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AMP

AMPLI

AMPLIFICATEUR

BATTERIE

BOITIER CIRCULAIRE

BORNIER

BOUTON

CAPACITOR

CABLE

CAPOT

CAPTEUR

CINCH-SD-LB-CONNECTOR-BACKSHELL

CINCH-12-140-BLOC-DE-TERMINAISON12VOIES

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SIBA-160016-5A-FUSIBLE-5A-250V-RETARDE-4.5X8MM

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ADAPTATEURS

ALIMENATIONS

CORDON

CONVERTISSEUR

CIRCUIT

CHOKE

CARTE

FILTRE

FORET

FIL

EMBASE.2.54MM

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INDUCTOR

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MEMOIRE

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ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K

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IC, EEPROM 16K, SMD, 25LC160, SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25 MICROCONTROLEUR 8 BITS CMS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:3884B; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonc EEPROM SERIE 4K 24LC04 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC04B; Numé MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant: EEPROM SERIE 2K CMS 24C02 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02C; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24 IC-2K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiqu IC, EEPROM SERIAL 1K, 93LC46, SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; N MEMOIRE EEPROM I2C 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de la référence:24; Taille EEPROM I2C 4K 24C04 DIP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C04; Racine de la référence:24; Ta MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:21; Taille mémoire de programme:3.79KB; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, Timer; Nombre de voies PWM:1; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:28; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Températ MEMOIRE EEPROM I2C 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C64; Numéro générique:24C64; Racine de la référence:24; Taille mémoire IC-8K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; N IC-32K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro g IC-CMS-4K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:24LC040; Numéro génér IC-CMS-32K BIT SERIAL EEPROM; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro génér IC-8 BIT EEPROM MCU; contrôleur Famille / Série:PIC16F; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:0.5 Kwords; Taille EEPROM:64Byte; Taille mémoire, RAM:36Byte; Vitesse de processeur:4MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:Timer; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:4V 6V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:70°C; Températ MEMOIRE EEPROM PARALLELE CMS 64K(8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15JU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique MICROCONTROLEUR 8 BITS OTP 4K+EEPROM; contrôleur Famille / Série:ST6; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:13; Taille mémoire de programme:3884B; Taille EEPROM:128Byte; Taille mémoire, RAM:128Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:2; Périphériques:ADC, ART, LVD; Type de boîtier CI numérique:DIP; Gamme de tension d'alimentation:3V 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionn MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15PU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la ré EEPROM SPI 8K CMS 95080 SO-8-8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95080-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95080; Numéro générique:95080; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM CMS 512K I2C; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24512; Numéro générique:24512; Racine de la référence:24512; Taille mémoire:512Kb EEPROM SPI 256K CMS 95256 SO-8-8; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95256-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95256; Numéro générique:95256; Racine de la MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C256-15PU; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de MEMOIRE EEPROM CMS 1K SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95010; Numéro générique:95010; Racine de la référence:95010; Taille mémoire:1Kbit; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93LC46; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 64K SPI CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95640; Numéro générique:95640; Racine de la référence:95640; Taille mémoire:64Kbit; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 128 BITS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SPI 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95320; Numéro générique:95320; Racine de la référence:95320; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille m MCU 8 BITS 64K FLASH EEPROM CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:60KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:External; Nombre de timers:1; Périphériques:ADC, PWM, Timer; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Tem EEPROM SERIE 2K 24LC02 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC02B; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro générique:24L MEMEOIRE EEPROM 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC86; Numéro générique:93LC8 MEMEOIRE EEPROM SERIE 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC0 MEMOIRE EEPROM I2C 32K; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C32; Numéro générique:24C32; Racine de la référence:24; Taille mémoire:32Kbit; Températu MEMOIE EEPROM 4KB 1 FIL; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS24B33+; Numéro de la fonction logique:2433; Racine de la référence:2433; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonc MEMEOIRE EEPROM SERIE 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC04; Numéro générique:24LC04; Racine de la référen MEMOIRE EEPROM SERIE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC86; Numéro généri MEMOIRE EEPROM 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille mémoi MEMOIRE EEPROM SERIE 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; N MEMOIRE EEPROM SERIE 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8bit ou 64x16bit; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro d MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tail EEPROM SERIE 2K CMS 8582 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:PCF8582C; Numéro de la fonction logique:8582; Numéro générique:8582; Racine MEMOIRE EEPROM CMS SPI 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95020; Numéro générique:95020; Racine de la référence:95020; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Temps d'accès:8è¾s; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2000kHz; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la référence:93; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tension, Vcc:5 EEPROM SERIE 32K CMS SO-8-8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C32; Numéro de la fonction logique:24C32; Numéro géné MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire: MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24 MEMOIRE EEPROM 256K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:500ns; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24256; Racine de la référence:24256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnement m EEPROM SPI 16K CMS 95160 SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95160-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95160; Numéro générique:95160; R EEPROM SPI 4K CMS 95040 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95040-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95040; Numéro générique:95040; R MEMOIRE EEPROM 128K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24128; Numéro générique:24128; R EEPROM SERIE 1K CMS 93C46 SO88; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C46-WMN6P; Numéro de la foncti MEMOIRE EEPROM SMART SERIE 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro générique:24LC65; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC1 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro MEMOIRE EEPROM 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction log EEPROM, 1024K, 128K X 8, SER, DIP8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC1025; Numéro générique:24LC1025; Racine de la référence:24; Taille mémoire:1M EEPROM, 128K, 16K X 8, SER, TSSOP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique:24LC128; Racine de la IC, EEPROM, 64K, 8K X 8, SER, SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la r EEPROM, 2K, 256 X 8 SERIAL, DIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de la référence SM EEPROM 1024K 128K X 8 SER; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24F1025; Numéro générique:24FC1025; Racine de la référe EEPROM 256K, 32K X 8, SER, TSSOP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la ré EEPROM 256K 32K X 8 SER SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC256-I/SN; Numéro générique:25LC256; Racine de la référence:25; Taille EEPROM 4K, 512 X 8/256 X 16, SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro EEPROM 128K 16K X 8 SER SOIC8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC128T; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro génériqu EEPROM 16K 2K X 8 SERIE SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC16B; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA128; Numéro générique:24AA128; Racine de la référence:24; Taille mémoire:128Kbi MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8b; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référence:24; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC04; Numéro générique:24LC04; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro générique:24LC16; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA640; Numéro générique:25AA640; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro générique:93AA86; Rac MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:102kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique:24LC128; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC020; Numéro générique:25LC020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8bit ou 128 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C0 MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Nu MEMOIRE EEPROM SERIE 1K (128 X 8); Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:3 Wire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93C46 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF016B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; MEMOIRE EEPROM 256 BITS CMS; Taille mémoire:256bit; Configuration mémoire:32 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32 x 8; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2430AP+; Numéro générique:2430; Racine de la référence:2430; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA32; Numéro générique:24AA32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA65; Numéro générique:24AA65; Racine de la référence:24; Taille mé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro générique:24LC02; Racine de la référence:24 EEPROM SERIE 1024KB CMS SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC-W; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC1025; Numéro de la fonction logique:24LC1025; Numéro gé MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; Taille mémoire:64Kbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC256; Numéro générique:25LC256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de RTC/CALENDAR W/EEPROM CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Configuration mémoire:512 x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques RTC:EEPROM; Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence, horloge:400kHz; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Nombre de canaux de RTC/CALENDAR W/EEPROM CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Configuration mémoire:512 x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques RTC:EEPROM; Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence, horloge:400kHz; Interface:Serial, I2C; Interface Type:Serial, I2C; Nombre de canaux de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:1024; Numéro générique:24C1024; Racine de la référence:24 RTC/CALENDAR W/EEPROM CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Configuration mémoire:512 x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques RTC:EEPROM; Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence, horloge:400kHz; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Nombre de canaux de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24HC02; Numéro générique:24HC02; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1M 24C1024; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:AT24C1024BW; Numéro de la fonction logique:1024; Numéro générique:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 128K CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C128; Numéro de la fonction logique:128; Numéro générique: 1M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF010A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminais EEPROM, 1K, 128 X 8 SERIAL, SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référ IC, EEPROM 8K, 1K X 8 SERIAL, DIP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de l EEPROM, 8K, 1K X 8 SERIAL, SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de la EEPROM 256K, 32K X 8, SER, SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la ré EEPROM, 256K, 32K X 8, SER, SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de l EEPROM, 64K, 8K X 8, SER, TSSOP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référe EEPROM 16K, 1024 X 16/2048 X 8, DIP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro gé MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA512; Numéro générique:24AA512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA160; Numéro générique:25AA160; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine EEPROM 1M 2-FIL SERIE 2.5V; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:AT24C1024BN; Numéro de la fonction logique:24C102; Numéro générique:24C10 EEPROM, 1M, PARALLEL, 5V, 28C010; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:120ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C010; Numéro générique:28C010; Racine de la référence:28; Ta EEPROM 1K 2FIL SERIE 1.8V CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:3 Wire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:AT93C46DN; Numéro de la fonction logique IC, EEPROM SERIAL 1024K; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC1025; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM SERIAL 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; IC, EEPROM SERIAL 64K, SMD; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24C65; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d IC, EEPROM SERIAL 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement ma MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro générique:24C08; R IC, EEPROM I2C 512K, SMD, SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24; Numéro générique:24FC512; Racine de la référence: EEPROM, 256K, PARALLEL, SMD, 28C256; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C256; Numéro générique:28C256; Racine de la référence:28; MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la référence:28; Taille mémoire:64Kbit; IC, EEPROM, SERIAL, 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC080; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' IC, EEPROM, SERIAL, 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempér IC, EEPROM, SERIAL, 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8 / 128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC56; Taille mémoire:2Kbit; Température IC, SM, EEPROM, SERIAL, 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8 / 128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC56; Taille mémoire:2Kbit; Tempér IC, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EEPROM 256K SERIE; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la référence:24 IC, SM, EEPROM, SERIAL, 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC080; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températu IC, EEPROM, SERIAL, 128K; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC128; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempér IC, EEPROM, SERIAL, 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC160; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température IC, SM, EEPROM, SERIAL, 512K, SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+ MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, SM, EEPROM, SERIAL, 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC86; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonct IC CPU SUPERVISOR WITH 4K SPI EEPROM; Tension de seuil:4.25V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:2mA; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:5mA; Fréquence, horloge:3.3MHz; Racine de la référence:5043; Taille mémoire:512 x 8; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér EEPROM 256K I2C 2.5V SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:1MHz; Gamme de température, circuit intégré:Automotive; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256; Numéro gé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempé IC, EEPROM, 1K, 1.8V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA010; Tai IC, EEPROM, 2K, 2.5V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC020; Taille IC, EEPROM, 2K, 1.8V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA020; Tai IC, EEPROM, 8K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC080; Taill IC, EEPROM, 16K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA160; Taille EEPROM, 1MBIT, 400KHZ, 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA1025; Taille mé IC, SM, EEPROM, SERIAL, 1024K; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; EEPROM, SERIAL, 16K, 8SOIC; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC160; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempéra IC, EEPROM, SERIAL, 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC640; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température IC, EEPROM, SERIAL, 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC46; Taille mémoire:1Kbit; Tempér IC, SM, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2 BLK(256 x 8); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC04; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionn IC, SM, EEPROM, SERIAL, 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC08; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement m EEPROM, SERIAL, 1K, 6SOT-23; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionn IC, SM, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC66; Taille mémoire:4Kbit; Température d IC, EEPROM 3-WIRE, SOP-8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25C320; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'ut EEPROM, 1M, SPI, 1.8V, 128KX8, DFN8; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+ 8BIT MCU, 60K FLASH, 2K EEPROM, LQFP48; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:60 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:48; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19 IC, EEPROM, 1K, 2.5V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8 / 64 x 16; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:UNI/O; Numéro générique:11LC010; Taill IC, EEPROM, 1K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA010; Taille IC, EEPROM, 16K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC160; Tai IC, EEPROM, 16K, 2.5V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC160; Taille IC, EEPROM, 16K, 1.8V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA160; Tai EEPROM, 8K, I2C, 1.8V, 1KX8, SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA08 EEPROM 256K I2C 1.8V SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24AA256T; Numéro IC, EEPROM, 256K, I2C, 2.5V, PDIP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:1MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC256; Taille EEPROM 512K I2C 2.5V SOIJ8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Automotive; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC512; Numéro MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de la référence:28; Taille mémoire:25 EEPROM I2C 2K HALF PROTECT PDIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..:5 EEPROM I2C 1K HALF PROTECT MSOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V EEPROM I2C 1K HALF PROTECT TSSOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5. EEPROM 512K I2C 2.5V SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:500ns; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24512; Numéro générique:24512; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te EEPROM 8K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C08; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionneme EEPROM 2K 1.8V I2C MAC SOT23-5; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2 BLK(128 x 8); Fréquence:400Hz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Organisation mémoire:2 X 128 X 8bit; Taille mémoire:2Kbit; T IC, SM, EEPROM, SERIAL, 128K; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25LC128; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; T IC, EEPROM, SERIAL, 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC66; Taille mémoire:4Kbit; Température de foncti IC, SM, EEPROM, SERIAL, 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC86; Taille mémoire:16Kbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 64K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC64; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Marquage composant:25AA02E48-I/SN; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire IC, EEPROM 3-WIRE, SOP-8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:512 x 16; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C76; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températ EEPROM, 32K, I2C, 1.8V, 4KX8, SOIC8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement ma 8BIT MCU, 96K, EEPROM, CAN, LQFP48; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:40; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de bro EEPROM, 1MB, 2-WIRE, 1.8V, PDIP8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C1024; Température d'utilisation min:-40°C EEPROM I2C 2K HALF PROTECT SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..: EEPROM I2C 2K HALF PROTECT TSSOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5. IC, EEPROM, 1KB, 1-WIRE, TO-923; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:256 x 4; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 5.25V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256 x 4; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2431+; Numéro générique:DS2431; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températ IC, EEPROM, 1KB, 1-WIRE, TSOC6; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:256 x 4; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 5.25V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256 x 4; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2431P+; Numéro générique:DS2431; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Températu IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24C02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Tempé IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC65; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93LC46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement ma EEPROM 4K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C04; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionne EEPROM 4K MICROFIL 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, 3-Wire; Numéro générique:93C66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionneme 8BIT MCU, 128K, EEPROM, CAN, LQFP64; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:54; Taille mémoire de programme:128 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:8KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de b EEPROM, 256K, 32KX8, SPI, TSSOP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; MÉMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial; Numéro générique:11AA02E48; Racine de la référence:02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mém MÉMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 3SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial; Numéro générique:11AA02E48T; Racine de la référence:02; Taille mémoire:2Kbit; Tensio EEPROM, 1MB, 2-WIRE, 1.8V, SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C1024; Numéro générique:24C1024; Taille mémoire:1Mbit; Températ EEPROM, 1MB, 2-WIRE, 1.8V, SOICW8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC-W; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24C1024; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max EEPROM I2C 1K HALF PROTECT PDIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V; EEPROM SERIE 256K TUBE100 24LC256; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la réf EEPROM SERIE 512K TUBE60 24LC512; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référ EEPROM 1MB I2C 1.8V SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:500ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24M01; Numéro générique:24M01; Racine de la référence:24; Taille EEPROM 32K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionn EEPROM 16K I2C 1.8V MLP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24C16; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionn EEPROM 2K 1.8V I2C MAC SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400Hz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Tension, alimentation ma IC, EEPROM, 2K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC020; Tai IC, EEPROM, 2K, 2.5V, UNIO, SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC020; Taille IC, EEPROM, 2K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA020; Taille IC, EEPROM, 4K, 2.5V, UNIO, SOT-23; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11LC040; Tai IC, EEPROM, 4K, 1.8V, UNIO, PDIP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, UNI/O; Numéro générique:11AA040; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 32K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC32; Taille mémoire:32Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 6SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Tension, alimentation MÉMOIRE EEPROM SERIE 1KB 2.5V 5SC-70; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:01; Taille mémoire:1K IC, EEPROM, 256K, I2C, 2.5V, SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:1MHz; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24FC256; Taille EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8DIP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; T EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8SOIC; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8TSSOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbi EEPROM, SERIAL, 1K, 2.5V, 8TSSOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; Tension EEPROM, SER, 64K, 2.5V, 1/4 ARRAY, 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taill IC, EEPROM, SERIAL, 2K, 5V, 8MSOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24C02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5V; Ten EEPROM, SER, 32K, 2.5V, 0.25 ARRAY, 8SOI; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC32; Taill EEPROM, SER, 64K, 2. 5V, 1/4 ARRAY, 8DIP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taille EEPROM, SER, 1K, 2.5V, 0.5 ARRAY, 8MSOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC01; Taill EEPROM, SER, 32K, 2.5V, 0.25 ARRAY, 8MSO; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC32; Taille mémoire:32Kbit EEPROM, SER, 64K, 2.5V, 1/4 ARRAY, 8MSOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:3.5è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taill EEPROM, SER, 64K, 2.5V, 1/4ARRAY, 8TSSOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:3.5è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC64; Taille mémoire:64KB; EEPROM, 64K, DUAL INTERFACE, 8TSSOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8192 x 8, 2048 x 32; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C; Type de terminaison:CMS EEPROM, SERIAL, 2KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 4KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 32KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, 64K, DUAL INTERFACE, 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8192 x 8, 2048 x 32; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C; Type de terminaison:CMS IC, EEPROM, SERIAL 32KB, 5WLCSP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:WLCSP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Interface:I2C IC, EEPROM 3-WIRE, SOP-8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Serial; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; T IC, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25C040; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utili IC, SM, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93C46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement ma MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C MCU, 16BIT, 1K RAM, 4K EEPROM, LQFP112; contrôleur Famille / Série:68HC12; Nombre de bits:16bit; Nombre d'E/S:91; Taille EEPROM:4KB; Taille mémoire, RAM:1KB; Vitesse de processeur:8MHz; Type d'oscillateur:Externe, Interne; Nombre de timers:1; Peripherals:CAN, Minuterie; Type d'interface embarquée:SCI, SPI; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:112; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec 8BIT MCU, 32K FLASH, EEPROM, CAN, LQFP48; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:39; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d 8BIT MCU, 32K FLASH, EEPROM, CAN, LQFP64; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:53; Taille mémoire de programme:32 KB; Taille EEPROM:1KB; Taille mémoire, RAM:2KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:8; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre d 8BIT MCU, 96K, EEPROM, CAN, LQFP100; contrôleur Famille / Série:HCS08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:88; Taille mémoire de programme:96 KB; Taille EEPROM:2KB; Taille mémoire, RAM:6KB; Vitesse de processeur:40MHz; Type d'oscillateur:Externe; Nombre de timers:2; Peripherals:CAN, TPM, RTC; Type d'interface embarquée:CAN, I2C, SCI, SPI; Nombre de voies PWM:14; Type de boîtier CI numérique:LQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de br MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 6SOT; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C EEPROM I2C 2K HALF PROTECT SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V EEPROM 128K I2C 1.7V MLP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C, 2 Wire; Numéro générique:24128; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonc EEPROM 128K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95128; Taille mémoire:128KB; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température EEPROM 64K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95640; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' EEPROM 32K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95320; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' EEPROM 4K SPI 1.8V MLP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:95040; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d' MEMOIRE EEPROM I2C 1K 1.5V SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..:3.6V; EEPROM, SERIAL, 512KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 1KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 256KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 64KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8b; Interface:Serial, SPI IC, EEPROM, SERIAL, 2K, 5V, 8DIP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24C02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5V; Tensi EEPROM, SER, 32K, 2.5V, 0.25 ARRAY, 8DIP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C, Serial, 2-Wire; Interface Type:I2C, Serial, 2 Wire; Numéro générique:24LC32; Taille EEPROM 1M (128KX8) 12C 8PDIP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24M01 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC EIAJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 1M (128KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24M01 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8PDIP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8TSSOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 1M (128KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC EIAJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24M01 EEPROM 512K (64KX8) 12C 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 IC, EEPROM, 12C, 512KB, 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Interface:I2C MEMOIRE EEPROM 16K 1.8V UNE/S 3TO-92; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Interface:Serial EEPROM, SERIAL, 8KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 128KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM, SERIAL, 16KBIT, 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8b; Interface:Serial, SPI EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 1024K 8PDIP; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 128K (16KX8) 8TSSOP; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C128 EEPROM SERIE 16K (2KX8) 8PDIP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C16 EEPROM 4K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C04 EEPROM SERIE 1024K 8PDIP; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 32K (4KX8) 8SOIC; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C32 EEPROM 4K SERIE 12C 8TSSOP; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C04 EEPROM 64K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C64 EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM FPGA CONFIG 256K 20PLCC; Type de mémoire:EEPROM série; Taille mémoire:256Kbit; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 2K (256X8) 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C02 EEPROM SERIE 128K (16KX8) 8SOIC; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C128 EEPROM SERIE 256K (32KX8) 8SOIC; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C256 EEPROM SERIE 512K (64KX8) 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM 64K DOUBLE INTERFACE 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Type d'interface:I2C, SPI; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 8KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 64KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 128KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 8KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 32KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 1024KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité EEPROM 4KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512Word x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 32KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 1KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128Word x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité EEPROM 16KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PIM SERIE EEPROM PICTAIL PACK; Type d'accessoire:Serial EEPROM PIM PICtail Pack; A utiliser avec:Serial Memory Products & PICkit 3; Caractéristiques:Plug & Play with PICtail Plus Connector, High Density, Wide Voltage Range Devices; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 1024K 8SOIC; Taille mémoire:1MB; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM FPGA CONFIG 512K 20PLCC; Type de mémoire:EEPROM série; Taille mémoire:512Kbit; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM SERIE 16K (2KX8) 8TSSOP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C16 EEPROM SERIE 512K (64KX8) 8TSSOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C512 EEPROM SERIE 64K (8KX8) 8SOIC; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C64 EEPROM SERIE 2K (256X8) 8TSSOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:25020 EEPROM 2K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C02 EEPROM 8K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C08 EEPROM 16K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C16 EEPROM 32K SERIE 12C 8SOIC; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:24C32 EEPROM 16KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 256KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 1024KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 2KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256Word x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 4KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512Word x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 64KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 128KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:5MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DAC 8BIT NV EEPROM I2C 6DFN; Résolution (Bits):8bit; Type de canal d'entrée:Série; Interface de données:I2C; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:2.7V 5.5V; Courant, alimentation:210è¾A; Type de boîtier CI numérique:DFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM 128K SERIE CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC128; Numéro générique:24WC128; Racine de la référence:2 EEPROM SERIE 2K 8582 DIP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:100kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:PCF8582C; Numéro de la fonction logique:8582; Numéro générique:8582; Racine de la EEPROM 1KBIT 3-FIL 8SOP; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64Word x 16bit; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 8KBIT 3-FIL 8SOP; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:512Word x 16bit; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; MSL:MSL 1 - Illimité EEPROM 2KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256Word x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 512KBIT 2-FIL 8SOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8bit; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 256KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EEPROM 512KBIT SPI 8SOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8bit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.6V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:2 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tai EEPROM SERIE 2K 24LC02 SOT-23-5; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC02BT; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro génériq EEPROM SERIE 128K 24LC128 SOIC8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC128; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro génériq EEPROM SERIE 16K 24LC16 SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC16B; N MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gé MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo EEPROM SERIE 1K CMS 93C46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant EEPROM SERIE 64K 24C64 SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C64; Numéro de la fonction logique:24C64; Numéro générique:24C64; Racine de la référence:24 MEMOIRE EEPROM I2C 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM I2C 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de MEMOIRE EEPROM 8K I2C; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C08; Numéro générique:24C08; Racine de la référence:24; Taille mémoire:8 MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique: EEPROM SERIE 128K 24LC128 DIP8; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC128; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique EEPROM 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro générique:24LC16; Racine de la référence:24; Tail EEPROM SERIE 256K 24LC256 DIP8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256-; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique: EEPROM SERIE 512K 24LC512 SOIC8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC512; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gén EEPROM SERIE 1K CMS 93C46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93C46B-I/SN; Numéro de la fonction logique:93C46; MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM 16K MICROWIRE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine de la MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93S46; Numéro générique:93S46; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM 32K SERIE CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC32; Numéro générique:24WC32; Racine de la référence:24; Taille EEPROM 1 FIL 256 BITS; Taille mémoire:256bit; Configuration mémoire:32 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32 x 8; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2430A+; Numéro de la fonction logique:2430; Numéro générique:2430; Racine de la référence:2430; Taille mémoire:256bit; EEPROM SPI 128K CMS 95128 SOIC8; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:5MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:M95128-WMN6P; Numéro de la fonction logique:95128; Numéro générique:95128; Racine de la r MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; N MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe EEPROM SERIE 2K 24LC02 SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC02B; Numéro de la EEPROM SERIE 256K 24LC256 SOIJ8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique: EEPROM SERIE 256K 24LC256 SOIC8; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC256; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique EEPROM SERIE 32K 24LC32 SOIC8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC32A; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24L EEPROM SERIE 64K 24LC64 DIP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC64; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64 MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique: EEPROM SERIE 64K 25LC640 DIP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC640-I/P; Numéro de la fonction logique:25LC640; Numéro générique:25LC640; Ra MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; EEPROM SERIE 16K 24LC16 DIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC16B; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro généri EEPROM SERIE 512K 24LC512 DIP8; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC512; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM 512K SERIE PAGE 64 OCTETS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC515; Numéro générique:24LC515; Racine de la référence:24; Taille mémoir EEPROM SERIE 64K 24LC64 SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24LC64; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC EEPROM SERIE 64K 25LC640 SOIC8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC640-I/SN; Numéro de la fonction logique:25LC640; Numéro générique:25LC640; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composa MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93LC46B-I/SN; Numéro de la fonction logique:9 MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiqu MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq EEPROM SERIE 2K CMS 93C56 SOIC8; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2MHz; Interface:Serial, Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C56-WMN6P; Numéro de la fonction logique:93C56; Num MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine d EEPROM MICROFIL 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C46-WBN6P; Numéro de la fonction logique:93C46; Numéro gén EEPROM MICROFIL 4K 93C66 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:M93C66-WMN6P; Numéro de la fonction logique:93C66; Num EEPROM I2C 16K 24C16 DIP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Numéro générique:24C16; Racine de l EEPROM I2C 16K CMS 24C16 SOIC8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Numéro générique:24C16; Racin MEMOIRE EEPROM 1K I2C; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; Taille EEPROM I2C 4K CMS 24C04 SOIC8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C04; Racine de la référence: EEPROM I2C 8K CMS 24C08 SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M24C08; Numéro de la fonction logique:24C08; Numéro générique:24C08; Racine MCU 8 BITS 64KFLASH 2K EEPROM CMS; contrôleur Famille / Série:HC08; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:52; Taille mémoire de programme:60KB; Taille EEPROM:1024Byte; Taille mémoire, RAM:2048Byte; Vitesse de processeur:8.4MHz; Type d'oscillateur:External Only; Nombre de timers:3; Périphériques:ADC, TIM; Type de boîtier CI numérique:QFP; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Nombre de broches:64; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonction IC, EEPROM SERIAL 256 X 8 SPD, SMD; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:34L02; Racine de la référence:34; Taille mémoire:2Kbit; Température IC, EEPROM SERIAL 256 X 8 SPD, SMD; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:34E02; Racine de la référence:34; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonc IC, EEPROM, I2C, 2K, 256X8, SSOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement IC, EEPROM, I2C, 4K, 512X8, SOP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L04; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM, I2C, 32K, 4KX8, SSOP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; IC, EEPROM, I2C, 32K, 4KX8, SOP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM, I2C, 64K, 8KX8, SOP8; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L64; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement EEPROM, MICROWIRE, 2K, 128X16, SOP8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L56; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnem IC, EEPROM, I2C, 1K, 128X8, SOP-J8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C IC, EEPROM, I2C, 1K, 128X8, SSOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; IC, EEPROM, I2C, 1K, 128X8, SOP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te EEPROM, MICROWIRE, 1K, 64X16, SOP-J8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L46; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionne EEPROM, MICROWIRE, 4K, 256X16, SOP8; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro générique:93L66; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnem IC, EEPROM, 2MX16/4MX8, CMOS; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Fréquence:5MHz; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:29AL032; Taille mémoire:32Mbit; Tension mémo IC, EEPROM, I2C, 8K, 1KX8, SOP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L08; Taille mémoire:8Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempé IC, EEPROM, I2C, 16K, 2KX8, SOP8; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L16; Taille mémoire:16Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te IC, EEPROM, I2C, 32K, 4KX8, SOP-J8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP-J; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24L32; Taille mémoire:32Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C EEPROM, 512K (64KX8), 1.8V, 8PDIP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:25A512; Tension, alimentation max..:3V; Tension, alimentation min.:1.7V EEPROM, 512K (64KX8), 1.8V, 8SOIC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:25A512; Tension, alimentation max..:3V; Tension, alimentation min.:1.7V MEMOIRE EEPROM MAX 7000 CPLD 64 44PLCC; Type de CPLD:EEPROM; Nombre de macrocellules:64; Nombre d'E/S:36; Série:MAX 7000; Temps de propagation:15ns; Temps d'installation d'horloge global:11ns; Fréquence:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI logique:PLCC; Nombre de broches:44; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM 64KBIT I2C 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CARTOUCHE EEPROM ZELIO; Type d'accessoire:EEPROM Cartridge; A utiliser avec:Zelio Logic Smart Relays; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Taille mémoire:1 Kbit EEPROM SERIE 1024KB CMS SOIC8; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIJ; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:25LC1024-I/SM; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI WSON-8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-QAF; Type de boîtier:WSON; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH 2M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25LF020A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Sé 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminai MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf IC, EEPROM SERIAL 1024K; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24AA1025; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:+85°C IC, EEPROM, SERIAL; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25C040; Taille mémoire:4Kbit; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisa EEPROM I2C 1K HALF PROTECT SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, 2 Wire; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:2.5V; Tension, alimentation max..:5.5V EEPROM 2K 128X16 MICROFIL SOIC8; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16, 256 x 8; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16bit ou 256 x 8bit; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:CAT93C56VI-G; Numéro générique MEMOIRE SRAM 4MB 512K X 8 3V 10NS; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:10ns; Gamme de tension d'alimentation:3.135V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Interface Type:Asynchronous; Numéro de la fonction logique:5128; Numéro générique:61LV5128; Racine de la référence:61; Taille mémoire:4Mbit; Température de fonctionnement max..:85°C MEMOIRE SRAM 1M CMS; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:12ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:128K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro de la fonction logique:71024; Numéro générique:71024; Racine de la référence:71024; Taille mémoire:1Mbit; Température MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93C46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant: MEMOIRE EPROM 256K (32K X 8) 4.55.5V CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:27C256; Racine de la référence:27; Taille mémoire:256Kbit; Température de foncti MEMOIRE FIFO ASYNC CMS 4K X 10; Taille mémoire:36Kbit; Configuration mémoire:4096 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:50MHz; Temps d'accès:12ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:4K x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:50MHz; Gamme de tempé MEMOIRE EEPROM I2C 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE EEPROM I2C 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C64; Numéro générique:24C64; Racine de la référence:24; Taille mémoire MEMOIRE PROM OTP 4MB CMS; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C4001; Numéro générique:27C4001; Racine de la référence:27; Taille mémoire:4Mbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EPROM CMOS 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C512; Numéro générique:27C512; Racine de la référence:27; Taille mémoire:512Kbit; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' MEMOIRE PROM OTP CMOS 8MB; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C801; Numéro générique:27C801; Racine de la référence:27; Taille mémoire:8Mbit; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u MEMOIRE EEPROM PARALLELE CMS 64K(8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15JU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique MEMOIRE EPROM 2M (256K X 8) 4.55.5V CMS; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:020; Numéro générique:27C020; Racine de la référence:27; Taille mémoire:2Mbit; Température de fonctionn MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C64B-15PU; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la ré MEMOIRE DATAFLASH SERIE CMS 64MB 20MHZ; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:8192 Pages x 1056 Bytes; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:66MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K Pages x 1KB; Fréquence:66MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 16M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:16; MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 16M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8, 1M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b / 1M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:160; Numéro MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:320; Numéro génér MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 8M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VFQFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:80; N MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:320; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS 2M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:20; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS 4M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:40; Numér MEMOIRE EEPROM CMS 512K I2C; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24512; Numéro générique:24512; Racine de la référence:24512; Taille mémoire:512Kb MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:32; MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 32M; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:323; Numéro générique:29DW323; Racine de la ré MEMOIRE FLASH SERIE CMS 1M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:10; Numéro MEMOIRE FLASH SERIE CMS 8M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VFQFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:80; Numéro g MEMOIRE EPROM 2M (256K X 8) 4.55.5V; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:020; Numéro générique:27C020; Racine de la référence:27; Taille mémoire:2Mbit; Température de fonction MEMOIRE EPROM 256K (32K X 8) 4.55.5V; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8b; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT27C256R-70PU; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:27C256; Racine de la référence:27; Taille mémoire:256Kbit; Températu MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:AT28C256-15PU; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de MEMOIRE FLASH SERIE CMS PAGINE 2M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:20 MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 16M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:160; Numéro générique:28W160; MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 32M; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:320; Numéro générique:28W320; MEMOIRE FLASH SERIE 2MB CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:25MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:VDFPN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:20; Numé MEMOIRE EEPROM CMS 1K SERIAL; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95010; Numéro générique:95010; Racine de la référence:95010; Taille mémoire:1Kbit; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93LC46; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 64K SPI CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95640; Numéro générique:95640; Racine de la référence:95640; Taille mémoire:64Kbit; Te MEMOIRE EPROM 8MB; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C801; Numéro générique:27C801; Racine de la référence:27; Taille mémoire:8Mbit; Température de fonc MEMOIRE EEPROM SERIE 128 BITS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SPI 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95320; Numéro générique:95320; Racine de la référence:95320; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille m MEMOIRE EEPROM I2C 32K; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C32; Numéro générique:24C32; Racine de la référence:24; Taille mémoire:32Kbit; Températu ADD MEMOIRE 1KB 2502 TO-92-3; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:1K x 1; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:128 x 8b; Interface Type:Serial, 1 Wire; Numéro de la fonction logique:2502; Numéro générique:2502; Racine de la référence:2502; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min MEMOIRE EEPROM SERIE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC86; Numéro généri MEMOIRE EEPROM 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille mémoi MEMOIRE EEPROM SERIE 32K CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; N MEMOIRE EEPROM SERIE 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8bit ou 64x16bit; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro d MEMOIRE EEPROM SERIE 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tail MEMOIRE FIFO 1KX9; Taille mémoire:9Kbit; Configuration mémoire:1024 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:22.2MHz; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:1 Kx9bit; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:22.2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commerci MEMOIRE EEPROM CMS SPI 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:95020; Numéro générique:95020; Racine de la référence:95020; Taille m MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Temps d'accès:8è¾s; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2000kHz; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la référence:93; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tension, Vcc:5 MEMOIRE FLASH 64MX16 3V CMS; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:8M x 8, 4M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8M x 8b / 4M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:29W640; Numéro générique:29W640; Racine MEMOIRE SRAM TIMEKEEPER 16K; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:Chronométreur; Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:PCDIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques RTC:Timer watchdog; Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence, horloge:32.768kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Nombre de canaux de sortie:8; MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire: CARTE MEMOIRE 128K SRAM; Racine de la référence:128; Taille mémoire:128Ko; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Température de fonctionnement max..:50°C; Température d'utilisation min:0°C MEMOIRE EEPROM SERIE 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24 MEMOIRE SDRAM 256MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (4M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Taille de page:256Mbit; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:256Mb; Configuration mémoire:16M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC16; Numéro générique: MEMOIRE SDRAM 256MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (8M x 8); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:256Mb; Configuration mémoire:32M x 8; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC32; Numéro générique:48 MEMOIRE SDRAM 64MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (1M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC8; Numéro générique:48LC4; Racine de la référen MEMOIRE SDRAM 128MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (1M x 32); Temps d'accès:5.5ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:86; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:128Mb; Fréquence:166MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC4; Numéro générique:48LC4; Racine de la référence:48LC4; Taille mémoire:128Mb MEMOIRE FIFO 512X9; Taille mémoire:4.5Kbit; Configuration mémoire:512 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:22.2MHz; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:512 x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:22.2MHz; Gamme de température, MEMOIRE FIFO 4KX9; Taille mémoire:36Kbit; Configuration mémoire:4096 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:22.2MHz; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:4K x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:22.22MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commerci MEMOIRE SRAM DOUBLE PORT 2KX16; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:2K x 16; Temps d'accès:35ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:2K x 16; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Asynchronous; Numéro de la fonction logique:7133; Numéro générique:7133; Racine de la référence:7133; Taille mémoire:32Kbit; Tem MEMOIRE SRAM CMS CMOS 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro de la fonction logique:71256; Numéro générique:71256; Racine de la référence:71256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnem MEMOIRE SDRAM 64MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (512K x 32); Temps d'accès:5.5ns; Taille de page:64Mbit; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:86; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:64Mb; Fréquence:166MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC2; Numéro générique:48LC2; Racine de MEMOIRE SDRAM 128MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (2M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:128Mb; Configuration mémoire:8M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC8; Numéro générique:48 MEMOIRE EEPROM 256K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:1MHz; Temps d'accès:500ns; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24256; Racine de la référence:24256; Taille mémoire:256Kbit; Température de fonctionnement m MEMOIRE FLASH 8MBIT SERIE CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Fréquence:75MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25P80; Num MEMOIRE FLASH 8MX8X16 3V CMS; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8, 512K x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b / 512K x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:800; Numéro générique:29W800; Racin MEMOIRE SRAM CMS CMOS 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:64K x 16; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOJ; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:64K x 16; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro de la fonction logique:71016; Numéro générique:71016; Racine de la référence:71016; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement MEMOIRE PROM OTP 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C512; Numéro générique:27C512; Racine de la référence:27; Taille mémoire:512Kbit; Tempéra MEMOIRE SRAM 16K X 8 DOUBLE PORT; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Temps d'accès:15ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Configuration mémoire:16K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Asynchronous; Racine de la référence:7006; Taille mémoire:128Kbit; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'ut MEMOIRE NVRAM CMOS 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:1225; Numéro générique:1225; Raci MEMOIRE NVRAM 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:D'un octet; Temps d'accès:120ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:1644; Numéro générique MEMOIRE FLASH NAND 256MB CMS; Taille mémoire:256Mbit; Configuration mémoire:32k x 8; Temps d'accès:12è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V, 2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32M x 8b; Cycles lecture / écriture:3; Interface Type:Parallel; Racine de la référence:256; Taille de page:528Byte; Taille du bloc:16896Byte; Taille mémoire:25 MEMOIRE EEPROM 128K SERIE BUS I2C CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Temps d'accès:900ns; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24128; Numéro générique:24128; R MEMOIRE EEPROM SMART SERIE 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro générique:24LC65; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC1 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x16 ou 256x8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro MEMOIRE EEPROM 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93 MEMOIRE EEPROM SERIE 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction log MEMOIRE SDRAM 256MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (4M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:256Mb; Configuration mémoire:16M x 16; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC16; Numéro générique:48LC16; Racine de la réf MEMOIRE SDRAM 128MB CMS; Configuration mémoire:4 BLK (2M x 16); Temps d'accès:5.4ns; Taille de page:128Mbit; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité mémoire:128Mb; Configuration mémoire:16M x 8; Fréquence:133MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel, LVTTL; Interface Type:Parallel, LVTTL; Numéro de la fonction logique:48LC8; Numéro générique:48 MEMOIRE FIFO 1KX9 CMS; Taille mémoire:9Kbit; Configuration mémoire:1024 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Fonction FIFO:Synchrone; Fréquence, horloge:66.7MHz; Temps d'accès:15ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TQFP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:1 Kx9bit; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:66.7MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Numéro MEMOIRE FIFO 8KX9 CMS; Taille mémoire:72Kbit; Configuration mémoire:8192 x 9; Largeur du bus de données:9bit; Direction du bus de données:Bidirectionnel; Fonction FIFO:Asynchrone; Fréquence, horloge:33.3MHz; Temps d'accès:20ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Configuration mémoire:8K x 9; Direction du bus de données:FIFO; Fréquence:33.3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Comme MEMOIRE FLASH NAND 128MB CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:128Mbit; Configuration mémoire:16k x 8; Temps d'accès:12è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V, 2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:16M x 8b; Cycles lecture / écriture:4; Interface Type:Parallel; Racine de la référence:128; Taille de page:528Byte; Taille du bloc:16896 MEMOIRE SRAM TIMEKEEPER 64K CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:Chronométreur; Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOH; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques RTC:Timer watchdog; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:32.768kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Nom CARTE MEMOIRE M3; Type d'accessoire:Memory Cartridge; A utiliser avec:CD12, CD20 Controllers; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA128; Numéro générique:24AA128; Racine de la référence:24; Taille mémoire:128Kbi MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC04; Numéro générique:24LC04; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC16; Numéro générique:24LC16; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Taill MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA640; Numéro générique:25AA640; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8, 256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8 / 256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro générique:93AA86; Rac MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de MEMOIRE NVRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:D'un octet; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Racine de la référence:1643; Taille mémoire:64Kbit; Température de fonctionnem MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine MEMOIRE EPROM CMOS 1MB; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:FDIPW; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C1001; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tensio MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:8 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:400kHz; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA16; Numéro générique:24AA16; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:102kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC08; Numéro générique:24LC08; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 128KB CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC128; Numéro générique:24LC128; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC020; Numéro générique:25LC020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC080; Numéro générique:25LC080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro g MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8, 128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8bit ou 128 x 16bit; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro générique:24C0 MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C16; Numéro de la fonction logique:24C16; Nu MEMOIRE EEPROM SERIE 1K (128 X 8); Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Fréquence:2MHz; Interface:3 Wire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:46; Numéro générique:93C46 MEMOIRE FLASH 8M CMS 2KMOTS SECTEUR; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 16b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF016B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; MEMOIRE EEPROM 256 BITS CMS; Taille mémoire:256bit; Configuration mémoire:32 x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:32 x 8; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Interface:1 Wire; Interface Type:Serial, 1 Wire; Marquage composant:DS2430AP+; Numéro générique:2430; Racine de la référence:2430; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA32; Numéro générique:24AA32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA64; Numéro générique:24AA64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA65; Numéro générique:24AA65; Racine de la référence:24; Taille mé MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC02; Numéro générique:24LC02; Racine de la référence:24 MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; Taille mémoire:64Kbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 64KB CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:2 MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA010; Numéro générique:25AA010; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA256; Numéro générique:25AA256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA320; Numéro générique:25AA320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC256; Numéro générique:25LC256; Racine de la référence:25; MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA56; Numéro générique:93AA56; Racine MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1024 x 8, 512 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8 / 512 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA76; Numéro généri MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8 / 1K x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA86; Numéro géné MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC66; Numéro générique:93LC66; Racine de PROGRAMMATEUR UNIVERSEL POUR MEMOIRE; Contenu du kit:Universal Memory Programmer, Switching Power Supply, USB Cable, ISP Cable, User Manual; Caractéristiques:40-Pin Universal Socket Accepts Both 300/600 Mil DIP Devices Up to 40 Pin; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MPU Supported Families:EPROM, EEPROM, NVRAM et plus encore; Nombre de circuits supportés:12000; Type de produit IC:Programmateur universel; Type de programmateur:Universal Memory Programmer; Type d'interface:USB MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:1024; Numéro générique:24C1024; Racine de la référence:24 MEMOIRE FLASH 1M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 1M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 2M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 32M CMS 2KMOTS SECTEUR; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:2M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Secteur de boot en haut; Type de terminaison:CMS MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 2K; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24HC02; Numéro générique:24HC02; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C04; Numéro de la fonction logique:24C04; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 128K CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C128; Numéro de la fonction logique:128; Numéro générique: MEMOIRE FRAM CMS 1MB; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:85R1001; Numéro générique:85R1001; Racine de la référence:85; Taille mémoire:1Mbit; Température de fonctionnement max..:+8 MEMOIRE FLASH 1M CMS 4KB SECTEUR; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH 2M CMS 2KMOTS SECTEUR; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:128K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 16b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash, NOR; Type de secteur:Uniforme; Type de terminaison:CMS 1M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF010A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminais MEMOIRE FLASH TOP BLOCK 64MB CMS; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:8M x 8, 4M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8M x 8b / 4M x 16b; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:29W640; Taille mémoire:64Mbit; Tem MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA00; Numéro générique:24AA00; Racine de la réf MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA01; Numéro générique:24AA01; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA02; Numéro générique:24AA02; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA04; Numéro générique:24AA04; Racine de la ré MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la r MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 256KB CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA256; Numéro générique:24AA256; Racine de la réfé MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA512; Numéro générique:24AA512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 16 OCTETS CMS; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC014; Numéro générique:24LC014; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC024; Numéro générique:24LC024; Racine de la référenc MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro générique:24LC32; Racine de la référence: MEMOIRE EEPROM SERIE 512KB CMS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC512; Numéro générique:24LC512; Racine de la référ MEMOIRE EEPROM SERIE 2KB CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA020; Numéro générique:25AA020; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA040; Numéro générique:25AA040; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA080; Numéro générique:25AA080; Racine de la référence:25; Taille MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25AA160; Numéro générique:25AA160; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC010; Numéro générique:25LC010; Racine de la référence:25; T MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Ta MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 1024KB CMS; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC1024; Numéro générique:25LC1024; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 16KB CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Tai MEMOIRE EEPROM SERIE 32KB CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique:25LC320; Racine de la référence:25; Tail MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine de MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA46; Numéro générique:93AA46; Racine AFFICHEUR BCD AVEC MEMOIRE; Hauteur de digit:9mm; Largeur, découpe panneau:31mm; Température de fonctionnement:0°C +35°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Epaisseur, panneau max..:3.5mm; Largeur (externe):8mm; Longueur, hors tout:18.5mm; Longueur/hauteur:33mm; Pas:2.54mm; Profondeur:28.5mm MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro MEMOIRE EEPROM SERIE 2.7-5.5V 8K CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:2 Wire; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C08; Numéro de la fonction logique:08; Numéro générique:24C08; R CONNECTEUR CARTE MEMOIRE 4 EN 1 COMBO; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:AI04X; Pas:1.925mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:100mohm; Temp MEMOIRE EEPROM PARALLEL 64K (8K X 8); Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:28C64; Numéro générique:28C64; Racine de la référence:28; Taille mémoire:64Kbit; MEMOIRE EEPROM 256K SERIE; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC256; Numéro générique:24LC256; Racine de la référence:24 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC01; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro générique:24LC02; Taille mémoire:2Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Te CONNECTEUR CARTE MEMOIRE 10 EN 1 COMBO; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:AIOAX; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Flash or; Courant:1A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Nombre de cycles d'accouplements:10000; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:40mohm; Température de fonctionnement m CONNECTEUR CARTE MEMOIRE MENI SD; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:MDAMF; Nombre de contacts:11; Pas:1.2mm; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Courant:0.5A; Matière:Thermoplastic; Nombre de cycles d'accouplements:10000; Nombre de voies:11; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:100mohm; Température de fonctionnement max..:90°C; Températ MEMOIRE EEPROM SERIE 1KB; Taille mémoire:1024Kbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:20MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro générique:25AA1024; Taille mémoire:1Kbit; Température de fonctionnement max..:+85°C; Tempé CONNECTEUR CARTE MEMOIRE 5 EN 1 COMBO; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:AI05X; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Carte mémoire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:100mohm; Température de fonctionnement m MEMOIRE EEPROM PARALLELE 256K (32K X 8); Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:256; Numéro générique:28C256; Racine de la référence:28; Taille mémoire:25 MEMOIRE SRAM SERIE 64K 1.7V SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentation min MEMOIRE SRAM SERIE 256K 2.7V PDIP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:23K256-I/P; Numéro générique:23K256; Taille mémoire:256Kbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tensi MEMOIRE SRAM SERIE 256K 2.7V SOIC8; Taille mémoire:32KB; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Marquage composant:23K256-I/SN; Numéro générique:23K256; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tension, alimentation max..:3 MEMOIRE SRAM SERIE 64K 2.7V PDIP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2.7V; MEMOIRE EEPROM SERIE 64K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC64; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Marquage composant:25AA02E48-I/SN; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire MEMOIRE SRAM SERIE 256K 1.7V PDIP8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:256Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentation MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 16M; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8, 1M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b / 1M x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:16Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 32M; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:32Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE