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![[TXT]](http://www.audentia-gestion.fr/icons/text.gif){kind=icon}
LED-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:25 3.4M
Joint-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:25 3.4M
Commutateurs-Farnell..> 17-Apr-2013 18:25 2.3M
Analogique-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:24 1.2M
CMS-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:24 6.6M
Logique-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:23 2.1M
Circuit-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:23 2.0M
Regulateur-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:22 2.1M
Tension-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:21 1.4M
Indicateur-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:21 1.4M
Capot-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:21 1.8M
Embase-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:21 7.9M
Convertisseur-Farnel..> 17-Apr-2013 18:20 2.9M
Relais-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:19 2.2M
Dominos-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:19 3.0M
Coffret-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:18 1.9M
Cordon-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:18 4.1M
Diode-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:17 3.5M
Test-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:16 1.2M
Femelle-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:16 15M
Cosse-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:16 1.5M
Male-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:15 17M
Fiche-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:11 3.9M
Jeu-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:09 1.1M
Suppression-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:09 1.4M
Fusible-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:09 2.7M
Foret-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:09 1.5M
Microcontroleur-Farn..> 17-Apr-2013 18:08 2.5M
Thermo-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:08 1.6M
Carte-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:08 3.0M
Flash-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:08 2.7M
Kit-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:07 1.7M
Filtre-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:07 2.0M
XLR-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:06 2.2M
Module-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:06 2.7M
Bague-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:05 2.7M
Transistor-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:05 4.7M
Prise-Farnell.htm 17-Apr-2013 18:04 2.8M
Radial-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:33 1.9M
Capteurs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:26 3.4M
Aimants-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:26 3.4M
Accessoires-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:25 2.9M
Adaptateurs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:25 3.1M
Alimentation-Farnell..> 17-Apr-2013 07:24 3.7M
Afficheurs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:24 3.1M
Ampli-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:23 4.7M
Ampoules-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:23 4.7M
Coffrets-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:22 5.7M
Transformateurs-Farn..> 17-Apr-2013 07:21 5.0M
Adhesifs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:20 5.4M
Condensateurs-Farnel..> 17-Apr-2013 07:20 7.0M
Capteurs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:26 3.4M
Aimants-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:26 3.4M
Accessoires-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:25 2.9M
Adaptateurs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:25 3.1M
Alimentation-Farnell..> 17-Apr-2013 07:24 3.7M
Afficheurs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:24 3.1M
Ampli-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:23 4.7M
Ampoules-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:23 4.7M
Coffrets-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:22 5.7M
Transformateurs-Farn..> 17-Apr-2013 07:21 5.0M
Adhesifs-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:20 5.4M
Condensateurs-Farnel..> 17-Apr-2013 07:20 7.0M
Radial-Farnell.htm 17-Apr-2013 07:18 1.9M
AOP-Farnell.htm 16-Apr-2013 16:17 4.4M
Dykem-Farnell.htm 16-Apr-2013 12:03 2.9M
Duracell-Farnell.htm 16-Apr-2013 12:02 2.7M
Raspberry-pi-Farnell..> 16-Apr-2013 12:02 2.8M
Kemet-Farnell.htm 16-Apr-2013 11:43 2.7M
Oscillateurs-Farnell..> 16-Apr-2013 11:43 2.9M
Valeurs-Fixes-Divers..> 12-Apr-2013 19:37 3.2M
Produits-ROHM-Farnel..> 12-Apr-2013 19:23 2.7M
Lames-Farnell.htm 12-Apr-2013 19:23 2.8M
INTERSIL-Farnell.htm 12-Apr-2013 19:22 2.7M
RFID-Farnell.htm 12-Apr-2013 19:21 2.7M
intel-Farnell.htm 12-Apr-2013 19:06 2.9M
pressure_ic-Farnell.htm 12-Apr-2013 18:58 2.9M
Galettes-Farnell.htm 12-Apr-2013 18:58 1.3M
CINCH-SD-LB-CONNECTOR-BACKSHELL
CINCH-12-140-BLOC-DE-TERMINAISON12VOIES
CAMDEN-BOSS-BIM2001-11-EMI-RFI-COFFRET-GRIS-BLIND
SIBA-160016-5A-FUSIBLE-5A-250V-RETARDE-4.5X8MM
SERVISOL-200002000-GREASE-SILICONE-50G
CINCH-DBM25S-CONNECTEUR-SUB-MINIATURE
CINCH-50GP1-CARD-EDGE-CONNECTOR
CINCH-JA7784800000L00-FICHE-MALE-12-VOIES
CINCH-5810130045-HEADER-ENCLOSURE-LE-30WAY
ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
ACCESSOIRE-POUR-BORN..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
ACCESSOIRE-PQ2-10751..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
ACCU.-NIMH-4AH-(2-CE..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
ACCU.-NIMH-4AH--3-CE..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
ACCU.-NIMH-4AH--3-CE..> 14-Dec-2012 08:52 133K
ADAPT-BNC-BHKD-ISOLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
ADAPTATEUR-12V-60W-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
ADAPTATEUR-24V-60W-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
ADAPTATEUR-ATX-20BRO..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
ADAPTATEUR-BNC-BKHD-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
ADAPTATEUR-BNC-DROIT..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
ADAPTATEUR-BNC-EN-T-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
ADAPTATEUR-BNC-TYPE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
ADAPTATEUR-BNC-VERS-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
ADAPTATEUR-BNC-VERS-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
ADAPTATEUR-BNC-VERS-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
ADAPTATEUR-DE-VOYAGE..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
ADAPTATEUR-DROIT-BNC..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
ADAPTATEUR-DROIT-DOU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
ADAPTATEUR-MONTAGE-P..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
ADAPTATEUR-PERIPH.-2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ADAPTATEUR-POUR-MEMO..> 14-Dec-2012 08:54 2.7K
ADAPTATEUR-POUR-MEMO..> 13-Dec-2012 19:02 2.7K
ADAPTATEUR-SERIE-100..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
ADAPTATEUR-U.FL-FEME..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
ADAPTATEUR-U.FL-MALE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
ADAPTATEUR-USB-VERS-..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
ADAPTATEURS.htm 04-Jan-2013 18:16 2.9M
ADAPTOR,-MICROMOT-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
ADHESIF-DOUBLE-FACE-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
ADHESIF-SILICONE-90M..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ADHESIF-SILICONE-310..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
ADHESIVE,-EVOSTICK,-..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-7.6..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-10...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-10...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-10...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-10...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-14...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-20...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
AFFICHEUR-A-LEDS-26...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:37 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
AIMANT-PERMANENT-107..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
ALESOIR-107232.html 14-Dec-2012 08:44 2.8K
ALIMENTATION-10W-MON..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-10W-MON..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-10W-MON..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-10W-MON..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-10W-MON..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-10W-MON..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-15W-MON..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-15W-MON..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-15W-MON..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-20W-CHA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-20W-CHA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-20W-CHA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-20W-CHA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-20W-CHA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-20W-CHA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-100W-9V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-100W-9V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
ALIMENTATION-100W-12..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-100W-12..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-100W-15..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-100W-15..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-100W-24..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-100W-24..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-100W-48..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-100W-48..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
ALIMENTATION-120W-EX..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ALIMENTATION-120W-EX..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-120W-EX..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-120W-EX..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-120W-EX..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-120W-EX..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-500W-24..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-500W-24..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-500W-48..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-500W-48..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-600W-12..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-600W-12..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-600W-24..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ALIMENTATION-600W-24..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-600W-48..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
ALIMENTATION-600W-48..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ALIMENTATION-A-DECOU..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-5..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
ALIMENTATION-CA-CC-1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ALIMENTATION-POUR-MC..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
ALIMENTATIONS.htm 04-Jan-2013 18:32 3.3M
ALTERNISTOR-25A-1200..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
ALTERNISTOR-40A-600V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMP.htm 05-Jan-2013 11:08 2.4M
AMPLI-AUDIO-CMS-1W-B..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-AUDIO-CMS-1W-B..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AMPLI-AUDIO-CMS-1W-S..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-AUDIO-CMS-1W-S..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AMPLI-AUDIO-CMS-DOUB..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
AMPLI-CMS-AUTO-ZERO-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
AMPLI-CMS-AUTO-ZERO-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
AMPLI-CMS-AVEC-FILTR..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-CMS-DIFFERENTI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-CMS-DIFFERENTI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-CMS-DIFFERENTI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-D´INSTRUMEN..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-D´INSTRUMEN..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-DC-LOG-500MHZ-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-DE-PUISSANCE-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-DIFFIRENTIEL-V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMPLI-JFET-CMS-QUADR..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
AMPLI-JFET-CMS-R-R-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-JFET-CMS-R-R-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
AMPLI-OP-240MHZ-1079..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-OP-BASSE-PUISS..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-BIFET-10943..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMOS-7611-D..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMPLI-OP-CMOS-PROGRA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS--SORTIE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
AMPLI-OP-CMS--SORTIE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS--SORTIE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-1.2-GHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-OP-CMS-1.2-GHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AMPLI-OP-CMS-1018165..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-CMOS-PR..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DIFFERE..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DIFFERE..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DIFFERE..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DIFFERE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLI-OP-CMS-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-ECHANTI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-CMS-ENTREE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
AMPLI-OP-CMS-HAUTE-T..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-HAUTE-T..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-MICROPO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUAD-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUAD-CM..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUAD-RA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUAD-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUAD-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUAD-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-QUADRUP..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-RA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-TO..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-TO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAIL-TO..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
AMPLI-OP-CMS-RAPIDE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLI-OP-CMS-SIMPLE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-OP-CMS-SIMPLE-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
AMPLI-OP-CMS-SIMPLE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-OP-CMS-SIMPLE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-OP-CMS-VOLT-FB..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
AMPLI-OP-COMPENSE-DI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-AUDI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-CMOS..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-FAIB..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-FAIB..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-FAIB..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-JFET..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-LOW-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-RAIL..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-RAPI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-DOUBLE-RAPI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-E-S-RAIL-RA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-FAIBLE-DIST..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLI-OP-HAUTE-PRECI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-HAUTE-PRECI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-HAUTE-TENSI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-HIGH-CURREN..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-IMPROVED-CA..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
AMPLI-OP-JFET-DIP8-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-JFET-FAIBLE..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLI-OP-MOS-IP-CMOS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMPLI-OP-POUR-THERMO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMPLI-OP-QUAD-HIGH-P..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-OP-RAPIDE-1079..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLI-OP-RAPIDE-1079..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMPLI-OP-RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLI-RF-FAIBLE-BRUI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
AMPLI-RF-FAIBLE-BRUI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
AMPLI-RF-FAIBLE-BRUI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLI.htm 05-Jan-2013 11:13 3.8M
AMPLIFICATEUR-A-GAIN..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLIFICATEUR-AUDIO-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLIFICATEUR-AUDIO-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLIFICATEUR-AUDIO-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
AMPLIFICATEUR-CONTRO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLIFICATEUR-CONTRO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´E..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´E..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´E..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´E..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´I..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´I..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´I..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´I..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´I..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLIFICATEUR-D´I..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
AMPLIFICATEUR-DOUBLE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
AMPLIFICATEUR-MMIC-1..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
AMPLIFICATEUR-MMIC-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
AMPLIFICATEUR-VIDEO-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
AMPLIFICATEUR.htm 05-Jan-2013 11:23 4.0M
AMPLIFICATEURFICATEU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
AMPLIFIER,-UNIVERSAL..> 14-Dec-2012 08:42 2.7K
AMPOULE--50W-24V-CAP..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
AMPOULE-50W-12V-CAPS..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
ANALYSEUR-DE-SPECTRE..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
ANTENNE-1096142.html 14-Dec-2012 08:39 2.7K
ATOMISER-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
ATOMISER-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ATTACHE-ADHEVISE-POU..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ATTACHE-REGLABLE-DET..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
ATTACHE-REGLABLE-DET..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
ATTACHE-REGLABLE-DET..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ATTACHES-ADHESIVES-P..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
ATTACHES-ADHESIVES-P..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
BAGUE-DE-COULEUR-BLA..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-BLA..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-BLE..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-BLE..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-GRI..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-GRI..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-MAR..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-MAR..> 13-Dec-2012 19:03 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-ROU..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-ROU..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-VER..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
BAGUE-DE-COULEUR-VER..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
BAGUE-JAUNE-POUR-CON..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
BAGUE-JAUNE-POUR-CON..> 13-Dec-2012 19:03 2.9K
BAGUE-ORANGE-POUR-CO..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
BAGUE-ORANGE-POUR-CO..> 13-Dec-2012 19:03 2.9K
BALISE-8-TONS-JAUNE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
BALL-DRIVE,-EPICYCLI..> 14-Dec-2012 08:50 2.8K
BARETTE-MTA-2V-10563..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BARETTES-SECABLES-RA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
BARRETTE-DE-CONNEXIO..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
BARRETTE-DE-CONNEXIO..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
BARRETTE-DE-CONNEXIO..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
BARRETTE-SECABLE-105..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
BARRETTE-SECABLE-109..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
BARRETTE-SECABLE-DOU..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BARRETTE-SECABLE-DOU..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
BATTERIE-NIMH-3-V600..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
BATTERIE-NIMH-3-V600..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BATTERIE.htm 05-Jan-2013 11:23 4.0M
BELT-SANDER,-230V,-E..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
BENCH-DRILL,-EURO-PL..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
BEZEL,-WITH-20X4-LCD..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BLOC-CONTACT-1N-O---..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
BLOC-CONTACT-1N-O-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BLOC-CONTACT-2N-C-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BLOC-CONTACT-2N-O-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BLOC-D´ARRET-1017..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
BLOC-DE-COUPE-106572..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
BLOC-DE-COUPLAGE-PQ2..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
BLOC-DE-JONCTION-MKK..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
BLOC-DE-SECURITE-GRI..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
BLOCK-CONTACTS-10823..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BLOCK-CONTACTS-10823..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BLOW-TORCH,-BURNER,-..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
BOITE-DE-JONCTION-10..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
BOITE-DE-JONCTION-10..> 14-Dec-2012 08:38 2.9K
BOITE-DE-JONCTION-10..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
BOITE-DE-STOCKAGE-CM..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
BOITIER-22AWG.-12-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
BOITIER-24AWG.-4-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BOITIER-24AWG.-20-VO..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BOITIER-70.5X50.5X35..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BOITIER-90X60X20-109..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
BOITIER-100X50X25-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BOITIER-100X100X35-C..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BOITIER-100X100X35-C..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
BOITIER-100X100X50-C..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
BOITIER-100X100X50-C..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BOITIER-100X100X60-C..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
BOITIER-100X100X60-C..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
BOITIER-100X100X75-C..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BOITIER-ABS-GRIS-100..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR-100..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-NOIR.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
BOITIER-ABS-RFI-NOIR..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
BOITIER-ABS-WATERTIG..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
BOITIER-ABS-WATERTIG..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
BOITIER-ABS-WATERTIG..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
BOITIER-ABS-WATERTIG..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
BOITIER-BASE-EG-45-G..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
BOITIER-BASE-ME-225-..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
BOITIER-CAP-KIT-ME-2..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
BOITIER-CARDMASTER-3..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
BOITIER-CARDMASTER-3..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BOITIER-CIRCULAIRE.htm 05-Jan-2013 11:25 5.0M
BOITIER-DE-RANGEMENT..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
BOITIER-DVD-3X-NOIR-..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
BOITIER-DVD-3X-NOIR...> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
BOITIER-DVD-8X-NOIR-..> 14-Dec-2012 08:56 2.8K
BOITIER-DVD-8X-NOIR...> 13-Dec-2012 19:03 2.8K
BOITIER-FEM.-CONTACT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
BOITIER-FEMELLE-6-VO..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
BOITIER-FEMELLE-6-VO..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
BOITIER-FEMELLE-8-VO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BOITIER-KIT-EMG-45-B..> 14-Dec-2012 08:39 2.7K
BOITIER-MALE-CONTACT..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
BOITIER-MALE-CONTACT..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BOITIER-ME-MAX-62-SC..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
BOITIER-ME-MAX-62-SP..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
BOITIER-ME-MAX-175-3..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
BOITIER-ME-MAX-225-2..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
BOITIER-ME-MAX-225-3..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
BOITIER-MOULE-IP54-5..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-5..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-5..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-9..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-9..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-9..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-1..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-1..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-1..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
BOITIER-MOULE-IP54-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
BOITIER-MOULE-IP65-9..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
BOITIER-MTA-FEMELLE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BOITIER-MTA-FEMELLE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BOITIER-MTA-FEMELLE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BOITIER-MTA-FEMELLE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
BOITIER-POLYCARBONAT..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
BOITIER-UEGM-25-1082..> 14-Dec-2012 08:42 2.7K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE---PLOT-DE-TEST..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-BLA..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-BLE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-BLE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-JAU..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-NOI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-ROU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-ROU..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
BORNE-4MM-ISOLEE-VER..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE-4MM-MONTAGE-PA..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BORNE-4MM-MONTAGE-PA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
BORNE-D´ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BORNE-DE-TERRE-2.5-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BORNE-DE-TERRE-6-10M..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
BORNE-FUSIBLE-101540..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
BORNE-RAIL-DIN-3-NIV..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
BORNE-RAIL-DIN-D´..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
BORNIER-4-VOIES-5.00..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
BORNIER.htm 05-Jan-2013 11:33 5.0M
BOUCHON-CPC-ETANCHE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
BOUCHON-CPC-ETANCHE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
BOUCHON-FEMELLE-SERI..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
BOUCHON-FEMELLE-SERI..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
BOUCHON-MALE-SERIE-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
BOUCHON-PROTECTEUR-M..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
BOUCHON-SERINGUE-10M..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
BOUTON-COMPTE-TOURS-..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
BOUTON-POUSS.PLASTIQ..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BOUTON-POUSS.PLASTIQ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BOUTON-POUSS.PLASTIQ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-1072..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
BOUTON-POUSSOIR-EN-M..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-IP67..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-META..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-META..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-META..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-META..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-META..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-PLAS..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
BOUTON-POUSSOIR-ROND..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
BOUTON.htm 05-Jan-2013 11:49 4.8M
BOX,-POTTING,-25X25X..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
BOX,-POTTING,-40.5X1..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
BOX,-POTTING,-40X40X..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
BOX,-POTTING,-45X30X..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
BP-PLASTIQUE-MOMENTA..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
BP-VERROUILLABLE-MET..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
BP-VERROUILLABLE-PLA..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
BROCHE-AUTODENUDANTE..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
BT-PLUG-TO-PLUG-631A..> 14-Dec-2012 08:53 2.8K
BT-PLUG-TO-PLUG-631A..> 13-Dec-2012 19:01 2.8K
BUCK-REG-CMS-5970-SO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
BUCK-REG-CMS-5973-HS..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
BUFFER-VIDEO-A-GAIN-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
BUFFER-VIDEO-A-GAIN-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
BUSE-18AWG-INOXIDABL..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
BUSE-19-AWG-INOXIDAB..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
BUSE-20AWG-PLASTIQUE..> 14-Dec-2012 08:38 2.8K
BUSE-21-AWG-INOXYDAB..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
BUSE-DE-SOUDAGE-POUR..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
BUSE-DE-SOUDAGE-POUR..> 14-Dec-2012 08:48 2.8K
BUSE-POUR-STATION-DE..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
BUSE.-ANTISTATIQUE.-..> 14-Dec-2012 08:40 2.8K
BUSE.-PISTOLET-A-DES..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
BUSE.-PISTOLET-A-DES..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
BUZZER,-ELECTROMECH,..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
BUZZER,-ELECTROMECH,..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CABLE-ASSEMBLE-DE-PU..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CABLE-D´ASSEMBLAG..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
CABLE-D´ASSEMBLAG..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
CABLE-D´ASSEMBLAG..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
CABLE-DE-DONNEE-SATA..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
CABLE-DE-DONNEE-SATA..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CABLE-DE-MISE-A-LA-T..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
CABLE-DE-PUISSANCE-S..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
CABLE-DE-SIGNAL-SATA..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
CABLE-DE-SIGNAL-SATA..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
CABLE-EN-NAPPE-10-VO..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
CABLE-EN-NAPPE-10-VO..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CABLE-ISP-POUR-KIT-8..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
CABLE-NAPPE-FFC-6-VO..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-8-VO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-10-V..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-12-V..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-14-V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-16-V..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-20-V..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-26-V..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CABLE-NAPPE-FFC-30-V..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CABLE-POUR-CABLE-D6F..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
CABLE.htm 05-Jan-2013 11:48 4.2M
CABOCHON-105988.html 14-Dec-2012 08:40 2.8K
CACHE-ME-MAX-B-225-K..> 14-Dec-2012 08:39 2.7K
CAISSE-A-OUTILS-1059..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
CALCULATOR,-SCIENTIF..> 14-Dec-2012 08:48 2.8K
CALIBRATOR,-SOUND-LE..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CALL-POINT,-RED,-470..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
CALL-POINT,-RED,-470..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAMDEN-BOSS-BIM2001-..> 04-Jan-2013 17:29 2.3M
CAN-8-BITS-CMS-2-CAN..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CAN-8-BITS-CMS-4-CAN..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAN-8-BITS-CMS-4-CAN..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAN-8-BITS-CMS-10782..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-10-BITS-CMS-4-CA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CAN-10-BITS-CMS-4CH-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-10-BITS-CMS-4CH-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-10-BITS-CMS-8CH-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-10-BITS-CMS-1078..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-12-BITS-3V-10794..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAN-12-BITS-1079289...> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAN-12-BITS-1079356...> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-12-BITS-1079357...> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-12-BITS-1079358...> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAN-12-BITS-1079424...> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-1-CA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-1-CA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-1.2M..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-2-CA..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-2-CA..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-2.7V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-2CH-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-2CH-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-4CH-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-8CH-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-8CH-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-1078..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-1078..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-MULT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-MULT..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-MULT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-12-BITS-CMS-SAR-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-14-BITS-CMS-1078..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-14-BITS-CMS-1078..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-2-CH..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-3-CH..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-100K..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-100K..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-250-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-SAR-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-SAR-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-16-BITS-CMS-SAR-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-22-BITS-CMS-DELT..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-22-BITS-CMS-DELT..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAN-24-BITS-CMS-3-VO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAN-24-BITS-CMS-6-VO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPACITOR.htm 05-Jan-2013 11:48 3.7M
CAPOT-105432.html 14-Dec-2012 08:47 2.8K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-LA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
CAPOT-BLINDE-IP68-SZ..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
CAPOT-DOUBLE-ENTREE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
CAPOT-DOUBLE-ENTREE-..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
CAPOT-DOUBLE-ENTREE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
CAPOT-DOUBLE-ENTREE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
CAPOT-IP68-SZ12-1007..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAPOT-IP68-SZ14-1007..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAPOT-IP68-SZ16-1007..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAPOT-IP68-SZ18-1007..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
CAPOT-IP68-SZ18.html 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-IP68-SZ20-1007..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
CAPOT-IP68-SZ20.html 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
CAPOT-LARGE-ENTREE-D..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 14-Dec-2012 08:52 3.0K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 14-Dec-2012 08:55 3.0K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 14-Dec-2012 08:52 3.0K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
CAPOT-METAL-ANTIPOUS..> 13-Dec-2012 19:01 3.0K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPOT-METALLIQUE-ET-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPOT-METALLISE-SUB-..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
CAPOT-METALOK-8V-105..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAPOT-NOIR-1082525.html 14-Dec-2012 08:39 2.8K
CAPOT-POUR-ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:57 3.0K
CAPOT-POUR-ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
CAPOT-POUR-ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
CAPOT-POUR-ALIMENTAT..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
