V; Tension, bloquée max..:60V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune DIODE TVS UNI DIR 12V 200W SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.1V; Tension, bloquée max..:35V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 3.3V 260W SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 10V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:23.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 11V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11V; Gamme de tension de claquage:12.2V 13.5V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:22A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 17V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:18.9V 20.9V; Tension, bloquée max..:27.6V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 22V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 24V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 26V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:9.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 28V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 40V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 48V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 54V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:4.6A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 7.5V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 8V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8V; Gamme de tension de claquage:8.89V 9.83V; Tension, bloquée max..:13.6V; Courant, impulsion crête:29.4A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DOUBLE DIODE ESD TVS ETHERNET SOT363; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD INTERFACE RAPIDE SOT1059-1; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD INTERFACE VGA SOT402-1; Diode Type:Protection ESD; Type de boîtier diode:TSSOP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 8 VOIES FILTRE PASSIF SOT985-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT+ DIODE 600V 20A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:170W IGBT+ DIODE 600V 6A TO263; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:6A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:88W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:88W IGBT+ DIODE 600V 40A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:303W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:303W IGBT+ DIODE 900V 30A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:428W; Tension, Vceo:900V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:428W IGBT+ DIODE 1200V 3A TO263; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:3A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:62.5W IGBT+ DIODE 1200V 15A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:113W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:113W IGBT+ DIODE 1200V 15A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:235W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:235W DIODE TVS 400W 350V BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:300V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Courant, impulsion crête:900mA; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 400W 400V BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:800mA; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 400W 300V UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 400W 18V UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.5V; Courant, impulsion crête:16.1A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE SCHOTTKY HI T. 15A. 40V. AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-50Â°C +185Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:185Â°C; Type de boîtier:Axial; courant Ifsm:300A DIODE ZENER 5.6V. 0.5W. 5%. DO35; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE ZENER 9.1V. 1.3W. 5%. DO41; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:1.3W DIODE ZENER 22V. 0.8W. SMF; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:800mW DIODE SCHOTTKY 20V 0.2A. SOD80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:15A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2 PHOTOPIN DIODE GULLWING; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, Vf max..:1.3V; Tension, claquage:60V PHOT. DIODE SMD GULLWING FILT.; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:15Â°; Courant d'obscurité:1nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, claquage:32V DIODE TVS 2CANAUX 6V.SC70-3; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:16V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 6V.SOT563; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 6V.SOT23-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 6CANAUX 30V.SOIC8; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 6CANAUX 30V.SOIC8; Courant, impulsion crête:7A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 6V.SC70-3; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:16V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 6V.SOT953; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SOT-953; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 6V.MSOP-10; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:MSOP; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 14CANAUX 30V.SOIC16; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 4 CANAUX 20V.SOT23; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 24V, ARRAY, SOT23-3; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26V 32V; Tension, bloquée max..:34V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double anode commune DIODE, ESD, 50V, DUAL, TSLP-4-7; Tension , Vrwm:50V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:TSLP-4-7; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE, SCHOTTKY, 30V, SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, ARRAY, 30V, SOT143; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Bridge; Tension, Vrrm:21V; Courant, If moy.:900mA; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:5A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, ARRAY, 40V, SOT143; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Bridge; Tension, Vrrm:28V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:SOT143 DIODE INFRA ROUGE; Longueur d'onde, crête:935nm; Courant, If moy.:50mA; Temps de montée:1è¾s; Temps de descente:500ns; Angle, vision:18Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.6V; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):3mm; Pas:1.57mm; Temps, t off:0.35è¾s; Temps, t on:0.6è¾s DIODE, SCH ARR, 160V, 20A, TO220ML; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:160V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220ML; Nombre de broches:3 DIODE, TVS, 1CH, BIDIR, TSLP-2-17; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:14.5V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:TSLP-2-17; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une DIODE, ESD, 50V, DUAL, TSLP-4-7; Tension , Vrwm:50V; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:TSLP-4-7; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE, TVS, 5.3V, BI-DIR, TSLP-2-17; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:TSLP-2-17; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une DIODE, SINGLE ESD, 0.3PF, LLP1006-2M; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.5V; Gamme de tension de claquage:7V 9.5V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:LLP1006; Nombre de broches:2; Configuration diode:Bidirectionnel DIODE SW SSD 100V 0.2A SOD323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:10mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 240V 3W DO-214; Tension, Vz:240V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:3W DIODE ZENER 3.9V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:860nm; Courant:12mA; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:2; Puissance de sortie:1.5mW; Classe, laser:Classe 3B; Température de fonctionnement:0Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DOUBLE DIODE SCHOTTKY 40V SOT23; Configuration diode:Dual, Common Anode DOUBLE DIODE SCHOTTKY 40V SOT323; Configuration diode:Dual, Series DOUBLE DIODE SCHOTTKY 70V SOT23; Configuration diode:Dual, Common Anode DOUBLE DIODE SCHOTTKY 70V SOT323; Configuration diode:Dual, Series DIODE TVS UNIDIR 10V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 10V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 120V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 12V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 13V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 14V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 150V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 16V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 170V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 18V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 20V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 20V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 24V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 36V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 45V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 5V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 58V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 6V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 120V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 14V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 15V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 15V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 18V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 18V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 36V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 36V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 40V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 48V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 5V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 60V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 60V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 64V 1500W SMC DIODE ZENER 5W 10V 5% DO-201AE; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 27V 5% DO-201AE; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 30V 5% DO-201AE; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 36V 5% DO-201AE; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 43V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 150V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 160V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 180V 5% DO-201AE DIODEPINGP200VSOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINGP50VSOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.2pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINCOMMUTATEUR100VSOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:2.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKYGPLN20VSOT-363; Configuration diode:Double cathode commune; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:35mA; Tension, Vf max..:1V; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:35mA; Tension Vr max..:15V; Tension, direct If:1V DIODESCHOTTKYRFCC15VSOT-323; Configuration diode:Double anode commune; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:10mA; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10mA; Tension Vr max..:1V; Tension, direct If:500mV DIODESCHOTTKYDETECTHFSOT-23; Configuration diode:Double anode commune; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.3pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Tension, direct If:350V DIODESCHOTTKY40V2ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V1ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEULTRA FAST SW600V1ASMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:1A; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V3ASMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V2ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKYDUAL30V0.35WSOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESW DUAL75V0.2WSC70-3; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER5.1V0.5WSOD-123; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODEZENER3.3V0.5WSOD-123; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE DE REDRESSEMENT 400V1ADO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.35WSOT23-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER3V0.5WSOD-123; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODESW DUAL250V0.35WSOT23-3; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY3A50VSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER4.7V0.5WSOD-123; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODESCHOTTKY30V0.2WSC70-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY70V0.2WSC70-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER6.5V0.7W1.3ACMS; Tension, Vz:6.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODEZENER13.2V0.7W2.3ACMS; Tension, Vz:13.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODESCHOTTKY600V3ATO220FP-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:16A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V6ATO220FP-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:48A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY1200V7.5ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:39A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V6ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:49A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V5ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:42A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DOUBLE DIODE SCHOTTKY 40V SOT323; Configuration diode:Dual, Common Anode DIODE SCHOTTKY 70V SOT323; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SOT-323 DIODE TVS BIDIR 12V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 130V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 15V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 15V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 18V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 18V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 22V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 26V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 28V 600W SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS BIDIR 30V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 33V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 40V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 48V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 51V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 58V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 6.5V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 9V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 9V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 10V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 12V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 13V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 18V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 20V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 22V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 22V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 24V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 28V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 28V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 30V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 30V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 5V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 7.5V 1500W SMC DIODE ZENER 5W 11V 5% DO-201AE; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 18V 5% DO-201AE; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 22V 5% DO-201AE; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 82V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 100V 5% DO-201AE DIODE ESD 4 VOIES 3A 6V 0.45PF 10UDFN; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:12.3V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, RECTIFIER, UFAST, 1A, 200V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, UFAST, 1A, 150V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 1A, 30V, MSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, FAST, 1A, 600V, SMP; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 1A, 600V, SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 1A, 1000V, SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, ESD PR, 1A, 100V, ESMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:780ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, ESD PR, 1A, 600V, ESMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:780ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECT, ESD PRO, 1.5A, 100V, SMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:900ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECT, ESD PRO, 1.5A, 400V, SMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:900ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 5A, 30V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 5A, 50V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:690mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 5A, 90V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:880mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 30V, 600W, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 18V, 1500W, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:51.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE, TVS, 5V, 1500W, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 17V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:18.9V 20.9V; Tension, bloquée max..:27.6V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 18V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:13.7A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 24V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 30V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 10A, 20V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 10A, 30V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 10A 50V SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:280A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 10A 90V SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:880mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS BIDIR 400W 33V 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS BIDIR 400W 33V 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel IC, LOGIC, 74S, SCHOTTKY DIODE; Type de logique:Réseau de terminaisons de bus diode de barrière de Schottky; Type de boîtier CI logique:DIP; Nombre de broches:20; Gamme de tension d'alimentation:750mV 1.3V; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Famille Circuit logique:S; Fonction logique:16bit Schottky Barrier Diode Bus Termination Array; Numéro de base de la fonction logique:741053; Numéro de la fonction logique:741053; Type de boîtier:DIP; Type de terminais DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMC (DO-214AB); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Type de boîtier:TO-220AC; courant Ifsm:100A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:53V; Gamme de tension de claquage:58.9V 65.1V; Tension, bloquée max..:85V; Courant, impulsion crête:85A; Type de boîtier diode:41A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:65.1V; Tension, isolement:53V; Type de boîtier:41A; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:20V; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:SOT-23 DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Zener TVS; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Tension de claquage:15V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE PIN; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.75pF; Résistance @ If:0.6ohm; Fréquence, centrale:1MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.8pF; Type de boîtier:SOT-23 DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:990A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:990A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1kA DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE ZENER 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:9.5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:450mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:21.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:102A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:6W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:20V; Tension, isolement:18V; Type de boîtier:SMB; Type de term DIODE 20A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:375A; Diode Type:Recouvrement standard; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:E9; Type de boîtier diode:E9; courant Ifsm:375A DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:120V; Gamme de tension de claquage:133V 147V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:3.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:147V; Tension, isolement:120V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:14pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:19V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:120pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, isolement:12V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:4pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRA-RAPIDE 30 A TO-3P; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE STANDARD 1.5 A DO-214; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:4è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 200 MA SOD-80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:5A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY 150 A SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:750mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150mA DIODE SCHOTTKY 30 A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A REDRESSEUR DIODE SCHOTTKY 1A 0.5V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 20 A ITO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:ITO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 30 A TO-3P; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:275A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:275A DIODE FAIBLE SIGNAL 100V DO-204; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:8ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:2A DIODE FAIBLE SIGNAL 40V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE ZENER 6.2V 1.3 W; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:41mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 6.2V 2.3 W; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:100mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Type de boîtier:DO-219AB; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 100V 3 W; Tension, Vz:100V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 15V 3 W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:50mA; Dissipation de puissance, max..:1.25W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 160V 3 W; Tension, Vz:160V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:3W; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 13V 1.3 W; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 30V 1.3 W; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, test:8mA; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE TVS 33V AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:93.8A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:8W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Tension de claquage:36.7V; Tension, isolement:33V; Type de boîtier:P600; Type RESEAU DIODE TVS 3.3V SOT23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24.5V; Gamme de tension de claquage:27.5V 30.7V; Tension, bloquée max..:12.3V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:369W; Tension de claquage:4.6V; Tension, isolement:3.3V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE TVS 5V SOT23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:27.5V 30.7V; Tension, bloquée max..:16V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:480W; Tension de claquage:6.8V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER TVS 200W 15V SMF; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:8.2A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:16.7V; Tension, isolement:15V; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison: DIODE SCHOTTKY 1.1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 0.2A 70V; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE DE COMMUTATION MINIMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:250V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE DE COMMUTATION MINIMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE DE COMMUTATION QUADROMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE ZENER 1W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE INFRAROUGE; Longueur d'onde, crête:950nm; Courant, If moy.:20mA; Angle, vision:30Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.2V; Température de fonctionnement:-25Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2; Angle complet:60Â°; Angle, moitié:30Â°; Courant, direct, If:50mA; Courant, direct, If:50mA; Dissipation de puissance:75mW; Dissipation de puissance Pd:75mW; Largeur (externe):3mm; Longueur cordon:17.5mm; Longueur/hauteur:3.8mm; Pas:2.54mm; Profondeur:1.25mm; Tension, Vf DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 12V, 1W; Tension, Vz:12.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:21mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:380mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 13V, 1W; Tension, Vz:13.65V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:19mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:344mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 33V, 1W; Tension, Vz:34.65V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:7.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:135mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 75V, 1W; Tension, Vz:78.75V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:3.3mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:60mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 100V, 1W; Tension, Vz:95V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:45mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, HIGH SPEED, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Temps actif pour IFSM:1s; Temps, trr typ.:0.8è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE, SCHOTTKY, SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Marquage, CMS:B6; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE, SMALL SIGNAL SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:855mV; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Marquage, CMS:A1; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE, ZENER, 500MW 18V; Tension, Vz:19.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 2V4; Tension, Vz:2.56V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 3V6; Tension, Vz:3.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 51V; Tension, Vz:54V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 500MW 5V1; Tension, Vz:5.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:MiniMELF; Type de terminaison:CMS DIODE RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, dir DIODE STANDARD 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broc DIODE STANDARD 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:45Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:B DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:80Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-40Â°C; T DIODE STANDARD 6A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches axi DIODE STANDARD 6A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:7.2mm; Longueur/hauteur:9.1mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:R-6; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:250 DIODE STANDARD 3A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:40Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:B DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températu DIODE ULTRA-RAPIDE 2A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Températ DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:6.22mm; Profondeur:2.62mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:65Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:70Â°C/W; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 2A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj DIODE RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:40Â°C/W; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, DIODE RAPIDE 1.5A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 30A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Courant, If, Vf:15A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifs DIODE SCHOTTKY 40A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:2A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 60A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:980mV; Courant, Ifs max.:420A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:420A DIODE RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de b DIODE RAPIDE 4A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:28Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type d DIODE RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.60mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj ma DIODE RAPIDE 2A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:55Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max.. DIODE RAPIDE 2A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:3.73mm; Profondeur:2.61mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:55Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max DIODE STANDARD 3A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:1.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC (DO-21 DIODE STANDARD 4A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:4A; Résistance thermique, jonction-carcasse:47Â°C/W; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 500V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:3Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; T DIODE ULTRA-RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:35Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 5A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:10Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If: DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:400è¾A; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 2A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:400è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 2A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type d DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:60Â°C/W; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type DIODE ULTRA-RAPIDE 4A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:25Â°C/W; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; DIODE ULTRA-RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.6mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Profondeur:2.50mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:75Â°C/W; Température, Tj max..:150Â°C; Température DIODE, RECTIFIER, UFAST, 1A, 50V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, FAST, 1A, 50V, SMP; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 1A, 100V, DO220AA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 4A, 1000V, ESMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, ESD PR, 1A, 200V, ESMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:780ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECT, ESD PRO, 1.5A, 200V, SMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:900ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECT, ESD PRO, 1.5A, 600V, SMP; Diode Type:Protection ESD; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:900ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 1A, 30V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 1A, 40V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 40V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 50V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 100V, SM; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 3A, 40V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 33V, 400W, SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 12V, 1500W, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:75.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 15V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 33V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 8A, 30V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 3.3V DFN2; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:4V 6.5V; Tension, bloquée max..:7V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 5V SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:18.3V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 5V SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 12V SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:28.3V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 12V SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:29.5V; Courant, impulsion crête:14A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 VOIES ESD UNI DIR SC70-5L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE TVS 2 VOIES ESD USB1/2 S0T143-4L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE TVS 2 VOIES ESD USB1/2 S0T563; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:7.7V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOT-563; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE TVS 70V 15KW 5% UNI AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:70V; Gamme de tension de claquage:77.8V; Tension, bloquée max..:113.6V; Courant, impulsion crête:132.9A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 12V 400W 5% UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 200V 400W 5% UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:200V; Gamme de tension de claquage:224V 247V; Tension, bloquée max..:324V; Courant, impulsion crête:1.2A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 24V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.5A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 6V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:58.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 6.5V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:7.22V 7.98V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:53.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 200V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:200V; Gamme de tension de claquage:224V 247V; Tension, bloquée max..:324V; Courant, impulsion crête:4.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS AVAL 4 VOIES SC70-5; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:200mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW DIODE TVS AVAL 2 VOIES SC70-5; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 6 VOIES 8SOIC; Courant, impulsion crête:7A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 400V 1500W 5% BI SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:2.8A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 12V 1KW 5% UNI SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:10.8V 13.2V; Tension, bloquée max..:17.3V; Courant, impulsion crête:58.3A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 58V BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64V 70V; Tension, bloquée max..:110V; Courant, impulsion crête:6kA; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 380V BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:380V; Gamme de tension de claquage:401V 443V; Tension, bloquée max..:520V; Courant, impulsion crête:6kA; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 43V 600W 5% BI DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36.8V; Gamme de tension de claquage:40.9V 45.2V; Tension, bloquée max..:59.3V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-204AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 24V 400W BIDIR P600; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25V 30V; Tension, bloquée max..:36V; Courant, impulsion crête:61A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE CONTROLLER, LO VOLTAGE, 12MSOP; Tension, entrée:18V; Tension, sortie:12V; Commutateur interne:No; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:200è¾A; Racine de la référence:4352; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:2.9V; Tension, entrée max..:18V; Tension, sortie max..:24V; Type de boîtier:MSOP; Type de contrÃ´leur:Faible tension; Type de sortie:Tension; Type de te DIODE TVS 22V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:16.9A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 28V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:13.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 33V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 40V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 40V 1500W BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:23.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W PHOTODIODE SILICON PIN 0806; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:0805; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, vision:120Â°; Consommation de puissance:215mW; Courant de collecteur:10nA; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 1A 45V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 10A 60V SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:280A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 2A 30V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS BIDIR 400W 33V 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE ULTRA-RAPIDE CMS 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMC (DO-214AB); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:35A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:65ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:65ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:35A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:75A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE REDRESS. PUISSANCE FAST; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-64; Type de terminaison: souder; courant Ifsm:100A DIODE ZENER VZ 5.9V TO 6.5V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:6.2V; Température de fonctionnement:-55Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.04V; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE REDRESS. PUISSANCE; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 340MV DIRECT; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:1A; Tension, Vf max..:340mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:1A; Diode Type:Schottky; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrrm:15V; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 1A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 3A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 25A DIRECT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:100Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 500MA DIRECT; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY 70MA DIRECT; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE ZENER 2 TERMINAISONS 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; Courant, test:7.5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:35mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER VZ 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 2.7V; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:225mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER VZ12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:50è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE TVS UNIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:2.8A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C DIODE TVS BIDIRECTIONNELLE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:60V; Gamme de tension de claquage:66.7V 73.7V; Tension, bloquée max..:96.8V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:66.7V; Tension, isolement:60V; Type de boîtier:SMB; Type de terminais DIODE TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:555pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension d DIODE TVS; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SLP1616P6; Nombre de broches:2; Capacité, Cd, typ. Vr:0.8pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SLP1616P6; Type de terminaison:CMS DIODE TVS; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:24V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Cd, typ. Vr:5pF; Diode Type:TVS; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:13.3V; Tension, isolement:12V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE EMETTEUR IR 870NM; Longueur d'onde, crête:870nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:15ns; Temps de descente:15ns; Intensité rayonnée:70mW/Sr; Angle, vision:22Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Dissipation de puissance Pd:250mW; Longueur d'onde typ.:870nm; Tension, Vf max..:1.8V; Type de boîtie DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO-220; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:77A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, QUAD CH, SOT-23-5L; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.5V; Gamme de tension de claquage:7.5V; Tension, bloquée max..:16V; Courant, impulsion crête:3.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:5; Configuration diode:Bidirectionnel IDEAL DIODE L LOSS 2.6A TSOT23-5; Applications ContrÃ´leur:Téléphone cellulaire, Ordinateur portable; Tension, entrée:6V; Tension, sortie:5.5V; Commutateur interne:No; Gamme de tension d'alimentation:2.6V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4411; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.6V; Tension, entrée max..:6V; Tension, sortie max..:6V; Type de b DIODE SCHOTTKY REDR 30V 5A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 30V 5A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 60V 3A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 14.5V SOT23; Tension , Vrwm:14.5V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:1.6A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:350mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance:350mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 22V SOT23; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:25.65V 28.35V; Tension, bloquée max..:38V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:350mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance:350mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 26V SOT23; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:31.35V 34.65V; Tension, bloquée max..:46V; Courant, impulsion crête:870mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:350mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance:350mW DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 4.5V SOT23; Tension , Vrwm:4.5V; Gamme de tension de claquage:6.46V 7.14V; Tension, bloquée max..:9.6V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DIODE TVS UNI DIR 2.5V 260W SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:2.5V; Gamme de tension de claquage:4V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 2.5V 260W SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.8V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 6V 60W SOD323; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:13.5V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune DIODE TVS UNI DIR 15V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 30V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 33V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 43V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 58V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:4.3A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 60V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:60V; Gamme de tension de claquage:66.7V 73.7V; Tension, bloquée max..:96.8V; Courant, impulsion crête:4.1A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 8.5V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:9.44V 10.4V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:27.8A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 9V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE ESD INTERFACE HDMI SOT552-1; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD INTERFACE RAPIDE SOT552-1; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD INTERFACE HDMI DVI SOT510-1; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:14mW; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5V; Nombre de broches:38; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:14mW DIODE ESD INTERFACE VGA SOT519-1; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension de fonctionnement:5V; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:500mW DIODE ESD INTERFACE VGA SOT337-1; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:50mW; Tension de fonctionnement:5V; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:50mW DIODE ESD DISPLAY PORT SOT510-1; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:38; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 VOIES FILTRE PASSIF SOT984-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 8 VOIES FILTRE PASSIF SOT985-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 VOIES FILTRE PASSIF SOT984-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SIM ESD 3 CH PASS FIL SOT983-1; Tension de fonctionnement:5.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE UNIDIR TVS 4 VOIES 3.3V DFN10; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:3.9V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:18A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE BIDIR TVS 4 LIGNE 5V SC70-6; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE UNIDIR TVS 2 VOIES 7V&12V SOT23; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:30V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE UNIDIR TVS 2 VOIES 5V SOT563; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V 9V; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE TVS 6 VOIES USB 3 HDMI1.4 MSOP-8L; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Type de boîtier diode:MSOP; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 VOIES UNI DIR SOT23-6L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE TVS 5 VOIES UNI DIR SOT23-6L; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 5 VOIES ESD UNI DIR SC70-6L; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:6A; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 4 VOIES ESD 3.3V S0T23-6L; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:4.1V; Tension, bloquée max..:6V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE TVS 440V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 400V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 33V 400W 5% UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 5V 400W 5% UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 10V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:35.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 33V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 40V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 12V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:75.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 33V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.2A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 350V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:350V; Gamme de tension de claquage:391V 432V; Tension, bloquée max..:567V; Courant, impulsion crête:2.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 36V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:25.9A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 400V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:400V; Gamme de tension de claquage:447V 494V; Tension, bloquée max..:648V; Courant, impulsion crête:2.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 33V 3000W 5% UNI SMD; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:56.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS AVAL 2 VOIES SC70-3; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:200mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance:200mW DIODE TVS AVAL 6 VOIES MSOP8; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:MSOP; Nombre de broches:8; Dissipation de puissance Pd:500mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Triple anode commune; Dissipation de puissance:500mW DIODE TVS 27V 1500W 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:40.5A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 440V 1500W 5% BI SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 48V 15KW 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V; Tension, bloquée max..:77.7V; Courant, impulsion crête:194.3A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 36V 1KW 5% BI SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:52V; Courant, impulsion crête:19.2A; Type de boîtier diode:DO-214; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 15V 5KW 5% BI SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:205A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 33V 5KW 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:93.9A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 36V 5KW 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:86.1A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 48V 5KW 5% BI AXIAL; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:64.7A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE TVS 400V 400W BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:400V; Gamme de tension de claquage:447V 494V; Tension, bloquée max..:648V; Courant, impulsion crête:600mA; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 18V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 24V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.5A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 30V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 5V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 300V 1500W BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:300V; Gamme de tension de claquage:335V 371V; Tension, bloquée max..:486V; Courant, impulsion crête:3.1A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 43V 1500W BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:21.7A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 40V 3000W BIDIR SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:46.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 58V 3000W BIDIR SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:32.1A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 6V 3000W BIDIR SMD; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:291.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W MOSFET & DIODE CANAL N 40V 3.6A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.6A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vgs max..:16V MOSFET & DIODE CANAL P 30V 2.3A SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.3A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vgs max..:20V DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:2.1V; Courant, Ifs max.:59A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT+ DIODE 1200V 15A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:254W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:254W IGBT+ DIODE 1200V 20A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:310W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:310W IGBT+ DIODE 600V 10A TO263; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:10A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:110W IGBT+ DIODE 600V 15A TO263; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:130W IGBT+ DIODE 600V 40A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:305W IGBT+ DIODE 1200V 25A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:25A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:349W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:349W IGBT+ DIODE 1200V 30A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:390W IGBT+ DIODE 1200V 40A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:270W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:270W DIODE TVS 400W 440V BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:700mA; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 400W 39V BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:7.6A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE ZENER 10V 1W; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:91mA; Courant de fuite:50è¾A; Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:740A; Pointe de courant:454mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 13V 1W; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:69mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:19mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:743A; Pointe de courant:344mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 15V 1W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:61mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:744A; Pointe de courant:305mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 20V 1W; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:45mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:12.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:747A; Pointe de courant:225mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 22V 1W; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:41mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:11.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:748A; Pointe de courant:205mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 43V 1W; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:22mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:6mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:755A; Pointe de courant:110mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 51V 1W; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:18mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:757A; Pointe de courant:90mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 75V 1W; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:12mA; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:3.3mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Marquage, CMS:761A; Pointe de courant:60mA; Tension, Vf max..:1.2V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 8.5V SOT23; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:2.35A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:350mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Cathode commune; Dissipation de puissance:350mW DIODE SCHOTTKY REDR 40V 5A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 60V 2A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:575mV; Courant, Ifs max.:18A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 3V SOT23; Tension , Vrwm:3V; Gamme de tension de claquage:5.89V 6.51V; Tension, bloquée max..:8.7V; Courant, impulsion crête:2.76A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DIODE SCHOTTKY 3A 200V SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 150V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:150V; Gamme de tension de claquage:166V; Tension, bloquée max..:269V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température DIODE TVS 150V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:150V; Gamme de tension de claquage:166V; Tension, bloquée max..:269V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:850pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de f DIODE TVS 180V 5KW R6; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:180V; Gamme de tension de claquage:200V; Tension, bloquée max..:322V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:750pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de f DIODE TVS 56V 5KW R6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:56V; Gamme de tension de claquage:62.2V; Tension, bloquée max..:99.6V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:157V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionne DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:15.7V; Courant, impulsion crête:184A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctio DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:23.6V; Courant, impulsion crête:123A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctio DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:28.3V; Courant, impulsion crête:102A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionn DIODE TRANSIL 600W SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.1V; Courant, impulsion crête:298A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:4W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir Vbr mesure min.:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:4W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de foncti DIODE SIC 8A; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:2.1V; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:40A DIODE SIC 10A; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:30A DIODE DE REDRESSEMENT ULTRA RAPIDE 400V; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 220W 80V SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:80V; Gamme de tension de claquage:100V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:250mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:250mW DIODE TVS UNI DIR 12V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 13V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:18.6A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 14V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:15.6V 17.2V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:17.2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 16V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 20V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:12.3A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel RESEAU DE DIODES ISOLE; Diode Type:Isolée; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA RESEAU DE DIODES ISOLE; Diode Type:Isolée; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA RESEAU DE DIODES; Diode Type:A bus; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-25Â°C +80Â°C; Type de boîtier diode:SIP; Nombre de broches:9; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Type de boîtier:SIP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300mA DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1.5A DO15; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:60A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 30A DO247; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:DO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:22ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 8A TO220; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:70A; Type de boîtier diode:TO-220FPAC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:17ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FPAC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE, TVS, 1.5KW, 56V, BIDIR, KE; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:47.8V; Gamme de tension de claquage:53.2V 58.8V; Tension, bloquée max..:77V; Courant, impulsion crête:18.6A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, crête max.., 8/20us:19.5A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; T DIODE, TVS, 5KW, 30V, UNIDIR, P600; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:103A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:5mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:8W; Puissance, impulsionnelle crête:5kW; Temps de réponse:50ms; Température de foncti DIODE, TVS, 600W, 47V, BIDIR, DO15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, crête max.., 8/20us:9.3A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de DIODE, TVS, 600W, 36V, UNIDIR, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:64.3V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps DIODE, TVS, 400W, 43V, BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1mA; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:YT; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Temps de r DIODE, TVS, 600W, 30V, BIDIR, SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:11.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:50ms; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Te DIODE, TVS, 1.5KW, 15V, BIDIR, SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:55.8A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temp DIODE, TVS, 1.5KW, 40V, BIDIR, SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:21A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps DIODE, TVS, 1.5KW, 48V, UNIDIR, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; DIODE, TVS, 48V, 500W, AXL, UNI; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Temps de réponse:1ps; Tension de claquage:58.9V; Tension, isolem DIODE, TVS, 54V, 600W, UNIDIR, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:66.3V; Tension, isolement:54V; Ty DIODE, TVS, 17V, 1500W, UNI, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:18.9V 20.9V; Tension, bloquée max..:27.6V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Tension de claquage:20.9V; Tension, isolement:17V; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison: DIODE, SCHOTTKY, 3A, 100V, SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE, RECT, FAST, 1A, 200V, SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de phases:Une; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:+150Â°C; Type de boîtier:DO-214AC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE, SCHOTTKY, 3A, 100V, DO41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-60Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE, TVS, 110V, 1500W, AXL,,BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:94V; Gamme de tension de claquage:106V 116V; Tension, bloquée max..:152V; Courant, impulsion crête:9.9A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â°C + DIODE, TVS, 18V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:26.2V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:5ns; Température de fonctionnement:-55Â° DIODE, TVS, 36V, 1500W, AXL, UNIDIRC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30.1A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/ha DIODE, TVS, 6.8V, 1500W, AXL, BIDIRC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de DIODE, TVS, 82V, 1500W, AXL, UNIDIRC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:70.1V; Gamme de tension de claquage:77.9V 86.1V; Tension, bloquée max..:113V; Courant, impulsion crête:13.3A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Temps de réponse:1ps; Température de fonctionnement:- DIODE, ZENER, 12V, 0.35W, SOT23; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:350mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 30V, 1500W, AXL, UNIDIRC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:36.2A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.33mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/ha DIODE DUAL, 200V, 0.2A, SOT23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RECT DIODE 150V 0.5A DO35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:150V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, SS, 100V, 0.2A, SOT23; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE, SS, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A RECT DIODE 0.2A150V DO35; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE DUAL, 16A, 150V, TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE BRIDGE, 600V, 2A, KBPM; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Diode Mounting Type:Traversant; Température de fonctionnement:-55Â°C +165Â°C; Type de boîtier pont redresseur:KBPM; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:KBPM; Type de terminaison:Traversant DIODE, SCHOTTKY, 7.5A, 50V, TO-220AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE, ZENER, 0.5W, 3.9V, SOD-123; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:100è¾A; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 0.5W, 14V, SOD-123; Tension, Vz:14V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:9mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE, SCHOTTKY, 1A, 80V, DO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE, SS, 0.5A, 200V, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE, ZENER, 1W, 3.9V, DO-41; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:64mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 8.7V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:8.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 25V, 0.5W, DO-35; Tension, Vz:25V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales RECTI DIODE 150V 0.2A DO-35; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A DIODE DUAL, COM ANODE, 100V, SOT-23; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE DUAL, 16A, 200V, TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE FAST, 1A, 800V, DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:17pF; Temps de réponse:75ns; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:+150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30 DIODE, ZENER, 30V, 0.5W, DO35; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.2mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, ZENER, 0.5W, 3.3V, DO-35; Tension, Vz:3.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE, 250V, 0.2A, DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:4A SMALL SIGNAL DIODE; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:140V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Type de boîtier:41-MiniDIP ZENER DIODE 91V; Tension, Vz:91V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:2.3W; Type de boîtier:DO-219AB DIODE, TVS, 1.5KW, BIDIR; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:36.7A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W IR EMITTING DIODE; Longueur d'onde, crête:850nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:20ns; Temps de descente:13ns; Intensité rayonnée:180mW/Sr; Angle, vision:10Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Courant, direct, If:1A; Courant, direct, If:1A; Dissipation de puissance:250mW; Dissipation de puissance Pd:250mW; Longueur d'onde typ.:850nm; Tension, Vf max..:2.3V; Type de boîtier:T-1 3/4 DIODE, SCHOTT, 600V, 2.4A, TO-220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:21A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:12A DIODE TVS UNI DIR 3.3V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.2V 6V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:43.8A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 45V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:45V; Gamme de tension de claquage:50V 55.3V; Tension, bloquée max..:72.7V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 5V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 6.5V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:7.22V 7.98V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:35.7A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 7V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7V; Gamme de tension de claquage:7.78V 8.6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:33.3A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE ESD INTERFACE RAPIDE SOT1059-1; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 VOIES FILTRE PASSIF SOT983-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 VOIES FILTRE PASSIF SOT984-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 8 VOIES FILTRE PASSIF SOT985-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 VOIES FILTRE PASSIF SOT983-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 8 VOIES FILTRE PASSIF SOT985-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT+DIODE 600V 48A TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:300W DIODE, REC, 1200V, 110A, STUD, DO5; Diode Type:Redresseur standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:110A; Tension, Vf max..:1.17V; Courant, Ifs max.:1.