SRAM SERIE 64K 1.7V PDIP8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentation min. MEMOIRE EEPROM SERIE 32K 2.5V 5SOT-23; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C, Serial; Numéro générique:24LC32; Taille mémoire:32Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Te MEMOIRE EEPROM SERIE 2K 1.8V 6SOT-23; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:10MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:10MHz; Interface:SPI; Interface Type:SPI; Numéro générique:25AA02; Taille mémoire:2Kbit; Tension mémoire Vcc:5.5V; Tension, alimentation MEMOIRE FLASH CMS TOP BLOCK 4M; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8, 256K x 16; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 8b / 256K x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:4Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 32M; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8, 2M x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 8b / 2M x 16b; Interface:Parallel; Taille mémoire:32Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, MEMOIRE FLASH CMS BOT BLOCK 4M; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8, 256K x 16; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 8b / 256K x 16b; Taille mémoire:4Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2. MEMOIRE FLASH 8MX8X16 3V CMS; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8, 512K x 16; Type d'interface:CFI, Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:Parallel; Interface Type:CFI; Taille mémoire:8Mbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Ten CONNECTEUR. MEMOIRE SD. REVERSE; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM1; Pas:2.5mm; Nombre de contacts:9; Genre:Embase; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Nombre de rangées:1; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique résistant la chaleur; Méthode de terminaison:A souder; MEMOIRE CONFIGURATION 128M 16SOIC; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:128Mbit; Organisation mémoire:16M x 8; Type d'interface:Série, JTAG; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Serial CONNECTEUR. MEMOIRE SD; Type de connecteur:Carte mémoire; Série:DM1; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:SD; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Genre:Embase; Inflammabilité:UL94V-0; Insulator Material:Thermoplastique résistant la chaleur; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de rangées:1; Nombre d MEMOIRE FLASH 16MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS SPI 8SOIC; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS B/B 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:x8 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:128K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 512KBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16M SERIE 32TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:Firmware Hub; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8M SERIE 32TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:33MHz; Temps d'accès:120ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:LPC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 8SOIC; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C CARTE D'EXTENSION MEMOIREFLASH SRAM; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M3; Nombre de noyau de silicium:LM3S; Nom de famille Silicon:Stellaris 9000; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:8MB Flash Memory, Memory Mapped LCD I/F, Power LED Indicator; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Connects Directly to the EPI Header, Power LED Indicator, Memory Mapped LCD I/F for LCD Performance; MCU Supported Families:LM3S9B96; Type:Mem MEMOIRE EEPROM 2K 1.8V 6SOT; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:2 BLK (128 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:I2C MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT SPI 8SOIC; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 32MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8MBITS SPI 8WSON; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT SPI 8SOIC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS SQI 8WSON; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Interface:Serial Quad I/O; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS B/B 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE SRAM SERIE 256K 1.7V SOIC8; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence, horloge:16MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Fréquence:16MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:256Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension mémoire Vccq:1.8V; Tension, alimentation max..:1.95V; Tension, alimentatio MEMOIRE SRAM SERIE 64K 2.7V SOIC8; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence, horloge:20MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:20MHz; Interface Type:Serial, SPI; Taille mémoire:64Kbit; Tension mémoire Vcc:3V; Tension mémoire Vccq:3V; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2.7V MEMOIRE FLASH CMS 16MB SPI TOP BOOT; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:16M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L016; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE EEPROM I2C 1K 1.5V SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.5V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Taille mémoire:1Kbit; Tension mémoire Vcc:1.8V; Tension, alimentation max..:3.6V; MEMOIRE FLASH 32MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:4M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:40MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS T/B 48TFBGA; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TFBGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8M SERIE 32TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Parallèle; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:Firmware Hub; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE CF. 16GB. 567X 100MB/S MEMOIRE SD. 1GB. 60X MEMOIRE FLASH 32M MPF 48TSOP; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:2M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 4M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 4M MPF 48TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:4M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Advanced MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M MPF 48TSOP; Taille mémoire:64Mbit; Configuration mémoire:4M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:90ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Advanced MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 16M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 8M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 8M FWH 32PLCC; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Parallèle; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Firmware Hub; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE SD. 512MB. 60X MEMOIRE FLASH 64M SPI 16SOIC; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8M SPI 8SOIJ; Taille mémoire:8Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:80MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16M MPF 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 4M MPF 48TFBGA; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:256K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH SPI 512K 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:512k x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L512; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 512K 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:512k x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L512; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 1M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:1M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L010; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 2M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:2M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L020; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 4M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:4M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L040; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 32M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH NOR 3V 4M 32TSOP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP-1; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29L040; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE SDRAM 16M 3V3 50TSOP; Configuration mémoire:1M x 16; Temps d'accès:6ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:50; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:512K x 16 x 2 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L0616; Taille mémoire:16 Mbit; Taille mémoire:16Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE SDRAM 16M 54TSOP; Configuration mémoire:4M x 16; Temps d'accès:6ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:1M x 16 x 4 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L2616; Taille mémoire:64 Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 512K 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:512k x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L512; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 1M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:1M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L010; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 2M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:2M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L020; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 8M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:8M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L080; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH NOR 5V 1M 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP-1; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29010; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH SPI 4M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:4M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L040; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 8M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:8M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L080; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 16M 16SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:16M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L016; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 32M 16SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25LQ032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH NOR 3V 4M 32DIP; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29L040; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE EEPROM 16K 1.8V UNE/S 3TO-92; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, 1 fil; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Interface:Serial MEMOIRE FLASH 8MBITS SPI 8SOIC; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:1M x 8; Type d'interface:Série, 4 fils, SPI; Fréquence, horloge:75MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.65V 1.95V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 8b; Interface:SPI; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:128K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:55ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x16 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 1MBIT PARL 32TSOP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 2MBITS PARL 32PLCC; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 16MBITS T/B 48TSOP; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:1M x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1M x 16b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 512KBIT PARL 32PLCC; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 8MBITS PARL 48TSOP; Taille mémoire:8Mbit; Configuration mémoire:512K x 16; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:x16 MPF+; Type de mémoire:Flash ? NI; Type de mémoire:Flash MEMOIRE DATAFLASH 1M 8SOIC-W; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Type d'interface:Série; Fréquence, horloge:66MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:45DB011; Type de mémoire:Flash MEMOIRE FLASH 4M MPF 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:LCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:x8 MPF; Type de mémoire:Flash ? NI CARTE MEMOIRE SD. EXTREME PRO. 16GB MEMOIRE FLASH SPI 1M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:1M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L010; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 16M 8DIP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:16M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L016; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:Traversant MEMOIRE FLASH SPI 32M 8SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH SPI 32M 16SOP; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:32Mbit; Configuration mémoire:32M x 1; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:25L032; Type de mémoire:Flash; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH NOR 5V 1M 32DIP; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29010; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH NOR 3V 4M 32PLCC; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:PLCC; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Numéro générique:29L040; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE SDRAM 128M 54TSOP; Configuration mémoire:8M x 16; Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 16 x 4 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L3616; Taille mémoire:128 Mbit; Taille mémoire:128Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE SDRAM 256M 54TSOP; Configuration mémoire:16M x 16; Temps d'accès:5.4ns; Type d'interface:LVTTL; Type de boîtier de CI mémoire:TSOPII; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:4M x 16 x 4 Banks; Fréquence:143MHz; Numéro générique:43L4616; Taille mémoire:256 Mbit; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:3V; Type de mémoire:SDRAM; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FLASH NAND 512MB 48TSOP; Taille mémoire:512Mbit; Configuration mémoire:64M x 8; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Taille mémoire:512 Mbit; Type de mémoire:Flash ? NON; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FRAM 64K CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE SIM. MINI. 6 VOIES; Type de connecteur:Fiche femelle SIM; Nombre de contacts:6; Pas:2.54mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:12.6mm EMBASE MEMOIRE CARTE SD. 9 VOIES; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black EMBASE MEMOIRE CARTE CF. 50 VOIES; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:50; Pas:0.635mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:1.27mm MEMOIRE FRAM CMS 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE I2C 3V 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.65V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE 5V 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE SPI 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:SPI; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE SPI 3V 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:SPI; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.65V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE SIM. MINI. 6 VOIES; Type de connecteur:Fiche femelle SIM; Nombre de contacts:6; Pas:2.54mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:12.6mm EMBASE MEMOIRE CARTE CF. 50 VOIES; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:50; Pas:0.635mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:1.27mm MODULE MEMOIREE MC291; Type d'accessoire:Memory Module; A utiliser avec:SIMATIC S7-200 CONNECTEUR CARTE MEMOIRE MICROSD 8 VOIES; Type de connecteur:Micro SD; Série:microSD Card; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit CARTE MEMOIRE XD 512MO CARTE MEMOIRE. FTS SD. 128MB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE SIM. MINI. 6 VOIES; Type de connecteur:Fiche femelle SIM; Nombre de contacts:6; Pas:2.54mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:13.3mm; Résistance, contact:50mohm; Tension c.a.:50V EMBASE MEMOIRE CARTE SD. 9 VOIES; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black EMBASE MEMOIRE CARTE SD. 9 VOIES; Type de connecteur:SD; Nombre de contacts:9; Pas:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black EMBASE MEMOIRE CARTE SD. MICRO. 8 VOIES; Type de connecteur:Micro SD; Nombre de contacts:8; Pas:1.1mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Couleur:Black MEMOIRE EEPROM 128K SERIE CMS; Taille mémoire:128Kbit; Configuration mémoire:16K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16K x 8; Fréquence:1MHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC128; Numéro générique:24WC128; Racine de la référence:2 MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Marquage composant:A623308A-70SF; Numéro de la fonction logique:623308; Numéro générique:623308; Racine de la référence:623308 CONNECT.CARTE MEMOIRE CAPOT METAL; Type de connecteur:Bord de carte; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:9; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact CONNECT.CARTE MEMOIRE INSER/EXTRACTION; Type de connecteur:Bord de carte; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:9; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.625mm; Résistance d'isolement:1000Mohm; R MEMOIRE FLASH 128K ISP RAPIDE CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8448Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MEMOIRE FLASH 128K ISP RAPIDE CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:32; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8448Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MODULE MEMOIRE GENIE NX; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TOUCH MEMOIRE PROBE 9092; Brief Features:Façonnage des métaux simple et économique; Fonction CI:Sonde iButton; Marquage composant:DS9092+; Nombre de broches:2; Numéro de la fonction logique:9092; Racine de la référence:9092; Type de CI:iButton Probe; Type de mémoire:Touch Memory Probe; Type de terminaison:CMS MEMOIRE FRAM CMS SERIE 4K; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FRAM CMS SERIE 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8bit; Caractéristiques NVRAM:Forte endurance aux opérations de lecture/écriture; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE MEMOIRE CARTE CF. 50 VOIES; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:50; Pas:0.635mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; Pas, rang:1.27mm MEMOIRE EPROM 512K; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C512; Numéro générique:27C512; Racine de la référence:27; Taille mémoire:512Kbit; Température PILE E POUR MEMOIRE NVRAM; Capacité:120mAh; Tension, batterie:3V; Technologie de la batterie:Lithium-polymère; Hauteur, dimension externe:8.51mm; Largeur (externe):21.84mm; Profondeur:18.03mm; Poids:10g; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.56mm; Longueur cordon:2.29mm; Longueur/hauteur:8.51mm; Nombre de broches:2; Profondeur:18.03mm; Temps, rétention des données:10An; Tension, sortie:3V; Type de borne:SNAPHAT; Type de boîtier:SOIC MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 4MO; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48T512; Numéro générique:48T512 MEMOIRE NVRAM/RTCC 512BX8 IIC; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques NVRAM:RTC; Configuration mémoire:64 x 8b; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:41T11; Numéro g MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z18; Numé MEMOIRE EEPROM T&R 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:2 MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; Tai MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC32; Numéro MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gé MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8, 64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128x8 ou 64x16; Fréquence:2MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC46; Numéro générique:93LC46; MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 DIP8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant MEMOIRE NVRAM SNAPHAT 256K CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la MEMOIRE EEPROM I2C 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM I2C 2K CMS; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:256 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C02; Numéro de la fonction logique:24C02; Numéro générique:24C02; Racine de MEMOIRE EEPROM 8K I2C; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:1K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C08; Numéro générique:24C08; Racine de la référence:24; Taille mémoire:8 MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage compos MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:M48Z08-100PC1; Numéro MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC64; Numéro générique:24LC64; Racine de la référence:24; T MEMOIRE EEPROM SMART 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC65; Numéro gén MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq MEMOIRE EEPROM 2K SERIE; Taille mémoire:2Kbit; Configuration mémoire:128 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93LC56; Numéro générique:93LC56; Racine de la MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique: MEMOIRE EEPROM 16K MICROWIRE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine de la MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 1K CMS; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8bit ou 64 x 16bit; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93S46; Numéro générique:93S46; Racine de la ré MEMOIRE FLASH 512K SERIE CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:64K x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25P05; N MEMOIRE EEPROM 32K SERIE CMS; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24WC32; Numéro générique:24WC32; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE SRAM 1M; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:128K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOP; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Marquage composant:M5M51008DFP-70H#BT; Numéro de la fonction logique:5M51008; Numéro générique:5M51008; Racine de la référen MEMOIRE SRAM 64K 5V CMS; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface Type:Parallel, TTL; Marquage composant:CY6264-70SNXC; Numéro de la fonction logique:6264; Numéro générique:6264; Racine de la référence:62 MEMOIRE FLASH 16MB SERIE CMS; Type de mémoire:Flash; Taille mémoire:16Mbit; Configuration mémoire:2M x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Temps d'accès:1.4ms; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration mémoire:2M x 8b; Fréquence:50MHz; Interface:Serial, SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la foncti MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logi MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction l MEMOIRE NVRAM & PILE 10 ANS 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fon MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; N MEMOIRE EEPROM 128 OCTETS SERIE; Taille mémoire:128bit; Configuration mémoire:16 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:16 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC00; Numéro générique:24LC00; Racine de la référe MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC040; Numéro générique:25LC040; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 16K SERIE; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Fréquence:2MHz; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC160; Numéro générique:25LC160; Racine de la référence:25; Taille mémo MEMOIRE EEPROM 32K SERIE; Taille mémoire:32Kbit; Configuration mémoire:4K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:4K x 8; Fréquence:2MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:SPI; Interface Type:Serial, SPI; Numéro de la fonction logique:25LC320; Numéro générique: MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:512 x 8; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512 x 8; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique MEMOIRE NVRAM/RTCC IIC 64BITX8 CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série; Gamme de tension d'alimentation:2V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M41T00M6E; Numéro de la fonction logique:41T00; Numéro générique:41T00; Racine de la MEMOIRE NVRAM/RTCC IIC 512BX8 CMS; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:HH:MM:SS; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques NVRAM:RTC, Batterie interne, XTAL; Configuration mémoire:64 x 8b; Interface:I2C, Serial; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:M41T56M6E; Numéro de CONNECT.POUR CARTE MEMOIRE SD SANS CAPOT; Type de connecteur:Bord de carte; Nombre de contacts:9; Pas:2.5mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:9; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:2.5mm; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, co CONNECT.POUR CARTE MEMOIRE CAPOT METAL; Type de connecteur:Carte mémoire; Nombre de contacts:9; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Bord de carte; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Courant:0.5A; Nombre de cycles d'accouplements:10.000; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Résistance d'isolement:1000Mohm; Résistance, contact:40moh MEMOIRE FLASH 128K ISP RAPIDE CMS; Nombre de bits:8bit; Nombre d'E/S:64; Taille mémoire de programme:128KB; Taille mémoire, RAM:8448Byte; Vitesse de processeur:50MHz; Type d'oscillateur:External, Internal; Nombre de timers:5; Périphériques:ADC, DAC, Comparator; Nombre de voies PWM:6; Type de boîtier CI numérique:TQFP; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:100; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation MEMOIRE SRAM 16K; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:150ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Marquage composant:M48Z02-150PC1; Numéro MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z58; Numé MEMOIRE SRAM 64K; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z58; Numér MEMOIRE EEPROM 64K SERIE; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:100kHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 6V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:8K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24C65; Numéro générique:24C65; Racine de la référence:24; Taille mémoire MEMOIRE EEPROM 1K SERIE; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC01; Numéro générique:24LC01; Racine de la référence:24; MEMOIRE EEPROM 512K SERIE PAGE 64 OCTETS; Taille mémoire:512Kbit; Configuration mémoire:64K x 8; Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24LC515; Numéro générique:24LC515; Racine de la référence:24; Taille mémoir MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composa MEMOIRE EEPROM SERIE 1K 93LC46 SOIC8; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:64 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:3MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:64 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Marquage composant:93LC46B-I/SN; Numéro de la fonction logique:9 MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiqu MEMOIRE EEPROM 4K SERIE; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logiq MEMOIRE NVRAM SNAPHAT 256K CMS; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:32K x 8; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:48Z35; Numé MEMOIRE EEPROM MICROWIRE 16K CMS; Taille mémoire:16Kbit; Configuration mémoire:2048 x 8, 1024 x 16; Type d'interface:Série, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:2048x8 ou 1024x16; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93C86; Numéro générique:93C86; Racine d MEMOIRE EEPROM 1K I2C; Taille mémoire:1Kbit; Configuration mémoire:128 x 8; Type d'interface:I2C, Série; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:128 x 8; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Marquage composant:24C01; Numéro de la fonction logique:24C01; Numéro générique:24C01; Racine de la référence:24; Taille MEMOIRE FLASH 128MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 128MB 3V 64BGA; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 512MB 3V 64BGA; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 128MB 3V 64BGA; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 512MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 64MB 3V SPI 16SOIC; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:104MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S25FL064P; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 1GB 3V 64BGA; Taille mémoire:1Gbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL01GS MEMOIRE FLASH 32MB 3V SPI 8SOIC; Taille mémoire:32Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:104MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S25FL032P; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M 3V 48TSOP; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29JL064J MEMOIRE FLASH 32M 3V 48TSOP; Taille mémoire:32Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:70ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29JL032J MEMOIRE FLASH 128MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL128S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 64BGA; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 256MB 3V 64BGA; Taille mémoire:256Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL256S MEMOIRE FLASH 1GB 3V 56TSOP; Taille mémoire:1Gbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL01GS MEMOIRE FLASH 1GB 3V 64BGA; Taille mémoire:1Gbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL01GS MEMOIRE FLASH 512MB 3V 56TSOP; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:56; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 512MB 3V 64BGA; Taille mémoire:512Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:BGA; Nombre de broches:64; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29GL512S MEMOIRE FLASH 64MB 3V SPI 16SOIC; Taille mémoire:128Mbit; Type d'interface:SPI; Fréquence, horloge:104MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S25FL129P; Type de mémoire:Flash ? NI MEMOIRE FLASH 64M 3V 48TSOP; Taille mémoire:64Mbit; Type d'interface:CFI; Temps d'accès:60ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:S29JL064J MEMOIRE EEPROM MAX 7000 CPLD 64 44PLCC; Type de CPLD:EEPROM; Nombre de macrocellules:64; Nombre d'E/S:36; Série:MAX 7000; Temps de propagation:15ns; Temps d'installation d'horloge global:11ns; Fréquence:100MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI logique:PLCC; Nombre de broches:44; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE SRAM 1MBIT 10NS TSOP-2-44; Taille mémoire:1Mbit; Configuration mémoire:64K x 16bit; Temps d'accès:10ns; Gamme de tension d'alimentation:3.135V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP-2; Nombre de broches:44; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE FLASH NAND 1GBIT CMS; Taille mémoire:1Gbit; Configuration mémoire:128K x 8; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:25è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:48; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MEMOIRE EEPROM 64KBIT I2C 5SOT-23; Taille mémoire:64Kbit; Configuration mémoire:8K x 8bit; Type d'interface:I2C; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE SRAM 256KBIT 45NS TSOP-28; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8bit; Temps d'accès:45ns; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:TSOP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MEMOIRE EEPROM SERIE 4KB CMS; Taille mémoire:4Kbit; Configuration mémoire:256 x 16; Type d'interface:Série, 3 fils, Microwire; Fréquence, horloge:2MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256 x 16; Fréquence:3MHz; Interface:Microwire; Interface Type:Serial, Microwire; Numéro de la fonction logique:93AA66; Numéro générique:93AA66; Racine 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI WSON-8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:WSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-QAF; Type de boîtier:WSON; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH MEMOIRE EPROM CMOS 4MB; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5V; Type de boîtier de CI mémoire:FDIPW; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:27C4001; Taille mémoire:4Mbit; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension mémoire Vcc:5V; Tension, 2M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:2Mbit; Configuration mémoire:256K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:33MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:256K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25LF020A-33-4I-SAE; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Sé 4M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8; Taille mémoire:4Mbit; Configuration mémoire:512K x 8; Type d'interface:Série, SPI; Fréquence, horloge:50MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:512K x 8b; Interface:SPI; Marquage composant:SST25VF040B-50-4I-S2AF; Type de boîtier:SOIC; Type de mémoire:Flash; Type de mémoire:FLASH Série; Type de terminai MEMOIRE EEPROM SERIE 8KB CMS; Taille mémoire:8Kbit; Configuration mémoire:4 BLK (256 x 8); Type d'interface:I2C, Série, 2 fils; Fréquence, horloge:400kHz; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration mémoire:1K x 8; Fréquence:400kHz; Interface:I2C; Interface Type:Serial, I2C; Numéro de la fonction logique:24AA08; Numéro générique:24AA08; Racine de la réf OPTION. MEMOIRE SEGMENTEE SERIE 3000 X; Type d'accessoire:Segmented Memory Acquisition; A utiliser avec:Oscilloscopes; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) OPTION. MEMOIRE 4MPTS POUR SERIE 3000X; Type d'accessoire:Memory Upgrade; A utiliser avec:Oscilloscopes; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 100UH 5.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:5.4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:4.6MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.4A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 100kHz; Fréquence de résonance:4.6MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 220UH 3.5A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.096ohm; Courant nominal DC:3.5A; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:2.8MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.8MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 100UH 7.8A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:7.8A; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:3.3MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.8A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:34 @ 50kHz; Fréquence de résonance:3.3MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 220UH 5.5A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:5.5A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.2MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29.1mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.5A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.2MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 1.0MH 1.6A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.419ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1.4MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.2mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.4MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:1 INDUCTANCE 1.5MH; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:6.49ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:1.65MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:130 @ 100kHz; Fréquence de résonance:2.1MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 15MH; Inductance:15mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:49.5ohm; Courant nominal DC:54mA; Facteur Q:145; Fréquence de résonance:510kHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:54mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:145 @ 150kHz; Fréquence de résonance:510kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 0.01MH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:1.62A; Facteur Q:140; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.62A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 1GHz; Fréquence de résonance:21.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 0.015MH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.35A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:19.4MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.35A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 500kHz; Fréquence de résonance:19.4MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 470UH 2.3A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.222ohm; Courant nominal DC:2.3A; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:34 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14. INDUCTANCE 330UH 4.5A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:4.5A; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.6MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.5A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.6MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur: INDUCTANCE 150UH 4.0A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.069ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.4MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 50kHz; Fréquence de résonance:3.4MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14 INDUCTANCE 0.1MH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.39ohm; Courant nominal DC:670mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:670mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 100kHz; Fréquence de résonance:8.9MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haute INDUCTANCE 0.47MH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:140; Fréquence de résonance:2.9MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 100kHz; Fréquence de résonance:3.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 2.2MH; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8.58ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:1.35MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:130 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.9MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hau INDUCTANCE 3.3MH; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:90; Fréquence de résonance:280kHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:125 @ 150kHz; Fréquence de résonance:1.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haute INDUCTANCE 33MH; Inductance:33mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:110ohm; Courant nominal DC:36mA; Facteur Q:90; Fréquence de résonance:280kHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:36mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:90 @ 50kHz; Fréquence de résonance:280kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11m INDUCTANCE 0.022MH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.08A; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.08A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 500kHz; Fréquence de résonance:17MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haut INDUCTANCE 0.033MH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 500kHz; Fréquence de résonance:11.4MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 0.047MH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:770mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:12.8MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 500kHz; Fréquence de résonance:10.9MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ INDUCTANCE 0.068MH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:770mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:6.8MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:70 @ 100kHz; Fréquence de résonance:10.6MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/h INDUCTANCE 47UH 8.5A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:8.5A; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:6.7MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.5A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 100kHz; Fréquence de résonance:6.7MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur: INDUCTANCE 330UH 2.8A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur INDUCTANCE 0.15MH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:520mA; Facteur Q:160; Fréquence de résonance:4.4MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:520mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 100kHz; Fréquence de résonance:6.2MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 0.33MH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.21ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:125; Fréquence de résonance:1.2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:95 @ 100kHz; Fréquence de résonance:4.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 0.68MH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.64ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:120; Fréquence de résonance:2.2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:105 @ 100kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hau INDUCTANCE 1.0MH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.63ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:200; Fréquence de résonance:1.8MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:170mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:120 @ 100kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/haut INDUCTANCE 10MH; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:37.4ohm; Courant nominal DC:63mA; Facteur Q:140; Fréquence de résonance:620kHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:63mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:140 @ 150kHz; Fréquence de résonance:620kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteu INDUCTANCE 22UH 11A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:11A; Facteur Q:64; Fréquence de résonance:9.3MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Diamètre de la broche:1.3mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:64 @ 100kHz; Fréquence de résonance:9.3MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14 INDUCTANCE 68UH 6.2A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:6.2A; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:5.3MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.2A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 100kHz; Fréquence de résonance:5.3MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur: INDUCTANCE 470UH 4.0A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:1.4MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:29mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:30mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 50kHz; Fréquence de résonance:1.4MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:20.5m INDUCTANCE 300H 3.0A; Inductance:300è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.6MHz; Fréquence, facteur Q:50kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:23.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de la broche:1.1mm; Diamètre du corps:24mm; Diamètre, roue:4.5mm; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 50kHz; Fréquence de résonance:2.6MHz; Longueur cordon:10mm; Longueur/hauteur:14.5m INDUCTANCE 0.22MH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:150; Fréquence de résonance:3.7MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:90 @ 100kHz; Fréquence de résonance:5.4MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE 47MH; Inductance:47mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:154ohm; Courant nominal DC:27mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:250kHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:27mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 50kHz; Fréquence de résonance:250kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11m INDUCTANCE 68MH; Inductance:68mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:242ohm; Courant nominal DC:18mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:200kHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:7.2mm; Facteur Q @ Fréquence:70 @ 50kHz; Fréquence de résonance:200kHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11mm; INDUCTANCE DE MODE COMMUN; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:90mA; Type de boîtier d'inductance:03025; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Impédance:120ohm; Impédance, typique 100MHz:120ohm; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:03025 INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:530mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:530mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.098ohm; Tolérance +:12.82%; T INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 7.5NH; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:20; Résistance:0.14ohm; Tolérance +:6.6%; Tolér INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 12NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.28ohm; Tolérance +:5%; Tolérance -: INDUCTANCE SUPPRESSEUR EMI AC; Inductance:5.5è¾H; Résistance DC max.:0.53ohm; Courant nominal DC:800mA; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Résistance:530mohm; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:Core Horizontal Type INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 11NH; Inductance:11nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.28ohm; Tolérance +:5%; Tolérance -: INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 15NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:240mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:240mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.476ohm; Tolérance +:5%; Tolérance INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.532ohm; Tolérance +:5%; Tolérance INDUCTANCE HAUTE FREQUENCE 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:03015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 250MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Alumina Ceramic; Q @ Vr F:15; Résistance:0.056ohm; Type d'inductance:Ch ICM1 INDUCTANCE SEULE; Type de connecteur:RJ45; Genre:Embase; Nombre de contacts:8; Nombre de positions:8; Nombre de ports:1; Terminaison du contact:Traversant angle droit; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:RJ45; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Ports, number of:1 INDUCTANCE SUPPRESSEUR EMI AC; Inductance:3.7mH; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Résistance:360mohm; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:Core Horizontal Type INDUCTANCE RF; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:115MHz; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:550mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:550mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F INDUCTANCE RF; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:55; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:180mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:46MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:25MHz; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:195mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:195mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:50 INDUCTANCE RF; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:13MHz; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:124mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:124mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:50; INDUCTANCE RF; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:9MHz; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:77mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:77mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; INDUCTANCE RF; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:410MHz; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:750mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:380MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE CMS; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:95; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:8; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:95 @ 252kHz; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.252MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:95; Résistance:5ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Tempéra INDUCTANCE; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Tem INDUCTANCE; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.5ohm; Tem INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:545mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:145MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:545mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:145MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2 INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ INDUCTANCE CMS 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0 INDUCTANCE CMS 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0 INDUCTANCE CMS 10NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:1. INDUCTANCE CM30 0.15UH; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:600MHz; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1240mA; Facteur Q:38; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:1240mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:38 @ 25MHz; Fréquence de résonance:625MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; INDUCTANCE CM30 0.27UH; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:430MHz; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:940mA; Facteur Q:33; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:940mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:430MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CM30 0.56UH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:300MHz; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:590mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:590mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CM30 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:260mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):18A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:15mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE BOBINEE 600Z; Impédance:960ohm; Ferrite Grade:61; Gamme de fréquence:50MHz 500MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:675ohm; Impédance, typique 25MHz:600ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Bead; Type de boîtier d'inductance INDUCTANCE BOBINEE 850Z; Impédance:690ohm; Ferrite Grade:44; Gamme de fréquence:1MHz 200MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:550ohm; Impédance, typique 25MHz:850ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Radial; Type de boîtier d'inductanc INDUCTANCE RF; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:75MHz; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:320mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:69MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:11MHz; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:91mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:91mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; INDUCTANCE RF; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:470mA; Facteur Q:37; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:470mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:37 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:92MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F INDUCTANCE CMS; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.66ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:26ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:110; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:8; Courant dc max:95mA; Facteur Q @ Fréquence:110 @ 79.6kHz; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, mesure d'inductance:79.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:110; Résistance:26ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; INDUCTANCE; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Temp INDUCTANCE; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:3ohm; Températ INDUCTANCE; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:7.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:8.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempéra INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:355mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:355mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:26ohm; Courant nominal DC:62mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:62mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ Vr INDUCTANCE CMS 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance: INDUCTANCE CMS 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.5ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:3.6 INDUCTANCE CM30 0.18UH; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:550MHz; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1240mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:1240mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 25MHz; Fréquence de résonance:625MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; INDUCTANCE CM30 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:140MHz; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:895mA; Facteur Q:28; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:895mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; INDUCTANCE CM30 3.9UH; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:80MHz; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.8MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ INDUCTANCE CMS 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:3500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:550MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Phénolique; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 25MHz; Fréquence de résonance:550MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Quantité par bobine:1000; Résis INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:505mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Phénolique; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:505mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Quantité par bobine:1000; Résist INDUCTANCE 8RBS 1.0MH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:2.1MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:50mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:2.1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueu INDUCTANCE 8RBS 5.6MH; Inductance:5.6mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:36ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:700kHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:700kHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Long INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:910mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:3.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:910mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:3.7MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Rés INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:640mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:2.7MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Rés INDUCTANCE 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.96ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:290mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Rési INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:9; Résistance:0.15ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 0603 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:1.8ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0805 330NH; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.16ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:2.16ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 1008 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:0.85ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1008 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:22MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:5.8ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de termina INDUCTANCE 1008 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7.1ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:7.1ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de ter INDUCTANCE 1008 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:475mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:475mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:95MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.45ohm; Série:PC; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Typ INDUCTANCE 1008 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:4ohm; Série:PC; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1210 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.8ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.8ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:8MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:15ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de terminais INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:7MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:21ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de terminais INDUCTANCE 1210 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.25ohm; Courant nominal DC:135mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:135mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:9.5MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:2.25ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:121 INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:11ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1812 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:410mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:410mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.61ohm; Série:FB; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type INDUCTANCE 1812 56.0UH; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.7ohm; Courant nominal DC:125mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:125mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:9MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:4.7ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de ter INDUCTANCE 1812 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:8.8ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:6.7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:6.7MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:8.8ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de INDUCTANCE 1812 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:4.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4.5MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:13ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:53ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.1MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.1MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:53ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termin INDUCTANCE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:1.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.6A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.044ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 18UH; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:800mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.17ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 82UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.87ohm; Courant nominal DC:350mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.87ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:250mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:1.8ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE RF; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:90MHz; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:83MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F: INDUCTANCE RF; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:18MHz; Résistance DC max.:5.7ohm; Courant nominal DC:148mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:148mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:45 INDUCTANCE RF; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:510MHz; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:940mA; Facteur Q:33; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:940mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:470MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE RF; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:330MHz; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:590mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:590mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 25MHz; Fréquence de résonance:310MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE RF; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:250MHz; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:28; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:380mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 25MHz; Fréquence de résonance:230MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:2 INDUCTANCE RF; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:65MHz; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:260mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:5 INDUCTANCE RF; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:3.8MHz; Résistance DC max.:65ohm; Courant nominal DC:43mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:43mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:3.2MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:3 INDUCTANCE CMS; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.3A; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.062ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.9A; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.46ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.97ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.97ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:85; Fréquence de résonance:7.8MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:8; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:1.8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.252MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:80; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..: INDUCTANCE; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Tem INDUCTANCE; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Tem INDUCTANCE; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:1ohm; Températu INDUCTANCE; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:3ohm; Températ INDUCTANCE CMS 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:665mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:665mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2 INDUCTANCE CMS 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2m INDUCTANCE CMS 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.96MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; INDUCTANCE CMS 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ INDUCTANCE CMS 1NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0.1o INDUCTANCE CMS 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistan INDUCTANCE CM30 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:275MHz; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:540mA; Facteur Q:28; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:540mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 25MHz; Fréquence de résonance:275MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.9ohm; Courant nominal DC:216mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:216mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Quantité par bobine:1000; Résista INDUCTANCE CMS; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:16.5ohm; Courant nominal DC:118mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:790kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:118mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 790kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Quantité par bobine:1000; Résistance:16.5 INDUCTANCE AXIAL 1.0UH 2.2A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.2A; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:190MHz; Fréquence, facteur Q:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.2A; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 15MHz; Fréquence de résonance:190MHz; Fréquence, mesure d'inductance:15MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur INDUCTANCE AXIAL 2.2UH 1.8A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.8A; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.8A; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 8MHz; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, mesure d'inductance:8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ INDUCTANCE AXIAL 4.7UH 1.3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.3A; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.3A; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 8MHz; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, mesure d'inductance:8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/ha INDUCTANCE AXIAL 22UH 0.43A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:430mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longu INDUCTANCE AXIAL 47UH 0.27A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:270mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:70 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longu INDUCTANCE AXIAL 100UH 0.22A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 1.5MHz; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, mesure d'inductance:1.5MHz; Longueur cordon:35mm; Longu INDUCTANCE AXIAL 470UH 0.12A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:20ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:800kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 800kHz; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.8MHz; Longueur cordon:35mm; Lo INDUCTANCE AXIAL 1000UH 0.1A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:30ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:85; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:800kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:85 @ 800kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur INDUCTANCE AXIAL 50UH 3A; Inductance:50è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:3MHz; Longueur cordon:18mm; Longueur/hauteur:27mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4200è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Courant, Ic (sat):26A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE CMS 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:32.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:32.5A; Courant, Ic (sat):60A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:1.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE CMS 0.2UH; Inductance:200nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3000è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:24A; Courant, Ic (sat):41A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE CMS 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:15.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:15.5A; Courant, Ic (sat):25A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:5.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):22A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:10mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisat INDUCTANCE CMS 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6A; Courant, Ic (sat):13.5A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:30mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE BOBINEE 650Z; Impédance:1.1kohm; Ferrite Grade:61; Gamme de fréquence:50MHz 500MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance:1kohm; Impédance, typique 100MHz:625ohm; Impédance, typique 25MHz:650ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Bead; Type de bo INDUCTANCE BOBINEE 250Z; Impédance:600ohm; Ferrite Grade:61; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:425ohm; Impédance, typique 25MHz:250ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.3g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Bead; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Type de montage:Trav INDUCTANCE RF; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:230MHz; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:25; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:350mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25MHz; Fréquence de résonance:210MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:25; Ré INDUCTANCE RF; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance DC max.:28ohm; Courant nominal DC:66mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:66mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; R INDUCTANCE RF; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:3.4MHz; Résistance DC max.:72ohm; Courant nominal DC:41mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:790kHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:41mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 790kHz; Fréquence de résonance:2.9MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:30; INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:15.24mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:900mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.74ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:A INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.62mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:900mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.18ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:C INDUCTANCE 8RBS 0.22MH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:4.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:150mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:796kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lo INDUCTANCE 8RBS 4.7MH; Inductance:4.7mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:32ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:40mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Long INDUCTANCE 22MH; Inductance:22mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:80ohm; Courant nominal DC:30mA; Fréquence de résonance:300kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueur/hauteur:11.2mm; Q @ Vr F:100; Résistance:80ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE 36MH; Inductance:36mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:80ohm; Courant nominal DC:30mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueur/hauteur:11.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:100; Résistance:80ohm; Série:8RBS; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.2ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 8RBS 12MH; Inductance:12mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:65ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:20mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 79.6kHz; Fréquence de résonance:500kHz; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lon INDUCTANCE 47MH; Inductance:47mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:52ohm; Courant nominal DC:13mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:120kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:13mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:120kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noya INDUCTANCE 120MH; Inductance:120mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:97ohm; Courant nominal DC:8mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:80kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:8mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:80kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau: INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1.4A; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.52MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistan INDUCTANCE RF; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:680MHz; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1240mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:1240mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25MHz; Fréquence de résonance:625MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F INDUCTANCE RF; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:210mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:32MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:45 INDUCTANCE CMS; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:20; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.1A; Fréquence, mesure d'inductance:1kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tolérance +:15%; Tolérance -:15%; Type d'inductance:Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:0.2ohm; Te INDUCTANCE; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:1ohm; Températu INDUCTANCE; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.95ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:2ohm; Températu INDUCTANCE; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.75ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:2ohm; Tempé INDUCTANCE; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, max..:200MHz; Largeur (externe):0.8mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.6mm; Q @ Vr F:15; Quantité par bobine:500; Résistance:5ohm; Température INDUCTANCE CMS 0.33UH; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:605mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:605mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25.2MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2 INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ V INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.2mm; Q @ V INDUCTANCE CMS 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):0.5mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:1.0mm; Q @ Vr F:13; Quantité par bobine:500; Résistance:0 INDUCTANCE CM30 0.39UH; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:365MHz; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:750mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:365MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q INDUCTANCE CM30 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance DC max.:6.7ohm; Courant nominal DC:148mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:148mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:930mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Phénolique; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:930mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 25MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Quantité par bobine:1000; Résistance:0 INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:620mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:42MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:620mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:42MHz; Fréquence, mesure d'inductance:7.9MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Quantité par bobine:1000; Résista INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:259mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:259mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, mesure d'inductance:2.5MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Iron; Q @ Vr F:55; Quantité par bobine:1000; Résistance INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7.5ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:5.8MHz; Fréquence, facteur Q:790kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 790kHz; Fréquence de résonance:5.8MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.79MHz; Largeur, bande:24mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Quantité par bobine:1000; Résistan INDUCTANCE 0603 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:3.55GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.55GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:9; Résistance:0.2ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 0603 10NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.32ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0603 22NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.5ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inducto INDUCTANCE 0603 56NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:1.2ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0805 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.39ohm; Courant nominal DC:395mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Courant dc max:395mA; Fréquence de résonance:2.05GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.39ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 56NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:360mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1550MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:360mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.55GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.51ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 680NH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.02ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:3.02ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 1008 12UH; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.1ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:75mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:3.8ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de termi INDUCTANCE 1008 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:32MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:32MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:2.2ohm; Série:PC; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Typ INDUCTANCE 1210 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.69ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:115MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.69ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 1.2UH; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:215mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:215mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type INDUCTANCE 1210 3.9UH; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.3ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 18.0UH; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:27MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:27MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.3ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 27.0UH; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:22MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.6ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5.6ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de ter INDUCTANCE 1210 39.0UH; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.4ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:6.4ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de ter INDUCTANCE 1210 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:75mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:7ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 68.0UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:9ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:240mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:240mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:23MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.5ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; T INDUCTANCE 1210 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.74ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; INDUCTANCE 1210 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:155mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:155mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.65ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6.5MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:5ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1812 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:235mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:235mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:22MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:1.8ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termina INDUCTANCE 1812 22.0UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:195mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:195mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:2.6ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de t INDUCTANCE 1812 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:3.1ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de t INDUCTANCE 1812 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, facteur Q:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:95mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1.5MHz; Fréquence de résonance:5.5MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:11ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 270UH; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:4.1MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4.1MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:14ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:31ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:3.3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3.3MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:31ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1812 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:39ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:39ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:4.