CAPOT-POUR-ALIMENTAT..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
CAPOT-POUR-HAN-10152..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
CAPOT-POUR-SUB-D-9P-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
CAPOT-POUR-SUB-D-15P..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
CAPOT-POUR-SUB-D-15P..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
CAPOT-POUR-SUB-D-25P..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
CAPOT-POUR-SUB-D-37P..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
CAPOT-PROTECTION-108..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CAPOT-PROTECTION-108..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
CAPOT-SUB-D-15-VOIES..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
CAPOT-SUB-D-25-VOIES..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
CAPOT-SUB-D-25VOIES-..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
CAPOT-SUB-D-37-VOIES..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
CAPOT-SUB-D-METALLIS..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
CAPOT-SUB-D-NOIR-9-V..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
CAPOT.htm 05-Jan-2013 11:51 2.7M
CAPTEUR-A-EFFET-HALL..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CAPTEUR-A-EFFET-HALL..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CAPTEUR-DE-DEBIT-NOR..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-DEBIT-NOR..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPTEUR-DE-DEBIT-NOR..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CAPTEUR-DE-DEBIT-NOR..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-90..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-90..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-HO..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-RE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-RE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-RE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-VE..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-VE..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-VE..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-XT..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-XT..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CAPTEUR-DE-NIVEAU-XT..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CAPTEUR-DE-POSITION-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-POSITION-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-POSITION-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CAPTEUR-DE-POSITION-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CAPTEUR-DE-POSITION...> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CAPTEUR-DE-TEMPERATU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAPTEUR-DE-TEMPERATU..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPTEUR-DE-TEMPERATU..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CAPTEUR-EFFET-HALL-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CAPTEUR-PIEZO-FILM-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
CAPTEUR-PIEZO-FILM.html 13-Dec-2012 19:02 3.0K
CAPTEUR-REED-1079473..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAPTEUR-REED-1079474..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPTEUR-REED-1079476..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAPTEUR-REED-1079477..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAPTEUR-REED-1079478..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPTEUR-REED-1079479..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPTEUR-REED-1079480..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CAPTEUR-REED-1079481..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CAPTEUR-REED-1079482..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAPTEUR-REED-1079483..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CAPTEUR-REED-1079484..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAPTEUR-REED-1079485..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CAPTEUR-REED-1079486..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CAPTEUR-REED-1079488..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CAPTEUR-TEMP.-ANALOG..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CAPTEUR.htm 05-Jan-2013 12:03 3.3M
CAPUCHON-DE-SECURITE..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CAPUCHON-ETANCHE-108..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CAPUCHON-ETANCHE-108..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CAPUCHON-ETANCHE-108..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
CAPUCHON-ETANCHE-108..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
CAPUCHON-NOIR-108252..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
CAPUCHON-ROUGE-10825..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CAPUCHON-VERTICALE-1..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
CARTE-A-BORNES-10763..> 14-Dec-2012 08:39 2.7K
CARTE-PCI-1-PORT-RS2..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
CARTE.htm 05-Jan-2013 12:30 2.3M
CARTRIDGE,-LABEL,-WH..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CASIER-104903.html 14-Dec-2012 08:46 3.0K
CASIER-104904.html 14-Dec-2012 08:46 3.0K
CASQUES-1004564.html 14-Dec-2012 08:54 3.0K
CASQUES.html 13-Dec-2012 19:02 3.0K
CAVALIER-2.54MM-ETAI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CAVALIER-CMS-1022336..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
CD-R--PQ-25--IMPRIMA..> 14-Dec-2012 08:54 2.7K
CD-R--PQ-25--IMPRIMA..> 13-Dec-2012 19:02 2.7K
CD-R--PQ-25--SPINDLE..> 14-Dec-2012 08:54 2.7K
CD-R--PQ-25--SPINDLE..> 13-Dec-2012 19:02 2.7K
CD-R--PQ-50--SPINDLE..> 14-Dec-2012 08:56 2.7K
CD-R--PQ-50--SPINDLE..> 13-Dec-2012 19:03 2.7K
CD-R--PQ-100--IMPRIM..> 14-Dec-2012 08:54 2.7K
CD-R--PQ-100--IMPRIM..> 13-Dec-2012 19:02 2.7K
CD-R--PQ-100--SPINDL..> 14-Dec-2012 08:57 2.7K
CD-R--PQ-100--SPINDL..> 13-Dec-2012 19:03 2.7K
CD-R-SIMPLE-1004622...> 14-Dec-2012 08:54 2.7K
CD-R-SIMPLE.html 13-Dec-2012 19:02 2.7K
CD-RW-SIMPLE-1004623..> 14-Dec-2012 08:54 2.7K
CD-RW-SIMPLE.html 13-Dec-2012 19:02 2.7K
CDR,-SUDOKU-MASTER-1..> 14-Dec-2012 08:48 2.7K
CELLULE-PHOTO-ELECTR..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
CF-HEADER-STD-2MM-ST..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CF-TYPE-1-BAS-PROFIL..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CHAIN,-6X600MM-10580..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
CHAIN,-10X800MM-1058..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
CHALUMINIUMMEAU-PANN..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
CHARGEUR-DE-BATTERIE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CHASSIS-HAN-10E-42DD..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
CHASSIS-HAN-10E-42DD..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
CHOKE.htm 05-Jan-2013 12:30 2.6M
CHUCK,-KEYLESS,-3-JA..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CI-ME-LP-1082637.html 14-Dec-2012 08:41 2.7K
CI-P1-UEGM-1082601.html 14-Dec-2012 08:41 2.8K
CINCH-12-140-BLOC-DE..> 04-Jan-2013 17:56 2.3M
CINCH-50GP1-CARD-EDG..> 04-Jan-2013 17:44 2.3M
CINCH-581-01-18-920-..> 04-Jan-2013 18:03 2.3M
CINCH-5810130045-HEA..> 04-Jan-2013 18:07 2.3M
CINCH-DBM25S-CONNECT..> 04-Jan-2013 17:44 2.3M
CINCH-JA7784800000L0..> 04-Jan-2013 17:56 2.3M
CINCH-SD-LB-CONNECTO..> 04-Jan-2013 17:29 2.3M
CIRCUIT-16-BITS-CMS-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-16-BITS-CMS-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-16-BITS-CMS-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-16-BITS-CMS-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-CAPTEUR-DE-T..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CIRCUIT-CAPTEUR-DE-T..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CIRCUIT-D´ALIMENT..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CIRCUIT-D´ALIMENT..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CIRCUIT-D´ALIMENT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-D´ALIMENT..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CIRCUIT-D´ALIMENT..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CIRCUIT-D´ALIMENT..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CIRCUIT-D´INTERFA..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-D´INTERFA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CIRCUIT-DDM-3-3-4-DI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CIRCUIT-DE-CONTROL-D..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CIRCUIT-DE-SUPERVISI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CIRCUIT-DE-SUPERVISI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CIRCUIT-DE-SUPERVISI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CIRCUIT-DE-SUPERVISI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE--74A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE--74A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE--74A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
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CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CIRCUIT-LOGIQUE-SERI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CIRCUIT-MODULE-DE-PU..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-MODULE-DE-PU..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-MODULE-DE-PU..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CIRCUIT-MODULE-DE-PU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-MODULE-DE-PU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CIRCUIT-PFC-PWM-1013..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CIRCUIT-SUPERVISEUR-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CIRCUIT.htm 05-Jan-2013 12:30 2.6M
CLAVIER-LUMINEUX-101..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CLE-A-MOLETTE-105215..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CLE-A-MOLETTE-105216..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
CLE-A-MOLETTE-105217..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
CLE-A-MOLETTE-105218..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
CLE-A-OEUIL-ISOLEE-8..> 14-Dec-2012 08:40 2.8K
CLE-A-OEUIL-ISOLEE-1..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
CLE-PLATE-11MM-10801..> 14-Dec-2012 08:36 2.8K
CLE-PLATE-JEU-104685..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CLE-PLATE-JEU-METRIQ..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CLE-POUR-ECROU-3.0-1..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
CLE-POUR-ECROU-3.2-1..> 14-Dec-2012 08:38 2.8K
CLE-POUR-ECROU-5.5-1..> 14-Dec-2012 08:38 2.8K
CLES-POLYGONALES-A-C..> 14-Dec-2012 08:38 2.9K
CLIP-ACIER-ETD-34-10..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CLIP-ACIER-ETD-39-10..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CLIP-ACIER-ETD-44-10..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
CLIP-ACIER-ETD-49-10..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
CLIP-CABLE-ADHESIF-T..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CLIP-CABLE-ANTI-TRAC..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CLIP-CABLE-IP65.-TAI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CLIP-CABLE-IP65.-TAI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CLIP-CABLE-IP65.-TAI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CLIP-CABLE-IP65.-TAI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CLIP-CABLE-IP65.-TAI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CLIP-CABLE-IP65.-TAI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CLIP-DE-CABLE-ADHESI..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
CLIP-DE-MAINTIEN-PQ2..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
CLIP-DE-POLARISATION..> 14-Dec-2012 08:38 2.9K
CLIP-MY-LY-RELAIS-2P..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CLIP-POUR-SUPPORT-RE..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
CMS-SONAR-RANGING-CM..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CMS-SONAR-RANGING-CM..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CNA-12-BITS-CMS-SAR-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CODEC-24-BITS-AUDIO-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CODEC-24-BITS-AVEC-R..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CODEUR-6-CYCLES-TR-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COFFRET-A-MAIN-BLANC..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COFFRET-A-MAIN-BLANC..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COFFRET-A-MAIN-NOIR-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COFFRET-A-TIROIR-BLE..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
COFFRET-ABS-35X35X15..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
COFFRET-ABS-35X35X15..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
COFFRET-ABS-35X35X20..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-ABS-40X40X15..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
COFFRET-ABS-40X40X15..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
COFFRET-ABS-40X40X20..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
COFFRET-ABS-40X40X20..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
COFFRET-ABS-40X40X20..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ABS-50X50X20..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
COFFRET-ABS-50X50X20..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
COFFRET-ABS-80X40X15..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-ABS-117X79X2..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
COFFRET-ABS-117X79X2..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-117X79X2..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
COFFRET-ABS-117X79X2..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
COFFRET-ABS-117X79X2..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
COFFRET-ABS-117X79X2..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
COFFRET-ABS-147X89X2..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-147X89X2..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-147X89X2..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-ABS-1094700...> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
COFFRET-ABS-1094703...> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
COFFRET-ABS-ETANCHE-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-ABS-IP65-COU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-ACIER-AE-IP6..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
COFFRET-ACIER-AE-IP6..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
COFFRET-ACIER-AE-IP6..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALU-MOULE-12..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
COFFRET-ALU-MOULE-12..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
COFFRET-ALU-MOULE-15..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
COFFRET-ALUMINIUM-ET..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
COFFRET-ALUMINIUM-ET..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
COFFRET-ALUMINIUM-ET..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COFFRET-ALUMINUM-30X..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-45X..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-54X..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-54X..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-54X..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-54X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-54X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-54X..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-ALUMINUM-64X..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-DOUILLES-1-4..> 14-Dec-2012 08:37 2.9K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-GRP-IP65-GRI..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-H=150-L=300-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COFFRET-H=200-L=300-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COFFRET-H=200-L=300-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COFFRET-H=200-L=400-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COFFRET-H=200-L=400-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COFFRET-H=300-L=400-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
COFFRET-IP67-EX-GRIS..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
COFFRET-IP67-EX-TRAN..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
COFFRET-IP67-GRIS-LI..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COFFRET-IP67-GRIS-LI..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COFFRET-IP67-GRIS-LI..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COFFRET-IP67-GRIS-LI..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COFFRET-IP67-GRIS-LI..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COFFRET-IP67-GRIS-LI..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COFFRET-IP67-TRANSP...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COFFRET-IP67-TRANSP...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COFFRET-IP67-TRANSP...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COFFRET-IP67-TRANSP...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-MOULE-IP65-G..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
COFFRET-NOIR-AVEC-FE..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COFFRET-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COFFRET-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COFFRET-POLYCARBONAT..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COFFRET-POLYPROPYLEN..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
COFFRET-POLYPROPYLEN..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
COFFRET-POLYPROPYLEN..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
COL-LUMINEUSE-METAL-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLE-D´ETANCHEIT..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COLLE-D´ETANCHEIT..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COLLE-D´ETANCHEIT..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COLLE-D´ETANCHEIT..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
COLLET-SET,-STEEL,-1..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
COLLIER-D´INSTAL-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COLLIER-D´INSTALL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-DIAMETRE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COLLIER-DE-SERRAGE-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-N..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-N..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-N..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-P..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-P..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-P..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-P..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-P..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COLLIER-DE-SERRAGE-P..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
COMMUT-ANALOG-1-OHM-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
COMMUTATEUR-3PDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-3PDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-4PDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-4PDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-A-CLE-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-A-CLE-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-A-CLE-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
COMMUTATEUR-A-GLISSI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMMUTATEUR-A-GLISSI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-A-GLISSI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-A-GLISSI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-A-GLISSI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-A-PIED-D..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COMMUTATEUR-A-PIED-D..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
COMMUTATEUR-A-PIED-D..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COMMUTATEUR-ANALOGIQ..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-ANALOGIQ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-ANALOGIQ..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COMMUTATEUR-ANALOGIQ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-ANALOGIQ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-ANALOGIQ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-ARRET-DÃ..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-BACK-UP-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
COMMUTATEUR-BCD-1082..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-BCD-1082..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-BCD-1082..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-BCD-1082..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-BCD-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
![[ ]](http://www.audentia-gestion.fr/icons/unknown.gif){kind=icon}
COMMUTATEUR-CMS-MUX-..> 14-Dec-2012 08:52 0
COMMUTATEUR-CMS-MUX-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-MUX-..> 14-Dec-2012 08:52 0
COMMUTATEUR-CMS-MUX-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPDT..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPDT..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPST..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPST..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPST..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPST..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATEUR-CMS-SPST..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-DARLINGT..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DECIMAL-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DIL-BCD-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DIL-HEX-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DOUBLE-S..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DOUBLE-S..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-12V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-24V..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-BIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-BIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-CTR..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-CTR..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-NOI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPDT-ROU..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPST-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DPST-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-DPST-ILL..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-DPST-NOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-DPST-NOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-FLOTTANT..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
COMMUTATEUR-FLOTTANT..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
COMMUTATEUR-FLOTTANT..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
COMMUTATEUR-FLOTTANT..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
COMMUTATEUR-FLOTTANT..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
COMMUTATEUR-HEX-1082..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-HEX-1082..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-HEX-1082..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-LAN-CMS-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COMMUTATEUR-LAN-CMS-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-POUSSOIR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMMUTATEUR-QUAD-SPS..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
COMMUTATEUR-REED-5MM..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-REED-5MM..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-REED-20...> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-REED-SPS..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-ROTATIF-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-ROTATIF-..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
COMMUTATEUR-SPDT-103..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
COMMUTATEUR-SPDT-107..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-107..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-BIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-BIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-CAR..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPDT-CTR..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPNC-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-RON..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-RON..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-RON..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-SPN..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-SPN..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-SPN..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-SPN..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMMUTATEUR-SPNO-SPN..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-107..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-108..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMMUTATEUR-SPST-QUA..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
COMMUTATEUR-VIDEO-SP..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATEUR-VIDEO-SP..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COMMUTATUR-SPST-CMS-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATUR-SPST-CMS-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTATUR-SPST-CMS-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMMUTATUR-SPST-CMS-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMMUTEUR-ECLAIRAGE-..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
COMPARATEUR-CMS-DOUB..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMPARATEUR-CMS-DOUB..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COMPARATEUR-CMS-QUAD..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMPARATEUR-DOUBLE-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
COMPTEUR-12VCC-10732..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
COMPTEUR-PRESET-24VC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COMPTEUR-PRESET-220V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COMPTEUR-RESET-24VDC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
COMPTEUR-RESET-110VA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
COMPTEUR-RESET-220VA..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.01UF-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.015UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.015UF..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONDENSATEUR-0.015UF..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.022UF..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.033UF..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONDENSATEUR-0.033UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.033UF..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.047UF..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.068UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.068UF..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.068UF..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.1UF-6..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.1UF-6..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.1UF-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-0.1UF-1..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.1UF-2..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.1UF-2..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.22UF-..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.22UF-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-0.22UF-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.33UF-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-0.33UF-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-0.33UF-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.33UF-..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-0.47UF-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-0.68UF-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-0.68UF-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-1.0NF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-1.0NF-1..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-1.5NF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-1.5NF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-1.5NF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-1UF-63V..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-1UF-63V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-2.2NF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-2.2NF-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-2.2NF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2.2UF-6..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-2.2UF-6..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-2.2UF-4..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-2.2UF-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-3.3NF-6..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-3.3NF-6..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-3.3NF-1..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-3.3NF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-3.3UF-6..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-3.3UF-6..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-4.7NF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-4.7NF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-4.7UF-6..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-4.7UF-6..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-6.8NF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-6.8NF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-6.8UF-6..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-6.8UF-6..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-10NF-63..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-10NF-63..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-10NF-10..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-10NF-10..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-150PF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-150PF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-220PF-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-220PF-1..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-330PF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-330PF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-470PF-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-470PF-1..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-680PF-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-680PF-1..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-2220-0...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
CONDENSATEUR-2824-0...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
CONDENSATEUR-107422...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONDENSATEUR-107423...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-X..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-X..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-X..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-X..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-Y..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-Y..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-Y..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-Y..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-Y..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
CONDENSATEUR-CLASS-Y..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONNCETUR-JACK-SMA-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONNCETUR-JACK-SMA-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONNCETUR-JACK-SMA-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONNCETUR-JACK-SMA-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONNCTEUR-JACK-SMA-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECT.-FFC-FPC-NON..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-´D´..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-3-V-COUD...> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONNECTEUR-3-VOIES-D..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECTEUR-4-VOIES-C..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECTEUR-4-VOIES-D..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-6-V-COUD...> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-6-V-COUD...> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONNECTEUR-6-VOIES-D..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-6-VOIES-D..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-8-V-COUD...> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-8-VOIES-C..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-8-VOIES-D..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-10-V-COUD..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-10-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-10-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONNECTEUR-12-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONNECTEUR-12-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-16-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-40-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-60-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-60-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-80-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-1096841.html 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CONNECTEUR-1096843.html 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CONNECTEUR-1096846.html 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-1098485.html 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-A-ECROU-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
CONNECTEUR-AVEC-COLL..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONNECTEUR-AVEC-COLL..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONNECTEUR-AVEC-COLL..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONNECTEUR-BUS-225-1..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
CONNECTEUR-CARTE-A-P..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-CENTRONIC..> 14-Dec-2012 08:37 2.8K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONNECTEUR-CMS-FFC-F..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONNECTEUR-D-FEM.-CO..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CONNECTEUR-D-FEM.-CO..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CONNECTEUR-DIL-16-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONNECTEUR-DIP14-103..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONNECTEUR-DROIT-SER..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-DUBOX-VER..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-DUBOX-VER..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-DUBOX-VER..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-DUBOX-VER..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-DUBOX-VER..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-FEM-DIN41..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
CONNECTEUR-FEM-DIN41..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
CONNECTEUR-FEMELLE-2..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-FEMELLE-2..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-FEMELLE-5..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-FEMELLE-C..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-FIBRE-ST-..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
CONNECTEUR-FOND-DE-P..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-JACK-SMA-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONNECTEUR-KIT-PSU-1..> 14-Dec-2012 08:57 2.8K
CONNECTEUR-KIT-PSU.html 13-Dec-2012 19:03 2.8K
CONNECTEUR-MALE-CMS-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-MALE-SCSI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-MINI-DIP-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-MSTBT-25-..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
CONNECTEUR-PRESSFIT-..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
CONNECTEUR-SCSI2-FEM..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-SCSI2-FEM..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-SERIE-MMC..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONNECTEUR-SERIE-MMC..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONNECTEUR-SUB-D-BOI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTEUR-SUB-D-FEM..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-SUB-D-FEM..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONNECTEUR-USB-COUDE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-USB-COUDE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONNECTEUR-USB-VERTI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONNECTEUR-Z-PACK-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONNECTION-BOX,-4GAN..> 14-Dec-2012 08:37 2.8K
CONTACT-A--SERTIR-18..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONTACT-A--SERTIR-26..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONTACT-A--SERTIR-26..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-18-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-22-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-22-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-24-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-MAL..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-MAL..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONTACT-A-SERTIR-PQ1..> 14-Dec-2012 08:50 2.8K
CONTACT-COAX-FEMELLE..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
CONTACT-COAX-MALE-10..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
CONTACT-FEMELLE-18-2..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONTACT-FEMELLE-22-2..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONTACT-FEMELLE-22-2..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
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CONTENEUR-UNIVERSEL-..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
CONTRACT-A-SERTIR-36..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONTRACT-A-SERTIR-ET..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONTRACT-A-SERTIR-OR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONTROLEUR-1077127.html 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONTROLEUR-DE-BALLAS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONTROLEUR-DE-CHARGE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONTROLEUR-DE-TEMPER..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONTROLEUR-ETHERNET-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONTROLEUR-HOT-SWAP-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONTROLEUR-HOT-SWAP-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONTROLEUR-IRDA-1084..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONTROLEUR-POUR-MOTE..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
CONTROLEUR-POUR-MOTE..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