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AB; Nombre de broches:2 DIODE, REC, 1200V, 110A, STUD, DO5; Tension, Vrrm:1.8kV; Courant, If moy.:110A; Tension, Vf max..:1.17V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.5kA; Diode Type:Avalanche; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AB DIODE, 2 MOD, 1800V, 120A, TO240AA; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:1.43V; Configuration module:Double THYRISTOR-DIODE,1800V,116A,TO-240AA; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:200mA; Courant, It moy:116A; Courant, It efficace:180A; Courant Itsm (50Hz):2.25kA; Courant max. - Tenu (lh):200mA; Tension, Vgt:2.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:TO-240AA; Nombre de broches:3 IGBT+ DIODE 600V 4A TO252; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:4A; Tension, Vce sat max..:2.1V; Dissipation de puissance Pd:75W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:75W IGBT+ DIODE 600V 20A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:187W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:187W IGBT+ DIODE 600V 20A TO263; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:166W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:166W IGBT+ DIODE 1200V 3A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:3A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:62.5W DIODEPINGP200VSOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKYDETECTHFSOT-23; Configuration diode:Une; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.3pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Tension, direct If:350V DIODESCHOTTKYDETECTHFSOT-323; Configuration diode:Double cathode commune; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Tension, direct If:350V DIODE TVS 400W 220V BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:185V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Courant, impulsion crête:1.3A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODESCHOTTKY40V3ASMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESW DUAL75V0.35WSOT23-3; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V3ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.5ASOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V3ASMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE COMMUTATION 200V0.2WSOD323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER3.3V0.35WSOT23-3; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:350mW DIODESCHOTTKY0.2W30VSOT23-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY150V1APWRDI123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V0.35WSOT23-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESUP FAST400V1APWRDI 123; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:1A; Tension, Vrrm:400V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE COMMUTATION 75V0.2WSOD-323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 100V3ASMB; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY60V1ASMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKYDUAL40V0.35WSOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY10V0.57ASOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:17A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY70V0.15WSOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER5.6V0.7W1.3ACMS; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODEZENER5.9V0.7W1.3ACMS; Tension, Vz:5.9V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODEZENER13.2V0.7W0.75ACMS; Tension, Vz:13.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2A - 4 semaines; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODEZENER16.4V0.7W1.3ACMS; Tension, Vz:16.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODESCHOTTKY600V5ATO220FP-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:44A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY1200V15ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:78A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V10ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:84A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V3ATO252-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:11.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V4ATO252-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:18A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HIREL HITEMP SIC RECTI TO257; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-257AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 3A 20V SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:820A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 100V 1500W BI 5% SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:111V 123V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE IR 870NM A BROCHE; Longueur d'onde, crête:890nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:30ns; Temps de descente:30ns; Intensité rayonnée:20mW/Sr; Angle, vision:22Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.35V; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:Aspect latéral; Nombre de broches:2 DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:850nm; Courant:12mA; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:3; Puissance de sortie:1.5mW; Classe, laser:Classe 1M; Température de fonctionnement:0Â°C +70Â°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taux de transfert de données max..:2.5Gbps IGBT CANAL N DIODE 1200V 50A TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:1.9V; Dissipation de puissance Pd:179W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:179W IGBT CANAL N DIODE 600V 76A TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:76A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:368W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:268W IGBT CANAL N DIODE 600V 24A D2PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:24A; Tension, Vce sat max..:1.55V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:140W DIODE, REC, 1200V, 25A, STUD AN, DO4; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.36V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:400A; Diode Type:Redresseur standard; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AA DIODE, REC, 1200V, 25A, STUD, DO4; Diode Type:Redresseur standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.36V; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AA; Nombre de broches:2 DIODE, REC, 1200V, 110A, STUD, DO5; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:110A; Tension, Vf max..:1.17V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.5kA; Diode Type:Redresseur standard; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-203AB DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 100V 2A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 100V 1A SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIF SUPER FAST 600V 1A SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS UNIDIRECT 400W 5V SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE SCHOTTKY 70V 0.333W SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 40V 1A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE REDRESSEMENT GPP 200V 1A SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIF SCHOTTKY 40V 1A SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:16A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIF SUPER FAST 400V 1A SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY 30V 0.25W 2-DFN; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DFN1006; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTI FAST RECOV 1000V 3A SMC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS BIDIRECT 400W 15V SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W MOSFET CANAL N 30V 3.6A DIODE SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:3.3A; Dissipation de puissance:1.1W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL NP DIODE 40V TSOP6; Polarité transistor:N and P Canal; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.95A; Courant, Id max..:2.25A; Dissipation de puissance MOSFET CANAL P DIODE 30V 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8.1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):19500è¾ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-8.1A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 60V 8A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:6.1A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 30V 29A 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-29A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):3900è¾ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-19.7A; Dissipation de puissance:3.5W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 250V 3.8A SO8 PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.8A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.129ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:3.8A; Dissipation de puissance:5.2W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 20V 50A PPAKSO8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2100è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:4.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:32A; Dissipation de puissance:4.8W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 40V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5400è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:20.5A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 20V 25A PPAK1212-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-25A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8200è¾ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-15.4A; Dissipation de puissance:3.6W; Tension, Vgs max..:-8V MOSFET CANAL N DIODE 30V 35A PPAK1212-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4600è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:19A; Dissipation de puissance:3.7W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 20V 35A PPAK1212-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 50A TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4200è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:2.7W; Tension, Vgs max..:20V DIODEPINGP50VSOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.2pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINGP50VSOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.2pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINCOMMUTATEUR100VSOT-143; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.3pF; Résistance @ If:2.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5mA; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKYGPLN20VSOT-363; Configuration diode:Une; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:35mA; Tension, Vf max..:1V; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:35mA; Tension Vr max..:15V; Tension, direct If:1V DIODE DOUBLE RECT UFAST 600V TO220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:132A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECTI UFAST 600V 5A SOT226A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:66A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKYGPLN20VSOT-363; Configuration diode:2 Indépendantes; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:35mA; Tension, Vf max..:1V; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:35mA; Tension Vr max..:15V; Tension, direct If:1V DIODESCHOTTKYRFCA15VSOT-23; Configuration diode:Double anode commune; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:10mA; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10mA; Tension Vr max..:1V; Tension, direct If:500mV DIODESCHOTTKYRFQD15VSOT-143; Configuration diode:Quadruple; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:10mA; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10mA; Tension Vr max..:1V; Tension, direct If:500mV DIODESCHOTTKYRFCA15VSOT-323; Configuration diode:Double anode commune; Tension inverse Vr:15V; Courant max.:10mA; Tension, Vf max..:500mV; Capacité totale max..:1pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10mA; Tension Vr max..:1V; Tension, direct If:500mV DIODESCHOTTKYDETECTHFSOT-323; Configuration diode:Double anode commune; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Tension, direct If:350V DIODESCHOTTKYDETECTHFSOT-363; Configuration diode:2 Indépendantes; Courant max.:1mA; Tension, Vf max..:350mV; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Tension, direct If:350V DIODESCHOTTKY40V3ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V1APOWERDI123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY60V1ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 50V1ADO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODECOMMUTATEUR250V0.2WSOD323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE COMMUTATION 85V0.25WSOT23-3; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER5.1V0.5WSOD-123; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODEZENER15V0.5WSOD-123; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODESW ARRAYQUAD75VSC70-6; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKYARRAY30VSOT363; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.5ASOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER5.1V0.35WSOT23-3; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:350mW DIODESCHOTTKY20V2ASMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V5ASMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY70V0.2WSOT23-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.2WSC70-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER6.5V0.7W2.3ACMS; Tension, Vz:6.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODESCHOTTKY600V2ATO220FP-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:11.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY1200V10ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:58A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V5ATO252-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:26A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V6ATO252-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:32A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V8ATO252-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:42A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V8ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:42A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V10ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:51A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT SCH 200V 4A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.9V; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2 DIODE DE REDRESSEMENT SCH 200V 4A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2 DIODE DE REDRESSEMENT SCH 100V 60A SMB; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Type de boîtier diode:ITO220AB DIODE RECTIF HFAST 600V 8A TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:23ns; Courant, Ifs max.:77A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TANDEM RECTIF 600V 60A SOT227; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:4.78V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:200A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Temps trr max.:80ns; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOT-227 MODULE DIODE 600V 300A INT-A-PAK; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:300A; Tension, Vf max..:1.96V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double DIODE ZENER 15V 0.41W SOD123; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE DOUBLE SCHOTTKY 20A 100V TO263AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:2 DIODE 4 CH UNIDIR ESD 3.3V SOT891; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.3V 5.9V; Tension, bloquée max..:9.5V; Courant, impulsion crête:2.6A; Type de boîtier diode:SOT-891; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE 4 CH UNIDIR ESD 9V SOT891; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.7V; Tension, bloquée max..:19V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:SOT-891; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 10V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:35.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 12V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 15V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 16V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:23.1A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 3.3V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.2V 6V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:75A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 48V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:7.8A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 58V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:6.4A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 7V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7V; Gamme de tension de claquage:7.78V 8.6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE SCHOTTKY 100V 0.25A SOD323F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:5.9ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.9V; Courant, Ifs max.:32A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 12V, 25W, BIDIR, 2DFN; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:6V 25V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:25W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:25W DIODE, TVS, 3.3V, BIDIR, 2DFN; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3V; Gamme de tension de claquage:4V 6.5V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, ZENER, 1W, 3.6V, DO-41; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 6.8V, DO-41; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 62V, DO-41; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 6V, DO-35; Tension, Vz:6.0V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 3.6V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 4.3V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 4.7V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 5.1V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 6.2V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 7.5V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 10V, DO-35 DIODE, RECTIFIER, 2A, 100V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 2A, 400V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 2A, 1000V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 3A, 50V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, RECTIFIER, 400V, 30A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 400V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:1.369kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 400V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:1.369kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 20V, 80A, D61-3SM; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D61-3M; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 20V, 120A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 30V, 120A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 35V, 400A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 35V, 400A, TO-244AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-244AB; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 20V, 120A, D-67; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:650mV; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-67 DIODE, RECTIF, 60V, 300A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:2.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 600V, 100A, TWIN TOW; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:110ns; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 100A, TO-244AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:110ns; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-244AB; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1600V, 300A, DO9; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:300A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:6.85kA; Température de fonctionnement:-60Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-9; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 100V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 100V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 100V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1000V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 5%, 12V, 50W, DO5; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 16V, 50W, DO5; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 62V, 50W, DO5; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 160V, 50W, DO5; Tension, Vz:160V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 180V, 50W, DO5; Tension, Vz:180V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 200V, 50W, DO5; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, RECTIFIER, 600V, 40A, DO5; Diode Type:Avalanche; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 40V, 0.5A, SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 30V, 12A, DO-201AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 20V, 15A, R-6; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, DUAL100V, 20A, TO-220AB; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 400V, 3A, DO-201AD; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 1000V, 10A, TO-220AB; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 600V, 15A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE HIREL HITEMP SIC RECTI CMS1; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-276AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET PCANAL P DIODE 30V 8A SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Courant, Id max..:-8A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on) MOSFET CANAL N DIODE 20V 45A PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):800è¾ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:12V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:45A; Dissipation de puissance:3.6W; Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL P DIODE 30V 9.8A SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-9.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):13600è¾ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-9.8A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N SCH DIODE 40V 42A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8230è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:90W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:77A; Dissipation de puissance:90W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N SCH DIODE 100V 17A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:79W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Dissipation de puissance:79W; Tension, Vgs max..:16V IGBT CANAL N DIODE1200V 40A TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:108A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:390W DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Courant, Ifs max.:59A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 60V 5A SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 2A 20V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 20V 3A SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 5.6V 1W SMA; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE SCHOTTKY 0.2W 70V SOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:15mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECITIF ULTRA RAPIDE 1A 200V SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 100V 3A SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIF SW ULT FAST 50V 1A SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY RESEAU DE 30V 0.2W SOT363; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS UNI 225W 15V PWRDI123; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:9.22A; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:225W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:225W DIODE ZENER 12V 1W DO-41; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE COMMUTATEUR 200V 0.25W SOD123; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, TVS, 8W, 24V, 5%, DO-218AB; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:28V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:170A; Type de boîtier diode:DO-218AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; Configuration diode:Zener-TVS; Dissipation de puissance:8W DIODE, REC, 2X30A, 400V, TO247AC; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:65ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIFIER, ESD, 1A, 100V, MSMP; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:780ns; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2 DIODE, SWITCH, 800V, 0.5A.DO-219AB; Courant, If moy.:1.4A; Tension, Vrrm:800V; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2 DIODE SCHOTTKY 1A 600V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2 DIODE SCHOTTKY 6A 650V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:650V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5.1V 1W SMA; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE RECT BRIDGE 200V 0.8A MINIDIP; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vf max..:1V; Diode Mounting Type:Montage en surface; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier pont redresseur:MiniDIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 12V 1W SMA; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE REDRESSEMENT FAST REC 1A 50V SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 100V 1A DO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET CANAL N 30V 4.9A DIODE SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.2A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vgs max..:8V MOSFET CANAL P 20V 4.4A DIODE ESD SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-4.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-3.7A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vgs max..:-8V MOSFET CANAL P DIODE 30V 9A 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-7A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 60V 12.7A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.75W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:12.7A; Dissipation de puissance:3.75W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 30V 13A 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-8.7A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:-25V MOSFET NCANAL N DIODE 60V 5.3A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id max..:4.3A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.046ohm; MOSFET NCANAL N DIODE 40V 5A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.85W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant, Id max..:4.1A; Dissipation de puissance:1.85W MOSFET CANAL P DIODE 200V 3.8A SO8 PPAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.2A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.145ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-3.8A; Dissipation de puissance:5.4W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 500V 16A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.317ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vgs max..:30V MOSFET CANAL N DIODE 500V 12A TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.46ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vgs max..:30V MOSFET CANAL N DIODE 100V 60A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7100è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:17.6A; Dissipation de puissance:5.4W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 20A PPAK1212-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:3.4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:10.8A; Dissipation de puissance:3.4W; Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N DIODE 12V 35A PPAK1212-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):2600è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:27.9A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 30A PPAK12128; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:3.7W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 24V 195A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:340A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 40V 160A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 75A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:86A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:130W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 17A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 20A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V TRANSISTOR DIODE NPN 400V 1.5A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:17; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT SCH 120V 60A SMB; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Type de boîtier diode:ITO220AB DIODE COMMUTATEURING 75V 0.35W SOD123; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 12V 0.41W SOD123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE 5 CH UNIDIR ESD 3.3V SOT891; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.3V 5.9V; Tension, bloquée max..:9.5V; Courant, impulsion crête:3.1A; Type de boîtier diode:SOT-891; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE 5 CH UNIDIR ESD 5V SOT891; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.47V 7.14V; Tension, bloquée max..:9.9V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-891; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 20V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:18.5A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 22V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:16.9A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 28V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 33V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 43V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:43V; Gamme de tension de claquage:47.8V 52.8V; Tension, bloquée max..:69.4V; Courant, impulsion crête:8.6A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 54V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 60V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:60V; Gamme de tension de claquage:66.7V 73.7V; Tension, bloquée max..:96.8V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE RAPIDE 100V 0.215A SOD882D; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SCHOTTKY 30V 2A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:440mV; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SCHOTTKY 60V 1A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:540mV; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 16V 5000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:193A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5kW DIODE TVS 30KW 33V UNIDIR P600; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Tension, bloquée max..:58.5V; Courant, impulsion crête:517.9A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:30kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:30kW DIODE RECTIFIER 1000V 25A TO-220AB; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:15.9A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 5.0V 3000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:326.1A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3kW DIODE TVS RESEAU DE ESD 2 CH SC70-3; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:13V; Tension de fonctionnement:900mV; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Courant, impulsion crête:2A; Tension , Vrwm:5.5V DIODE TVS RESEAU DE ESD 5 CH SC70-6; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:13V; Tension de fonctionnement:900mV; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, impulsion crête:2A; Tension , Vrwm:5.5V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 250V 45A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:45A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Tension, Vgs max..:10V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 85A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:85A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:78.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 40V 4.6A SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-4.6A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.061ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 12A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:6.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P AVEC DIODE 30V 50A TO-252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 20V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 32A PPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 60V 30A POPAK8L; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-30A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL PP DIODE 30V 8A POPAK8L; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:55W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Dissipation de puissance:55W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.02ohm; Tension drain source MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 60A TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 50A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V DIODE IR RAYONNEMENTTING PLCC2 870NM; Longueur d'onde, crête:870nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:15ns; Temps de descente:15ns; Intensité rayonnée:16mW/Sr; Angle, vision:60Â°; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:PLCC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 500V3ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:61W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 500V4.7ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 60V40ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:52W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 60V20ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:36W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 100V32ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V10.4ASO8 FL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:48W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V5A8WDFN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:33.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 600V 30ATO220-2; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 600V 8ATO220-2; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.6V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT CANAL N W DIODE 600V 120ATO3PN; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:120A; Tension, Vce sat max..:1.9V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:298W IGBT CANAL N W DIODE 650V80ATO247AB; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:650V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:650V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:290W DIODE TVS 56V1.5KW5%BIDO201; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:47.8V; Gamme de tension de claquage:53.2V 58.8V; Tension, bloquée max..:77V; Courant, impulsion crête:19.7A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 33V1.5KW5%UNISMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:33.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 18V600WUNIDIR5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.5V; Courant, impulsion crête:24.2A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 480V600WUNIDIR5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:408V; Gamme de tension de claquage:456V 504V; Tension, bloquée max..:658V; Courant, impulsion crête:900mA; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 5.0V500WUNIDIRDO15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:55.4A; Type de boîtier diode:DO-204AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:500W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:500W DIODE TVS 250V400WUNI5%SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:250V; Tension, bloquée max..:405V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 48V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:7.8A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 54V600WUNI5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 15V1.5KWUNI5%SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:61.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 48V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 5V1.5KWUNI5%SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 78V1.5KWUNI5%SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:78V; Gamme de tension de claquage:86.7V 95.8V; Tension, bloquée max..:126V; Courant, impulsion crête:11.9A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 78V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:78V; Gamme de tension de claquage:86.7V 95.8V; Tension, bloquée max..:126V; Courant, impulsion crête:11.9A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW MOSFET,N CH,W DIODE,30V,17A,PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET,P CH,W DIODE,20V,2.6A,SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 6 CH, BIDIR, 5V, 10DFN; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:10; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS UNI 500W 5V 5% DO-15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:500W; Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:500W DIODE, ZENER, 1W, 5.6V, DO-41; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 9.1V, DO-41; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 10V, DO-41; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 17V, DO-35; Tension, Vz:17V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 10V, DO-41; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 24V, DO-41; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 5.6V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 8.2V, DO-35 DIODE, RECTIFIER, 2A, 50V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 2A, 300V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 2A, 600V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 2A, 800V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 3A, 100V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, TVS, ESD, BIDIR, 6V, 0201; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:8.5V 9.5V; Tension, bloquée max..:12.2V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, PIN, DIVERSITY SW, SOT143; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.65pF; Résistance @ If:4.5ohm; Fréquence, centrale:6GHz; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RF SCHTKY, 15V, 0.75A, SOT363; Configuration diode:Quadruple; Capacité totale max..:6.7pF; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:750mA; Tension, direct If:550mV DIODE, RECTIFIER, 400V, 40A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 400V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:870A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 400V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:870A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:1.369kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:1.369kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 35V, 160ATO-249AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:160A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 35V, 120A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 35V, 300A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:2.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 100V, 400A, TWIN TOW; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 35V, 400A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 40V, 120A, D-67; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:650mV; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-67 DIODE, RECTIFIER, 40V, 120A, D-67; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:650mV; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-67 DIODE, RECTIF, 60V, 300A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:2.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 35V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 35V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 60V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIFIER, 100V, 25A, DO4; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 200V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 400V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Recouvrement rapide; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:1.35V; Temps trr max.:180ns; Courant, Ifs max.:3.3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIFIER, 1000V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1000V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 40A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:595A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 40A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:595A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1000V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1400V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1400V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1400V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1400V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 5%, 16V, 50W, DO5; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 17V, 50W, DO5; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 20V, 50W, DO5; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 39V, 50W, DO5; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, RECTIFIER, 400V, 70A, DO5; Diode Type:Avalanche; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, 400V, 6A, AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 30V, 1A, MICROSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 60V, 1A, MICROSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 20V, 0.5A, SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:385mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 40V, 15A, R-6; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 100V, 6A, R-6; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 200V, 10A, TO-220AB; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 200V, 16A, TO-220AB; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFI, 400V, 1A, POWERDI123; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:820mV; Temps trr max.:85ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) IGBT,N CH,W DIODE,600V,TO247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:600V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:390W DIODE, HFAST RECT, 600V, 8A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:28ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST RECT, 600V, 8A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST RECT, 600V, 8A, TO220FP; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:24ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:270ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO263AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:47ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO262AA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.45V; Temps trr max.:36ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO262AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIFIER, 15A, 45V, P600; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:590mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 20A, 45V, P600; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2 DIODE, TVS, ARR, USB, 28V, LLP75-7L; Gamme de tension de claquage:6.5V 10V; Tension, bloquée max..:52V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:LLP-75; Nombre de broches:7; Configuration diode:Zener-TVS DIODE, UFAST REC, 600V, 30A, TO247AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY 1A 600V TO-252; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2 DIODE SCHOTTKY 4A 650V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:650V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:31.9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2 DIODE HI-REL RECTI 600V 5A DLCC3; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DLCC3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HIREL HITEMP SIC RECTI TO257; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-257AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HIREL HITEMP SIC RECTI TOCMS05; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-276AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL N AVEC DIODE 150V 5A PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0455ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 21A PQFN33; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 75A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 100V 8.7A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 42A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:62A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8860è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:91W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V DIODE TVS 260V 15000W UNI 5% P600; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:260V; Tension, bloquée max..:416.7V; Courant, impulsion crête:36.2A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:15kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:15kW DIODE TVS 51V 3000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:36.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3kW DIODE TVS 7.5V 3000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:232.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3kW DIODE TVS 400W 6.8V UNIDIR 5% SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:39A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS RESEAU DE ESD 4CH SC70-5; Tension, bloquée max..:13V; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, impulsion crête:2A; Tension , Vrwm:5.5V DIODE TVS RESEAU DE ESD 14 CH 16DIP; Type de boîtier diode:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, impulsion crête:5A DIODE TVS RESEAU DE DIODE 4 CH SOT23-6; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:13V; Tension de fonctionnement:6V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, impulsion crête:4.5A; Tension , Vrwm:6V MOSFET CANAL N DIODE 20V 4.3A TSOP-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Tension, Vgs max..:8V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 8A TSOP-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 17.3A SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-17.3A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:7.14W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 20.7A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:7.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 23A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:60V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 30A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:5V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0076ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL P DIODE 40V 30A POPAK8L; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-18A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL P DIODE 80V 32A POPAK8L; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-32A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL NN DIODE 60V 8A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.8V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Dissipation de puissance:35W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.02ohm; Tension drain source Vds MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 150V 85A TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:85A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V DIODE ZENER 8.2V 3W SMB; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET CANAL N AVEC DIODE 100V 40A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 16A PP1212; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-16A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:-20V DIODE ARRAY, TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.1V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6.1V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS PHOTODIODE BROCHE FILTRE CMS; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, claquage:60V PHOTODIODE BROCHE FILTRE CMS; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, claquage:60V DIODE IR RAYONNEMENT 3MM 850NM; Longueur d'onde, crête:870nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:10ns; Temps de descente:10ns; Intensité rayonnée:600mW/Sr; Angle, vision:18Â°; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE IR RAYONNEMENT 5MM 850NM; Longueur d'onde, crête:850nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:10ns; Temps de descente:10ns; Intensité rayonnée:5.1W/Sr; Angle, vision:3Â°; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE IR RAYONNEMENTTING 0805 850NM; Longueur d'onde, crête:870nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:10ns; Temps de descente:10ns; Intensité rayonnée:85mW/Sr; Angle, vision:60Â°; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECTIF S FAST 6A 150V DO201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO201AD DIODE, SCHTKY, 0.1A, 100V, MINIMELF; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:750mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:MINIMELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE, ESD, ARRAY, BIDIR, SOT23-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:0.85pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE EMI FILTRE ESD 8CH 16-UDFN; Diode Type:Protection EMI et ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension, bloquée max..:9V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:500mW DIODE TVS 15V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 15V 400W BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 24V 400W BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 30V 400W BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 5V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 8.5V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:9.44V 10.4V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 30V 600W UNI 5% SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 38.3V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 33V 600W BI 5% SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 42.2V; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 36V 600W UI 5% SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 48V 600W UNI 5% SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 61.3V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 5.0V 600W BI 5% SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W MOSFET CANAL N DIODE 20V 4.1A SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:12V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.1A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N SCH DIODE 30V 20A PQFN33; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3400è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vgs max..:20V IGBT CANAL N DIODE 1200V 50A TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:1.9V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:180W IGBT CANAL N DIODE 1200V 85A TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:85A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:313W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:313W IGBT CANAL N DIODE 600V 48A D2PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:48A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:250W IGBT CANAL N DIODE 600V 48A D2PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:48A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:250W RF SCHOTTKY DIODE; Configuration diode:Série; Capacité totale max..:0.25pF; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1mA; Diode Type:Schottky RF; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension Vr max..:2V; Tension, direct If:320mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RF TUNING VARACTOR DIODE; Capacité max. Cd @ Vr F:2.8pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:15V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SC-79; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:2.8pF; Configuration diode:Une; Courant direct de test If:20mA; Diode Type:Varactor d'accord RF; Résistance @ If:2.2ohm; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:SC-79; Type de terminaison:CMS DIODE RECTIF SCHOTTKY 60V 3A SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT ULT-FST 1000V 1A SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 60V 3A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 60V 2A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECT BRIDGE 400V 0.8A MINIDIP; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vf max..:1V; Diode Mounting Type:Montage en surface; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier pont redresseur:MiniDIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECT BRIDGE 100V 0.8A MINIDIP; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vf max..:1V; Diode Mounting Type:Montage en surface; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier pont redresseur:MiniDIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOT 1A 30V SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:380mV; Courant, Ifs max.:12A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIF SUPER FAST 200V 1A SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY 0.2W 100V SOD-123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:750mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 9.1V 1W DO-41; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE RECTI SUPER FAST 100V 1A SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIF ULTRA RAPIDE 400V 1A SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY 30V 0.2W SOD-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:650mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY 0.25W 40V 2-DFN; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DFN1006; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 24V 1W DO-41; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE COMMUTATEUR 75V 0.2W SOD323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 30V 1A SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:445mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 15V 0.5W SOD123; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE COMMUTATEUR 85V 0.15W SOT-523; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:85V; Courant, If moy.:155mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 15V 1W DO-41; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:1W DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 1A 20V SMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTI FAST REC 1000V 1A SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET CANAL N 60V 0.3A DIODE SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:190mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P 30V 0.96A DIODE SC-89; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-960mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.139ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.45V; Dissipation de puissance Pd:236mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-960mA; Dissipation de puissance:236mW; Tension, Vgs max..:-12V MOSFET CANAL P 30V 2.7A DIODE SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.158ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-1.9A; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N 30V 5.2A DIODE SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.3A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vgs max..:8V MOSFET CANAL N 2.5V 4.2A DIODE TSOP6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.67W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.2A; Dissipation de puissance:1.67W; Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N DIODE 100V 7.9A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:7.9A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 200V 4A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.85A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL NP HALF BR DIODE 20V SO8; Polarité transistor:N and P Canal; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.1A; Courant de drain continu Id, Canal P:-5.3A; Courant, Id max..:6.6A; Dissipation de p MOSFET CANAL N SCH DIODE 30V 25A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4500è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:17.4A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 30V 14.9A 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-14.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-10.9A; Dissipation de puissance:2.7W; Tension, Vgs max..:-25V MOSFET NCANAL N DIODE 40V 6A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.6A; Courant, Id max..:6A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.022ohm; Tensi MOSFET CANAL N DIODE 60V 9.5A 12128PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):17500è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:9.5A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 27.5A SO8PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:27.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):19500è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:10.3A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 12A SC70 PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:3.5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 9A SC75 PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC75; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:5.9A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:8V MOSFET CANAL N DIODE 500V 16A TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.31ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:38W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:38W; Tension, Vgs max..:30V MOSFET CANAL N DIODE 30V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2600è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:29.5A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:28A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8700è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:15.2A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):11400è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:13.3A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 12A PPAK1212-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:9.4A; Dissipation de puissance:3.2W; Tension, Vgs max..:25V MOSFET CANAL P DIODE 60V 8.4A TO-252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8.4A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-8.4A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vgs max..:-20V DIODE DOUBLE RECT UFAST 600V TO220F; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:132A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECTI UFAST 600V 9A SOT226A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:77A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT SCH 45V 10A TO277A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3 DIODE DE REDRESSEMENT SCH 45V 10A TO277A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3 DIODE RECTIF UFAST 600V 8A TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE COMMUTATEURING 75V 0.35W SOD123; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2 DIODE UNIDIR ESD 24V SOD882D; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.5V 27.5V; Tension, bloquée max..:70V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE 4 CH UNIDIR ESD 5V SOT891; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.47V 7.14V; Tension, bloquée max..:10V; Courant, impulsion crête:2.4A; Type de boîtier diode:SOT-891; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 13V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:27.9A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 17V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:18.9V 20.9V; Tension, bloquée max..:27.6V; Courant, impulsion crête:21.7A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 18V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.5A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 24V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 36V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 45V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:45V; Gamme de tension de claquage:50V 55.3V; Tension, bloquée max..:72.7V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 6V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:7.22V 7.98V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:53.6A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 9V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:39A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE DOUBLE SCHOTTKY 20V 2A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:420mV; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SCHOTTKY 40V 1A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 500V2.6ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:58W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V16ASO8 FL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:155A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:86.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V17ASO8 FL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:171A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:96.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V4.6A8WDFN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:27.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTIF, 1A, 50V, DO-41; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-41 DIODE, SCHOTTKY, RECTIF, 1A, 60V, DO-41; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-41 DIODE, SCHOTTK, RECTIF, 1A, 20V, SMA; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SMA DIODE, SCHOTTK, RECTIF, 1A, 30V, SMB; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SMB DIODE, ZENER, 1W, 3.9V, DO-41; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 7.5V, DO-41; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 8.7V, DO-35; Tension, Vz:8.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 12V, DO-41; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 15V, DO-41; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 18V, DO-41; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 20V, DO-41; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 3.9V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 6.8V, DO-35 DIODE, RECTIFIER, 3A, 300V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, RECTIFIER, 3A, 600V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, RECTIF, 3A, 1000V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, RECTIF, 16A, 600V, TO-220FP; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Type de boîtier diode:TO-220FP DIODE, PIN, ATTENUATOR, SOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.35pF; Résistance @ If:1.5kohm; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 20V, 80A, D61-3M; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D61-3M; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 20V, 120A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 30V, 120A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 35V, 300A, TWIN TOWER; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:2.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 100V, 400A, TWIN TOW; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE TVS BIDIR 58V 3KA AXIAL; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 45V, 200A, D-67; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:650mV; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:3kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-67 DIODE, RECTIFIER, 45V, 200A, D-67; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:650mV; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:3kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-67 DIODE, RECTIF, 100V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:880mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 100V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:880mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 60V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIF, 600V, 100A, TWIN TOW; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:110ns; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 100V, 50A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 100A, TO-244AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:110ns; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-244AB; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 600V, 400A, THREE TOWER; Diode Type:Recouvrement rapide; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:240ns; Courant, Ifs max.:3.3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIFIER, 800V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1600V, 40A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:595A; Température de fonctionnement:-65Â°C +160Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 100V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 600V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1000V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1200V, 85A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, PIN, 100V, 0.04A, DO-7; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.8pF; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +90Â°C; Type de boîtier diode:DO-7; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 5%, 7.5V, 10W, DO4; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:10W DIODE, ZENER, 5%, 24V, 10W, DO4; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:10W DIODE, ZENER, 5%, 150V, 10W, DO4; Tension, Vz:150V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:10W DIODE, SCHOTTKY, 45V, 25A, DO4; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 40V, 1A, MICROSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 40V, 12A, DO-201AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 30V, 15A, R-6; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 400V, 6A, R-6; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 1000V, 16A, TO-220AB; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 600V, 6A, TO252; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIFIER, 60V, 0.9A, SOT23; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1.6A; Tension, Vf max..:740mV; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:15A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, SCHOTTKY, 15A, 30V, TO277A; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:280A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3 DIODE, REC, 2X30A, 200V, TO247AC; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, REC, 2X30A, 600V, TO247AC; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.65V; Temps trr max.:42ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SWITCH, 600V, 0.5A.DO-219AB; Courant, If moy.:1.4A; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2 DIODE, SWITCH, 100V, 0.7A.DO-219AB; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-219AB; Nombre de broches:2 DIODE SCHOTTKY 8A 650V TO-220; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:650V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2 DIODE SCHOTTKY 10A 650V TO-220; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:650V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2 MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 21A PQFN33; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 8.7A PQFN22; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N DIODE 55V 140A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:330W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 55V 160A DPAK-7; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:240A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 55V 74A TO220AB; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-74A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL P DIODE 150V 13A TO220AB; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-13A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 42A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V DIODE RECTIFIER 1KV 3A DO-201AD; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIFIER 600V 6A TO252; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE RECTIFIER 600V 8A TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:28ns; Courant, Ifs max.:85A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SW DUAL 75V 0.35W SOT23-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS SWITCH. 