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:9; Résistance:0.18ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:In INDUCTANCE 0603 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.6ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0805 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:285mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:285mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.86ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 560NH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.69ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:2.69ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 0805 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.88ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:3.88ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 1008 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:195mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:195mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:115MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:0.65ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1008 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:155mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:155mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:1.05ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de INDUCTANCE 1008 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:285mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:285mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:43MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.2ohm; Série:PC; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1008; Type INDUCTANCE 1210 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.95ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1210 2.7UH; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:75MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.1ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.2ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:165mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:165mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.5ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.6ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termi INDUCTANCE 1210 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:36MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.1ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 12.0UH; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:125mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:125mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.5ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 22.0UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.7ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1210 22.0UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:185mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:185mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.15ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; INDUCTANCE 1812 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.88ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:0.88ohm; Série:FB; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de te INDUCTANCE 1812 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:9.7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:9.7MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:4.2ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de INDUCTANCE 1812 820UH; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:45ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.4MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:45ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termi INDUCTANCE 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.019ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 2.7UH; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:1.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.8A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.039ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:850mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:850mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.15ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:600mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.38ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.4A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.062ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1.2A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.2A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.087ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.22ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:400mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.77ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:1ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:200mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:2.3ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:1.02mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:420mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:15.24mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:420mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:1.25ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:A INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.81mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:15.24mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.4A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.38ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:A INDUCTANCE 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.17ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 2200UH; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:420mA; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:420mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.81mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:1.8ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:F INDUCTANCE AXIAL 10UH 0.75A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:750mA; Diamètre de la broche:0.73mm; Diamètre du corps:5.2mm; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 8MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, mesure d'inductance:8MHz; Longueur cordon:35mm; Longueur/hauteur:11.4mm; Matériau du noy INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):14A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:20mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):10A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.47mm; Résistance:40mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE BOBINEE 700Z; Impédance:850ohm; Ferrite Grade:44; Gamme de fréquence:1MHz 200MHz; Montage de la ferrite:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:Axiale; Diamètre du corps:6mm; Impédance, typique 100MHz:580ohm; Impédance, typique 25MHz:700ohm; Longueur cordon:38mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Poids:1.4g; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:Radial; Type de boîtier d'inductanc INDUCTANCE 8RBS 0.1MH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:6.1MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:200mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6.1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:796kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lon INDUCTANCE 8RBS 0.47MH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:3.2MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:100mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3.2MHz; Fréquence, mesure d'inductance:796kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lo INDUCTANCE 8RBS 2.2MH; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:80; Fréquence de résonance:1.5MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:50mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:80 @ 252kHz; Fréquence de résonance:1.5MHz; Fréquence, mesure d'inductance:252kHz; Longueur cordon:2.4mm; Long INDUCTANCE 8RBS 10MH; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:55ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:600kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:20mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 79.6kHz; Fréquence de résonance:600kHz; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Lon INDUCTANCE 27MH; Inductance:27mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:80ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:300kHz; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:30mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:8mm; Fréquence, mesure d'inductance:79.6kHz; Longueur cordon:2.4mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Q @ Vr F:100; Résistance:80ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Inductor; Type de boîti INDUCTANCE 56MH; Inductance:56mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:58ohm; Courant nominal DC:12mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:120kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:12mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:120kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noya INDUCTANCE 82MH; Inductance:82mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:71ohm; Courant nominal DC:10mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:90kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:10mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:90kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau: INDUCTANCE 100MH; Inductance:100mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:82ohm; Courant nominal DC:9mA; Facteur Q:100; Fréquence de résonance:90kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:9mA; Diamètre de la broche:0.7mm; Diamètre du corps:10.5mm; Facteur Q @ Fréquence:100 @ 50kHz; Fréquence de résonance:90kHz; Fréquence, mesure d'inductance:50kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau: INDUCTANCE 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.37ohm; Courant nominal DC:460mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:460mA; Diamètre de la broche:0.62mm; Diamètre du corps:8.5mm; Fréquence de résonance:1.9MHz; Fréquence, mesure d'inductance:0.796MHz; Longueur cordon:5mm; Longueur/hauteur:11mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:1.1ohm INDUCTANCE 3.6MH; Inductance:3.6mH; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Courant efficace max.:1A; Diamètre du corps:1.2mm; Inductance, min.:3.6mH; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:17.5mm; Profondeur:16mm; Résistance:0.44ohm; Résistance d'isolement:100Mohm; Température de fonctionnement max..:120°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:300V; Type d'inductance:Common / Asymmetrica INDUCTANCE 0603 15NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.41ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0603 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.55ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Induc INDUCTANCE 0603 39NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:11 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:0.8ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0603 47NH; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:11 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:0.95ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:I INDUCTANCE 0603 82NH; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:1.5ohm; Série:RE; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Ind INDUCTANCE 0805 120NH; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.99ohm; Courant nominal DC:275mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:275mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.99ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0805 390NH; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.37ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:150MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:2.37ohm; Série:ND; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CM INDUCTANCE 1008 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:135mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:135mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Q @ Vr F:25; Résistance:1.3ohm; Série:FC; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1008; Type de t INDUCTANCE 1210 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1210 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.82ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:85MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:85MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.82ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:10ohm; Série:FA; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1210; Type de termina INDUCTANCE 1210 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:16ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:16ohm; Série:PA; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210; Type de t INDUCTANCE 1812 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.81ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:0.81ohm; Série:FB; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de te INDUCTANCE 1812 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:215mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:215mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 5MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:50; Résistance:2.1ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de termina INDUCTANCE 1812 82.0UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.9ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:7.5MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:5.9ohm; Série:FB; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Wirewound; Type de boîtier:1812; Type de INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:1.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.1A; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.095ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:500mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Largeur (externe):6.4mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Profondeur:6.0mm; Résistance:0.48ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0402 2N0 5%; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1040mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:11.1GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:1040mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:11.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.07ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 7N5 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:4.8GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.104ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 8N2 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:4.4GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:4.4GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.104ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 13N 5%; Inductance:13nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.45GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.45GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.21ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 16N 5%; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0402 30N 5%; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.35GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.35GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 33N 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.35GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:2.35GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 43N 5%; Inductance:43nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.81ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.03GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.03GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.81ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:2.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.83ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 3N3 5%; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:6GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m INDUCTANCE 0603 7N5 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:31; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:31; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 15N 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:4GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation mi INDUCTANCE 0603 33N 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:2.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:40; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 R27 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:900MHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:25; Résistance:2.1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0805 15N 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.4GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 18N 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 0805 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:55; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 82N 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.42ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 1R0 5%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 50MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:20; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE 1008 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.18ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 R22 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.84ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:700MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:700MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:0.84ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 1R0 5%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.75ohm; Courant nominal DC:370mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:290MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:370mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 50MHz; Fréquence de résonance:290MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:35; Résistance:1.75ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 0402 1N0 10%; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:1360mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:12.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:1360mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:12.7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.045ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 0402 5N6 5%; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:760mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.083ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.195ohm; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:480mA; Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:3.9GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:21; Résistance:0.195ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0402 20N 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:3GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m INDUCTANCE 0402 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0402 24N 5%; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:2.7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:25; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0402 27N 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.48GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:2.48GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0402 36N 5%; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.44ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.32GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:2.32GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.44ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 4N7 5%; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 8N2 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 18N 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0603 30N 5%; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:37; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:37; Fréquence de résonance:2.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:37; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0805 27N 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:55; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 39N 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.29ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 0805 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.65GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.65GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.31ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0805 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.55GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.55GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.34ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0805 R18 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:870MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:870MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.64ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4.1GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.16ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1008 R12 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.63ohm; Courant nominal DC:650mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:950MHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:650mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:950MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.63ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R27 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.91ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:0.91ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R33 5%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:570MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:570MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.05ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R47 5%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.19ohm; Courant nominal DC:470mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:470mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:450MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.19ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R56 5%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.33ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:415MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:415MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.33ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R68 5%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.47ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:375MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:375MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.47ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 153 5%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11.5ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:15; Résistance:11.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0402 2N7 5%; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:1.4MHz; Fréquence, facteur Q:42MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:10.4GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 0402 4N7 5%; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:4.7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 0402 6N8 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.083ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.97ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:1.76GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:1.76GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.97ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 1N6 5%; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.04ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 3N6 5%; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.063ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 4N3 5%; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:22; Résistance:0.063ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 5N1 5%; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.16ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:38; Fréquence de résonance:3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:38; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0603 39N 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:2.2GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:40; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 47N 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:38; Fréquence de résonance:2GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:38; Résistance:0.28ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Ty INDUCTANCE 0603 51N 5%; Inductance:51nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.9GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:1.9GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.28ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:37; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:37; Fréquence de résonance:1.7GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:37; Résistance:0.34ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 R11 5%; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.35GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:32; Fréquence de résonance:1.35GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:32; Résistance:0.61ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 0603 R33 5%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:900MHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:25; Résistance:3.8ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; T INDUCTANCE 0603 R39 5%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.35ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25; Fréquence de résonance:900MHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:25; Résistance:4.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0805 5N6 5%; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 8N2 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 0805 12N 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 0805 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.45GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.45GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.38ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0805 R10 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:65; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:65 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:65; Résistance:0.46ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 0805 R11 5%; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.48ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 R15 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:920MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:920MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.56ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 0805 R27 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:650MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:650MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE 0805 R33 5%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1.4ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R39 5%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:560MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:560MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R47 5%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:375MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 100MHz; Fréquence de résonance:375MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:33; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R82 5%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.35ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:23; Résistance:2.35ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 2R2 5%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:16; Résistance:2.7ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 2R7 5%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.95ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:16; Résistance:2.95ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1008 22N 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.4GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 350MHz; Fréquence de résonance:2.4GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:55; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 82N 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1008 R10 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:650mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:650mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.56ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1008 R18 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:620mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:750MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:620mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:750MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:0.77ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 1008 R39 5%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.12ohm; Courant nominal DC:470mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:470mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 100MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:45; Résistance:1.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.62mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.05ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:B INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.44mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.81mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.04ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:D INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.62mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.4A; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.51mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:C INDUCTANCE 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:950mA; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:950mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:0.64mm; Inflammabilité:UL94V-0; Résistance:0.24ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:E INDUCTANCE 10 UH 20% 15.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0168ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):15.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:15.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-5 INDUCTANCE 3.3 UH 20% 35A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6800è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):35A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:5.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 8.2 UH 20% 16A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0155ohm; Courant nominal DC:10.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:10.5A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:14.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20% INDUCTANCE 0.4 UH 20% 64A; Inductance:400nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1000è¾ohm; Courant nominal DC:44A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:44A; Courant, Ic (sat):64A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 0.68 UH 20% 60A; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1600è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:35A; Courant, Ic (sat):60A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:1.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 1 UH 20% 40A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:24A; Courant, Ic (sat):40A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:3.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'i INDUCTANCE 3.3 UH 20% 27A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):27A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:11mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 0.33 UH 20% 62A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1500è¾ohm; Courant nominal DC:36.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:36.5A; Courant, Ic (sat):62A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:1.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; INDUCTANCE 1.2 UH 20% 48A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2500è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:30A; Courant, Ic (sat):48A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:2.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 6.8 UH 20% 16.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):16.5A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:13.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -: INDUCTANCE 0.33 UH 20% 65A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:900è¾ohm; Courant nominal DC:46A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:46A; Courant, Ic (sat):65A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.83mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 0.82 UH 20% 50A; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1900è¾ohm; Courant nominal DC:33A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:33A; Courant, Ic (sat):50A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:1.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 5.6 UH 20% 26.5A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:13.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:13.5A; Courant, Ic (sat):26.5A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:9.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20 INDUCTANCE 0.22 UH 20% 112A; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:700è¾ohm; Courant nominal DC:53A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:53A; Courant, Ic (sat):112A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.63mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; T INDUCTANCE 10 UH 20% 14A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):14A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:30.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d' INDUCTANCE 1.8 UH 20% 30A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:16.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:16.5A; Courant, Ic (sat):30A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:6.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; INDUCTANCE 4.7 UH 20% 24A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):24A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:14.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Typ INDUCTANCE 8.2 UH 20% 16A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:24.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; T INDUCTANCE 8.2NH 320MA 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, facteur Q:800MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Q @ Vr F:19; Résistance:0.35ohm; Série:RF; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inductor Laser Cut; Type de boîti INDUCTANCE 3.3 UH 1.3A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.3A; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 6.8 UH 0.96A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:960mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:960mA; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 3.9NH 360MA 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:360mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.2GHz; Fréquence, facteur Q:800MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:360mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.2GHz; Q @ Vr F:20; Résistance:0.15ohm; Série:RF; Tolérance +:7.69%; Tolérance -:7.69%; Type d'inductance:Inductor Laser Cut; Type INDUCTANCE 6.8NH 320MA 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:800MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Courant dc max:320mA; Fréquence de résonance:4GHz; Q @ Vr F:19; Résistance:0.3ohm; Série:RF; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inductor Laser Cut; Type de boîtier:0402; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 3.3UH 5.2A 0.016 OHMS; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:5.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:5.2A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.016ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 680UH 0.64A 0.780 OHMS; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.78ohm; Courant nominal DC:640mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:640mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.78ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; INDUCTANCE 4.7UH 4.6A 0.019 OHMS; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:4.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:4.6A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 100UH 1.7A 0.110 OHMS; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1.7A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.11ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type d INDUCTANCE 820UH 0.62A 0.870 OHMS; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.87ohm; Courant nominal DC:620mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:620mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.87ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; INDUCTANCE 1500UH 0.43A 1.7 OHMS; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:430mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:430mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Typ INDUCTANCE 150UH 2.70A 0.072 OHMS; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.072ohm; Courant nominal DC:2.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.5mm; Courant dc max:2.7A; Diamètre de la broche:5mm; Diamètre du corps:18mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:1mm; Longueur/hauteur:27mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.072ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 10 UH 0.8A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:800mA; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 1.5 UH 1.8A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.079ohm; Courant nominal DC:1.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.8A; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.09ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 33 UH 0.44A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:440mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:440mA; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 4.7 UH 1.1A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.1A; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.7mm; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.14ohm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type d'inductance:Coil; Type de boîtier:SMD INDUCTANCE 0402 2N2 5%; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:960mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:10.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:960mA; Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:10.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:19; Résistance:0.07ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 0402 3N3 5%; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:7GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:840mA; Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:7GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:19; Résistance:0.066ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0402 3N9 5%; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:5.8MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:840mA; Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:19; Résistance:0.066ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 6N2 5%; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:760mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.083ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +: INDUCTANCE 0402 12N 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.6GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0402 15N 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.172ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.28GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.28GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.172ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE 0402 18N 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:3.1GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:24; Résistance:0.23ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0402 68N 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.12ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:1.62GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:22; Fréquence de résonance:1.62GHz; Largeur (externe):0.76mm; Longueur/hauteur:1.27mm; Profondeur:0.61mm; Q @ Vr F:22; Résistance:1.12ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 3.3NHè…0.3NH 0402; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 3.9NHè…0.3NH 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 4.3NHè…0.3NH 0402; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.21ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 5.6NHè…0.3NH 0402; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.26ohm; Température de fonctionnement m INDUCTANCE 6.8NHè…5% 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.29ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 7.5NHè…5% 0402; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.31ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 0603 1N8 5%; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:12.5GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:16; Résistance:0.045ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance + INDUCTANCE 0603 2N2 5%; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:6GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min INDUCTANCE 0603 5N6 5%; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:20; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 8.2NHè…5% 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.33ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 27NHè…5% 0402; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.67ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.67ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 39NHè…5% 0402; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.06ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.06ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 68NHè…20% 0603 BLINDEE; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 50MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, mesure d'inductance:50MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 82NHè…20% 0603 BLINDEE; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:245MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 50MHz; Fréquence de résonance:245MHz; Fréquence, mesure d'inductance:50MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 150NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.6ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 220NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 330NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.85ohm; Température de fonctionne INDUCTANCE 0603 8N7 5%; Inductance:8.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:27; Fréquence de résonance:4.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 16N 5%; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:47MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:3.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation INDUCTANCE 0603 24N 5%; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:2.8GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:36; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 36N 5%; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:37; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:37; Fréquence de résonance:2.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:37; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 56N 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:38; Fréquence de résonance:1.9GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:38; Fréquence de résonance:1.9GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:38; Résistance:0.31ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 0603 R10 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:1.7GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:34; Fréquence de résonance:1.4GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:34; Résistance:0.58ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 0603 R12 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.3GHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:32; Fréquence de résonance:1.3GHz; Largeur (externe):1.12mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Profondeur:1.02mm; Q @ Vr F:32; Résistance:0.65ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; INDUCTANCE 0805 6N8 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.11ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' INDUCTANCE 470NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.35ohm; Température de fonctionne INDUCTANCE 680NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 1500NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionnemen INDUCTANCE 1800NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.95ohm; Température de fonctionnem INDUCTANCE 0805 10N 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4.2GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 0805 R12 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:1.1GHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.51ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 0805 R22 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:850MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:50; Résistance:0.7ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R30 5%; Inductance:300nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:620MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 250MHz; Fréquence de résonance:620MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:48; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 0805 R56 5%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.9ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:340MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:340MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:23; Résistance:1.9ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 R68 5%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:23; Résistance:2.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 1R2 5%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 25MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:18; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 0805 1R8 5%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 7.9MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Largeur (externe):1.73mm; Longueur/hauteur:2.29mm; Profondeur:1.52mm; Q @ Vr F:16; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1008 39N 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:350MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 350MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:60; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d INDUCTANCE 1008 1R5 5%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 50MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:28; Résistance:2.3ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1008 8R2 5%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:170mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:15; Résistance:6ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1008 103 5%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Largeur (externe):2.79mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:2.1mm; Q @ Vr F:15; Résistance:9ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 1.0NHè…0.1NH 0201; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utili INDUCTANCE 1.2NHè…0.1NH 0201; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:8.33%; Tolérance -:8 INDUCTANCE 27NHè…3% 0201; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 3%; Résistance DC max.:2.9ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:2.9ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3%; Tolérance -:3%; Type d'i INDUCTANCE 39NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.067ohm; Courant nominal DC:490mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:490mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité p INDUCTANCE 56NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité pa INDUCTANCE RF 1.5NH 0603; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Fréquence de résonance:10GHz; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1000A; Facteur Q:26; Fréquence, facteur Q:450MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1000A; Fréquence de résonance:10GHz; Q @ Vr F:26; Résistance:0.06ohm; Série:Accu-L; Tolérance +:6.67%; Tolérance -:6.67%; Type d'inductance:Multi Layer Thin Film; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 4.7NHè…0.3NH 0402; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.23ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 220UH 1.1A 0.210 OHMS; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:1.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1.1A; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.21ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE 560UH 0.68A 0.560 OHMS; Inductance:560è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:680mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:680mA; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.56ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Typ INDUCTANCE 330UH 1.0A 0.350 OHMS; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:1A; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.35ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type de INDUCTANCE 390UH 0.95A 0.400 OHMS; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:950mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:950mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.4ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Ty INDUCTANCE 100UH 3.20A 0.057 OHMS; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.5mm; Courant dc max:3.2A; Diamètre de la broche:5mm; Diamètre du corps:18mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:1mm; Longueur/hauteur:27mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.05ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 6.2NHè…0.3NH 0402; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.27ohm; Température de fonctionnement m INDUCTANCE 10NHè…5% 0402; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.35ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 18NHè…5% 0402; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.51ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 33NHè…5% 0402; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.67ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.67ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 47NHè…20% 0603 BLINDEE; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:260MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 50MHz; Fréquence de résonance:260MHz; Fréquence, mesure d'inductance:50MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 270NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:136MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:136MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 390NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:110MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:110MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1ohm; Température de fonctionnement m INDUCTANCE 1.2NHè…0.2NH 0201; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:16.67%; Tolérance -: INDUCTANCE 2.3NHè…0.1NH 0201; Inductance:2.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:4.35%; Tolérance -:4.3 INDUCTANCE 2.8NHè…0.1NH 0201; Inductance:2.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3.57%; Tolérance -:3.5 INDUCTANCE 5.1NHè…3% 0201; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 3%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3%; Tolérance -:3%; Type d INDUCTANCE 18NHè…5% 0201; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'i INDUCTANCE 47NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité pa INDUCTANCE 100NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 436MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quanti INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.127ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Courant efficace max.:1.4A; Courant, Ic (sat):1.25A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur ( INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.215ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1.15A; Courant, Ic (sat):0.74A; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F: INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.027ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:3.2A; Courant, Ic (sat):2A; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:8; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.25ohm; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1A; Courant, Ic (sat):0.48A; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:12; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.5A; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Courant efficace max.:3.5A; Courant, Ic (sat):2.7A; Facteur Q @ Fréquence:27 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur ( INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.287ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Courant efficace max.:1A; Courant, Ic (sat):0.8A; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (extern INDUCTANCE 1.0NHè…0.3NH 0402; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 1.1NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 2.2NHè…0.3NH 0402; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 2.4NHè…0.3NH 0402; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.16ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 2.7NHè…0.3NH 0402; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.17ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 3.0NHè…0.3NH 0402; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.18ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 5.1NHè…0.3NH 0402; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.24ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 22NHè…5% 0402; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.58ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 47NHè…5% 0402; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.15ohm; Température de fonctionnement max..:125°C; INDUCTANCE 56NHè…5% 0402; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 82NHè…5% 0402; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 120NHè…5% 0402; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 1000NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.6ohm; Température de fonctionnement INDUCTANCE 22NHè…3% 0201; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 3%; Résistance DC max.:2.55ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:11; Résistance:2.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3%; Tolérance -:3%; Type d INDUCTANCE 2.2 UH 20% 40A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4200è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:22A; Courant, Ic (sat):40A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:3.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 4.7 UH 20% 30A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0112ohm; Courant nominal DC:13.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:13.5A; Courant, Ic (sat):30A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:9.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0.1 UH 20% 120A; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:500è¾ohm; Courant nominal DC:60A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050FD; Nombre de broches:2; Courant dc max:60A; Courant, Ic (sat):120A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:6.5mm; Résistance:0.47mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Ty INDUCTANCE 2.2 UH 20% 29A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Courant, Ic (sat):29A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:7.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 5.6 UH 20% 19A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):19A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:18.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; T INDUCTANCE 6.8 UH 20% 18A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:19.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE 0.6 UH 20% 51A; Inductance:600nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2200è¾ohm; Courant nominal DC:29A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:29A; Courant, Ic (sat):51A; Largeur (externe):12.9mm; Longueur/hauteur:13.2mm; Matériau du noyau:Powdered Iron; Profondeur:3.5mm; Résistance:1.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tolérance +:20%; Tolérance -:20%; Type INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE KIT LAB; Contenu du kit:Shielded SMD Power Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:3 chacune - 18 valeurs de 1è¾H 220è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:20mm; Inductance, min.:0.8mH; Largeur (externe):210mm; Profondeur:100mm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.139ohm; Courant nominal DC:1.25A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.25A; Courant efficace max.:1.25A; Courant, Ic (sat):1.2A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Large INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Courant efficace max.:1.2A; Courant, Ic (sat):1A; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (ext INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.055ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:3017; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.8A; Courant, Ic (sat):1.45A; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Maté INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.4ohm; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.24A; Courant, Ic (sat):0.28A; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:20; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.25A; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5018; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.25A; Courant efficace max.:1.25A; Courant, Ic (sat):1.05A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Larg INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5018; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.95A; Courant, Ic (sat):0.8A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):5.2mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Matéri INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Courant efficace max.:2.8A; Courant, Ic (sat):2.1A; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeu INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.285ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:5028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Courant efficace max.:0.7A; Courant, Ic (sat):0.62A; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Large INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.057ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:6025; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:2A; Courant, Ic (sat):1.05A; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.13ohm; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:6025; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1.6A; Courant, Ic (sat):0.7A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matéri INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.25ohm; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.42A; Courant, Ic (sat):0.24A; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:20 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.024ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:3.4A; Courant, Ic (sat):2.35A; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2.8mm; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:29; Fréquence de résonance:13.4MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Courant efficace max.:4A; Courant, Ic (sat):3.70A; Facteur Q @ Fréquence:29 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13.4MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (e INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Courant efficace max.:2.8A; Courant, Ic (sat):2.4A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur ( INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 3UH; Inductance:3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.135ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:1.5A; Courant, Ic (sat):0.87A; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F:8; Ré INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.65ohm; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.31A; Courant, Ic (sat):0.22A; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F:15 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 6UH; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.25ohm; Facteur Q:9; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2016; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.9A; Courant, Ic (sat):0.63A; Facteur Q @ Fréquence:9 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):2.8mm; Longueur/hauteur:2.8mm; Matériau INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0224ohm; Courant nominal DC:3.8A; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Courant efficace max.:3.8A; Courant, Ic (sat):3.1A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Large INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.66ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:11; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1206; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Courant efficace max.:0.6A; Courant, Ic (sat):1.00A; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (externe):12.7mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du INDUCTANCE 390UH 0.8A 0.400 OHMS; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:800mA; Diamètre de la broche:0.8mm; Diamètre du corps:10mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:15mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.4ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type d INDUCTANCE 1000UH 0.57A 1.1 OHMS; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:570mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; Courant dc max:570mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:11.5mm; Fréquence de résonance:10kHz; Longueur cordon:4mm; Longueur/hauteur:13.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.1ohm; Tolérance +:10%; Tolérance -:10%; Type d'inductance:Choke Coil; Type INDUCTANCE 100UF 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.163ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.163ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0172ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0172ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0656ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0656ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20% 1.9A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:1.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.9A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.044ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 10UH 20% BOITIER 1210; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.133ohm; Courant nominal DC:760mA; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:760mA; Fréquence de résonance:23MHz; Résistance:0.1729ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:1210 INDUCTANCE 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0398ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0398ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 33UF 25%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.249ohm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.249ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC PLUS INDUCTANCE 4.7 UH 20% 6.8A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:0.0155ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.8A; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.016ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB S INDUCTANCE 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1787ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1787ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0824ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0824ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1107ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1107ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.1A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.045ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:ECONO-PAC INDUCTANCE 1MH 4A; Inductance:1mH; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 200UH 25%; Inductance:200è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.963ohm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.963ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.3795ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 33UH 20% 3A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 33UH 20% 3A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Type d'inductance:Power Inductor INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1177ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1177ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.199ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.199ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:20ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 99.23UH 20%; Inductance:99.23è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.302ohm; Courant nominal DC:920mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:920mA; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.302ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 1.3NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6000MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max. INDUCTANCE 1.5NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6000MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max. INDUCTANCE 1.6NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 1.8NHè…0.3NH 0402; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.1ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 2.0NHè…0.3NH 0402; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:1 INDUCTANCE 12NHè…5% 0402; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:0.41ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 68NHè…5% 0402; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.25ohm; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 100NHè…5% 0402; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Q @ Vr F:8; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 560NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.55ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:95MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Q @ Vr F:15; Résistance:1.55ohm; Température de fonctionneme INDUCTANCE 2200NHè…10% 0603 BLINDEE; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, mesure d'inductance:10MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.15ohm; Température de fonctionnem INDUCTANCE 3.1NHè…0.1NH 0201; Inductance:3.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:3.23%; Tolérance -:3.2 INDUCTANCE 4.7NHè…5% 0201; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d' INDUCTANCE 6.8NHè…5% 0201; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.6ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d' INDUCTANCE 17NHè…5% 1206 BOBINEE; Inductance:17nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:650mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:436MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:1206; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:650mA; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Matériau du noyau:Céramique alumine; Q @ Vr F:60; Quantité par bobine:2000; Résistance:0.037ohm; Température de fonc INDUCTANCE RF 6.8NH 0603; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:4.5GHz; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:300A; Facteur Q:23; Fréquence, facteur Q:450MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300A; Fréquence de résonance:4.5GHz; Q @ Vr F:23; Résistance:0.3ohm; Série:Accu-L; Tolérance +:2.94%; Tolérance -:2.94%; Type d'inductance:Multi Layer Thin Film; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE HAUTE FREQ 220NH 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:860MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 250MHz; Fréquence de résonance:860MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:1ohm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE 10.6UH 20%; Inductance:10.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.527ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.527ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0189ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0189ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 25%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.02ohm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC PLUS INDUCTANCE 120UH 10% 5.8A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:5.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:39mohm; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 150UH 20%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.591ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.591ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 19.6UH 20%; Inductance:19.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.146ohm; Courant nominal DC:1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.146ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 1UH 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0102ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0102ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0165ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 3.5UH 30% 5.5A; Inductance:3.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0115ohm; Courant nominal DC:5.5A; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.5A; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:14; Résistance:11.5mohm; Type d'inductance:Power Ind INDUCTANCE 33UH 10% 1.1A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.013ohm; Courant nominal DC:10.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.013ohm; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:2120 INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4600è¾ohm; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Résistance:0.0046ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 5UH 25%; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:4.34A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:4.34A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.021ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC PLUS INDUCTANCE 6UH 15% 33.8A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2170è¾ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Résistance:0.00217ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE FORT COURANT 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050CE; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Résistance:0.0072ohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE FORT COURANT 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Résistance:0.102ohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0185ohm; Courant nominal DC:4.5A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.5A; Courant efficace max.:4.5A; Courant, Ic (sat):3.7A; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:3017; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.98A; Courant, Ic (sat):1.7A; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Ma INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.54ohm; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:0.21A; Courant, Ic (sat):0.36A; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:1.8mm; Q @ Vr F:18 INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.042ohm; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant efficace max.:2.2A; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:6.2mm; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Profondeur:2mm; Q @ Vr F:8; R INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.046ohm; Courant nominal DC:2.7A; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.7A; Courant efficace max.:2.7A; Courant, Ic (sat):2A; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (e INDUCTANCE DE PUISSANCE BLINDEE 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.192ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:8043; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Courant efficace max.:1.2A; Courant, Ic (sat):1A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (ext INDUCTANCE 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.383ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.383ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0489ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0489ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0247ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0247ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 19.6UH 20%; Inductance:19.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:2.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.1A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.055ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 10UH 10% 100MA BOITIER 0805; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:120mA; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:120mA; Fréquence de résonance:32MHz; Résistance:0.65ohm; Série:LQ LB; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0126ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0126ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 2.2UH 30% 6.5A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7700è¾ohm; Courant nominal DC:6.8A; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.8A; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:12; Résistance:7.7mohm; Type d'inductance:Power Induc INDUCTANCE 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.143ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.143ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0467ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0467ohm; Série:SD; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 9.6UH 20% 5.4A; Inductance:9.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:3.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.4A; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE 0402 6.8NH +/- 0.1NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.9ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 10NH +/- 0.1NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.3ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 47NH; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1200MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.7ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 1.0è¾H 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:510mA; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance:0.28ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 22è¾H 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:14MHz; Résistance:3ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:340mA; Fréquence de résonance:31MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:340mA; Fréquence de résonance:31MHz; Résistance:0.65ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.12è¾H 20%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:970mA; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:970mA; Fréquence de résonance:250MHz; Résistance:0.08ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 215NH 10%; Inductance:215nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:520mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:430MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:520mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:430MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.11ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 500NH 10%; Inductance:500nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.44ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:270MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:270MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.44ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 12è¾H 10%; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:95mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:18MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2.7ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 18è¾H 10%; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:3.4ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 39è¾H 10%; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7.2ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:7.2ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 56è¾H 10%; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8.9ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:9MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:8.9ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 8.2è¾H 10%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:105mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:23MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2.2ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.56è¾H 10%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:180MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.61ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1812 1.0è¾H 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1080mA; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1080mA; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance:0.08ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 68è¾H 10%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:8.