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CONTROLEUR-POUR-MOTE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONTROLEUR-PWM--DRIV..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONTROLEUR-PWM--DRIV..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONTROLEUR-PWM-10138..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONTROLEUR-PWM-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONTROLEUR-SYNC.-CMS..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONTROLEUR-SYNC.-CMS..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONTROLEUR-X-PHASE-C..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONVERT-DE-TENSION-7..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-8-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-8-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-12..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-12..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-12..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-12..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-16..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-16..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-AU..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-AU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-A-N-N-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-BOOST-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-BOOST-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-BUCK-C..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CONVERTISSEUR-CAPACI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONVERTISSEUR-CAPACI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-CMS-ST..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-CMS-ST..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-CMS-ST..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-CMS-ST..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-CMS-ST..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 170K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
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CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
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CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC...> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC5..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC1..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC1..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DC1..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DCD..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CONVERTISSEUR-DC-DCS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-DE-DOU..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
CONVERTISSEUR-DE-DOU..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CONVERTISSEUR-DE-DOU..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
CONVERTISSEUR-F-V-V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-8-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-8-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-8-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-8-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-8-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-8-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-10..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-12..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-12..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-14..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-24..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-24..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-24..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-N-A-24..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CONVERTISSEUR-RMS-DC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CONVERTISSEUR-TENSIO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CONVERTISSEUR-USB---..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
CONVERTISSEUR-USB---..> 13-Dec-2012 19:03 2.9K
CONVERTISSEUR.htm 05-Jan-2013 12:29 4.3M
CORDON-ASSEMBLE-TYPE..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
CORDON-ASSEMBLE-TYPE..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
CORDON-BNC-M-F-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-F-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-BNC-M-F-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-BNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-75-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-BNC-M-M-75-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-75-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-BNC-M-M-75-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-BNC-M-M-75-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-CAT-5E-FTP-GR..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CORDON-DE-TEST-AVEC-..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
CORDON-DE-TEST-AVEC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
CORDON-DE-TEST-AVEC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
CORDON-DE-TEST-BLEU-..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
CORDON-DE-TEST-BLEU-..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
CORDON-DE-TEST-BNC-V..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
CORDON-DE-TEST-BNC-V..> 13-Dec-2012 19:03 2.9K
CORDON-DE-TEST-NOIR-..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
CORDON-DE-TEST-ROUGE..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
CORDON-DE-TEST-ROUGE..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
CORDON-DE-TEST-ROUGE..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
CORDON-FTP.0.5M-CAT6..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CORDON-FTP.1.5M-CAT6..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CORDON-FTP.2M-CAT6-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CORDON-FTP.3.5M-CAT6..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CORDON-FTP.4M-CAT6-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CORDON-FTP.5M-CAT6-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
CORDON-MCXM-M-50-OHM..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-MCXM-M-50-OHM..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-N-M-M-50-OHMS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-N-M-M-50-OHMS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-N-M-M-50-OHMS..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-N-M-M-50-OHMS..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-N-M-M-50-OHMS..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SERIAL-ATA-DA..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
CORDON-SERIAL-ATA-PO..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-SMA-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
CORDON-SMB-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SMC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-SPIRALE-4P-NO..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
CORDON-SPIRALE-4P-NO..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
CORDON-SPIRALE-6P-NO..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
CORDON-SPIRALE-8P-NO..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
CORDON-TNC-M-M-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CORDON-USB-2.0-A-MAL..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
CORDON-USB-2.0-A-MAL..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
CORDON.htm 05-Jan-2013 15:12 3.3M
CORDONS-DE-TEST-A-FU..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
CORDONS-DE-TEST-STAN..> 14-Dec-2012 08:36 2.9K
CORPS-DE-CONNECTEUR-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CORPS-DIN41612-FEMEL..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
CORPS-POUR-FICHE-BAN..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CORPS-POUR-FICHE-BAN..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
CORRECTEUR-DE-FACTEU..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
CORUNDUM-DISC,-22MM,..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
CORUNDUM-DISC,-22MM,..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
CORUNDUM-DISC,-38MM,..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
COSSE-A-FOURCHE-3MM-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COSSE-A-OEILLET-12MM..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COSSE-A-SERTIR-2.5MM..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COSSE-A-SERTIR-3MM-J..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COSSE-A-SERTIR-6MM-B..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COSSE-A-SERTIR-BLEUE..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COSSE-A-SERTIR-JAUNE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COSSE-A-SERTIR-ROUGE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
COSSE-FASTON-ROUGE-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
COSSE-FOURCHE-M6-BLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COSSE-FOURCHE-SOLIST..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
COSSE-OEILLET-M5-PQ1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
COSSE-OEILLET-M6-PQ5..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
COSSE-PIDG-FOURCHE-M..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
COUPE-CIRCUIT-0.5A-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COUPE-CIRCUIT-0.5A.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COUPE-CIRCUIT-1-POLE..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
COUPE-CIRCUIT-1.0A-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
COUPE-CIRCUIT-1.0A.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COUPE-CIRCUIT-2-POLE..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
COUPE-CIRCUIT-2.0A-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COUPE-CIRCUIT-2.0A.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COUPE-CIRCUIT-3.0A-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COUPE-CIRCUIT-3.0A.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COUPE-CIRCUIT-5.0A-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COUPE-CIRCUIT-5.0A.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COUPE-CIRCUIT-10A-10..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COUPE-CIRCUIT-10A.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
COUPE-CIRCUIT-16A-10..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
COUPE-CIRCUIT-16A.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
COUPLEUR-110V-2P+TER..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COUPLEUR-110V-2P-+TE..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COUPLEUR-240V-2P+TER..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COUPLEUR-240V-2P-+TE..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
COUPLEUR-415V-3P+TER..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
COUPLEUR-415V-3P-+TE..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COUPLEUR-415V-3P-+TE..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
COUPLEUR-415V-3P-N+T..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
COUTEAU-ISOLE-1000V-..> 14-Dec-2012 08:40 2.8K
COUVERCLE-105430.html 14-Dec-2012 08:45 2.9K
COUVERCLE-POUR-BOITI..> 14-Dec-2012 08:38 3.0K
COUVERCLE-POUR-BOITI..> 14-Dec-2012 08:38 3.0K
COUVERCLE-POUR-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
COUVERCLE-POUR-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
COUVERCLE-POUR-BOITI..> 14-Dec-2012 08:38 3.0K
COUVERCLE-POUR-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
COVER,-HINGED,-FOR-C..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
COVER,-HINGED,-FOR-C..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
CRIMP-HOUSING-1.25MM..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CRIMP-PIN-10AWG-1012..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
CRIMP-PIN-22-28AWG-P..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
CRIMP-PIN-22-28AWG-P..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
CRIMP-SOCKET-8AWG-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
CUTTING-DISC,-FOR-DI..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
CUTTING-DISC,-FOR-DI..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
CUTTING-DISC,-FOR-ME..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
DATALOGGER,-4CH-1056..> 14-Dec-2012 08:47 2.7K
DATALOGGER,-HI-RES-1..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
DATALOGGER,-HI-RES-1..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
DATALOGGER-USB-CO-10..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
DATALOGGER-USB-CO.html 13-Dec-2012 19:02 3.0K
DC-DC-CONTROLEUR-340..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DEMI-PONT+OSC+DDTIM-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DETECTEUR-5-MB-TTL--..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
DETECTEUR-DE-DEBIT-D..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DETECTEUR-DE-DEBIT-D..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
DETECTEUR-DE-DEBIT-D..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DETECTEUR-DE-DEBIT-D..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DETECTEUR-DE-DEBIT-D..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
DETECTEUR-DE-NIVEAU-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DETECTEUR-DE-PROXIMI..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
DETECTEUR-DE-PROXIMI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
DETECTEUR-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DETECTEUR-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DETECTEUR-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DETECTEUR-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DETECTEUR-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
DETECTEUR-INFRA-ROUG..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
DETECTEUR-INFRAROUGE..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
DETECTEUR-INFRAROUGE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DETECTEUR-INFRAROUGE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DETECTEUR-INFRAROUGE..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
DIN-41612-MALE-DROIT..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-FEMELLE-B64..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-FEMELLE-C-2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-FEMELLE-C32..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-FEMELLE-C64..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-FEMELLE-C96..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-FEMELLE-H15..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-FEMELLE-MH3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-FEMELLE-R96..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-MALE-B64-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-B64-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-C-2-32..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-MALE-C-2-48..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-C32-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-C32-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-C32-CL..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DIN41612-MALE-C96-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-MALE-F48-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-H15-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-H15-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-MH15-1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-R64-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-MALE-R96-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIN41612-TYPE-B-64-V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPE-B-64-V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPE-C-96-V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPE-F-48-V..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIN41612-TYPE-M-24+8..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIN41612-TYPE-R-48-V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPE-R-96-V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPEC-96-VO..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPEC-96-VO..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DIN41612-TYPEM60+4-V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE--DE-SUPPRESSIO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-2X56A-1200V-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-4A-1075757.html 14-Dec-2012 08:46 3.1K
DIODE-AVALANCHE-2A-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-CMS-1.0A-600V-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-CMS-3A-50V-101..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-CMS-3A-200V-10..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-DE-COMMUTATION..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-DE-COMMUTATION..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-DE-REDRESSEMEN..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-DE-REDRESSEMEN..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
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DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
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DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
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DIODE-DE-SUPPRESSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-DOUBLE-SOT-23-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-DOUBLE-SOT-23-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-DOUBLE-SOT-143..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-DOUBLE-SOT-143..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
DIODE-DOUBLE-SOT-323..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-DOUBLE-SOT-323..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-HAUTE-TENSION-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-HAUTE-TENSION-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-PETIT-SIGNAL-D..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-PETITS-SIGNAUX..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-RAPIDE-BOITIER..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
DIODE-RAPIDE-BOITIER..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DIODE-RAPIDE-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-RAPIDE-SOD-80C..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-RAPIDE-SOD-80C..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
DIODE-REDRESSEMENT-D..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-D..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-R..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-R..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-R..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-R..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-R..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-REDRESSEMENT-R..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-RF-BOITIER-SOT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-RF-COMMUTATION..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-RF-COMMUTATION..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-RF-COMMUTATION..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-RF-DOUBLE-ATTE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-RF-SC-79-10956..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
DIODE-RF-SOT-23-1095..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
DIODE-RF-SOT-23-1095..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
DIODE-RF-SOT-343-109..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
DIODE-SCHOTTKY-1A-30..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-1A-40..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-2.0A-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-2.0A-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-2X5A-..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X10A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X15A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X20A..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X20A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X25A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X30A..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X30A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X35A..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X40A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X40A..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X40A..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X60A..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X60A..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X100..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-2X120..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-3A-20..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-3A-30..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-3A-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-25A-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-25A-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-60A-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
DIODE-SCHOTTKY-10811..> 14-Dec-2012 08:36 3.0K
DIODE-SCHOTTKY-10811..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-MICRO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-DO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-DO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-DO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-DO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-RF-DO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-SOD-3..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-TO-22..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
DIODE-SCHOTTKY-TO-24..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-TO-24..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-TO-24..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-TO-24..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-TO-24..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-SCHOTTKY-TO220..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-TO220AB-30A-80..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-TO220AB-30A-12..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-TO220AC-2X11A-..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-TO247AD-2X28A-..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-TO247AD-2X28A-..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-TO247AD-2X45A-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
DIODE-TO247AD-2X45A-..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-TO247AD-48A-80..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-TO247AD-48A-12..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
DIODE-TO247AD-48A-16..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
DIODE-ULTRA-FAST-2X1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-ULTRA-FAST-2X1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-ULTRA-FAST-2X1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-ULTRA-FAST-8A-..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-ULTRA-FAST-9A-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-ULTRA-FAST-15A..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-1..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-2..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-3..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-C..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
DIODE-ULTRA-RAPIDE-T..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DIODE-VARI-CAP-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DIODE-ZENER-1.3W-5.6..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-10V..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-18V..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-30V..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-47V..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-51V..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-56V..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
DIODE-ZENER-1.3W-75V..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
DIODE-ZENER-1.5W-5.1..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
DIODE-ZENER-1.5W-6.2..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-ZENER-1.5W-8.2..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-ZENER-1.5W-15V..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-ZENER-1.5W-27V..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-ZENER-500MW-2...> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-3...> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-4...> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-4...> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-5...> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-6...> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-6...> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
DIODE-ZENER-500MW-9...> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
DIODE-ZENER-500MW-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
DIODE-ZENER-500MW-11..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-12..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-12..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-18..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIODE-ZENER-500MW-22..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
DIODE-ZENER-500MW-30..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
DIODE-ZENER-500MW-43..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIP-SWITCH-2V-108246..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIP-SWITCH-4V-108246..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
DIP-SWITCH-8V-108246..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIP-SWITCH-10V-10824..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DIP-SWITCH-ROTATIF-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DIP-SWITCH-ROTATIF-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
DISTRIBUTION-D´HO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DISTRIBUTION-D´HO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DISTRIBUTION-D´HO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DOUBLE-TRANSCEIVER-D..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DOUILLE-ROUGE-4MM-PQ..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
DOWNLIGHT,-MAINS,-SI..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
DPM-THERMOMETRE-1074..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRILL-GRINDER,-EURO-..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
DRILL-GRINDER,-EURO-..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
DRILL-STAND-1075595...> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
DRIVER---RECEPTEUR-D..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
DRIVER-CMS-3PH-HI-&-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DRIVER-CMS-AUDIO-HI-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DRIVER-CMS-DEMI-PONT..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DRIVER-CMS-DOUBLE-LO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DRIVER-CMS-HI-&-LO-S..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
DRIVER-CMS-HI-SIDE-O..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DRIVER-CMS-HI-SIDE-Q..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DRIVER-CMS-SIMPLE-HI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DRIVER-DE-LIGNE-1079..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-3PH..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-3PH..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-3PH..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-CMS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-DOU..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-DOU..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-HI-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-SIM..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-MOSFET-SIM..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
DRIVER-DE-PWM-109742..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-CMS..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-CMS..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-CMS..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-CMS..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-CMS..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-CMS..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
DRIVER-DEMI-PONT-SIM..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
DRIVER-HI-&-LO-SIDE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
DVI-I-R-A-RCPT-FORKL..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
DVI-I-R-A-RCPT-FORKL..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ECHELLE-DIN72-0-1MA-..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
ECHELLE-DIN72-1A-101..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
ECHELLE-DIN72-5A-101..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
ECHELLE-DIN72-60MV-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
ECHELLE-DIN96-0-1MA-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
ECHELLE-DIN96-4-20MA..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
ECHELLE-DIN96-60MV-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
ECLAIRAGE-MURAL-BLAN..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
ECLAIRAGE-TRIPLE-SPO..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
ECROU-BNC-TNC-102096..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
ECROU-LAITON-PLAQUE-..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
ECROU-LAITON-PLAQUE-..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
ELASTOMER,-BLACK,-17..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
ELASTOMER,-CLEAR,-18..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
ELECTROMECH-TRANSDUC..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE--CMS-DOUBLE-R..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE--CMS-DOUBLE-R..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE--CMS-DOUBLE-R..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE--CMS-DOUBLE-R..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE--CMS-DOUBLE-R..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE--COUDEE-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE--COUDEE-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE--COUDEE-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE--COUDEE-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-2-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-3-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-3-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-4-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-4-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-5-VO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-5-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-6-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-6-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-8-VO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-8-VO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-10-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-10-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-20-V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-36-V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-1-RANGEE-36-V..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-3-V..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-3-V..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-4-V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-4-V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-5-V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-5-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-6-V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-6-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-8-V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-8-V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-10-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-10-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-36+..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-2-RANGEES-36+..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-3-POLES-10774..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-3.96MM-12-VOI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-4-POLES-10774..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-4-RANGEES-4-P..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-5-POLES-10774..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-8-POLES-10774..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-A-4-ENTREES-S..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
EMBASE-A-PROFIL-SURB..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
EMBASE-A-PROFIL-SURB..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-A-RIVET-10148..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
EMBASE-A-RIVET-10148..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-BANANE-4MM-IS..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BLINDEE-BNC-F..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BLINDEE-BNC-F..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-BLINDEE-BNC-F..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BLINDEE-BNC-F..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BNC-FEMELLE-I..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-BNC-ISOLEE-PA..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-BNC-PANNEAU-5..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-CI-4-VOIES-90..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
EMBASE-CI-COUDE.-20-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-CI-COUDE.-26-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-CI-COUDE.-34-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE-CI-COUDE.-50-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-CMS-COMPACT-F..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-CMS-VERTICALE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-CMS-VERTICALE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-CMS-VERTICALE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-CMS.-6-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-COUDEE-2-VOIE..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-COUDEE-2-VOIE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-COUDEE-3.96MM..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-COUDEE-3.96MM..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-COUDEE-3.96MM..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
EMBASE-COUDEE-3.96MM..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-COUDEE-3.96MM..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-COUDEE-6-VOIE..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-COUDEE-6-VOIE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-COUDEE-9-VOIE..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-COUDEE-9-VOIE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-COUDEE-10-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-COUDEE-14-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-COUDEE-16-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-COUDEE-20-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-COUDEE-26-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-COUDEE-34-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-COUDEE-50-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-COUDEE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-COUDEE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-COUDEE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
EMBASE-DE-COLLIERS-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DE-FAISCEAU-3..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
EMBASE-DF17-2MM-40-V..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-DF17-2MM-80-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-DF17-3MM-80-V..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-DF17-4MM-40-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-DF17-4MM-80-V..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-DOUBLE-RANGEE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-DOUBLE-RANGEE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-DROITE-6-VOIE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-8-VOIE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DROITE-10-VOI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-DROITE-10-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-10-VOI..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-DROITE-13-VOI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DROITE-14-VOI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-DROITE-14-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-16-VOI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DROITE-16-VOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-20-VOI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DROITE-26-VOI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-DROITE-26-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-26-VOI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
EMBASE-DROITE-30-VOI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE-DROITE-34-VOI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-DROITE-34-VOI..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-DROITE-40-VOI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-DROITE-40-VOI..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE-DROITE-50-VOI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-DROITE-50-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-50-VOI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-50-VOI..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
EMBASE-DROITE-DOUBLE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE-DROITE-DOUBLE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-DROITE-DOUBLE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE-DROITE-DOUBLE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-DROITE-DOUBLE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMBASE-DROITE-STD-50..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-DROITE-VERROU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-F-HE10-DROIT-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-F-HE10-DROIT-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMEL.DROITE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMEL.DROITE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMEL.DROITE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMEL.DROITE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMEL.DROITE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-4V-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-FEMELLE-6P-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-6P-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-6V-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-FEMELLE-6V-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-7P-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-8-VOI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-FEMELLE-8P-10..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-FEMELLE-10P-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-FEMELLE-19P-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-FEMELLE-26P-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-FEMELLE-32P-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-FEMELLE-CI-90..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-FEMELLE-CI-90..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-FEMELLE-CI-90..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-FEMELLE-CI-VE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-FEMELLE-CMS-S..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-DROIT..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-R-A-2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-FEMELLE-VERTI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-HE10-10P-1099..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-IDC--6-VOIES-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-IDC--10-VOIES..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-IDC--14-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC--16-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC--20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC--20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC--26-VOIES..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-IDC--34-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC--34-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC--50-VOIES..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-IDC--60-VOIES..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