250V 0.2W SOT323; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS 150V 0.2A SOD123; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:150V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS 200V 0.4A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 75V 0.15A SOT323; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 100V 0.3A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 75V 0.3A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SW DUAL 85V 0.14A SOT323; Diode Type:Recouvrement standard; Courant, If moy.:160mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 33V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 12V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 2.4V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 7.5V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 3.6V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS RESEAU DE ESD 6 CH 8DIP; Type de boîtier diode:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, impulsion crête:7A DIODE ESD DOUBLE USB3.0 SOT-3; Diode Type:Faible capacité; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:3.6V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 16A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:7.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 15A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 25A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:62W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 30A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:46W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 40V 30A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:68W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 60V 24A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V DIODE BROCHE CMS LENTILLE A DOME; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:15Â°; Courant d'obscurité:1nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, claquage:32V DIODE BROCHE CMS LENTILLE A DOME; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:15Â°; Courant d'obscurité:1nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, claquage:32V IC, DIODE ARRAY ESD-PROT 2CH 6SON; Fonction CI:Réseau de protection ESD 2 canaux pour interface de données haut débit; Gamme de tension d'alimentation:900mV 5.5V; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier CI numérique:SON; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:2; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:900mV; Type de boîtier:QFN; Type de terminaison:CMS DIODE COMMUT 300V 0.25A SOD323F; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:300V; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SW 75V 0.215A SOT23; Diode Type:Recouvrement standard; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 18V SOD123F; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 33V SOD123F; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 3V SOD123F; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 3.6V SOD123F; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 51V SOD123F; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 75V SOD123F; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 7.5V SOD123F; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 5.1V SOD323; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 2.4V SOD523; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 5.1V SOD523; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 20V 1A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:340mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 40V 1A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 40V0.12A SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD-723; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:0.8V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOD-723; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 8 CH 8KV 5V MSOP10; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:MSOP; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 100V19ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 100V17ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V13.2ASO8 FL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:117A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:73.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 40V17A8WDFN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:53A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 600V 4ATO220F-2; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT CANAL N W DIODE 600V 80ATO247AD; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:600V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:290W DIODE TVS 36V1.5KW5%BISMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 15V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:28.8A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 33V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 36V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12.2A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 39V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 58V400WUNI5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:4.3A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 30V1.5KWUNI5%SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 30V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 33V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.2A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE SCHOTTKY TRPL 30V 0.2A SOT363; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE AVALANCHE 5.6V 0.25A SOT23; Diode Type:Avalanche; Configuration diode:Dual, Common Anode; Courant, If moy.:10mA; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:250mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE 6 CHESD PROT12DFN; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:7.8V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE VHF VARICAP 30V SOD523; Capacité max. Cd @ Vr F:17pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:30V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité @ VR2:1.055pF; Capacité VR1:17pF; Courant, If max..:20mA; Diode Type:Capacité variable; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:16; Tension Vr max..:30V; Tension inverse Vr1:500mV; Tension inverse Vr2:28V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE PIN 60V 100MA SOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.325pF; Résistance @ If:0.85ohm; Fréquence, centrale:1.8GHz; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:50mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.45pF; Configuration diode:Série; Courant direct de test If:100mA; Tension Vr max..:60V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, UN, 28V, 450W, 500A, SMC; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.3V; Tension, bloquée max..:49V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une DIODE PIN 175V 100MA SOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.35pF; Résistance @ If:0.7ohm; Tension, Vrrm:175V; Courant, If moy.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.35pF; Configuration diode:Cathode commune; Courant direct de test If:100mA; Tension Vr max..:175V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE GEN-PURP 120V 0.2A SOT-23; Diode Type:Applications générales; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:120V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.7A DIODE ZENER 0.375W 5.6V SOD123F; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:375mW; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W 12V SOT89; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOT-89; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W 6.2V SOT89; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOT-89; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 11V SOD80C; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE, HFAST RECT, 600V, 8A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:28ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 30A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 30A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 30A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO263AB; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:270ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO262AA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:47ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO262AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO263AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO262AA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO262AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 30A, TO263AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 0.5W 3V SOD80C; Tension, Vz:3.0V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.3W 16V SOD523; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.5W 10V SOD27; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-27; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-27 DIODE ZENER 0.25W 10V SOT23; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.25W 12V SOT23; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 36V SOD326; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE PROTECTION ESD UNI SOD-882; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:152pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:6.8V; Tension, isolement:5V; Type de b DIODE PROTECTION ESD 10-TSSOP; Gamme de tension de claquage:6V 9V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1pF; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Tension de claquage:6V; Type de boîtier:SOT-552-1; Type de terminaison:CMS DIODE PROTECTION ESD ULOW SOD-882; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.5V 9.5V; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2.9pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:7V; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOD-882; Type de terminaison:CMS DIODE REDRESSEMENT 600V 15ATO220-2; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 600V 30ATO220-2; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:90ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 600V 8ATO220-2; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 7.5V 3W SMB; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 10V 3W SMB; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS 39V1.5KW5%BISMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:28.2A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 250V600WUNIDIR5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:214V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Courant, impulsion crête:1.8A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 300V600WUNIDIR5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:1.5A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 440V600WUNIDIR5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 6.8V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:58.1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 5V400WBIDIR5%SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 51V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:7.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 54V1.5KWUNI5%SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:54V; Gamme de tension de claquage:60V 66.3V; Tension, bloquée max..:87.1V; Courant, impulsion crête:17.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW MOSFET,N CH,W DIODE,30V,14A,PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET,N CH,W DIODE,30V,12A,PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0103ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:27W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:8.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8.1A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.017ohm; Tension drain source V DIODE DOUBLE 1200V 2X 20A TO247-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:54A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:130A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3 DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:910mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3 DIODE, TVS, UN, 26V, 450W, 500A, SMC; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:45V; Courant, impulsion crête:500A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une DIODE EMI FILTRE ESD 8CH 16-TDFN; Diode Type:Protection EMI et ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension, bloquée max..:9V; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:500mW DIODE EMI FILTRE ESD 8CH 16-UDFN; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension, bloquée max..:9V; Tension de fonctionnement:5V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HDMI RX PORT ESD 38-TSSOP; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:11V; Tension de fonctionnement:5V; Type de boîtier diode:TSSOP; Nombre de broches:38; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 18V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 33V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 36V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 48V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 12V 600W UNI 5% SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 15.3V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 15V 600W UNI 5% SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 19.2V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 15V 600W BI 5% SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 19.2V; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 36V 600W BI 5% SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE, UFAST RECT, 600V, 8A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST RECT, 600V, 8A, TO220AC; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:24ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:47ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:270ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.45V; Temps trr max.:36ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO262AA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:270ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO262AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 30A, TO263AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 30A, TO262AA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO262AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 30A, TO247AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 30A, TO247AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS BIDIR 76V 3KA AXIAL; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECTIFIER 3A 600V DO-201AD; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL SCHOTT 70V SOT23-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 85V 0.125A SOT523; Diode Type:Recouvrement standard; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS 100V 0.2A SOD123; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 16V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 2.7V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 5.6V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 6.2V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 6.8V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 8.2V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 11V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 13V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 33V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 47V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 4.3V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS ARRAY 3.3V 150A 8SO; Diode Type:Faible capacité; Tension, bloquée max..:17V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.8V 3W SMB; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 9.1V 3W SMB; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SIC 1200V 5A TO220; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:26A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3 DIODE DUAL SIC 1200V 60A TO247; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:220A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:4 DIODE COMMUT 250V 0.225A SOT323; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:225mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SW 40V 0.12A SOT23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SW 200V 0.225A SOT23; Diode Type:Recouvrement rapide; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 13V SOD123F; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 24V SOD123F; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 39V SOD123F; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 3.9V SOD123F; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 10V SOD523; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 4.7V SOD523; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 7.5V SOD523; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 40V 1A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 60V 1A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A SOD-723; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:325mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-723; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE EMI FILTRE ESD 4CH 8-UDFN; Diode Type:Protection EMI et ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension, bloquée max..:9V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:500mW DIODE HDMI TX PORT ESD 38-TSSOP; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:10.8V; Tension de fonctionnement:5V; Type de boîtier diode:TSSOP; Nombre de broches:38; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HDMI RX PORT ESD 38-TSSOP; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:11V; Tension de fonctionnement:5V; Type de boîtier diode:TSSOP; Nombre de broches:38; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 2CH 2.8V 200W SOT143; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:2.8V; Tension, bloquée max..:8.5V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Dissipation de puissance Pd:200W; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:200W DIODE TVS 4 CH 2.8V 600W 8SOIC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:2.8V; Tension, bloquée max..:21V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 12V 400W BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 30V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 5V 400W BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 58V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 24V 600W BI 5% SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 30.7V; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 33V 1.5KW UNI 5% SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 42.2V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 5.0V 1.5KW UNI 5% SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE RECTIFIER 600V 15A TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCH RECT 40V 1A SOT23-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS SCHOT 70V 0.07A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 85V 0.125A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement standard; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 85V 0.14A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement standard; Courant, If moy.:160mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS DUAL 75V 0.15A SOT323-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 10V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 4.7V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 5.1V 0.2W SOD-323; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 43V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 12V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 15V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 16V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 20V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 24V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 3.0V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 9.1V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 4.7V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SIC 1200V 30A TO247; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vf max..:1.8V; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3 DIODE COMMUT 100V 0.215A SOD123F; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE COMMUT 75V 0.25A SOD323F; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SW 70V 0.07A SOT23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SW 200V 0.225A SOT23; Diode Type:Recouvrement rapide; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SW 90V 0.15A SOT323; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 10V SOD123F; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 12V SOD123F; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 27V SOD123F; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 2.7V SOD123F; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 4.3V SOD123F; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 15V SOD523; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 3.3V SOD523; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 5.6V SOD523; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.3W 8.2V SOD523; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 30V 1A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY. 30V. 0.2W. SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:1.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.5A DIODE TVS DOUBLE UNID. 12V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.25V 15.75V; Tension, bloquée max..:21V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claq DIODE TVS DOUBLE UNID. 17V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:17V; Gamme de tension de claquage:19V 21V; Tension, bloquée max..:28V; Courant, impulsion crête:1.4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Unidirectionnelle; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:2 DIODE TVS DOUBLE UNID. 22V. SOT23; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:25.65V 28.35V; Tension, bloquée max..:38V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance:225mW; Puissance, impulsionnelle crête:40W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage: RESEAU DE DIODE SW. 100V. 0.15W SOD523; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RESEAU DE DIODE SW. 75V. 0.35W SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A RESEAU DE DIODE SW. 80V. 0.225W SOT26; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Triple Indépendante; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-26; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-26; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A DIODE ZENER DOUBLE 12V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 33V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 3.6V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 7.5V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER DOUBLE 5.6V. 0.3W. SOT23; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY HI T. 12A. 40V. AXIAL; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-50Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:Axial; courant Ifsm:250A DIODE ZENER 12V. 0.5W. 5%. DO35; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE SCHOTTKY 30V 0.2A. SOD80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2 PHOTOPIN DIODE RG; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, Vf max..:1.3V; Tension, claquage:60V PHOTOPIN DIODE DAYL.F GULLWING; Longueur d'onde typ.:950nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, Vf max..:1.3V; Tension, claquage:60V PHOTOPIN DIODE RG; Longueur d'onde typ.:940nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension Vr max..:60V; Tension, Vf max..:1.3V; Tension, claquage:60V DIODE TVS 2CANAUX 6V.150A.SOIC8; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.8V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:150A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 5.5V.SOT553; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SOT-553; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 5CANAUX 5.5V.SOT563; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 5V.SOD723; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:12.5V; Courant, impulsion crête:7A; Type de boîtier diode:SOD-723; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 4 CANAUX 6V.UDFN-6; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:4.5A; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 2CH, BIDIR, TSLP-3-1; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:14.5V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:TSLP-3-1; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE, TVS ARRAY, 5.3V, TSSLP-2-1; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:TSSLP-2-1; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Triple DIODE, ESD ARY, 5.3V, TSLP-9-1; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:TSLP-9-1; Nombre de broches:9; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE, TVS, 5.3V, BI-DIR, TSSLP-2-1; Tension , Vrwm:5.3V; Gamme de tension de claquage:7V; Tension, bloquée max..:21V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:TSSLP-2-1; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une DIODE, SCHOTTKY, 40V, SCD80; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vf max..:750mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:800mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SCD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 70V SOT23; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SOT-23 DIODE TVS UNIDIR 12V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 13V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 15V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 22V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 24V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 24V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 28V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 30V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 33V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 36V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 48V 600W SMB DIODE TVS UNIDIR 75V 600W SMB DIODE TVS BIDIR 110V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 12V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 15V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 24V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 26V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 30V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 33V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 33V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 43V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 48V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 54V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 58V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 6V 1500W SMC DIODE TVS BIDIR 7.5V 1500W SMC DIODE TVS UNIDIR 9V 1500W SMC DIODE ZENER 5W 8.2V 5% DO-201AE; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 9.1V 5% DO-201AE; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 13V 5% DO-201AE; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 15V 5% DO-201AE; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 5W 20V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 62V 5% DO-201AE DIODE ZENER 5W 68V 5% DO-201AE DIODE DE DECOUPAGE 75V SOT323 DIODE TVS UNI 8W 10V DO-218AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:388A; Type de boîtier diode:DO-218AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE, REC, UFAST, 1A, 100V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, UFAST, 1A, 150V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, UFAST, 1A, 200V, SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, FAST, 1A, 200V, SMP; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 1A, 800V, SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 12A, 20V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:280A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 20V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 60V, SMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 900V, SM; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 8A, 30V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 8A, 90V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 8A, 100V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 6600W, 36V, UNIDIR, DO218AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:114A; Type de boîtier diode:DO-218AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE, TVS, 36V, 400W, SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 15V, 600W, SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 24V, 1500W, SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:38.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 12V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 16V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26.0V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 20V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:22.2V 24.5V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:12.3A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 22V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, UNIDIR, SMP, 400W, 28V, SMP; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:SMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 10A, 30V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 10A, 40V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 8A, 30V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, RECTI, 8A, 40V, SMPC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PHOTODIODE SILICON PIN 0805; Longueur d'onde typ.:900nm; Angle, moitié:60Â°; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:0805; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, vision:120Â°; Consommation de puissance:215mW; Courant de collecteur:10nA; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 1A 20V MICROSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 1A 30V MICROSMP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS UNIDIR 400W 26V 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:9.5A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel RESEAU DE DIODE TVS 5V LLP1713; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V 8V; Tension, bloquée max..:13V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:LLP1713; Nombre de broches:9; Configuration diode:Bidirectionnel DIODE UNIDIR TVS 2 VOIES 12V SOT-143; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:30V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE UNIDIR TVS 2 VOIES 70V SOT-143; Tension , Vrwm:70V; Gamme de tension de claquage:85V; Tension, bloquée max..:7V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE UNIDIR TVS 4 VOIES 5V DFN10; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:3.8A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Quadruple DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 5V DFN2; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.1V 7V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE BIDIR TVS 1 LIGNE 12V SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V; Tension, bloquée max..:28.6V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 2 VOIES ESD 3.3V S0T143-4L; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:4.5V; Tension, bloquée max..:6V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE TVS 2 VOIES ESD USB1/ 2 S0T143-4L; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.1V; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double DIODE TVS 36V 1500W 5% UNI AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30.5A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 440V 1500W 5% UNI AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS 400V 600W 5% UNI DO-15; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548.V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-204AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 30V 400W 5% UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 12V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 15V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 16V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:23.1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 18V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 26V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:26V; Gamme de tension de claquage:28.9V 31.9V; Tension, bloquée max..:42.1V; Courant, impulsion crête:14.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 8.5V 600W 5% UNI SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:9.44V 10.4V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:41.7A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 48V 1500W 5% UNI SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:6.5W DIODE TVS AVAL 3 CH SOT143; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:225mW DIODE TVS AVAL 4 VOIES SOT23-5; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:225mW DIODE TVS AVAL 5 CH SOT23-6; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:225mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:225mW DIODE TVS AVAL 5 CH SC70-6; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:8V; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:200mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW DIODE TVS 6 VOIES 8SOIC; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 18V 600W 5% BI DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:24.2A; Type de boîtier diode:DO-204AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 47V 600W 5% BI DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.4A; Type de boîtier diode:DO-204AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 400V 600W 5% BI SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 12V 400W BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 15V 400W BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 30V 400W BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 40V 400W BIDIR SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 12V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:35.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 12V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 36V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.4A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 58V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:64.4V 71.2V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE TVS 7V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7V; Gamme de tension de claquage:7.78V 8.6V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 8.5V SOT23; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:2.35A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DIODE SCHOTTKY REDR 30V 3A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 40V 2A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 6V SOT23; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:8.65V 9.56V; Tension, bloquée max..:14V; Courant, impulsion crête:1.7A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DIODE ESD TVS UNI DIR 16V SOD882; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.5V 30V; Tension, bloquée max..:34V; Courant, impulsion crête:900mA; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 5V 180W SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.2V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 2.5V 260W SOD523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7V; Gamme de tension de claquage:7.5V; Tension, bloquée max..:19V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 36V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 51V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:4.9A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNI DIR 6V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:38.8A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE ESD INTERFACE RAPIDE SOT886; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD INTERFACE HDMI SOT510-1; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5V; Nombre de broches:38; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 VOIES FILTRE PASSIF SOT983-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 VOIES FILTRE PASSIF SOT984-1; Tension de fonctionnement:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SIM ESD 3 CH PASS FIL SOT983-1; Tension de fonctionnement:5.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET & DIODE CANAL P 30V 3.6A SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):51mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.6A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vgs max..:20V IGBT+ DIODE 1200V 25A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:25A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:326W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:326W IGBT+ DIODE 1600V 30A TO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.1V; Dissipation de puissance Pd:312W; Tension, Vceo:1.6kV; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:312W DIODE TVS 400W 550V UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:495V; Gamme de tension de claquage:522.5V 577.5V; Tension, bloquée max..:760V; Courant, impulsion crête:500mA; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W DIODE TVS 400W 18V BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.5V; Courant, impulsion crête:16.1A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3.3W MODULE DIODE 1 PHASE 1200V 150A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:2.2V; Diode Mounting Type:ChÃ¢ssis; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier pont redresseur:G12; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 5.0V 5KW UNIDIR AXIAL; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:554.3A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:8W RESEAU DE DIODE TVS 6VOIES 0.4PF UDFN14; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:12.5V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel MOSFET+DIODE CANAL N 30V 7.3A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:7.3A; Dissipation de puissance:1.4W; Tension, Vgs max..:20V DIODE, RECT, 1500V, 628A, STUD ANODE; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.5kV; Courant, If moy.:400A; Tension, Vf max..:1.62V; Courant, Ifs max.:628A; Température de fonctionnement:-40Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:Plot fileté; Nombre de broches:2 DIODEPINCOMMUTATEUR50VSOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.8pF; Résistance @ If:0.6ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:10mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINGP50VSOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.2pF; Résistance @ If:1.5ohm; Fréquence, centrale:100MHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINRFPWR LIMITERSOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:1pF; Résistance @ If:0.6ohm; Fréquence, centrale:3GHz; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:10mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODEPINSWLOW INDUCTSOT-23; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.375pF; Résistance @ If:2.5ohm; Fréquence, centrale:3GHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKYGPLN20VSOT-323; Configuration diode:Dual, Series; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:35mA; Tension, Vf max..:1V; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:35mA; Tension Vr max..:15V; Tension, direct If:1V DIODESCHOTTKYGPLN20VSOT-363; Configuration diode:Double anode commune; Tension inverse Vr:20V; Courant max.:35mA; Tension, Vf max..:1V; Capacité totale max..:1.2pF; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:35mA; Tension Vr max..:15V; Tension, direct If:1V DIODESCHOTTKY40V5ASMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESS COMMUTATEUR75V0.2WSOD323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V3ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY2A60VSMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.2WSOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY60V1APWRDI-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:22A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 1000V1ADO-41; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY60V3ASMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V1ASMA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V1ADO-41; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.2WSOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V0.35WSOT23-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:40mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V2ASMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE COMMUTATION 75V0.4WSOD123; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESW ULT FAST1A800VSMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:1A; Tension, Vrrm:800V; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY40V2ASMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODESCHOTTKY30V0.2ASOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODEZENER5.6V0.7W2.3ACMS; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-40Â°C +85Â°C; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance, max..:700mW DIODESCHOTTKY600V4ATO220FP-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:32A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY1200V2ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:15A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V12ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:98A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V16ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:118A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V9ATO252-3; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:49A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V3ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:11.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V5ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:26A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V6ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:2.3V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:32A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODESCHOTTKY600V9ATO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:49A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS ESD DATA LINES 8SOIC; Diode Type:TVS bidirectionnelle; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300W DIODE S1200V 5A TO252-2L; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2 DIODE ESD 4 CH PAS FIL SOT1166; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 CH PAS FIL SOT1167; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 CH PAS FIL SOT1167; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 CH PAS FIL SOT1166; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 CH PAS FIL SOT1167; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 8 CH PAS FIL SOT1168; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 CH PAS FIL SOT1166; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 5V UNIDIR 25PF SOD882; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:3.5A; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:42W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:42W DIODE SCHOT RECT DOUBLE 0.5A SOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-236AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOT REC 20V 0.5A SOD882D; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOT RECT 30V 0.2A SOD323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:2.75A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:17A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS ESD DATA LINES UDFN10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension, bloquée max..:15V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 2.5V 20A 4 CH UDFN10; Tension , Vrwm:2.5V; Tension, bloquée max..:11.5V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; Dissipation de puissance Pd:300W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300W DIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO220-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:29A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS ESD HDMI 2 CH WDFN10; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension, bloquée max..:18V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS ESD DOUBLE VO 4 CH TDFN8; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:9.64V; Tension de fonctionnement:14.5V; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HI-REL ZENER 15V 0.25W DLCC2; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DLCC2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:250mW DIODE HIREL HITEMP SIC RECTI CMS05; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-276AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HIREL HITEMP SIC RECTI TOCMS1; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-276AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL P DIODE 30V 11A PQFN33; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-20V; Tension, Vgs th typ.:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vgs max..:-25V MOSFET CANAL N SCH DIODE 55V 150A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):3700è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:230W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:150A; Dissipation de puissance:230W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N SCH DIODE 55V 150A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):3700è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:230W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:150A; Dissipation de puissance:230W; Tension, Vgs max..:20V IGBT CANAL N DIODE 1200V 85A TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:85A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:320W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:320W DIODE ESD 8 CH PAS FIL SOT1168; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 8 CH PAS FIL SOT1168; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 CH PAS FIL SOT1166; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 CH USB HDMI SOT1178; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:9; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 5V BIIDIR 3.5PF SOD962; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:12.8V; Courant, impulsion crête:1A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:8W DIODE SCHO RECT 30V 0.2A SOD882D; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 30V 0.5A SOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-236AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHO RECT 40V 0.2A SOD323F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:2.75A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT 300V 2X30A TO247AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:39ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3 DIODE TVS UNI-DIR 70V 400W SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:70V; Gamme de tension de claquage:77.8V 89.5V; Tension, bloquée max..:100V; Courant, impulsion crête:3.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE SW ESD 0.2W 80V SOT363; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If moy.:500mA; Courant, Ifs max.:20A; Diode Type:Protection ESD; Temps trr max.:4ns; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension, Vf max..:1.25V; Tension, Vrrm:100V DIODE DE REDRESSEMENT GPP 1A 50V SMA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 1.8V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:1.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE ZENER 18V 0.2W SOD-323; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:200mW DIODE ZENER 4.7V 0.2W SOD-323; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:200mW DIODE TVS UNIDIRECT 400W 30V SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE ZENER 18V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:500mW DIODE RECTI SCHOTTKY 2A 30V PWRDI123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:375mV; Courant, Ifs max.:33A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET CANAL N DIODE 150V 5A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:5A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 60V 8.5A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8.5A; Dissipation de puissance:3.3W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET NCANAL N DIODE 40V 8A 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.013ohm; Tension MOSFET CANAL N DIODE 150V 26A SO-8 PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:7.2A; Dissipation de puissance:5.2W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P DIODE 150V 5.2A SO8 PPAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-5.2A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-5.2A; Dissipation de puissance:5.4W; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 22A SO-8 PPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25200è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:4.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8.1A; Dissipation de puissance:4.1W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 600V 47A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:417W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:47A; Dissipation de puissance:417W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 500V 16A TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.31ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vgs max..:30V MOSFET CANAL N DIODE 30V 60A PPAKSO8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1800è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:35.5A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 60A PPAKSO8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5200è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:21.5A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 20V 50A PPAKSO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1900è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:35.4A; Dissipation de puissance:5.2W; Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N DIODE 30V 35A PPAK1212-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4200è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:21A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 6.5A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:6.5A; Dissipation de puissance:20W; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 30V 42A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3200è¾ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:42A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vgs max..:20V DIODE RECT UFAST 600V 9A TO-220F; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECTI UFAST 600V 8A TO-220F; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:12.5ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT SCH 45V 15A TO277A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:210A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3 DIODE DE REDRESSEMENT SCH 45V 15A TO277A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:210A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3 DIODE RECTIF HFAST 600V 8A TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MODULE DIODE 600V 300A INT-A-PAK; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:300A; Tension, Vf max..:1.96V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double DIODE TVS UNIDIR 11V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11V; Gamme de tension de claquage:12.2V 13.5V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 14V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:15.6V 17.2V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:25.9A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 30V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 40V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:44.4V 49.1V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 51V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:51V; Gamme de tension de claquage:56.7V 62.7V; Tension, bloquée max..:82.4V; Courant, impulsion crête:7.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 64V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:64V; Gamme de tension de claquage:71.1V 78.6V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:5.8A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 6V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:58.3A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 7V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:46.5A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS UNIDIR 8V 600W SOD128; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Gamme de tension de claquage:9.44V 10.4V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:41.7A; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, DU UN, 5V, 250W, SOT-143; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.1V; Tension, bloquée max..:20V; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Dissipation de puissance Pd:250W; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:250W DIODE, TVS, 24V, 47W, BIDIR, 2DFN; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25V; Tension, bloquée max..:47V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DFN; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:47W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:47W DIODE, SCHOTTKY, RECTIF, 1A, 100V, DO-41; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-41 DIODE, SCHOTTKY, RECTIF, 1A, 100V, SMB; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SMB DIODE, SCHOTTK, RECTIF, 1A, 20V, SMB; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SMB DIODE, SCHOTTK, RECTIF, 5A, 40V, SMC; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SMC DIODE, ZENER, 1W, 3.3V, DO-41; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 4.7V, DO-41; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 6.2V, DO-41; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 1W, 8.2V, DO-41; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 14V, DO-35; Tension, Vz:14V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 5.6V, DO-41; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 6.2V, DO-41; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 3W, 6.8V, DO-41; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 0.5W, 9.1V, DO-35 DIODE, ZENER, 0.5W, 12V, DO-35 DIODE, RECTIFIER, 2A, 200V, DO-15; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-15 DIODE, RECTIFIER, 3A, 400V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, RECTIFIER, 3A, 800V, DO-201AD; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-201AD DIODE, RECTIFIER, 1A, 1000V, DO-41; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-41 DIODE, DUAL REC, 16A, 200V, TO220FP; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Type de boîtier diode:TO-220FP DIODE, TVS, ESD, BIDIR, 6V, 0201; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Tension, bloquée max..:15.6V; Courant, impulsion crête:10A; Type de boîtier diode:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, PIN, LIMITER LP, SOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.8pF; Résistance @ If:1.2ohm; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, PIN, LIMITER LP, SOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.375pF; Résistance @ If:4ohm; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, PIN, DIVERSITY SW, SOT143; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.55pF; Résistance @ If:17ohm; Fréquence, centrale:6GHz; Courant, If moy.:1A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 400V, 30A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 400V, 40A, DO5; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.4V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, SIC, RECTI, 1200V, 3A, TO-220; Type de boîtier diode:TO-220 DIODE, SIC, RECTI, 1200V, 7A, TO-247; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:7A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +225Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 35V, 400A, TO-244AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-244AB; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 20V, 120A, D-67; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:650mV; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Schottky; Nombre de broches:1; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-67 DIODE, RECTIF, 60V, 200A, THREE TOW; Diode Type:Schottky; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:1.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIFIER, 100V, 25A, DO4; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 200V, 300A, TWIN TOW; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:90ns; Courant, Ifs max.:1.5kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Tours jumelles; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIF, 400V, 400A, THREE TOW; Diode Type:Recouvrement rapide; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:200A; Tension, Vf max..:1.35V; Temps trr max.:180ns; Courant, Ifs max.:3.3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:Trois tours; Nombre de broches:3 DIODE, RECTIFIER, 800V, 150A, DO8; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:3.14kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1600V, 300A, DO9; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:300A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:6.85kA; Température de fonctionnement:-60Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-9; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1600V, 40A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:595A; Température de fonctionnement:-65Â°C +160Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, RECTIFIER, 1000V, 70A, DO5; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:1.25kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2 DIODE, ZENER, 5%, 36V, 10W, DO4; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:10W DIODE, ZENER, 5%, 24V, 50W, DO5; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 68V, 50W, DO5; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, ZENER, 5%, 150V, 50W, DO5; Tension, Vz:150V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:50W DIODE, RECTIF, 150V, 2.5A, DO204AP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:2.5A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 150V, 6A, GA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:G4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 30V, 0.5A, SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 20V, 12A, DO-201AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 200V, 6A, R-6; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, 200V, 16A, TO-220AC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:23ns; Courant, Ifs max.:65A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 29A PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:29A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 20V 26A PQFN33; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:12V MOSFET CANAL N DIODE 60V 75A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 24V 195A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:353A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 75A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:88A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 20A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:27A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:68W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL P AVEC DIODE 100V 13A DPAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-13A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.205ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 55V 61A TO220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0086ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:91W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 75A TO262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:86A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:130W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 42A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:89A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:130W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:16V DIODE TVS 16V 3000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:17.8V 19.7V; Tension, bloquée max..:26V; Courant, impulsion crête:115.4A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3kW DIODE TVS 33V 3000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:56.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:3kW DIODE TVS 300V 1500W 5% UNIDIR SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:3.7A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 22V 5000W 5% BIDIR SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:141A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5kW DIODE TVS RESEAU DE ESD 6 CH 8DIP; Type de boîtier diode:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, impulsion crête:5A DIODE TVS RESEAU DE 1 CH UNIDIR SOT23; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:15V; Tension de fonctionnement:2.8V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:24A; Tension , Vrwm:2.8V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 100V 60A PPAK8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 500V 46A SUP247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:46A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.087ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:Super-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Tension, Vgs max..:30V MOSFET CANAL N DIODE 500V 14A TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Tension, Vgs max..:30V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 15A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 10.8A SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-10.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:6W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL NN AVEC DIODE 30V 7A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7A; Dissipation de puissance:3.3W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.027ohm; Tension drain source Vds, Can MOSFET CANAL NN AVEC DIODE 40V 8A SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:4.4W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Dissipation de puissance:4.4W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.016ohm; Tension drain source Vds, Can MOSFET CANAL P AVEC DIODE 60V 20A TO-252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-20A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:46W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:-20V MOSFET CANAL N DIODE 150V 25A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 42A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 50A TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 40V 32A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL NN DIODE 30V 8A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Dissipation de puissance:48W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.02ohm; Tension drain source Vds, MOSFET CANAL NN DIODE 40V 8A POPAK8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Dissipation de puissance:48W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.016ohm; Tension drain source Vds MOSFET CANAL N DIODE 55V 110A TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:157W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N DIODE 100V 47A TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:47A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 84A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:88W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Tension, Vgs max..:20V MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 16A PP1212; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Tension, Vgs max..:20V DIODE RECT 1200V 2X128A ECO-PAC2; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:128A; Tension, Vf max..:1.9V; Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:1.32kA; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:12; Temps trr max.:40ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C DIODE ESD HDMI INTERFACE SOT617; Diode Type:Interface ESD HDMI; Dissipation de puissance Pd:50mW; Tension, bloquée max..:8V; Tension de fonctionnement:5V; Type de boîtier diode:HVQFN; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:50mW; Largeur (externe):5.1mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:5.1mm; Quantité par bobine:6000; Température de fonctionnement:-25Â°C +85Â°C; Tension, Vf max..:0.7V; Type de terminaison:CMS DIODE ULTRAFAST 4A 600V SOD141; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:65ns; Courant, Ifs max.:110A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 2X10A 200V I2PAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:125A; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 4 CH USB HDMI SOT1176; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD UNID 12V 150W SOD882D; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.7V 15.3V; Tension, bloquée max..:35V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:150W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:150W DIODE ESD 5.5V BIDIR SOD882; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.5V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE SCHOTT RECT 20V 1A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:375mV; Courant, Ifs max.:17A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 20V 2A SOT1061; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:17A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHO RECT 60V 0.2A SOD323F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:2.75A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE SC REC 40V 0.5A SOT23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-236AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SREC 1200V 7.5A TO252-2; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:12.1A; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:64A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2 SUPPORT RELAIS POUR MKS-X W/ DIODE; Type d'accessoire:Relay Socket; A utiliser avec:Omron MKS-X Series General Purpose Relays; Montage de la prise:Rail DIN / montage mural; Bornes de la prise:Vis; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 600V 2.2ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:57W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 600V 2.6ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:61W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 30V8.1ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:35.7W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET N W DIODE 100V23ADPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT CANAL N W DIODE 600V 80ATO247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:600V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:290W DIODE TVS 550V600WUNIDIR5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:495V; Gamme de tension de claquage:522.5V 577.5V; Tension, bloquée max..:760V; Courant, impulsion crête:800mA; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 15V400WUNI5%SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 24V400WUNI5%SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 48V400WBIDIR5%SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 160V600WUNI5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:160V; Tension, bloquée max..:259V; Courant, impulsion crête:2.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 400V600WBIDIR5%SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:400V; Gamme de tension de claquage:447V 494V; Tension, bloquée max..:648V; Courant, impulsion crête:900mA; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 7.5V600WUNI5%SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:46.6A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS 120V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:120V; Gamme de tension de claquage:133V 147V; Tension, bloquée max..:193V; Courant, impulsion crête:7.8A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 24V1.5KWUNI5%SMC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:38.