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:8.4MHz; Résistance:1.7ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 1.8è¾H 20%; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:4MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:6.8ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 100è¾H 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Résistance:0.86ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 150è¾H 20%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.9ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Résistance:1.9ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 2200è¾H 20%; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:21.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:1.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:1.2MHz; Résistance:21.5ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 2.2è¾H 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.029ohm; Courant nominal DC:3200mA; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3200mA; Fréquence de résonance:80MHz; Résistance:0.029ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 33è¾H 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:12MHz; Résistance:0.32ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.041ohm; Courant nominal DC:2700mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2700mA; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:0.041ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2525 220è¾H 20%; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.79ohm; Courant nominal DC:350mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Fréquence de résonance:4MHz; Résistance:0.79ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 33è¾H 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:860mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:860mA; Fréquence de résonance:12MHz; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 3.3è¾H 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:2600mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2600mA; Fréquence de résonance:40MHz; Résistance:0.022ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 22UH 2A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.241ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:7.23mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.0mm; Résistance:241ohm; Température de fonctionnement max..:+155°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 8.2UH. 3.7A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.7A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:18mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 4.7UH. 2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.042ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 22UH. 0.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 33UH. 0.7A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.18ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 220UH. 0.28A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:280mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:280mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.4ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 120UH. 0.35A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:350mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.75ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 18UH. 0.1A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:100mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.13ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 8.2UH. 1.4A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.061ohm; Courant nominal DC:1.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.4A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.061ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.37UH. 24A; Inductance:370nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:24A; Largeur (externe):10mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:4mm; Résistance:1.1mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:10 x 11; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.6UH. 30A; Inductance:600nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:30A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:14.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5mm; Résistance:1.1mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:12 x 14; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 22UH. 1.6A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:4.8A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Largeur (externe):8mm; Longueur/hauteur:8.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5.4mm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:8 x 8; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 0.19UH 20% 90A; Inductance:190nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:950è¾ohm; Courant nominal DC:40A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:40A; Courant, Ic (sat):90A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:0.875mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.56UH 20% 49A; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1800è¾ohm; Courant nominal DC:27.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:27.5A; Courant, Ic (sat):49A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 4.7UH 20% 17A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):17A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:15mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.24UH 20% 44A; Inductance:240nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:950è¾ohm; Courant nominal DC:33A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:33A; Courant, Ic (sat):44A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:0.85mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 2UH 20% 14A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5800è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Courant, Ic (sat):14A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:5.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductanc INDUCTANCE 6.8UH 20% 7.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0193ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):7.5A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:17.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 100UH 20% 2.25A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:2.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):2.25A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:249mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 0402 15NH 2%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.8ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 2.9NH +/- 0.1NH; Inductance:2.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.05nH; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.4ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:800MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:800MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.9ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 95NH 10%; Inductance:95nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:790mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:650MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:650MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.047ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 750NH 10%; Inductance:750nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.79ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:220MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.79ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 15è¾H 10%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:3ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 1.0è¾H 10%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.49ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:175mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.49ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 22è¾H 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:14MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:3.1ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 27è¾H 10%; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:3.4ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 47è¾H 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 5.6è¾H 10%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:115mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:115mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:28MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1812 100è¾H 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:190mA; Fréquence de résonance:6.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:6.8MHz; Résistance:2.2ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 150è¾H 10%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Résistance:3.5ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 330è¾H 10%; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:6.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:3.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:3.6MHz; Résistance:6.8ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 10000è¾H 20%; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:100ohm; Courant nominal DC:50mA; Fréquence de résonance:0.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:50mA; Fréquence de résonance:500kHz; Résistance:100ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 470è¾H 20%; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.4ohm; Courant nominal DC:240mA; Fréquence de résonance:2.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:240mA; Fréquence de résonance:2.4MHz; Résistance:5.4ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2525 10è¾H 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:1600mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1600mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:0.036ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 1.5è¾H 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:3800mA; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3800mA; Fréquence de résonance:110MHz; Résistance:0.016ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 22è¾H 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1100mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1100mA; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.087ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 330è¾H 20%; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:3.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:3.2MHz; Résistance:1.8ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 68è¾H 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:7.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:7.6MHz; Résistance:0.29ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 0806 5.6è¾H 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0806; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:0.9ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:0806 INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 10UH. 3.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.023ohm; Courant nominal DC:3.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.3A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:23mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 12UH. 2.3A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.3A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:25mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 3.3UH. 5.35A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8800è¾ohm; Courant nominal DC:5.35A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.35A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.8mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 6.8UH. 1.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:1.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.5A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.052ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 12UH. 1.2A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.071ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 150UH. 0.365A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:365mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:365mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.86ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 1.06UH. 16A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2240è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:16A; Courant, Ic (sat):22A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Dust Core; Profondeur:6mm; Résistance:2.24mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:12 x 12; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 2.45UH. 12A; Inductance:2.45è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4920è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Dust Core; Profondeur:6mm; Résistance:4.92mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:12 x 12; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 1.3UH. 17.5A; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:1560è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Largeur (externe):16.8mm; Longueur/hauteur:17.2mm; Profondeur:9mm; Résistance:1.56mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:17 x 17 INDUCTANCE 2.2UH 20% 25.6A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):25.6A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:8.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 10UH 20% 12A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0365ohm; Courant nominal DC:6.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.8A; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:33.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 1UH 20% 20A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2500è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:25A; Courant, Ic (sat):20A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:2.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductanc INDUCTANCE 10UH 20% 7.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0305ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Courant, Ic (sat):7.1A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:27.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i KIT LAB. INDUCTANCE 3650 0603 KIT LAB. INDUCTANCE 3650 0805 INDUCTANCE 1.4UH 20A; Inductance:1.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:20A; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20A; Largeur (externe):10.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:6.50mm; Résistance:1.7ohm; Température de fonctionnement max..:+130°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE 0402 5.6NH +/- 0.1NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:0.7ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 7.5NH +/- 0.1NH; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.1ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 8.2NH +/- 0.1NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.1ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 39NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 68NH; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.8ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 82NH; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.85ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 10è¾H; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:230mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:1.3ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.22è¾H 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Fréquence de résonance:250MHz; Résistance:0.1ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.47è¾H 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:180MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:180MHz; Résistance:0.15ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 290NH 10%; Inductance:290nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:360MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:360MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.17ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 10è¾H 10%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 5MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2.5ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 100è¾H 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:7MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:12ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 2.2è¾H 10%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.7ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 33è¾H 10%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:3.8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 6.8è¾H 10%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:25MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:2ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 0.82è¾H 10%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.73ohm; Courant nominal DC:185mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:185mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25MHz; Fréquence de résonance:120MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.73ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1812 220è¾H 10%; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:110mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Résistance:4ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 2.7è¾H 20%; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9.7ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3.3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Fréquence de résonance:3.3MHz; Q @ Vr F:40; Résistance:9.7ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 47è¾H 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:0.4ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 0806 33è¾H 10%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0806; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:28MHz; Résistance:2.8ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:0806 INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 100UH. 1A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:18mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 5.1UH. 4.35A; Inductance:5.1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:4.35A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.35A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 15UH. 1.1A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.096ohm; Courant nominal DC:1.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.1A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.096ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 47UH. 0.6A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:600mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.27ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 10UH. 1.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.3A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 1UH. 3.4A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:3.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.4A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 2.7UH. 2.4A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:2.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.4A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.031ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 68UH. 0.5A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:500mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.52ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 6X6. 27UH. 0.8A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.26ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.5UH. 27A; Inductance:500nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:800è¾ohm; Courant nominal DC:27A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:27A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:14.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5mm; Résistance:0.8mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:12 x 14; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 1.71UH. 14A; Inductance:1.71è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:14A; Courant, Ic (sat):20A; Largeur (externe):12.5mm; Longueur/hauteur:12.5mm; Matériau du noyau:Dust Core; Profondeur:6mm; Résistance:3.3mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:12 x 12; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.7UH. 22.6A; Inductance:700nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1000è¾ohm; Courant nominal DC:22.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:22.6A; Largeur (externe):16.8mm; Longueur/hauteur:17.2mm; Profondeur:9mm; Résistance:1mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:17 x 17 INDUCTANCE 0.36UH 20% 60A; Inductance:360nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1400è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:31.5A; Courant, Ic (sat):60A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 1.5UH 20% 27.5A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5800è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):27.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:5.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 6.8UH 20% 13.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0233ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):13.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:21.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.78UH 20% 22A; Inductance:780nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1900è¾ohm; Courant nominal DC:27A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:27A; Courant, Ic (sat):22A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 1.8UH 20% 16A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17A; Courant, Ic (sat):16A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:4.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 4.7UH 20% 7.6A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0142ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):7.6A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:12.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 15UH 20% 6A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:6.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.25A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:40.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 22UH 20% 4.5A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:60.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induct INDUCTANCE 0402 12NH 2%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.7GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:1.6ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0402 27NH 2%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Q @ Vr F:13; Résistance:3.1ohm; Série:LPQ15; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0603 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.4ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 22NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.5ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 33NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.6ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.2ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0603 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Air; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Q @ Vr F:12; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 1206 100è¾H 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:80mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance:12ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 2.2è¾H 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:0.41ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 47è¾H 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:100mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:8ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 145NH 10%; Inductance:145nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.061ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.061ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 390NH 10%; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:330mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:330mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:300MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.26ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 610NH 10%; Inductance:610nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:240MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 100MHz; Fréquence de résonance:240MHz; Q @ Vr F:60; Résistance:0.48ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 1.2è¾H 10%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:165mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:165mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:0.9ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 3.3è¾H 10%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.4ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 3.9è¾H 10%; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:125mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:125mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:35MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.5ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1206 4.7è¾H 10%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 8MHz; Fréquence de résonance:31MHz; Q @ Vr F:35; Résistance:1.7ohm; Série:LGH31; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1206 INDUCTANCE 1210 10è¾H 10%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:650mA; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:650mA; Fréquence de résonance:23MHz; Résistance:0.24ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 15è¾H 10%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:570mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:570mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:0.32ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 22è¾H 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.6ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 1812 47è¾H 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:1.1ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE 2220 10è¾H 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.093ohm; Courant nominal DC:1700mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1700mA; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:0.093ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 15è¾H 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1400mA; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1400mA; Fréquence de résonance:17MHz; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 1.0è¾H 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:4000mA; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4000mA; Fréquence de résonance:150MHz; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 22è¾H 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1200mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1200mA; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.19ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2220 6.8è¾H 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:2000mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2000mA; Fréquence de résonance:25MHz; Résistance:0.074ohm; Type d'inductance:Chip Coil; Type de boîtier:2220 INDUCTANCE 2525 47è¾H 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:760mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:760mA; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:0.17ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 2525 4.7è¾H 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:2200mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2200mA; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:0.025ohm; Type d'inductance:Bobine CMS; Type de boîtier:2525 INDUCTANCE 0806 10è¾H 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:225mA; Fréquence de résonance:48MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0806; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:225mA; Fréquence de résonance:48MHz; Résistance:1.2ohm; Type d'inductance:Bobinée; Type de boîtier:0806 INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:7.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:7.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34mohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:38.48è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:850mA; Matériau du noyau:Powdered Iron; Résistance:0.057ohm; Série:ECONO-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:19.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.2A; Matériau du noyau:Powdered Iron; Résistance:0.014ohm; Série:OCTA-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE PUIS. CMS 22UH 25MA; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1206; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 1MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:1400mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de b INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 1.6A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:10; Résistance:0.13ohm; Type d'inductance:De puissanc INDUCTANCE PUIS. CMS 470UH 0.22A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.9ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:30; Résistance:4.9ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 10A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0172ohm; Courant nominal DC:10A; Facteur Q:53; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2207; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Facteur Q @ Fréquence:53 @ 5MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:53; Résistance:17.2mohm; Type d'inductance:De puissance; Typ INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 3A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.168ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:6.2MHz; Fréquence, facteur Q:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2207; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 2MHz; Fréquence de résonance:6.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:18; Résistance:168mohm; Type d'inductance:De puissance; Type INDUCTANCE PUIS. CMS 47UH 730MA; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:730mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:730mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:De pu INDUCTANCE PUIS. CMS 6.8UH 4.80A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0136ohm; Courant nominal DC:4.8A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1048; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:10; Résistance:13.6mohm; Type d'inductance:De INDUCTANCE DE LIGNE 1.0UH. 7.5A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.006ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 4.7UH. 4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.018ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 1000UH. 0.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.84ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.84ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 5 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.0117ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:14.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Diamètre du corps:5mm; Diamètre, extérieur:5.9mm; Fréquence de résonance:60MHz; Longueur cordon:14.8mm; Longueur/hauteur:20.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:11.7mohm; Série:WE-SD; Ty INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 15.0 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:24.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:15A; Diamètre du corps:10mm; Diamètre, extérieur:12mm; Fréquence de résonance:45MHz; Longueur cordon:24.9mm; Longueur/hauteur:30mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.5mohm; Série:WE-SD; T INDUCTANCE CMS 1UH. 1.9A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.9A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 10UH. 0.63A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.67ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.55ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 0.47UH. 2.8A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.029ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 10UH. 0.74A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Fréquence de résonance:45MHz; Résistance DC max.:0.205ohm; Courant nominal DC:740mA; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:740mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.185ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 10UH. 1.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.106ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH. 0.23A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:230mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.89ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 2.6UH. 3A; Inductance:2.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.022ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 100UH. 0.45A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:450mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:450mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.36ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 47UH. 0.73A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:730mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:730mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.237ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH. 0.55A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:550mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:550mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.44ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 0.18UH. 8.5A; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:600MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.5A; Fréquence de résonance:600MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.00351ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.135ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.11ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.255ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:10.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:10.5A; Courant, Ic (sat):12.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.004ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.21A; Fréquence de résonance:4.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.21A; Courant, Ic (sat):1.43A; Fréquence de résonance:4.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.185ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.53ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:430mA; Courant, Ic (sat):0.5A; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.43ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:9.3A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:9.3A; Courant, Ic (sat):13A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.007ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:5.3A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:5.3A; Courant, Ic (sat):6.5A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.023ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):3.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:160MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:3.5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:192MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.031ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:53MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.2A; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.6A; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.165ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:850mA; Courant, Ic (sat):0.74A; Fréquence de résonance:16.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.5ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:1.06ohm; Courant nominal DC:650mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:650mA; Courant, Ic (sat):0.5A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.95ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):2.75A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.042ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:850mA; Courant, Ic (sat):1A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.315ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:740mA; Fréquence de résonance:10.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:740mA; Courant, Ic (sat):0.84A; Fréquence de résonance:10.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.427ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.18ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:300mA; Courant, Ic (sat):0.31A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.6ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.73ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:220mA; Courant, Ic (sat):0.22A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.5ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.41A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.41A; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:790mA; Courant, Ic (sat):0.75A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.29ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.182ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.45A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:118mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.235ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:204mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.041ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.6A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:26mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:78mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:860mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:860mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:260mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:460mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:460mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:720mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 0.12UH; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.5mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 0.27UH; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:8.2A; Fréquence de résonance:180MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.2A; Fréquence de résonance:180MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.4mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:80mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:120mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:770mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:208mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:467mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.45A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:95mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1.19A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.19A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:138mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:810mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:810mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:300mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.73ohm; Courant nominal DC:670mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:670mA; Fréquence de résonance:4.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:451mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.48ohm; Courant nominal DC:440mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:440mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:969mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Fréquence de résonance:38MHz; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.056ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.16ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:190mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.038ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:78MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:78MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.029ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Fréquence de résonance:43MHz; Résistance:0.064ohm; Série:WE-PD3 INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:550mA; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:550mA; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.456ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.2ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:1.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.75ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.059ohm; Courant nominal DC:3.4A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.4A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.048ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.097ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.085ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.207ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.151ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:92mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:176mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6.8ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:5580mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:142.1mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.59ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:447.6mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1315mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:210mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:326mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:633mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:28.8mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.268ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:4.87MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:223mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.388ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:3.97MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:323mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:1.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1506mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.62UH; Inductance:620nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3450è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:110MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:2.89mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.45UH; Inductance:1.45è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5600è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:48MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:48MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 3.5UH; Inductance:3.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3100è¾ohm; Courant nominal DC:22.5A; Fréquence de résonance:38MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22.5A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.1mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:18.5A; Fréquence de résonance:24MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18.5A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:4.1mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.4UH; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2600è¾ohm; Courant nominal DC:23A; Fréquence de résonance:45MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:23A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:2.6mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 3UH; Inductance:4.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0141ohm; Courant nominal DC:8A; Fréquence de résonance:33MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:14mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 71.5NH; Inductance:72nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:235è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:155MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:155MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.235mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE MODE COMMUN 1.0MH 2.0A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:45mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 4.0MH 1.5A; Inductance:4mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:140mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 0.7A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Résistance:350mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:35mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 1A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Résistance:360mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 0.5A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:500mA; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Résistance:540mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 2.2MH 6A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:6A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Résistance:20mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 3.3MH 6A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:6A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Résistance:25mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 1.3MH 20A; Inductance:1.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:4700è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20A; Résistance:4.7mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 6.8MH 0.8A; Inductance:6.8mH; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.48ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 0.6A; Inductance:10mH; Résistance DC max.:0.72ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.72ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 6.8MH 0.7A; Inductance:6.8mH; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.47ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT INDUCTANCE MODE COMMUN 22MH 0.4A; Inductance:22mH; Résistance DC max.:1.64ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.64ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT KIT CONCEPTION INDUCTANCE DE PUISSANCE; Contenu du kit:WE-PD, WE-PD2, WE-PD3 & WE-PD4 Series SMD Power Chokes; Gamme de valeurs d'inductance:1è¾H 470è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Inductance Tolerance:è… 4%; Type de boîtier:CMS KIT INDUCTANCE CMS; Contenu du kit:WE-TPC Type 4828, 5818, 5828 Series SMD Power Chokes; Gamme de valeurs d'inductance:1.2è¾H 22è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:2.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:De choc; Type de boîtier: INDUCTANCE; Inductance:500mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:736ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:53; Fréquence de résonance:52kHz; Fréquence, facteur Q:25kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:53 @ 25kHz; Fréquence de résonance:52kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:53; Résistance:736ohm; Type d'inductance:De choc; Type de boîtier:Axial Leaded INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.21ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:32.86è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:960mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:960mA; Matériau du noyau:MPP; Résistance:0.083ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:OCTA-PAC INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.143ohm; Courant nominal DC:2.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.143ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.41ohm; Courant nominal DC:450mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:450mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.41ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE; Inductance:9.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:2.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.047ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE; Inductance:3mH; Inductance Tolerance:+50%, -30%; Résistance DC max.:0.205ohm; Courant nominal DC:1A; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Résistance:0.205ohm; Type d'inductance:De choc INDUCTANCE MULTICOUCHE CMS; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:0.6ohm; Série:LF LK; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE BOBINEE HF; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Diamètre, extérieur:1mm; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.55mm; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:5ohm; Type INDUCTANCE MODE COM 90R 0.3A; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Impédance:90ohm; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:1.2mm; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductance mode commun; Type de boîtier:2012 INDUCTANCE MODE COM 450R 0.35A; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:150mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Impédance:450ohm; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2520 INDUCTANCE MODE COM 160R 0.35A; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:360mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:360mA; Impédance:160ohm; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2.5mm; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:3225 INDUCTANCE MODE COM 80R 0.4A; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:360mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:360mA; Impédance:80ohm; Largeur (externe):3mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2.5mm; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:3225 INDUCTANCE MODE COM 900R 2A; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4520; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2A; Impédance:900ohm; Largeur (externe):4.7mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Résistance:0.06ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Common Mode Choke; Type de boîtier:4520 INDUCTANCE 0.56UH 0603 10%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:230MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:230MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températu INDUCTANCE 0.68UH 0603 10%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:210MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.65ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 0.12UH 0805 10%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:450MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.12ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 0.15UH 0805 10%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:410MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:410MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.13ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 0.33UH 0805 10%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:270MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:270MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.23ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 5.6UH 0805 10%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:75; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 4MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:75; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util INDUCTANCE HF 33NF 0201; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:17; Résistance:1.2ohm; Type d'inductance:Mu INDUCTANCE HF 47NF 0201; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:12; Résistance:1.48ohm; Type d'inductance INDUCTANCE HF 22NH 0402; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:2.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.2GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:27; Résistance:0.46ohm; Type d'inductance INDUCTANCE HF 18NF 0603; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.16ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 1NF 0603; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:20GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:20GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.03ohm; Type d'inductance INDUCTANCE HF 3.9NF 0603; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:7.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.9GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.06ohm; Type d' INDUCTANCE HF 47NF 0603; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.35ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 4.7NF 0603; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:6.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.08ohm; Type d' INDUCTANCE HF 5.6NF 0603; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:6.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.08ohm; Type d' INDUCTANCE HF 100NH 0603; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.64ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 10NF 0402; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:5.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.23ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 12NF 0402; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.27ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 18NF 0402; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.38ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 22NF 0402; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:4.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.46ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 47NF 0402; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.74ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.015UH 1210; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:19 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:19; Résistance:0.16ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîti INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 220UH 1210; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:21ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 270UH 1210; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:28ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:28ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 39UH 1210; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.4ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:6.4ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 5.6UH 1210; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.6ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 82UH 1210; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:45mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:45mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:10ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.39UH 1210; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH 5.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:12545; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:12.4mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12545 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH 7.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:7.5A; Type de boîtier d'inductance:12560; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:7.5A; Résistance:12.4mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12560 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 5.4A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:5.5A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5.5A; Résistance:10mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 3.4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:3.5A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:3.5A; Résistance:26mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.44A; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.44A; Résistance:0.052ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 27UH A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.496ohm; Courant nominal DC:480mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:480mA; Résistance:0.451ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.059ohm; Courant nominal DC:1.72A; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.72A; Résistance:0.054ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:1.52A; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.52A; Résistance:0.071ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 15UH 0.9A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:900mA; Résistance:0.292ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 33UH 0.62A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.717ohm; Courant nominal DC:620mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:620mA; Résistance:0.597ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 22UH 0.33A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:330mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:330mA; Résistance:1.3ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 1A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1A; Résistance:0.1ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 47UH. 1.53A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.094ohm; Courant nominal DC:1.53A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.53A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:94mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 10X10. 6.8UH. 4A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Diamètre du corps:10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:16mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:10 x 10 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 100UH. 0.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.68ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 1.5UH. 3.2A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.024ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 3.3UH. 2.2A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.2A; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.034ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE PUISSANCE 6X6. 330UH. 0.24A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:240mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:240mA; Diamètre du corps:6mm; Longueur/hauteur:6mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.7ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:6 x 6 Shielded; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 0.6UH. 21A; Inductance:600nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1560è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Largeur (externe):10mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:4mm; Résistance:1.56mohm; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:10 x 11; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 7.2UH. 12A; Inductance:7.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3310è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Largeur (externe):16.8mm; Longueur/hauteur:17.2mm; Matériau du noyau:Mn Core; Profondeur:9mm; Résistance:3.31mohm; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:17 x 17; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 48UH. 1A; Inductance:48è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.156ohm; Courant nominal DC:2.9A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Largeur (externe):7mm; Longueur/hauteur:7.5mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:5.4mm; Résistance:156mohm; Type d'inductance:High Frequency / RF; Type de boîtier:7 x 7; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE 2.5UH. 5.6A; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:18.1A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Largeur (externe):10mm; Longueur/hauteur:10mm; Matériau du noyau:Metal Composition; Profondeur:4.95mm; Résistance:7.73mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:10 x 10; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 1UH 20% 36A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Courant, Ic (sat):36A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:3.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 3.3UH 20% 18.6A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0118ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):18.6A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:13.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 5.6UH 20% 16A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0193ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):16A; Fréquence de résonance:5MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:17.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.47UH 20% 30A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1680è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:30A; Courant, Ic (sat):30A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:1.53mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 47UH 20% 3A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:3.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:4040DZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.3A; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:1MHz; Largeur (externe):10.3mm; Longueur/hauteur:11.5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:4mm; Résistance:132mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inducta INDUCTANCE TOROIDALE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:8.64mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Résistance:0.12ohm; Série:2100; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:Radial Leaded INDUCTANCE CMS 12.6UH; Inductance:12.6è¾H; Résistance DC max.:7700è¾ohm; Courant nominal DC:4.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:4.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0077ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 41.5UH; Inductance:41.5è¾H; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.072ohm; Courant nominal DC:1.89A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.89A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.072ohm; Série:SD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:1.84A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.84A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0741ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 12.2UH; Inductance:12.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.145ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 17.5A 470NH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4200è¾ohm; Courant nominal DC:17.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17.5A; Résistance:4.2mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:2525CZ INDUCTANCE 3A 1MH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Résistance:105mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE 4.5A 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Résistance:60mohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0501ohm; Courant nominal DC:4.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.2A; Courant, Ic (sat):9.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:45.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de KIT INDUCTANCE; Contenu du kit:10 x 25 values; Gamme de valeurs d'inductance:10 chacune - 25 valeurs de 0,1è¾H 1mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE; Inductance:24è¾H; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Through Hole; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.376ohm; Courant nominal DC:2.43A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.43A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:376mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0925ohm; Courant nominal DC:2.13A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.13A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:92.5mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.48A; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3015; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.48A; Fréquence de résonance:64MHz; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3015 INDUCTANCE MULTI-COUCHE CMS; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 50MHz; Fréquence de résonance:400MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12; Résistance:1.4ohm; Série:LG HK; Type d'inductance:Standard INDUCTANCE; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12; Résistance:0.13ohm; Série:LG HK; Type d'inductance:Standard; Type de boît INDUCTANCE BOBINEE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:130mA; Fréquence de résonance:16MHz; Résistance:4.81ohm; Série:LQ LB; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:23.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2451ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.2541ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.039ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0391ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE PUIS. CMS 47UH 80MA; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:11ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtie INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 0.48A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:480mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:40; Résistance:1.6ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 68UH 1.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0906; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:20; Résistance:0.31ohm; Type d'inductance:De puissanc INDUCTANCE PUIS. CMS 68UH 680MA; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0604; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:15; Résistance:0.52ohm; Type d'inductance:De pu INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 2.2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.2A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:De choc; Type de INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1005; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Facteur Q @ Fréquence:48 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:48; Résistance:0.065ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE DE LIGNE. 22UH. 2.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.055ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 470UH. 0.43A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.89ohm; Courant nominal DC:430mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:430mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.89ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 10000UH. 0.14A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:24ohm; Courant nominal DC:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:24ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 10.0UH 2.5 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.033ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:13.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Diamètre du corps:4mm; Diamètre, extérieur:4.6mm; Fréquence de résonance:45MHz; Longueur cordon:13.5mm; Longueur/hauteur:18.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:33mohm; Série:WE-S INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 15.0 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:18.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:15A; Diamètre du corps:6mm; Diamètre, extérieur:8mm; Fréquence de résonance:85MHz; Longueur cordon:17.5mm; Longueur/hauteur:25.7mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.7mohm; Série:WE-SD; T INDUCTANCE CMS 4.7UH. 0.9A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.265ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 10UH. 0.28A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.76ohm; Courant nominal DC:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3510; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.58ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 100UH. 0.25A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.4ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.93ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 1.0UH. 2.7A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:177MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.7A; Fréquence de résonance:177MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.028ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 100UH. 0.3A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.06ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 1.2UH. 3.1A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:3.1A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.1A; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.017ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 470UH. 0.24A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:240mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:240mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.31ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 1.2UH. 3A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.02ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH. 0.77A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:770mA; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:770mA; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.47ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH. 0.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:640mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH. 0.82A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.22ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 220UH. 0.3A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.92ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 1UH. 4.8A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:+20%, -40%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.01ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 0.47UH. 7A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7800è¾ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7A; Fréquence de résonance:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0058ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 4.7UH. 3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.037ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 22UH 1.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.166ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.33ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.68ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.53ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 5UH; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:4.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0165ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.75A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.75A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.132ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.57ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.15ohm; Courant nominal DC:460mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:460mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.65ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):11A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.005ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:21.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):5.5A; Fréquence de résonance:21.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.018ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1.2UH; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):16.6A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.005ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:6.2A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:6.2A; Courant, Ic (sat):6.6A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:6.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.3A; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:6.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.2A; Courant, Ic (sat):2.4A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.102ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 180UH; Inductance:180è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:4.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.4A; Courant, Ic (sat):1.6A; Fréquence de résonance:4.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.188ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.39ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.3A; Courant, Ic (sat):1.49A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.247ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.46ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:700mA; Courant, Ic (sat):0.8A; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.84ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):20A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.005ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.8A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.046ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:2.1A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.1A; Courant, Ic (sat):2.7A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.151ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 1500UH; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:0.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:900mA; Courant, Ic (sat):0.8A; Fréquence de résonance:900kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.8ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.9A; Courant, Ic (sat):1.6A; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.51A; Fréquence de résonance:20.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.51A; Courant, Ic (sat):1.75A; Fréquence de résonance:20.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.79ohm; Courant nominal DC:620mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:620mA; Courant, Ic (sat):0.76A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.585ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9.44ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:200mA; Courant, Ic (sat):0.18A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:5.57ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:5.3A; Fréquence de résonance:49MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:5.3A; Courant, Ic (sat):9.5A; Fréquence de résonance:49MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.01ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.081ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.6A; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.07ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.03A; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.19ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.88ohm; Courant nominal DC:520mA; Fréquence de résonance:6.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:520mA; Courant, Ic (sat):0.63A; Fréquence de résonance:6.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.529ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.01ohm; Courant nominal DC:290mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:290mA; Courant, Ic (sat):0.34A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.6ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:200mA; Courant, Ic (sat):0.25A; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.27ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:74MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:74MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:261mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.117ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:754mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:56mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.04A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.04A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:51mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Fréquence de résonance:250MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.014ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.9A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.248ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.481ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:480mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:480mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.62ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:30.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.7A; Fréquence de résonance:30.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.034ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.048ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:14.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:14.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.064ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:680mA; Fréquence de résonance:5.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Fréquence de résonance:5.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.373ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:450mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:450mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.683ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.048ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.03ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.138ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.105ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.293ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.209ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.059ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:28mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:63mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:121mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:255mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.27ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1080mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14.6mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:26mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:253mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.9ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2940mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:4.3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:21mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:30mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.086ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:76mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:141mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:720mA; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:720mA; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:954mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.202ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Fréquence de résonance:6.