EMBASE-IDC-D.-FILETE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-IDC-D.-FILETE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-IDC-D.-NON-FI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-IEC-FILTREE-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-ISOLE-BNC-FEM..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-ISOLE-BNC-FEM..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-ISOLE-COUDEE-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-ISOLEE-BNC-FE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-JACK.6-POSITI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-M-HE10-COUDE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-COUDE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-COUDE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-COUDE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-COUDE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-DROIT-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-DROIT-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-M-HE10-DROIT-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-3-POLES-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-3V-10777..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-MALE-4V-10777..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-MALE-6P-10791..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-6V-10777..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-MALE-6V-10777..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-MALE-6V-10777..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-MALE-10-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-10-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-16-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-16V-1097..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-MALE-20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-26-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-26P-1079..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
EMBASE-MALE-26V-1097..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-MALE-26V-1097..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-MALE-26V-1097..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-MALE-34-VOIES..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-90DEG-20..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-MALE-90DG-1RG..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-90DG-1RG..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-MALE-90DG-2RG..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-MALE-90DG-2RG..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
EMBASE-MALE-DIL-90DG..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-MALE-DROITE-D..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-DROITE-D..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-DROITE-D..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-DROITE-U..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-DROITE-U..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
EMBASE-MALE-PROTEGEE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-MALE-PROTEGEE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMBASE-MALE-PROTEGEE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-MALE-PROTEGEE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMBASE-MALE-PROTEGEE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-MALE-SIL-90DG..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-MALE-VERTICAL..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-MALE-VERTICAL..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-MINI-FIT-COUD..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
EMBASE-MINI-FIT-COUD..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
EMBASE-MINI-FIT-COUD..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
EMBASE-MINI-FIT-COUD..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
EMBASE-MODULAIRE-RJ4..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
EMBASE-MONTEE-SUR-GO..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
EMBASE-MSTBO-25--3-G..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
EMBASE-MSTBO-25--3-G..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
EMBASE-MSTBO-25--4-G..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
EMBASE-MSTBO-25--4-G..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
EMBASE-PANNEAU-POAG-..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
EMBASE-POUR-COLLIER-..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
EMBASE-POUR-COLLIER-..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
EMBASE-POUR-COLLIER-..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
EMBASE-PROLONGEE-DOU..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-PROLONGEE-DOU..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-PROLONGEE-DOU..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-PROLONGEE-DOU..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-RELAIS-(PQ5)-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
EMBASE-RELAIS-RAIL-D..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-RELAIS-RAIL-D..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
EMBASE-RELAIS-RAIL-D..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE-RELAIS-RAIL-D..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
EMBASE-RJ45-CAT.-6-P..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-SMA-A-ECROU-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-SMA-CI-DROITE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE-SMA-PANNEAU-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE-SUB-D-COUDEE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
EMBASE-SUB-D-COUDEE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMBASE-SUB-D-HD-FEME..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
EMBASE-SUB-D-HD-FEME..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-SUB-D-HD-FEME..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
EMBASE-UNE-RANGEE-36..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
EMBASE-UNE-RANGEE-36..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMBASE-VERTICALE-DOU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
EMBASE.-COUDE.-2-VOI..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE.-COUDE.-2-VOI..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMBASE.-COUDE.-6-VOI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE.-COUDE.-8-VOI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE.-COUDE.-10-VO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE.-COUDE.-24-VO..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
EMBASE.-MICROFIT.-CO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE.-MICROFIT.-CO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE.-VERTICAL.-4-..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
EMBASE.-VERTICAL.-6-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE.-VERTICAL.-8-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
EMBASE.-VERTICAL.-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
EMBASE.-VERTICAL.-20..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
EMBASE.-VERTICAL.-20..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
EMBASE.-VERTICAL.-24..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
EMBASE.-VERTICAL.-24..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
EMBASE.2.54MM.htm 05-Jan-2013 15:12 4.4M
EMBOUT-22AWG-PLASTIQ..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
EMBOUT-38MM-BLANC-10..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
EMBOUT-38MM-BRUN-106..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
EMBOUT-DE-PIED-10664..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
EMBOUT-NYLON-1.3-4-1..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
EMBOUT-POUR-MAILLET-..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
EMBOUT-POUR-VIS-A-FE..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
EMETTEUR-INFRAROUGE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
EMETTEUR-ULTRASONIC-..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ENCODEUR-OPTIQUE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
ENCODEUR-OPTIQUE-100..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
ENCODEUR-OPTIQUE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
ENGRAVER-BIT,-SOLID-..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
ENROULEUR-IP44-15M-1..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
ENTRETOISE-SUB-D-CI-..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
EQUERRE-108345.html 14-Dec-2012 08:42 2.8K
ETIQUETTE-19-X-76.2-..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
ETIQUETTE-STOP-10823..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
ETIQUETTES-´LEAD-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
ETUI-DE-TRANSPORT-10..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
EXTRACTEUR-105498.html 14-Dec-2012 08:45 2.8K
FAISCEAU-DE-CABLES-1..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
FAISCEAU-DE-CABLES.html 13-Dec-2012 19:02 3.1K
FASQUE-D´EXTREMIT..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
FAX-ROLL,-210MMX15M-..> 14-Dec-2012 08:50 2.7K
FAX-ROLL,-210MMX30MX..> 14-Dec-2012 08:47 2.7K
FAX-ROLL,-210MMX100M..> 14-Dec-2012 08:50 2.7K
FEMELLE-BNC-DROITE-R..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FER-A-SOUDER-1018758..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
FEUILLE-ADHESIVE-101..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
FIBRE-CUT-DISC,-22MM..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
FIBRE-CUT-DISC,-22MM..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
FIBRE-CUT-DISC,-38MM..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
FICHE-2MM-BLEU-PQ5-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-2MM-EMPILABLE-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-2MM-EMPILABLE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-2MM-EMPILABLE-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-2MM-JAUNE-PQ5-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-2MM-NOIR-PQ5-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-2MM-ROUGE-PQ5-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-2MM-VERT-PQ5-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-4-POLES-FEMELL..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-4MM-BLANC-PQ5-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-4MM-BLEU-PQ5-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-4MM-EMPILABLE-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-4MM-EMPILABLE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-4MM-JAUNE-PQ5-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-4MM-NOIRE-PROT..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-4MM-ROUGE-PQ5-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-4MM-ROUGE-PQ5-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-6-POLES-FEMELL..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-6-POLES-MALE-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-BANANE-EMPILAB..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-BANANE-EMPILAB..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-BANANE-EMPILAB..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-BNC-50-OHM-RG5..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-BNC-50-OHM-RG2..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-BNC-MALE-ISOLE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-BNC-MALE-ISOLE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-D-IDC-FILETE-9..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-D-IDC-NON-FILE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-D-IDC-NON-FILE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-DE-SECURITE-1...> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-DE-SECURITE-2M..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-DE-SECURITE-A-..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
FICHE-DE-SECURITE-A-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-DE-SECURITE-FE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-DE-TEST-MALE-4..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
FICHE-DE-TEST-MALE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
FICHE-DE-TEST-MALE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
FICHE-DE-TEST-MALE-4..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
FICHE-DE-TEST-MALE-4..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
FICHE-DE-TEST-MALE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
FICHE-DE-TEST-MALE-N..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FICHE-DE-TEST-MALE-R..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
FICHE-DE-TEST-MALE-R..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
FICHE-DIN-41612-C64-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-FEM.-CMS-64-VO..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
FICHE-FEM.-CMS-64-VO..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
FICHE-FEM.-CMS-64-VO..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
FICHE-FEM.-CMS-64-VO..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
FICHE-FEMELLE-2P-107..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-FEMELLE-3-POLE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-3-POLE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-3P-107..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-3V-107..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-4-POLE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-4-POLE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-FEMELLE-4-POLE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-4V-107..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-FEMELLE-6-VOIE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-FEMELLE-6P-107..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-FEMELLE-6V-107..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-FEMELLE-6V-107..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-FEMELLE-6V-107..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-8P-107..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-FEMELLE-19P-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-FEMELLE-22-18-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-FEMELLE-26P-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-32P-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-90DEG-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-FEMELLE-90DEG-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-FEMELLE-90DEG-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-FEMELLE-A-SERT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-BU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-BU..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-BU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-CO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-IS..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-ST..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-FEMELLE-BNC-ST..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-1...> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-FEMELLE-CMS-SA..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-FEMELLE-COUDEE..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
FICHE-FEMELLE-DROITE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-FEMELLE-DROITE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-DROITE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-DROITE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-DROITE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-FEMELLE-DROITE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-FEMELLE-MONTAG..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
FICHE-FEMELLE-MONTAG..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
FICHE-FEMELLE-MONTAG..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
FICHE-FEMELLE-MONTAG..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
FICHE-FEMELLE-MONTAG..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
FICHE-FEMELLE-MONTAG..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
FICHE-FEMELLE-PANNEA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-FEMELLE-PG7-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-FEMELLE-PG8-10..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
FICHE-FEMELLE-PG8.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
FICHE-FEMELLE-SCSI2-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-FEMELLE-SUB-D-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-FEMELLE-USB-CO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-FEMELLE-USB-CO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-FEMELLE-VERTIC..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-IDC-D-METAL-15..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-IDC-D-METAL-37..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-JACK-BNC-BULKH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-JACK-BNC-BULKH..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-JACK-BNC-BULKH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-JACK-BNC-DROIT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-JACK-DROITE-50..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-JACK-DROITE-75..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-JACK-TNC-DROIT..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-LIBRE-MALE-8-V..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-2P-107942..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-MALE-2P-107956..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-MALE-3-POLES-B..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-3-POLES-V..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-MALE-3V-107771..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-MALE-4-POLES-R..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-MALE-4MM-EMPIL..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-MALE-4MM-EMPIL..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-MALE-4MM-MOULE..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
FICHE-MALE-4MM-MOULE..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
FICHE-MALE-4MM-MOULE..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
FICHE-MALE-4MM-MOULE..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
FICHE-MALE-4V-107770..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-6P-107894..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-6V-107770..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-MALE-6V-107771..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-7P-107895..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-8-POLES-J..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
FICHE-MALE-8P-107896..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-10P-10789..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-10P-10795..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-MALE-12P-10789..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-16A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
FICHE-MALE-16A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
FICHE-MALE-16A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
FICHE-MALE-16A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FICHE-MALE-19P-10789..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-19P-10794..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-MALE-32A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
FICHE-MALE-32A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FICHE-MALE-32A-IP44-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
FICHE-MALE-32P-10790..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-90DEG-9-V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-90DEG-9-V..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-90DEG-15-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-90DEG-25-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-90DEG-37-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-BNC-COUDE..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-MALE-BNC-COUDE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-BNC-COUDE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-BNC-COUDE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-BNC-DROIT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-BNC-DROIT..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-MALE-CHASSIS-2..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
FICHE-MALE-CI-1.25MM..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CI-1.25MM..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CI-1.25MM..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CI-1.25MM..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-MALE-CI-1.25MM..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-MALE-CMS-1.25M..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-MALE-CMS-SATA-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-COUDE-SAT..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-COUDEE-TY..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-15..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-25..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-38..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-38..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-50..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-BN..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-BN..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-BN..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-BN..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-BN..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-BN..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-MALE-DROITE-SA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FICHE-MALE-FOURCHE-4..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
FICHE-MALE-FOURCHE-4..> 14-Dec-2012 08:53 2.9K
FICHE-MALE-FOURCHE-4..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FICHE-MALE-LIBRE-32A..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
FICHE-MALE-LIBRE-BLE..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FICHE-MALE-LIBRE-ROU..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
FICHE-MALE-LIBRE-ROU..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
FICHE-MALE-PANNEAU-B..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-MALE-SMA-COUDE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-SMA-DROIT..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-SMA-DROIT..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-SMA-DROIT..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-MALE-SMA-DROIT..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-MALE-SMA-DROIT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
FICHE-MALE-SMB-COUDE..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-MALE-SUB-D-25-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-SUB-D-37-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
FICHE-MALE-UHF-DROIT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-N-DROITE-50-OH..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FICHE-N-DROITE-50-OH..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
FICHE-N-DROITE-50-OH..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
FICHE-NOIR-4MM-(PQ5)..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-ROUGE-4MM-(PQ5..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-1..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-2..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
FICHE-SECU-FEMELLE-4..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
FICHE-SECURITE-1.5MM..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FICHE-SECURITE-A-SER..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
FICHE-TNC-DROITE-50-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
FIL.htm 05-Jan-2013 15:12 3.9M
FILTRE-EXTRACTION-DE..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
FILTRE-VIDEO-CMS-AVE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FILTRE.htm 05-Jan-2013 15:10 3.4M
FIN-DE-COURSE-103469..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FIN-DE-COURSE-103470..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103471..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103473..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
FIN-DE-COURSE-103474..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
FIN-DE-COURSE-103487..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103488..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103489..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103490..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103491..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
FIN-DE-COURSE-103492..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FIN-DE-COURSE-103493..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
FIXATION-1004149.html 14-Dec-2012 08:57 2.8K
FIXATION-ADHESIVE-10..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
FIXATION-ADHESIVE-10..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
FIXATION-ADHESIVE-DO..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
FIXATION-COFFRET-H=2..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
FIXATION-MURALE--PQ-..> 14-Dec-2012 08:57 2.7K
FIXATION-MURALE--PQ-..> 13-Dec-2012 19:03 2.7K
FIXATION-MURALE-1022..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
FIXATION-POUR-CAPOT-..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
FIXATION.html 13-Dec-2012 19:03 2.8K
FLAP-WHEEL,-20X10MM-..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
FLAP-WHEEL,-30X10MM-..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
FLASQUE-D´EXTREMI..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
FLIPCHART,-TRIPOD-10..> 14-Dec-2012 08:43 2.7K
FLIPCHART-PADS,-80GS..> 14-Dec-2012 08:45 2.7K
FLOAT-COMMUT-HORIZ-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
FLOAT-COMMUT-HORIZ.html 13-Dec-2012 19:01 3.2K
FLOW-COMMUTATEUR-15M..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
FLOW-COMMUTATEUR-15M..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
FLOW-COMMUTATEUR-BRA..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
FLOW-COMMUTATEUR-BRA..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
FLOW-COMMUTATEUR-BRA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
FLOW-COMMUTATEUR-BRA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
FOND-DE-LEGENDE-VERT..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
FORET-1-4-HSS-100579..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-1-4-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-1-8-HSS-100571..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-1-8-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-1-16HSS-100567..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-1-16HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-3-8-HSS-100587..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
FORET-3-8-HSS.html 13-Dec-2012 19:03 2.9K
FORET-3-16HSS-100575..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
FORET-3-16HSS.html 13-Dec-2012 19:03 2.9K
FORET-3-32-HSS-10056..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-3-32-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-5-16HSS-100583..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-5-16HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-5-32-HSS-10057..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-5-32-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-5-64-HSS-10056..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-5-64-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-7-16HSS-100591..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-7-16HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-7-64-HSS-10057..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
FORET-7-64-HSS.html 13-Dec-2012 19:03 2.9K
FORET-9-64-HSS-10057..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
FORET-9-64-HSS.html 13-Dec-2012 19:03 2.9K
FORET-11-32-HSS-1005..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
FORET-11-32-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-11-64-HSS-1005..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-11-64-HSS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-A-ETAGES-4-20M..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
FORET-A-ETAGES-6-18M..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
FORET-A-ETAGES-20-30..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
FORET-BRADRAD-8-38MM..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
FORET-BRADRAD-10-20M..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
FORET-CONIQUE-3MM-TI..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-CONIQUE-3MM-TI..> 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-DE-MACONNERIE-..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
FORET-DE-MACONNERIE-..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
FORET-DE-MACONNERIE-..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
FORET-DE-MACONNERIE-..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
FORET-HSS-0.8MM-1042..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
FORET-HSS-1.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-1.6MM-1007..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-HSS-1.6MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-1.8MM-1007..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-1.8MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-1MM-100716..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-2.0MM-1007..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-2.0MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-2.05MM-100..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-2.3MM-1007..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-2.3MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-2.9MM-1007..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-2.9MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-3.3MM-1007..> 14-Dec-2012 08:55 2.9K
FORET-HSS-3.3MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-3.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-HSS-3.5MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-3MM-100725..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-4.2MM-1007..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-4.2MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-4.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-5.1MM-1007..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-5MM-100731..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-HSS-5MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-6.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-6.8MM-1007..> 14-Dec-2012 08:55 2.9K
FORET-HSS-6.8MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-6MM-100733..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-6MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-7.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-HSS-7.5MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-7MM-100736..> 14-Dec-2012 08:55 2.9K
FORET-HSS-7MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-8.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-HSS-8.5MM.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-8MM-100739..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-8MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-9.5MM-1007..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-9MM-100741..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
FORET-HSS-10.2MM-100..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-10.2MM.html 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-10.5MM-105..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
FORET-HSS-10M-100743..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
FORET-HSS-10M.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
FORET-HSS-11.0MM-105..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
FORET-HSS-11.5MM-105..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
FORET-HSS-12.0MM-105..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
FORET-HSS-12.5MM-105..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
FORET-HSS-13.0MM-105..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
FORET-HSS-JEU-DE-13-..> 14-Dec-2012 08:52 2.8K
FORET-HSS-JEU-DE-13-..> 13-Dec-2012 19:01 2.8K
FORET-HSS-JEU-DE-19-..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-JEU-DE-19...> 13-Dec-2012 19:01 2.9K
FORET-HSS-JEU-DE-25-..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
FORET-HSS-JEU-DE-25...> 13-Dec-2012 19:01 2.8K
FORET.htm 05-Jan-2013 15:10 3.6M
FOURCHE-TEST-45-DEG-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
FRAISE-CONIQUE-10067..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
FRAISE-CONIQUE-10067..> 14-Dec-2012 08:52 2.8K
FRAISE-CONIQUE-10421..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
FRAISE-CONIQUE-MALE-..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
FRAISE-CONIQUE.html 13-Dec-2012 19:01 2.8K
FREIN-D´ECROU-BNC..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
FRESNEL-LENTILLE-POU..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
FRESNEL-LENTILLE-POU..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
FUSIBLE-1A-FLUKE-106..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
FUSIBLE-630MA-FLUKE-..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
FUSIBLE.htm 05-Jan-2013 15:15 3.8M
GAINE-ISOLANTE-1MM-N..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-1MM-R..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-2MM-B..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-2MM-N..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-2MM-R..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-3MM-B..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-3MM-G..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-3MM-M..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-3MM-N..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-3MM-R..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-4MM-B..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-4MM-G..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-4MM-G..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-4MM-N..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-4MM-R..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-6MM-B..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-6MM-G..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-6MM-G..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-6MM-N..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
GAINE-ISOLANTE-7MM-N..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-ISOLANTE-8MM-N..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
GAINE-THERMO-NOIRE-3 14-Dec-2012 08:52 0
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO-NOIRE-3..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
GAINE-THERMO.-2 14-Dec-2012 08:52 0
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-BL..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-CL..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-JA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-MA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-MA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-MA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-MA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-MA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-MA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-NO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-RO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-VE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-VE..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-VE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-VE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-2-1-VE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.-VERT-J..> 14-Dec-2012 08:52 0
GAINE-THERMO.-VERT-J..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
GAINE-THERMO.E-2 14-Dec-2012 08:55 0
GAINE.htm 05-Jan-2013 15:19 3.3M
GEAR-KNOB,-FLASHING,..> 14-Dec-2012 08:45 2.7K
GLUE-GUN,-EURO-PLUG,..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
GLUE-STICK,-SPARE,-7..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
GUIDE-DE-SERTISSAGE-..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
GUIDE-DE-SERTISSAGE-..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
GUIDE-POUR-BROCHE-AU..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
Galettes-Farnell.htm 12-Apr-2013 18:42 1.3M
HASP,-89MM-1058002.html 14-Dec-2012 08:40 2.7K
HASP,-153MM-1058004...> 14-Dec-2012 08:46 2.7K
HASP,-FOR-ROUND-PADL..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
HASP,-WITH-HINGE,-20..> 14-Dec-2012 08:40 2.7K
HAUT-PARLEUR-50MM-8-..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
HAUT-PARLEUR-66MM-8-..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
HAUT-PARLEUR-85MM-8-..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
HAUT-PARLEUR-ANTI-VA..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
HAUT-PARLEUR-BLANC-1..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
HEAD-TORCH,-RECHARGE..> 14-Dec-2012 08:53 2.8K
HEAD-TORCH,-RECHARGE..> 13-Dec-2012 19:01 2.8K
HEADSET,-Y-TRAINING-..> 14-Dec-2012 08:40 2.7K
HORLOGE-TEMPS-REEL-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
HYGROMETER,-THERMO,-..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
HYGROMETER,-THERMO,-..> 13-Dec-2012 19:03 3.0K
IC,-8BIT-FLASH-MCU,-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
IC,-8BIT-FLASH-MCU,-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
IC,-8BIT-FLASH-MCU,-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
IC-8-BIT-CMOS-MCU-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
IC-8-BIT-EEPROM-MCU-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
IC-8-BIT-MCU-OTP-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
IC-8-BIT-MCU-OTP-108..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
IC-CMOS-OP-AMP-10842..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
IC-CMOS-SCC-8MHZ-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
IC-CMS-8-BIT-CMOS-MC..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
IC-CMS-8-BIT-MCU-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
IC-CMS-8-BIT-MCU-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