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 250V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:250V; Tension, bloquée max..:405V; Courant, impulsion crête:3.7A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE TVS 400V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:400V; Gamme de tension de claquage:447V 494V; Tension, bloquée max..:648V; Courant, impulsion crête:2.3A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE 4 CHESD PROT8DFN; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:7.8V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET,N CH,W DIODE,30V,50A,PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:59W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET,N CH,W DIODE,30V,50A,PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:54W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET,N CH,W DIODE,30V,25A,PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:54W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IGBT,W DIODE, 600V, 60A, TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:110A; Tension, Vce sat max..:600V; Dissipation de puissance Pd:284W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:284W DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.45V; Temps trr max.:36ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 15A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO220FP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:47ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 30A, TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, UFAST REC, 600V, 15A, TO263AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.45V; Temps trr max.:36ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 30A, TO262AA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO262AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, HFAST REC, 600V, 30A, TO247AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.65V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE TVS 2 CH 3.3V 200W SOT143; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Dissipation de puissance Pd:200W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:200W DIODE TVS 4 CH 3.3V 500W 8SOIC; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3V; Tension, bloquée max..:10.9V; Courant, impulsion crête:43A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Dissipation de puissance Pd:500W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:500W DIODE TVS 12V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 24V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 28V 400W UNI 5% SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:31.1V 34.4V; Courant, impulsion crête:35A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 36V 400W BI 5% SMA; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:400W DIODE TVS 24V 600W UNI 5% SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 30.7V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:600W DIODE TVS/STEERING 2CH 3.3V 8SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3V; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Dissipation de puissance Pd:1.8kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.8kW DIODE TVS BIDIR 430V 3KA AXIAL; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SW 250V 0.25W SOT23-3; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS SCHOT 40V 0.2A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS 130V 0.215A SOD123; Diode Type:Recouvrement standard; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:130V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS 250V 0.4A SOT23-3; Diode Type:Recouvrement rapide; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SS QUAD 75V 0.15A SOT363; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 12V 0.5W SOD-123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 15V 0.2W SOD-323; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 2.7V 0.2W SOD-323; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 10V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 18V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 2.7V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 30V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 3.9V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 5.6V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 6.2V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 6.8V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 8.2V 0.35W SOT23-3; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SIC 1200V 10A TO220; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3 DIODE DUAL SIC 1200V 10A TO247; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:52A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:4 DIODE DUAL SIC 1200V 20A TO247; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vf max..:1.8V; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:4 DIODE ZENER 0.375W 11V SOD123F; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 0.375W 6.8V SOD123F; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 20V 1A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 30V 1A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 30V 1A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT SCH 30V 2A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, TVS, 4CH, DATA, 0.5PF, UDFN10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension, bloquée max..:7V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, SOT363; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:700mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.323ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-500mA; Dissipation de puissance:340mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.32 MOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30V, SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Dissipation de puissance:3.1W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.014ohm; Tension drain source Vds, Canal N:30V DIODE, TVS, 5V, MIRCO SD, SLP4016P16; Nombre de broches:16; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 5.25V, BIR, SLP1616P6; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension de fonctionnement:5.25V DIODE, TVS, 5V, BI, MICROPHONE, SC89; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 50W, 5V, 2CH, BI, SC89-6; Tension, bloquée max..:18V; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 3 CH, USB, HIGH S, SC-70; Tension, bloquée max..:25V; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:5; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, BI, 3CH, 28V, SLP1616P6; Tension, bloquée max..:30V; Nombre de broches:6; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V DIODE, TVS, USB 2.0, SLP1616P6; Tension, bloquée max..:30V; Nombre de broches:6; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V DIODE, TVS, DUAL, ADSL, 70V, 10MSOP; Tension, bloquée max..:14.3V; Type de boîtier diode:MSOP; Nombre de broches:10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:70V DIODE, TVS ESD, 3.3V, SLP1006P2; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:8V; Courant, impulsion crête:5A; Nombre de broches:2; Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 12V, ESD PROT, SLP1006P2; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Tension, bloquée max..:25V; Courant, impulsion crête:8A; Nombre de broches:2; Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, 3.3V, ESD/CDE SLP1006P2; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:5A; Nombre de broches:2; Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, TVS, DUAL, 3.3V, HI-SPD, 8SO; Tension, bloquée max..:18V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:3.3V DIODE, TVS, 5V, DUAL, BIDIR, 8SO; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS ESD, 8 CH, RS232-449,16SO; Tension, bloquée max..:26.6V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:16; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:12V DIODE, TVS ESD, 8 CH, 15V, 16SO; Tension, bloquée max..:33V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:16; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS, DUAL, BIDIR, 12V, SOT-23; Tension, bloquée max..:21.2V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:12V DIODE, TVS, BIDIR, 5V, 350W, SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, TVS, BIDIR, 24V, 350W, SOD323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Tension, bloquée max..:44V; Courant, impulsion crête:8A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, TVS, 2 UNI / 1 BID, 5V, SOT23; Tension, bloquée max..:9.8V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 2 UNI / 1 BI, 15V, SOT23; Tension, bloquée max..:24V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS, 2 UNI / 1 BI, 24V, SOT23; Tension, bloquée max..:43V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:24V DIODE, TVS, 2 UNI / 1 BI, 36V, SOT23; Tension, bloquée max..:60V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:36V DIODE, TVS, 4 CH, BIR, 5V, 300W, 8SO; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 4 CH, BI, 15V, 300W, 8SO; Tension, bloquée max..:30V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS, 4 CH, BI, 24V, 300W, 8SO; Tension, bloquée max..:55V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:24V DIODE, TVS, 4 CH, UNID, 5V, SOT23-6; Tension, bloquée max..:14.5V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, DUAL, UNID, 2.8V, SOT143; Tension, bloquée max..:8.5V; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:2.8V DIODE ARRAY, TVS, 3.3V, 75A, 8SOIC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 2A, 400V, SMB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 3A, 50V, SMB; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 4.3V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 18V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 30V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 2.4V, 0.2W, SOD323; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 30V, 0.2W, SOD323; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, SCHOTTKY, 2X12.5A, 45V, TO-220AB; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Type de boîtier diode:TO-220AB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 5A, 100V, IPAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-251; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) ALIMENTATION RAIL DIN DIODE48VDC/40A; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); A utiliser avec:Process Control Equipment & Industrial Applications; Type d'accessoire:DIN Rail Diode Module DIODE, SCHOTTKY, 30V, 0.2A, SOT416; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SC-75; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 100MA, SOD882; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 200MA, SOD523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:420mW; Tension, bloquée max..:27V; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD882; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12.5V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 36V, SOT23; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 47V, SOT23; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 56V, SOT23; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 62V, SOT23; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 33V, SOT23; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 43V, SOT23; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 11V, SOD123F; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 13V, SOD123F; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 20V, SOD123F; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 3V3V, SOD123F; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 4V7V, SOD123F; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.25W, 33V, SOT23; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 15B, SOD123F; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 24C, SOD123F; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V0B, SOD123F; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V3A, SOD123F; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 5V1B, SOD123F; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 5V6B, SOD123F; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 6V2B, SOD123F; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 18V, SOD323F; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 20V, SOD323F; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 2V4V, SOD323F; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HYPERFAST 10A 600V TO220F; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:71A; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HYPERFAST 8A 600V TO220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HYPERFAST 8A 600V TO220F; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 5A 600V TO220F; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:66A; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 2X15A, 100V, I2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:930mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 13V 500MW SOD123; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 16V 150MW SOD523; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 27V 200MW SOD323; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 2V 500MW SOD123; Tension, Vz:2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 2V 200MW SOD323; Tension, Vz:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 2V 150MW SOD523; Tension, Vz:2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD323; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DFN1006; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 51V 500MW SOD123; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.6V 150MW SOD523; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 8.2V 150MW SOD523; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.3V 200MW SOT-23; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 51V 350MW SOT-23; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.6V 200MW SOT-323; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.8V 200MW SOT-363; Tension, Vz:6.8V; Configuration diode:Double; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 20V 500MW SOD123; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 10V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 27V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 9.1V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 4A 200V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:27ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 5A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:70ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 5A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:21ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 6A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:3.1V; Temps trr max.:21ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 15A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 20A 45V ITO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 60A 45V TO-263AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 400V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 1000V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1.5A 600V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1.5A 1000V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 200V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 400V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 200V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1A 800V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 3A 600V SMPC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 15A TO-247; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 400V 60A TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:85ns; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 8A TO-220F; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 15A TO-220F; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 40V 1A SOT1608; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-1608; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 40V 0.5A SOT1608; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:590mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-1608; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, DIODE, 6-250V, FOR RXM; Type d'accessoire:Protection Module; A utiliser avec:Schneider RXZ Series Relay Sockets; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET, NP CH, 20V, W DIODE, SOT563F; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Configuration module:CÃ´té haut; Courant de drain continu Id, Canal N:600mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-600mA; Dissipation de puissance:220mW; Résistance On Rds(on), Canal N: MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, TSOP6; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2A; Dissipation de puissance:830mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.062ohm; Rési MOSFET, NP CH, W/DIODE, 40V, SO8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:10A; Courant de drain continu Id, Canal P:-9.2A; Dissipation de puissance:3.1W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.0145ohm; Résis DIODE, TVS, 5V, BIR, SIM, SLP2116P8; Nombre de broches:8; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS ESD, 15V, SLP1006P2; Tension, bloquée max..:30V; Nombre de broches:2; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS, QUAD, 2.5V, SLP1616P6; Tension, bloquée max..:13V; Nombre de broches:6; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:2.5V DIODE, TVS, DUAL, ETH/TE, SLP2626P10; Tension, bloquée max..:25V; Nombre de broches:10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:2.5V DIODE, TVS, DUAL, HI-SPD TEL, 16SOIC; Tension, bloquée max..:16V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:16; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:6V DIODE, TVS, DUAL, 6V, HI-SPD, 8SO; Tension, bloquée max..:20V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD DIODE, TVS, DUAL, BIDIR, 12V, SOT143; Tension, bloquée max..:26.6V; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:12V DIODE, TVS ESD, DUAL, 15V, 8SO; Tension, bloquée max..:30V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS ESD, 6 CH, 15V, 8SO; Tension, bloquée max..:33V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS, BIRDIR, 8 CH, 2.8V, 8SO; Tension, bloquée max..:17V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:2.8V DIODE, TVS, 2 UNI / 1 BI, 12V, SOT23; Tension, bloquée max..:19V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:12V DIODE, TVS, 4 CH, UNI, 5V, 300W, 8SO; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 7 CH, BI, 24V, 300W, 8SO; Tension, bloquée max..:43V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:24V DIODE, TVS, 6 CH UNIDIR, 5V, 8SOIC; Tension, bloquée max..:15V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:1.5V MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.1A; Courant de drain continu Id, Canal P:-7.4A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.028ohm; Résistan DIODE, ZENER, 3.6V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 8.2V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 10V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 12V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 24V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 27V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 39V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; cour DIODE ZENER SOD-80C; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:SOD-80C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Diode Type:Zener; Marquage, CMS:Bande jaune; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80C; Type de terminaison:CMS DIODE, EMI/ESD, 8 CHANNEL, SOT1168; Diode Type:Protection EMI et ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension de fonctionnement:5.6V; Type de boîtier diode:SOT1168-1; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, 0.6PF, SOT323; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:200mW; Tension, bloquée max..:20V; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:70V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:420mW; Tension, bloquée max..:19V; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523; Diode Type:Protection ESD; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523; Diode Type:Protection ESD; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, ULTRA LOW CAP, SOT457; Diode Type:Protection ESD; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 18V, SOT23; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 22V, SOT23; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 24V, SOT23; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 30V, SOT23; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 33V, SOT23; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 27V, SOT23; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 47V, SOT23; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 68V, SOT23; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 10V, SOD123F; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 16V, SOD123F; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 18V, SOD123F; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 22V, SOD123F; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 36V, SOD123F; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 3V0V, SOD123F; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 3V6V, SOD123F; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 43V, SOD123F; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 5V1V, SOD123F; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 6V2V, SOD123F; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.25W, 30V, SOT23; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 6V8B, SOD123F; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, SOD323F; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 11V, SOD323F; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 27V, SOD323F; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 2V7V, SOD323F; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V0V, SOD323F; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V3V, SOD323F; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 6V2V, SOD323F; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 6V8V, SOD323F; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 8V2V, SOD323F; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 2X5A 200V TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:55A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 5A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:66A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 9A 600V TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 12V 200MW SOD323; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 18V 200MW SOD323; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 27V 500MW SOD123; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 30V 200MW SOD323; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 39V 500MW SOD123; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.3V 150MW SOD523; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 4.3V 150MW SOD523; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.1V 250MW 2DFN; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DFN1006; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.1V 150MW SOD523; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.6V 200MW SOD323; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 36V 350MW SOT-23; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 43V 350MW SOT-23; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.2V 200MW SOT-323; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 15V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 6A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 8A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:19ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 15A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 30A 45V ITO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 60A 45V TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 200V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1.5A 200V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 3A 400V SMPC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 200V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1A 1000V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1.5A 600V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1A 400V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1A 600V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 1.1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:225A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; c DIODE SCHOTTKY 1.1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:225A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; c DIODE SCHOTTKY 5A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:1.9kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1.9kA DIODE 12A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:235A DIODE 12A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:10-32UNF-2A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:265A DIODE 16A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:310A DIODE 70A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.2kA DIODE ZENER 20W; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2A; Courant, test:2A; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.5kW; Polarité:Cathode filetée; Puissance, Ptot:20W; Taille du filetage:10-32UNF; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser DIODE DE REDRESSEMENT 600V 60A TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:80ns; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE 70A 1400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.46V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.25kA DIODE 12A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:265A DIODE ULTRA RAPIDE 1A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Poids:0.000068kg; Profondeur:2.83mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Tem DIODE ULTRA RAPIDE 1A 150V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Poids:0.000068kg; Profondeur:2.8 DIODE ULTRA RAPIDE 1A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Poids:0.000068kg; Profondeur:2.83mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Tem DIODE RAPIDE 1.0A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS DIODE RAPIDE 3.0A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:RS3 DIODE SMB 1.5A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:2A; Courant, If moy.:2A; Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:2mA; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:S2D; Po DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Marquage composant:SR110; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; co DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur cordon:25.4mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Poids:0.0003kg; DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur cordon:25.4mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Poids:0.0003k SUPPRESSION DIODE; Type d'accessoire:Suppression Diode; A utiliser avec:3RT, 3RH Contactors and Contactor Relays; Température de fonctionnement max..:60Â°C DIODE SCHOTTKY 3.3A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axia DIODE DE REDRESSEMENT 20V 0.5A SOT1608; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-1608; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 40V 1.5A SOT1608; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-1608; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, STANDARD, 15A, 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.5V; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:239A DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:MBR160TR; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:650mV; Type de boîtier:DO-41; Type de termi DIODE 25A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:356A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:314A PHOTODIODE; Courant, sortie:16mA; Sensor Output1:MÃ¢t totémique; Gamme de tension d'alimentation DC:4.5V 5.5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diode Type:Photodiode amplifiée; Irradiation, point de libération:10mW/cmË›; Irradiation, seuil max..:2.4mW/cmË›; Irradiation, seuil min.:0.25mW/cmË›; Largeur (externe):4.44mm; Longueur d'onde, crête:890.00nm; Longueur/hauteur:5.71mm; Nombre de broches:3; Profondeur:2.35mm; Sensibilité:2.4mW/cmË›; Temps de descente:25ns; Temps de montée:25ns; Température de fonc DIODE SCHOTTKY 3.3A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:450A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axia DIODE SCHOTTKY 8A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:2.4kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:2.4kA DIODE 40A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:500A DIODE 40A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:570A DIODE 40A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:500A DIODE 6A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:400A; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Marquage composant:60S4; Type de boîtier:60S DIODE 70A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.25kA DIODE 70A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.05kA DIODE TVS ESD DATA LINES UDFN10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:450W; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:450W DIODE TVS ESD DATA LINES UDFN10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension, bloquée max..:15.6V; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 3.3V 20A 4 CH UDFN10; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:11.5V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:UDFN; Nombre de broches:10; Dissipation de puissance Pd:300W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300W DIODE DE SUPPRESSION 15V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:64A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GEM; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profondeur DIODE DE SUPPRESSION 15V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:64A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GEM; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6.2 DIODE DE SUPPRESSION 12V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:LE; Polarité, directi DIODE DE SUPPRESSION 15V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité, directionnelle:Bidirection DIODE DE SUPPRESSION 24V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 32.6V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:14.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité, directionnelle:Bidirection DIODE DE SUPPRESSION 30V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:MK; Polarité, directi DIODE DE SUPPRESSION 30V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional DIODE DE SUPPRESSION 5.0V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:68A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:800è¾A; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; DIODE CMS 3A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, dire DIODE CMS 3A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température de fonctionnement max..:1 DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.8mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SR304; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de ter DIODE 100V 1A CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Polarité:Cathode; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance, Ptot:1.1W; Température de fonct DIODE SCHOTTKY 3A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; c DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE ULTRAFAST 2X15A 200V I2PAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:28ns; Courant, Ifs max.:160A; Type de boîtier diode:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD 6 CH PAS FIL SOT1167; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ESD UNID 15V 150W SOD882D; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V 18.4V; Tension, bloquée max..:40V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:150W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Dissipation de puissance:150W DIODE ESD 5V BIDIR 12PF SOD962; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:13.5V; Courant, impulsion crête:3A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:35W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:35W DIODE SCHO RECT 20V 0.5A SOD882D; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHO RECT 30V 0.5A SOD882D; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTT RECT 30V 2A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHO RECT 40V 0.2A SOD882D; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRA-RAPIDE DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE 85A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:1.7kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.7kA DIODE 25A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:356A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:314A DIODE 85A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:1.7kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.5kA DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ifrm:1A; Courant, Ir, max..:1A; Courant, direct, If:1mA; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur/hauteur:5.2m DIODE ULTRA RAPIDE 3A 150V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Poids:0.00025kg; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, DIODE ULTRA RAPIDE 3A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Poids:0.00025kg; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, DIODE SMC RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Poids:0.00025kg; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ. DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, Ir, max..:3mA; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Largeur (externe):5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Poids:0.00112kg; Profondeu DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, Ir, max..:3mA; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Largeur (externe):5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Poids:0.00112kg; Profo DIODE 1.0A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If moy.:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1mA; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:S1D; Poids:0.064g; Polarité:Cathode; Profondeur:1.58 DIODE SMB 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:2A; Courant, If moy.:2A; Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:2mA; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:S2J; Po DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur cordon:25.4mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Poids:0.000 DIODE ZENER 20W; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:200mA; Courant, test:2A; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.5kW; Polarité:Anode filetée; Puissance, Ptot:20W; Taille du filetage:10-32UNF; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser MOSFET, NP CH, 20V, W DIODE, SOT363; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-440mA; Dissipation de puissance:270mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.32 MOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30V, SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.98W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Dissipation de puissance:1.98W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.014ohm; Tension drain source Vds, Canal N:30V DIODE, TVS, DUAL, ESD, HIGH S, SC-75; Tension, bloquée max..:40V; Type de boîtier diode:SOT-523; Nombre de broches:3; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:15V DIODE, TVS, DUAL, ETH/TEL SLP2626P10; Tension, bloquée max..:25V; Nombre de broches:10; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:3.3V DIODE, TVS, QUAD, 2.8V, HI-SPD, 8SO; Tension, bloquée max..:15V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:2.8V DIODE, TVS, 5 CH, BIDIR, 5V, SC70; Tension, bloquée max..:12.5V; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, DUAL, UNID, 5V, SOT143; Tension, bloquée max..:20V; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, DUAL, UNI, ADSL, SOT-143; Tension, bloquée max..:7V; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD DIODE, TVS, QUAD, UNIDI, 3.3V, 8SOIC; Tension, bloquée max..:15V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:3.3V MOSFET, N CH, W DIODE, 20V, 4.2A, SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:780mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 2A, 200V, SMB; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 2A, 200V, SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 3A, 200V, SMC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 2.4V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 3.3V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 3.9V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 5.6V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 6V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 6.8V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 7.5V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 33V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 7.5V, 0.2W, SOD323; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 8A, SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.46W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 9.8A, SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.54W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIFIER, 40V, 1A, SOD123; Diode Type:Super Barrier; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, DUAL RECTI, 45V, 2X15A, TO263; Diode Type:Super Barrier; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:220A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, SCHOTTKY, LDO, 1A, 40V, SMB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY BOITIER SMA 40V 1.5A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Courant, Ir, max..:1A; Marquage, CMS:V1F; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:110Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Ty DIODE SCHOTTKY BOITIER SMB 30V 2A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:18mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:119Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîti DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 45V 20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:13mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Trave DIODE SCHOTTKY BOITIER SMC 60V 3A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:650A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:35mJ; Marquage, CMS:V3H; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:123Â°C; Température, Tj max..:100Â°C; DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 45V 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:20mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Travers DIODE, ESD PROTECTION, 4-LINE, LLP2510; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12.5V; Type de boîtier diode:LLP; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY BOITIER SMA 100V 1.5A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:780mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Marquage, CMS:1R1J; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:126Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 300V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15mA; Résistance thermique, jonction-carcasse:2Â°C/W; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminai DIODE ULTRA RAPIDE TO-220 300V 20A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:31ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.25V; DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 30V 60A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:1.5kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:60mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:13mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:560mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminai DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:110A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:3V; Type de boîtier:TO-220A DIODE DE REDRESSEMENT TO-220AC 600V 25A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:225A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:100A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83Â°C/W; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boî DIODE 12A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:235A DIODE.SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:2.15kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:9A; Courant, direct, If:9A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:2.15kA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vrrm:15V; Tension, Vf max..:700mV; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30mA; Marquage, CMS:87; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:340mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:70mA; Marquage, CMS:S2; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vrrm:4V; Tension, Vf max..:600mV; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30mA; Marquage, CMS:T2; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-143; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOD523; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:250mA; Courant, If Rd max..:250mA; Courant, Ir, max..:500mA; Marquage, CMS:6; Puissance, Ptot:500W; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOD-523; Type de DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-363; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:200mA; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:320mV; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE ZENER BOITIER SOT-163; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:SOT-163; Nombre de broches:20; Dissipation de puissance Pd:1.6W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.6W; Puissance, impulsionnelle crête:1.6W; Tension, isolement:5.25V; Type de boîtier:SO-20; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-457; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:5V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:75pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:Z8; Puissance, impulsionnelle crête:20W; Tension, isolement:5V; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-353; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:7V; Courant, impulsion crête:3.75A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:22pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:R3%; Puissance, impulsionnelle crête:6W; Tension, isolement:3V; Type de boîtier:SOT-353; Typ DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-353; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:6.51V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:18pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:R2%; Puissance, impulsionnelle crête:6W; Tension, isolement:4V; Type de boîtier:SOT-353; T DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:10V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9G; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:150ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:8.2V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9E; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:80ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DA; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DC; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DD; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DF; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DH; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T6; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T9; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DT; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DU; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DV; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T1; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:D9; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT23; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Marquage, CMS:Y5%; Puissance, Ptot:250mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE SUPPRESSION DOUBLE SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.7V 15.3V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:100pF; Capacité, Cd, typ. Vr:38pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:E3; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-65Â°C +1 DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.5V 27.5V; Tension, bloquée max..:27V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:50pF; Capacité, Cd, typ. Vr:23pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:N5; Puissance, impulsionnelle crête:160W; Température de foncti DIODE DE SUPPRESSION DOUBLE SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.5V 27.5V; Tension, bloquée max..:27V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:50pF; Capacité, Cd, typ. Vr:23pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:E5; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-65Â°C +15 DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOT-666; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.3V 5.9V; Tension, bloquée max..:5.6V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:28pF; Capacité, Cd, typ. Vr:22pF; Config. Brochage:4; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:E1; Puissance, impulsionnelle crête:25W; Quantité par bobine: DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOT-665; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.46V 7.14V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-665; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:19pF; Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Config. Brochage:3; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:A1; Puissance, impulsionnelle crête:30W; Quantité par bobine: DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOT-96; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-96; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:19pF; Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:5V0L6US; Puissance, impulsionnelle crête:35W; Quantité par bobine:6; Température de f DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:200pF; Capacité, Cd, typ. Vr:152pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:N2; Puissance, impulsionnelle crête:260W; Quantité par bobine:1; Température de fo DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:6A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:6A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:480mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:436nm; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:TO-5; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-25Â°C +75Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:35pF; Diamètre, extérieur:8.1mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850.00nm; Longueur/hauteur:3.1mm; NEP:3.3x10; Pas:5.1mm; Résistance, shunt:100Mohm; Sensibilité:0.21A/W; Surface active:5mmË›; Temps de montée:9ns; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:TO-5 plat; Type de terminaison:Broch PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:436nm; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:TO-5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-25Â°C +75Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:80pF; Diamètre, extérieur:8.1mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850.00nm; Longueur/hauteur:3.1mm; NEP:5.5x10; Pas:5.1mm; Sensibilité:0.21A/W; Surface active:15mmË›; Temps de montée:12ns; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:TO-5 plat; Type de terminaison:Broches radiales DIODE, SWITCHING, SOT23; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:85V; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +155Â°C; Type de boîtier diode:SC-75; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SWITCHING, 250V, 0.25A, SOT323; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:250V; Courant, If moy.:225mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-55Â°C +155Â°C; Type de boîtier diode:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 100MA, SOD882; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-65Â°C +155Â°C; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, EMI/ESD, 6 CHANNEL, SOT1167; Diode Type:Protection EMI et ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension de fonctionnement:5.6V; Type de boîtier diode:SOT1167-1; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:360mW; Tension, bloquée max..:27V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12V; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD882; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12V; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:360mW; Tension, bloquée max..:19V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD523; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12.5V; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD882; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:9V; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD882; Diode Type:Protection ESD; Type de boîtier diode:SOD-882D; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 20V, SOT23; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 27V, SOT23; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 68V, SOT23; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 75V, SOT23; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 16V, SOT23; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 18V, SOT23; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 22V, SOT23; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 24V, SOT23; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 30V, SOT23; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 36V, SOT23; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 51V, SOT23; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 62V, SOT23; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 2V7V, SOD123F; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 33V, SOD123F; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 39V, SOD123F; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 3V9V, SOD123F; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 47V, SOD123F; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 5V6V, SOD123F; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 62V, SOD123F; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 75V, SOD123F; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 7V5V, SOD123F; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 9V1V, SOD123F; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.25W, 18V, SOT23; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.25W, 24V, SOT23; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 11C, SOD123F; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 18C, SOD123F; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 27C, SOD123F; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V9B, SOD123F; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 9V1B, SOD123F; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, SOD323F; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 10V, SOD323F; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 13V, SOD323F; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 15V, SOD323F; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 4V3V, SOD323F; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 5V1V, SOD323F; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 7V5V, SOD323F; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HYPERFAST 10A 600V TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:2.5V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:71A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HYPERFAST 5A 500V TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:44A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE HYPERFAST 55A 500V TO220F; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:500V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:44A; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 5A 600V D2PAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:66A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 9A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE SUPPRESSION 22V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 29.8V; Tension, bloquée max..:39.4V; Courant, impulsion crête:39A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GEW; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profondeur DIODE DE SUPPRESSION 5.0V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.3V; Tension, bloquée max..:9.6V; Courant, impulsion crête:164A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GDD; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6 DIODE DE SUPPRESSION 9.0V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:102A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:10è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GDV; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6.2 DIODE DE SUPPRESSION 15V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:LM; Polarité, direc DIODE DE SUPPRESSION 5.0V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:68A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:800è¾A; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:KE; Polarité, directio DIODE CMS 1.0A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité:Cathode; Profondeur:2.83mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier DIODE CMS 1.0A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité:Cathode; Profondeur:2.83mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîti DIODE CMS 1.5A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.73mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direc DIODE CMS 1.5A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.73mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, dir DIODE CMS 3A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température de fonctionnement max..:1 DIODE SCHOTTKY 3A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.8mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.8mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SR503; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de te DIODE 12A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:10-32UNF-2A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:265A DIODE 12A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:265A DIODE 240A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:320A; Tension, Vf max..:1.33V; Courant, Ifs max.:4.7kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-9; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode to Stud; Taille du filetage:3/4''-16UNF-2A; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-9; courant Ifsm:4.5kA DIODE 40A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:475A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:380A DIODE 8A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:5A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 1.5A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Courant, Ir, max..:1A; Largeur, bande:12mm; Marquage, CMS:IR1J; Quantité par bobine:7500; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:110Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de DIODE SCHOTTKY 18A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:18A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:18A; Courant, direct, If:18A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.8kA DIODE SCHOTTKY 19A 15V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:19A; Tension, Vf max..:360mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:19A; Courant, direct, If:19A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:700A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:119Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; coura DIODE SCHOTTKY 2X15A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:1.02kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:920A DIODE SCHOTTKY 2X15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:1.02kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.02kA DIODE SCHOTTKY 2X15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, Ifrm:45A; Courant, Ir, max..:2mA; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:127Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifs DIODE SCHOTTKY 2X20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:810mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY 2X20A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:3.5kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:3.2kA DIODE SCHOTTKY 2X3.3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:490A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:3A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:122Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:49 DIODE SCHOTTKY 2X30A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:2.9kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:2.9kA DIODE SCHOTTKY 2X40A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:810mV; Courant, Ifs max.:7kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:D-61; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:40A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:15J; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:D-61-8; courant Ifsm:7kA DIODE SCHOTTKY 2X6A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, direct, If:6A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:320A DIODE SCHOTTKY 2X6A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, Ir, max..:3mA; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:134Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:550A DIODE SCHOTTKY 5.5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:320A DIODE DE REDRESSEMENT 15A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:60A; Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Tr DIODE DE REDRESSEMENT 15A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:60A; Temps trr min.:19ns; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE DE REDRESSEMENT 8A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:24A; Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:60A DIODE ULTRA RAPIDE 2X8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension, direct If:9 MODULE THYRISTOR/DIODE 40A; Tension Vdrm:600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:60mA; Courant, It moy:40A; Courant Itsm (50Hz):385A; Courant max. - Tenu (lh):130mA; Tension, Vgt:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Itsm:385A; Courant, sortie:40A; Entraxe de fixation:49.5mm; Largeur (externe):64mm; Longueur/hauteur:14mm; Profondeur:32mm; Température, Tc:85Â°C; Tension, Vrrm:60 DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant DIODE DOUBLE BOITIER SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:50mA; Courant, direct, If:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A4; Profondeur:2.5mm; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj ma DIODE ZENER 20V 500MW SOD123; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 24V 500MW SOD123; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 33V 200MW SOD323; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 36V 500MW SOD123; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 36V 200MW SOD323; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3V 150MW SOD523; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.6V 150MW SOD523; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.6V 250MW 2DFN; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DFN1006; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 12V 500MW SOD123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 12V 500MW SOD123; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 14V 500MW SOD123; Tension, Vz:14V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 15V 200MW SOD323; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 16V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 33V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.6V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.8V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 5A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 2X4A 200V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:27ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 8A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-263AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 800V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:120ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 600V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 3A 600V SMPC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité CAPTEUR DE TEMP. Â‚ DIODE THERMIQUE CMS; Température de fonctionnement:0Â°C +85Â°C; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:0.5mA; Numéro générique:32; Racine de la référence:32; Température de fonctionnement max..:85Â°C; Température d'utilisation min:0Â°C; Tension, alimentation c.c. max..:3.6V; Tension, alimentation c.c. min.:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de boîtier:TSSOP; Type de termi DIODE AVALANCHE 1A 400V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1.5A 200V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1.5A 400V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 4A TO-252; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 45V 12A DO-201AD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY BOITIER SMB 100V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:9.7mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:124Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boî DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 45V 12A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:690A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:12A; Courant, direct, If:6A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:8mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversan DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 15V 20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:19A; Courant, direct, If:19A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:10mJ; Température, Tj max..:120Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant I DIODE SCHOTTKY BOITIER SMC 40V 3A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:650A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:35mJ; Marquage, CMS:IR3F; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:112Â°C; Température, Tj max..:150Â°C DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 30V 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:900A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:30A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:13mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traver DIODE DE REDRESSEMENT TO-220AC 1200V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.3V; Temps trr max.:95ns; Courant, Ifs max.:130A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:32A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7Â°C/W; Temps trr min.:28ns; Temps, trr typ.:95ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 45V 16A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:16mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-247AC 45V 40A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:590mV; Courant, Ifs max.:1.02kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.02kA DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 200V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15mA; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.5Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boî DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:190ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:120ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boît DIODE ULTRA RAPIDE TO-220 200V 20A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:26ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.05V; DIODE ULTRA RAPIDE TO-220 300V 30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:36ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:33ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.25V; DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 100V 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:860mV; Courant, Ifs max.:1.06kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:30mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:7.5mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant I DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 150V 60A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:880mV; Courant, Ifs max.:710A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:60mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0.4mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifs DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 300V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8mA; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.5Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminais DIODE ULTRA RAPIDE TO-220FP 600V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:18ns; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Style de boîtier alternatif:TO-220FP; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, d DIODE ULTRA RAPIDE TO-220FP 600V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:110A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Style de boîtier alternatif:TO-220FP; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, di DIODE DE REDRESSEMENT TO-220AC 1200V 6A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:3V; Temps trr max.:26ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:24A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2Â°C/W; Temps, trr typ.:80ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:3V; Type de boîtier:TO-2 DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Courant, Ifs max.:200mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:120mA; Marquage, CMS:45; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:200mA; Marquage, CMS:F; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:320mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:70mA; Marquage, CMS:G; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOD323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:9A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If Rd max..:250mA; Courant, Ifrm:625mA; Marquage, CMS:A7; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:200V; Type de boîtier:SOD-3 DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Anode; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Anode; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOD323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If Rd max..:200mA; Courant, Ir, max..:500mA; Marquage, CMS:D4; Puissance, Ptot:250W; Style de boîtier alternatif:SC-76; Temps, trr typ.:0.8è¾s; Température, Tj max..:15 DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOD523; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:300V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:250mA; Courant, If Rd max..:250mA; Courant, Ir, max..:1A; Marquage, CMS:L4; Puissance, Ptot:500W; Temps, trr typ.:16ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:300V; Type de b DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Anode; Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-80; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:200mA; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:1A; Tension, Vrrm:20V; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-457; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:28V; Courant, impulsion crête:700mA; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:720mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:48pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:720mW; Marquage, CMS:Z0; Puissance, impulsionnelle crête:19.6W; Tension, isolement:15V; Type de boîtier:SOT-457; DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-353; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:7V; Courant, impulsion crête:3.75A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:240pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:Z1%; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Tension, isolement:3V; Type de boîtier:SOT-353; T DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-353; Tension, bloquée max..:7V; Courant, impulsion crête:3.75A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:125pF; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS; Marquage, CMS:M1%; Puissance, impulsionnelle crête:16W; Tension, isolement:3V; Type de boîtier:SOT-353; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-353; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:7.14V; Courant, impulsion crête:2.6A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:180pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:Z3%; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Tension, isolement:4.3V; Type de boîtier:SOT-35 DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:11V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9H; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:150ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:15V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9L; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:200ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:3.6V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:95; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:600ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:4.3V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:97; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:600ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:5.1V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:99; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:480ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:6.2V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9B; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:150ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:7.5V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9D; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:80ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:9.1V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9F; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:100ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T2; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DB; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DE; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DG; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T3; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T5; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:D6; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DW; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:D7; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:D8; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT23; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Marquage, CMS:Y3%; Puissance, Ptot:250mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V 18.4V; Tension, bloquée max..:18V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:70pF; Capacité, Cd, typ. Vr:32pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:N4; Puissance, impulsionnelle crête:160W; Température de foncti DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.8V 6.9V; Tension, bloquée max..:6.4V; Courant, impulsion crête:18A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:95pF; Capacité, Cd, typ. Vr:101pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AB; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Style de boîtier alter DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.2V 6V; Tension, bloquée max..:5.6V; Courant, impulsion crête:18A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:300pF; Capacité, Cd, typ. Vr:207pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:N1; Puissance, impulsionnelle crête:330W; Quantité par bobine:1; Température de fo DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOT-505; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:7.2V 7.9V; Tension, bloquée max..:7.6V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-505; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:10pF; Capacité, Cd, typ. Vr:8pF; Config. Brochage:7; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:5V07B; Puissance, impulsionnelle crête:35W; Température de fonction DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOT-96; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:7.2V 7.9V; Tension, bloquée max..:7.6V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:SOT-96; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:10pF; Capacité, Cd, typ. Vr:8pF; Config. Brochage:7; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:5V0L7BS; Puissance, impulsionnelle crête:35W; Température de fonction DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-523; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.5V 9.5V; Tension, bloquée max..:14V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:45pF; Capacité, Cd, typ. Vr:35pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:L7; Puissance, impulsionnelle crête:130W; Température de fonctionnem DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:525mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:560mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:640mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE 10A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE 10A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200A DIODE 20A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE 40A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:475A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:380A DIODE 60A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:950A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:60A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:950A DIODE SCHOTTKY 1.5A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Courant, Ir, max..:1A; Marquage, CMS:IR1H; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:110Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant If DIODE SCHOTTKY 2X10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, Ir, max..:500mA; Poids:0.00144kg; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:133Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type DIODE SCHOTTKY 2X15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:760mV; Courant, Ifs max.:1.02kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.02kA DIODE SCHOTTKY 2X15A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:3.5kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:2.95kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:810mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:1mA; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:135Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY 3.5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:535A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:535A DIODE SCHOTTKY 3A 15V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:650A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:1A; Marquage, CMS:IR3C; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:78Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:650A DIODE SCHOTTKY 8A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:850A DIODE ULTRA RAPIDE 20A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:95ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:160ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:700V; Tension, direct If:1. DIODE ULTRA RAPIDE 2X3A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:6A; Polarité:Common Cathode; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:D-PAK; DIODE DOUBLE BOITIER SOT-24; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:150mA; Courant, direct, If:150mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A1; Profondeur:2.5mm; Temps, trr typ.:4ns; Température, DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 37A; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:37A; Tension, Vf max..:1.6V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:300A; Courant, direct, If:37A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de boîtier diode:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 11A; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:11A; Tension, Vf max..:2.6V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:75A; Courant, direct, If:12A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Temps trr max.:50ns; Temps, trr typ.:50ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de boîtier diode:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:75A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2X30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AD; Nombre de broches:3; Courant, direct, If:37A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.4V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2X30A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.6V; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, Ifs max.:300A; Courant, direct, If:30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:25Â°C; Tension, direct If:1.4V; Type de boîtier:SOT-227B; DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2X60A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:2.3V; Configuration diode:Double; Configuration module:Double; Courant, Ifs max.:500A; Courant, direct, If:60A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:25Â°C; Tension, direct If:1.8V; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaison: v DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:1mA; Courant, sortie max.:3A; Diamètre de la broche:0.8mm; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):15.9mm; Longueur cordon:19.1mm; Longueur/hauteur:5mm; Profondeur:15.9mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:750mV; Tension, entrée:420V; Type de boîtier: DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 30.7V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:LZ; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 38.3V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:MK; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 9.