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:168mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.809ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:2.55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:674mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:720mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:720mA; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1002mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 96NH; Inductance:95nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1400è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:596MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22A; Fréquence de résonance:596MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:0.97mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.4UH; Inductance:4.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0145ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:56MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:56MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:14.5mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.3UH; Inductance:300nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1860è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:174MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22A; Fréquence de résonance:174MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:1.36mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6360è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:54MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:13A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.35mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4750è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:67MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:4.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 4.3UH; Inductance:5.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0103ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:30MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:10.3mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.55UH; Inductance:550nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Fréquence de résonance:112MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25A; Fréquence de résonance:112MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:1.25mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:87MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:87MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:3mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.4UH; Inductance:1.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3680è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:68MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:68MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:3.19mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 2.6UH; Inductance:2.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1580è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:31.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:1.58mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 5.6UH; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3700è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Fréquence de résonance:28MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:19A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.7mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.2UH; Inductance:3.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:34MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:16A; Fréquence de résonance:34MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:5.3mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 6UH; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0135ohm; Courant nominal DC:9.5A; Fréquence de résonance:22MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9.5A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:13.5mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.64UH; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:900è¾ohm; Courant nominal DC:27A; Fréquence de résonance:72MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:27A; Fréquence de résonance:72MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.9Mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.6UH; Inductance:3.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4900è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Fréquence de résonance:26MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:17A; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:4.9mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0148ohm; Courant nominal DC:9A; Fréquence de résonance:15MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:14.8mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.15UH; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:580è¾ohm; Fréquence de résonance:275MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 0.5A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:500mA; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Résistance:1000mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 39MH 0.3A; Inductance:39mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:300mA; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Résistance:3000mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 2A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:125mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:M INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 3A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:105mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 2A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:220mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 5A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Résistance:55mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 0.5MH 35A; Inductance:500è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:35A; Résistance:1.7mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 14MH 4A; Inductance:14è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Résistance:15mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 1.8MH 1.5A; Inductance:1.8mH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.5A; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.15ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 22MH 0.4A; Inductance:22mH; Résistance DC max.:1.61ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.61ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE TOROIDALE; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:5.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.035ohm; Type d'inductance:Toroèdale; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:5.1è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:12.79A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:12.79A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0054ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:6.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:6.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0172ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE MULTICOUCHE CMS; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8; Résistance:0.55ohm; Série:LG HK; Type d'inductance:Standard; INDUCTANCE MODE COM 90R 0.4A; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Impédance:90ohm; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:1.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:0.5mm; Résistance:0.19ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2012 INDUCTANCE MODE COM 700R 5A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5A; Impédance:700ohm; Largeur (externe):7mm; Longueur/hauteur:9mm; Profondeur:4.5mm; Résistance:10ohm; Série:ACM-V; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:90 INDUCTANCE 2.7UH 0603 10%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:110MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:0.5ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 3.3UH 0603 10%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 27UH 0603 10%; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:2mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:1.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 0.33UH 0603 10%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:320MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:320MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 2.2UH 0805 10%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.22ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 10UH 0805 10%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.1ohm; Courant nominal DC:2mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 1MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:2.5ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa INDUCTANCE 33UH 0805 10%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:5mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:400kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 400kHz; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:0.55ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti INDUCTANCE 0.27UH 0805 10%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.18ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températu INDUCTANCE 0.56UH 0805 10%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:210MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25MHz; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 10UH 0805 10%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:75; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:75; Résistance:0.4ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilis INDUCTANCE HF 0.7NF 0402; Inductance:0.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:18.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Fréquence de résonance:18.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:28; Résistance:0.02ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE HF 0.9NF 0402; Inductance:0.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:17.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Fréquence de résonance:17.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.04ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE HF 1NF 0402; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:13.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:13.8GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.04ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 1.3NF 0402; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:11.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:11.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.04ohm; Type d'i INDUCTANCE HF 2.2NF 0402; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:8.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.6GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.08ohm; Type d'indu INDUCTANCE HF 3.6NF 0402; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:31; Résistance:0.09ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 1.2NF 0603; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:20GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:20GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.04ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 1.8NF 0603; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:16.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:16.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.04ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 2.2NF 0603; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:10.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.05ohm; Type d INDUCTANCE HF 33NF 0603; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.25ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 3.3NF 0603; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:8.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.06ohm; Type d' INDUCTANCE HF 56NF 0603; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.41ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 33NF 0402; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.59ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 39NF 0402; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 3.3NF 0402; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:8.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.11ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 56NF 0402; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.84ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 6.8NF 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.18ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 8.2NF 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.21ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 0.47UH 1210; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:1100mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:25.2MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1100mA; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:5; Résistance:0.042ohm; Série:NLCV; Type d'inductance:Wire Wound; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 120UH 1210; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:11ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 18UH 1210; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:120mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.3ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:3 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 22UH 1210; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:3.7ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:3 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 27UH 1210; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 47UH 1210; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:7ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 56UH 1210; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:55mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:55mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:8ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 6.8UH 1210; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.8ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.15UH 1210; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:450MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.18UH 1210; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.28ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.27UH 1210; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:320MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:320MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.36ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE PUIS. 7.8UH 5.4A; Inductance:7.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0102ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:12545; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:10.2mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12545 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 5.6UH 9.2A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8500è¾ohm; Courant nominal DC:9.7A; Type de boîtier d'inductance:12560; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:9.7A; Résistance:8.5mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12560 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH 4.1A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4.4A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:4.4A; Résistance:17.4mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.188ohm; Courant nominal DC:740mA; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:740mA; Résistance:0.163ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.124ohm; Courant nominal DC:940mA; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:940mA; Résistance:0.108ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.098ohm; Courant nominal DC:1.24A; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.24A; Résistance:0.089ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 0.4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.096ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.4A; Résistance:0.079ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH 1.11A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.122ohm; Courant nominal DC:1.11A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.11A; Résistance:0.102ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 1.5A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.5A; Résistance:0.076ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:4012 INDUCTANCE 0805; Impédance:300ohm; Gamme de fréquence:50MHz 1GHz; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:300mA; Montage de la ferrite:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Courant dc max:0.3A; Nombre de broches:2; Résistance:0.25ohm; Tolérance +:0.25%; Tolérance -:0.25%; Type d'inductance:Inductance; Type de boîtier:0805; Type de boîtier d'inductance:CMS; Type de montage:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.247ohm; Courant nominal DC:3.01A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.01A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:247mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.107ohm; Courant nominal DC:1.67A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.67A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:107mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.362ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.362ohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:33.13è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0917ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0917ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:48.65è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1388ohm; Courant nominal DC:1.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1388ohm; Série:UNI-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE PUIS. CMS 68NH 300MA; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:1.2ohm; Type d'inductance:Standard; Type de bo INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 80MA; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:3.5MHz; Matériau du noyau:Polymer; Q @ Vr F:25; Résistance:3.5ohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtie INDUCTANCE PUIS. CMS 330UH 0.28A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:28mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0503; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:28mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:30; Résistance:3.3ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 4.7UH 2.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.2A; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:2525; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:13; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:De pui INDUCTANCE PUIS. CMS 6.8UH 2.05A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.05A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:37MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0604; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.05A; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:20; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:De INDUCTANCE PUIS. CMS 10UH 3.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:3.8A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:24; Résistance:25mohm; Type d'inductance:De puis INDUCTANCE PUIS. CMS 15UH 2.80A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Q @ Vr F:24; Résistance:37mohm; Type d'inductance:De puis INDUCTANCE CMS 8UH; Inductance:8è¾H; Résistance DC max.:4000è¾ohm; Courant nominal DC:5.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:5.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.004ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 32.67UH; Inductance:32.67è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.126ohm; Courant nominal DC:1.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.126ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:ECONO-PAC INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9170è¾ohm; Courant nominal DC:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.00917ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:520mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:520mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.05ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0637ohm; Courant nominal DC:2.11A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.11A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0637ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3900è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17A; Courant, Ic (sat):45A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:3.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîti INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9400è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):21A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:8.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE DE LIGNE. 47UH. 1.3A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.1ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 5 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:9.6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Diamètre du corps:4mm; Diamètre, extérieur:4.9mm; Fréquence de résonance:100MHz; Longueur cordon:9.7mm; Longueur/hauteur:14mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:6.5mohm; Série:WE-SD; Type d INDUCTANCE EN TUBE 10.0UH 5 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.0151ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:18.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Diamètre du corps:5mm; Diamètre, extérieur:5.9mm; Fréquence de résonance:50MHz; Longueur cordon:19mm; Longueur/hauteur:22.5mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:15.1mohm; Série:WE-SD; Ty INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 10.0 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:3800è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.2mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Diamètre du corps:5mm; Diamètre, extérieur:6.3mm; Fréquence de résonance:100MHz; Longueur cordon:12.2mm; Longueur/hauteur:15.4mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.8mohm; Série:WE-S INDUCTANCE CMS 0.47UH. 2.5A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:350MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.036ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 10UH. 0.75A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.39ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 1.5UH. 1.75A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:1.75A; Fréquence de résonance:125MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.75A; Fréquence de résonance:125MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.04ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH. 0.39A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:390mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:390mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.94ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.72A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.082ohm; Courant nominal DC:1.72A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.72A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.07ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH. 1.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.12ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH. 1.19A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.19A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.19A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.095ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 22UH. 1.15A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.15A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.15A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.095ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 5UH. 2.15A; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.046ohm; Courant nominal DC:2.15A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.15A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.038ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 10UH. 1.6A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.053ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1UH 8A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0058ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.6A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.028ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:8.25A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:8.25A; Courant, Ic (sat):8A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.008ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.75A; Fréquence de résonance:16.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):4.55A; Fréquence de résonance:16.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.025ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.53A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.53A; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.15ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:960mA; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:960mA; Courant, Ic (sat):1.2A; Fréquence de résonance:3.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.29ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:550mA; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:550mA; Courant, Ic (sat):0.68A; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.88ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:+20%, -25%; Résistance DC max.:3000è¾ohm; Courant nominal DC:23.5A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:23.5A; Courant, Ic (sat):26.4A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0029ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:31.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):9.3A; Fréquence de résonance:31.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.012ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:4.1A; Courant, Ic (sat):5A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.033ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE STANDARD; Inductance:4.5è¾H; Résistance DC max.:2700è¾ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:7A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0027ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE HIGH F; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:84mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:13MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:84mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.5MHz; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:8ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:Axial Leaded INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.7A; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.076ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.82ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:1.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:600mA; Courant, Ic (sat):0.7A; Fréquence de résonance:1.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.04ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5600è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):25A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.004ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:8.4A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:8.4A; Courant, Ic (sat):12.8A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.009ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:6.5A; Courant, Ic (sat):8A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.021ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.8A; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:2.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.193ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.825ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.1A; Courant, Ic (sat):1.3A; Fréquence de résonance:1.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.3A; Courant, Ic (sat):2A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.079ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:5.37A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:5.37A; Courant, Ic (sat):6.4A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.01ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.072ohm; Courant nominal DC:1.83A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.83A; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.064ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.27ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:560mA; Courant, Ic (sat):0.53A; Fréquence de résonance:6.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.72ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:3.16A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:3.16A; Courant, Ic (sat):4.4A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.028ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.131ohm; Courant nominal DC:1.54A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.54A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:76mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.844ohm; Courant nominal DC:680mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:523mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.53A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.53A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:89mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:640mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:313mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:570mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:570mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:510mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.57ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:945mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 0.56UH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9500è¾ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:145MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:145MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:7.8mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Fréquence de résonance:96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:17mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:57mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:480mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:44mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.76A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.76A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:65mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2.98A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.98A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:28mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.045ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.075ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.393ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.58ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.76A; Fréquence de résonance:68MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.76A; Fréquence de résonance:68MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.037ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:1.24A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.24A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.117ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.17ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:13.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:13.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.076ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.158ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:820mA; Fréquence de résonance:6.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:820mA; Fréquence de résonance:6.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.285ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:2.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Fréquence de résonance:2.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.35ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:260mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:260mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.94ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.023ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.311ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 150UH; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1450mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.3A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34.9mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 1%UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.9A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:43.2mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:71mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.78ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:601mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1942mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.1A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1600è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:134MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:134.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.3mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8.5A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.8mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.109ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.8A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:91.1mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.75UH; Inductance:750nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9500è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:110MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:8.11mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1600è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Fréquence de résonance:220MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:18A; Fréquence de résonance:220MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:1.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.12UH; Inductance:1.12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6600è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:72MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Fréquence de résonance:72MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:6.6mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.75UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0172ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:43MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:17.2mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.5UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0195ohm; Courant nominal DC:6A; Fréquence de résonance:33MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:19.5mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:9A; Fréquence de résonance:65MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:9mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.4UH; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5900è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:54MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:12A; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.9mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7100è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:33MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:11A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:7.1mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 0.82UH; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:540è¾ohm; Courant nominal DC:41.5A; Fréquence de résonance:85MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:41.5A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.54mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.41UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:900è¾ohm; Courant nominal DC:26A; Fréquence de résonance:95MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:26A; Fréquence de résonance:95MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.9mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.41UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:670è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:100MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.67mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 0.25UH; Inductance:300nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:170MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:22A; Fréquence de résonance:170MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:1.1mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 0.47UH; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1610è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Fréquence de résonance:100MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:1.61mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 0.78UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:80MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:16A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.3mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 1.1UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:63MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:63MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:5.3mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 2.1UH; Inductance:2.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0106ohm; Courant nominal DC:9.5A; Fréquence de résonance:46MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:9.5A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:10.6mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 104NH; Inductance:105nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:235è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:105MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.235mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 130NH; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:235è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.235mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 150NH; Inductance:155nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:325è¾ohm; Courant nominal DC:31A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:31A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.325mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE MODE COMMUN 3.3MH 1.5A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:120mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:S INDUCTANCE MODE COMMUN 3.3MH 4A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:4A; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Résistance:35mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L INDUCTANCE MODE COMMUN 30MH 3A; Inductance:30è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:26mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 47MH 2A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Résistance:40mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS KIT INDUCTANCE CMS; Contenu du kit:WE-HCI Medium Size SMD Power Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:0.15è¾H 16è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:CMS INDUCTANCE SERIE CI160808; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.05GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:0.5ohm; Type d'inductance:Standard; Type de bo INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0297ohm; Courant nominal DC:3.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0297ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.358ohm; Courant nominal DC:890mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:890mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.358ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE BOBINEE; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:30mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:9.1ohm; Série:LQ LB; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE - PERLE; Impédance:120ohm; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Courant dc max:0.3A; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Ferrite Bead; Type de boîtier:0805; Type de montage:CMS INDUCTANCE BOBINEE HF; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:220MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:15; Résistance:2.38ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:0805 INDUCTANCE 22UH 0603 10%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:2mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.9ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat INDUCTANCE 6.8UH 0603 10%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:15mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:15mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 4MHz; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.65ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti INDUCTANCE 8.2UH 0603 10%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:10mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:10mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 4MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.8ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util INDUCTANCE 1UH 0805 10%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:160MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:160MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:0.15ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'uti INDUCTANCE 2.7UH 0805 10%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:70; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 3.3UH 0805 10%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:70; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:70; Résistance:0.28ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u INDUCTANCE 27UH 0805 10%; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:5mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2012; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 1MHz; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:0.5ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisatio INDUCTANCE 82 NF 0805 20%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:550MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 50MHz; Fréquence de résonance:550MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.08ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 47UH 0805 10%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:4mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:4mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 2MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:1.6ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisat INDUCTANCE HF 22NF 0201; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:18; Résistance:0.88ohm; Type d'inductan INDUCTANCE HF 68NF 0201; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:5 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Largeur (externe):0.6mm; Longueur/hauteur:0.3mm; Profondeur:0.3mm; Q @ Vr F:5; Résistance:2.4ohm; Type d'inductance:M INDUCTANCE HF 2.7NF 0402; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:7.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.3GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.08ohm; Type d'indu INDUCTANCE HF 3.9NF 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:6.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.5GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:31; Résistance:0.11ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 6.2NF 0402; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.16ohm; Type d'indu INDUCTANCE HF 6.8NF 0402; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.4GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.15ohm; Type d'inducta INDUCTANCE HF 9.1NF 0402; Inductance:9.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:3.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.8GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.2ohm; Type d'inductanc INDUCTANCE HF 10NF 0603; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.5GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.11ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 1.5NF 0603; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:19.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:19.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:8; Résistance:0.03ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 15NF 0402; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.33ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 1NF 0402; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:16.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:5 @ 100MHz; Fréquence de résonance:16.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:5; Résistance:0.05ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 27NF 0402; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.53ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 2.7NF 0402; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:100 INDUCTANCE HF 3.9NF 0402; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:7.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.12ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 0.1NF 0402; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:1.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:1.6ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 0.15UH 1210; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:1450mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:25.2MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1450mA; Fréquence de résonance:400MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:5; Résistance:0.042ohm; Série:NLCV; Type d'inductance:Wire Wound; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 0.22UH 1210; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:1250mA; Facteur Q:5; Fréquence de résonance:25.2MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1250mA; Fréquence de résonance:250MHz; Q @ Vr F:5; Résistance:0.034ohm; Série:NLCV; Type d'inductance:Power; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.012UH 1005; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:2.05GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.27ohm; Type d'inductance:Multilayer; Type de boîtier:25 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.082UH 1210; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:27; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:27 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:27; Résistance:0.4ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 10UH 1210; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:2.1ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:3 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 150UH 1210; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:15ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 1.2UH 1210; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:390mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:390mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boî INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.12UH 1210; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.22ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.47UH 1210; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:220MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.5ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boît INDUCTANCE LIGNE PUIS. 1UH 6.4A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8800è¾ohm; Courant nominal DC:7.9A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:7.9A; Résistance:7.3mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH 2.8A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:3A; Résistance:37.3mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:7030 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.185ohm; Courant nominal DC:850mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:850mA; Résistance:0.168ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.934ohm; Courant nominal DC:390mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:390mA; Résistance:0.849ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.237ohm; Courant nominal DC:1.13A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.13A; Résistance:0.198ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 2.6A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.071ohm; Courant nominal DC:2.62A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2.62A; Résistance:0.058ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.7UH 2.2A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:2.28A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2.28A; Résistance:0.069ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 33UH 0.48A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.522ohm; Courant nominal DC:480mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:480mA; Résistance:0.435ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH 1.6A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:1.6A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.6A; Résistance:0.069ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH 0.4A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.748ohm; Courant nominal DC:400mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Résistance:0.623ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 0.7A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.122ohm; Courant nominal DC:2.09A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:2.09A; Résistance:0.102ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 6.8UH 1.3A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.165ohm; Courant nominal DC:1.39A; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.39A; Résistance:0.138ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4UH 0.7A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:700mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:700mA; Résistance:0.24ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH 0.49A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.41ohm; Courant nominal DC:490mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:490mA; Résistance:0.36ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 2.2UH 1A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1A; Résistance:0.088ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH 0.74A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:740mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:740mA; Résistance:0.16ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.087ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 99.01UH; Inductance:99.01è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.557ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:540mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.557ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:ECONO-PAC INDUCTANCE CMS 7.8UH; Inductance:7.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:12.79A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:12.79A; Résistance:0.0057ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS 1000A 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:10050; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:3MHz; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:10050 INDUCTANCE 1.6A 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.257ohm; Courant nominal DC:1.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.257ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:Axial Leaded INDUCTANCE CMS 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):15A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:11.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de bo INDUCTANCE CMS 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0855ohm; Courant nominal DC:3.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.3A; Courant, Ic (sat):8.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:79.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:2.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.4A; Courant, Ic (sat):4.3A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:139mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE HIGH F; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:10; Résistance:0.22ohm; Type d'inductance:Haute fréquence; Type de boîtier:0402 INDUCTANCE 0.047UH 32A 20%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3750è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):32A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:3.25mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 1UH 8.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0525ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Courant, Ic (sat):8.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:50mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 0.047UH 15A 20%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):15A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.22UH 9.5A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0105ohm; Courant nominal DC:9.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:9.5A; Courant, Ic (sat):9.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:9.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Ty INDUCTANCE 1UH 4.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:43mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 2.2UH 3A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0835ohm; Courant nominal DC:2.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.75A; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:90mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 1UH 8.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:3.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):8.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:33mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.22UH 9A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):9A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:6.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induct INDUCTANCE 2.2UH 5.5A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0377ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):5.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:34.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 3.3UH 4.7A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0578ohm; Courant nominal DC:4.1A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.1A; Courant, Ic (sat):4.7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:53.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 0.1UH 25A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2900è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:2.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 0.47UH 9A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:14A; Courant, Ic (sat):9A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:5.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de bo INDUCTANCE 4.7UH 5.2A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):5.2A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:54mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 5.6UH 3.5A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0706ohm; Courant nominal DC:4.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.25A; Courant, Ic (sat):3.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:63mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 0.22UH 26A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:14A; Courant, Ic (sat):26A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:5.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.47UH 18A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9300è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:8.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 2.2UH 13A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.046ohm; Courant nominal DC:3.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):13A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:40.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 1UH 16A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0142ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:13.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 4.7UH 10A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.063ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):10A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:45.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 6.8UH 9A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.095ohm; Courant nominal DC:3.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.5A; Courant, Ic (sat):9A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:72.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 10UH 7A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.129ohm; Courant nominal DC:2.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:115.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 3.3UH 8A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0209ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:19.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE 0.47UH 65A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1300è¾ohm; Courant nominal DC:38A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:38A; Courant, Ic (sat):65A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:1.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.56UH 55A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1500è¾ohm; Courant nominal DC:36A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:36A; Courant, Ic (sat):55A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:1.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 1.5UH 48A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:23A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:23A; Courant, Ic (sat):48A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:3.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 1.8UH 40A 20%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4900è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:19A; Courant, Ic (sat):40A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:4.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.33UH 126A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:790è¾ohm; Courant nominal DC:65A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:65A; Courant, Ic (sat):126A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.71mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.82UH 73A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1290è¾ohm; Courant nominal DC:50A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:50A; Courant, Ic (sat):73A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:1.17mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1.5UH 65A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1880è¾ohm; Courant nominal DC:42A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:42A; Courant, Ic (sat):65A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:1.78mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 6.8UH 32A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8830è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:19A; Courant, Ic (sat):32A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:8.37mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.47UH 13A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):13A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:20mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.1UH 12A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.47UH 6A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:6A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:19mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 0.47UH 7A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):7A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:14.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 4.7UH 1.75A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.7A; Courant, Ic (sat):1.75A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:95mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 0.1UH 25A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2900è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:2.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 0.47UH 8A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7700è¾ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12.5A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:7.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.15UH 38A 20%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5200è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):38A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:4.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.82UH 17A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0159ohm; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:8A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:13.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.33UH 22A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4100è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):22A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:3.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 8.2UH 8A 20%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.106ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:2.4mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:84.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de bo INDUCTANCE 3.3UH 6.5A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):6.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:24.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 8.2UH 4A 20%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0549ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:52.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 3.5A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0712ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Courant, Ic (sat):3.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:67.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.68UH 11.5A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):11.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:4.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 2.2UH 10A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0136ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):10A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:13mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 4.7UH 7A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0303ohm; Courant nominal DC:6.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:28.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 4.5A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0713ohm; Courant nominal DC:4.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.5A; Courant, Ic (sat):4.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:67.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.1UH 118A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:600è¾ohm; Courant nominal DC:55A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:55A; Courant, Ic (sat):118A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:0.53mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.22UH 110A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:800è¾ohm; Courant nominal DC:51A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:51A; Courant, Ic (sat):110A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:0.64mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d' INDUCTANCE 0.33UH 80A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1100è¾ohm; Courant nominal DC:42A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:42A; Courant, Ic (sat):80A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:0.85mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.82UH 53A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2300è¾ohm; Courant nominal DC:31A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:31A; Courant, Ic (sat):53A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'indu INDUCTANCE 0.56UH 88A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1000è¾ohm; Courant nominal DC:56A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:56A; Courant, Ic (sat):88A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.91mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 15UH 25A 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0199ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12.5A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:18.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 22UH 23A 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0265ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):23A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:25.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0402 1NH 1.36A; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:1.36A; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.36A; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:26; Résistance:45mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0402 10NH 480MA; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.195ohm; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:480mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:47; Résistance:195mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 20NH 420MA; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:420mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:250mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0402 27NH 400MA; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.298ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.48GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.48GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:298mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 33NH 400MA; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:2.35GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.35GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:350mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 43NH 100MA; Inductance:43nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.81ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.03GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.03GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:46; Résistance:810mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 47NH 100MA; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:46; Résistance:830mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 2NH 0.7A; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:31; Résistance:80mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 4.7NH 0.7A; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:80mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 5.1NH 0.7A; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:5.7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:18; Résistance:150mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 8.2NH 0.7A; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:4.7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:28; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 47NH 0.6A; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:230mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche INDUCTANCE 0603 82NH 0.4A; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:580mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 220NH 0.25A; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:25; Résistance:1.8ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 8.2NH 600MA; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0805 15NH 600MA; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:170mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 18NH 500MA; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:200mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 47NH 500MA; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.31ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.65GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.65GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:310mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0.1UH 25A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):25A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:5.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 0.22UH 20A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):20A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:11mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 1.5UH 3.25A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:3.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.25A; Courant, Ic (sat):3.25A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:68mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; T INDUCTANCE 0.1UH 35A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):35A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:4.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.22UH 13A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:17A; Courant, Ic (sat):13A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:4.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.33UH 7.5A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5900è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):7.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:5.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 4.7UH 3A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0813ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.2A; Courant, Ic (sat):3A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:75.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 5.6UH 2.2A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.092ohm; Courant nominal DC:3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Courant, Ic (sat):2.2A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:85.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.33UH 9A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:16.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:16.5A; Courant, Ic (sat):9A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:4.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 1UH 6.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):6.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:10mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boît INDUCTANCE 3.3UH 7A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0404ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:36.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 2.25A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1319ohm; Courant nominal DC:2.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.75A; Courant, Ic (sat):2.25A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:122.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; INDUCTANCE 22UH 1.7A 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:1.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.9A; Courant, Ic (sat):1.7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:250mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.1UH 40A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3500è¾ohm; Courant nominal DC:18A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:18A; Courant, Ic (sat):40A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 1UH 14A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0183ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):14A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:17.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE 1.5UH 11.5A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:4A; Courant, Ic (sat):11.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:32.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 3.3UH 10A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0601ohm; Courant nominal DC:3.25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.25A; Courant, Ic (sat):10A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:56.2mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; T INDUCTANCE 4.7UH 8A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3A; Courant, Ic (sat):8A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:76.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induct INDUCTANCE 0.47UH 21A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:13.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:13.5A; Courant, Ic (sat):21A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 3.3UH 13A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0516ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):13A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:36.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 2.2UH 7A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:15.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 6.8UH 4A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0468ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:44.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 1.5UH 12A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):12A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:8.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de b INDUCTANCE 6.8UH 5.5A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0446ohm; Courant nominal DC:5.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.5A; Courant, Ic (sat):5.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:42.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 4.7UH 27A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):27A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:12.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 10UH 16A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0255ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):16A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:21.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'induc INDUCTANCE 0.47UH 123A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:920è¾ohm; Courant nominal DC:62A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:62A; Courant, Ic (sat):123A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.84mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1.8UH 65A 20%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2070è¾ohm; Courant nominal DC:38A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:38A; Courant, Ic (sat):65A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:1.96mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 2.2UH 62A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2530è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:35A; Courant, Ic (sat):62A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:2.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 10UH 25A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:16.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:16.5A; Courant, Ic (sat):25A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:11.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0402 1.3NH; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.9NH; Inductance:1.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.1NH; Inductance:2.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.3NH; Inductance:2.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.4NH; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.6NH; Inductance:2.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.2NH; Inductance:3.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.4NH; Inductance:3.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.5NH; Inductance:3.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.6NH; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 7.2NH; Inductance:7.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.05ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 8NH; Inductance:8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 20.8NH; Inductance:20.8nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.55ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:90mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:2.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0603 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; T INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 5.1NH +/- 0.1NH; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine INDUCTANCE 0402 5.6NH +/- 0.1NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.051ohm; Courant nominal DC:800mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.051ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125 INDUCTANCE 0402 12NH 2%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 15NH 2%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:460mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.16ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températur INDUCTANCE 0402 39NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:250mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.7ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 100UH. 20%. 5A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0717ohm; Courant nominal DC:5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.16mm; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):5A; Diamètre de la broche:0.76mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:68.3oh INDUCTANCE 22UH. 20%. 16.6A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6830è¾ohm; Courant nominal DC:16.6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.25mm; Courant, Ic (sat):28A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:6.5mohm; Température INDUCTANCE 0402 1.9NH 1.4A; Inductance:1.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.04A; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.04A; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:29; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0402 4.3NH 700MA; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:45; Résistance:91mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0402 5.1NH 800MA; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:83mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 11NH 640MA; Inductance:11nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:3.68GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.68GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:56; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 12NH 640MA; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0402 23NH 400MA; Inductance:23nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.214ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.72GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.72GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:53; Résistance:214mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 51NH 100MA; Inductance:51nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.82ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:1.75GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.75GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:820mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0603 1.6NH 0.7A; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Fréquence de résonance:12.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:18; Résistance:30mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:0603C INDUCTANCE 0603 3.9NH 0.7A; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:22; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 8.7NH 0.7A; Inductance:8.