IC-CMS-CMOS-SCC-8MHZ..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
IC-CMS-COUNTER-TIMER..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
IC-COMMS-CONTROLLER-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
IC-CPU-(Z80B)-108187..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
IC-DART-Z80B-1081863..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
IC-PIO-Z80---8MHZ-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
IC-SIO-O-Z80-6MHZ-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
IC-SM-SMPS-20W-SMART..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
IDENTI-TAIL-TPE-BRN-..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
IDENTI-TAIL-TPE-GRY-..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
INDICATEUR-CHARGE-BA..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
INDICATEUR-CHARGE-BA..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
INDICATEUR-CHARGE-BA..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
INDICATEUR-CHARGE-BA..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
INDICATEUR-CHARGE-BA..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
INDICATEUR-CORPS-CAR..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
INDICATEUR-CORPS-RON..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INDICATEUR-DE-TENSIO..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
INDICATEUR-DE-TENSIO..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
INDICATEUR-DIN48-10A..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDICATEUR-DIN48-25A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDICATEUR-DIN48-300..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
INDICATEUR-DIN72-5A-..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDICATEUR-DIN72-5A-..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
INDICATEUR-DIN72-10A..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
INDICATEUR-DIN72-10A..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
INDICATEUR-DIN72-10V..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
INDICATEUR-DIN72-30A..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDICATEUR-DIN72-40V..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
INDICATEUR-DIN72-45-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
INDICATEUR-DIN72-50A..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
INDICATEUR-DIN72-50A..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDICATEUR-DIN72-60V..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
INDICATEUR-DIN72-150..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDICATEUR-DIN72-150..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDICATEUR-DIN72-300..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
INDICATEUR-DIN72-500..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
INDICATEUR-DIN72-SUR..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
INDICATEUR-DIN72-SUR..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
INDICATEUR-DIN72-SUR..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
INDICATEUR-METAL-DIA..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
INDICATEUR-PRO-DIN72..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
INDICATEUR-PRO-DIN72..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
INDUCTANCE-0.01MH-10..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-0.015MH-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-0.022MH-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-0.033MH-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-0.047MH-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-0.068MH-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-0.1MH-107..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-0.15MH-10..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-0.33MH-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-0.47MH-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-0.68MH-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-1.0MH-1.6..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-1.0MH-107..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-4.7MH-107..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-10MH-1077..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-15MH-1077..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-22MH-1077..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-22UH-11A-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-33MH-1077..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-47MH-1077..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-47UH-8.5A..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-68MH-1077..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-68UH-6.2A..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-100UH-5.4..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-100UH-7.8..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-150UH-4.0..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-220UH-3.5..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-220UH-5.5..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-300H-3.0A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-330UH-2.8..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE-330UH-4.5..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-470UH-2.3..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-470UH-4.0..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INDUCTANCE-680UH-2.0..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INDUCTANCE-2200UH-0...> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
INDUCTANCE.htm 05-Jan-2013 15:30 4.2M
INDUCTOR.htm 05-Jan-2013 16:07 3.6M
INLET,-240V,-WALL-MO..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
INLET,-415V,-WALL-MO..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
INLET,-415V,-WALL-MO..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
INS-TAPE-50MM-X-33M-..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
INTERFACE-BUS-CAN-CM..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
INTERFACE-DE-LIGNE-P..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
INTERRUPTEUR-A-PEDAL..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
INTERRUPTEUR-ON-OFF-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INTERRUPTEUR-ON-OFF-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INTERRUPTEUR-ON-OFF-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INTERRUPTEUR-ON-OFF-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INTERRUPTEUR-POUSSOI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INTERRUPTEUR-REED-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
INTERRUPTEUR-REED-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
INTERRUPTEUR-REED-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
INTERRUPTEUR-REED-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
INTERRUPTEUR-REED-20..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
INTERRUPTEUR-REED-20..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
INTERRUPTEUR-SELECTE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
INTERRUPTEUR-SPDT-A-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
INTERRUPTEUR-SPDT-A-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
INTERRUPTEUR-SPDT-A-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INTERRUPTEUR-SPDT-A-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
INTERRUPTEUR-SPNO-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INTERRUPTEUR-SPNO-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
INTERRUPTEUR-SPNO-CH..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INTERRUPTEUR-SPNO-RO..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
INTERRUPTEUR-SPNO-VE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
INTERRUPTEUR-THERMIQ..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
ISOLATEUR-NUMERIQUE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ISOLATEUR-NUMERIQUE-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
ISOLATEUR-NUMERIQUE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
ISOLATEUR-NUMERIQUE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
ISOLATEUR-NUMERIQUE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ISOLATEUR-NUMERIQUE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
ISOPROPANOL-1LTR-106..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
JEU-DE-CALES-1.5-A-2..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
JEU-DE-FORETS-TUNGST..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
JEU-DE-FORETS-TUNGST..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
JEU-DE-FORETS-TUNGST..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
JEU-DE-FORETS-TUNGST..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
JEU-DE-FORETS-TUNGST..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
JEU-DE-PINCES-105412..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
KEY-CHAIN-RECORDER-1..> 14-Dec-2012 08:47 2.7K
KEYBOARD,-COMPACT,-C..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
KIT-ADAPTATEUR-DE-FE..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
KIT-COSSES-PLASTI-GR..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
KIT-CPC5-SERRE-CABLE..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
KIT-CPC6-LARGE-ENTRE..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
KIT-D´EVALUATION-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
KIT-DE-BUSES-NZKT-1-..> 14-Dec-2012 08:48 2.8K
KIT-DE-BUSES-NZKT-2-..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
KIT-DE-CONDENSATEUR-..> 14-Dec-2012 08:52 2.9K
KIT-DE-CONDENSATEUR-..> 13-Dec-2012 19:01 2.9K
KIT-DE-CONNECTEURS-P..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
KIT-DE-CONNECTEURS-P..> 14-Dec-2012 08:56 2.8K
KIT-DE-CONNECTEURS-P..> 14-Dec-2012 08:56 2.8K
KIT-DE-CONNECTEURS-P..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
KIT-DE-DEVELOPPEMENT..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
KIT-DE-FIXATION-SERI..> 14-Dec-2012 08:48 2.8K
KIT-DE-FIXATION-SERI..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
KIT-DE-FIXATION-SERI..> 14-Dec-2012 08:48 2.8K
KIT-DE-FIXATION-SERI..> 14-Dec-2012 08:50 2.8K
KIT-DE-RADCCORDEMENT..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
KIT-DE-RADCCORDEMENT..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
KIT-DE-RADCCORDEMENT..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
KIT-DE-TEST-2MM-1011..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
KIT-DE-TEST-2MM.html 13-Dec-2012 19:02 3.0K
KIT-DE-TEST-DE-SECUR..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
KIT-DE-TEST-DE-SECUR..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
KIT-DE-TEST-DE-SECUR..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
KIT-DE-TEST-MICRO-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
KIT-EPOXY-1015688.html 14-Dec-2012 08:49 2.8K
KIT-MOTEUR-3-PH-24V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
KIT-SOUDAGE-106601.html 14-Dec-2012 08:46 2.8K
KIT.htm 05-Jan-2013 16:07 3.0M
LAME-DE-SCIE-105788...> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
LAME-DE-SCIE-PQ10-10..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
LAME-DE-SCIE-PQ10.html 13-Dec-2012 19:03 2.9K
LAME-DE-SCIE-SAUTEUS..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
LAME-DE-SCIE-SAUTEUS..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
LAME-DE-SCIE-SAUTEUS..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
LAME-DE-SCIE-SAUTEUS..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
LAME-DE-SCIE-SAUTEUS..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
LAME-POUR-SCIE-A-MET..> 14-Dec-2012 08:52 3.0K
LAME-POUR-SCIE-A-MET..> 13-Dec-2012 19:01 3.0K
LAME-REVERSIBLE-2.0N..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LAME-REVERSIBLE-4.0H..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
LAMPE-LOUPE-+-LENTIL..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LAMPE-LOUPE-9W-ESD-S..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
LAMPE-TUBE-18W-AWDCE..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
LAMPE-TUBE-ETANCHE-R..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
LAMPE-UNIVERSELLE-36..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
LAMPHOLDER,-BC,-PERP..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
LAMPHOLDER,-PENDANT,..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
LAMPHOLDER,-PENDANT-..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
LEAD,-EXTENSION,-6-4..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
LED--5MM-ROUGE-HE-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED--5MM-YELL.-10455..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-1.8MM-JAUNE-1045..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-1.8MM-ROUGE-1045..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-1.8MM-ROUGE-HE-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-1.8MM-VERT-10454..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-3MM-12V-ROUGE-HE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-AMBRE-100313..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-3MM-AMBRE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-BLEU-1003308..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-BLEU.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-JAUNE-50-DEG..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-JAUNE-50-DEG..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-JAUNE-100319..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-3MM-JAUNE-100320..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-JAUNE-100320..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-JAUNE-104546..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-3MM-JAUNE-104547..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-3MM-JAUNE-104550..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-3MM-JAUNE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-ORANGE-10033..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ORANGE-10454..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-ORANGE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-R-BLANC-25DE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
LED-3MM-R-BLANC-60DE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-3MM-R-BLEU-15DEG..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-3MM-R-ROUGE-34DE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-3MM-R-UV-30DEG-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-3MM-ROUGE-50DEG-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-3MM-ROUGE-50DEG...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-3MM-ROUGE-100313..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-100320..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-100320..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-3MM-ROUGE-100320..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-100321..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-104537..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-3MM-ROUGE-104547..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-ROUGE-104547..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-ROUGE-HE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-3MM-ROUGE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-VERT-2-10032..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-VERT-2.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-VERT-50-DEG-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-VERT-50-DEG...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-3MM-VERT-1003199..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-3MM-VERT-1003204..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-VERT-1003375..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-VERT-1003391..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-3MM-VERT-1045459..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-3MM-VERT-1045460..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-VERT-1045466..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-VERT-1045469..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-3MM-VERT-1045505..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-3MM-VERT.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-AMBRE-100313..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-AMBRE-100314..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-AMBRE-100314..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-AMBRE-100314..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-AMBRE-100316..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-AMBRE-100316..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-AMBRE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-BLEU-1003309..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-BLEU.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-BLUE-1045418..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-JAUNE-5V-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-5V.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-JAUNE-50DEG-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-JAUNE-50DEG...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-5MM-JAUNE-90DEG-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-90DEG...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-JAUNE-100321..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-100321..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-100322..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-100323..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-JAUNE-100341..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-100342..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-JAUNE-104547..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-JAUNE-104548..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-5MM-JAUNE-104551..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-5MM-JAUNE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-5MM-ORANGE-10032..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ORANGE-10034..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ORANGE-10034..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ORANGE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-5MM-OVALE-AMBRE-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-OVALE-AMBRE...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-OVALE-ROUGE-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-OVALE-ROUGE...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-R-BLANC-50DE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-5MM-R-BLEU-45DEG..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
LED-5MM-R-ROUGE-20DE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-5MM-R-UV-30DEG-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
LED-5MM-ROUGE-50DEG-..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ROUGE-50DEG...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-5MM-ROUGE-90DEG-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-90DEG...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100313..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100315..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100315..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100317..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100317..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100322..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100322..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100322..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100323..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100323..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100323..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100331..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100332..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100332..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ROUGE-100332..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-104537..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-ROUGE-104548..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-ROUGE-104548..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-2-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-2.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-5V-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-5V...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-12V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-12V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-VER..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE-VER..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-ROUGE-HE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-5MM-ROUGE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-5MM-TRICOLOR-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-VERT-5V-1003..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-5V.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-VERT-50DEG-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-50DEG.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-VERT-90DEG-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-90DEG.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-5MM-VERT-1003214..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-VERT-1003218..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-1003226..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-1003234..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-1003420..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-5MM-VERT-1003421..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-5MM-VERT-1045476..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-VERT-1045482..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-5MM-VERT-1045483..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-5MM-VERT-1045509..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
LED-5MM-VERT.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-CMS-BLANC-105837..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BLEU-120DEG-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-0603..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-BOITIER-PLCC..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
LED-CMS-JAUNE-100335..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-CMS-JAUNE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-CMS-ORANGE-10583..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-ROUGE-100335..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-CMS-ROUGE-HE-100..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-CMS-ROUGE-HE-105..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-ROUGE-HE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-CMS-ROUGE-JAUNE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-ROUGE-JAUNE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-CMS-ROUGE.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-CMS-VERT-1003359..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-CMS-VERT.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-H...> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-H...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-JA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-JA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-JA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-RO..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-RO..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-RO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-RO..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-RO..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-VE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-VE..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-VE..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-RECTANGULAIRE-VE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-SUBMINIATURE--RO..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE--RO..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE--RO..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-SUBMINIATURE-AMB..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-AMB..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-SUBMINIATURE-JAU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-JAU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-JAU..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-SUBMINIATURE-JAU..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
LED-SUBMINIATURE-ROU..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-SUBMINIATURE-VER..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-VER..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE-VER..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-SUBMINIATURE.VER..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
LED-SUBMINIATURE.VER..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
LED-TO-46-UV-100DEG-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
LED.htm 05-Jan-2013 16:07 3.6M
LEGENDE-JEU-B-102830..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
LENTILLE-AMBRE-10823..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
LENTILLE-BLEUE-10823..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LENTILLE-CARREE-AMBR..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
LENTILLE-ROUGE-10823..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LENTILLE-ROUGE-10823..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LENTILLE-ROUGE-DIA.-..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
LENTILLE-TRANSPARENT..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LENTILLE-TRANSPARENT..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
LENTILLE-TRANSPARENT..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
LENTILLE-VERTE-10823..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
LENTILLE-VERTE-10823..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
LENTILLE-VERTE-10823..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
LEVIER-DE-COMMUTATEU..> 14-Dec-2012 08:48 2.8K
LIMIT-SWITCH,-EX-PRO..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
LINE-CORD,-6-4WAY,-B..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
LINE-CORD,-6-6WAY,-B..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
LINE-CORD,-8-8WAY,-B..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
LOADED-DISPENSER,-CO..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
LOCALISATEUR-DE-CABL..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
LOGIC.htm 05-Jan-2013 16:06 4.4M
LUMINAIRE,-3-ARM,-IP..> 14-Dec-2012 08:36 2.9K
Liste-farnell.html 14-Dec-2012 08:58 842K
MACHINE-VICE,-MULTI-..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
MACHINE-VICE,-MULTI-..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
MACHINE-VICE,-STEEL,..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MACHINE-VICE-1075579..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MACHOIRE-D´ETAU-1..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MAGNETISEUR-DE-TOURN..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
MAGNIFIER,-LUMINAIRE..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
MAGNIFIER,-LUMINAIRE..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MAILLET-NYLON-106554..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
MAILLET-NYLON-106555..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
MAINS-DISTRIBUTION,-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
MAINS-LEAD,-25M,-IP4..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
MAINS-SOCKET,-1GANG-..> 14-Dec-2012 08:38 3.0K
MAINS-SOCKET,-CIRCUL..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
MAINS-SOCKET-&-MOUNT..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
MANCHON-AUTO-SOUDANT..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
MANCHON-POUR-CONNECT..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
MANCHON-POUR-CONNECT..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
MANCHON-POUR-CONNECT..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
MANCHON-SCELLEMENT-1..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
MANCHONS-EN-PLASTIQU..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
MANCHONS-EN-PLASTIQU..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
MATRICE-M2.5-HSS-105..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
MATRICE-M5-HSS-10566..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
MCU.htm 05-Jan-2013 16:06 3.7M
MEMOIRE-FLASH-CMS-BO..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MEMOIRE-FLASH-CMS-TO..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MEMOIRE-FLASH-SERIE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MEMOIRE-SRAM-4MB-512..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MEMOIRE.htm 05-Jan-2013 16:04 4.1M
METRAL-FEMELLE-30V-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MICRO-8-BITS-32K-FLA..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICRO-8-BITS-8051-FL..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICRO-8-BITS-8051-FL..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
MICRO-8-BITS-8051-FL..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICRO-8-BITS-8051-FL..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
MICRO-8-BITS-8051-FL..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
MICRO-8-BITS-FLASH-8..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
MICRO-COMPOUND-TABLE..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
MICRO-MILLER,-EURO-P..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-8-BI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MICROCONTROLEUR-8BIT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MICROCONTROLEUR-32BI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMOS..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMS-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMS-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMS-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMS-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMS-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICROCONTROLEUR-CMS-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
MICROCONTROLEUR-FLAS..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
MICROCONTROLEUR-FLAS..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-Z80-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROCONTROLEUR-Z80-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
MICROCONTROLEUR.htm 05-Jan-2013 16:35 4.1M
MICROMATCH.-4-VOIES...> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MICROMATCH.-4-VOIES...> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROMATCH.-6-VOIES...> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MICROMATCH.-6-VOIES...> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROMATCH.-8-VOIES...> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MICROMATCH.-8-VOIES...> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MICROMATCH.-10-VOIES..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
MICROMATCH.-10-VOIES..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MICROMATCH.-10-VOIES..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MICROMATCH.-12-VOIES..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROMATCH.-14-VOIES..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
MICROMATCH.-14-VOIES..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROMATCH.-16-VOIES..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MICROMATCH.-16-VOIES..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROMATCH.-16-VOIES..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MICROMATCH.-18-VOIES..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MICROMATCH.-18-VOIES..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MICROMATCH.-20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
MICROMETRE-106718.html 14-Dec-2012 08:39 3.0K
MICROPHONE,-DISCRETE..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
MICRORUPTEUR-103368...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICRORUPTEUR-103443...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MICRORUPTEUR-103444...> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MICRORUPTEUR-103445...> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MILLER,-TUNGSTEN-CAR..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
MILLER,-TUNGSTEN-CAR..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
MILLER,-TUNGSTEN-CAR..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
MILLER,-TUNGSTEN-CAR..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MILLING-BIT-SET,-TUN..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MILLING-BIT-SET,-TUN..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
MILLING-DRILL-SET,-T..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
MILLING-DRILL-SET,-T..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
MILLING-DRILLING-MAC..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
MILLING-SET,-TUNGSTE..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
MILLING-SET,-TUNGSTE..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
MODEL-BUILDING-ENGRA..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
MODELLERS-SET,-13PC-..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
MODULE-A-LED-1003245..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-1003255..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-JAUNE-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-JAUNE-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-JAUNE-1..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
MODULE-A-LED-JAUNE-1..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-JAUNE.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
MODULE-A-LED-ROUGE-H..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-ROUGE-H..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-ROUGE-H..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
MODULE-A-LED-ROUGE-H..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
MODULE-A-LED-VERT-10..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-VERT-10..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-VERT-10..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-VERT-10..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-A-LED-VERT-10..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
MODULE-A-LED-VERT.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
MODULE-A-LED.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-DE-PUISSANCE-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
MODULE-DE-PUISSANCE-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MODULE-DE-PUISSANCE-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MODULE-DRIVER-DE-PUI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MODULE-DRIVER-DE-PUI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.4-3..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.4-3..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-0.56-..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-HORLOGE-14-SE..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
MODULE-HORLOGE-14-SE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
MODULE-HORLOGE-14-SE..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
MODULE-HORLOGE-14-SE..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
MODULE-LCD-COULEUR-T..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MODULE-LCD-MONO-STN-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MODULE-MULTIMODE-AVE..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
MODULE-RELAIS-12VCC-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
MODULE-RELAIS-24VCC-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MODULE-RELAIS-24VCC-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
MODULE-SCR-DIODE-38A..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
MODULE-SMART-POWER-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MODULE-THYRISTOR-58A..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
MODULE-THYRISTOR-58A..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MODULE-THYRISTOR-82A..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MODULE-THYRISTOR-95A..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
MODULE-TIMER-MULTIFO..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
MOLETTE-FENDUE-BLEU-..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
MOLETTE-FENDUE-NOIR-..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
MOLETTE-FENDUE-ROUGE..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
MOLETTE-FENDUE-VERTE..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
MOTEUR-PAS-A-PAS-1.8..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-1.8..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-1.8..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
MOTEUR-PAS-A-PAS-1.8..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
MOTEUR-PAS-A-PAS-57M..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-57M..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
MOTEUR-PAS-A-PAS-PAN..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
MOUNTING-BOX,-16MM,-..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
MOUNTING-BOX,-25MM,-..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
MOUNTING-BOX,-25MM,-..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
MOUNTING-BOX,-35MM,-..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
MOUNTING-BOX,-35MM,-..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
MOUNTING-BOX,-47MM,-..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
MOUNTING-BOX,-DRY-LI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
MP3-PLAYER,-128MB,-R..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
MULITPLEXEUR-CMS-RAP..> 14-Dec-2012 08:52 0
MULITPLEXEUR-CMS-RAP..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
MULTIMETRE-NUMERIQUE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MULTIMETRE-NUMERIQUE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
MULTIPLEXEUR-2-CANAU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MULTIPLEXEUR-8-CANAU..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MULTIPLEXEUR-8-CANAU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MULTIPLEXEUR-8-CANAU..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MULTIPLEXEUR-8-CANAU..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
MULTIPLEXEUR-8-CANAU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MULTIPLEXEUR-8-CANAU..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MULTIPLEXEUR-16-CANA..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MULTIPLEXEUR-CMS-4-C..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
MULTIPLEXEUR-CMS-4-C..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
MULTIPLEXEUR-CMS-4-C..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
MULTIPLEXEUR-CMS-8-C..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
MULTIPLEXEUR-CMS-DOU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
MULTIPRISE-EURO-X2-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
MULTIPRISE-EURO-X2-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
MUX-8CH-SP-CMS-SOIC1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
N-CHANNEL-MOSFET,-60..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
NIPPER,-DIAGONAL-CUT..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
NIPPER,-DIAGONAL-CUT..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