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.5V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:97.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GDV; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 48V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 61.3V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GFX; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:60 DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 6.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.67V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:145.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:10A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:BDG; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600 DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 28V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:42.2A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:BEX; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; S DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:50mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:500ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:35mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:300ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C10 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:4ohm; Style de boîtier alternatif:DO-2 DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C12 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:7ohm; Style de boîtier alternatif:DO-2 DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C18 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO- DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C33 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO- DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 120V; Tension, Vz:120V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:250ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 270V; Tension, Vz:270V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:1000ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3.25W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:100mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:100mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C8V2; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:2ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C10; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:4ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C12; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:7ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:50mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Marquage composant:BZT03-C13; Marquage, CMS:BZT03C12; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:10ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C15; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:10ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C20; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C27; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C30; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 39V; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C39; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:40ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 56V; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C56; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:60ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 68V; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C68; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:80ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C75; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:100ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 100V; Tension, Vz:100V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C100; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:200ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 120V; Tension, Vz:120V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C120; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:250ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 14A; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:14A; Tension, Vf max..:1.7V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:100A; Courant, direct, If:14A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de boîtier diode:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2X123A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:123A; Tension, Vf max..:1.1V; Configuration diode:Double; Configuration module:Double; Courant, Ifs max.:1.2kA; Courant, direct, If:120A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:25Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminais DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2X96A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:96A; Tension, Vf max..:1.25V; Configuration diode:Double; Configuration module:Double; Courant, Ifs max.:1.2kA; Courant, direct, If:100A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:4; Style de boîtier alternatif:MINIBLOC; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:25Â°C; Tension, direct If:1.17V; Type de boîtier:SOT-227B; Type de boîtier diode:SOT-227B; Type de terminaiso DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:200ns; Courant, Ifs max.:500A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; cou DIODE ULTRA RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminais DIODE ULTRA RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-201AD; Type d DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-50Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-50Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:70ns; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:70ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:250A DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:KE; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 7.5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.58V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:46.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:KP; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:60 DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 15.3V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:75.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GEE; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:60 DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 19.2V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:61.5A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GEM; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:60 DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 19.2V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:BM; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Sty DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 9.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.5V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:97.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:BDV; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; S DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 42.2V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.1A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:BFM; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 48V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 61.3V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:19.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:BFX; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:80mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:400ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:60mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:500ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:200ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 56V; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, test:10mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:60ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 100V; Tension, Vz:100V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C100 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:200ohm; Style de boîtier alternatif:D DIODE ZENER 3.25W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C9V1; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:4ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C16; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 22V; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C22; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C24; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C33; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C36; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:40ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C43; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:45ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 51V; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C51; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:60ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 82V; Tension, Vz:82V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C82; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:100ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 130V; Tension, Vz:130V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C130; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:300ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 180V; Tension, Vz:180V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C180; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:400ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 200V; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C200; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:500ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales MODULE THYRISTOR/DIODE 30A 800V; Tension Vdrm:800V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant Itsm (50Hz):320A; Courant max. - Tenu (lh):150mA; Tension, Vgt:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:9; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:G25; Configuration module:Pont redresseur monophasé + diode de protection; Courant, Itsm:320A; Courant, sortie:30A; Diamètre, trous de fixation:5.3mm; Entraxe de fixatio MODULE THYRISTOR/DIODE 30A 1200V; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant Itsm (50Hz):320A; Courant max. - Tenu (lh):150mA; Tension, Vgt:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:G25; Configuration module:Pont redresseur monophasé + diode de protection; Courant, Itsm:320A; Courant, sortie:30A; Diamètre, trous de fixation:5.3mm; Entraxe de fixation:48mm; Largeur (externe):63mm; Longueur/hauteur:25.3mm; Prof DIODE DE REDRESSEMENT 20V 1.5A SOT1608; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-1608; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:3A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:400mA; Courant, If, Vf:400mA; Courant, direct, If:400mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:BD; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:250mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direc DIODE SCHOTTKY FAIBLE PERTE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:700mA; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:3ns; Courant, Ifs max.:13A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:1.14A; Courant, If, Vf:750mA; Courant, direct, If:700mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L05; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:3ns; Température, Tj max..:150Â°C; Ty DIODE SCHOTTKY FAIBLE PERTE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.16A; Tension, Vf max..:560mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:22A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1.16A; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L10; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:625mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tensi DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L43; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:SOT-23; Typ DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:425mV; Temps trr max.:12ns; Courant, Ifs max.:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:ZS1; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:12ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension Vr max..:40V; Tension, direct If:425mV; Type de boîtier:SOT-23; Type DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:630mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:S56; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:330mW; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:630mV; Type de boîtier:SOT-23; T DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L44; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, d DIODE SMB RAPIDE 2A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â° DIODE SMC RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):8.13mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Te DIODE 1A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.74mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GB; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE 6A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Marquage composant:GI750; Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant I DIODE 6A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Marquage composant:GI754; Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant DIODE 6A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE SCHOTTKY 7.5A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:7.5A; Courant, Ifrm:15A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Style de boîtier alternatif:TO-263; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; cou DIODE 6A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE RAPIDE 1.0A 600V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150 DIODE SMB RAPIDE 1.5A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1.5mA; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj ma DIODE RAPIDE 3.0A 800V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:2.5A; Largeur (externe):8.13mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:500ns; Temp DIODE SMC 3A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2.5A; Largeur (externe):8.13mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj m DIODE SCHOTTKY 1.5A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:445mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:445mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:BE; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:BZ; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 32.6V; Tension, bloquée max..:43V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:BY; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; P DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:CK; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:MM; Polarité, directionnelle:Unidirection DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:110Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broch DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Bro DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Bro DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de term DIODE DE REDRESSEMENT 2X5A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:18A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:175A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Profondeur:15.88mm; Temps, trr typ.:30ns; Températu DIODE SMA RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; DIODE HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:360mA; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:16A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ifrm:15A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:175Â°C; Tension , Vrwm:180V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches a DIODE ULTRA RAPIDE 1A 150V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:15ns; DIODE ULTRA RAPIDE 16A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:16A; Courant, direct, If:16A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Profondeur:15.88mm; Style de boîtier alternatif:TO-263; Temps DIODE 1A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.76mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GD; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE 1A 800V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.74mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GK; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE SCHOTTKY 8A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Marquage composant:MBRD835L; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE MINIMELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, Ifrm:450è¾A; Diamètre, extérieur:1.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max..:175Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:MiniMELF; Type de DIODE QUADRO-MELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:8ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, Ifrm:450è¾A; Largeur (externe):1.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.5mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Profondeur:3.7mm; Puissance, Ptot:500mW; Température, Tj max.. DIODE RAPIDE 1.0A 400V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150 DIODE SCHOTTKY 2X10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Marquage composant:MBRF20100CT; Style de boîtier alternatif:TO-220FP; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE SMB RAPIDE 1.5A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1.5mA; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj ma DIODE SMB RAPIDE 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1.5mA; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:250ns; Température, Tj ma DIODE 1.0A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Marquage, CMS:SB; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s DIODE 1.0A 400V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Marquage, CMS:SG; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s DIODE SMB 1.5A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SB360; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; co DIODE SCHOTTKY 5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:220A DIODE DE RECOUVREMENT 3.5A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison: DIODE SCHOTTKY 1.5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:445mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:445mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:BM; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:13.7A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:BT; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 40.7V; Tension, bloquée max..:53.5V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:CH; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE SCHOTTKY 0.5A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:385mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:500mA; Marquage, CMS:B2; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 0.5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:500mA; Marquage, CMS:B4; Température, Tc:110Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:5.5A DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:395mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Marquage, CMS:1BL3; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:120Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:395mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:43.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:AE; Polarité, directionnelle:Unidirectionne DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LM; Polarité, directionnelle:Unidirection DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LZ; Polarité, directionnelle:Unidirection DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:740mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Marquage, CMS:B36; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:100Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:740mV; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:125A DIODE SCHOTTKY 35V 2X5A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Marquage, CMS:B4030; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:90Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:MK; Polarité, directionnelle:Unidirection DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:KE; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3 16.3V; Tension, bloquée max..:22V; Courant, impulsion crête:68.2A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur: DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:2mA; Marquage, CMS:B34; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY 10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:MBR1060; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:MBR10100; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:61.5A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/haute DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:38.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/haute DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.1A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/haute DIODE SMA RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; DIODE ZENER 5W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:320mA; Courant, test:320mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5335BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:260mA; Courant, test:260mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5337BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:125mA; Courant, test:125mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5347BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:100mA; Courant, test:100mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5349BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:75mA; Courant, test:75mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5353BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Marquage composant:MBR1100RL; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 2X10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:MBR2060CT; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE ZENER 5W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5361BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:40mA; Courant, test:40mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5364BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 43V; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:30mA; Courant, test:30mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5367BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 120V; Tension, Vz:120V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5380BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 160V; Tension, Vz:160V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:8mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5384BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 200V; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5388BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Marquage, CMS:B1C; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:120Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE RAPIDE SOD-123; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Haute tension; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Marquage, CMS:51; Puissance, Ptot:225mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE 3A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Marquage composant:1N5408RL; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 2X10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Marquage composant:MBRB20100CT; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:200ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Marquage, CMS:B360; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:125Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 45V 2X20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:40A; Style de boîtier alternatif:TO-218; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOT-93; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:400A DIODE ULTRA RAPIDE 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.75V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:35A DIODE SCHOTTKY 16A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:16A; Courant, direct, If:16A; Marquage composant:MBR1645; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:20A; Marquage composant:MBR1045; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Marquage composant:1N5819RL; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE ULTRA RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Marquage composant:MURS160T3; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison: DIODE ULTRA RAPIDE 8A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Marquage composant:MUR820; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA RAPIDE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:890mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Marquage composant:MURS320T3; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMC (DO-214AB); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE ZENER 5W 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:290mA; Courant, test:290mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5336BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:240mA; Courant, test:240mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5338BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:150mA; Courant, test:150mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5344BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:150mA; Courant, test:150mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5346BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 22V; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5358BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5359BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 25V; Tension, Vz:25V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5360BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:30mA; Courant, test:30mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5365BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 62V; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5372BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 150V; Tension, Vz:150V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:8mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5383BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE FILETEE 25A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:375A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M6; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:E8; Type de boîtier diode:E8; courant Ifsm:375A DIODE 6A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison: DIODE RECOUVREMENT RAPIDE 3A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Typ DIODE DE SUPPRESSION 500W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 30.7V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:12.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; DIODE DE SUPPRESSION 1500W 160V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:136V; Gamme de tension de claquage:152V 162V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6300A; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1500W 16V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Gamme de tension de claquage:15.2V 16.8V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:67A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6276CA; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1500W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6284CA; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1500W 400V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Puissance:1.5kW; Puissance, Ptot:5W; Puis DIODE FILETEE 50A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:700A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:E12; Type de boîtier diode:E12; courant Ifsm:700A DIODE FILETEE 165A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:165A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2.5kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M12; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E14; Type de boîtier diode:E14; courant Ifsm:2.5kA DIODE FILETEE 25A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:375A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M6; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:E8; Type de boîtier diode:E8; courant Ifsm:375A DIODE FILETEE 50A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:50A; Tension, Vf max..:1.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:700A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:E12; Type de boîtier diode:E12; courant Ifsm:700A DIODE FILETEE 95A 400V; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.15kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E12; Type de boîtier diode:E12; courant Ifsm:1.15kA DIODE FILETEE 320A 400V; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:320A; Tension, Vf max..:1.4V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:6kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M16; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.4V; Type de boîtier:E15; Type de boîtier diode:E15; courant Ifsm:6kA DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE DE SUPPRESSION 500W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 38.3V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; DIODE DE SUPPRESSION 1500W 6.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.5V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6267A; Puissance: DIODE DE SUPPRESSION 1500W 27V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6281A; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6282A; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 500W 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; Puiss DIODE DE SUPPRESSION 500W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 15.3V; Tension, bloquée max..:19.2V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; Pu DIODE DE SUPPRESSION 500W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; Pu DIODE DE SUPPRESSION 1500W 6.8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6267CA; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6277CA; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:49A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6279CA; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1500W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6283CA; Puissance:1.5k DIODE, TVS, UNID, 1CH, 30KV, SOD882; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Tension, bloquée max..:12V; Courant, impulsion crête:7A; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE, TVS, ESD, 1KR, 5V, SLP1006P3T; Nombre de broches:3; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, DUAL, SPEAKER, 5V, SC89; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, ESD/EMI, BIDIR, 5V, SLP1510N6; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection EMI et ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, QUAD, 5V, SLP1616P6; Tension, bloquée max..:25V; Nombre de broches:6; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 12V, ESD PROT, SLP1006P2; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Tension, bloquée max..:28.5V; Courant, impulsion crête:7A; Nombre de broches:2; Configuration diode:Bidirectionnel DIODE, TVS, 12V, DUAL, BIDIR, 8SO; Tension, bloquée max..:24V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:12V DIODE, TVS, DUAL, BIRDIR, 5V, SOT23; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS ESD, UNIDIR, 2.8V, SOT23; Tension, bloquée max..:15V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Tension de fonctionnement:2.8V DIODE, TVS, ASY, RS485, 7/12V, SOT23; Tension, bloquée max..:26V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD DIODE, TVS, 6 CH, BIR, 5V, 300W, 8SO; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 4 CH, UNI, 5V, 200W, 8SO; Tension, bloquée max..:12.5V; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:5; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, 4 CH, UNID, 12V, SOT23-6; Tension, bloquée max..:23V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:12V DIODE, TVS, 5 UN / 2 BI, 5V, SOT23-6; Tension, bloquée max..:14.5V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5V DIODE, TVS, DUAL, UNI, 3.3V, SOT-143; Tension, bloquée max..:15V; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:3.3V DIODE, TVS, QUAD, UNIDIR, 5V, 8SOIC; Tension, bloquée max..:20V; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Diode Type:Faible capacité / Protection ESD; Tension de fonctionnement:1.5V MOSFET, NP CH, W DIODE, 20V, SOT363; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:540mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-430mA; Résistance On Rds(on), Canal N:0.4ohm; R MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECT, S FAST, 1A, 400V, SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 2A, 50V, SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 2A, 100V, SMB; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, RECTIF, S FAST, 2A, 100V, SMA; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 6.2V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 9.1V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 11V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 13V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 16V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 20V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 28V, 0.5W, SOD123; Tension, Vz:28V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE, ZENER, 3.3V, 0.2W, SOD323; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:1.9kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1.9kA DIODE, SCHOTTKY, 2X15A, 120V, I2PAK; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Type de boîtier diode:I2-PAK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, HIGH SPEED SWITCHING, SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, DUAL, SOT23; Diode Type:Commutation; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 100V, 0.25A, SOD123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:2.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +155Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 200MA, SOD523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, EMI/ESD, 4 CHANNEL, SOT1166; Diode Type:Protection EMI et ESD; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension de fonctionnement:5.6V; Type de boîtier diode:SOT1166-1; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, HDMI INTERFACE, SOT886; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V; Type de boîtier diode:SOT-886; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD323; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:11V; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOT323; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:13V; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ESD, LOW CAPACITANCE, SOD882; Diode Type:Protection ESD; Tension, bloquée max..:12.5V; Type de boîtier diode:SOD-882; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 16V, SOT23; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 39V, SOT23; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 43V, SOT23; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 51V, SOT23; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 20V, SOT23; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 39V, SOT23; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.300W, 56V, SOT23; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 12V, SOD123F; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 15V, SOD123F; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 24V, SOD123F; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 27V, SOD123F; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, V4V, SOD123F; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 30V, SOD123F; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 4V3V, SOD123F; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 51V, SOD123F; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 56V, SOD123F; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.375W, 68V, SOD123F; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.25W, 22V, SOT23; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.25W, 27V, SOD323F; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 16C, SOD123F; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 20C, SOD123F; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V6B, SOD123F; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 4V3B, SOD123F; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 4V7B, SOD123F; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 12V, SOD323F; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 16V, SOD323F; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 22V, SOD323F; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 24V, SOD323F; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 30V, SOD323F; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V6V, SOD323F; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 3V9V, SOD323F; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 4V7V, SOD323F; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 9V1V, SOD323F; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 5A 600V TO220AC; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:66A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ULTRAFAST 9A 600V D2PAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, SCHOTTKY, 10A, 1700V, SIC, TO-247; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.7kV; Tension, Vf max..:2V; Courant, Ifs max.:55A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2 DIODE, SCHOTTKY, 25A, 1700V, SIC, TO-247; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.7kV; Tension, Vf max..:2.5V; Courant, Ifs max.:117A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2 DIODE ZENER 10V 200MW SOD323; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 24V 200MW SOD323; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 30V 500MW SOD123; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.9V 150MW SOD523; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 27V 350MW SOT-23; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 39V 350MW SOT-323; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 33V 500MW SOD123; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 10V 500MW SOD123; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 24V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 39V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5.1V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 6.2V 1.0W POWERDI 123; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PowerDI 123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT 6A 600V DPAK; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:70ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE REDRESSEMENT 2X5A 200V DPAK; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:27ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 10A 45V TO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 10A 45V ITO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE SCHOTTKY 60A 45V ITO-220AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:ITO-220AB; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 600V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1.5A 400V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1.5A 800V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 3A 200V SMPC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE AVALANCHE 1A 600V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1.5A 800V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1.5A 1000V SMP; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:1.5è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 1A 1000V SMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-220AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE AVALANCHE 3A 200V SMPC; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:140ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-277A; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE INFRA ROUGE; Longueur d'onde, crête:880nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:700ns; Temps de descente:700ns; Angle, vision:20Â°; Gamme de tension d'alimentation:1.9V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:20Â°; Courant, direct, If:100mA; Courant, direct, If:100mA; Dissipation de puissance:7mW; Dissipation de puissance Pd:7mW; Longueur d'onde typ.:880nm; Pas:2.54mm; Temps, t off:0.6ns; Te DIODE DOUBLE ROUGERESS 600V 60A TO-3P; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:90ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-3P; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DOUBLE ROUGERESS 600V 60A TO3PF; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:90ns; Courant, Ifs max.:180A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-3PF; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 30A TO-247; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.6V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 60A TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:80ns; Courant, Ifs max.:600A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 600V 8A TO-220; Diode Type:Ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.4V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE 16A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:350A DIODE 40A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:500A DIODE 40A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:595A DIODE 70A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.05kA DIODE 85A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:1.7kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.7kA DIODE SCHOTTKY 1.1A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1.1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:VS-11DQ09; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:DO-41; Type de DIODE DE REDRESSEMENT 20V 1A SOT1608; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:415mV; Courant, Ifs max.:5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-1608; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE 12A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:235A DIODE 25A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:356A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:900mV; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:314A DIODE 40A 1600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +160Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:160Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:500A DIODE SCHOTTKY 3.3A 90V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:210A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axia DIODE 85A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:1.7kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.7kA DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ifrm:1A; Courant, Ir, max..:1A; Courant, direct, If:1mA; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, Ir, max..:3mA; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Largeur (externe):5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Poids:0.00112kg; Profo DIODE RAPIDE 1.0A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS DIODE 1.0A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If moy.:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1mA; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:S1B; Poids:0.064g; Polarité:Cathode; Profondeur:1.58 DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur cordon:25.4mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Poids:0.0003k DIODE SCHOTTKY 1.1A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:560mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; c DIODE ZENER SOT-23; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier diode:SOT-23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Diode Type:Zener; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y15; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:250mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RESEAU PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:930nm; Courant d'obscurité:3è¾A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Courant de court-circuit:450è¾A; Diode Type:Photodiode planaire; Longueur d'onde, crête:930.00nm; Surface active:76.76mmË›; Tension, circuit ouvert:0.4V; Type de boîtier:Rectangulaire DIODE SCHOTTKY 1.1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:11DQ06; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:560mV; Type de boîtier:DO-41; Type de ter DIODE SCHOTTKY 1.1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.1A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:90A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; DIODE SCHOTTKY 3.3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:450A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axia DIODE 16A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:350A DIODE 16A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:370A DIODE 40A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:595A DIODE 40A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:40A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:570A; Température de fonctionnement:-65Â°C +190Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF-2A; Température, Tj max..:190Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:570A DIODE 70A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.05kA DIODE 70A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.25kA DIODE 70A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:70A; Tension, Vf max..:1.35V; Courant, Ifs max.:1.2kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.05kA DIODE 85A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:1.7kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.5kA DIODE 85A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:85A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:1.7kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-5; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:1/4''-28UNF; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-5; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.5kA DIODE ZENER 20W; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2A; Courant, test:2A; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.5kW; Polarité:Cathode filetée; Puissance, Ptot:20W; Taille du filetage:10-32UNF; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser DIODE TVS 1500W 400V; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:37A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:390pF; Coefficient de température:11.0ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diam DIODE TVS 1500W 6.8V; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:746A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:9500pF; Coefficient de température:5.7ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:1A; Marquage composant:1N5818; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:3A; Marquage composant:1N5822; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:525mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:100mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:1mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D96; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; DIODE SCHOTTKY PETITS SIGNAUX; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:450mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Marquage composant:BAT43; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:DO-35; Type de terminais DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D86; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:SOT-23; Type DIODE TVS DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:510pF; Coefficient de température:9.8ppm/Â°C; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Style de boîtier RESEAU DE DIODES TVS DOUBLE 14.2VBD; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.2V 15.8V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:90pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage composant:ESDA14V2L; Marquage, CMS:EL15; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température RESEAU DE DIODES TVS QUAD 6.1VBD; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.25V; Gamme de tension de claquage:6.1V 7.2V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:190pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:20è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage composant:ESDA6V1SC6; Marquage, CMS:ES61; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température DIODE TVS SMC 1500W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:59V; Courant, impulsion crête:169A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissanc DIODE TVS SMB 600W CMS 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:27.2V; Courant, impulsion crête:147A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissanc DIODE TVS SMB 600W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:123A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:53.5V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1075pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:ER; Polarité, directionnelle:U DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:59V; Courant, impulsion crête:68A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de p DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 39V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:69.7V; Courant, impulsion crête:57A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de pu DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1325pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage, C DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 28V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:32.7V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:510pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 5.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:174A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3500pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:10mA; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissanc DIODE TVS SMB 62V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:56V; Gamme de tension de claquage:62V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:20pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:30A; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:U01; Style de DIODE SCHOTTKY 2X60A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:900A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:125A; Courant, If, Vf:60A; Courant, direct, If:60A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:900A DIODE SCHOTTKY 2X80A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:1kA; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:125A; Courant, If, Vf:80A; Courant, direct, If:80A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1kA DIODE SCHOTTKY 2X10A 25V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Marquage composant:STPS340U; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE ULTRA RAPIDE 2X8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.6V; Temps trr max.:13ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:14A; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ifrm:80A; Courant, direct, If:8A; Temps, trr typ.:13ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:600V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; c DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Température, Tc:25Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A PONT DE DIODES TVS; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.25V; Gamme de tension de claquage:6V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:15pF; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage composant:USB6B1; Marquage, CMS:USB6; Normes:MIL STD 883C - Méthode 3015-6 & IEC-1000-4-2 niveau 4; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Températur DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Double; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, direct, If:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A7; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Temps, trr typ.:6 DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Puissance, Ptot:2.5W; Résistance thermique, jonction-carcasse:50Â°C/W; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-50Â°C; DIODE TRES RAPIDE DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HS; Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tensi DIODE TRES RAPIDE LL-34; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Conductance élevée; Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Courant, test:10mA; Marquage, CMS:BLACK/BROWN; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type DIODE FAIBLE SIGNAL DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Commutation haute fréquence; Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:10mA; Courant, direct, If:10mA; Marquage composant:1N914; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tensio DIODE CMS 1.0A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.28mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:1M; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct DIODE CMS 1.0A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.28mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:1G; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct DIODE 2A 1000V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Largeur (externe):5.45mm; Longueur/hauteur:2.43mm; Marquage, CMS:2M; Profondeur:3.58mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.15V; Type de DIODE DE RECOUVREMENT 30A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:60A; Temps, trr typ.:65ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:3.2V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE TVS SMB 600W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ30A; Marquage, CMS:MK; Polarité, directionnel DIODE TVS SMB 600W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ36A; Marquage, CMS:MP; Polarité, directionnelle DIODE TVS SMC 1500W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:38.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage composant:SMCJ24A; Marquage, CMS:GEZ; Polarité, directionnelle:Unidirec DIODE ZENER 1.3W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:15mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C18; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 22V; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C22; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C24; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:8mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C33; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:35mA; Courant, test:35mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C7V5; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C8V2; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C9V1; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 350MW 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y6; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z3; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z7; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 100V; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:11A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite in DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 100V; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:11A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inv DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 120V; Tension , Vrwm:102V; Gamme de tension de claquage:114V 126V; Tension, bloquée max..:165V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:47A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm; DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 18V; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:4300pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06 DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 22V; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:254A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:3700pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06m DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 250V; Tension , Vrwm:213V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:23A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:560pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:5A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inve DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 440V; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:603V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:360pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:3.5A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 56V; Tension , Vrwm:47.8V; Gamme de tension de claquage:53.2V 58.8V; Tension, bloquée max..:77V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1800pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:19.5A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuit DIODE DE SUPPRESSION 600W 13V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V; Tension, bloquée max..:27.2V; Courant, impulsion crête:147A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; DIODE DE SUPPRESSION 5KW 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.6V; Tension, bloquée max..:35V; Courant, impulsion crête:186A; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:13500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:500A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6. DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2300pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; DIODE DE SUPPRESSION 600W 150V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dis DIODE DE SUPPRESSION 600W 27V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; DIODE DE SUPPRESSION 600W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1075pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de pu DIODE DE SUPPRESSION 600W 39V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puiss DIODE DE SUPPRESSION 600W 47V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:9.