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:4.6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:28; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 11NH 0.7A; Inductance:11nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche; INDUCTANCE 0603 30NH 0.6A; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:220mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 33NH 0.6A; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:36 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:200mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0603 36NH 0.6A; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.08GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:36 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.08GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:200mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 39NH 0.6A; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:2.2GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:36 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:210mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 51NH 0.6A; Inductance:51nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.95GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.95GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:240mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 68NH 0.6A; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:350mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 330NH 0.1A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:500MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 100MHz; Fréquence de résonance:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:25; Résistance:2ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche INDUCTANCE 0603 390NH 0.1A; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:900MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 100MHz; Fréquence de résonance:900MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:2.2ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 4.7NH 600MA; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 12NH 600MA; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 500MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:45; Résistance:150mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 22NH 500MA; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55; Résistance:220mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 33NH 500MA; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2.05GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.05GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:270mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 100NH 600MA; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.46ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:460mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 180NH 400MA; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.96ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:870MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:870MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:960mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 270NH 350MA; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.29ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:650MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:350mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:650MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:1.29ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 330NH 310MA; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.56ohm; Courant nominal DC:310mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:600MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:310mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:600MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:1.56ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 470NH 250MA; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.3ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:375MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 100MHz; Fréquence de résonance:375MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:2.3ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE CMS 4X4MM 2.2UH 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:1.8A; Fréquence de résonance:70MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Fréquence de résonance:70MHz; Résistance:49mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.17A; Fréquence de résonance:25MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.17A; Fréquence de résonance:25MHz; Résistance:160mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 8X8MM 1.0UH 30%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:8A; Fréquence de résonance:100MHz; Résistance:6mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.013ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance:13mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 6.8UH 30%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:20MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:20MHz; Résistance:22mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:7MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance:190mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE 0402 2.4NH 790MA; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.068ohm; Courant nominal DC:790mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:68mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 3.9NH 840MA; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.066ohm; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:840mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:41; Résistance:66mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 7.5NH 680MA; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:104mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 8.2NH 680MA; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:4.4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:104mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 9NH 680MA; Inductance:9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.104ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:4.16GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.16GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:104mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 22NH 400MA; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:52; Résistance:300mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0402 24NH 400MA; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.7GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:300mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0402 36NH 320MA; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.403ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.32GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.32GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:403mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 40NH 320MA; Inductance:40nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.438ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:2.24GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.24GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:48; Résistance:438mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0603 3.3NH 0.7A; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:63; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0603 3.6NH 0.7A; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0603 4.3NH 0.7A; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:5.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:22; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 6.8NH 0.7A; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:63; Résistance:110mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 16NH 0.7A; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:34; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:34 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:66; Résistance:170mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 18NH 0.7A; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 72NH 0.4A; Inductance:72nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.49ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.7GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:490mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 100NH 0.4A; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.63ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:51; Résistance:630mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 120NH 0.3A; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:650mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 150NH 0.28A; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:990MHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:280mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 150MHz; Fréquence de résonance:990MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:850mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 2.2NH 800MA; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 2.7NH 800MA; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:7.9GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:7.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:30; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 3.9NH 600MA; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 1GHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:60mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 39NH 500MA; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:290mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 56NH 500MA; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.55GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.55GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:340mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 150NH 400MA; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:920MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 250MHz; Fréquence de résonance:920MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:560mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 560NH 230MA; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:340MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:340MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:2.5ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0805 620NH 188MA; Inductance:620nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.7ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:188MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:188MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:2.7ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0805 820NH 180MA; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.9ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:215MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:215MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:3.9ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.53ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:26; Fréquence de résonance:50MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempéra INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:30MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Températur INDUCTANCE 1210 56UH; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:8.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:8.5MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.15ohm; Courant nominal DC:185mA; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.8ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, test:2.5MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon: INDUCTANCE BOITIER 1045 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:7.3A; Fréquence de résonance:86MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1045 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:5.5A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0289ohm; Courant nominal DC:4.9A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0402 4.7NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 10.0NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 0603 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 56.0NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 68.0NH; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 1210 1.0è¾H; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 4.7è¾H; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:490mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 10.0è¾H; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 15.0è¾H; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1210 220è¾H; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11.8ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 2.7è¾H; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.5A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:63MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:63MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 8.2è¾H; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:34MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:34MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1812 18.0è¾H; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:42; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:42; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 150è¾H; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:55; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1812 820è¾H; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:20ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 1000è¾H; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:30ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:28; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisa KIT INDUCTANCE BLM15 0402 FERRITE; Contenu du kit:49 Values; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT INDUCTANCE SERIES NFM/NFE; Contenu du kit:22 Values; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 0402 0.4NH; Inductance:0.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 1.1NH; Inductance:1.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.6NH; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 2NH; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de b INDUCTANCE 0402 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:340mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.15ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:2.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0603 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0603 12NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:1.05ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de INDUCTANCE 0603 56NH; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:5ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de boîtie INDUCTANCE 0402 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:850mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:15GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:850mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:15GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profon INDUCTANCE 0402 3.6NH; Inductance:3.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:9.5GHz; Fréquence, facteur Q:250GHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:9.5GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Prof INDUCTANCE 0402 3.9NH +/- 0.1NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumi INDUCTANCE 0402 4.3NH +/- 0.1NH; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:10GHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumi INDUCTANCE 0402 8.2NH +/- 0.1NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; INDUCTANCE 0402 82NH; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.24ohm; Courant nominal DC:130mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:2.24ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0402 120NH; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.66ohm; Courant nominal DC:110mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:2.66ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE LAB KIT 0402 LQW15; Contenu du kit:54 Values; Gamme de valeurs d'inductance:1,3nH 120nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 33UH. 20%. 8.5A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0249ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.11mm; Courant dc max:8.5A; Courant, Ic (sat):8.5A; Diamètre de la broche:0.94mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance: INDUCTANCE 47UH. 20%. 7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0365ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:13.33mm; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):7A; Diamètre de la broche:0.83mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:34.8ohm; INDUCTANCE 68UH. 20%. 5.8A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0525ohm; Courant nominal DC:5.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:12.64mm; Courant dc max:5.8A; Courant, Ic (sat):5.8A; Diamètre de la broche:0.83mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance: INDUCTANCE 10UH. 20%. 25.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3640è¾ohm; Courant nominal DC:25.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:17.79mm; Courant, Ic (sat):30A; Diamètre de la broche:2.05mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:3.46mohm; Température KIT INDUCTANCE BLM18 0603 FERRITE; Contenu du kit:30 Values; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT INDUCTANCE 0603 LQW18; Contenu du kit:25 Values; Gamme de valeurs d'inductance:3,6nH 470nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 0402 1.4NH; Inductance:1.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 2.5NH; Inductance:2.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.9NH; Inductance:2.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 9.1NH; Inductance:9.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:5.1GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; T INDUCTANCE 0402 15NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.75ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:130mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.75ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0402 17NH; Inductance:17nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.95ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.95ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0603 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; T INDUCTANCE 0603 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.95ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0603 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.35ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:2.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de INDUCTANCE, 0402, 1.3NH; Inductance:1.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:1200mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:16GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1200mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:16GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; P INDUCTANCE 0402 1.5NH +/- 0.1NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:18GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 250MHz; Fréquence de résonance:18GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alu INDUCTANCE 0402 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:1000mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1000mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Pro INDUCTANCE 0402 6.8NH +/- 0.1NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.09ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; T INDUCTANCE 0402 8.7NH; Inductance:8.7nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE 0402 9.1NH; Inductance:9.1nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:540mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.14ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE 0402 33NH 2%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.63ohm; Courant nominal DC:260mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.2GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.63ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 68NH; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.96ohm; Courant nominal DC:140mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:1.96ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE CMS 0.68UH. 7.4A; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6300è¾ohm; Courant nominal DC:7.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:7.4A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:6.5mm; Résistance:6.3mohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE 4.7UH. 20%. 36A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2200è¾ohm; Courant nominal DC:36A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:21.1mm; Courant, Ic (sat):55A; Diamètre de la broche:2.28mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:2.09mohm; Température de INDUCTANCE 33UH. 20%. 14.8A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0109ohm; Courant nominal DC:14.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.25mm; Courant, Ic (sat):21A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:10.4mohm; Températur INDUCTANCE 47UH. 20%. 12.4A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0153ohm; Courant nominal DC:12.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.25mm; Courant, Ic (sat):19A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:14.5mohm; Températur INDUCTANCE CMS 6X6MM 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:14mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:16mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 1.5UH 2.6A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:115MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2.6A; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 2.2UH 2.3A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2.3A; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 4.7UH 1.5A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 6.8UH 1.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.2A; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 15UH 0.9A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 470UH 0.16A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.06ohm; Courant nominal DC:150mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.16A; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 1.5UH 0.93A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.8A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.93A; Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:125MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température d INDUCTANCE CMS 3.3UH 0.75A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.75A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température d INDUCTANCE CMS 22UH 0.3A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.3A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 100UH 0.13A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.13A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 680UH 0.055A; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.055A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de f INDUCTANCE CMS 6800UH 0.019A; Inductance:6.8mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:25ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.019A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 10000UH 0.017A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:32.8ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.017A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température INDUCTANCE CMS 4X4MM 1.0UH 30%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:2.45A; Fréquence de résonance:90MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.45A; Fréquence de résonance:90MHz; Résistance:30mohm; Série:LQH44P_P0; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 6.8UH 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.34A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.34A; Fréquence de résonance:35MHz; Résistance:120mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:17MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Fréquence de résonance:17MHz; Résistance:370mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 6X6MM 1.5UH 30%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:4.15A; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.15A; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:10mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:44mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.137ohm; Courant nominal DC:1.29A; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.29A; Fréquence de résonance:6MHz; Résistance:137mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 8X8MM 1.5UH 30%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:60MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.1A; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:8mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.041ohm; Courant nominal DC:2.45A; Fréquence de résonance:13MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.45A; Fréquence de résonance:13MHz; Résistance:41mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 6X6MM 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.108ohm; Courant nominal DC:1.55A; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.55A; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:108mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 8X8MM 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.029ohm; Courant nominal DC:3.15A; Fréquence de résonance:18MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.15A; Fréquence de résonance:18MHz; Résistance:29mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:550mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:70MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:40MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempéra INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6.7ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:10MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.9ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:10MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:7.5MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:7; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.25ohm; Courant nominal DC:135mA; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:9.5MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:90mA; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:60mA; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:7.9MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cord INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, facteur Q:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:22MHz; Fréquence, test:7.9MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:44mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:2.5MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon:2 INDUCTANCE BOITIER 1045 3UH; Inductance:3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE BOITIER 1045 3.6UH; Inductance:3.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:56MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1045 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:5.8A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:52MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1045 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1045; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1064 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:10.3A; Fréquence de résonance:337MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:380MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min INDUCTANCE BOITIER 1064 1.8UH; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:9600è¾ohm; Courant nominal DC:9A; Fréquence de résonance:74MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:78MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE BOITIER 1064 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0132ohm; Courant nominal DC:7.5A; Fréquence de résonance:44MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-4 INDUCTANCE BOITIER 1064 7.2UH; Inductance:7.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0159ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:31MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:34MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-4 INDUCTANCE BOITIER 1064 24UH; Inductance:24è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0429ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE BOITIER 1064 27UH; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0458ohm; Courant nominal DC:3.9A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 2.2NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 12.0NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 0402 15.0NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:3.3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 0402 22.0NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0603 1.0NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:13GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 18.0NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 39.0NH; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 1210 1.5è¾H; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:660mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:75MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 2.2è¾H; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:620mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 3.3è¾H; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:580mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 3.9è¾H; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:540mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 6.8è¾H; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 12.0è¾H; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 18.0è¾H; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:240mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 100è¾H; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:6.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 1.0è¾H; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.8A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 1.8è¾H; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.7A; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 2.2è¾H; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.6A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 3.3è¾H; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:58MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:58MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 22.0è¾H; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:630mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 33.0è¾H; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:55; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 680è¾H; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:16.8ohm; Courant nominal DC:90mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1UH 4.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE1.2UH 4A 20%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.82UH 51A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2280è¾ohm; Courant nominal DC:38.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):51A; Résistance:2.17mohm INDUCTANCE 1UH 58A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2660è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):58A; Résistance:2.53mohm INDUCTANCE 2.2UH 30A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6400è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):30A; Résistance:6.1mohm INDUCTANCE 6.8UH 21A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:13.2A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):21A; Résistance:15.2mohm INDUCTANCE 2.2UH 28A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1980è¾ohm; Courant nominal DC:43.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):28A; Résistance:1.85mohm INDUCTANCE 4.7UH 21A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4180è¾ohm; Courant nominal DC:30A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):21A; Résistance:3.98mohm INDUCTANCE 10UH 17A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9330è¾ohm; Courant nominal DC:19A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):17A; Résistance:8.89mohm INDUCTANCE 68UH 4.5A 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:6.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4.5A; Résistance:72.1mohm INDUCTANCE DE PUISSANCE 4.7UH 4.5A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:8A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):7.5mm; Longueur/hauteur:7mm; Profondeur:5.4mm; Résistance:20.4mohm; Série:PCC-M0754M INDUCTANCE 1210 82UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:12ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:10MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 39UH; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.2ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:21; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:21; Fréquence de résonance:11MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 82UH; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:19; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:19; Fréquence de résonance:7MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:24; Fréquence de résonance:7MHz; Série:DA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:240mA; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:155mA; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 0.1UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, test:25MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cor INDUCTANCE AXIAL CONFORMAL 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la broche:0.51mm; Diamètre du corps:2.54mm; Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, test:25MHz; Largeur (externe):4.06mm; Longueur cordon:2 INDUCTANCE BOITIER 1064 6.2UH; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0147ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:40MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0194ohm; Courant nominal DC:6.2A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 11UH; Inductance:11è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0214ohm; Courant nominal DC:5.8A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:27MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 18UH; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0311ohm; Courant nominal DC:4.7A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 1.5NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0402 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0402 18.0NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonct INDUCTANCE 0603 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 4.7NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 12.0NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 22.0NH; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 27.0NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 1210 1.8è¾H; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 5.6è¾H; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:28MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 120è¾H; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati INDUCTANCE 1812 3.9è¾H; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.32A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:54MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:54MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 4.7è¾H; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.24A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:45MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 6.8è¾H; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:37MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:37MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1812 10.0è¾H; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:950mA; Facteur Q:48; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:48; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 15.0è¾H; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:730mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:26MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:45; Fréquence de résonance:26MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 100è¾H; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:60; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'ut INDUCTANCE 1812 390è¾H; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utili INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:3.24A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:3.24A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:74mohm; Type d'inductance:Shielded Power Choke; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE; Inductance:201.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.344ohm; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.344ohm; Série:VERSA-PAC; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:200.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.111ohm; Courant nominal DC:750mA; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:750mA; Matériau du noyau:Powdered Iron; Résistance:0.111ohm; Série:OCTA-PAC; Type d'inductance:Power Inductor; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE; Inductance:44è¾H; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 60MA; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:21ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 796kHz; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:15; Résistance:21ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtie INDUCTANCE PUIS. CMS 2.2MH 0.07A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:22ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:252MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 252kHz; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:40; Résistance:22ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 100UH 0.68A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:0604; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:20; Résistance:0.7ohm; Type d'inductance:De puissance INDUCTANCE PUIS. CMS 6.8UH 5.9A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:5.9A; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:32MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:1006; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.9A; Facteur Q @ Fréquence:33 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Q @ Vr F:33; Résistance:0.044ohm; Type d'inductance:De puis INDUCTANCE DE PUISSANCE DOUBLE 1UH PARA.; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0135ohm; Courant nominal DC:5.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 2.2UH PARA.; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0217ohm; Courant nominal DC:4.11A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 15UH PARA.; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.119ohm; Courant nominal DC:1.83A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 22UH PARA.; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.62A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 330UH PARA.; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.16ohm; Courant nominal DC:420mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 0.47UH PARA.; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:17.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISSANCE DOUBLE 1UH PARA.; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6200è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 3.3UH PARA.; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0101ohm; Courant nominal DC:9.26A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 47UH PARA.; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.086ohm; Courant nominal DC:2.71A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 470UH PARA.; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:870mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1000UH PARA.; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.854ohm; Courant nominal DC:570mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1.5UH PARA.; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7600è¾ohm; Courant nominal DC:13.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 10UH PARA.; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0241ohm; Courant nominal DC:6.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 47UH PARA.; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0898ohm; Courant nominal DC:2.95A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 330UH PARA.; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:1.04A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE LIGNE. 10UH. 2.6A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.04ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE DE LIGNE. 100UH. 0.9A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:900mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.19ohm; Série:WE-TI; Type d'inductance:Filter; Type de boîtier:Radial INDUCTANCE EN TUBE 2.0UH 2.5 A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:7.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Diamètre du corps:2mm; Diamètre, extérieur:2.6mm; Fréquence de résonance:110MHz; Longueur cordon:7.8mm; Longueur/hauteur:12.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:11mohm; Série:WE-SD; INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 2.5 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Diamètre du corps:3mm; Diamètre, extérieur:3.6mm; Fréquence de résonance:65MHz; Longueur cordon:11.5mm; Longueur/hauteur:15.4mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:22mohm; Série:WE-SD; INDUCTANCE EN TUBE 6.0UH 10.0 A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:18mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Diamètre du corps:6mm; Diamètre, extérieur:7.3mm; Fréquence de résonance:55MHz; Longueur cordon:18mm; Longueur/hauteur:25.7mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:6.5mohm; Série:WE-SD; Typ INDUCTANCE EN TUBE 10.0UH 10.0 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:8800è¾ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:24.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:10A; Diamètre du corps:6mm; Diamètre, extérieur:7.3mm; Fréquence de résonance:43MHz; Longueur cordon:24.9mm; Longueur/hauteur:30.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.8mohm; Série:WE-S INDUCTANCE CMS 0.11UH. 4.6A; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.6A; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.013ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:T INDUCTANCE CMS 0.11UH. 4.8A; Inductance:110nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4.8A; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.8A; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.011ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.17ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:TH INDUCTANCE CMS 1.2UH. 1A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:+20%, -35%; Résistance DC max.:0.115ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3510; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.095ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 22UH. 0.22A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.45ohm; Courant nominal DC:220mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3510; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:220mA; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.39ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 22UH. 0.88A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:880mA; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:880mA; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.255ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 4.7UH. 1.55A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.55A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.55A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.052ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 22UH. 0.925A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.185ohm; Courant nominal DC:925mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:925mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.155ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 100UH. 0.51A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:510mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.52ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MH INDUCTANCE CMS 5UH. 1.65A; Inductance:5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.65A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.65A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.047ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH. 0.14A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:5.5ohm; Courant nominal DC:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.175ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 10UH. 1.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.05ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:LH INDUCTANCE CMS 22UH. 1.22A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.22A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.22A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.09ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1000UH. 0.16A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6823; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:4.69ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 10UH. 2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.094ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:8020; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.078ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XMH INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.023ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.6A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.02ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.4A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.18ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7500è¾ohm; Courant nominal DC:7.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.2A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0062ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Fréquence de résonance:12MHz; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:2.5A; Type de boîtier d'inductance:1038; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.06ohm; Série:WE-TPC; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XLH INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:3.37A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.37A; Courant, Ic (sat):3.77A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.031ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:2.21A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2.21A; Courant, Ic (sat):2.6A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.072ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.91A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.91A; Courant, Ic (sat):2.19A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.096ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:640mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:640mA; Courant, Ic (sat):0.8A; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.66ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 2.4UH; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:+40%, -20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:10.1A; Fréquence de résonance:41MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:10.1A; Courant, Ic (sat):14.3A; Fréquence de résonance:41MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.009ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:5A; Fréquence de résonance:14.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:5A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:14.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.024ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.98ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:900mA; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:2.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.496ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:7.1A; Courant, Ic (sat):10.5A; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.013ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0885ohm; Courant nominal DC:3.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:3.2A; Courant, Ic (sat):3.6A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.069ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:1.4A; Courant, Ic (sat):1.5A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.437ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.054ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:88MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.9A; Courant, Ic (sat):3.3A; Fréquence de résonance:93MHz; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:5.9mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:3.3mm; Résistance:0.043ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boît INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.35A; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.21ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XS INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4.02A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:4.02A; Courant, Ic (sat):4.8A; Fréquence de résonance:36MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.9A; Courant, Ic (sat):3.9A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.033ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.38A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:1.38A; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.119ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:5.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:430mA; Courant, Ic (sat):0.42A; Fréquence de résonance:5.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.35ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S (new) INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:4.2A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:43MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.016ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:2.91A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:2.91A; Courant, Ic (sat):3.3A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.033ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:2A; Courant, Ic (sat):2.6A; Fréquence de résonance:23MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.045ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:870mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:870mA; Courant, Ic (sat):0.95A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.239ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.17ohm; Courant nominal DC:440mA; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant dc max:440mA; Courant, Ic (sat):0.54A; Fréquence de résonance:4.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.92ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.63ohm; Courant nominal DC:230mA; Fréquence de résonance:3.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant dc max:230mA; Courant, Ic (sat):0.28A; Fréquence de résonance:3.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.6ohm; Série:WE-PD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M (new) INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Fréquence de résonance:110MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.82A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.82A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:59mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.082ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Fréquence de résonance:28MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:71mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 22UH PD2; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.28A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.28A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:109mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.6A; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:30mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:MS INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.93A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.93A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:44mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.17A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.17A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:134mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:990mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:990mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:218mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.96ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:510mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:614mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.96ohm; Courant nominal DC:360mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:360mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1370mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 15UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2.47A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.47A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:34mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:1.02A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.02A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:200mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 680UH; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.25ohm; Courant nominal DC:360mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:360mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1245mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 820UH; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.55ohm; Courant nominal DC:320mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1420mohm; Série:WE-PD2; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.2A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.055ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Fréquence de résonance:9.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.164ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:M INDUCTANCE CMS 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:108MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.8A; Fréquence de résonance:108MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.023ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:23.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:23.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.041ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 470UH; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.08ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.661ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.01ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.427ohm; Série:WE-PD3; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:17mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:556mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.11ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2580mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:13.8ohm; Courant nominal DC:70mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:70mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:11500mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:S INDUCTANCE CMS 2.5UH; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.012ohm; Courant nominal DC:5.8A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.8A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:8.9mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.6A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:187mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:L INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.5A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:43mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.3A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:110mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:560mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:X; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1370mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:X INDUCTANCE CMS 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:7.5A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.5A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:14.1mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:6.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.5A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:17.2mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.047ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:39.3mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.134ohm; Courant nominal DC:2.4A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.4A; Fréquence de résonance:7.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:112mohm; Série:WE-PD4; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:XL INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.43UH; Inductance:430nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:140MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:140MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:3.7mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 4.5UH; Inductance:6.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0215ohm; Courant nominal DC:6A; Fréquence de résonance:50MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:22.5mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.14UH; Inductance:140nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:830è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Fréquence de résonance:363MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:24A; Fréquence de résonance:363MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:0.62mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5300è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:77MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:77MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:4.48mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 1.75UH; Inductance:1.75è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:40MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:5.7mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 2.15UH; Inductance:2.15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5000è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:39MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:16A; Fréquence de résonance:39MHz; Matériau du noyau:WE-Superflux; Résistance:4mohm; Série:WE-HC; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 1.3UH; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:940è¾ohm; Courant nominal DC:34.5A; Fréquence de résonance:78MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:34.5A; Fréquence de résonance:78MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.94mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS LO 4.5UH; Inductance:4.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3400è¾ohm; Courant nominal DC:20.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:20.5A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:3.4mohm; Série:WE-HCB; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT 0.17UH; Inductance:200nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:350è¾ohm; Courant nominal DC:32A; Fréquence de résonance:230MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:32A; Fréquence de résonance:230MHz; Matériau du noyau:WE-Perm; Résistance:0.35mohm; Série:WE-HCA; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS FORT COURANT. 185NH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:325è¾ohm; Courant nominal DC:31A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:31A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.325mohm; Série:WE-HCM; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 1.5A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:1.5A; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:270mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:M INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 10A; Courant dc max:10A; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant nominal DC:10A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance:7mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:L; Type de boîtier d'inductance:L INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 12A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:12A; Résistance:9mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 20MH 3A; Inductance:20mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:3A; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3A; Résistance:160mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XL INDUCTANCE MODE COMMUN 1.8MH 14A; Inductance:1.8mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7900è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:14A; Résistance:7.9mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 1MH 25A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Type de boîtier d'inductance:XXL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:25A; Résistance:3.6mohm; Série:WE-CMB; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XXL INDUCTANCE MODE COMMUN 0.1MH 1.5A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.5A; Matériau du noyau:Nickel-zinc; Type de boîtier d'inductance:XS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.5A; Résistance:80mohm; Série:WE-CMB NiZn; Type d'inductance:Mode commun; Type de boîtier:XS INDUCTANCE MODE COMMUN 0.82MH 2A; Inductance:820è¾H; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:ET20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:ET INDUCTANCE MODE COMMUN 820UH 2A; Inductance:820è¾H; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2A; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.065ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT INDUCTANCE MODE COMMUN 10MH 0.6A; Inductance:10mH; Résistance DC max.:0.71ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.71ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT INDUCTANCE MODE COMMUN 33MH 0.3A; Inductance:33mH; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Type de boîtier d'inductance:UT20V; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:2.5ohm; Série:WE-FC; Type d'inductance:Line Filter; Type de boîtier:UT KIT INDUCTANCE; Contenu du kit:WE-CMB Type XS, S, M, L, XL Sowie, WE-CMB NiZn Type XS Power Line Chokes; Gamme de valeurs d'inductance:1è¾H 100è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:40ohm; Courant nominal DC:30mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:2.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:30mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 252kHz; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:40ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:1812 INDUCTANCE DE PUISSANCE; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.248ohm; Courant nominal DC:1.48A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:1.48A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.248ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE - PERLE; Impédance:10ohm; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:500mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0603 / 1608; Courant dc max:500mA; Fréquence, mesure d'inductance:100MHz; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Résistance:0.05ohm; Type d'inductance:Ferrite Bead; Type de boîtier:0603; Type de boîtier d'inductance:0603; Type de montage:CMS INDUCTANCE - PERLE; Impédance:1kohm; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:100mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Courant dc max:100mA; Impédance:1kohm; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Ferrite Bead; Type de boîtier:0805; Type de montage:CMS INDUCTANCE - PERLE; Impédance:60ohm; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Montage de la ferrite:CMS; Type de boîtier ferrite:0805 / 2012; Inductance Tolerance:è… 25%; Matériau du noyau:Ferrite; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; Type de boîtier:0805; Type de montage:CMS INDUCTANCE CMS 22UH 0.7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.37ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.7A; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 47UH 0.5A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:500mA; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.5A; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 220UH 0.22A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.11ohm; Courant nominal DC:200mA; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.22A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 1UH 1.4A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.4A; Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:250MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctio INDUCTANCE CMS 6.8UH 0.58A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:200kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.58A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 10UH 0.37A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.37A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 68UH 0.17A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, facteur Q:100kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.17A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:15MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 150UH 0.1A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.59ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.1A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 220UH 0.1A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.77ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.1A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonc INDUCTANCE CMS 1000UH 0.045A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.4ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.045A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE MODE COM 700R 8A; Résistance DC max.:6000è¾ohm; Courant nominal DC:8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:8A; Impédance:700ohm; Largeur (externe):11mm; Longueur/hauteur:12mm; Profondeur:6mm; Résistance:6ohm; Série:ACM-V; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:12 INDUCTANCE MODE COM 200R 0.35A; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:350mA; Impédance:200ohm; Largeur (externe):2mm; Longueur/hauteur:1.3mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:0.5mm; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2012 INDUCTANCE MODE COM 1000R 0.2A; Résistance DC max.:0.9ohm; Courant nominal DC:200mA; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:200mA; Impédance:1000ohm; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Résistance:0.9ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type d'inductance:Inductances mode commun; Type de boîtier:2520 INDUCTANCE 1.2UH 0603 10%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:150MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:150MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:0.25ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE 1.5UH 0603 10%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:140MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:50mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 10MHz; Fréquence de résonance:140MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:55; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' INDUCTANCE 0.22UH 0603 10%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:400MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 25MHz; Fréquence de résonance:400MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.3ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur INDUCTANCE 1.8UH 0805 10%; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:45 @ 10MHz; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:60; Résistance:0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d INDUCTANCE 18UH 0805 10%; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:5mA; Facteur Q:45; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:5mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 1MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:45; Résistance:0.38ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisa INDUCTANCE CMS 1UH 2.9A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2.9A; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 10UH 1.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 68UH 0.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:400mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.4A; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE 47 NF 0805 20%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:700MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 50MHz; Fréquence de résonance:700MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.05ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température INDUCTANCE HF 1.8NF 0402; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:10.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.3GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:29; Résistance:0.06ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 7.5NF 0402; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4.1GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.15ohm; Type d'inducta INDUCTANCE HF 8.2NF 0402; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:8; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:8 @ 100MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:30; Résistance:0.19ohm; Type d'inductance:M INDUCTANCE HF 15NF 0603; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:3.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:3.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.14ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 27NF 0603; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:12; Fréquence de résonance:2.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:12 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.7GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:12; Résistance:0.21ohm; Type d'induct INDUCTANCE HF 2.7NF 0603; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:8.8GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.8GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.06ohm; Type d' INDUCTANCE HF 68NF 0603; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.43ohm; Type d'induc INDUCTANCE HF 6.8NF 0603; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:5.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.7GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.1ohm; Type d'i INDUCTANCE HF 82NF 0603; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:14; Fréquence de résonance:1.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:14 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.4GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:14; Résistance:0.5ohm; Type d'inducta INDUCTANCE HF 8.2NH 0603; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:5.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:10 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.6GHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.8mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:10; Résistance:0.1ohm; Type d'in INDUCTANCE HF 1.5NF 0402; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:12.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:12.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.06ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE CMS 100UH 0.31A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.27ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.31A; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 150UH 0.27A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.27A; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 330UH 0.18A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:160mA; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.18A; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 1000UH 0.1A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:13.8ohm; Courant nominal DC:70mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.1A; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 47UH 0.24A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.24A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 2200UH 0.028A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8.5ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.028A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 4700UH 0.021A; Inductance:4.7mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:13.9ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.021A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE HF 1.8NF 0402; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:10.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.07ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE HF 2.2NF 0402; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.6GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:0.08ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 4.7NF 0402; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.13ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1 INDUCTANCE HF 5.6NF 0402; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:7; Fréquence de résonance:6.7GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:7 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.7GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:7; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:10 INDUCTANCE HF 68NF 0402; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.4GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:1.01ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE HF 82NF 0402; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.8ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:2.2GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:6; Résistance:1.39ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:1005 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH 1005; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.7ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:CMS; Courant dc max:60mA; Fréquence de résonance:11MHz; Q @ Vr F:10; Résistance:1.7ohm; Type d'inductance:Power; Type de boîtier:25 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.01UH 1005; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:530mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2.15GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; Courant dc max:530mA; Fréquence de résonance:2.15GHz; Q @ Vr F:15; Résistance:0.26ohm; Type d'inductance:Multilayer; Type de boîtier:25 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.012UH 1210; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:17; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:17 @ 100MHz; Fréquence de résonance:2.3GHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:17; Résistance:0.14ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîti INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.056UH 1210; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 100MHz; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, test:100MHz; Q @ Vr F:26; Résistance:0.33ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîti INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 100UH 1210; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:40mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:10ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 2.7UH 1210; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.1ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 33UH 1210; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.6ohm; Courant nominal DC:70mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:70mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:5.6ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 390UH 1210; Inductance:390è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:36ohm; Courant nominal DC:35mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:35mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:36ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 470UH 1210; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:40ohm; Courant nominal DC:25mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:25mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, test:0.796MHz; Q @ Vr F:20; Résistance:40ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier:32 INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 4.7UH 1210; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:220mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.5ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de boîtier INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.22UH 1210; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:350MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:350MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.32ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE SIGNAL 0.56UH 1210; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3225; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:450mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, test:25.2MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Multicouche; Type de bo INDUCTANCE LIGNE PUIS. 1.9UH 10A; Inductance:1.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:12545; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:13A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:3.6mohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:12545 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 4.7UH A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.101ohm; Courant nominal DC:1.07A; Type de boîtier d'inductance:4018; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.07A; Résistance:0.088ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4018 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 15UH A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.303ohm; Courant nominal DC:680mA; Type de boîtier d'inductance:4020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:680mA; Résistance:0.275ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:4020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 10UH A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.182ohm; Courant nominal DC:870mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:870mA; Résistance:0.151ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 15UH 0.71A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.256ohm; Courant nominal DC:710mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:710mA; Résistance:0.214ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 22UH 0.58A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.373ohm; Courant nominal DC:580mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:580mA; Résistance:0.311ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:VLCF5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 47UH 0.51A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.05ohm; Courant nominal DC:510mA; Type de boîtier d'inductance:5020; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:510mA; Résistance:0.875ohm; Type d'inductance:Puissance; Type de boîtier:5020 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 1.5UH 1.2A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:1.2A; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:1.2A; Résistance:0.068ohm; Tolérance +:30%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3010 INDUCTANCE LIGNE PUIS. 3.3UH 0.87A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:870mA; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Courant dc max:870mA; Résistance:0.11ohm; Tolérance +:20%; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:3012 INDUCTANCE CMS 1MH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.66ohm; Courant nominal DC:610mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:610mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:1.66ohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0612ohm; Courant nominal DC:2.05A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.05A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.0612ohm; Série:SD; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE CMS 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:7A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7A; Courant, Ic (sat):16A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:18.