NIPPER,-DIAGONAL-CUT..> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
NIPPER,-H-L-DIAGONAL..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
NIPPER,-H-L-DIAGONAL..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
OPTOCOUPLER,-LOGIC-G..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-2.0..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-2.0..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-20M..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-102..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-102..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-102..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
OPTOCOUPLEUR-CMS-104..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
OPTOCOUPLEUR-CMS-104..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-CMS-AC-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-DOU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-DOU..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-DOU..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-DOU..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-DOU..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-SOR..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-TRI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-CMS-TRI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DOUBLE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
OPTOCOUPLEUR-DRIVER-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
OPTOCOUPLEUR-ENTREE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-H-V-SOR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-QUAD-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
OPTOCOUPLEUR-QUAD-SO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-SORTIE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
OPTOCOUPLEUR-TRIGGER..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
OPTOCOUPLEUR-Z-X-DRI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
OPTOCOUPLEUR-Z-X-DRI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
OPTOCOUPLEUR-Z-X-DRI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
OPTOCOUPLEUR-Z-X-DRI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OSCILLOSCOPE-TYPE-ST..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
OSCILLOSCOPE-TYPE-ST..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
OUTIL-D´EXTRACTIO..> 14-Dec-2012 08:36 2.8K
OUTIL-D´INSERTION..> 14-Dec-2012 08:36 2.7K
OUTIL-INSTALLATION-S..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
PADLOCK,-BRASS,-40MM..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
PADLOCK,-BRASS,-60MM..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
PADLOCK,-BRASS,-70MM..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
PADLOCK,-BRASS-L-SHA..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
PADLOCK,-COMBINATION..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
PADLOCK,-HIGH-SECURI..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
PADLOCK,-HIGH-SECURI..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
PANNE-106602.html 14-Dec-2012 08:39 2.9K
PANNE-106603.html 14-Dec-2012 08:46 2.9K
PANNE-106604.html 14-Dec-2012 08:44 2.9K
PANNE-107793.html 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PANNE-107794.html 14-Dec-2012 08:42 2.9K
PANNE-107795.html 14-Dec-2012 08:43 2.9K
PANNE-109155.html 14-Dec-2012 08:38 2.9K
PANNE-DE-FER-108518...> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
PAPER-ROLL,-1PLY,-37..> 14-Dec-2012 08:50 2.7K
PAPER-ROLL,-1PLY,-44..> 14-Dec-2012 08:53 2.7K
PAPER-ROLL,-1PLY,-44..> 13-Dec-2012 19:01 2.7K
PAPER-ROLL,-THERMAL,..> 14-Dec-2012 08:47 2.7K
PAPER-ROLL,-THERMAL,..> 14-Dec-2012 08:47 2.7K
PATE-DE-REFROIDISSEM..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
PATTE-SUPPORT-PQ50-1..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
PAVE-NUMERIQUE-12-TO..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
PAVE-NUMERIQUE-12-TO..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
PHOTODIODE-1045425.html 14-Dec-2012 08:42 3.2K
PHOTODIODE-1045427.html 14-Dec-2012 08:42 3.2K
PHOTODIODE-FILTRE-IR..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
PHOTOTRANSISTOR-T1-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PHOTOTRANSISTOR-T1-1..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
PHOTOTRANSISTOR-T1-1..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
PHOTOTRANSISTOR-T1.3..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PHOTOTRANSISTOR-T1.3..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
PHOTOTRANSISTOR-T3-4..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PICOT-DE-POLARISATIO..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
PIED-MAGNETIQUE-1051..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
PIEZO-BUZZER,-12VDC,..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PIEZO-BUZZER,-12VDC,..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
PIEZO-BUZZER,-12VDC,..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PIEZO-BUZZER,-12VDC,..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
PIEZO-BUZZER,-12VDC,..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PIEZO-TRANSDUCER,-5V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
PIEZO-TRANSDUCER,-9V..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PIEZO-TRANSDUCER,-15..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 14-Dec-2012 08:57 3.1K
PILE-ALCALINE-ULTRA+..> 13-Dec-2012 19:03 3.1K
PILES-CARBONE-ZINC-3..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
PILES-CARBONE-ZINC-9..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
PILES-CARBONE-ZINC-A..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
PILES-CARBONE-ZINC-A..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
PILES-CARBONE-ZINC-C..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
PILES-CARBONE-ZINC-D..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
PINCE-120MM-1014382...> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PINCE-140MM-1014381...> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-A-DENUDER-16MM..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
PINCE-A-DENUDER-1072..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
PINCE-A-SERTIR-10583..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
PINCE-A-SERTIR-10599..> 14-Dec-2012 08:44 2.7K
PINCE-A-SERTIR-10632..> 14-Dec-2012 08:46 2.7K
PINCE-A-SERTIR-10632..> 14-Dec-2012 08:44 2.7K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
PINCE-ANTISTATIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
PINCE-BRUCELLE-110MM..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-120MM..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PINCE-BRUCELLE-120MM..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-120MM..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
PINCE-BRUCELLE-120MM..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PINCE-BRUCELLE-125MM..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PINCE-BRUCELLE-125MM..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-ERGON..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-PTFE-..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-REVER..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
PINCE-BRUCELLE-REVER..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
PINCE-COUPANTE-10871..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
PINCE-CROCODILE-4MM-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
PINCE-DE-TEST-2MM-NO..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
PINCE-DE-TEST-2MM-RE..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
PINCE-DE-TEST-4MM-10..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
PINCE-DE-TEST-4MM.html 13-Dec-2012 19:02 3.1K
PINCE-MULTIPRISE-105..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
PINCE-MULTIPRISE-105..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
PINCE-MULTIPRISE-108..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
PINCE-PLATE-165MM-IS..> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
PINCEAU-109150.html 14-Dec-2012 08:38 2.8K
PIR-AUTODIALER-&-ALA..> 14-Dec-2012 08:47 2.7K
PIR-HAUTE-LIGHT-IMMU..> 14-Dec-2012 08:54 3.1K
PIR-HAUTE-LIGHT-IMMU..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
PISTOLET-A-DESSOUDER..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
PISTOLET-A-DESSOUDER..> 14-Dec-2012 08:57 2.8K
PISTOLET-A-DESSOUDER..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
PISTOLET-APPLICATEUR..> 14-Dec-2012 08:38 2.7K
PLAQUETTE-DE-FIXATIO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
PLAQUETTE-DE-FIXATIO..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
PLATINE-CHASSIS-1004..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
PLATINE-CHASSIS-1004..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
PLATINE-CHASSIS-1004..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
PLATINE-CHASSIS-1004..> 14-Dec-2012 08:56 2.9K
PLATINE-CHASSIS.html 13-Dec-2012 19:02 2.9K
PLIER,-WATER-PUMP,-1..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
PLUG,-6MM,-PANEL-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
PLUG,-SAFETY,-13A,-W..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
PLUG,-TOUGHPLUG,-13A..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
PLUG,-TOUGHPLUG,-13A..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
PLUG-MAINS,-SWITCHED..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:49 2.8K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
POIGNÉES-(PAIRE)..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
POIGNEE-BI-MATIERE-U..> 14-Dec-2012 08:55 3.0K
POIGNEE-BI-MATIERE-U..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
POIGNEE-DE-CABLE-101..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
POIGNEE-DE-LIME-75MM..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
POIGNEE-DE-LIME-100M..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
POIGNEE-DE-LIME-125M..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
POIGNEES-(PAIRE),-PE..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
POIGNEES-(PAIRE),-PE..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
POIGNEES-(PAIRE),-PE..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
POLISHING-SET,-10PC-..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
POMPE-A-DESSOUDER-10..> 14-Dec-2012 08:40 2.8K
PONT-REDRESSEUR-4A-4..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
PONT-REDRESSEUR-8A-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PONT-REDRESSEUR-8A-2..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
PONT-REDRESSEUR-8A-6..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PONT-REDRESSEUR-8A-8..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
PONT-REDRESSEUR-25A-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PONT-REDRESSEUR-25A-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
PONT-REDRESSSEUR-40A..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
PONT-REDRESSSEUR-40A..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
PORTE-FUSIBLE-5X20MM..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
PORTE-FUSIBLE-FPG1-I..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
POWER-FACTOR-CORRECT..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
PRECISION-REFERENCE-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
PRISE-DE-MISE-A-LA-T..> 14-Dec-2012 08:36 2.9K
PRISE-DE-MISE-A-LA-T..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
PRISE-FEMELLE-SMA-DR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
PRISE-MURALE-16A-240..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
PRISE-MURALE-ROUGE-4..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
PRISE-MURALE-ROUGE-4..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
PROBE,-OSCILLOSCOPE-..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
PROCESSEUR-UNIVERSEL..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
PROFILE-ALUMINIUM-10..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
PROFILE-ALUMINIUM.html 13-Dec-2012 19:03 3.1K
PROLONGATEUR-650DEG-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
PROLONGATEUR-LIBRE-3..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
PROLONGATEUR-LIBRE-B..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
PROLONGATEUR-LIBRE-B..> 14-Dec-2012 08:45 2.9K
PROLONGATEUR-LIBRE-R..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
PROLONGATEUR-LIBRE-R..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
PROLONGATEUR-SOLISTR..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
PSU,-30W,-5V-1085163..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
PSU,-100W,-5V-108517..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
PSU,-SW-MODE,-5V,-30..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
PSU,-SW-MODE,-24V,-6..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
PUSHPINS,-QTY200-107..> 14-Dec-2012 08:37 2.7K
QUAD-AMPLI-OP-LARGE-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
QUARTZ-MINIATURE-40K..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
QUARTZ-MINIATURE-40K..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
RACCORD-2-BRAS-10663..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
RACCORD-3-BRAS-ANGLE..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
RACCORD-SERRE-CABLE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RACCORD-SERRE-CABLE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
RACCORD-SERRE-CABLE-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RACCORD-SERRE-CABLE-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
RACCORDS-TELSPLICE-3..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
RAIL-DE-SOUTIEN-150W..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
RAIL-DE-SOUTIEN-300W..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
RAIL-DIN-103727.html 14-Dec-2012 08:48 2.9K
RECEPTEUR-AUDIO-NUME..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
RECEPTEUR-DE-LIGNE-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
RECEPTEUR-DE-LIGNE-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
RECEPTEUR-DE-LIGNE-D..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RECEPTEUR-ULTRASONIC..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RECEPTEUR-ULTRASONIC..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
RECEPTEUR-ULTRASONIC..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
RECEPTEUR-ULTRASONIC..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
RECEPTEUR-ULTRASONIC..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
RECHARGE-REPERE-DE-C..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
REF-DE-TENSION-CMS-P..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REFERENCE-DE-TENSION..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REG-TENSION-AJUS-+2-..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REG-TENSION-LDO-1.5A..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGLET-ACIER-109164...> 14-Dec-2012 08:40 2.9K
REGULATEUR-+3.3V-CMS..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-+5.0V-78L..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REGULATEUR-+5.0V-78M..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-+5.0V-CMS..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-+12V-7812..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-+15V-7815..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-+15V-7815..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR--6.0V-790..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR--8.0V-790..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR--15V-7915..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-0.8A-LDO-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-0.8A-LDO-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-0.8A-LDO...> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
REGULATEUR-1A-POSITI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-1A-POSITI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-500MA-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-500MA-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-500MA-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-500MA-IPA..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-1077136.html 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-A-DECOUPA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-A-DECOUPA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-A-DECOUPA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-A-DECOUPA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-A-DECOUPA..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-AJUSTABLE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-BOOST-BUC..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-BOOST-BUC..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-BOOST-BUC..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-BOOST-BUC..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
REGULATEUR-BUCK-80V-..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-BUCK-80V-..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
REGULATEUR-BUCK-1077..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-0.8A-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
REGULATEUR-CMS-1.5A-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REGULATEUR-CMS-1A-LD..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-1A-LD..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-CMS-1A-LD..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-1A-LD..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-1A-LD..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
REGULATEUR-CMS-1A-LD..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
REGULATEUR-CMS-3A-LD..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-CMS-3A-LD..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
REGULATEUR-CMS-150MA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-CMS-150MA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-CMS-150MA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-CMS-150MA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
REGULATEUR-CMS-500MA..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-500MA..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
REGULATEUR-CMS-10082..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-10871..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-10871..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-10871..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-10871..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-10871..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-AJUST..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-AJUST..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-AJUST..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-BOOST..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-BOOST..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-CMS-BUCK-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-BUCK-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-+..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-+..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO-A..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-CMS-LDO.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
REGULATEUR-CMS-POSIT..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
REGULATEUR-CMS-PWR-S..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-LDO+8.5V-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-+1.8V..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
REGULATEUR-LDO-+1.8V..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REGULATEUR-LDO-+3.3V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
REGULATEUR-LDO-+3.3V..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-LDO-+3.3V..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-LDO-10871..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-LDO-10871..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-2..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-2..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-3..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-3..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-3..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-5..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-LDO-CMS-5..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
REGULATEUR-NEGATIF-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
REGULATEUR-NEGATIF-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-4PCO-12VCA-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-4PCO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-4PCO-110VCA-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RELAIS-4PCO-230VCA-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-8B.-DPCO-24V-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RELAIS-8B.-DPCO-230V..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RELAIS-8B.-DPCO-1086..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RELAIS-8B.-DPCO-1086..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RELAIS-11-BROCHES-3P..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-11-BROCHES-3P..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RELAIS-11-BROCHES-3P..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RELAIS-11-BROCHES-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RELAIS-14-BROCHES-4P..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RELAIS-14-BROCHES-4P..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RELAIS-14-BROCHES-4P..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RELAIS-BATTERY-VOLTA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RELAIS-BATTERY-VOLTA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RELAIS-DPCO-12VCC-10..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-DPCO-12VCC.html 13-Dec-2012 19:01 3.2K
RELAIS-DPCO-24VCA-CC..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
RELAIS-DPCO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
RELAIS-DPCO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-DPCO-230VCA-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-DPCO-LATCHING..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
RELAIS-DPNO-12VCC-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-DPNO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-MONTAGE-A-BRI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RELAIS-MONTAGE-A-BRI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
RELAIS-MONTAGE-A-BRI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
RELAIS-MULTIFUNCTION..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
RELAIS-MULTIFUNCTION..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RELAIS-MULTIFUNCTION..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RELAIS-MULTIFUNCTION..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RELAIS-REED-HAUTE-TE..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RELAIS-REED-HAUTE-TE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
RELAIS-REED-HAUTE-TE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
RELAIS-REED-MONTAGE-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RELAIS-REED-MONTAGE-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
RELAIS-SPCO-12VCC-10..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-SPCO-12VCC.html 13-Dec-2012 19:02 3.2K
RELAIS-SPCO-24VCA-CC..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-SPCO-24VCA-CC..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
RELAIS-SPCO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
RELAIS-SPCO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RELAIS-SPCO-24VCC.html 13-Dec-2012 19:01 3.2K
RELAIS-SPCO-230VCA-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RELAIS-SPNO-12VCC-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-SPNO-24VCA-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-SPNO-24VCC-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-SPNO-230VCA-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RELAIS-STATIQUE-1045..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RELAIS-STATIQUE-1045..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
RELAIS-STATIQUE-CMS-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RELAIS-STATIQUE-CMS-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
REPASSEUR-DE-FILETAG..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
REPASSEUR-DE-FILETAG..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
REPERE-POUR-BORNE-10..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
REPERE-POUR-BORNE-PQ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
RESEAU-DE-DARLINGTON..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
RESEAU-DE-DARLINGTON..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESEAU-DE-RESISTANCE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RESEAU-DE-TRANSISTOR..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RESEAUX-DE-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
RESEAUX-DE-LED-10032..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RESEAUX-DE-LED-JAUNE..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RESEAUX-DE-LED-JAUNE..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RESEAUX-DE-LED-MULTI..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RESEAUX-DE-LED-MULTI..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RESEAUX-DE-LED-MULTI..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RESEAUX-DE-LED-ROUGE..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
RESEAUX-DE-LED-ROUGE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
RESEAUX-DE-LED-VERT-..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
RESEAUX-DE-LED-VERT...> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RESEAUX-DE-LED.html 13-Dec-2012 19:03 3.2K
RESINE-D´ENCAPSUL..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESINE-D´ENCAPSUL..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESINE-D´ENCAPSUL..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
RESINE-D´ENCAPSUL..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESINE-D´ENCAPSUL..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
RESINE-EPOXY-HT-TEMP..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1%-1K02-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K07-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K1-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K3-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K4-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K13-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K18-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K21-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K27-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K37-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K43-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K47-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K54-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K62-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K65-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K69-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K74-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K82-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1K96-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-1M0-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K0-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K05-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K1-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K21-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K37-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K43-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K49-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K67-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-2K87-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K01-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K4-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K16-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K32-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K57-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K65-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K74-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K83-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-3K92-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-4K02-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-4K22-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-4K42-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-4K53-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-4K75-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-4K99-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-5K9-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-5K11-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-5K23-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-5K62-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-6K04-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-6K49-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-6K81-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-7K15-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-7K32-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-7K68-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-7K87-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-8K06-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-8K25-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-8K45-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-9K31-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-9K53-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-10K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-10K2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-10K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-10R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-10R2-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-10R5-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-11K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-11K3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-11K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-11R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-12K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-12K7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-12R1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-13K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-13K3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-13K7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-13R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-13R3-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-14K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-14K3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-14R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-15K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-15K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-15R-108..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-16K2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-16K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-16K9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-16R2-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-17K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-19K1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-19K6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-19R1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-20K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-20K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-21K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-21K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-22R1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-23K7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-23R7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-24K9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-26K1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-27K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-27R4-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-28K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-28R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-28R7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-29R4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-30K1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-30K9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-30R1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-30R9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-31K6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-31R6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-32K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-33R2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-34K8-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-34R-108..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-35K7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-36K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-37K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-38K3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-38R3-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-39K2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-39R2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-40R2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-42K2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-42R2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-44K2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-45K3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-45R3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-46K4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-47K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-49K9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-49R9-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-51K1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-51R1-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-52K3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-52R3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-53K6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-53R6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-57K6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-59R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-60R4-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-61K9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-61R9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-63R4-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-64R9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-66K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-66R5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-71K5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-71R5-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-73K2-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-75K-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-75R-108..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-76R8-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-78K7-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-78R7-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-80K6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-80R6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-82R5-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-86K6-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-88R7-10..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
RESIST.-0.1%-90K9-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-93R1-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-95R3-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-100K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-102K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-102R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-105K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-107K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-110K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-110R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-113R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-115K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-115R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-118R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-121K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-121R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-127K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-130K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-130R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-137K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-137R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-143R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-147K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-150K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-154R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-162K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-162R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-165K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-169K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-174K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-182K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-182R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-191R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-196K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-196R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-200K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-200R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-210R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-215R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-221K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-221R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-226K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-226R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-232R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-237K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-243K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-243R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-249K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-261K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-267R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-274K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-280K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-280R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-301K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-309K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-309R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-332R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-340K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-340R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-348K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-357R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-374K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-383R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-402K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-422R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-432K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-464K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-499R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-511K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-562K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-562R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-576K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-576R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-590K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-604R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-619K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-619R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-634R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-649K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-649R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-665K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-665R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-681R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-698R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-715R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-787R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-806R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-825K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-825R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-887K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-909K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-953K-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1%-976R-10..> 14-Dec-2012 08:51 3.1K