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:800pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; DIODE DE SUPPRESSION 600W 6.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:298A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:27.2V; Courant, impulsion crête:71A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:5000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, im DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 200V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:353V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:675pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:53.5V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, im DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 39V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:69.7V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2400pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, impu DIODE DE SUPPRESSION 600W 200V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:353V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 600W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:33.2V; Courant, impulsion crête:18A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1250pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:24V; Tension, bloquée max.. 8/20us:42.8V DIODE DE SUPPRESSION 600W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:64.3V; Courant, impulsion crête:62A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW DIODE DE SUPPRESSION 600W 68V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:68V; Tension, bloquée max.. 8/20us:121V; T DIODE DE SUPPRESSION 600W 100V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:100V; Gamme de tension de claquage:117V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:450pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:CBQ; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:157A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2025pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BE; Polarité, directionnelle DIODE DE SUPPRESSION 600W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:21.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBH; Polarité, directionn DIODE DE SUPPRESSION 600W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:28.1V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1112pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBJ; Polarité, directionn DIODE DE SUPPRESSION 600W 28V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:32.7V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:68A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BUL; Polarité, direction DIODE DE SUPPRESSION 600W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:38.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBN; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 48V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:56.1V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBW; Polarité, directionn DIODE DE SUPPRESSION 600W 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.74V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBZ; Polarité, directi DIODE DE SUPPRESSION 600W 58V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:67.8V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBO; Polarité, directionn DIODE DE SUPPRESSION SMB 200V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:180V; Gamme de tension de claquage:200V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:30pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Diode Type DIODE DE SUPPRESSION SMB 230V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:207V; Gamme de tension de claquage:230V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:30pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Diode Type DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 15A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:7.5A; Courant, direct, If:7.5A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:480mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:8A; Courant, direct, If:1A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE SCHOTTKY 30A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 30A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE ULTRA RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:970mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:1è¾A; Marquage, CMS:U12; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Tension, direct If:970mV; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type d DIODE ULTRA RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:80ns; Courant, Ifs max.:20A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:1è¾A; Marquage, CMS:BL6; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:145Â°C; Tension, direct If:1 DIODE ULTRA RAPIDE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:130A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:3è¾A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:107Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:13 DIODE ULTRA RAPIDE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:55A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:3è¾A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tc If:80Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:80Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-201AD; Ty DIODE ULTRA RAPIDE 8A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:120A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:200è¾A; Temps, trr typ.:105ns; Température, Tc If:150Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-22 DIODE ULTRA RAPIDE 8A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K, 2A; Courant, Ir, max..:30è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Tension, direct If:2.9V; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:80A DIODE 25A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:356A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:356A DIODE SCHOTTKY 5A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:1.9kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1.9kA DIODE ULTRA RAPIDE 3A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Poids:0.00025kg; Profondeur:6.22mm; DIODE RAPIDE 1.0A 50V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:RS1A; Poids:0.000068kg; Profondeur:1.58mm; Styl DIODE RAPIDE 1.0A 400V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS DIODE RAPIDE 1.0A 600V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:250ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS DIODE RAPIDE 3.0A 800V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:3A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, direct, If:3A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:RS3 DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:50è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur cordon:25.4mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Poids:0.0003k DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Largeur (externe):2.7mm; Longueur cordon:25.4mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Poids:0.000 DIODE 25A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.3V; Courant, Ifs max.:356A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Anode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:373A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:9A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:2.15kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:9A; Courant, direct, If:9A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:2.15kA DIODE SCHOTTKY 8A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:2.4kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AR; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-204AR; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:2.4kA DIODE ULTRA RAPIDE 2X8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:21ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:6è¾A; Temps, trr typ.:21ns; Température, Tc If:110Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:110Â°C; Tension, direct If:1.1V; DIODE ULTRA RAPIDE 5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:95ns; Courant, Ifs max.:90A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:65ns; Température, Tc If:135Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:135Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220FP; Typ DIODE TVS 1500W 33V; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:305A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:2700pF; Coefficient de température:9.8ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; DIODE TVS 1500W 47V; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.3V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:214A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:2050pF; Coefficient de température:10.1ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; DIODE TVS 1500W 62V; Tension , Vrwm:53V; Gamme de tension de claquage:58.9V 65.1V; Tension, bloquée max..:85V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:162A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:1700pF; Coefficient de température:10.4ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Dia DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:410mV; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D76; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:330mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D95; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:330mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:2mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:DA5; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant DIODE SCHOTTKY PETITS SIGNAUX; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Marquage composant:BAT42; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:DO-35; Type de terminais DIODE SCHOTTKY SOD-232; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Marquage, CMS:D86; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE TVS DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1200pF; Coefficient de température:8.4ppm/Â°C; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Style de boîtie DIODE TVS DO-15; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3500pF; Coefficient de température:5.7ppm/Â°C; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Style de boîtier RESEAU DE DIODES TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Dissipation de puissance Pd:730mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:2è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:730mW; Marquage, CMS:DA108S; Puissance, impulsionnelle crête:730mW; Tension de claquage:18V; Tension, Vf max..:1.2V; Tension, Vrrm:18V; Tension, implusion crête:9kV; T RESEAU DE DIODES TVS DOUBLE 6.1VBD; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.25V; Gamme de tension de claquage:6.1V 7.2V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:300mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:140pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:20è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:300mW; Marquage composant:ESDA6V1L; Ma DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 100V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:178V; Courant, impulsion crête:56A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de pu DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:64.3V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2500pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:BEV; Polarité, directionnelle:Bidi DIODE TVS SMC 1500W 6.8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9500pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir, max..:10mA; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:BDE; Polarité, directionnelle:Bidirectio DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:123A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation d DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:59V; Courant, impulsion crête:13.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:MT; Polarité, directionnelle:Bidire DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:64.3V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:MV; Polarité, directionnelle:Bidirec DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 39V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:69.7V; Courant, impulsion crête:57A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puiss DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 6.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:298A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:10mA; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipati DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:35.1V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:480pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:38.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:450pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.74V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:174A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:400W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:400W; Largeur (externe):2.9mm; DIODE TVS SMB 120V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:108V; Gamme de tension de claquage:120V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:30A; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:U17; Style DIODE SCHOTTKY 2X10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 2X10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:STPS20H100CT; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 2X10A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:STPS20L60CT; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 2X120A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:120A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:1.5kA; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:170A; Courant, If, Vf:120A; Courant, direct, If:120A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:1.5kA DIODE SCHOTTKY 2X15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 8A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Marquage composant:STPS8H100D; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Double; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:150mA; Courant, direct, If:150mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A1; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Temps, trr t DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:180V; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, direct, If:200mA; Courant, test:200mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A13; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminai DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:180V; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, direct, If:200mA; Courant, test:200mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A14; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminai DIODE TRES RAPIDE DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Commutation haute fréquence; Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:300mA; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type DIODE HAUTE TENSION SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Haute tension; Configuration diode:Une; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, direct, If:100mA; Courant, test:100mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:B82; Profondeur:2.5mm; Puissance, P DIODE ULTRA RAPIDE; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:75A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:85ns; Courant, Ifs max.:500A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:3.2V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE FAIBLE FUITE DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:125V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:500mA; Courant, If, Vf:10mA; Diamètre, extérieur:1.88mm; Longueur/hauteur:3.8mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches DIODE FAIBLE FUITE DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:150V; Tension, Vf max..:1.15V; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:300mA; Diamètre, extérieur:1.88mm; Longueur/hauteur:3.8mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE CMS 1.0A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.28mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:1A; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier DIODE CMS 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):2.62mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:3M; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct DIODE DE RECOUVREMENT 80A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:85ns; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:160A; Temps, trr typ.:85ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:800A DIODE DE RECOUVREMENT 8A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:16A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE COMMUTEUR SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Une; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, direct, If:50mA; Courant, test:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A6; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350m DIODE ZENER 1.3W 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:8mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C27; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:80mA; Courant, test:80mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C3V3; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:35mA; Courant, test:35mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C6V2; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 350MW 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z1; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z5; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 200V; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:675pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre de la DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 22V; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:254A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3700pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:49A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Cou DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 30V; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.5V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2900pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:36A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Cour DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 33V; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2700pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:33A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Cour DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 350V; Tension , Vrwm:299V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:430pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:4A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inve DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 36V; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:2500pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 440V; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:603V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:13A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:360pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:3.5A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite in DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 6.8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:746A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9500pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre de la broche:1.06mm; Diamètre du corps:5.3mm; D DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 75V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6.4V; Gamme de tension de claquage:71.3V 78.8V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:14.6A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre de la broche:1.06mm; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Diss DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 7.5V; Tension , Vrwm:6.4V; Gamme de tension de claquage:7.13V 7.88V; Tension, bloquée max..:11.3V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:690A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:8500pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:132A; Courant, Ir Vbr mesure min.:10mA; Courant, Ir, max..:500è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:500è¾ DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 82V; Tension , Vrwm:70.1V; Gamme de tension de claquage:77.9V 86.1V; Tension, bloquée max..:113V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:69A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1350pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:13.3A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuit DIODE DE SUPPRESSION 600W 5.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:298A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Longueur/hauteur DIODE DE SUPPRESSION 5KW 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V; Tension, bloquée max..:51V; Courant, impulsion crête:127A; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:8500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:500A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5 DIODE DE SUPPRESSION 600W 150V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissanc DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Courant, impulsion crête:147A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de pui DIODE DE SUPPRESSION 600W 200V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissan DIODE DE SUPPRESSION 600W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de pu DIODE DE SUPPRESSION 600W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puiss DIODE DE SUPPRESSION 600W 39V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Courant, impulsion crête:11.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; D DIODE DE SUPPRESSION 600W 400V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:360pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dis DIODE DE SUPPRESSION 600W 440V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:776V; Courant, impulsion crête:5.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissan DIODE DE SUPPRESSION 600W 68V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissa DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 100V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:178V; Courant, impulsion crête:56A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 220V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:388V; Courant, impulsion crête:4.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, impul DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:39.3V; Courant, impulsion crête:49A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3700pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, im DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:64.3V; Courant, impulsion crête:156A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.3W; Longueur/hau DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 68V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:83A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1550pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 6.8V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:746A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Marquage, CMS:MDE; Polarité, directionnelle:Unidir DIODE DE SUPPRESSION 600W 100V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:178V; Courant, impulsion crête:22.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 600W 10V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:18.6V; Courant, impulsion crête:215A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2800pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:10è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5 DIODE DE SUPPRESSION 600W 10V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:18.6V; Courant, impulsion crête:41A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2800pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:10V; Tension, bloquée max.. 8/20us:18.6V; DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2300pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:12V; Tension, bloquée max.. 8/20us:21.7V DIODE DE SUPPRESSION 600W 150V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:265V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; P DIODE DE SUPPRESSION 600W 150V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:150V; Tension, bloquée max.. 8/20us:265V; T DIODE DE SUPPRESSION 600W 220V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Courant, impulsion crête:2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:330pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:220V; Tension, bloquée max.. 8/20us:388V; Ten PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:436nm; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:TO-18; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-25Â°C +75Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:7pF; Diamètre, extérieur:4.7mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:850.00nm; Longueur/hauteur:5.1mm; NEP:2.5x10; Pas:2.54mm; Résistance, shunt:250Mohm; Sensibilité:0.21A/W; Surface active:1mmË›; Temps de montée:7ns; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:TO-18; Type de terminaison:Broches PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:550nm; Courant d'obscurité:3nA; Type de boîtier diode:Metal Can; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-25Â°C +75Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:80pF; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:550.00nm; NEP:5.2x10; Résistance, shunt:5Mohm; Sensibilité:22nA/Lux; Surface active:15mmË›; Temps de montée:12ns; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:Large TO-5; Type de terminaison:Broches radiales PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:900nm; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-55Â°C +120Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:8pF; Diamètre, extérieur:4.68mm; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:900.00nm; Longueur/hauteur:3.67mm; NEP:6.8x10; Sensibilité:0.35A/W; Surface active:0.55mmË›; Temps de montée:1ns; Tension Vr max..:30V; Type de boîtier:TO-46; Type de terminaison:Broches radiales DIODE DE SUPPRESSION 600W 130V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:130V; Gamme de tension de claquage:152V; Tension, bloquée max..:209V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBS; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 13V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:15.2V; Tension, bloquée max..:209V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBF; Polarité, directionn DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS: DIODE DE SUPPRESSION 600W 170V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:170V; Gamme de tension de claquage:199V; Tension, bloquée max..:275V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:CBM; Polarité, directio DIODE DE SUPPRESSION 600W 20V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:20V; Gamme de tension de claquage:23.4V; Tension, bloquée max..:32.4V; Courant, impulsion crête:93A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1250pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBI; Polarité, directionnel DIODE DE SUPPRESSION 600W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:25.7V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:16.9A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:CBH; Polarité, directi DIODE DE SUPPRESSION 600W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:28.1V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1112pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBJ; Polarité, directi DIODE DE SUPPRESSION 600W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:35.1V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BUM; Polarité, directio DIODE DE SUPPRESSION 600W 6V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:7.05V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:290A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3850pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BUA; Polarité, directi DIODE DE SUPPRESSION 600W 6V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:7.05V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:290A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3850pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBA; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 6.5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.5V; Gamme de tension de claquage:7.58V; Tension, bloquée max..:11.2V; Courant, impulsion crête:276A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:500è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBB; Polarité, dir DIODE DE SUPPRESSION 600W 8.5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:8.5V; Tension, bloquée max..:14.4V; Courant, impulsion crête:205A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2800pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBC; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:3.56 DIODE DE SUPPRESSION 1500W 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9500pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, fuite inverse, max..:500è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CM DIODE DE SUPPRESSION 1500W 6V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.7V; Tension, bloquée max..:13.7V; Courant, impulsion crête:730A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1500W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:9000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1500 DIODE DE SUPPRESSION SMB 35V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:32V; Gamme de tension de claquage:35V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:50è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:60A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:7A; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE SCHOTTKY 20A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:770mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 25A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:12.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:12.5A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 30A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:230A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:230A DIODE SCHOTTKY 3A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:15A; Courant, direct, If:3A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:820mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:3A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 40A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:800mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 40A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE ULTRA RAPIDE 5A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:95ns; Courant, Ifs max.:110A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:65ns; Température, Tc If:50Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:50Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-201AD; T DIODE DE PROTECTION A1+; Type d'accessoire:Protection Diode; A utiliser avec:PT 78 722, PT 78 742, PT 78 720, PT 78 730, PT 78 740 DIN-rail Sockets; Contact Type:A1+, A2-; Largeur (externe):13mm; Longueur/hauteur:23mm; Profondeur:9mm; Série:PT; Type:Diode DIODE ULTRA RAPIDE 2X5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tc If:135Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:135Â°C; Tension, direct If:1.1V; T DIODE ULTRA RAPIDE 2X15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:17ns; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Temps, trr typ.:17ns; Température, Tc If:155Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:155Â°C; Tension, direct If:1 DIODE ULTRA RAPIDE 2X15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:17ns; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Temps, trr typ.:17ns; Température, Tc If:155Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:155Â°C; Tension, direct If:1.0 DIODE SCHOTTKY 15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE 2A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de terminaison:CMS DIODE 150A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:150A; Tension, Vf max..:1.47V; Courant, Ifs max.:3kA; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Type de boîtier diode:DO-8; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Stud Cathode; Taille du filetage:3/8''-24UNF-2A; Température, Tj max..:180Â°C; Type de boîtier:DO-8; courant Ifsm:3.14kA DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:680mV; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:MBR1100TR; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:680mV; Type de boîtier:DO-41; Type de te DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:730mV; Courant, Ifs max.:460A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:MBR360; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:730mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de t DIODE INFRA ROUGE; Longueur d'onde, crête:890nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:500ns; Temps de descente:250ns; Angle, vision:120Â°; Gamme de tension d'alimentation:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Pas:2.54mm; Temps, t off:0.25è¾s; Temps, t on:0.5è¾s DIODE INFRA ROUGE; Longueur d'onde, crête:890nm; Courant, If moy.:100mA; Temps de montée:500ns; Temps de descente:250ns; Angle, vision:50Â°; Gamme de tension d'alimentation:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C; Type de boîtier diode:TO-46; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Pas:2.54mm; Temps, t off:0.25è¾s; Temps, t on:0.5è¾s DIODE RAPIDE 10A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.55V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-220; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:10A; Poids:2g; Température, Tc If:115Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE DE SUPPRESSION 33V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:29A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GFM; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6.2 DIODE DE SUPPRESSION 6.0V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:152A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GDG; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeu DIODE DE SUPPRESSION 12V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional DIODE DE SUPPRESSION 24V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 32.6V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:14.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:LY; Polarité, direc DIODE DE SUPPRESSION 7.5V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:48A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:100è¾A; Courant, fuite inverse, max..:100è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Marquage, CMS:KP; Polarité, DIODE DE SUPPRESSION 7.5V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.21V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:48A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:100è¾A; Courant, fuite inverse, max..:100è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité, directionnelle:Bidire DIODE CMS 1.0A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.61mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.73mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température de fonctionnement max..:150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîti DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:SR104; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminais DIODE SCHOTTKY 3A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.8mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SR305; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de ter DIODE CMS 100V 0.2A; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:500mA; Courant, Ifrm:500mA; Diamètre, extérieur:1.6mm; Largeur (externe):1.6mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Marquage, CMS:CATHODE BAND; Poids:0.00012kg; Profondeur:3.7mm; Puissance, Pt DIODE 50V 1A CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Polarité:Cathode; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance, Ptot:1.1W; Température de fonctio DIODE DE SUPPRESSION 12V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:79A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GEE; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6.2 DIODE DE SUPPRESSION 33V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:29A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GFM; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profondeur DIODE DE SUPPRESSION 48V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GFX; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profondeur DIODE DE SUPPRESSION 48V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V 58.9V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GFX; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6.2 DIODE DE SUPPRESSION 6.0V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:152A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GDG; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profon DIODE CMS 3A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température de fonctionnement max..:1 DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:SR103; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminais DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.8mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SR306; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de ter DIODE SCHOTTKY 5A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.8mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Marquage composant:SR506; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de te DIODE 400V 1A CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Polarité:Cathode; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance, Ptot:1.1W; Température de fonct DIODE 1000V 1A CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Polarité:Cathode; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance, Ptot:1.1W; Température de fonct DIODE SCHOTTKY 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant DIODE SCHOTTKY 3A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE 0.5A BOITIER 0805; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:25nA; Largeur (externe):1.45mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:0.95mm; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:0805; Ty DIODE ULTRA RAPIDE SMA; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:70ns; Courant, Ifs max.:10A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:1mA; Courant, If, Vf:1A; Marquage, CMS:HL6; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA (DO-214AC); Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SMB 15V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:5mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:78Â°C; Température, Tj max..:100Â°C; Type de boîtier: DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 60V 40A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:13mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Travers DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 45V 10A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:1.06kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.06kA DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 45V 7.5A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:690A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:7.5mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:690A DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 200V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8mA; Résistance thermique, jonction-carcasse:3Â°C/W; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier: DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 45V 15A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:990A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:16mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:560mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; DIODE ULTRA RAPIDE TO-220FP 600V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:190ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Style de boîtier alternatif:TO-220FP; Temps, trr typ.:220ns; Température, Tj max..:175Â°C; Ten DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:18ns; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaiso DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 60V 15A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:810A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1kA DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:30A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaiso DIODE ULTRA RAPIDE TO-220AC 600V 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:175A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Temps, trr typ.:100ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier DIODE DE REDRESSEMENT TO-220AC 600V 4A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:42ns; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:16A; Résistance thermique, jonction-carcasse:5Â°C/W; Temps, trr typ.:42ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.8V; Type de boîtier:TO DIODE SCHOTTKY BOITIER SMA 20V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:310A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:3mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:136Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type DIODE SCHOTTKY BOITIER SMB 100V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:870A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:6mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:147Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de ter DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:200mA; Marquage, CMS:G1; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:360mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:200mA; Marquage, CMS:G3; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:300mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-143; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-143; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOD523; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If Rd max..:200mA; Courant, Ir, max..:500mA; Marquage, CMS:S1; Puissance, Ptot:250W; Temps, trr typ.:0.6è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:75V; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; cour DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-457; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:9V; Courant, impulsion crête:2.66A; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:720mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:200pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:100mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:720mW; Marquage, CMS:Z2; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Tension, isolement:4V; Type de boîtier:SOT-457; Typ DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-353; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:6.51V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:200pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:Z2%; Puissance, impulsionnelle crête:24W; Tension, isolement:4V; Type de boîtier:SOT-353; DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-665; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:5.88V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:SOT-665; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:22pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:V3; Puissance, impulsionnelle crête:6W; Tension, isolement:3V; Type de boîtier:SOT-665; Ty DIODE ZENER QUAD. BOITIER SOT-665; TVS Polarity:Unidirectional; Tension, bloquée max..:6.51V; Courant, impulsion crête:2.1A; Type de boîtier diode:SOT-665; Nombre de broches:5; Dissipation de puissance Pd:335mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:18pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:200mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:335mW; Marquage, CMS:V2; Puissance, impulsionnelle crête:6W; Tension, isolement:4V; Type de boîtier:SOT-665; Ty DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:12V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9J; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:150ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:2.4V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:91; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:600ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:3.3V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:94; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:600ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:5.6V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:9A; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:400ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD80; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DJ; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T4; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DL; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DP; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:43V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DR; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DS; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T0; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:D0; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT23; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Marquage, CMS:Y7%; Puissance, Ptot:250mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.2V 16.7V; Tension, bloquée max..:15.9V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:13pF; Capacité, Cd, typ. Vr:19pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AD; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Style de boîtier alter DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.1V 20.3V; Tension, bloquée max..:18.9V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:11pF; Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AE; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Style de boîtier alter DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:25.4V 30.3V; Tension, bloquée max..:27.8V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:9pF; Capacité, Cd, typ. Vr:11pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AF; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Style de boîtier altern DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:7V 8.2V; Tension, bloquée max..:7.6V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:65pF; Capacité, Cd, typ. Vr:75pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:AC; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Quantité par bobine:1; Style de boîtier alterna DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:460mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:10V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:9A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:500mA; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:525mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:9A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-457; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:17.5A; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:650mV; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:17.5A DIODE 0.35A 0603; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5 ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:25nA; Largeur (externe):1.0mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:0.85mm; Puissance, Ptot:350mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Tension DIODE 0.5A BOITIER 1206; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:25nA; Largeur (externe):1.7mm; Longueur/hauteur:3.4mm; Profondeur:0.95mm; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:200Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; T DIODE 12A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.26V; Courant, Ifs max.:265A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:10-32UNF; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-4; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:265A DIODE SCHOTTKY 10A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:1.05kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.05kA DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:1.05kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.05kA DIODE SCHOTTKY 18A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:18A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:18A; Courant, direct, If:18A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.8kA DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:106Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:430A DIODE SCHOTTKY 20A 15V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:19A; Courant, direct, If:19A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:133Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; c DIODE SCHOTTKY 2X20A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:3.5kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:40A; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:3.5kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:1.24kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, Ir, max..:3mA; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:116Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1.24kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:3.2kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.02kA DIODE SCHOTTKY 2X3.3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:3A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:122Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50 DIODE SCHOTTKY 2X3.5A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:535A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:7A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:535A DIODE SCHOTTKY 2X6A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, direct, If:6A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 2X6A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, direct, If:6A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm: DIODE SCHOTTKY 3.5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3.5A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:500A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:2A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:790A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Marquage composant:IR36; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:790A DIODE SCHOTTKY 8A 80V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:80V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE ULTRA RAPIDE 10A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.33V; Temps trr max.:80ns; Courant, Ifs max.:160A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Temps, trr typ.:310ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.33V; Type de boîtier:TO-220AC; Type DIODE ULTRA RAPIDE 20A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.31V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Temps, trr typ.:400ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; co DIODE ULTRA RAPIDE 20A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Temps, trr typ.:160ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:700V; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de t DIODE ULTRA RAPIDE 30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.41V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Temps, trr typ.:450ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Tension, direct If:1.41V; Type de boîtier:TO-247AC; Type DIODE ULTRA RAPIDE 30A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.41V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:350A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Temps, trr typ.:450ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.1kV; Tension, direct If:1.41V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Trav DIODE ULTRA RAPIDE 2X10A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:16A; Courant, direct, If:10A; Polarité:Common Cathode; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:- MODULE THYRISTOR/DIODE 40A; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:60mA; Courant, It moy:40A; Courant Itsm (50Hz):385A; Courant max. - Tenu (lh):130mA; Tension, Vgt:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Itsm:385A; Courant, sortie:40A; Entraxe de fixation:49.5mm; Largeur (externe):64mm; Longueur/hauteur:14mm; Profondeur:32mm; Température, Tc:85Â°C; Tension, Vrrm:1 DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L43; Profondeur:2.5mm; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier DIODE SCHOTTKY BOITIER SMB 40V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:100mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:18mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:112Â°C; Température, Tj max..:100Â°C; Type de boîtie DIODE SCHOTTKY BOITIER SMB 60V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:100è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:11mJ; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:103Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtie DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 45V 20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:1.8kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:27mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-50Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 3A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 15.3V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:LE; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 28V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:42.2A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GEX; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 7.5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:7.5V; Gamme de tension de claquage:8.33V 9.58V; Tension, bloquée max..:12.9V; Courant, impulsion crête:46.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:AP; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 30.7V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:15.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:BZ; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; S DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 38.3V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:CK; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; S DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 5.0V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:10A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:BDE; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; S DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:60mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:500ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:45mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:600ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:45mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:500ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:200ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C20 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO- DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C24 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO- DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C30 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO- DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 150V; Tension, Vz:150V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:300ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf DIODE ZENER 3.25W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:100mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:100mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C7V5; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:2ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C18; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:15ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 47V; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C47; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:45ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 91V; Tension, Vz:91V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C91; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:200ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 160V; Tension, Vz:160V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C160; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:350ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 220V; Tension, Vz:220V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:3.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.157mm; Marquage composant:BZT03-C220; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:750ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DE REDRESSEMENT TO-220 600V 16A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:24A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.75Â°C/W; Temps trr min.:18ns; Temps, trr typ.:55ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, d DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220AC 35V 10A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:1.06kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.06kA DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 45V 15A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:690A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:7.5A; Courant, Ifrm:20A; Courant, direct, If:7.5A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Largeur (externe):10.54mm; Longue DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 45V 30A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:1.06kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:30mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0mJ; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:820mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminai DIODE ULTRA RAPIDE TO-220 200V 20A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:16A; Courant, direct, If:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.5Â°C/W; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tempé DIODE ULTRA RAPIDE TO-220FP 600V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.2V; Temps trr max.:51ns; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Style de boîtier alternatif:TO-220FP; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tensio DIODE ULTRA RAPIDE TO-220FP 600V 15A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:18ns; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0Â°C/W; Style de boîtier alternatif:TO-220FP; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type d DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 150V 20A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:830mV; Courant, Ifs max.:1.03kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:20mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:2.45mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant DIODE SCHOTTKY BOITIER TO-220 100V 60A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:1.5kA; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:60mA; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:11.25mJ; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connexion commune:Anode; Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L42; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direc DIODE SCHOTTKY BOITIER SMA 40V 1A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:120A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:118Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, If, Vf:500mA; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vrrm:15V; Tension, Vf max..:700mV; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:30mA; Marquage, CMS:85; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:340mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vrrm:15V; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Anode; Courant, If, Vf:30mA; Marquage, CMS:86; Tension, direct If:340mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-416; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:1mA; Marquage, CMS:45; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-416; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:200mA; Marquage, CMS:S0; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:300mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:120mA; Marquage, CMS:T; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOD323; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:250mA; Courant, If Rd max..:250mA; Courant, Ir, max..:500mA; Marquage, CMS:A6; Puissance, Ptot:400W; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..: DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:120mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:120mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:380mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-323; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-363; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:100mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double; Courant, If, Vf:70mA; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Triple; Courant, If, Vf:200mA; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:320mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:500mA; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-666; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:1A; Tension, Vrrm:20V; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:8A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:8A DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:3V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:93; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:600ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:3.9V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:96; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:600ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT-663; Tension, Vz:4.7V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:425mW; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Marquage, CMS:98; Puissance, Ptot:425mW; Résistance, Rz:500ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER BOITIER SOD80; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:250mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Puissance, Ptot:500mW; Tolérance:2%; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DK; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DM; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DN; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T7; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:T8; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:D5; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOD-323; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Marquage, CMS:DX; Puissance, Ptot:300mW; Style de boîtier alternatif:SC-76; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT23; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Marquage, CMS:Y8%; Puissance, Ptot:250mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5% BOITIER SOT23; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:250mW; Marquage, CMS:%T5; Puissance, Ptot:250mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-523; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14.7V 15.3V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:75pF; Capacité, Cd, typ. Vr:38pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:N3; Puissance, impulsionnelle crête:180W; Température de foncti DIODE DE SUPPRESSION DOUBLE SOT-663; Tension, bloquée max..:18V; Type de boîtier diode:SOT-663; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:70pF; Marquage, CMS:E4; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Tension, bloquée max.. 8/20us:40V; Tension, isolement:15V; Tension, rupture max..:18.4V; Tension, rupture min.:17.6V; Type de boîtier:SOT-663; Type de terminaison:CMS DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOT-665; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.32V 5.88V; Tension, bloquée max..:5.6V; Courant, impulsion crête:3A; Type de boîtier diode:SOT-665; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:28pF; Capacité, Cd, typ. Vr:22pF; Config. Brochage:3; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:A2; Puissance, impulsionnelle crête:30W; Quantité par bobine: DIODE DE SUPPRESSION DOUBLE SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:5.2V 6V; Tension, bloquée max..:5.6V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:275pF; Capacité, Cd, typ. Vr:200pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:E1; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-65Â°C +1 DIODE DE SUPPRESSION BOITIER SOD-323; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:5.5V 9.5V; Tension, bloquée max..:14V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:45pF; Capacité, Cd, typ. Vr:35pF; Config. Brochage:1; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:E6; Puissance, impulsionnelle crête:130W; Style de boîtier alternati DIODE DE SUPPRESSION DOUBLE SOT-663; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.2V; Tension, bloquée max..:6.8V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-663; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:215pF; Capacité, Cd, typ. Vr:150pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:E2; Puissance, impulsionnelle crête:150W; Température de fonctionnement:-65Â°C +1 DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:4V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:600mV; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:30mA; Température, Tj max..:100Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:390mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-523; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:6A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:480mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:6A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:660mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:660mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:430mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY BOITIER SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:640mV; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 0.5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches a DIODE ULTRA RAPIDE 1A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s; DIODE SMB RAPIDE 2A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj max..:150Â°C DIODE ULTRA RAPIDE 3A 150V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):8.13mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:20ns; Tem DIODE 1A 600V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.74mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GJ; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE 1A 1000V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.74mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GM; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE 6A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Marquage composant:GI752; Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant DIODE SCHOTTKY 7.5A 60V; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 16A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ifrm:32A; Courant, Ir, max..:1mA; Style de boîtier alternatif:TO-263; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE MICRO-MELF; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, Ifrm:450è¾A; Diamètre, extérieur:1.35mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.9mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tc:25Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Tension DIODE RAPIDE 1.0A 50V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C DIODE RAPIDE 1.0A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150 DIODE SMB RAPIDE 1.5A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1.5mA; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:150ns; Température, Tj ma DIODE 1.0A 50V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Marquage, CMS:SA; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s DIODE 1.0A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:1.8è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):4.75mm; Longueur/hauteur:2.83mm; Marquage, CMS:SD; Polarité:Cathode; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s DIODE SMB 1.5A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, Tj DIODE SMC 3A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2.5A; Largeur (externe):8.13mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj m DIODE SMC 3A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2.5A; Largeur (externe):8.13mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj m DIODE SCHOTTKY SMB 2A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:400è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:440mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 40.