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîtier:CMS INDUCTANCE CMS 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1166ohm; Courant nominal DC:2.8A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.8A; Courant, Ic (sat):5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:108mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE STANDARD; Inductance:89.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.145ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE STANDARD; Inductance:102è¾H; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:2.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:2.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Résistance:0.019ohm; Type d'inductance:Standard; Type de boîtier:PCB Surface Mount INDUCTANCE 0201 1NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:17.1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:17.1GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.09ohm; Type de boîtier:0603 INDUCTANCE 0201 2.2NH è…0.3NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:12.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:12.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.17ohm INDUCTANCE 0201 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:10.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.18ohm INDUCTANCE 0201 3.3NH è…0.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:10.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:10.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.22ohm INDUCTANCE 0201 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.8GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.25ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 10UH 3.8A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.033ohm; Courant nominal DC:3.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.8A; Résistance:0.028ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 22UH 2.5A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.058ohm; Courant nominal DC:2.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.5A; Résistance:0.050ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE PUISSANCE 220UH 0.81A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.537ohm; Courant nominal DC:810mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:810mA; Résistance:0.467ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 4.7UH 6.1A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:6.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.3A; Résistance:0.0125ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 15UH 3.5A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:3.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.5A; Résistance:0.0373ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 68UH 1.6A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.182ohm; Courant nominal DC:1.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.6A; Résistance:0.158ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 330UH 0.7A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.829ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Résistance:0.721ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE 0.36UH 6.5A 20%; Inductance:360nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0138ohm; Courant nominal DC:6.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.68UH 5A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0204ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.88UH 4.5A 20%; Inductance:880nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.22UH 92A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:880è¾ohm; Courant nominal DC:75A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):92A; Résistance:0.8mohm INDUCTANCE 0.33UH 82A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1280è¾ohm; Courant nominal DC:56A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):82A; Résistance:1.16mohm INDUCTANCE 0.56UH 62A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1520è¾ohm; Courant nominal DC:47A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):62A; Résistance:1.45mohm INDUCTANCE 0.68UH 60A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2000è¾ohm; Courant nominal DC:41A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):60A; Résistance:1.9mohm INDUCTANCE 4.7UH 27A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:16A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):27A; Résistance:10.7mohm INDUCTANCE 8.2UH 20A 20%; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:11.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):20A; Résistance:16.8mohm INDUCTANCE 10UH 19.5A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:10.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):19.5A; Résistance:24.4mohm INDUCTANCE 0.82UH 45A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1080è¾ohm; Courant nominal DC:56.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):45A; Résistance:0.98mohm INDUCTANCE 1.5UH 31A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1620è¾ohm; Courant nominal DC:48A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):31A; Résistance:1.54mohm INDUCTANCE 3.3UH 27A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2930è¾ohm; Courant nominal DC:35A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):27A; Résistance:2.79mohm INDUCTANCE 82UH 4.5A 20%; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4.5A; Résistance:87.3mohm INDUCTANCE 0.22UH 7.5A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0114ohm; Courant nominal DC:6.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.47UH 77A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1380è¾ohm; Courant nominal DC:49A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):77A; Résistance:1.31mohm INDUCTANCE 5.6UH 26A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:14A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):26A; Résistance:13.4mohm INDUCTANCE 0.33UH 55A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:670è¾ohm; Courant nominal DC:75.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):55A; Résistance:0.61mohm INDUCTANCE 0.47UH 62A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:870è¾ohm; Courant nominal DC:64.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):62A; Résistance:0.78mohm INDUCTANCE 15UH 12A 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0144ohm; Courant nominal DC:14A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):12A; Résistance:13.7mohm INDUCTANCE 22UH 9.5A 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:12A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):9.5A; Résistance:20mohm INDUCTANCE 33UH 9A 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.037ohm; Courant nominal DC:10.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):9A; Résistance:35.1mohm INDUCTANCE 56UH 4.2A 20%; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:7.2A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4.2A; Résistance:55mohm INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1.5UH PARA.; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0191ohm; Courant nominal DC:4.64A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 3.3UH PARA.; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0316ohm; Courant nominal DC:3.31A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 4.7UH PARA.; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0406ohm; Courant nominal DC:3.09A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 8.2UH PARA.; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0772ohm; Courant nominal DC:2.19A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 82UH PARA.; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.61ohm; Courant nominal DC:860mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 150UH PARA.; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.986ohm; Courant nominal DC:580mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 470UH PARA.; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2.82ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 820UH PARA.; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5.01ohm; Courant nominal DC:270mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1000UH PARA.; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6.11ohm; Courant nominal DC:260mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 6.8UH PARA.; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0186ohm; Courant nominal DC:6.64A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 33UH PARA.; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0618ohm; Courant nominal DC:3.28A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 220UH PARA.; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.354ohm; Courant nominal DC:1.19A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 330UH PARA.; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.574ohm; Courant nominal DC:1.06A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 680UH PARA.; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.212ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 0.47UH PARA.; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:17.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 4.7UH PARA.; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0135ohm; Courant nominal DC:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 8.2UH PARA.; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0191ohm; Courant nominal DC:6.32A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 68UH PARA.; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.123ohm; Courant nominal DC:2.44A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 150UH PARA.; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.261ohm; Courant nominal DC:1.59A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 470UH PARA.; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.865ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 680UH PARA.; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.296ohm; Courant nominal DC:760mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE 0201 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:8.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.3ohm INDUCTANCE 0201 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:6.6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.6GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.66ohm INDUCTANCE 0201 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:5.3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.3GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:1.02ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 3.3UH 6.2A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0126ohm; Courant nominal DC:6.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.7A; Résistance:0.0105ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 68UH 1.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.178ohm; Courant nominal DC:1.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.4A; Résistance:0.155ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 22UH 2.8A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:2.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.8A; Résistance:0.0495ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 220UH 0.9A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.499ohm; Courant nominal DC:900mA; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:900mA; Résistance:0.434ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 33UH PARA.; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:1.31A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 680UH PARA.; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.96ohm; Courant nominal DC:290mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1.5UH PARA.; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7300è¾ohm; Courant nominal DC:13.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 2.2UH PARA.; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8500è¾ohm; Courant nominal DC:10.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 10UH PARA.; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0246ohm; Courant nominal DC:5.35A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 22UH PARA.; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0451ohm; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 150UH PARA.; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.254ohm; Courant nominal DC:1.48A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 820UH PARA.; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.46ohm; Courant nominal DC:600mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISSANCE DOUBLE 1UH PARA.; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6700è¾ohm; Courant nominal DC:15.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 2.2UH PARA.; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9200è¾ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 3.3UH PARA.; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:10.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 6.8UH PARA.; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0183ohm; Courant nominal DC:7.34A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 100UH PARA.; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.175ohm; Courant nominal DC:1.96A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 820UH PARA.; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.632ohm; Courant nominal DC:650mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 1000UH PARA.; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.992ohm; Courant nominal DC:610mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE 0201 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:9.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:9.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.28ohm INDUCTANCE 0201 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:8.1GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:8.1GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.34ohm INDUCTANCE 0201 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:7.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.41ohm INDUCTANCE 0201 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:6.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:6.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.54ohm INDUCTANCE 0201 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.85ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 6.8UH 4.5A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0238ohm; Courant nominal DC:4.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:4.6A; Résistance:0.0198ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 15UH 3.1A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:3.1A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.1A; Résistance:0.036ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 47UH 1.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.124ohm; Courant nominal DC:1.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:1.7A; Résistance:0.108ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 3.3UH 6.9A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0116ohm; Courant nominal DC:7.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Résistance:0.0097ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE RF 0201 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:13GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.3NH è…0.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:7.7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.7NH è…0.3NH; Inductance:3.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 5.1NH è…0.3NH; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.1GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 13NH 5%; Inductance:13nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Courant nominal DC:250mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.9GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.6GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 20NH 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Courant nominal DC:200mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 1.8NH è…0.3NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:14GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 3.3NH è…0.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:8.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 5.1NH è…0.3NH; Inductance:5.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.7GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.4GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:8.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:4.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 150NH 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:650MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF WW 0402 2.7NH è…0.2NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 3.9NH è…0.2NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.4GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 9.0NH 5%; Inductance:9nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.2GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 30NH 5%; Inductance:30nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.3GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 1.6NH è…0.2NH; Inductance:1.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:7GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:14; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 3.9NH è…0.2NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.9GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 5.6NH è…0.2NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 7.5NH 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.7GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:31; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:38; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.8GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.2GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:43; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.9GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 68NH 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 2.7NH è…0.2NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.5GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 20NH 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.4GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.35GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 120NH 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.1GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 2.4UH 20% 3.6A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:53MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:53MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 100UH 20% 0.3A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.73ohm; Courant nominal DC:300mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 2.4UH 20% 4.2A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:50MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 4.7UH 20% 1.55A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:1.55A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:42MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 22UH 20% 0.8A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 1.5UH 30% 5.85A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:5.85A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 6.8UH 20% 2.8A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.8A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 10UH 20% 2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 22UH 20% 1.85A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.85A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 33UH 20% 1.2A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 1.5UH 30% 8.6A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:8.6A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 10UH 20% 2.7A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 100UH 20% 1.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.4A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 220UH 20% 0.9A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:2MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 4.7UH 20% 4.87A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:4.87A; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:32MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 22UH 20% 2.79A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.79A; Fréquence de résonance:11.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:11.5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 0.33UH 30% 4A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:280MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:280MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 2.7UH 30% 1.85A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0805ohm; Courant nominal DC:1.85A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:65MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 15UH 20% 0.85A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.295ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:29MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 22UH 20% 0.7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:17MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 0.82UH 30% 3.7A; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:3.7A; Fréquence de résonance:140MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:140MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 6.8UH 30% 1.45A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0805 1UH 1.1A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 2.2UH 15% 28A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:1500è¾ohm; Courant nominal DC:28A; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:32MHz; Résistance:1.5mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 7UH 15% 21A; Inductance:7è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:5610è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Résistance:5.61mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 15UH 15% 14A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:8700è¾ohm; Courant nominal DC:14A; Fréquence de résonance:12.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:12.8MHz; Résistance:8.7mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE WE-TI HV 2.2MH 10% 0.32A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.73ohm; Courant nominal DC:320mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.32A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE WE-TI HV 330UH 10% 0.7A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.7ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.95A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 1.0UH 30%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.525A; Fréquence de résonance:160MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:160MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.27A; Fréquence de résonance:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 15UH 30%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.91ohm; Courant nominal DC:475mA; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:235mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 68UH 30%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:235mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 150UH 30%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:145mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 250UH 20%; Inductance:250è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1515 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.385ohm; Courant nominal DC:610mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1515; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1515 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.74ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1515; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:15MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 1.2UH 30%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:2.9A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:80MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 2.7UH 30%; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.15A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:50MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz INDUCTANCE PUISSANCE 2.5UH 30% 1 45A; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.058ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:120MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; Pas:1.1mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:120MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE PUISSANCE 3.3UH 30% 1.95A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.95A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:80MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE PUISSANCE 3.3UH 30% 2.15A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:2.15A; Fréquence de résonance:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:80MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 1UH 20% 15A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4600è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Fréquence de résonance:85MHz; Type de boîtier d'inductance:7040; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE FORT COURANT 1.5UH 20% 13A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:110MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE 1.2UH 3.75A 20%; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0585ohm; Courant nominal DC:3.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616AB; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.75A; Courant, Ic (sat):3.75A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:55.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C INDUCTANCE 0.22UH 24A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):24A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:7.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 0.47UH 11.5A 20%; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:5.6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.6A; Courant, Ic (sat):11.5A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:16mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type INDUCTANCE 2.2UH 6A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.85A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.85A; Courant, Ic (sat):6A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:80mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 0.1UH 12A 20%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4500è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:1616BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):4.45mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de Fer; Profondeur:4.06mm; Résistance:4.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 1UH 7A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0181ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:16.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boî INDUCTANCE 10UH 2A 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1828ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020BZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.2A; Courant, Ic (sat):2A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:2mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:169.3mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.22UH 14.5A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3900è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):14.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:3.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1.5UH 7A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0185ohm; Courant nominal DC:7.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:7.5A; Courant, Ic (sat):7A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:17.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 2.2UH 5.5A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:6.75A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2020CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.75A; Courant, Ic (sat):5.5A; Largeur (externe):5.49mm; Longueur/hauteur:3mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:5.18mm; Résistance:22.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 0.33UH 18A 20%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:12A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:12A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:6.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 0.68UH 17A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0139ohm; Courant nominal DC:9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:9A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:12.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 2.5UH 10.4A 20%; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0524ohm; Courant nominal DC:3.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525AH; Nombre de broches:2; Courant dc max:3.5A; Courant, Ic (sat):10.4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:1.8mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:49.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; INDUCTANCE 0.22UH 34A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3200è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):34A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:2.9mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.68UH 18A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9400è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):18A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:8.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 0.82UH 17A 20%; Inductance:820nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0118ohm; Courant nominal DC:10A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:10A; Courant, Ic (sat):17A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:10.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Ty INDUCTANCE 2.2UH 14A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:6.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525BD; Nombre de broches:2; Courant dc max:6.5A; Courant, Ic (sat):14A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.095mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:28mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 1UH 9.5A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:12.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:12.5A; Courant, Ic (sat):9.5A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:7.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Typ INDUCTANCE 4.7UH 4A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0334ohm; Courant nominal DC:6A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525CZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:6A; Courant, Ic (sat):4A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:0.118mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:31.8mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 0.56UH 12A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3600è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:20A; Courant, Ic (sat):12A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:3.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de INDUCTANCE 1UH 15A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6500è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:2525EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):15A; Largeur (externe):6.86mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:6.47mm; Résistance:5.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type de boîti INDUCTANCE 0.68UH 54A 20%; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1700è¾ohm; Courant nominal DC:34A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:34A; Courant, Ic (sat):54A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:1.5mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'in INDUCTANCE 1UH 50A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2500è¾ohm; Courant nominal DC:29A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:29A; Courant, Ic (sat):50A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:2.1mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inducta INDUCTANCE 2.2UH 32A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5500è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:20A; Courant, Ic (sat):32A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:4.6mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 3.3UH 32A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9200è¾ohm; Courant nominal DC:15A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:15A; Courant, Ic (sat):32A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:7.7mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'ind INDUCTANCE 5.6UH 22A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0165ohm; Courant nominal DC:11.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11.5A; Courant, Ic (sat):22A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:14mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d INDUCTANCE 6.8UH 21A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0185ohm; Courant nominal DC:11A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:5050EZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:11A; Courant, Ic (sat):21A; Fréquence de résonance:100kHz; Largeur (externe):13.2mm; Longueur/hauteur:5mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:12.9mm; Résistance:15.4mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'i INDUCTANCE 0.22UH 129A 20%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:700è¾ohm; Courant nominal DC:80A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:80A; Courant, Ic (sat):129A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:0.63mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type INDUCTANCE 3.3UH 54A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3880è¾ohm; Courant nominal DC:28A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:28A; Courant, Ic (sat):54A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:3.68mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 4.7UH 41A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5110è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:25A; Courant, Ic (sat):41A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:4.84mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE 5.6UH 40A 20%; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:7050è¾ohm; Courant nominal DC:21A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:6767GZ; Nombre de broches:2; Courant dc max:21A; Courant, Ic (sat):40A; Largeur (externe):17.15mm; Longueur/hauteur:7mm; Matériau du noyau:Poudre de fer; Profondeur:17.15mm; Résistance:6.68mohm; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type d'inductance:Fort courant; Type d INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 160R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Impédance:160ohm; Largeur (externe):3.8mm; Longueur/hauteur:7.8mm INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 50R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Impédance:50ohm; Longueur/hauteur:5.3mm KIT RF INDUCTANCE DESIGN 0201; Contenu du kit:50 pcs of 0201 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:0.8nH 33nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT RF INDUCTANCE DESIGN 0402; Contenu du kit:50 pcs of 0402 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1nH 47nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT RF INDUCTANCE DESIGN 0603; Contenu du kit:50 pcs of 0603 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1nH 220nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF 0201 1.0NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:17.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 1.8NH è…0.3NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:11.4GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:8.9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.0NH è…0.3NH; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6.7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.1GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.5GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 1.2NH è…0.3NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 3.0NH è…0.3NH; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.9GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.9GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 3.9NH è…0.3NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6.3GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.2GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:750MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 120NH 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:700MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 180NH 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:550MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 KIT BOBINEE RF INDUCTANCE 0805; Contenu du kit:10 pcs of 0805 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:2.7nH 10è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF WW 0402 4.7NH è…0.2NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:4.8GHz; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:15; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 7.5NH 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 24NH 5%; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.7GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.5GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 120NH 5%; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.1GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:14; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 4.7NH è…0.2NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.6GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.3GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:43; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 270NH 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:170mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.1GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.7GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 180NH 5%; Inductance:180nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:900MHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 220NH 5%; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:860MHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 270NH 5%; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:850MHz; Courant nominal DC:350mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 0.33UH 20% 4A; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:4.4A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 4.7UH 20% 1.3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:46MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 4.7UH 20% 4.22A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:4.22A; Fréquence de résonance:39MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:39MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 2.4UH 30% 7.8A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.018ohm; Courant nominal DC:7.8A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:40MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 150UH 20% 1A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:2.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:2.3MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 1.5UH 30% 6.25A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:6.25A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:75MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 2.4UH 20% 6A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:6A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:54MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 3.3UH 20% 5.14A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:5.14A; Fréquence de résonance:41MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:41MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 10UH 20% 3.81A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.036ohm; Courant nominal DC:3.81A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 33UH 20% 2.25A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.105ohm; Courant nominal DC:2.25A; Fréquence de résonance:8.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8.9MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 68UH 20% 1.66A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:1.66A; Fréquence de résonance:5.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:5.5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 6.8UH 30% 1.25A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.146ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:46MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 12UH 20% 0.95A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.227ohm; Courant nominal DC:950mA; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:33MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 0.39UH 30% 4.5A; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0145ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:210MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:210MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 15UH 20% 1.1A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.185ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:17MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 18UH 20% 1.05A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.201ohm; Courant nominal DC:1.05A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:15MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0805 2.2UH 0.7A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 1.4UH 15% 31.5A; Inductance:1.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:1080è¾ohm; Courant nominal DC:31.5A; Fréquence de résonance:52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:52MHz; Résistance:1.08mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 4.2UH 15% 24A; Inductance:4.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:3040è¾ohm; Courant nominal DC:24A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz; Résistance:3.04mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 8.6UH 15% 17A; Inductance:8.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:7190è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Résistance:7.16mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 10UH 15% 16A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:7960è¾ohm; Courant nominal DC:16A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:13MHz; Résistance:7.96mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE WE-PD2 HV 1MH 10% 0.38A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.6ohm; Courant nominal DC:380mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.38A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-PD2 HV 1.2MH 10% 0.35A; Inductance:1.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.35A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-TI HV 1MH 10% 0.5A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.08ohm; Courant nominal DC:500mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.55A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE 0402 2.2NH 960MA; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:960mA; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:960mA; Facteur Q @ Fréquence:18 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:70mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0402 2.7NH 640MA; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:640mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:31; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0402 6.2NH 760MA; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:5.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:760mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 250MHz; Fréquence de résonance:5.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:49; Résistance:83mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 6.8NH 680MA; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.083ohm; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:680mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:83mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 13NH 560MA; Inductance:13nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.21ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence de résonance:3.45GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:24 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.45GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:54; Résistance:210mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 15NH 560MA; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.172ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:26; Fréquence de résonance:3.28GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:26 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.28GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:54; Résistance:172mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mul INDUCTANCE 0402 39NH 320MA; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:2.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:320mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:45; Résistance:550mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0402 56NH 100MA; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.97ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:1.76GHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:22 @ 200MHz; Fréquence de résonance:1.76GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:42; Résistance:970mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0402 100NH 100MA; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.52ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:150MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:2.52ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0603 1.8NH 0.7A; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:12.5GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:16 @ 250MHz; Fréquence de résonance:12.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:36; Résistance:50mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:M INDUCTANCE 0603 7.5NH 0.7A; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:28; Fréquence de résonance:4.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:28 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:28; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0603 10NH 0.7A; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:3.9GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:66; Résistance:130mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 12NH 0.7A; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:32; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:32 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:32; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche; INDUCTANCE 0603 15NH 0.7A; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:68; Résistance:170mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouche INDUCTANCE 0603 20NH 0.7A; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:3.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 24NH 0.7A; Inductance:24nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:2.65GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.65GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:140mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0603 27NH 0.6A; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:75; Fréquence de résonance:2.8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 250MHz; Fréquence de résonance:2.8GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:75; Résistance:220mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0603 270NH 0.2A; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:822MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 100MHz; Fréquence de résonance:822MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:25; Résistance:2.1ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 5.6NH 600MA; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1GHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:40; Résistance:100mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0805 6.8NH 600MA; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:5.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:110mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multi INDUCTANCE 0805 10NH 600MA; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:4.2GHz; Fréquence, facteur Q:1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 1000MHz; Fréquence de résonance:4.2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:120mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE 0805 27NH 500MA; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:55; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:55 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55; Résistance:250mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 36NH 500MA; Inductance:36nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:60 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60; Résistance:180mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 68NH 500MA; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.45GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.45GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:380mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 82NH 400MA; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.42ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.3GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 500MHz; Fréquence de résonance:1.3GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:50; Résistance:420mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 120NH 400MA; Inductance:120nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.51ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:1.1GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:1.1GHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:510mohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Mult INDUCTANCE 0805 220NH 400MA; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:850MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:400mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:850MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:1ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouch INDUCTANCE 0805 390NH 290MA; Inductance:390nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:560MHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 250MHz; Fréquence de résonance:560MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:35; Résistance:2.1ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multic INDUCTANCE 0805 680NH 190MA; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:188MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:188MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:2.8ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicou INDUCTANCE 0805 1000NH 150MA; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:285MHz; Fréquence, facteur Q:50MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:23 @ 50MHz; Fréquence de résonance:285MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:23; Résistance:4.2ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multicouc INDUCTANCE 0805 1200NH 150MA; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.6ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:25MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 25MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:20; Résistance:4.6ohm; Série:WE-KI; Type d'inductance:Multico INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 10UH 20%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.57ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 6.8UH 30%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.087ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 22UH 20%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:850mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE RF 0201 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.7GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.5GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 5.6NH è…0.3NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.4GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 68NH 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:850MHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.9GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 82NH 5%; Inductance:82nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:850MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 KIT BOBINEE RF INDUCTANCE 0402; Contenu du kit:20 pcs of 0402 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1nH 120nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF WW 0402 1.0NH è…0.2NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:1.36A; Facteur Q:13; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 2.0NH è…0.2NH; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:1.04A; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 5.6NH è…0.2NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:760mA; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.8GHz; Courant nominal DC:680mA; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.6GHz; Courant nominal DC:640mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.3GHz; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 20NH 5%; Inductance:20nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3GHz; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 27NH 5%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.5GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.3GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:320mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 1.8NH è…0.2NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6.9GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.1GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 150NH 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 3.9NH è…0.2NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 5.6NH è…0.2NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:5.8GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 16NH 5%; Inductance:16nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.5GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 27NH 2%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Fréquence de résonance:2.6GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 56NH 5%; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 68NH 2%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.45GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.2GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:57; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 330NH 10%; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Fréquence de résonance:800MHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 560NH 5%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:340MHz; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:45; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 6800NH 5%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:45MHz; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:15; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 3.3UH 20% 3.3A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:49MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:49MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 6.8UH 20% 1.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.135ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 1.8UH 20% 4.7A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:4.7A; Fréquence de résonance:58MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:58MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 3.3UH 20% 3.7A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:3.7A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:46MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 10UH 20% 1.1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:27MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 22UH 20% 2.47A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2.47A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:16MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 4.7UH 20% 3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 100UH 20% 1.5A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.36ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 47UH 20% 1.1A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 6.8UH 20% 3.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3.2A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 100UH 20% 1.38A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.255ohm; Courant nominal DC:1.38A; Fréquence de résonance:4.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4.4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 3.9UH 30% 1.6A; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.094ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 10UH 20% 1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.215ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 18UH 20% 0.8A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.38ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:27MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 1.2UH 30% 3.05A; Inductance:1.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.026ohm; Courant nominal DC:3.05A; Fréquence de résonance:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:90MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 1.8UH 30% 2.85A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:2.85A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0806 3.3UH 1.1A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.1A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:65MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE PMI 0806 4.7UH 1A 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:53MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 3.1UH 15% 26A; Inductance:3.1è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:2090è¾ohm; Courant nominal DC:26A; Fréquence de résonance:29MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:29MHz; Résistance:2.09mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 5.5UH 15% 22A; Inductance:5.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:4000è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Fréquence de résonance:21MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:21MHz; Résistance:4mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 22UH 15% 12A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.01065ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:12.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:12.5MHz; Résistance:10.65mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCF 2013 33UH 15% 12A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0114ohm; Courant nominal DC:12A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:12MHz; Résistance:11.4mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCI 1890 10UH 20% 16.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6900è¾ohm; Courant nominal DC:16.5A; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):18.5A; Fréquence de résonance:16MHz; Résistance:6.9mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE WE-PD2 HV 1MH 10% 0.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:300mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.3A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-PD2 HV 2.2MH 10% 0.18A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.3ohm; Courant nominal DC:180mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.26A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-TI HV 1.5MH 10% 0.38A; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.4A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE WE-TI HV 1.8MH 10% 0.35A; Inductance:1.8mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.3ohm; Courant nominal DC:350mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.38A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 4.7UH 30%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.26ohm; Courant nominal DC:925mA; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 6.8UH 30%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:710mA; Fréquence de résonance:48MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:48MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 10UH 30%; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.57ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 22UH 30%; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:430mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 33UH 20%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:345mA; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 100UH 30%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:165mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 150UH 20%; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:145mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 250UH 30%; Inductance:250è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:15ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1515 47UH 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.014ohm; Courant nominal DC:380mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1515; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:13MHz INDUCTANCE PUISSANCE 220UH 30% 0.34A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.25ohm; Courant nominal DC:340mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 2.8UH 20% 11A; Inductance:2.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3300è¾ohm; Courant nominal DC:20A; Fréquence de résonance:35MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; Nombre de broches:2; Pas:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE DD XXL 22UH 20% 3.5A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE EMI FILTRE AXIAL 80R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Impédance:80ohm; Longueur/hauteur:9.3mm INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 80R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Impédance:80ohm; Largeur (externe):2.45mm; Longueur/hauteur:5.3mm INDUCTANCE PUISSANCE 18UH 30% 0.98A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:980mA; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 0.95UH 20% 11A; Inductance:950nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6200è¾ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:90MHz; Type de boîtier d'inductance:7030; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE FORT COURANT 0.76UH 20% 15.5A; Inductance:760nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2250è¾ohm; Courant nominal DC:15.5A; Fréquence de résonance:200MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE FORT COURANT 8.5UH 20% 4A; Inductance:8.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0325ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:44MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE 0805 0.47UH 20% 1.4A; Inductance:0.47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:130MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; Pas:0.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-PMI INDUCTANCE EMI FILTRE AXIAL 30R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.8mm; Impédance:30ohm; Longueur/hauteur:4.8mm INDUCTANCE EMI FILTRE AXIAL 50R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:3.8mm; Impédance:50ohm; Longueur/hauteur:5.3mm INDUCTANCE 0402 0.2NH; Inductance:0.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.1ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 0.8NH; Inductance:0.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:14GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.2NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:700mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.15ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.7NH; Inductance:1.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 1.8NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:560mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:560mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:10GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0402 2.7NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:440mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:440mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.35ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 2.8NH; Inductance:2.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3NH; Inductance:3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de b INDUCTANCE 0402 3.1NH; Inductance:3.1nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:380mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:380mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.45ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.7NH; Inductance:3.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:340mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 3.8NH; Inductance:3.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:340mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 5.9NH; Inductance:5.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:280mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:280mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:0.85ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type INDUCTANCE 0402 12NH; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.55ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.55ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type d INDUCTANCE 0402 13.8NH; Inductance:13.8nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.75ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:3.7GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:1.75ohm; Type d'inductance:Couche mince; Ty INDUCTANCE 0402 27NH; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:3.25ohm; Courant nominal DC:75mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; Courant dc max:75mA; Facteur Q @ Fréquence:13 @ 500MHz; Fréquence de résonance:2.5GHz; Fréquence, max..:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Q @ Vr F:13; Résistance:3.25ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de INDUCTANCE 0603 5.6NH; Inductance:5.6nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:0.65ohm; Type d'inductance:Couche mince; Typ INDUCTANCE 0603 18NH; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.65ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:15 @ 300MHz; Fréquence de résonance:2GHz; Fréquence, max..:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Q @ Vr F:15; Résistance:1.65ohm; Type d'inductance:Couche mince; Type de KIT DE LABO INDUCTANCE SERIE 3640; Contenu du kit:75 Values; Gamme de valeurs d'inductance:0.2nH 100nH INDUCTANCE 0402 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.5nH; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:900mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 250MHz; Fréquence de résonance:12GHz; Fréquence, test:250MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profon INDUCTANCE 0402 4.7NH +/- 0.1NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:750mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, facteur Q:250MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:750mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine INDUCTANCE 0402 6.2NH +/- 0.1NH; Inductance:6.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:700mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:8GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.09ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C INDUCTANCE 0402 7.5NH +/- 0.1NH; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:570mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.13ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; T INDUCTANCE 0402 18NH 2%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:370mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:4.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.27ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 27NH 2%; Inductance:27nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:0.52ohm; Courant nominal DC:280mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 250MHz; Fréquence de résonance:3.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:0.52ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températ INDUCTANCE 0402 47NH; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1.08ohm; Courant nominal DC:210mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:25 @ 200MHz; Fréquence de résonance:2.9GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:1.08ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Température INDUCTANCE 0402 100NH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.52ohm; Courant nominal DC:120mA; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20 @ 150MHz; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, test:100MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.5mm; Matériau du noyau:Alumine; Profondeur:0.6mm; Résistance:2.52ohm; Série:LQW15; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE 0.47UH. 20%. 60A; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:520è¾ohm; Courant nominal DC:60A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:8.91mm; Courant dc max:60A; Courant, Ic (sat):60A; Diamètre de la broche:2.1mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:0.47o INDUCTANCE 4.7UH. 20%. 22A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2650è¾ohm; Courant nominal DC:22A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11.78mm; Courant dc max:22A; Courant, Ic (sat):22A; Diamètre de la broche:1.67mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:2.5 INDUCTANCE 10UH. 20%. 13A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8060è¾ohm; Courant nominal DC:13A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:10.84mm; Courant dc max:13A; Courant, Ic (sat):13A; Diamètre de la broche:1.32mm; Diamètre du corps:20.47mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:9.52mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:7.68o INDUCTANCE 100UH. 20%. 8.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0309ohm; Courant nominal DC:8.4A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:16.58mm; Courant, Ic (sat):9.25A; Diamètre de la broche:1.37mm; Diamètre du corps:29.95mm; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Longueur cordon:4.19mm; Longueur/hauteur:12.7mm; Matériau du noyau:Iron Powder; Résistance:29.4mohm; Températ INDUCTANCE CMS 0.33UH. 17A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:2000è¾ohm; Courant nominal DC:17A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:17A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:7.5mm; Résistance:2mohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS 1.5UH. 5.6A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:5.6A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant dc max:5.6A; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):6mm; Longueur/hauteur:3mm; Profondeur:6.5mm; Résistance:11mohm; Type d'inductance:De puissance; Type de boîtier:CMS; Type de terminaison:CMS INDUCTANCE CMS 4X4MM 3.3UH 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:1.77A; Fréquence de résonance:50MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.77A; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:65mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 4X4MM 4.7UH 20%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:40MHz; Type de boîtier d'inductance:1515; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.7A; Fréquence de résonance:40MHz; Résistance:80mohm; Série:LQH44P_P0; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:1515 INDUCTANCE CMS 6X6MM 15UH 20%; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.065ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.2A; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:65mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 47UH 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Résistance:230mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 68UH 20%; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.289ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1A; Fréquence de résonance:5MHz; Résistance:289mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 6X6MM 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.436ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:2424; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Fréquence de résonance:3MHz; Résistance:436mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:2424 INDUCTANCE CMS 8X8MM 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:9000è¾ohm; Courant nominal DC:6.4A; Fréquence de résonance:50MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6.4A; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:9mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE CMS 8X8MM 4.7UH 30%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.017ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:30MHz; Type de boîtier d'inductance:3131; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:4.2A; Fréquence de résonance:30MHz; Résistance:17mohm; Type d'inductance:Chip; Type de boîtier:3131 INDUCTANCE BOITIER 1008 20% 1UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.29ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:100MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1008; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:100MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:1mm; Profondeur:2mm; Série:WE-PMI; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu INDUCTANCE DE PUISSANCE 3.3UH 8.6A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:15.7A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):10.7mm; Longueur/hauteur:10mm; Profondeur:5.4mm; Résistance:7.1mohm; Série:PCC-M1054M; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C INDUCTANCE DE PUISSANCE 4.7UH 7.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:13.1A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):10.7mm; Longueur/hauteur:10mm; Profondeur:5.4mm; Résistance:10.2mohm; Série:PCC-M1054M INDUCTANCE DE PUISSANCE 100UH 1.6A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.7A; Matériau du noyau:Composition du métal; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):10.7mm; Longueur/hauteur:10mm; Profondeur:5mm; Résistance:208mohm; Série:PCC-M1050M INDUCTANCE 1210 39UH; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:6ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 56UH; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:7ohm; Courant nominal DC:95mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:9ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:30; Fréquence de résonance:12MHz; Série:FA; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C INDUCTANCE 1210 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.34ohm; Courant nominal DC:350mA; Fréquence de résonance:35MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:7; Fréquence de résonance:46MHz; Fréquence, test:7.96MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.7ohm; Courant nominal DC:105mA; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:7.5MHz; Fréquence, test:2.52MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2.2mm; Profondeur:2.5mm; Série:PA INDUCTANCE BOITIER 1064 0.5UH; Inductance:500nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:7500è¾ohm; Courant nominal DC:9.5A; Fréquence de résonance:172MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:180MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:- INDUCTANCE BOITIER 1064 2.5UH; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.013ohm; Courant nominal DC:8.6A; Fréquence de résonance:57MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:63MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40 INDUCTANCE BOITIER 1064 3.6UH; Inductance:3.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0111ohm; Courant nominal DC:7.9A; Fréquence de résonance:46MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:50MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-4 INDUCTANCE BOITIER 1064 13UH; Inductance:13è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0271ohm; Courant nominal DC:5.2A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE BOITIER 1064 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0402ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1064; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, mesure d'inductance:100kHz; Largeur (externe):10.2mm; Longueur/hauteur:6.4mm; Profondeur:10.2mm; Série:WE-PDF; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40° INDUCTANCE 0402 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:340mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de fonc INDUCTANCE 0402 8.2NH; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, facteur Q:500MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:13; Fréquence de résonance:5.