RESIST.-0.1--1K02-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--1K07-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--1K1-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--1K3-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--1K4-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--1K13-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--1K18-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--1K21-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1K27-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--1K37-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--1K43-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1K47-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1K54-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1K62-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1K65-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--1K69-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1K74-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--1K82-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--1K96-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--1M0-108..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--2K0-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--2K05-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--2K1-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--2K21-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--2K37-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--2K43-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--2K49-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--2K67-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--2K87-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--3K01-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--3K4-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--3K16-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--3K32-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--3K57-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--3K65-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--3K74-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--3K83-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--3K92-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--4K02-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--4K22-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--4K42-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--4K53-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--4K75-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--4K99-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--5K9-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--5K11-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--5K23-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--5K62-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--6K04-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--6K49-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--6K81-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--7K15-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--7K32-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--7K68-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--7K87-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--8K06-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--8K25-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--8K45-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--9K31-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--9K53-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--10K-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--10K2-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--10K5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--10R-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--10R2-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--10R5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--11K-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--11K3-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--11K5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--11R-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--12K4-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--12K7-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--12R1-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--13K-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--13K3-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--13K7-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--13R-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--13R3-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--14K-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--14K3-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--14R-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--15K-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--15K4-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--15R-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--16K2-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--16K5-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--16K9-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--16R2-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--17K4-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--19K1-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--19K6-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--19R1-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--20K-108..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--20K5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--21K-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--21K5-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--22R1-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--23K7-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--23R7-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--24K9-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--26K1-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--27K4-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--27R4-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--28K-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--28R-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--28R7-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--29R4-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--30K1-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--30K9-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--30R1-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--30R9-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--31K6-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--31R6-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--32K4-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--33R2-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--34K8-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--34R-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--35K7-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--36K5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--37K4-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--38K3-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--38R3-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--39K2-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--39R2-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--40R2-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--42K2-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--42R2-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--44K2-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--45K3-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--45R3-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--46K4-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--47K5-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--49K9-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--49R9-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--51K1-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--51R1-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--52K3-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--52R3-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--53K6-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--53R6-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--57K6-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--59R-108..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--60R4-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--61K9-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--61R9-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--63R4-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--64R9-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--66K5-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--66R5-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--71K5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--71R5-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--73K2-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--75K-108..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--75R-108..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--76R8-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--78K7-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--78R7-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--80K6-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--80R6-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--82R5-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--86K6-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--88R7-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--90K9-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--93R1-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--95R3-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--100K-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--102K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--102R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--105K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--107K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--110K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--110R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--113R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--115K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--115R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--118R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--121K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--121R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--127K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--130K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--130R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--137K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--137R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--143R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--147K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--150K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--154R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--162K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--162R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--165K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--169K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--174K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--182K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--182R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--191R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--196K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--196R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--200K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--200R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--210R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--215R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--221K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--221R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--226K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--226R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--232R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--237K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--243K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--243R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--249K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--261K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--267R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--274K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--280K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--280R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--301K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--309K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--309R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--332R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--340K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--340R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--348K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--357R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--374K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--383R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--402K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--422R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--432K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--464K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--499R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--511K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--562K-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
RESIST.-0.1--562R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--576K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--576R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--590K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--604R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--619K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--619R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--634R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--649K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--649R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--665K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--665R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--681R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--698R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--715R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--787R-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--806R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESIST.-0.1--825K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--825R-10..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
RESIST.-0.1--887K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--909K-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
RESIST.-0.1--953K-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
RESIST.-0.1--976R-10..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
RESISTANCE-0.5W-1%-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-4..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-5..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-6..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-6..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-8..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-9..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-4..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-5..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-6..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-7..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-8..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-9..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-9..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-1..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-6..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-6..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1%-9..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--4..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--5..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--6..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--6..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--8..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--9..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--4..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--5..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--6..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--7..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--8..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--9..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--9..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--2..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--3..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--6..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--6..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0.5W-1--9..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-0805-1K-1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-1M-1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-3K3-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-6K8-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-47R-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-220K..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-470K..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-0805-470R..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-1K2..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-1K5..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-1R0..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-2K2..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-2R2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-2R7..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-3K9..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-3R3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-3R9..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-4K7..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-5R6..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-6R8..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-8K2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-8R2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-10K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-10R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-12K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-12R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-15R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-18K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-18R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-22K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-22R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-27K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-27R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-33R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-47R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-68K..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-68R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-82R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-100..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-100..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-120..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-180..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-220..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-470..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-820..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R12..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R18..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R33..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R39..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R56..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R68..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5%-R82..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-2W-5--1K2..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--1K5..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--1R0..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--2K2..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--2R2..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--2R7..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--3K9..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--3R3..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--3R9..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--4K7..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--5R6..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--6R8..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--8K2..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--8R2..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--10K..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--10R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--12K..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--12R..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--15R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--18K..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--18R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--22K..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--22R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--27K..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--27R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--33R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--47R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--68K..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--68R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--82R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--100..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--100..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--120..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--180..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--220..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--470..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--820..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R12..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R18..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R33..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R39..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R56..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R68..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-2W-5--R82..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-1K0..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-1R0..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-1R5..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-1R8..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-2K2..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-2R7..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-3K3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-3R3..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-3R9..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-4R7..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-8R2..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-10K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-10R..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-12K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-15K..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-15R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-18R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-22R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-33R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-56K..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-56R..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-100..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-100..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-120..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-150..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-150..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-180..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-270..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-390..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-680..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-820..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-R18..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-R27..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-R39..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-R47..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-R68..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5%-R82..> 14-Dec-2012 08:51 3.2K
RESISTANCE-3W-5--1K0..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--1R0..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--1R5..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--1R8..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--2K2..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--2R7..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--3K3..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--3R3..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--3R9..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--4R7..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--8R2..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--10K..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--10R..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--12K..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--15K..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--15R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--18R..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--22R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--33R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--56K..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--56R..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--100..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--100..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--120..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--150..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--150..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--180..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--270..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--390..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--680..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--820..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-3W-5--R18..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--R27..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--R39..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--R47..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-3W-5--R68..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
RESISTANCE-3W-5--R82..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
RESISTANCE-1206-0R00..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-1206-0R01..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-1206-0R02..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
RESISTANCE-2010-0R01..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2010-0R07..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2010-0R5-..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2512-0R00..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2512-0R01..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RESISTANCE-2512-0R02..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
RHEOSTAT-BOUTON-1050..> 14-Dec-2012 08:47 2.9K
RHEOSTAT-PLAQUE-NUME..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
RONDELLE-LAITON-N-P-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
RONDELLE.-NEOPRENE.-..> 14-Dec-2012 08:54 2.8K
RONDELLE.-NEOPRENE.-..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
RONDELLE.-NYLON.-PIS..> 14-Dec-2012 08:56 2.8K
RONDELLE.-NYLON.-PIS..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
ROULEAU-PAPIER-57X44..> 14-Dec-2012 08:53 2.7K
ROULEAU-PAPIER-57X44..> 13-Dec-2012 19:01 2.7K
SANDING-CAP,-8MM,-10..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
SANDING-CAP,-8MM,-SH..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
SANDING-DISC,-18MM,-..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
SANDING-DISC,-SHAFT,..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
SANDING-DRUM,-10MM,-..> 14-Dec-2012 08:46 2.9K
SANDING-DRUM,-10MM,-..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
SCIE-ISOLEE-1000V-10..> 14-Dec-2012 08:36 2.8K
SCREW,-ROUND,-2BAX3-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
SCREW,-ROUND,-2BAX3-..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
SCREW,-ROUND,-2BAX3-..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
SCREW,-ROUND,-4BAX1-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
SCREW,-ROUND,-4BAX3-..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
SCREW,-ROUND,-4BAX3-..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
SCREW,-ROUND,-4BAX3-..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
SCSI-2-50VOIES-CAPOT..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
SCSI-2-68VOIES-CAPOT..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
SEAL,-HINGED-COVER,-..> 14-Dec-2012 08:56 2.8K
SEAL,-HINGED-COVER,-..> 13-Dec-2012 19:03 2.8K
SELLE-POUR-FILS-1014..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SELLE-POUR-FILS-1014..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SELLE-POUR-RESEAU-DE..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SEPARATEUR-PQ48-1007..> 14-Dec-2012 08:50 2.8K
SERINGUE-10ML-105979..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
SERINGUE-35ML-105980..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
SERRE-CABLE-CPC2-TAI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
SERRE-CABLE-TAILLE-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SERRE-CABLE-TAILLE-2..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
SERRE-CABLE-USAGE-EX..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SERRE-CABLE-USAGE-EX..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
SERVICE-CONNECTOR-BO..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
SERVISOL-200002000-G..> 04-Jan-2013 17:29 2.3M
SHAFT,-FLEXIBLE-1075..> 14-Dec-2012 08:43 2.9K
SHIELDED-GANG-JACK-4..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SHUNT-60MV-60A-10159..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SHUNT-60MV-100A-1015..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SHUNT-60MV-200A-1015..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SHUNT-60MV-600A-1015..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SIBA-160016-5A-FUSIB..> 04-Jan-2013 17:29 2.3M
SILICONE-310ML-10890..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
SLEEVES,-6MM-PLUG,-P..> 14-Dec-2012 08:41 2.9K
SMB-PRISE-DROITE-A-E..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
SMB-PRISE-MONTAGE-AV..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
SOCKET,-4MM,-PRESS-F..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SOCKET,-4MM,-PRESS-F..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
SOCKET,-4MM,-SHROUDE..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
SOCKET,-4MM,-TEST,-B..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
SOCKET,-4MM,-TEST,-B..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
SOCKET,-4MM,-TEST,-Y..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
SOCKET,-4MM,-TEST,-Y..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
SOCKET,-10MM,-IN-LIN..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
SOCKET,-16MM,-IN-LIN..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
SOCKET,-110V,-WALL-M..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
SOCKET,-240V,-WALL-M..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
SOCKET,-240V,-WALL-M..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
SOCKET,-415V,-WALL-M..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
SOCKET,-415V,-WALL-M..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
SOCKET,-415V,-WALL-M..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
SOCKET,-EXTENSION,-I..> 14-Dec-2012 08:53 2.8K
SOCKET,-EXTENSION,-I..> 13-Dec-2012 19:01 2.8K
SOCKET,-INTERLOCKED,..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
SOCKET,-INTERLOCKED,..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
SOCKET,-INTERLOCKED-..> 14-Dec-2012 08:49 2.9K
SOCKET,-INTERLOCKED-..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
SOCKET,-INTERLOCKED-..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
SOCKET,-MIXED,-PK5-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SOCKET,-T-C-K-STD-PA..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
SOCKET,-T-C-K-STD-PA..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
SOCKET,-T-C-MINI-CU-..> 14-Dec-2012 08:48 2.9K
SOCKET,-T-C-T-STANDA..> 14-Dec-2012 08:54 2.9K
SOCKET,-T-C-T-STANDA..> 13-Dec-2012 19:02 2.9K
SOCKET,-WEATHERPROOF..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
SOCLE-DE-TABLE-10510..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
SONAR-RANGING-MODULE..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
SONAR-RANGING-MODULE..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
SONDE-D´IMMERSION..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
SONDE-DE-SURFACE-NTC..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
SONDE-DE-TEST-NOIR-1..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
SONDE-DE-TEST-NOIR-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
SONDE-DE-TEST-NOIR.html 13-Dec-2012 19:02 3.0K
SONDE-DE-TESTROUGE-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-0..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SOUDURE-SANS-PLOMB-1..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SOUND-LEVEL-METER-10..> 14-Dec-2012 08:56 3.0K
SOUND-LEVEL-METER.html 13-Dec-2012 19:03 3.0K
SPARE-SANDING-BELT,-..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
SPARE-TOOL-ARBORS,-2..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
SPEAKER,-BLACK,-(PAI..> 14-Dec-2012 08:48 3.0K
SPEAKER,-PIEZO-DRIVE..> 14-Dec-2012 08:54 3.0K
SPEAKER,-PIEZO-DRIVE..> 13-Dec-2012 19:02 3.0K
STARTER-TUBE-FLUO-70..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
STARTER-TUBE-FLUO-JU..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
STARTER-TUBE-FLUO-JU..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
STATION-DE-SOUDAGE-2..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
STATION-DE-SOUDAGE-2..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SUB-D-90-DEGRES-COUD..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-AMPLIMITE-1098..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-AMPLIMITE-1098..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-AMPLIMITE-1098..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-BOITIER-FEMELL..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-107..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-109..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-CI-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9P-PQ5..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-9V-107..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15P-PQ..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-15V-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-10..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25P-PQ..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-25V-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-37V-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-68P-SC..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-FEMELLE-A-SOUD..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
SUB-D-FEMELLE-A-SOUD..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-FEMELLE-A-SOUD..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUB-D-FEMELLE-A-SOUD..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-FEMELLE-AUTODE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
SUB-D-FEMELLE-AUTODE..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