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:CM; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LE; Polarité, directionnelle:Unidirection DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaiso DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 100V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminai DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de term DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 2A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Longueur/hauteur:7.6mm; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:DO-204AC; Type de term DIODE DE REDRESSEMENT LENT 8A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SMA RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; T DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:25A; Marquage, CMS:B3; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 2X10A 200V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:950mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Marquage composant:MBR20200CT; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 2X3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Marquage, CMS:B640; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:130Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE DE REDRESSEMENT 1.5A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.05V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:1A; Marquage, CMS:B14; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:115Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Marquage composant:1N5822RL; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:525mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE ULTRA RAPIDE 16A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:975mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA RAPIDE 8A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Marquage composant:MUR860; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA RAPIDE 8A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Marquage composant:MUR8100E; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.8V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE ULTRA RAPIDE 4A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:890mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:125A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Marquage composant:MUR420; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:267-03; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE ZENER 5W 3.3V; Tension, Vz:3.3V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:380mA; Courant, test:380mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5333BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:200mA; Courant, test:200mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5341BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:175mA; Courant, test:175mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5342BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:100mA; Courant, test:100mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5350BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 14V; Tension, Vz:14V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:100mA; Courant, test:100mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5351BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 39V; Tension, Vz:39V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:30mA; Courant, test:30mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5366BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 47V; Tension, Vz:47V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5368BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 51V; Tension, Vz:51V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:25mA; Courant, test:25mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5369BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 180V; Tension, Vz:180V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:8mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5386BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE RAPIDE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Une; Courant, If, Vf:50mA; Courant, direct, If:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A6; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:300mW; Temps, trr typ.:6ns; T MODULE THYRISTOR/DIODE 60A; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:60A; Courant, It efficace:95A; Courant Itsm (50Hz):1.5kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A46; Courant, Itsm:1500A; Diamètre, trous de fixation:6.4mm; Entraxe de fixation:80mm; Largeur (externe):30mm; Longueur/haute MODULE DIODE 80A 1200V; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A10; Configuration module:Puissance; Courant, Ifs max.:2kA; Courant, Itsm:2kA; Diamètre, trous de fixation:6mm; Diode Type:Recouvrement standard; Entraxe de fixation:80mm; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de broches:3; Profondeur:20mm; Taille du filetage:M5; Tension, direct If:1.55V; Tension, isolation:2.5kV; Type d DIODE FILETEE 95A 400V; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:700A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E12; Type de boîtier diode:E12; courant Ifsm:1.15kA DIODE FILETEE 320A 400V; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:320A; Tension, Vf max..:1.4V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:6kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M16; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:1850Â°C; Tension, direct If:1.4V; Type de boîtier:E15; Type de boîtier diode:E15; courant Ifsm:6kA DIODE 6A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Pd Tc = 25Â°C:2.5W; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Pd Tc = 25Â°C:3W; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE 3A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE 3A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 800V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches DIODE DE SUPPRESSION 500W 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.6V; Courant, impulsion crête:54.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; Pu DIODE DE SUPPRESSION 500W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:20.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; DIODE DE SUPPRESSION 1500W 16V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13.6V; Gamme de tension de claquage:15.2V 16.8V; Tension, bloquée max..:22.5V; Courant, impulsion crête:67A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6276A; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6277A; Puissance: DIODE DE SUPPRESSION 1500W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6284A; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 47V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6287A; Puissance: DIODE DE SUPPRESSION 1500W 400V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Puissance:1.5kW; Puissance, Ptot:5W; P DIODE DE SUPPRESSION 1500W 27V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6281CA; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1500W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6282CA; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 1500W 47V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40.2V; Gamme de tension de claquage:44.7V 49.4V; Tension, bloquée max..:64.8V; Courant, impulsion crête:23.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6287CA; Puissance:1. DIODE TVS 1500W 15V; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:662A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:5000pF; Coefficient de température:8.4ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; DIODE SCHOTTKY RF; Tension, Vf max..:410mV; Capacité totale max..:2pF; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:2pF; Courant, If moy.:15mA; Courant, direct, If:15mA; Diamètre, extérieur:1.93mm; Diode Type:Schottky; Longueur/hauteur:4.32mm; Puissance, Ptot:250mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tension, Vrrm:70V; Tension, claquage:70V; Tension, direct If:1.2V; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D94; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE SCHOTTKY PETITS SIGNAUX; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Marquage composant:BAT41; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY PETITS SIGNAUX; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:350mA; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:7.5A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Marquage composant:BAT47; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:7.5A DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D87; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, dire RESEAU DE DIODES TVS HEX 6.1VBD; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.1V 7.2V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:100pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:20è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage composant:ESDA6V1U1; Marquage, CMS:E6VU1; Puissance, impulsionnelle crête:200W; Tension de claqua DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 6.8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:298A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:10mA; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 7.5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6.4V; Gamme de tension de claquage:7.13V 7.88V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:53A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3700pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:10mA; Courant, fuite inverse, max..:500è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Marquage, CMS:LG; Polarité, directionnelle:Bid DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 28V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:32.7V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:8.8A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:510pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage, C DIODE TVS SMB 3.3V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Gamme de tension de claquage:4.1V; Tension, bloquée max..:7.3V; Courant, impulsion crête:200A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:5200pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension, bloquée DIODE TVS SMB 8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:20V; Courant, impulsion crête:75A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:60pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:50mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:35A; Courant, crête max.., 8/20us:250A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:L08; Style de boî DIODE TVS SMB 100V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:90V; Gamme de tension de claquage:100V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:30A; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:U13; Style d DIODE TVS SMB 130V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:117V; Gamme de tension de claquage:130V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:14pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:30A; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:U19; Style DIODE TVS SMB 220V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:198V; Gamme de tension de claquage:285V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:12pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:30A; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:U31; Style DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:STPS1045D; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 2X7.5A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:20A; Courant, If, Vf:7.5A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 2X80A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:690mV; Courant, Ifs max.:900A; Type de boîtier diode:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:125A; Courant, If, Vf:80A; Courant, direct, If:80A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:ISOTOP; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:900A DIODE SCHOTTKY 2X30A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:600A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:50A; Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Marquage composant:STPS60L40CW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:600A DIODE SCHOTTKY 7.5A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:20A; Courant, If, Vf:7.5A; Courant, direct, If:7.5A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:500mA; Température, Tc:60Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:525mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE FAIBLE SIGNAL SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Haute tension; Configuration diode:Une; Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:100mA; Courant, test:100mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A8.; Profondeur:2 DIODE DE RECOUVREMENT 15A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:30A; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE DE RECOUVREMENT 2X30A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:325A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:70A; Temps, trr typ.:45ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:TO-247 (Double); Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:325A DIODE TVS 600W 27V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteu DIODE TVS SMB 600W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage composant:SMBJ18A; Marquage, CMS:LT; Polarité, directionnelle DIODE ULTRA RAPIDE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Conductance élevée; Configuration diode:Une; Courant, direct, If:10mA; Courant, test:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:5H; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max. DIODE. ZENER 1.3W 11V; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C11; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C12; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:15mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C15; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:15mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C16; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:60mA; Courant, test:60mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C3V6; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:60mA; Courant, test:60mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C3V9; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C4V3; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:45mA; Courant, test:45mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C4V7; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:35mA; Courant, test:35mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C6V8; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 350MW 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y4; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y7; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:2mA; Courant, test:2mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y11; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE 10A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220ACFP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:TO-220ACFP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE 20A 1200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:10A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:300A DIODE SCHOTTKY 2X15A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:540mV; Courant, Ifs max.:1.02kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1kA DIODE SCHOTTKY 2X15A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:15A; Courant, Ifrm:60A; Courant, Ir, max..:800è¾A; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:13mJ; Poids:0.00144kg; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj DIODE SCHOTTKY 2X20A 15V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:700A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:19A; Courant, direct, If:19A; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:700A DIODE SCHOTTKY 2X20A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:1.1kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.1kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:3.5kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:3.5kA DIODE SCHOTTKY 2X20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:1.24kA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:20A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1.24kA DIODE SCHOTTKY 2X5A 50V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:930mV; Courant, Ifs max.:620A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:620A DIODE SCHOTTKY 2X7.5A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:810A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:7.5A; Courant, direct, If:7.5A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:510mV; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:810A DIODE SCHOTTKY 2X8A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:720mV; Courant, Ifs max.:850A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:8A; Courant, direct, If:8A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:850A DIODE SCHOTTKY 3A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:650A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:100mA; Marquage, CMS:IR3J; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Température, Tc:124Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMC; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:800 DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ir, max..:500è¾A; Marquage, CMS:IR3F; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm: DIODE SCHOTTKY 5.5A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:1A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:92Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:330A DIODE SCHOTTKY 6A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:690A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:6A; Courant, Ir, max..:8mA; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tc:164Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:690A DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 12V; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:114V 126V; Tension, bloquée max..:16.7V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:461A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:6000pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06 DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 150V; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:38A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:850pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm; DIODE TVS 24V 1.5KW; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:33.2V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:234A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3500pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:45A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test: DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 27V; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3200pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 300V; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:500pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:5A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inve DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 350V; Tension , Vrwm:299V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:430pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:4A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Couran DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 39V; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:2400pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, crête max.., 8/20us:143A; Courant, fuite inverse, max.. DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 39V; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:53.9V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:143A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2400pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:28A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Coura DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 400V; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:4A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:390pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:4A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, t DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 68V; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:92V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:83A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1550pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:16.3A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT-23; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode; Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:D48; Marquage, CMS:L42; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de termina DIODE DE SUPPRESSION 600W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:123A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de pui DIODE DE SUPPRESSION 600W 27V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puis DIODE DE SUPPRESSION 600W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:13.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle DIODE DE SUPPRESSION 600W 36V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; D DIODE DE SUPPRESSION 600W 400V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:360pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissan DIODE DE SUPPRESSION 600W 440V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissi DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 10V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:18.6V; Courant, impulsion crête:538A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:7000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:10è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Marqu DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:21.7V; Courant, impulsion crête:461A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:6000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.3W; Longueur/hau DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:27.2V; Courant, impulsion crête:368A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:5000pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:308A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4300pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:59.5A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4300pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 27V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:48.3V; Courant, impulsion crête:207A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3200pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 68V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:16.3A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1550pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, i DIODE DE SUPPRESSION 600W 200V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:200V; Tension, bloquée max.. 8/20us:353V; T DIODE DE SUPPRESSION 600W 24V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:42.8V; Courant, impulsion crête:93A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1250pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5k DIODE DE SUPPRESSION 600W 27V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:37.5V; Courant, impulsion crête:16A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Tension de claquage:27V; Tension, bloquée max.. 8/20us:48.3V DIODE DE SUPPRESSION 600W 7.5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6.4V; Gamme de tension de claquage:7.13V 7.88V; Tension, bloquée max..:14.5V; Courant, impulsion crête:276A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3700pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:500è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1 DIODE DE SUPPRESSION 600W 10V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.7V; Tension, bloquée max..:162V; Courant, impulsion crête:184A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2300pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBD; Polarité, directionnel DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:157A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2025pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:LE; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 28V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Gamme de tension de claquage:32.7V; Tension, bloquée max..:45.4V; Courant, impulsion crête:68A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBL; Polarité, directionnel DIODE DE SUPPRESSION 600W 40V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:46.7V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:48A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:800pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:CBJ ; Polarité, direction DIODE DE SUPPRESSION 600W 40V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:40V; Gamme de tension de claquage:46.7V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:48A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:800pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:CBJ; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION 600W 48V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:56.1V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:40A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:700pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBW; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION 600W 70V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:70V; Gamme de tension de claquage:81.9V; Tension, bloquée max..:113V; Courant, impulsion crête:27A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:550pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:CUM; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION SMB 160V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:144V; Gamme de tension de claquage:160V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:30pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Diode Type DIODE DE SUPPRESSION SMB 25V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:40V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:65pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Diode Type:TV DIODE DE SUPPRESSION SMB 8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:25V; Courant, impulsion crête:100A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:50mA; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:24A; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Courant, fuite inverse, max..:2è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, It DIODE SCHOTTKY 15A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:7.5A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 20A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 30A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 40A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:230A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:530mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:230A DIODE ULTRA RAPIDE 15A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:60è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:30A DIODE ULTRA RAPIDE 30A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:120A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:60è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Tension, direct If:2.9V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison: DIODE DE REDRESSEMENT 2X15A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:60A; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE DE REDRESSEMENT 8A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:24A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Temps, trr typ.:18ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE ULTRA RAPIDE 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:80ns; Courant, Ifs max.:170A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Temps, trr typ.:80ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vrsm:1.3kV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; coura MODULE THYRISTOR/DIODE 250A; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:200mA; Courant, It moy:250A; Courant, It efficace:555A; Courant max. - Tenu (lh):500mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40Â°C +130Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant différentiel di/dt:500A/s; Courant efficace max.:555A; Courant, Itsm:8500A; Courant, fuite inverse, max..:50mA; Courant, sortie:555A; Diamètre, trous de fixation:5.5mm; Différentiel de tension dv/dt:10 MODULE THYRISTOR/DIODE 25A; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:60mA; Courant, It moy:25A; Courant Itsm (50Hz):357A; Courant max. - Tenu (lh):130mA; Tension, Vgt:2V; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Itsm:300A; Courant, sortie:25A; Entraxe de fixation:49.5mm; Largeur (externe):64mm; Longueur/hauteur:14mm; Profondeur:32mm; Température, Tc:85Â°C; Température, co DIODE ULTRA RAPIDE 2X5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:5è¾A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tc If:135Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:13 DIODE ULTRA RAPIDE 2X10A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:90A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:10A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tc If:130Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:130Â°C; Tension, direct If:1.1 DIODE ULTRA-FAST DO-41; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:70A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:3è¾A; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tc If:100Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:100Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-201AD; Type DIODE ULTRA RAPIDE 5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:20è¾A; Température, Tc If:135Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:135Â°C; Tension, direct If:2.9V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Trav DIODE SCHOTTKY 2X10A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:640mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:STPS20H100CG; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:250A DIODE DE COMMUTATION BOITIER SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Une; Courant, If max..:215mA; Courant, If, Vf:50mA; Courant, direct, If:50mA; Courant, test:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A6; Profond DIODE SCHOTTKY BOITIER SOT--23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:4L; Profondeur:2.5mm; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîtier:SOT-23 DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:42; Profondeur:2.5mm; Temps, trr typ.:5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:400mV; Type de boîti DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 30A; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.4V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:200A; Courant, direct, If:30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de boîtier diode:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 60A; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.8V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:550A; Courant, direct, If:70A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de boîtier diode:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:550A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 65A; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:65A; Tension, Vf max..:2.3V; Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:500A; Courant, direct, If:60A; Diode Type:Recouvrement rapide; Nombre de broches:2; Temps trr max.:35ns; Temps, trr typ.:35ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247AD; Type de boîtier diode:TO-247AD; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 400V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:R1; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.6mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:R-1; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:500A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:30ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY 5A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-50Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:700mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 19.2V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:LM; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 5.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.25V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GDE; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 6.0V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.67V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:145.6A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:10A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GDG; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête: DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.7V 42.2V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:28.1A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:3.15mm; Marquage, CMS:GFM; Profondeur:6.22mm; Puissance, impulsionnelle crête:60 DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 12V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 15.3V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:30.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.11mm; Marquage, CMS:BE; Profondeur:3.94mm; Puissance, impulsionnelle crête:600W; S DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:35mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:300ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:35mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:60W; Résistance, Rz:200ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:50mA; Courant, test:50mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C15 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:10ohm; Style de boîtier alternatif:DO- DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:25mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:15ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 180V; Tension, Vz:180V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Largeur (externe):5.5mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.65mm; Marquage, CMS:BZG03C801 PH; Pd Tc = 25Â°C:3W; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:400ohm; Style de boîtier alternatif:D DIODE ZENER 3W BOITIER SMA 200V; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:3W; Pd Tc = 25Â°C:3W; Puissance, Ptot:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Résistance, Rz:500ohm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, Vf max..:1.2V; Tolérance:5%; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 3.25W 62V; Tension, Vz:62V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:10mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:10mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C62; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:80ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 150V; Tension, Vz:150V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C150; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:300ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 3.25W 270V; Tension, Vz:270V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, direct, If:500mA; Courant, test:2mA; Diamètre, extérieur:3.81mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1.3W; Longueur/hauteur:4.57mm; Marquage composant:BZT03-C270; Puissance, Ptot:3.25W; Résistance, Rz:1000ohm; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:550mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:6.75A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:ZS5; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:330mW; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOT-23; DIODE SCHOTTKY 2A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Temps trr max.:5.5ns; Courant, Ifs max.:20A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:2A; Courant, If, Vf:2A; Courant, direct, If:2A; Largeur (externe):3.00mm; Longueur/hauteur:1.45mm; Marquage, CMS:ZS2; Profondeur:3.00mm; Puissance, Ptot:1.1W; Temps, trr typ.:5.5ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîti DIODE SCHOTTKY FAIBLE PERTE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:520mA; Tension, Vf max..:610mV; Temps trr max.:3ns; Courant, Ifs max.:12A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:1A; Courant, If, Vf:400mA; Courant, Ir, max..:10mA; Courant, direct, If:520mA; Largeur (externe):2.71mm; Longueur/hauteur:1.16mm; Marquage, CMS:40; Profondeur:1.37mm; Puissance, Ptot:330mW; Style de boîtier alternati DIODE SCHOTTKY FAIBLE PERTE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1.16A; Tension, Vf max..:640mV; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:36A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If max..:1.5A; Courant, If, Vf:1.5A; Courant, direct, If:2.2A; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:1.45mm; Marquage, CMS:L10; Profondeur:3.1mm; Puissance, Ptot:1.1W; Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L4p; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:600mA DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:750mA; Tension, Vf max..:490mV; Temps trr max.:12ns; Courant, Ifs max.:12A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:750mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:ZS7; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Temps, trr typ.:12ns; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:490mV; Type de boîtier:SOT-23; Ty DIODE SCHOTTKY 1.5A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500mA; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE ULTRA RAPIDE 1A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.59mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.67mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:1.8è¾s; DIODE SMC RAPIDE 3A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):8.13mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:2.45mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Ten DIODE ULTRA RAPIDE 3A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:3A; Largeur (externe):8.13mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:20ns; Tem DIODE ULTRA RAPIDE 16A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:975mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:250A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:16A; Courant, direct, If:16A; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Profondeur:15.88mm; Style de boîtier alternatif:TO-263; Temp DIODE 1A 50V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.74mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GA; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE 1A 400V CMS; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:3è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1A; Largeur (externe):5.76mm; Longueur/hauteur:3mm; Marquage, CMS:GG; Polarité:Cathode; Profondeur:2.9mm; Temps, trr typ.:3è¾s; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct DIODE 6A 100V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Marquage composant:GI751; Polarité:Cathode; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.25V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant DIODE RAPIDE 3.0A 100V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:2.5A; Largeur (externe):8.13mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:150ns; Temp DIODE SMB 1.5A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, DIODE SMB 1.5A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:1.5A; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Polarité:Cathode; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:2è¾s; Température, DIODE SMC 3A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.15V; Temps trr max.:2.5è¾s; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2.5A; Largeur (externe):8.13mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Polarité:Cathode; Profondeur:6.22mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AB; Temps, trr typ.:2.5è¾s; Température, Tj max DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1mA; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-214AL; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE DE RECOUVREMENT 2A 100V; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.6mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur/hauteur:7.6mm; Style de boîtier alternatif:DO-204AC; Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, d DIODE SCHOTTKY SMB 2A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:400è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:440mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:100A DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 24.4V; Tension, bloquée max..:32.2V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:BS; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 36V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:6.9A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Marquage, CMS:CP; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; P DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:20.5A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Polarité, directionnelle:Unidirectionnel; Profondeur:3.94mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Typ DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 18V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Gamme de tension de claquage:20V 22.1V; Tension, bloquée max..:29.2V; Courant, impulsion crête:51.4A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 30V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:31A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1.0è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 5V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.4V 7.07V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:163A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5W; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur: DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:200è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:110Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:860mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ir, max..:500è¾A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:100Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Bro DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Marquage composant:UF4007; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 3A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaiso DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 0.6A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:600mA; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:MPG06; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.54mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:MPG06; Type de term DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-204AL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Style de boîtier alternatif:DO-41; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:950mV; Typ DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 4A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:20ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:5.3mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Temps, trr typ.:20ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; couran DIODE SMA RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Temps, trr typ.:50ns; Température, Tj max..:150Â°C; T DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, Ir, max..:25A; Marquage, CMS:B14; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tc:100Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE 3A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE 3A 400V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1A; Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:3.05mm; Longueur/hauteur:6.6mm; Marquage composant:MBR160RL; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:DO-41; T DIODE SCHOTTKY 3A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.33mm; Longueur/hauteur:9.65mm; Marquage composant:MBR340RL; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:80A DIODE ULTRA RAPIDE 4A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.8V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:4A; Diamètre, extérieur:6.35mm; Longueur/hauteur:9.39mm; Temps, trr typ.:100ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:267-03; Type de terminaison:Broches axia DIODE SCHOTTKY 2X30A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:500A; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Marquage composant:MBR6045WT; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:500A DIODE SCHOTTKY 2X15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:820mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Marquage composant:MBR2545CT; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 7.5A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:7.5A; Courant, direct, If:15A; Marquage composant:MBR745; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 2X12.5A 35V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:35V; Courant, If moy.:12.5A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:12.5A; Courant, direct, If:25A; Marquage composant:MBR2535CTL; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE ULTRA RAPIDE 4A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.28V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:70A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:3A; Marquage composant:MUR460; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:267; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:70A DIODE ULTRA RAPIDE 15A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Marquage composant:MUR1560; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:150A DIODE ULTRA RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Marquage composant:MURS120T3; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:875mV; Type de boîtier:SMB (DO-214AA); Type de terminaison: DIODE ULTRA RAPIDE 2X15A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-218AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:15A; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-218AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE ULTRA RAPIDE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:875mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:35A; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Marquage composant:MUR120; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:875mV; Type de boîtier:59-04; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:35A DIODE ULTRA RAPIDE 16A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:8A; Marquage composant:MUR1660CT; Temps, trr typ.:60ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:1 DIODE ZENER 5W 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:175mA; Courant, test:175mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5343BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 11V; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:125mA; Courant, test:125mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5348BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:75mA; Courant, test:75mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5352BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 17V; Tension, Vz:17V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:70mA; Courant, test:70mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5354BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:65mA; Courant, test:65mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5355BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:65mA; Courant, test:65mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5357BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:40mA; Courant, test:40mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5363BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 56V; Tension, Vz:56V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5370BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 68V; Tension, Vz:68V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5373BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 75V; Tension, Vz:75V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5374BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 82V; Tension, Vz:82V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:15mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5375BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 91V; Tension, Vz:91V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:15mA; Courant, test:15mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5377BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 5W 100V; Tension, Vz:100V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier diode:017AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:12mA; Courant, test:12mA; Diamètre, extérieur:3.7mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:5W; Longueur/hauteur:8.9mm; Marquage composant:1N5378BG; Puissance, Ptot:5W; Tolérance:5%; Type de boîtier:17-02; Type de terminaison:Broches axiales DIODE FILETEE 95A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.15kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E12; Type de boîtier diode:E12; courant Ifsm:1.15kA DIODE FILETEE 165A 400V; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:165A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2.5kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M12; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E14; Type de boîtier diode:E14; courant Ifsm:2.5kA DIODE FILETEE 25A 400V; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:25A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:375A; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M6; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:E8; Type de boîtier diode:E8; courant Ifsm:375A DIODE FILETEE 95A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.15kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E12; Type de boîtier diode:E12; courant Ifsm:1.15kA DIODE FILETEE 95A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.15kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M8; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E11; Type de boîtier diode:E11; courant Ifsm:1.15kA DIODE 6A 1000V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE 6A 800V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:400A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1V; Type de boîtier:P600; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:400A DIODE 1A 50V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Pd Tc = 25Â°C:2.5W; Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE 1A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE RAPIDE BOITIER DO-35; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:10mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:DO-35; DIODE DE SUPPRESSION 500W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 15.3V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:25.1A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; DIODE DE SUPPRESSION 1500W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:49A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6279A; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 1500W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:28.2V; Gamme de tension de claquage:31.4V 34.7V; Tension, bloquée max..:45.7V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6283A; Puissance:1. DIODE DE SUPPRESSION 500W 24V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:24V; Gamme de tension de claquage:26.7V 29.5V; Tension, bloquée max..:38.9V; Courant, impulsion crête:12.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; Pu DIODE DE SUPPRESSION 500W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.6mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Longueur/hauteur:7.6mm; Puissance:500W; Puissance, Ptot:1W; Pu DIODE DE SUPPRESSION 1500W 11V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9.4V; Gamme de tension de claquage:10.5V 11.6V; Tension, bloquée max..:15.6V; Courant, impulsion crête:96A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6272CA; Puissance:1.5kW DIODE DE SUPPRESSION 1500W 160V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:136V; Gamme de tension de claquage:152V 168V; Tension, bloquée max..:219V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:9.5mm; Numéro JEDEC:1N6300CA; Puissance:1.5kW; DIODE TVS 1500W 15V; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:21.2V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:662A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:5000pF; Coefficient de température:8.4ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; D DIODE TVS 1500W 18V; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:25.2V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:55.4A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:4300pF; Coefficient de température:8.8ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; DIODE TVS 1500W 200V; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:51A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:675pF; Coefficient de température:10.8ppm/Â°C; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diam DIODE SCHOTTKY 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:1A; Marquage composant:1N5817; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:1A; Marquage composant:1N5819; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY RF; Tension, Vf max..:410V; Capacité totale max..:2.2pF; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, thermique, Ct:2.2pF; Courant, If moy.:15mA; Courant, Ifs max.:50mA; Courant, Ir, max..:10è¾A; Courant, direct, If:15mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Diode Type:Schottky; Longueur/hauteur:4.06mm; Puissance, Ptot:400mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tension, Vrrm:60V; Tension, claquage:60V; Tension, direct If:410mV; Type de boîtier:D DIODE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:330mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Cathode; Courant, If, Vf:2mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:DB2; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:70V; Courant, If moy.:70mA; Tension, Vf max..:410mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:1mA; Marquage, CMS:D76; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY PETITS SIGNAUX; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:10mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Marquage composant:BAT46; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axial DIODE SCHOTTKY PETITS SIGNAUX; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:350mA; Tension, Vf max..:400mV; Courant, Ifs max.:7.5A; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:200mA; Diamètre, extérieur:1.85mm; Longueur/hauteur:4.25mm; Marquage composant:BAT48; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:7.5A DIODE SCHOTTKY DOUBLE; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connexion commune:Anode / Cathode; Courant, If, Vf:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:D88; Profondeur:2.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, dire RESEAU DE DIODES TVS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18V; Courant, impulsion crête:12A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Dissipation de puissance Pd:730mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:2è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:730mW; Marquage, CMS:DA112S; Puissance, impulsionnelle crête:730mW; Tension de claquage:18V; Tension, Vf max..:1.2V; Tension, Vrrm:18V; Tension, implusion crête:12kV; RESEAU DE DIODES TVS QUAD 6.1VBD; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5.25V; Gamme de tension de claquage:6.1V 7.2V; Courant, impulsion crête:15A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:190pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:20è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage composant:ESDA6V1SC5; Marquage, CMS:EC61; Puissance, impulsionnelle crête:500W; Température DIODE DE SUPPRESSION SMC 1500W 39V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33.3V; Gamme de tension de claquage:37.1V 41V; Tension, bloquée max..:69.7V; Courant, impulsion crête:28A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2400pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Marquage, CMS:MEX; Polarité, directionnelle:Uni DIODE DE SUPPRESSION SMB 600W 27V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V 28.4V; Tension, bloquée max..:48.3V; Courant, impulsion crête:83A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:100A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:14V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:20.1A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1325pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:975pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre du corps:5.3mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longue DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:16.4A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:975pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage, DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:35.1V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:8.3A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:480pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage, C DIODE DE SUPPRESSION SMA 400W 33V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:38.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:7.5A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:450pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, Ifs max.:40A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):2.9mm; Longueur/hauteur:2.9mm; Marquage, C DIODE TVS SMB 270V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:243V; Gamme de tension de claquage:350V; Courant, impulsion crête:50A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:12pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de maintien:150mA; Courant, Ir, max..:2è¾A; Courant, Itsm:30A; Courant, crête max.., 8/20us:100A; Courant, d'endommagement, Ibo:800mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Fréquence, Itsm:50Hz; Marquage, CMS:U39; Style DIODE SCHOTTKY 10A 25V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Marquage composant:STPS10L25D; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 15A 25V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Marquage composant:STPS15L25D; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 2X15A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 2X15A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:560mV; Courant, Ifs max.:230A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, If, Vf:15A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:230A DIODE ULTRA RAPIDE 2X30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:300V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:55ns; Courant, Ifs max.:300A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:30A; Courant, direct, If:30A; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:400mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:MiniMELF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:500mA; Diamètre, extérieur:1.62mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:3.6mm; Marquage, CMS:Cathode marquée par une bande; Puissance, Ptot:200mW; Quantité par bobine:2500; Temps, trr typ DIODE DOUBLE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:commutation rapide; Configuration diode:Double; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, direct, If:50mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:A4; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Temps, trr typ.: DIODE. USAGE GENERAL SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Toutes applications; Configuration diode:Une; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, direct, If:200mA; Courant, test:200mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:L21; Profondeur:2.5mm; Puissance DIODE SCHOTTKY 1A 20V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:450mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 2.0A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:500mA; Courant, direct, If:2A; Marquage, CMS:23; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tc:105Â°C; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE DE RECOUVREMENT 30A; Diode Type:Recouvrement progressif; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:40ns; Courant, Ifs max.:325A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifrm:70A; Temps, trr typ.:40ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:2.1V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:325A DIODE TVS 600W 100V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:85.5V; Gamme de tension de claquage:95V 105V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:4.4A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm; Polarité, d DIODE ULTRA RAPIDE SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:75V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Conductance élevée; Configuration diode:Une; Courant, direct, If:10mA; Courant, test:10mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:5; Profondeur:2.5mm; Puissance, Ptot:350mW; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max.. DIODE ZENER 1.3W 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:20mA; Courant, test:20mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C13; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:8mA; Courant, test:8mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:45mA; Courant, test:45mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C5V1; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1.3W 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:45mA; Courant, test:45mA; Diamètre, extérieur:2.6mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:1W; Longueur/hauteur:4.8mm; Marquage composant:BZX85-C5V6; Puissance, Ptot:1W; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 350MW 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z9; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y2; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Y5; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z2; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 350MW 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:Z8; Profondeur:2.3mm; Puissance, Ptot:350mW; Tolérance:5%; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 500MW 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 500MW 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de Zener:5mA; Courant, test:5mA; Diamètre, extérieur:2mm; Diode Type:Zener; Dissipation de puissance, max..:500mW; Longueur/hauteur:4.5mm; Puissance, Ptot:500mW; Style de boîtier alternatif:SOD-27; Tolérance:5%; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 10V; Tension , Vrwm:8.55V; Gamme de tension de claquage:9.5V 10.5V; Tension, bloquée max..:14.5V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:538A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:7000pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.0 DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 120V; Tension , Vrwm:102V; Gamme de tension de claquage:114V 126V; Tension, bloquée max..:165V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:47A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1000pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 150V; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:38A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:850pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm; DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 180V; Tension , Vrwm:154V; Gamme de tension de claquage:171V 189V; Tension, bloquée max..:246V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:31.5A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:725pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 220V; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:4.6A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite in DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 220V; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:328V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre de la DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 24V; Tension , Vrwm:20.5V; Gamme de tension de claquage:22.8V 25.2V; Tension, bloquée max..:33.2V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:234A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:3500pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:45A; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuit DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 250V; Tension , Vrwm:213V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:23A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:560pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:5A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Couran DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 300V; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:19A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:500pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:5A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Couran DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 30V; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.5V; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, impulsion crête:36A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Cd, typ. Vr:2900pF; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06mm DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 36V; Tension , Vrwm:30.8V; Gamme de tension de claquage:34.2V 37.8V; Tension, bloquée max..:49.9V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2500pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:30A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Cour DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 43V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36.8V; Gamme de tension de claquage:40.9V 45.2V; Tension, bloquée max..:59.3V; Courant, impulsion crête:25.3A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:200A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diamètre de la broche:1.06m DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 68V; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 41.4V; Tension, bloquée max..:92V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:83A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1550pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:16.3A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Cour DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 82V; Tension , Vrwm:70.1V; Gamme de tension de claquage:77.9V 86.1V; Tension, bloquée max..:113V; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, impulsion crête:69A; Type de boîtier diode:CB-429; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance:5W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1350pF; Courant de pic d'impulsion IPP @ 10/1000Ã‚è¾s:13.3A; Courant, Ir Vbr mesure min.:1mA; Courant, Ir, max..:1è¾A; Courant, Itsm:200A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Cou DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:123A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 600W 23V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:23.1V; Gamme de tension de claquage:25.7V; Tension, bloquée max..:42.8V; Courant, impulsion crête:83A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.7W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1150pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:1.7W; Longueur/hauteur:7.62mm DIODE DE SUPPRESSION 5KW 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:36.6V; Tension, bloquée max..:76V; Courant, impulsion crête:789A; Type de boîtier diode:R-6; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:5750pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, Ifs max.:500A; Courant, Ir, max..:1mA; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:6.5 DIODE DE SUPPRESSION 600W 180V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:154V; Gamme de tension de claquage:171V 189V; Tension, bloquée max..:317V; Courant, impulsion crête:12.