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:500MHz; Largeur (externe):1mm; Longueur/hauteur:0.32mm; Profondeur:0.5mm; Série:WE-TCI; Température de INDUCTANCE 0603 3.3NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 3.9NH; Inductance:3.9nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:6GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 6.8NH; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.1nH; Résistance DC max.:0.5ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fo INDUCTANCE 0603 10.0NH; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:4GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 15.0NH; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:3GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fonctio INDUCTANCE 0603 33.0NH; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 2%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Alumine; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:15; Fréquence de résonance:1.5GHz; Fréquence, mesure d'inductance:300MHz; Largeur (externe):1.6mm; Longueur/hauteur:0.45mm; Profondeur:0.8mm; Série:WE-TCI; Température de fon INDUCTANCE 1210 2.7è¾H; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:43MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 8.2è¾H; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:390mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:20; Fréquence de résonance:23MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE 1210 22.0è¾H; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:220mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util INDUCTANCE 1210 68.0è¾H; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.8ohm; Courant nominal DC:130mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:35; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):3.2mm; Longueur/hauteur:2mm; Profondeur:2.5mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis INDUCTANCE 1812 5.6è¾H; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.18A; Facteur Q:36; Fréquence de résonance:41MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:36; Fréquence de résonance:41MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u INDUCTANCE 1812 470è¾H; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:14.2ohm; Courant nominal DC:105mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2.6mm; Profondeur:3.2mm; Série:WE-LQ; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti INDUCTANCE DE PUISSANCE 22UH 20% 4A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:43ohm; Courant nominal DC:4A; Facteur Q:29; Fréquence de résonance:13.4MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:6.8mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 10UH 20% 1.3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.3A; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:30MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 22UH 20% 0.9A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:900mA; Facteur Q:16; Fréquence de résonance:25MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 47UH 10% 0.6A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:18MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR/RI; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 47UH 20% 2.5A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:95ohm; Courant nominal DC:2.5A; Facteur Q:22; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 15MH 5% 0.02A; Inductance:15mH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:168ohm; Courant nominal DC:32mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:1.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 10UH 10% 3A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:3A; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 15UH 10% 2.3A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.056ohm; Courant nominal DC:2.3A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 470UH 10% 0.46A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.1ohm; Courant nominal DC:460mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:1.9MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 47UH 10% 8.2A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.019ohm; Courant nominal DC:8.2A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.07mm INDUCTANCE TOROID 22UH 10% 11A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:9.7A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:14.48mm INDUCTANCE RADIAL 200UH 10% 1A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.65ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 47UH 15% 3.6A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:3.6A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.31''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 100UH 15% 2.4A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.31''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 1000UH 15%1.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.37''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 22UH 15% 16.4A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:7000è¾ohm; Courant nominal DC:16.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.56''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 27UH 15% 15.6A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:8000è¾ohm; Courant nominal DC:15.6A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.56''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 4.7UH 10% 4.3A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:4.3A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:51MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 47UH 10% 1.4A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:6.5MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 100UH 10% 0.91A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:910mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:3.7MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 330UH 10% 0.54A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.85ohm; Courant nominal DC:540mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.3MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 15MH 10% 0.04A; Inductance:15mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:37ohm; Courant nominal DC:40mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:200kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 100MH 10% 0.02A; Inductance:100mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:235ohm; Courant nominal DC:20mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:100kHz; Fréquence, facteur Q:25.2kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 100UH 10% 6.1A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:6.1A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.1mm INDUCTANCE TOROID 39UH 10% 9.6A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:6.8A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:15.75mm INDUCTANCE TOROID 100UH 10% 6.1A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:5.4A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:15.75mm INDUCTANCE AXIAL 100UH 10% 1.6A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.208ohm; Courant nominal DC:632mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID H 330UH 15% 5.2A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.067ohm; Courant nominal DC:5.2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:1.17''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 3.3UH 2A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):2A; Fréquence de résonance:70MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 680UH 0.14A; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9.2ohm; Courant nominal DC:120mA; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.14A; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-25°C INDUCTANCE CMS 2.2UH 0.92A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:1.8A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.92A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:120MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 4.7UH 0.58A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.4A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, facteur Q:200kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.58A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:105MHz; Fréquence, test:200kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 15UH 0.31A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.31A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:33MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 33UH 0.24A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.19ohm; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.24A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE CMS 330UH 0.07A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.4ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.07A; Facteur Q @ Fréquence:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fon INDUCTANCE CMS 1500UH 0.035A; Inductance:1.5mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4.2ohm; Courant nominal DC:120mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.035A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:2MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de INDUCTANCE CMS 3300UH 0.024A; Inductance:3.3mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:11ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, facteur Q:100MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.024A; Facteur Q @ Fréquence:50; Fréquence de résonance:1MHz; Fréquence, test:100kHz; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.92mm; Profondeur:4.45mm; Température de fo INDUCTANCE DE PUISSANCE 10UH 10% 1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:23; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 1000UH 10% 0.51A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.9ohm; Courant nominal DC:510mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 22UH 10% 2A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2A; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9.2MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 1MH 10% 0.26A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.9ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 18UH 10% 11.8A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.009ohm; Courant nominal DC:11.8A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.83mm INDUCTANCE TOROID 120UH 10% 5.8A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:5.8A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.1mm INDUCTANCE TOROID 18UH 10% 11.8A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.009ohm; Courant nominal DC:10.2A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:14.48mm INDUCTANCE TOROID 220UH 10% 3.5A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:3.5A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:15.24mm INDUCTANCE AXIAL 470UH 10% 1.2A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:380ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID H 22UH 15% 7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.76''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 1000UH 10%2.4A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.53''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 47UH 15% 10.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:10.7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.53''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID H 47UH 15% 10.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:10.7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:1.14''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 330UH 15% 5.2A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.067ohm; Courant nominal DC:5.2A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.56''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 1000UH 10% 0.3A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:1.3MHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE 1.5UH 4A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:3.8A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 0.56UH 5.5A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0194ohm; Courant nominal DC:5.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2 INDUCTANCE 1.5UH 40A 20%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:4730è¾ohm; Courant nominal DC:23.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):40A; Résistance:4.5mohm INDUCTANCE 3.3UH 28A 20%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9510è¾ohm; Courant nominal DC:18.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):28A; Résistance:9.06mohm INDUCTANCE 0.56UH 66A 20%; Inductance:560nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:910è¾ohm; Courant nominal DC:61A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):66A; Résistance:0.83mohm INDUCTANCE 1UH 32A 20%; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1270è¾ohm; Courant nominal DC:55.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):32A; Résistance:1.21mohm INDUCTANCE 6.8UH 18.5A 20%; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:6150è¾ohm; Courant nominal DC:22.5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):18.5A; Résistance:5.86mohm INDUCTANCE 47UH 8.6A 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.042ohm; Courant nominal DC:8.7A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):8.6A; Résistance:40.7mohm INDUCTANCE 100UH 4A 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant, Ic (sat):4A; Résistance:105mohm INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 0.33UH PARA.; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:9200è¾ohm; Courant nominal DC:6.19A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 6.8UH PARA.; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0658ohm; Courant nominal DC:2.55A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 47UH PARA.; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.338ohm; Courant nominal DC:1.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 68UH PARA.; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.507ohm; Courant nominal DC:890mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 100UH PARA.; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.715ohm; Courant nominal DC:730mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 220UH PARA.; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.48ohm; Courant nominal DC:520mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 4.7UH PARA.; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0137ohm; Courant nominal DC:7.18A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 15UH PARA.; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0329ohm; Courant nominal DC:4.27A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 68UH PARA.; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.117ohm; Courant nominal DC:2.22A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 82UH PARA.; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:2.05A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 100UH PARA.; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.171ohm; Courant nominal DC:1.78A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 15UH PARA.; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0333ohm; Courant nominal DC:5.03A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 22UH PARA.; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0503ohm; Courant nominal DC:4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 33UH PARA.; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0664ohm; Courant nominal DC:3.23A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISS DOUBLE 220UH PARA.; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.343ohm; Courant nominal DC:1.29A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:100kHz INDUCTANCE 0201 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Résistance DC max.:0.24ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:14.9GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:14.9GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.12ohm INDUCTANCE 0201 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:0.8ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:6; Fréquence de résonance:7.5GHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Céramique; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:6 @ 100MHz; Fréquence de résonance:7.5GHz; Q @ Vr F:6; Résistance:0.48ohm INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 4.7UH 5.4A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0153ohm; Courant nominal DC:5.4A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:5.4A; Résistance:0.0127ohm; Tolérance +:30% INDUCTANCE LIGNE DE PUISSANCE 33UH 2.3A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.081ohm; Courant nominal DC:2.3A; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Courant dc max:2.3A; Résistance:0.0701ohm; Tolérance +:20% INDUCTANCE RF 0201 1.2NH è…0.3NH; Inductance:1.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15.3GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 2.2NH è…0.3NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:10.1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:4; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 2.4NH è…0.3NH; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Courant nominal DC:300mA; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0201 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:5; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0201; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:4 INDUCTANCE RF 0402 1.0NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:15GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 2.4NH è…0.3NH; Inductance:2.4nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:10GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 2.7NH è…0.3NH; Inductance:2.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:9.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 4.3NH è…0.3NH; Inductance:4.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 7.5NH 5%; Inductance:7.5nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.6GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.6GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.2GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 15NH 5%; Inductance:15nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.1GHz; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 33NH 5%; Inductance:33nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.6GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0402 47NH 5%; Inductance:47nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.2GHz; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:8 INDUCTANCE RF 0603 1.0NH è…0.3NH; Inductance:1nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:17GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 1.5NH è…0.3NH; Inductance:1.5nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:17GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 1.8NH è…0.3NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:13GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 2.2NH è…0.3NH; Inductance:2.2nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:12GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 4.7NH è…0.3NH; Inductance:4.7nH; Inductance Tolerance:è… 0.3nH; Fréquence de résonance:5.4GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.8GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.7GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:8; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.5GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:10; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 INDUCTANCE RF 0603 68NH 5%; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1GHz; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:12; Fréquence, facteur Q:100MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:12 KIT BOBINEE RF INDUCTANCE 0603; Contenu du kit:10 pcs of 0603 Size Inductors; Gamme de valeurs d'inductance:1.6nH 330nH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF WW 0402 1.8NH è…0.2NH; Inductance:1.8nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:1.04A; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 3.3NH è…0.2NH; Inductance:3.3nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6GHz; Courant nominal DC:840mA; Facteur Q:19; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 10NH 5%; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.9GHz; Courant nominal DC:480mA; Facteur Q:21; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 18NH 5%; Inductance:18nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:3.1GHz; Courant nominal DC:420mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 22NH 5%; Inductance:22nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.7GHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:24; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0402 100NH 5%; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:1.3GHz; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0402; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:55 INDUCTANCE RF WW 0603 2.0NH è…0.2NH; Inductance:2nH; Inductance Tolerance:è… 0.2nH; Fréquence de résonance:6.9GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:16; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 8.2NH 5%; Inductance:8.2nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4.8GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:30; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0603 12NH 5%; Inductance:12nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:4GHz; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:35; Fréquence, facteur Q:900MHz; Type de boîtier d'inductance:0603; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 6.8NH 5%; Inductance:6.8nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:5.5GHz; Courant nominal DC:600mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 39NH 5%; Inductance:39nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:2.1GHz; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:60; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE RF WW 0805 150NH 5%; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:950MHz; Courant nominal DC:400mA; Facteur Q:50; Fréquence, facteur Q:500MHz; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matériau du noyau:Céramique; Q @ Vr F:60 INDUCTANCE DD 7332 10UH 20% 1A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.165ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 22UH 20% 0.7A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7332 47UH 20% 0.9A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:S; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 7345 100UH 20% 0.65A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:650mA; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:M; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:4MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 2.4UH 20% 5.5A; Inductance:2.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0175ohm; Courant nominal DC:5.5A; Fréquence de résonance:54MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:54MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 3.3UH 20% 4.91A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.022ohm; Courant nominal DC:4.91A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 6.8UH 20% 3.9A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.032ohm; Courant nominal DC:3.9A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:33MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 10UH 20% 3.28A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.044ohm; Courant nominal DC:3.28A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1260 100UH 20% 1.2A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 3.3UH 30% 7.1A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:7.1A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 4.7UH 20% 3.6A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.6A; Fréquence de résonance:34MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:34MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 47UH 20% 1.45A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:5MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 15UH 20% 3.3A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.055ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE DD 1280 47UH 20% 2.02A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:2.02A; Fréquence de résonance:7.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:XL; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:7.8MHz; Série:WE-DD; Tension VDC:80V INDUCTANCE TDC8018 0.68UH 30% 3.3A; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.021ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:190MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:190MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 1UH 30% 2.85A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.028ohm; Courant nominal DC:2.85A; Fréquence de résonance:136MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:136MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8018 2.2UH 30% 1.9A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.058ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:85MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 4.7UH 30% 1.85A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:1.85A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 12UH 20% 1.3A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.132ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE TDC8038 22UH 20% 1A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.228ohm; Courant nominal DC:1A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:14MHz; Série:WE-TDC INDUCTANCE PMI 0806 2.2UH 1.2A 20%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.2A; Facteur Q:10; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:0805; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:88MHz; Q @ Vr F:10; Série:WE-PMI INDUCTANCE HCF 2013 0.7UH 15% 32A; Inductance:700nH; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:830è¾ohm; Courant nominal DC:32A; Fréquence de résonance:65MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:65MHz; Résistance:0.83mohm; Série:WE-HCF INDUCTANCE HCI 1890 22UH 20% 11A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0146ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:10.5MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):11A; Fréquence de résonance:10.5MHz; Résistance:14.6mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE HCI 1890 47UH 20% 6.8A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.335ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:7.5MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):7A; Fréquence de résonance:7.5MHz; Résistance:33.5mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE HCI 1365 1.3UH 20% 25A; Inductance:1.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1800è¾ohm; Courant nominal DC:25A; Fréquence de résonance:59MHz; Matériau du noyau:zinc Manganèse; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):25A; Fréquence de résonance:59MHz; Résistance:1.8mohm; Série:WE-HCI INDUCTANCE WE-PD2 HV 1.2MH 10% 0.28A; Inductance:1.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4.5ohm; Courant nominal DC:280mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.28A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-PD2 HV 2.2MH 10% 0.15A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:7.2ohm; Courant nominal DC:150mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.2A; Série:WE-PD2 HV INDUCTANCE WE-TI HV 1.2MH 10% 0.4A; Inductance:1.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.64ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:L; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.45A; Série:WE-TI HV INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 1.5UH 30%; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.47A; Fréquence de résonance:130MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:130MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 3.3UH 30%; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:1.13A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:75MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 33UH 30%; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2ohm; Courant nominal DC:345mA; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:24MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 47UH 20%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:270mA; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:19MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 47UH 30%; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:3ohm; Courant nominal DC:270mA; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:19MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 100UH 20%; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:165mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 1212 220UH 20%; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:130mA; Fréquence de résonance:8.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:8.5MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 2.2UH 30%; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz INDUCTANCE DE PUISSANCE 2220 4.7UH 30%; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.06ohm; Courant nominal DC:1.75A; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz INDUCTANCE PUISSANCE 22UH 30% 0.51A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.45ohm; Courant nominal DC:510mA; Fréquence de résonance:26MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; Nombre de broches:2; Pas:1.1mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:26MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE PUISSANCE 15UH 30% 1.03A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.15ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; Nombre de broches:2; Pas:1.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:25MHz; Série:WE-TPC INDUCTANCE FORT COURANT 2UH 20% 11.5A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:5850è¾ohm; Courant nominal DC:11.5A; Fréquence de résonance:68MHz; Type de boîtier d'inductance:7050; Nombre de broches:2; Pas:2.4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-HCI INDUCTANCE DD XXL 10UH 20% 3.2A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3.2A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE DD XXL 33UH 20% 2A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE DD XXL 47UH 20% 1.9A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:WE-DD INDUCTANCE EMI FILTRE RADIAL 90R 7A; Résistance DC max.:0.01ohm; Courant nominal DC:7A; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:2.45mm; Impédance:90ohm; Longueur/hauteur:5.3mm INDUCTANCE DE PUISSANCE 330UH 10% 1A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:580ohm; Courant nominal DC:1A; Facteur Q:18; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:12.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DE PUISSANCE 4.7UH 20% 1.5A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.5A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 2200UH 10% 0.36A; Inductance:2.2mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.9ohm; Courant nominal DC:360mA; Facteur Q:15; Fréquence de résonance:800kHz; Fréquence, facteur Q:252kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 3.3UH 10% 5.5A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:5.5A; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:79MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 10MH 10% 0.05A; Inductance:10mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:25ohm; Courant nominal DC:50mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:300kHz; Fréquence, facteur Q:79.6kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID 39UH 10% 9.6A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:9.6A; Matériau du noyau:Fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; Nombre de broches:2; Pas:22.9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur/hauteur:20.83mm INDUCTANCE AXIAL 4700UH 10% 0.4A; Inductance:4.7mH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:3.19ohm; Courant nominal DC:400mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 47UH 15% 6.7A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:6.7A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.45''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE TOROID V 220UH 15% 2.4A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:2.4A; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:0.34''; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RADIAL 220UH 10% 0.7A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.6ohm; Courant nominal DC:700mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:2.4MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite DR; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE RF 0805 3.3UH 0.46A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Fréquence de résonance:120MHz; Résistance DC max.:1.35ohm; Courant nominal DC:0.46A; Facteur Q:20; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Type de boîtier d'inductance:1008; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (sat):0.46A; MSL:MSL 1 - Illimité; Matériau du noyau:Ferrite INDUCTANCE LCPI 50UH 4.9A VERTICAL; Inductance:50è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0326ohm; Courant nominal DC:4.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:11mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 10UH 4.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0225ohm; Courant nominal DC:4.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 2.2UH 10.9A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:10.9A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 3.3UH 10.5A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:10.5A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 470UH 0.85A; Inductance:470è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 680UH 0.76A; Inductance:680è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:760mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 6.8UH 7.34A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:7.34A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 1000UH 0.26A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:260mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 15UH 1.83A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.83A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 150UH 0.58A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:580mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 3.3UH 3.31A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:3.31A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 47UH 1.15A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.15A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 4.7UH 8.25A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:8.25A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 100UH 0.73A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:730mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 22UH 1.62A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.62A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 6UH 17A; Inductance:6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0046ohm; Courant nominal DC:17A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 10UH 8.5A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.014ohm; Courant nominal DC:8.5A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) IINDUCTANCE FAIBLE CORE SOLUTION; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0776ohm; Courant nominal DC:3.2A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE H.P.DENSITY 10UH 1.41A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.41A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE H.P.DENSITY 3.3UH 2.26A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:2.26A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 4.7UH 2.2A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0544ohm; Courant nominal DC:2.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 100UH 1.2A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2707ohm; Courant nominal DC:1.2A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 4.9UH CMS; Inductance:4.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.145ohm; Courant nominal DC:850mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 1A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.8A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 4A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 12A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:76; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.4A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:400mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:uQFN; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 4818 18UH SAT 0.70A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:920mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz LQ INDUCTANCE 1210 2.2UH IN 0.79A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.126ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:63MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 3818 68UH SAT 0.22A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1.45ohm; Courant nominal DC:320mA; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 2813 0.068UH SAT=5.5A; Inductance:68nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:1GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:1GHz TPC INDUCTANCE 4818 5.6UH SAT=1.35A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.64A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:55MHz TPC INDUCTANCE 4828 6.8UH SAT=1.25A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:57MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:57MHz TPC INDUCTANCE 4828 8.2UH SAT=1.05A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz TPC INDUCTANCE 1028 56UH SAT=1.1A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz PD INDUCTANCE XL 330UH 1.10A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.64ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:3MHz; Résistance:0.349ohm PD INDUCTANCE L 33UH 2.68A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:2.68A; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):3A; Fréquence de résonance:10MHz; Résistance:0.049ohm PD INDUCTANCE L 82UH 1.65A; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.65A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.88A; Fréquence de résonance:5.2MHz; Résistance:0.129ohm PD2 INDUCTANCE 4532 5.6UH SAT=2.43A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.126ohm; Courant nominal DC:1.58A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 4532 18UH SAT=1.29A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.338ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 27 UH I=1.19 A; Inductance:27è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.2ohm; Courant nominal DC:1.19A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE L 33UH 1.35A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.13ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:13MHz PD2 INDUCTANCE TYPE L 39UH 1.25A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:12MHz PD2 INDUCTANCE TYPE XL 82UH 1.11A; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:1.11A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 4.7UH 7.0MOHM 15A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.007ohm; Courant nominal DC:13A; Fréquence de résonance:30MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE TYPE XXL 39UH 4.1A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.056ohm; Courant nominal DC:4.1A; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):5A; Fréquence de résonance:6MHz; Résistance:0.044ohm PD INDUCTANCE 1030 2.2 UH I=5.1 A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.02ohm; Courant nominal DC:5.1A; Fréquence de résonance:71MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:71MHz PD INDUCTANCE 1030 10 UH I=2.6 A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.062ohm; Courant nominal DC:2.6A; Fréquence de résonance:25MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:25MHz PD INDUCTANCE 1030 100 UH I=0.9 A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.478ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:7.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:7.7MHz PD INDUCTANCE 1030 47 UH I=1.2 A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.248ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:11.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:11.4MHz PD INDUCTANCE 1030 68 UH I=1.1 A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:1.1A; Fréquence de résonance:9.4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:9.4MHz PD INDUCTANCE 1050 1.5 UH I=10 A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0066ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:69MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):12.5A; Fréquence de résonance:69MHz; Résistance:0.00555ohm PD INDUCTANCE 1050 2.2 UH I=8.6 A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.008ohm; Courant nominal DC:8.6A; Fréquence de résonance:53MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):9.5A; Fréquence de résonance:53MHz; Résistance:0.0068ohm PD INDUCTANCE 1050 4.7 UH I=7.0 A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0124ohm; Courant nominal DC:7A; Fréquence de résonance:34MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):8A; Fréquence de résonance:34MHz; Résistance:0.0104ohm PD INDUCTANCE 1050 15 UH I=3.5 A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.043ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:16.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.1A; Fréquence de résonance:16.8MHz; Résistance:0.036ohm PD INDUCTANCE LS 2.5UH 6.80A; Inductance:2.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.011ohm; Courant nominal DC:6.8A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):8.5A; Fréquence de résonance:50MHz; Résistance:0.0085ohm PD INDUCTANCE LS 4.7UH 5.20A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:5.2A; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):6.3A; Fréquence de résonance:37MHz; Résistance:0.0135ohm PD INDUCTANCE LS 220UH 0.95A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.48ohm; Courant nominal DC:950mA; Fréquence de résonance:4.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1A; Fréquence de résonance:4.7MHz; Résistance:0.46ohm PD INDUCTANCE LS 33UH 2.30A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.085ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:13MHz; Résistance:0.075ohm PD2 INDUCTANCE 5820 3.3UH SAT=3.0A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:57MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE M 3.3UH 3.3A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.3A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):4.5A; Fréquence de résonance:38MHz; Résistance:0.026ohm PD INDUCTANCE M 56UH 0.93A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:930mA; Fréquence de résonance:9.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.05A; Fréquence de résonance:9.5MHz; Résistance:0.228ohm INDUCTANCE LCPI 50UH 4.9A HORIZONTAL; Inductance:50è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0326ohm; Courant nominal DC:4.9A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:Radial Leaded; Nombre de broches:2; Pas:19.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 22UH 3.70A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 4.7UH 7.18A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:7.18A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 330UH 0.42A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:420mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 1000UH 0.27A; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:270mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 220UH 0.56A; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:560mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 10UH 2.08A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.08A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FAIBLE PROFILE 4.7UH 3.23A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:3.23A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 2.2UH 24.3A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0023ohm; Courant nominal DC:24.3A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 6.8UH 10.3A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0094ohm; Courant nominal DC:10.3A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE H.P.DENSITY 4.7UH 2.01A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.01A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 2.2UH 3.1A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0363ohm; Courant nominal DC:3.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 33UH 3.7A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.052ohm; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 11.2UH CMS; Inductance:11.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.061ohm; Courant nominal DC:1.47A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 11.3UH CMS; Inductance:11.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.057ohm; Courant nominal DC:1.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 10.9UH CMS; Inductance:10.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.344ohm; Courant nominal DC:550mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 27.4UH CMS; Inductance:27.4è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.344ohm; Courant nominal DC:550mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 1A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 2A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 3A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 1A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.6A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 8A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 5A; Tension d'entrée primaire:1.8V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:54; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 4828 150UH SAT=0.22A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.86ohm; Courant nominal DC:420mA; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:7MHz TPC INDUCTANCE 3816. 15UH SAT=0.45A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.285ohm; Courant nominal DC:620mA; Fréquence de résonance:30MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:3816; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:30MHz TPC INDUCTANCE 4818 6.8UH SAT=1.2A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:60MHz TPC INDUCTANCE 5818 6.2UH SAT=1.6A; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:1.45A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz TPC INDUCTANCE 5828 5.3UH SAT=1.9A; Inductance:5.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.04ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz TPC INDUCTANCE 5828 68UH SAT=0.56A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.35ohm; Courant nominal DC:750mA; Fréquence de résonance:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:10MHz TPC INDUCTANCE 1028 120UH SAT=0.85A; Inductance:120è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.56ohm; Courant nominal DC:900mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz TPC INDUCTANCE 1038 330UH SAT=0.7A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:600mA; Fréquence de résonance:6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1038; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:6MHz PD INDUCTANCE XL 1.5UH 10.0A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.006ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):12A; Fréquence de résonance:42MHz; Résistance:0ohm PD INDUCTANCE XL 18 0UH 4.20A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.039ohm; Courant nominal DC:4.2A; Fréquence de résonance:13.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):5.4A; Fréquence de résonance:13.2MHz; Résistance:0.032ohm PD INDUCTANCE XL 560UH 0.80A; Inductance:560è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1.07ohm; Courant nominal DC:800mA; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1280; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:2.5MHz; Résistance:0.593ohm PD INDUCTANCE L 12UH 3.91A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.027ohm; Courant nominal DC:3.91A; Fréquence de résonance:19.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.85A; Fréquence de résonance:19.7MHz; Résistance:0.023ohm PD INDUCTANCE L 18UH 3.0A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.034ohm; Courant nominal DC:3.48A; Fréquence de résonance:14.3MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.3A; Fréquence de résonance:14.3MHz; Résistance:0.029ohm PD INDUCTANCE L 39UH 2.49A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.068ohm; Courant nominal DC:2.49A; Fréquence de résonance:9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.74A; Fréquence de résonance:9MHz; Résistance:0.057ohm PD INDUCTANCE L 56UH 2.01A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:2.01A; Fréquence de résonance:7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1260; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.35A; Fréquence de résonance:7MHz; Résistance:0.087ohm PD2 INDUCTANCE TYPE L 18UH 1.89A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.89A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:17MHz PD2 INDUCTANCE TYPE XL 12UH 3.15A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.07ohm; Courant nominal DC:2.72A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE XL 39UH 1.62A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.62A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 11 3UH 9.10MOHM 11A; Inductance:11.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0091ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:12MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 13UH 11 20MOHM 9A; Inductance:13è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0112ohm; Courant nominal DC:10A; Fréquence de résonance:14MHz; Type de boîtier d'inductance:1365; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE TYPE XXL 270UH 1.6A; Inductance:270è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.33ohm; Courant nominal DC:1.6A; Fréquence de résonance:2.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.1A; Fréquence de résonance:2.5MHz; Résistance:0.248ohm PD INDUCTANCE TYPE XXL 330UH 1.5A; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:2MHz; Résistance:0.363ohm PD INDUCTANCE 1030 1.5 UH I= 6.2A; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.016ohm; Courant nominal DC:6.2A; Fréquence de résonance:75MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:75MHz PD INDUCTANCE 1030 3.3 UH I=4.6 A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.024ohm; Courant nominal DC:4.6A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:50MHz PD INDUCTANCE 1030 33 UH I=1.35 A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.204ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:13MHz PD INDUCTANCE 1050 150 UH I=1.2 A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:1.2A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:4.9MHz; Résistance:0.251ohm PD INDUCTANCE 1050 47 UH I=2.2 A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.099ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:8.8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.5A; Fréquence de résonance:8.8MHz; Résistance:0.083ohm PD INDUCTANCE LS 6.8UH 4.30A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:4.3A; Fréquence de résonance:27MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.7A; Fréquence de résonance:27MHz; Résistance:0.02ohm PD INDUCTANCE LS 100UH 1.30A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.27ohm; Courant nominal DC:1.3A; Fréquence de résonance:6.9MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.4A; Fréquence de résonance:6.9MHz; Résistance:0.25ohm PD INDUCTANCE LS 12UH 3.50A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.038ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:19MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):3.6A; Fréquence de résonance:19MHz; Résistance:0.03ohm PD2 INDUCTANCE 5820 5.6UH SAT=2.1A; Inductance:5.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.078ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:32MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5820; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE M 18UH 1.5A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.091ohm; Courant nominal DC:1.5A; Fréquence de résonance:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):2.05A; Fréquence de résonance:17MHz; Résistance:0.08ohm PD INDUCTANCE XSH 6.8UH SAT=2.3A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.075ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:60MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):2.3A; Fréquence de résonance:60MHz; Résistance:0.062ohm PD INDUCTANCE S 39UH 1.03A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.32ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:15MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:15MHz; Résistance:0.209ohm PD INDUCTANCE S 56UH 0.84A; Inductance:56è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.47ohm; Courant nominal DC:840mA; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:11MHz; Résistance:0.335ohm INDUCTANCE CM30 0.27UH; Inductance:270nH; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:940mA; Facteur Q:33; Fréquence de résonance:430MHz; Type de boîtier d'inductance:Axial Leaded; Nombre de broches:2; Couleur:Jaune; Courant dc max:940mA; Diamètre de la broche:0.6mm; Diamètre du corps:2.7mm; Fréquence de résonance:430MHz; Fréquence, mesure d'inductance:25MHz; Longueur cordon:25mm; Longueur/hauteur:7mm; Q @ Vr F:33; Résistance:0.16ohm; Tension c.a.:700V; Tolérance + INDUCTANCE 1210 3.9UH; Inductance:3.9è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:1.3ohm; Courant nominal DC:175mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:60MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Courant dc max:175mA; Fréquence de résonance:60MHz; Q @ Vr F:30; Résistance:1.3ohm; Tolérance +:5%; Tolérance -:5%; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:1210 INDUCTANCE CMS 10UH 3.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.035ohm; Courant nominal DC:3.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 15UH 3.10A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.05ohm; Courant nominal DC:3.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 10UH 4.80A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0484ohm; Courant nominal DC:3.12A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 15UH 4.27A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:4.27A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 0.33UH 6.21A; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:6.21A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 1UH 5.39A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:5.39A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 6.8UH 2.6A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.6A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 100UH 1.78A; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:1.78A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 22UH 3.70A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:3.7A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 6.8UH 6.64A; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:6.64A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 3.3UH 10.4A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:10.4A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE DOUBLE CMS 10UH 2.41A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Courant nominal DC:2.41A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 3.6UH 16.7A; Inductance:3.6è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0035ohm; Courant nominal DC:16.76A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE FORT COURANT 47UH 3.65A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.0723ohm; Courant nominal DC:3.65A; Matériau du noyau:Poudre de fer; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 47UH 0.72A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.474ohm; Courant nominal DC:720mA; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 10UH 6.8A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:6.8A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE CMS 47UH 3.1A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.074ohm; Courant nominal DC:3.1A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) INDUCTANCE/TRANSFORMATEUR 5.7UH CMS; Inductance:5.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.26A; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 3A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.6A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:uQFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 0.6A; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:600mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:uQFN; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BUCK INTEGRATED INDUCTANCE 9A; Tension d'entrée primaire:6.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:9A; Type de boîtier CI régulateur de tension:QFN; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 4818 12UH SAT 0.95A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.15A; Fréquence de résonance:40MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:40MHz TPC INDUCTANCE 4818 15UH SAT 0.75A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.22ohm; Courant nominal DC:1.03A; Fréquence de résonance:35MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:35MHz LQ INDUCTANCE 1210 22UH IN 0.25A; Inductance:22è¾H; Résistance DC max.:0.923ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:19MHz; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) LQ INDUCTANCE 1210 47UH IN 0.17A; Inductance:47è¾H; Résistance DC max.:1.69ohm; Courant nominal DC:170mA; Fréquence de résonance:15MHz; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TPC INDUCTANCE 2811 0.056UH SAT=6A; Inductance:56nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.015ohm; Courant nominal DC:4.5A; Fréquence de résonance:2GHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:2GHz TPC INDUCTANCE 2811 0.15UH SAT=3.6A; Inductance:150nH; Inductance Tolerance:è… 35%; Résistance DC max.:0.025ohm; Courant nominal DC:3A; Fréquence de résonance:800MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:800MHz TPC INDUCTANCE 2811 15UH SAT=0.35A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.83ohm; Courant nominal DC:450mA; Fréquence de résonance:37MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2811; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:37MHz TPC INDUCTANCE 2813 47UH SAT=0.20A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:250mA; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:2813; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:18MHz TPC INDUCTANCE 4828 68UH SAT=0.4A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:630mA; Fréquence de résonance:13MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:13MHz TPC INDUCTANCE 5818 3.0UH SAT=2.4A; Inductance:3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:70MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:70MHz TPC INDUCTANCE 5818 7.5UH SAT=1.5A; Inductance:7.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:1.35A; Fréquence de résonance:45MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5818; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:45MHz TPC INDUCTANCE 5828 6.2UH SAT=1.7A; Inductance:6.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:38MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:38MHz TPC INDUCTANCE 5828 15UH SAT=1.15A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.1ohm; Courant nominal DC:1.38A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz TPC INDUCTANCE 5828 18UH SAT=1.1A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:1.25A; Fréquence de résonance:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5828; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:20MHz TPC INDUCTANCE 1028 15UH SAT=2.25A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1028; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:22MHz PD2 INDUCTANCE 4532 1.8UH SAT=3.6A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.064ohm; Courant nominal DC:2.7A; Fréquence de résonance:85MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 4532 3.3UH SAT=2.88A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.086ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:55MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 4532 33UH SAT=0.86A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.54ohm; Courant nominal DC:860mA; Fréquence de résonance:16MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:4532; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 2.7UH I=4.0A; Inductance:2.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.045ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:50MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 12 UH I=2.0 A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.11ohm; Courant nominal DC:2A; Fréquence de résonance:24MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE 5848 33 UH I=1.09 A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 15%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.09A; Fréquence de résonance:14MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:5848; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE XL 18UH 2.36A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2.36A; Fréquence de résonance:18MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD2 INDUCTANCE TYPE XL 33UH 1.78A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.12ohm; Courant nominal DC:1.78A; Fréquence de résonance:12MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1054; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HCI INDUCTANCE 2.0UH 7.30MOHM 13A; Inductance:2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.0073ohm; Courant nominal DC:11A; Fréquence de résonance:53MHz; Type de boîtier d'inductance:1040; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PD INDUCTANCE TYPE XXL 820UH 0.95A; Inductance:820è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:950mA; Fréquence de résonance:1.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):1.1A; Fréquence de résonance:1.2MHz; Résistance:0.815ohm PD INDUCTANCE 1030 4.7 UH I=4.0 A; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.031ohm; Courant nominal DC:4A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:42MHz PD INDUCTANCE 1030 15 UH I=2.2 A; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.089ohm; Courant nominal DC:2.2A; Fréquence de résonance:19.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:19.5MHz PD INDUCTANCE 1030 150 UH I=0.7 A; Inductance:150è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.684ohm; Courant nominal DC:700mA; Fréquence de résonance:6.1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:6.1MHz PD INDUCTANCE 1030 22 UH I=1.7 A; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.133ohm; Courant nominal DC:1.7A; Fréquence de résonance:17.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1030; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Fréquence de résonance:17.5MHz PD INDUCTANCE 1050 3.3 UH I=7.5 A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0105ohm; Courant nominal DC:7.5A; Fréquence de résonance:42MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):9A; Fréquence de résonance:42MHz; Résistance:0.0089ohm PD INDUCTANCE 1050 33 UH I=2.5 A; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.079ohm; Courant nominal DC:2.5A; Fréquence de résonance:11.1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.9A; Fréquence de résonance:11.1MHz; Résistance:0.066ohm PD INDUCTANCE 1050 68 UH I=1.9 A; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.132ohm; Courant nominal DC:1.9A; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.2A; Fréquence de résonance:8MHz; Résistance:0.11ohm PD INDUCTANCE LS 1.8UH 7.60A; Inductance:1.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.0095ohm; Courant nominal DC:7.6A; Fréquence de résonance:61MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):10.2A; Fréquence de résonance:61MHz; Résistance:0.0075ohm PD INDUCTANCE LS 10UH 3.80A; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.8A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):4.2A; Fréquence de résonance:22MHz; Résistance:0.025ohm PD INDUCTANCE LS 47UH 1.95A; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.125ohm; Courant nominal DC:1.95A; Fréquence de résonance:9.7MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):2.1A; Fréquence de résonance:9.7MHz; Résistance:0.105ohm PD INDUCTANCE LS 1.0UH 8.50A; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 30%; Résistance DC max.:0.007ohm; Courant nominal DC:8.5A; Fréquence de résonance:98MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1245; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Métal; Courant, Ic (sat):13.9A; Fréquence de résonance:98MHz; Résistance:0.0055ohm PD INDUCTANCE M 39UH 1.11A; Inductance:39è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.23ohm; Courant nominal DC:1.11A; Fréquence de résonance:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.23A; Fréquence de résonance:11MHz; Résistance:0.145ohm PD INDUCTANCE M 82UH 0.84A; Inductance:82è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:840mA; Fréquence de résonance:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7345; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):0.9A; Fréquence de résonance:8MHz; Résistance:0.25ohm PD INDUCTANCE XSH 2.2UH SAT=4.0A; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.049ohm; Courant nominal DC:3.5A; Fréquence de résonance:115MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):4A; Fréquence de résonance:115MHz; Résistance:0.04ohm PD INDUCTANCE XSH 8.2UH SAT=2.1A; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 25%; Résistance DC max.:0.08ohm; Courant nominal DC:2.3A; Fréquence de résonance:47MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:6050; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):2.1A; Fréquence de résonance:47MHz; Résistance:0.066ohm PD INDUCTANCE S 3.3UH 3.42A; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:3.42A; Fréquence de résonance:33MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):4.2A; Fréquence de résonance:33MHz; Résistance:0.024ohm PD INDUCTANCE S 12UH 1.73A; Inductance:12è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.098ohm; Courant nominal DC:1.73A; Fréquence de résonance:22MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.9A; Fréquence de résonance:22MHz; Résistance:0.076ohm PD INDUCTANCE S 18UH 1.41A; Inductance:18è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.14ohm; Courant nominal DC:1.41A; Fréquence de résonance:19.6MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:7332; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Base Material:Plastique; Courant, Ic (sat):1.7A; Fréquence de résonance:19.6MHz; Résistance:0.114ohm INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.1ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, facteur Q:2.52MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:36MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:2.1ohm; Tem INDUCTANCE 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.95ohm; Courant nominal DC:190mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, facteur Q:80MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:190mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:80MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:1ohm; Temp INDUCTANCE 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5.6ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:5.6ohm; Tempéra INDUCTANCE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:180mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:180mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:65MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:1.2ohm; T INDUCTANCE 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.5ohm; Courant nominal DC:165mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, facteur Q:7.96MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:165mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:55MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:1.5ohm; T INDUCTANCE 0.47UH; Inductance:470nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.44ohm; Courant nominal DC:290mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:160MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:290mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:160MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.44o INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:8ohm; Courant nominal DC:110mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, facteur Q:8MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:110mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:8MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:8ohm; Températ INDUCTANCE 15.0UH; Inductance:15è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:2.5ohm; Courant nominal DC:200mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, facteur Q:17MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:200mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:17MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:2.5ohm; Te INDUCTANCE 33.0UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:4ohm; Courant nominal DC:160mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:11MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:160mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:4ohm; Tempér INDUCTANCE 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:14ohm; Courant nominal DC:85mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, facteur Q:3.5MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:85mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:3.5MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:14ohm; Tem INDUCTANCE 47.0UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:5ohm; Courant nominal DC:140mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:3MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:140mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:5ohm; Tempéra INDUCTANCE 0.10UH; Inductance:100nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.18ohm; Courant nominal DC:800mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, facteur Q:300MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:800mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:300MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:35; Résistance:0.18o INDUCTANCE 0.22UH; Inductance:220nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.25ohm; Courant nominal DC:665mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, facteur Q:200MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:665mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:200MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.25o INDUCTANCE 0.33UH; Inductance:330nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.28ohm; Courant nominal DC:605mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, facteur Q:25.2MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:605mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:165MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.28 INDUCTANCE 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.09ohm; Courant nominal DC:2A; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2A; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.9ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 6.8UH; Inductance:6.8è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.17ohm; Courant nominal DC:1.3A; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.3A; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.17ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.16ohm; Courant nominal DC:1.1A; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.1A; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.16ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.58ohm; Courant nominal DC:600mA; Type de boîtier d'inductance:20; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:600mA; Largeur (externe):9.43mm; Longueur/hauteur:13.46mm; Profondeur:3.5mm; Résistance:0.58ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:20 INDUCTANCE 8.2UH; Inductance:8.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.03ohm; Courant nominal DC:5A; Type de boîtier d'inductance:30; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5A; Largeur (externe):9.4mm; Longueur/hauteur:13.46mm; Profondeur:5.9mm; Résistance:0.03ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:30 INDUCTANCE 1000UH; Inductance:1mH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:3.15ohm; Courant nominal DC:300mA; Type de boîtier d'inductance:30; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Largeur (externe):9.4mm; Longueur/hauteur:13.46mm; Profondeur:5.9mm; Résistance:3.15ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:30 INDUCTANCE 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.023ohm; Courant nominal DC:6A; Type de boîtier d'inductance:50; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:6A; Largeur (externe):15.24mm; Longueur/hauteur:18.95mm; Profondeur:7.21mm; Résistance:0.023ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:50 INDUCTANCE 100UH; Inductance:100è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:60mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, facteur Q:10MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:60mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 796kHz; Fréquence de résonance:10MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:20; Résistance:10ohm; Tempéra INDUCTANCE 1.0UH; Inductance:1è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.69ohm; Courant nominal DC:230mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, facteur Q:115MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:230mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:115MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.7ohm; T INDUCTANCE 1.5UH; Inductance:1.5è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.75ohm; Courant nominal DC:210mA; Facteur Q:30; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, facteur Q:90MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:210mA; Facteur Q @ Fréquence:30 @ 7.96MHz; Fréquence de résonance:90MHz; Fréquence, impédance:7.96MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:30; Résistance:0.75ohm; T INDUCTANCE 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.55ohm; Courant nominal DC:260mA; Facteur Q:25; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:135MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:260mA; Facteur Q @ Fréquence:25 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:8mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:25; Résistance:0.55oh INDUCTANCE 10.0UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.6ohm; Courant nominal DC:250mA; Facteur Q:50; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, facteur Q:20MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:250mA; Facteur Q @ Fréquence:50 @ 2.52MHz; Fréquence de résonance:20MHz; Fréquence, impédance:2.52MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:50; Résistance:1.6ohm; Te INDUCTANCE 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:10ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:7MHz; Fréquence, facteur Q:4MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:4MHz; Fréquence, impédance:0.796MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:10ohm; Tempéra INDUCTANCE 0.68UH; Inductance:680nH; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.4ohm; Courant nominal DC:500mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, facteur Q:135MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1812; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:500mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 25.2MHz; Fréquence de résonance:135MHz; Fréquence, impédance:25.2MHz; Largeur, bande:12mm; Matériau du noyau:Ferrite; Q @ Vr F:40; Résistance:0.4ohm INDUCTANCE 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.43ohm; Courant nominal DC:700mA; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:700mA; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.43ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.92ohm; Courant nominal DC:460mA; Type de boîtier d'inductance:10; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:460mA; Largeur (externe):4.78mm; Longueur/hauteur:7.3mm; Profondeur:3.23mm; Résistance:0.92ohm; Type d'inductance:Inductor; Type de boîtier:10 INDUCTANCE 1210 22UH; Inductance:22è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:2.8ohm; Courant nominal DC:150mA; Facteur Q:35; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:150mA; Facteur Q @ Fréquence:35 @ 1MHz; Fréquence de résonance:14MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; INDUCTANCE BOITIER 1210 33UH; Inductance:33è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:3.5ohm; Courant nominal DC:115mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:115mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1MHz; Fréquence de résonance:12MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profonde INDUCTANCE 1210 47UH; Inductance:47è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:4.3ohm; Courant nominal DC:100mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:100mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1MHz; Fréquence de résonance:11MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; INDUCTANCE 1210 68UH; Inductance:68è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:5.5ohm; Courant nominal DC:80mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:80mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 1MHz; Fréquence de résonance:9MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Q @ INDUCTANCE 1210 2.2UH; Inductance:2.2è¾H; Inductance Tolerance:è… 20%; Résistance DC max.:0.097ohm; Courant nominal DC:790mA; Fréquence de résonance:64MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:790mA; Fréquence de résonance:64MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; Q @ Vr F:35; Résistance:0.097ohm; Température de fonctionnement max.. INDUCTANCE 1210 10UH; Inductance:10è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:0.3ohm; Courant nominal DC:450mA; Facteur Q:35; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence de résonance:26MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Profondeur:2mm; Résistance:0.3ohm; Série:LQH32C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tolérance +:10%; Tolérance INDUCTANCE 1210 3.3UH; Inductance:3.3è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1ohm; Courant nominal DC:300mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:300mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:38MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm; INDUCTANCE 1210 4.7UH; Inductance:4.7è¾H; Inductance Tolerance:è… 10%; Résistance DC max.:1.2ohm; Courant nominal DC:270mA; Facteur Q:20; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, facteur Q:1MHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:270mA; Facteur Q @ Fréquence:20 @ 1MHz; Fréquence de résonance:31MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2m INDUCTANCE 1210 220UH; Inductance:220è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:11.8ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5.5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeu INDUCTANCE 1210 330UH; Inductance:330è¾H; Inductance Tolerance:è… 5%; Résistance DC max.:13ohm; Courant nominal DC:65mA; Facteur Q:40; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, facteur Q:796kHz; Matériau du noyau:Ferrite; Type de boîtier d'inductance:1210; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:65mA; Facteur Q @ Fréquence:40 @ 796kHz; Fréquence de résonance:5MHz; Fréquence, test:1MHz; Largeur (externe):2.5mm; Longueur/hauteur:3.2mm; Matériau du noyau:Ferrite; Profondeur:2mm;