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:360pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissa DIODE DE SUPPRESSION 600W 18V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15.3V; Gamme de tension de claquage:17.1V 18.9V; Tension, bloquée max..:32.5V; Courant, impulsion crête:123A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; DIODE DE SUPPRESSION 600W 200V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dis DIODE DE SUPPRESSION 600W 250V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:213V; Gamme de tension de claquage:237V 263V; Tension, bloquée max..:344V; Courant, impulsion crête:1.8A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:310pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dis DIODE DE SUPPRESSION 600W 300V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:529V; Courant, impulsion crête:7.6A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:290pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissan DIODE DE SUPPRESSION 600W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:25.6V; Gamme de tension de claquage:28.5V 31.5V; Tension, bloquée max..:41.4V; Courant, impulsion crête:14.5A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1075pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle DIODE DE SUPPRESSION 600W 6.8V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5.8V; Gamme de tension de claquage:6.45V 7.14V; Tension, bloquée max..:10.5V; Courant, impulsion crête:57A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1000è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1000è¾A; Courant, test:10mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirection DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 150V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:265V; Courant, impulsion crête:7.2A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:850pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, impul DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 200V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:353V; Courant, impulsion crête:5.5A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:675pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:1è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Longueur/hauteur:6.05mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Puissance, impul DIODE DE SUPPRESSION 1.5KW 220V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:388V; Courant, impulsion crête:26A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:21.7V; Courant, impulsion crête:184A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2300pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5 DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12.8V; Gamme de tension de claquage:14.3V 15.8V; Tension, bloquée max..:27.2V; Courant, impulsion crête:147A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5 DIODE DE SUPPRESSION 600W 220V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:188V; Gamme de tension de claquage:209V 231V; Tension, bloquée max..:388V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:330pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 600W 22V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:39.3V; Courant, impulsion crête:102A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1350pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5 DIODE DE SUPPRESSION 600W 22V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:18.8V; Gamme de tension de claquage:20.9V 23.1V; Tension, bloquée max..:30.6V; Courant, impulsion crête:102A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Style de boîtier alternatif:DO-214AA DIODE DE SUPPRESSION 600W 68V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Gamme de tension de claquage:64.6V 71.4V; Tension, bloquée max..:121V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Longueur/hauteur:8.2mm; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Puissance:1.5kW; DIODE DE SUPPRESSION 600W 13V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:15.2V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:147A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1900pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBF; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 15V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:17.6V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1600pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBG; Polarité, directionn DIODE DE SUPPRESSION 600W 170V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:170V; Gamme de tension de claquage:199V; Tension, bloquée max..:275V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBU; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 30V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:35.1V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:12.4A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:950pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBM; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 33V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:33V; Gamme de tension de claquage:38.6V; Tension, bloquée max..:53.3V; Courant, impulsion crête:11.3A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:900pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BUN; Polarité, directio DIODE DE SUPPRESSION 600W 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6.74V; Tension, bloquée max..:9.2V; Courant, impulsion crête:65.2A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:4000pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:800è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBZ; Polarité, directionne DIODE DE SUPPRESSION 600W 58V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58V; Gamme de tension de claquage:67.8V; Tension, bloquée max..:93.6V; Courant, impulsion crête:33A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:625pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):5.59mm; Longueur/hauteur:2.44mm; Marquage, CMS:BBO; Polarité, directionnell DIODE DE SUPPRESSION 1500W 48V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:48V; Gamme de tension de claquage:53.3V; Tension, bloquée max..:77.4V; Courant, impulsion crête:20A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:1800pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:1è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):8.23mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:BBW; DIODE SCHOTTKY 10A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:120A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:750mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:120A DIODE SCHOTTKY 10A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:7A; Courant, If, Vf:10A; Courant, direct, If:10A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 10A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, If, Vf:5A; Courant, direct, If:5A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 15A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:7.5A; Tension, Vf max..:520mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:7.5A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:520mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 1A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:1A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 16A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:20A; Courant, direct, If:8A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE SCHOTTKY 1A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:770mV; Courant, Ifs max.:50A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:1A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:770mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 1A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:395mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:1A; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 20A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:180A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:10A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:180A DIODE SCHOTTKY 25A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:12.5A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:200A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:12.5A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:570mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:200A DIODE SCHOTTKY 2A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:790mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:2A; Style de boîtier alternatif:DO-214AA; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:790mV; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 2A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:75A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:2A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:75A DIODE SCHOTTKY 30A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 30A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:490mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE SCHOTTKY 30A 30V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:460mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:460mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 30A 45V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:220A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:30A; Courant, direct, If:15A; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:220A DIODE SCHOTTKY 3A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:10A; Courant, direct, If:3A; Style de boîtier alternatif:DO-204AC; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:620mV; Type de boîtier:DO-15; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:100A DIODE SCHOTTKY 40A 150V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:150V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:920mV; Courant, Ifs max.:250A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If efficace:60A; Courant, direct, If:20A; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:920mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:250A DIODE ULTRA RAPIDE 12A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:12A; Courant, Ir, max..:45è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:125Â°C; Tension, direct If:2.9V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant I DIODE ULTRA RAPIDE 15A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:15A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:15A; Courant, Ir, max..:60è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:30A DIODE ULTRA RAPIDE 3A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:55A; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:3A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Température, Tc If:75Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:75Â°C; Tension, direct If:1.7V; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Bro DIODE ULTRA RAPIDE 8A 600V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1K,2A; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:30è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Tension, direct If:2.9V; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm: DIODE DE SUPRESSION 600W 12V; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10.2V; Gamme de tension de claquage:11.4V 12.6V; Tension, bloquée max..:16.7V; Courant, impulsion crête:184A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:2300pF; Configuration diode:Unidirectionnel; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puis DIODE ULTRA RAPIDE 2X5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:2.9V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:100A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:K,A; Courant, If, Vf:12A; Courant, Ir, max..:45è¾A; Température, Tc If:50Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:50Â°C; Tension, direct If:2.9V; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Tra DIODE ULTRA RAPIDE 2X8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:21ns; Courant, Ifs max.:80A; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:8A; Courant, Ir, max..:6è¾A; Temps, trr typ.:21ns; Température, Tc If:110Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:110Â°C; Tension, direct If:1.1V; T DIODE ULTRA RAPIDE 2X10A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:90A; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:10A; Courant, Ir, max..:10è¾A; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tc If:95Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:95Â°C; Tension, direct If:1.1V; DIODE ULTRA RAPIDE 2X30A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.05V; Temps trr max.:22ns; Courant, Ifs max.:330A; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1A1,2CommK,3A2; Courant, If, Vf:30A; Courant, Ir, max..:30è¾A; Temps, trr typ.:22ns; Température, Tc If:140Â°C; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:140Â°C; Tension, direct If:1.0 DIODE ULTRA RAPIDE 8A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:105ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-40Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220FP; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Température, courant:25Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:TO-220FP; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:10A DIODE PIN SOD323; Diode Type:RF; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité totale max..:0.25pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant If Rs:100mA; Courant, If max..:100mA; Courant, If, Vf:50mA; Marquage composant:A9; Résistance, séries de diodes, rs:1.9ohm; Style de boîtier alternatif:SC-76; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:50V; Tension, Vf max..:1.1V; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE VARICAP SOD323; Capacité max. Cd @ Vr F:2.75pF; Courant, If moy.:20mA; Tension, Vrrm:30V; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd max.., Vr:2.75pF; Capacité, Cd, min. Vr:41.8pF; Capacité, Cd, typ. Vr:2.6pF; Config. Brochage:Band denotes cathode; Courant, If max..:20mA; Courant, Ir, max..:10nA; Diode Type:Capacité variable; Marquage composant:P8; Rapport capacitif min, Cvr1/Cvr2:15; R DIODE SCHOTTKY 10A 45V D2PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:840mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:150A DIODE FAIBLE SIGNAL 0.15A; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:200mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL 0.25A; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:250mA; Tension, Vz:250V; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL 0.3A; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:1.25V; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:600mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE FAIBLE SIGNAL 0.15A; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:200mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL 0.3A; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:300mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL 0.2A; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Type de boîtier diode:MicroMELF; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:200mA; Dissipation de puissance Pd:400mW; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:MicroMELF; Type de terminaison:CMS DIODE FAIBLE SIGNAL 0.15A; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier diode:DO-35; Nombre de broches:2; Courant, direct, If:300mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-35; Type de terminaison:Broches axiales DIODE 400V 1A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:PMDS; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY PMDU; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:550mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY CMS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:300mV; Courant, Ifs max.:3A; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:3A DIODE DE REDRESSEMENT CMS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:700mA; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:3A; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:490mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:3A DIODE SCHOTTKY CMS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:600mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY UMD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Type de boîtier diode:SOT-323; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:370mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE LL34 HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:450mA; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Style de boîtier alternatif:LL-34; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE 400V 0.5A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:8A; Type de boîtier diode:TSMD5; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:TSMD5; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:8A DIODE SCHOTTKY EMD4; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:610mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SC-75A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:610mV; Type de boîtier:SC-75A; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:370mV; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200mA DIODE CMS HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:625mA; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Style de boîtier alternatif:LL-34; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE 600V 1A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A RESEAU DE DIODE DOUBLE; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Dual, Series; Style de boîtier alternatif:SC-89; Temps actif pour IFSM:1è¾s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:4A TRANS. NPN NUMERIQUE + DIODE; Polarité transistor:NPN; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:120mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Courant, sortie max.:100mA; Nombre de transistors:1; Nombre de voies:2; Température de fonctionnement max..:125Â°C; Température d'utilisation min DIODE SCHOTTKY PMDS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:580mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:580mV; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY PMDS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:95V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:730mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:730mV; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY PMDS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:480mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:480mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A RESEAU DE DIODE SCHOTTKY SOT-343; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOT-343; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE SCHOTTKY CMS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:500mV; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE 400V 0.7A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:700mA; Tension, Vf max..:980mV; Courant, Ifs max.:150A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:980mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS DIODE 400V 0.7A; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:25A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:25A DIODE SCHOTTKY 400 A 41-MINIDIP; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:600mV; Temps trr max.:10ns; Courant, Ifs max.:15A; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:10ns; Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-80; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:15A DIODE TVS 376V CMS; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:376V; Gamme de tension de claquage:418V 462V; Tension, bloquée max..:602V; Courant, impulsion crête:2.5A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Tension de claquage:418V; Tension, isolement:376V; Type de boîtier:DO-21 DIODE DE COMMUTATION 80V CMS; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:225mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Style de boîtier alternatif:SC-90/A; Temps actif pour IFSM:1s; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE SCHOTTKYPMDU; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:90V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:730mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:730mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY PMDS; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:350mV; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Tension, direct If:350mV; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A RESEAU DIODE DOUBLE UMT; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:20V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:10mA; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 7.5V; Tension, Vz:7.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 12V 5MA DO-34; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 6.2V 5MA DO-34; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:40mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:40mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:40mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 30V 3A; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PMDT; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:PMDT; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD-106; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Anode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE ZENER 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE HAUTE FREQUENCE SOD-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.4pF; Résistance @ If:7ohm; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:50mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:50mA; Courant, If, Vf:50mA; Puissance, Ptot:100mW; Température, Tj max..:125Â°C; Tension, Vf max..:1V; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:45A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:45A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:25V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:390mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE ZENER SOD-323 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 2.7V; Tension, Vz:2.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 22V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 36V; Tension, Vz:36V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE ZENER; Tension, Vz:12V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, UNI, 8.65V, DO201AE; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:7.78V; Gamme de tension de claquage:8.65V 9.55V; Tension, bloquée max..:13.4V; Courant, impulsion crête:112A; Type de boîtier diode:DO-201AE; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW; Tension de claquage:9.55V; Tension, isolement:7.78V; Type DIODE ULTRA-RAPIDE; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:75ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:59-10; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:35A DIODE REDRESS. PUISSANCE UF; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:60A; Tension, Vf max..:1.08V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:800A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:800A RESEAU DIODE DOUBLE 3SOT-23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:20V; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:200mA; Courant, If, Vf:10mA; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE DOUBLE SOT-323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:100mA; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 18V; Tension, Vz:18V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 6.8V 5MA DO-34; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 8.2V 5MA DO-34; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:40mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE REDRESSEMENT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:1.5A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:30A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:400mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE ZENER 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:60A DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:PMDT; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:PMDT; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE ZENER SOD-323 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 2.0V; Tension, Vz:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 3.9V; Tension, Vz:3.9V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 9.1V; Tension, Vz:9.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE ZENER; Tension, Vz:6.8V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE DOUBLE 3SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:85V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:450mA; Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:RA1; Puissance, Ptot:225mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE DOUBLE SERIES; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:100mA; Puissance, Ptot:150mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-416; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE DOUBLE 3SOT23; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:100mA; Puissance, Ptot:200mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 3.6V; Tension, Vz:3.6V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS RESEAU 4 DIODES SC-74A; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:25mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:80mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5mA; Dissipation de puissance, max..:80mW; Puissance, Ptot:80mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SC-74A; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE ZENER SC-74A; Tension, Vz:6.8V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Type de boîtier:SC-74A; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 5.6V 5MA DO-34; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:DO-34; Type de terminaison:Broches axiales DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:40mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE SCHOTTKY 40V 0.5A SOT-346; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:3A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:3A DIODE SCHOTTKY SS 30V 100MA 2VMN; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:500mA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:VMD2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:VMD2; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:500mA DIODE BARRIERE SCHOTTKY SOT-23; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE BARRIERE SCHOTTKY SC-74; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Triple Indépendante; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE SCHOTTKY UMD; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:3V; Tension, Vf max..:460mV; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SC-75A; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SC-75A; Type de terminaison:CMS DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 200V 7A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:700mA; Tension, Vf max..:850mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:15A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:12ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-123; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:15A DIODE DE COMMUTATION; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:50V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:600mA; Puissance, Ptot:500mW; Temps actif pour IFSM:1è¾s; Température, Tj max..:200Â°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 15V; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 6.8V; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE ZENER SMD3; Tension, Vz:5.6V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 2.4V; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 3.0V; Tension, Vz:3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 4.3V; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 5.1V; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS RESEAU 4 DIODES SOT-363; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:300mA; Courant, If, Vf:100mA; Puissance, Ptot:150mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS DIODE COMMUTATION RAPIDE; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:25mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:900mV; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:250mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If max..:80mA; Courant, If, Vf:5mA; Puissance, Ptot:150mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-353; Type de terminaison:CMS RESEAU DIODE ZENER; Tension, Vz:6.8V; Configuration diode:Double anode commune; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Type de boîtier:SOT-353; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 0.4W 2.4V SOD323; Tension, Vz:2.4V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:400mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE, RECTIFIER, 600V, 8A, TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:3.2V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:77A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 4.3V 0.15W SOD523; Tension, Vz:4.3V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE ZENER 11V 0.15W SOD523; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE ZENER 5.1V 0.1W VMD2; Tension, Vz:5.1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:VMD2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:100mW DIODE DE DECOUPAGE 80V 0.1A VMD2; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:VMD2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE DECOUPAGE 80V 0.13A DO-34; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:130mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:600mA; Type de boîtier diode:DO-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 100MW VMN2; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:VMN2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:100mW; Type de boîtier:VMN2; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 10V; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:2mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-523 5.6V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:150mW; Type de boîtier:SOD-523; Type de terminaison:CMS RESEAU 4 DIODES SC-74; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:300mA; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:100mA; Dissipation de puissance, max..:300mW; Puissance, Ptot:300mW; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOT-457; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 1W SOD-106; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:40mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD-106; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:550mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD-106; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:70A DIODE REDRESSEMENT; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:1A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE BARRIERE SCHOTTKY SC-59; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:400mA; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:470mV; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE BARRIERE SCHOTTKY; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Isolated; Tension, Vrrm:45V; Courant, If moy.:30mA; Tension, Vf max..:370mV; Courant, Ifs max.:200mA; Température de fonctionnement:-40Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:125Â°C; Type de boîtier:SOT-346; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:200mA DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 200V 1A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:870mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-106; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:12ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SOD-106; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE REDRESSEMENT RAPIDE 200V 5A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:920mV; Temps trr max.:30ns; Courant, Ifs max.:40A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SC-63; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:15ns; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:SC-63; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:40A DIODE REDRESSEMENT 400V 1A; Diode Type:Applications générales; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:400V; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:LL-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:LL-41; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:20A DIODE ZENER 12V; Tension, Vz:12V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:10mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER 4.7V; Tension, Vz:4.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:20mA; Dissipation de puissance, max..:500mW; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 11V; Tension, Vz:11V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 13V; Tension, Vz:13V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 16V; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 20V; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 22V; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 27V; Tension, Vz:27V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 30V; Tension, Vz:30V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 33V; Tension, Vz:33V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 5.6V; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE ZENER SOD-323 6.2V; Tension, Vz:6.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:5mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Type de boîtier:SOD-323; Type de terminaison:CMS DIODE DE DECOUPAGE 35V 0.1A SOD-323; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:40V; Tension, Vf max..:1.2V; Courant, Ifs max.:400mA; Type de boîtier diode:SOD-323; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE DECOUPAGE 0.1A 80V VMD3; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:80V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Type de boîtier diode:VMD3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 20V 0.15W SOD523; Tension, Vz:20V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE ZENER DOUBLE 6.8V 0.15W VMD3; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier diode:VMD3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE ZENER 5.6V 0.1W GMD2; Tension, Vz:5.6V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:GMD2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:100mW DIODE ZENER 15V 0.15W SOD523; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE TVS 80W 3V 2 VOIES BI SC-75A; Type de boîtier diode:SC-75A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Double anode commune DIODE SCH RECTI 600V 20A TO220AC; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:19ns; Courant, Ifs max.:76A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCH RECTI 600V 6A TO220AC; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:18ns; Courant, Ifs max.:21A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCH RECTI 600V 12A TO220AC; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:16ns; Courant, Ifs max.:41A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCH RECTI 600V 8A TO220AC; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:32A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCH RECTI 600V 10A TO220AC; Diode Type:SiC Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:15ns; Courant, Ifs max.:40A; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE DECOUPAGE 80V 0.1A SOD-523; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:100mA; Tension, Vrrm:90V; Tension, Vf max..:1.2V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 30V 0.7A TUMD2; Diode Type:Schottky; Courant, If moy.:700mA; Tension, Vrrm:30V; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:5A; Type de boîtier diode:TUMD2; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 16V 0.15W SOD523; Tension, Vz:16V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE ZENER 24V 0.15W SOD523; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE ZENER 6.8V 0.15W SOD523; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:150mW DIODE DE REDRESSEMENT 5A 40V D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:670mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 6A 50V AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 1A 200V MICROSMP; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:820mV; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:MicroSMP; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 4A 30V DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 1A 60V DO-214AC; Diode Type:Avalanche; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2 DIODE DE REDRESSEMENT 3A 40V DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2 DIODE DE REDRESSEMENT 3A 40V DO-214AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:490mV; Courant, Ifs max.:75A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE ZENER 5W 10V 017AA; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:T-18; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 5W 28V 017AA; Tension, Vz:28V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:T-18; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 600W 400V DO-214AA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:342V; Gamme de tension de claquage:380V 420V; Tension, bloquée max..:548V; Courant, impulsion crête:1.1A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS AR 450W 3.3V SLP2626P10; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SLP2626P10; Nombre de broches:10; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 1.5KW 85V DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:85V; Gamme de tension de claquage:85V 104V; Tension, bloquée max..:137V; Courant, impulsion crête:11A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW DIODE DE REDRESSEMENT 6AX2 D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:650mV; Courant, Ifs max.:330A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 8A 200V TO-220B; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220B; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 3A 600V DO-214AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:45ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-50Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 6A 600V AXIAL; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:900mV; Courant, Ifs max.:400A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 4A 20V DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 2A 60V DO-214AA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:75A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 3A 40V DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 3A 20V DO-214AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:20V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 1A 800V 59; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.75V; Temps trr max.:100ns; Courant, Ifs max.:35A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:A sorties axiales; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE VARICAP 25PF 0.1UA SOT-23; Capacité max. Cd @ Vr F:25pF; Q @ Vr F:200; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:30V; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 5KW 110V P600; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:110V; Gamme de tension de claquage:122V 135V; Tension, bloquée max..:177V; Courant, impulsion crête:28.8A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:5kW DIODE RECTIF 15AX2 600V TO-247; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:30A; Tension, Vf max..:1.7V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 6AX2 D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:12A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:320A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:900nm; Courant d'obscurité:1nA; Type de boîtier diode:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-55Â°C +120Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:900.00nm; Pas:2.5mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité:0.55A/W; Surface active:1mmË›; Temps de descente:0.0035è¾s; Temps de montée:0.0035è¾s; Tension Vr max..:50V; Type de boîtier:TO-18 plat; Type de terminaison:Broches radiales DIODE DE SUPPRESSION 16V BOITIER 0603; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:16V; Gamme de tension de claquage:150V; Tension, bloquée max..:290V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:3pF; Capacité, Cd, typ. Vr:10pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:10è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):1.75mm; Longueur/hauteur:0.9mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:0 DIODE ZENER 3W 200V DO-41; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +200Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 5KW 30V P600; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:33.3V 36.8V; Tension, bloquée max..:48.4V; Courant, impulsion crête:105.4A; Type de boîtier diode:P600; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:8W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:5kW DIODE TVS AR 450W 2.5V SLP2626P10; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:2.5V; Tension, bloquée max..:15V; Courant, impulsion crête:25A; Type de boîtier diode:SLP2626P10; Nombre de broches:10; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 1.5KW 220V DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:220V; Gamme de tension de claquage:246V 272V; Tension, bloquée max..:356V; Courant, impulsion crête:4.2A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW DIODE TVS 3KW 36V DO-214AB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:51.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3kW; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:3kW RESEAU DE DIODE TVS 350W 5V SC-74; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V 7.2V; Tension, bloquée max..:15.5V; Courant, impulsion crête:23A; Type de boîtier diode:SC-74; Nombre de broches:6; Dissipation de puissance Pd:350W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel MODULE DIODE ALIMENTATION 24VDC/40A; A utiliser avec:Process Control Equipment & Industrial Applications; Type d'accessoire:Redundancy Module; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 3A 800V SOD-64; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:800V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1.9V; Temps trr max.:60ns; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-64; Nombre de broches:2 DIODE DE REDRESSEMENT 8A 200V TO-220B; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:8A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220B; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT DOUBLE 8A TO-220AB; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:970mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 1A 100V DO-214BA; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-214BA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 6A 600V TO-252; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:2.1V; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 4A 40V DO-214AB; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:440mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 2A 60V DO-214AA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2 DIODE DE REDRESSEMENT 3A 40V DO-214AB; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:DO-214AB DIODE DE REDRESSEMENT 2A 40V DO-214AC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:420mV; Courant, Ifs max.:60A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE DE REDRESSEMENT 1A 15V DO-214AA; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:15V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:320mV; Courant, Ifs max.:140A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité DIODE ZENER 10W 10V DO-4; Tension, Vz:10V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE ZENER 10W 200V DO-4; Tension, Vz:200V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 1.5KW 300V DO-201; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:256V; Gamme de tension de claquage:285V 315V; Tension, bloquée max..:414V; Courant, impulsion crête:3.7A; Type de boîtier diode:DO-201; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:6.5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:1.5kW DIODE TVS 5W 482V DO-214AA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:300V; Gamme de tension de claquage:332V 368V; Tension, bloquée max..:482V; Courant, impulsion crête:1.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 5W 324V DO-214AA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:200V; Gamme de tension de claquage:224V 247V; Tension, bloquée max..:324V; Courant, impulsion crête:1.9A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Puissance, impulsionnelle crête:5kW DIODE DE REDRESSEMENT 3.5AX2 D-PAK; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:7A; Tension, Vf max..:630mV; Courant, Ifs max.:440A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252AA; Nombre de broches:2 DIODE DE SUPPRESSION 9V BOITIER 0603; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V; Tension, bloquée max..:30V; Courant, impulsion crête:30A; Type de boîtier diode:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:220pF; Capacité, Cd, typ. Vr:470pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:10è¾A; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):1.75mm; Longueur/hauteur:0.9mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:0.9 DIODE DE SUPPRESSION 5.6V BOITIER 0603; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:30V; Gamme de tension de claquage:50V; Tension, bloquée max..:120V; Courant, impulsion crête:5A; Type de boîtier diode:SOD-523; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:10pF; Capacité, Cd, typ. Vr:10pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:10è¾A; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):1.75mm; Longueur/hauteur:0.9mm; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur: PHOTODIODE; Longueur d'onde typ.:550nm; Courant d'obscurité:5nA; Type de boîtier diode:Metal Can; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-25Â°C +75Â°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cj:270pF; Diode Type:Photodiode; Longueur d'onde, crête:550.00nm; NEP:9.3x10; Résistance, shunt:1.5Mohm; Sensibilité:30nA/Lux; Surface active:50mmË›; Temps de montée:26ns; Tension Vr max..:15V; Type de boîtier:Large TO-5; Type de terminaison:Broches radiales DIODE RAPIDE 1.0A 200V CMS; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:150ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:1A; Largeur (externe):5.28mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:2.79mm; Style de boîtier alternatif:DO-214AC; Température, Tj max..:150 DIODE DE SUPPRESSION 600W 150V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:128V; Gamme de tension de claquage:143V 158V; Tension, bloquée max..:207V; Courant, impulsion crête:2.9A; Type de boîtier diode:DO-15; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, fuite inverse, max..:5è¾A; Courant, test:1mA; Diamètre du corps:3.56mm; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:5W; Longue FICHE ELECTRO VANNE+DIODE; Genre:Connecteur mÃ¢le; Nombre de contacts:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:CÃ¢ble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Approval Bodies:CSA / UL; Body Plating:Etain; Connector Type:Rectangulaire; Contact Type:Broche; Couleur:Grey; Courant:16A; Diamètre, cÃ¢ble max..:9mm; Diamètre, cÃ¢ble min.:6mm; IP / NEMA Rating:IP65; Longueur/hauteur:50mm; Matière:Polyamide; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de pÃ¢les:4; Nombre DIODE RAPIDE 182A SOT-227B; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:92A; Tension, Vf max..:1.61V; Config. Brochage:Dual; Configuration diode:Dual, Isolated; Configuration module:Double; Courant, If, Vf:100A; Courant, Ifs max.:1.2kA; Diode Type:Recouvrement progressif; Nombre de broches:4; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.5Â°C/W; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:60ns; Temps, trr typ.:40ns; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Température, Tc If:50Â°C; DIODE DE SIGNAL 70V SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:215mA; Tension, Vrrm:70V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:6ns; Courant, Ifs max.:500mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(A1), 2(K2), 3(K1+A2); Courant, If, Vf:150mA; Marquage composant:BAV99; Puissance, Ptot:225mW; Temps, trr typ.:6ns; Température, Tj max..:150Â°C; Tension Vr max..:70V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE ZENER 3W 8.2V; Tension, Vz:8.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:45.7mA; Dissipation de puissance, max..:3000mW; Puissance, Ptot:3W; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE, TVS, 5V; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:5V; Gamme de tension de claquage:6V; Tension, bloquée max..:11V; Courant, impulsion crête:17A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; Capacité, Cd, typ. Vr:350pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Puissance, impulsionnelle crête:300W; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Tension de claquage:6V; Tension, bloquée max.. 8/20us:11V; Tension, isolement:5V; Tension, rupture min.:6V; Typ DIODE, STANDARD, 20A, 600V, TO-220; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:12.7A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:4è¾s; Courant, Ifs max.:300A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, direct If:1.6V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:300A DIODE, FAST, 4A, 100V, CASE, 267-05; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:890mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:125A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:890mV; Tension, rupture max..:100V; Type de boîtier:267-05; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:125A DIODE DE REDRESSEMENT RAPIDE 1000V 2A; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.1V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:300ns; Température, Tj max..:175Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE SCHOTTKY 0.2A 30V CMS SOT-323; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Series; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vf max..:800mV; Temps trr max.:5ns; Courant, Ifs max.:750mA; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:800mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:750mA DIODE, ZENER 0.8W 24V; Tension, Vz:24V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:25mA; Dissipation de puissance, max..:800mW; Puissance, Ptot:800mW; Température, Tj max..:175Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:SMF; Type de terminaison:CMS DIODE, ULTRA-FAST SMF 1A 50V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:950mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:85Â°C/W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:950mV; Type de boîtier:SMF; Type DIODE SCHOTTKY 0.5A 30V SOD-123F; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:430mV; Courant, Ifs max.:10A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:430mV; Type de boîtier:SOD-123F; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:10A DIODE SCHOTTKY 1A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:25A; Température de fonctionnement:-65Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:MELF; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ir, max..:100è¾A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:80Â°C/W; Température, Tj max..:125Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm DIODE SCHOTTKY 20A 200V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Dual, Common Cathode; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:20A; Tension, Vf max..:1.23V; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:1A; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE FAIBLE SIGNAL 200MA; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:LL-34; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A DIODE, FAST SMF GP 0.8A 1000V; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:800mA; Tension, Vf max..:1.3V; Temps trr max.:500ns; Courant, Ifs max.:30A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SMF; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Résistance thermique, jonction-carcasse:105Â°C/W; Temps, trr typ.:500ns; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Tension, direct If:1.3V; Type de boîtier:SMF; DIODE ZENER 15V 1 W; Tension, Vz:15V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier diode:MELF; Nombre de broches:2; Courant, test:17mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Type de boîtier:MELF; Type de terminaison:CMS DIODE, ZENER, 56V, 1W; Tension, Vz:58.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, test:4.5mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Pointe de courant:80mA; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales DIODE SCHOTTKY 16A 60V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:16A; Tension, Vf max..:750mV; Courant, Ifs max.:150A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Irrm:500mA; Temps actif pour IFSM:8.3ms; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-65Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:150A DIODE REDRESS. PUISSANCE FAST; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:1.07V; Temps trr max.:25ns; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; Temps, trr typ.:25ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:SOD-57; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:50A DIODE RAPIDE TO-220AC; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:980mV; Temps trr max.:35ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:TO-220AC; Nombre de broches:2; Courant, Ir, max..:1è¾A; Puissance, Ptot:65W; Temps, trr typ.:35ns; Température, Tj max..:175Â°C; Type de boîtier:TO-220AC; Type de terminaison:Traversant; courant Ifsm:100A DIODE TVS 68V 600W; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:58.1V; Tension, bloquée max..:92V; Courant, impulsion crête:6.8A; Type de boîtier diode:SMB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Dissipation de puissance:3W; Puissance, impulsionnelle crête:600W; Tension de claquage:71.4V; Tension, isolement:58.1V; Type de boîtier:SMB; Type de terminaison:CMS DIODE TVS 40V 300W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:40V; Tension, bloquée max..:64.5V; Courant, impulsion crête:6.2A; Type de boîtier diode:SMA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Dissipation de puissance:1W; Puissance, impulsionnelle crête:400W; Tension de claquage:49.1V; Type de boîtier:SMA; Type de terminaison:CMS DIODE 100V. 0.4W. SOD123; Diode Type:Commutation; Courant, If moy.:300mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE SCHOTTKY REDR 60V 2A SOD123W; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:2A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123W; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DOUBLE DIODE TVS UNI DIR 40W 22V SOT23; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:25.65V 28.35V; Tension, bloquée max..:40V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance Pd:265mW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Anode commune; Dissipation de puissance:265mW DIODE QUAD ESD DOUBLE USB2.0 SOT886; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:3V; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 40V SOT23; Configuration diode:Une; Type de boîtier diode:SOT-23 DIODE TVS 6V 600W BIDIR SMB; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:58.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:5W; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:5W DIODE SCHOTTKY REDR 30V 3A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:30V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:450mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS UNI DIR 64V 400W SOD123W; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:64V; Gamme de tension de claquage:71.1V 78.6V; Tension, bloquée max..:103V; Courant, impulsion crête:3.9A; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE ESD INTERFACE VGA SOT337-1; Diode Type:Protection ESD; Dissipation de puissance Pd:50mW; Tension de fonctionnement:5V; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:50mW DIODEPINSWLOW INDUCTSOT-323; Diode Type:PIN RF; Capacité max. Cd @ Vr F:0.375pF; Résistance @ If:2.5ohm; Fréquence, centrale:3GHz; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:5mA; Type de boîtier diode:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL N DIODE 200V 3.8A PQFN56; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vgs max..:20V DIODE TVS 350V1.5KWBI5%SMC; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:350V; Gamme de tension de claquage:391V 432V; Tension, bloquée max..:567V; Courant, impulsion crête:2.6A; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Dissipation de puissance:1.5kW DIODE ESD 4 CH USB HDMI SOT1176; Diode Type:Protection ESD; Tension de fonctionnement:5.5V; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MOSFET CANAL P DIODE 30V 21A PQFN56; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-21A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):3700è¾ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-21A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vgs max..:-20V DIODE SCHOTT RECT 60V 1A SOD128; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:530mV; Courant, Ifs max.:50A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-128; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE REDRESSEMENT SCHOTTKY 50V 5A SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:50V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:700mV; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-55Â°C +125Â°C; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) DIODE ZENER 10W 6.8V DO-4; Tension, Vz:6.8V; Dissipation de puissance Pd:10W; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-4; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 600W 6V SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:6V; Gamme de tension de claquage:6.67V 7.37V; Tension, bloquée max..:10.3V; Courant, impulsion crête:58.3A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 600W 200V SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:171V; Gamme de tension de claquage:190V 210V; Tension, bloquée max..:274V; Courant, impulsion crête:2.2A; Type de boîtier diode:DO-214AA; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE TVS 600W 36V SMB; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:36V; Gamme de tension de claquage:40V 44.2V; Tension, bloquée max..:58.1V; Courant, impulsion crête:10.3A; Type de boîtier diode:403A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:3W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel DIODE SBR 60V 3A DPAK; Diode Type:Super Barrier; Configuration diode:Double cathode commune; Tension, Vrrm:60V; Courant, If moy.:6A; Tension, Vf max..:570mV; Courant, Ifs max.:80A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3 DIODE TVS 11V UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:11V; Gamme de tension de claquage:12.2V 13.5V; Tension, bloquée max..:18.2V; Courant, impulsion crête:33A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE, ZENER, 0.500W, 22C, SOD123F; Tension, Vz:22V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE SCHOTTKY 3.3A 100V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:100V; Courant, If moy.:3.3A; Tension, Vf max..:850mV; Courant, Ifs max.:210A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:3A; Courant, direct, If:3A; Diamètre, extérieur:5.6mm; Longueur/hauteur:9.5mm; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:850mV; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches ax DIODE DE REDRESSEMENT 10A 1.5KV TO-220F; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.5kV; Courant, If moy.:10A; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:170ns; Courant, Ifs max.:100A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-220F; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE REDRESSEMENT 4A 1KV 267; Diode Type:Recouvrement rapide; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1kV; Courant, If moy.:4A; Tension, Vf max..:1.85V; Temps trr max.:100ns; Courant, Ifs max.:70A; Température de fonctionnement:-65Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 10V UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:10V; Gamme de tension de claquage:11.1V 12.3V; Tension, bloquée max..:17V; Courant, impulsion crête:35.3A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 15V UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:15V; Gamme de tension de claquage:16.7V 18.5V; Tension, bloquée max..:24.4V; Courant, impulsion crête:24.6A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE SUPPRESSION 12V BOITIER SO; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:12V; Gamme de tension de claquage:13.3V 14.7V; Tension, bloquée max..:19.9V; Courant, impulsion crête:79A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, unidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GEE; Polarité, directionnelle:Unidirectional; Profondeur DIODE SMALL SIG 100V 0.2A SOD-80; Diode Type:Recouvrement ultra-rapide; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:2A; Température de fonctionnement:-55Â°C +175Â°C; Type de boîtier diode:SOD-80; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) RESEAU DE DIODE TVS 350W 24V SOT-23; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:26.2V 32V; Tension, bloquée max..:40V; Courant, impulsion crête:8A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel DIODE TVS 0.15W 7.8V SOD-923; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:3.3V; Tension, bloquée max..:7.8V; Courant, impulsion crête:1A; Type de boîtier diode:SOD-923; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:150mW; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Unidirectionnel RESEAU DE DIODE 40V 5A SMC; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5A; Tension, Vf max..:500mV; Courant, Ifs max.:190A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-214AB; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PHOTODIODE 65DEG 540NM CMS; Longueur d'onde typ.:540nm; Angle, moitié:65Â°; Courant d'obscurité:2nA; Type de boîtier diode:SMD; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40Â°C +100Â°C DIODE 3A 600V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:3A; Tension, Vf max..:1V; Courant, Ifs max.:200A; Température de fonctionnement:-65Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:DO-201AD; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Type de boîtier:DO-201AD; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:200A DIODE FILETEE 165A 1200V; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:165A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:2.5kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode filetée; Taille du filetage:M12; Température de fonctionnement:-40Â°C +180Â°C; Température, Tj max..:180Â°C; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:E14; Type de boîtier diode:E14; courant Ifsm:2.5kA DIODE TVS 13V UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:13V; Gamme de tension de claquage:14.4V 15.9V; Tension, bloquée max..:21.5V; Courant, impulsion crête:28A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE RECT 1.6KV 100A SEMIPACK 1; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:1.35V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) THYRISTOR DIODE MOD 95A 1.6KV; Tension Vdrm:1.6kV; Courant, It moy:95A; Courant, It efficace:150A; Courant Itsm (50Hz):2kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) RESEAU DE DIODE 40V 0.5A SOD123; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:500mA; Tension, Vf max..:620mV; Courant, Ifs max.:5.5A; Température de fonctionnement:-55Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:SOD-123; Nombre de broches:2; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 14V UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:14V; Gamme de tension de claquage:15.6V 17.2V; Tension, bloquée max..:23.2V; Courant, impulsion crête:25.9A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE TVS 9V UNI SMA; TVS Polarity:Unidirectional; Tension , Vrwm:9V; Gamme de tension de claquage:10V 11.1V; Tension, bloquée max..:15.4V; Courant, impulsion crête:39A; Nombre de broches:2; Dissipation de puissance Pd:600W; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DIODE DE SUPPRESSION 22V BOITIER SO; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:22V; Gamme de tension de claquage:24.4V 26.9V; Tension, bloquée max..:35.5V; Courant, impulsion crête:44A; Type de boîtier diode:SMC; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Bidirectionnel; Courant de fuite:5è¾A; Courant, test:1mA; Diode Type:TVS, bidirectionnelle; Largeur (externe):7.11mm; Longueur/hauteur:2.62mm; Marquage, CMS:GEX; Polarité, directionnelle:Bidirectional; Profondeur:6.2 DIODE SCHOTTKY 5.5A 40V; Diode Type:Schottky; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:40V; Courant, If moy.:5.5A; Tension, Vf max..:510mV; Courant, Ifs max.:340A; Température de fonctionnement:-40Â°C +150Â°C; Type de boîtier diode:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If, Vf:5A; Courant, Ir, max..:3A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température, Tc:92Â°C; Température, Tj max..:150Â°C; Température, Tj min.:-55Â°C; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS; courant DIODE 1A 200V; Diode Type:Recouvrement standard; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:200V; Courant, If moy.:1A; Tension, Vf max..:1.1V; Courant, Ifs max.:30A; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Polarité:Cathode; Température, Tj max..:150Â°C; Tension, direct If:1.1V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches axiales; courant Ifsm:30A