SUB-D-FEMELLE-CI-9-P..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-FEMELLE-CI-15-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-FEMELLE-CI-90D..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-FEMELLE-CI-90D..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-FEMELLE-DE-PUI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-FEMELLE-DE-PUI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-FEMELLE-PUISSA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUB-D-HD-FEMELLE-15P..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-HD-FEMELLE-15P..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-HD-FEMELLE-26P..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-HD-FEMELLE-26P..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-HD-FEMELLE-44P..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-HD-MALE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-HD-MALE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-HD-MALE-15P-10..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-HD-MALE-26P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-HD-MALE-26P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-HD-MALE-26P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-HD-MALE-44P-10..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107179..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107180..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107523..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107524..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107525..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107526..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-9P-107528..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-9P-109685..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-9P-PQ5-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-9V-107527..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10718..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-15P-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-15P-PQ5-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-15V-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10718..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10751..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10752..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10752..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10753..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-25P-10968..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-25P-CI-90..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-25P-PQ5-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-25V-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-37P-10718..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-37P-10752..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
SUB-D-MALE-37P-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-37P-10752..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-37P-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-37P-10968..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-MALE-37P-CI-90..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-37V-10752..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-50P-10751..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUB-D-MALE-A-SOUDER-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUB-D-MALE-AUTODENUD..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
SUB-D-MALE-AUTODENUD..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-CI-9-P-10..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-CI-15-P-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-CI-25-P-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUB-D-MALE-CI-R-A-15..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUB-D-MALE-DE-PUISSA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-108613.html 14-Dec-2012 08:41 2.8K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
SUPPORT-ADHESIF-POUR..> 14-Dec-2012 08:48 3.1K
SUPPORT-CI-DIL-6-VOI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-6VOIE..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-7.62M..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-7.62M..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-7.62M..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-7.62M..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-7.62M..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-7.62M..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-8-VOI..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-8-VOI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-8VOIE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-10.16..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-14-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-14-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-14-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-14VOI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-15.24..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-15.24..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-15.24..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-15.24..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-16-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-16-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-16-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-16VOI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-18-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-18-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-18-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-18VOI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-20-VO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-20-VO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-22-VO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-22VOI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-22VOI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-24-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-24-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-24-VO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-24VOI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-24VOI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-28-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-28-VO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-28-VO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-28VOI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-28VOI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-32-VO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-32-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-32-VO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-32VOI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-40-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-40-VO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-40-VO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-40VOI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-48-VO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-10230..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-10230..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-CMS-7..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
SUPPORT-CI-DIL-CMS-1..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-DIMM-144-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SUPPORT-CI-DIMM-144-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUPPORT-CI-PLCC-20-V..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-PLCC-32-V..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-CI-QIL-64-VO..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-SANS-SOUD..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-SANS-SOUD..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-SANS-SOUD..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-SHRINK-DI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-CI-WIREWRAP-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-CI-ZIF-TSSOP..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
SUPPORT-D´ESPACEM..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
SUPPORT-DE-PILE-2X9V..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
SUPPORT-DE-PILE-4XAA..> 14-Dec-2012 08:50 2.9K
SUPPORT-PLCC-68-VOIE..> 14-Dec-2012 08:46 3.1K
SUPPORT-PLCC-84-VOIE..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
SUPPORT-PLCC-CMS-44V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-PLCC-ZIF-44-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
SUPPORT-PLCC-ZIF-68-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
SUPPORT-PLCC-ZIF-84-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-POUR-RELAIS-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SUPPORT-POUR-TUBE-FL..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
SUPPORT-RELAIS-14B-1..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
SUPPORT-RELAIS-DPCO-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
SUPPORT-SIL-1-RANGE-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
SUPPORT-SIL-1-RANGE-..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-SIL-20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-SIL-20-VOIES..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
SUPPORT-SIL-32-VOIES..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
SUPPORT-SIL-32-VOIES..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
SUPPORT-TRANSISTOR-T..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
SWITCH,-PULL-CORD,-I..> 14-Dec-2012 08:43 3.1K
SYNTHETISEUR-CMS-AGI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
SYSTEME-DE-RETENUE-D..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
T-NUT-SET,-FOR-VICES..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
TAPE,-2-SIDED,-50MMX..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
TAPE,-INSUL,-50MMX33..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
TAPE,-INSUL,-50MMX33..> 14-Dec-2012 08:50 3.0K
TARAUD-2BA-HSS-10564..> 14-Dec-2012 08:44 2.9K
TARAUD-105623.html 14-Dec-2012 08:45 3.0K
TARAUD-105624.html 14-Dec-2012 08:44 3.0K
TARAUD-105625.html 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TARAUD-105626.html 14-Dec-2012 08:45 3.0K
TARAUD-105627.html 14-Dec-2012 08:47 3.0K
TARAUD-105628.html 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TARAUD-105629.html 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TARAUD-FINISSEUR-4BA..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
TARAUD-M2-HSS-105634..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
TARAUD-M2.5-HSS-1056..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
TARAUD-M3-105967.html 14-Dec-2012 08:44 2.8K
TARAUD-M3-HSS-105636..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TARAUD-M3.5-HSS-1056..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TARAUD-M4-HSS-105638..> 14-Dec-2012 08:47 3.0K
TARAUD-M5-HSS-105639..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TARAUD-M6-HSS-105640..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
TARAUD-M8-HSS-105642..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
TEL-EXTENSION-SKT-SC..> 14-Dec-2012 08:53 2.8K
TEL-EXTENSION-SKT-SC..> 13-Dec-2012 19:01 2.8K
TEL-EXTENSION-SKT-SC..> 14-Dec-2012 08:53 2.8K
TEL-EXTENSION-SKT-SC..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
TELEPHONE-EXT-LEAD-W..> 14-Dec-2012 08:53 2.8K
TELEPHONE-EXT-LEAD-W..> 13-Dec-2012 19:02 2.8K
TEMPERATURE-CONTROLE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TEMPERATURE-CONTROLE..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TEMPORISATEUR-104026..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104036..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104037..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104038..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104039..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104042..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TEMPORISATEUR-104044..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104049..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104630..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104631..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TEMPORISATEUR-104632..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TEMPORISATEUR-104633..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-104662..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TEMPORISATEUR-104664..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TEMPORISATEUR-104666..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TEMPORISATEUR-104674..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TEMPORISATEUR-104677..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TEMPORISATEUR-105976..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TERMINAISON-FIBRE-OP..> 14-Dec-2012 08:45 3.1K
TEST-High-Tech-Commu..> 14-Dec-2012 08:50 630
TEST2.html 14-Dec-2012 08:50 2.0K
TEST3.html 14-Dec-2012 08:50 8.0K
TESTEUR-D´ISOLATI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TESTEUR-D´ISOLATI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
TESTEUR-DE-ROTATION-..> 14-Dec-2012 08:49 3.0K
TESTEUR-DE-TENSION-1..> 14-Dec-2012 08:57 2.9K
TESTEUR-DE-TENSION-1..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TESTEUR-DE-TENSION.html 13-Dec-2012 19:03 2.9K
TESTEUR-ELECTRIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
TESTEUR-ELECTRIQUE-1..> 14-Dec-2012 08:39 3.0K
TETINE-CAOUTCHOUC-10..> 14-Dec-2012 08:45 3.0K
THERMISTANCE-LINEAIR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
THERMISTANCE-LINEAIR..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
THERMOMETRE-1082992...> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
THERMOMETRE-1083012...> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
THERMOMETRE-NUMERIQU..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
THERMOSTAT-30C---15C..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
THERMOSTAT-35C-50C-1..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THERMOSTAT-40C---25C..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
THERMOSTAT-45C--60C-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THERMOSTAT-65C-80C-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
THERMOSTAT-70C---55C..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
THERMOSTAT-80C---65C..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THERMOSTAT-80C-100C-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THERMOSTAT-100C-120C..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THERMOSTAT-110C--90C..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
THERMOSTAT-115C-140C..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
THERMOSTAT-120C-98C-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
THERMOSTAT-130C-110C..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
THYRISTOR-0.8A-400V-..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
THYRISTOR-0.8A-600V-..> 14-Dec-2012 08:38 3.1K
THYRISTOR-7.5A-500V-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THYRISTOR-7.5A-800V-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
THYRISTOR-13A-400V-T..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
THYRISTOR-13A-600V-T..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
THYRISTOR-13A-800V-T..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
THYRISTOR-19A-800V-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
THYRISTOR-19A-1200V-..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
THYRISTOR-19A-1200V-..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
THYRISTOR-26A-1200V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
THYRISTOR-31A-1200V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
THYRISTOR-32A-800V-T..> 14-Dec-2012 08:44 3.1K
THYRISTOR-32A-1200V-..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
THYRISTOR-48A-1200V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
THYRISTOR-48A-1600V-..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
THYRISTOR-50A-1600V-..> 14-Dec-2012 08:36 3.1K
THYRISTOR-100A-1200V..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
THYRISTOR-MODULE-3-P..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TIMER-COMPTEUR-10181..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TIMER-DOUBLE-1094320..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TIP,-DESOLDER-1.0MM-..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
TIP,-DESOLDERING,-1...> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
TIP,-SOLDERING,-PB-F..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
TIROIR-ROUGE-POUR-BO..> 14-Dec-2012 08:39 3.1K
TONECALLER-106861.html 14-Dec-2012 08:39 3.0K
TOOL-KIT-1082291.html 14-Dec-2012 08:41 2.7K
TORQUE-DRIVER-DIAL-S..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
TOURNEVIS-75XN01-100..> 14-Dec-2012 08:38 3.0K
TOURNEVIS-100X3MM-10..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
TOURNEVIS-152X5MM-10..> 14-Dec-2012 08:36 3.0K
TOURNEVIS-203X5MM-10..> 14-Dec-2012 08:42 3.0K
TOURNEVIS-108702.html 14-Dec-2012 08:38 3.0K
TOURNEVIS-108703.html 14-Dec-2012 08:41 3.0K
TOURNEVIS-108705.html 14-Dec-2012 08:41 2.9K
TOURNEVIS-A-CLE-EMMA..> 14-Dec-2012 08:37 2.9K
TOURNEVIS-A-CLE-EMMA..> 14-Dec-2012 08:37 2.9K
TOURNEVIS-A-CLE-EMMA..> 14-Dec-2012 08:37 2.9K
TOURNEVIS-DE-TEST-VD..> 14-Dec-2012 08:37 3.0K
TOURNEVIS-LONGUE-POR..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
TOURNEVIS-LONGUE-POR..> 14-Dec-2012 08:38 3.0K
TOURNEVIS-TORX-T8-10..> 14-Dec-2012 08:40 2.8K
TOURNEVIS-TORX-T10-1..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
TOURNEVIS-TORX-T15-1..> 14-Dec-2012 08:42 2.8K
TOURNEVIS-TORX-T20-1..> 14-Dec-2012 08:37 2.8K
TRACKLIGHT,-COUPLER-..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
TRACKLIGHT,-FLEXIBLE..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
TRACKLIGHT,-LIVE-END..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
TRACKLIGHT,-TRACK-12..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
TRANCEIVER-DE-BUS-4-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANCEIVER-RS232-101..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANCEIVER-RS232-107..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSCEIVER-CMS-1079..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSCEIVER-CMS-RS-4..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSCEIVER-DE-BUS-4..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSCEIVER-DE-BUS-8..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSCEIVER-DE-BUS-C..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSCEIVER-DE-BUS-D..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSCEIVER-DE-BUS-S..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSCEIVER-DE-BUS-S..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSCEIVER-DOUBLE-R..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSCEIVER-RS-485-4..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSCEIVER-RS-485-4..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
TRANSDUCER-DE-COURAN..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
TRANSDUCTEUR-CMS-107..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSFORMATEUR-240V-..> 14-Dec-2012 08:36 2.9K
TRANSFORMATEUR-415V-..> 14-Dec-2012 08:42 2.9K
TRANSFORMATEUR-D´..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSFORMATEUR-D´..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSFORMATEUR-D´..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSFORMATEUR-D´..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSFORMATEUR-DE-CO..> 14-Dec-2012 08:52 0
TRANSFORMATEUR-DE-CO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
TRANSFORMATEUR-DE-CO..> 14-Dec-2012 08:52 0
TRANSFORMATEUR-DE-CO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSFORMATEUR-PULSE..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSFORMATEUR-PULSE..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
TRANSFORMATEUR-PULSE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSFORMATEUR-PULSE..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSFORMATEUR-VARIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSFORMATEUR-VARIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSFORMATEUR-VARIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSFORMATEUR-VARIA..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSISTOR-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
TRANSISTOR-DARLINGTO..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-DOUBLE-NP..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-DOUBLE-SO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-FAST-IGBT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-1057..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-BOIT..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-BOIT..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-BOIT..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-BOIT..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-CANA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-CANA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-CANA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-CANA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-D2-P..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-D2-P..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-NPT-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-NPT-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-TO-2..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-TO-2..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-TO-2..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-TO-2..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-IGBT-TO-2..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-JFET-CANA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-JFET-CANA..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-JFET-N-SO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-JFET-N-SO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-CO..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DO..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DR..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-DR..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-MO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
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TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-N-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-P-..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-RF..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
TRANSISTOR-MOSFET-RF..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-RF..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-SM..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-MOSFET-SM..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-N-IGBT-TO..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSISTOR-NPN-80V-1..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-100V-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-400V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-400V-..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-450V-..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-700V-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-1500V..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-NPN-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-DARLI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-DARLI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-PNP-S..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-BO..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-SO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-SO..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-NPN-RF-SO..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-3..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-3..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-NPN-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-92..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-92..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-92..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-12..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-21..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.1K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:37 3.1K
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TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-NPN-TO-24..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-PNP-45V-8..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-PNP-60V-3..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-60V-5..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-PNP-80V-1..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-400V-..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:36 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:48 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSISTOR-PNP-BOITI..> 14-Dec-2012 08:49 3.2K
TRANSISTOR-PNP-D-PAK..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-DARLI..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-PNP-DOUBL..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-PNP-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-PNP-SOT-3..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRANSISTOR-PNP-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-SOT-2..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-TO-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSISTOR-PNP-TO-22..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-PNP-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-PNP-TO-22..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-PNP-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRANSISTOR-RF-SOT-32..> 14-Dec-2012 08:37 3.2K
TRANSISTOR-RF-SOT-32..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
TRANSISTOR-RF-TSFP3-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
TRANSLATEUR-DE-TENSI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSLATEUR-DE-TENSI..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSLATEUR-I2C-&-SM..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRANSLATOR-4CH-BI-DI..> 14-Dec-2012 08:45 3.2K
TRANSLATOR-8CH-BI-DI..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRANSMETEUR-DE-COURA..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRANSMETTEUR-CMS-4-2..> 14-Dec-2012 08:38 3.2K
TRESSE-DE-MASSE-250M..> 14-Dec-2012 08:41 3.1K
TRESSE-DE-MASSE-400M..> 14-Dec-2012 08:40 3.1K
TRIAC-1A-600V-SOT-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRIAC-4A-600V-TO-220..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRIAC-6A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-6A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-6A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-8A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIAC-8A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-8A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-8A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-8A-600V-BOITIE..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-8A-600V-TO-220..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRIAC-10A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-10A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-12A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-12A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-12A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIAC-12A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-12A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-12A-600V-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-12A-700V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-12A-700V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIAC-12A-800V-TO-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRIAC-16A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-16A-600V-TO-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRIAC-16A-800V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-16A-800V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-16A-800V-TO-22..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-20A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-24A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-24A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-25A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-25A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
TRIAC-25A-600V-TO-22..> 14-Dec-2012 08:42 3.2K
TRIAC-25A-700V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-40A-600V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIAC-40A-700V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIAC-40A-800V-BOITI..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIMMER-1K-108236.html 14-Dec-2012 08:39 3.2K
TRIMMER-2K-108237.html 14-Dec-2012 08:39 3.2K
TRIMMER-5K-108249.html 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRIMMER-10K-108250.html 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRIMMER-20K-108251.html 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRIMMER-50K-108252.html 14-Dec-2012 08:41 3.2K
TRIMMER-100K-108242...> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRIMMER-500K-108243...> 14-Dec-2012 08:43 3.2K
TRIMMER-500R-108235...> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
TRIMMER-CMS-1K-10713..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIMMER-CMS-2K-10713..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIMMER-CMS-5K-10713..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
TRIMMER-CMS-10K-1071..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIMMER-CMS-20K-1071..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TRIMMER-CMS-50K-1071..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
TROUSSE-A-OUTILS-105..> 14-Dec-2012 08:46 2.8K
TROUSSE-A-OUTILS-105..> 14-Dec-2012 08:45 2.8K
TROUSSE-A-OUTILS-105..> 14-Dec-2012 08:41 2.8K
TUBE-10CM-106650.html 14-Dec-2012 08:46 2.8K
TUBE-30CM-106653.html 14-Dec-2012 08:39 2.8K
TUBE-100CM-106658.html 14-Dec-2012 08:46 2.8K
TUBE-150CM-106659.html 14-Dec-2012 08:46 2.8K
TUBE-200CM-106660.html 14-Dec-2012 08:39 2.8K
TUBE-A-BRIDES-400MM-..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
TUBE-A-BRIDES-2000MM..> 14-Dec-2012 08:39 2.9K
TUBE-FILTRE-DXV-80-(..> 14-Dec-2012 08:44 2.8K
TUBE-PVC-NOIR-107279..> 14-Dec-2012 08:43 3.0K
TUBULAR-LIGHT,-CFL,-..> 14-Dec-2012 08:36 3.0K
TUBULAR-LIGHT,-T8,-I..> 14-Dec-2012 08:44 3.0K
TWEETER-PIEZO-100459..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
TWEETER-PIEZO.html 13-Dec-2012 19:03 3.1K
TWIST-DRILL-SET,-HSS..> 14-Dec-2012 08:43 2.8K
UART-AVEC-FIFO-16-OC..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
UART-QUADRUPLE-AVEC-..> 14-Dec-2012 08:39 3.2K
ULTRASONIC-RXR-25KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-RXR-25KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-RXR-32.8K..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-RXR-32.8K..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-RXR-40KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-TX-RX-MOD..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-TXR-25KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-TXR-25KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-TXR-32.8K..> 14-Dec-2012 08:52 3.1K
ULTRASONIC-TXR-32.8K..> 13-Dec-2012 19:01 3.1K
ULTRASONIC-TXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-TXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:49 3.1K
ULTRASONIC-TXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-TXR-40KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-TXR-40KHZ..> 14-Dec-2012 08:56 3.1K
ULTRASONIC-TXR-40KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-TXR-77KHZ..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-TXR-77KHZ..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
ULTRASONIC-TXR-235KH..> 14-Dec-2012 08:55 3.1K
ULTRASONIC-TXR-235KH..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
UNIVERSAL-HOLDER,-FO..> 14-Dec-2012 08:39 2.8K
VACUUM,-CLEANER,-MIN..> 14-Dec-2012 08:47 2.8K
VALISE-A-OUTILS-1054..> 14-Dec-2012 08:41 3.0K
VALISE-A-OUTILS-1092..> 14-Dec-2012 08:40 3.0K
VARISTANCE-0.3J-11VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-0.3J-11VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-0.4J-4VAC..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-0.4J-14VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-0.4J-14VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-0.5J-17VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-0.5J-17VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-0.6J-20VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-0.6J-20VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-0.7J-25VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-0.7J-25VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-0.8J-4VAC..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-0.8J-10VA..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VARISTANCE-0.8J-11VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-0.8J-11VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-0.9J-14VA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-0.9J-14VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-0.9J-14VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-0.9J-30VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-0.9J-30VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-1.0J-17VA..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VARISTANCE-1.1J-17VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-1.1J-17VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-1.1J-35VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-1.1J-35VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-1.2J-20VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-1.3J-20VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-1.3J-20VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-1.3J-40VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-1.3J-40VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-1.5J-25VA..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VARISTANCE-1.6J-25VA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-1.6J-25VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-1.7J-11VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-1.7J-11VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-1.8J-30VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-1.8J-50VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-1.8J-50VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-2.0J-14VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-2.0J-14VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-2.0J-30VA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-2.0J-30VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-2.3J-35VA..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-2.5J-17VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-2.5J-17VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-2.5J-35VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-2.5J-35VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-2.5J-75VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-2.5J-75VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-3.0J-40VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-3.0J-40VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-3.0J-40VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-3.1J-20VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-3.1J-20VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-3.2J-11VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-3.2J-11VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-3.4J-95VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-3.4J-95VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-3.4J-115V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-3.4J-115V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-3.5J-10VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-3.7J-25VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-3.7J-25VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-4.0J-14VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-4.0J-14VA..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VARISTANCE-4.0J-14VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-4.0J-50VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-4.2J-50VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-4.2J-50VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-4.2J-130V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-4.2J-130V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-4.4J-30VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-4.4J-30VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-4.8J-60VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-4.8J-60VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-4.9J-150V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-4.9J-150V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-5.0J-17VA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-5.0J-60VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-5.4J-35VA..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-5.4J-35VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-5.6J-175V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-5.6J-175V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-5.9J-75VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-5.9J-75VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-6.0J-20VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-6.0J-20VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-6.0J-20VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-6.0J-75VA..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-7.0J-25VA..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-7.0J-25VA..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-7.2J-25VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-7.2J-230V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-7.2J-230V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-8.2J-250V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-8.2J-250V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-8.4J-50VA..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-8.4J-50VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-8.4J-115V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-8.4J-115V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-8.6J-275V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-8.6J-275V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-9.0J-30VA..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-9.0J-30VA..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-9.5J-130V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-9.5J-130V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-9.6J-300V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-9.6J-300V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-10.0J-11V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-10.0J-11V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-10.0J-35V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-10.0J-35V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-10.0J-35V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-10.0J-115..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-11.0J-130..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-12.0J-14V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-12.0J-14V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-13.0J-40V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-13.0J-40V..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-13.0J-40V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-13.0J-150..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-13.0J-175..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-13.0J-175..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-13.5J-385..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-13.5J-385..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-14.0J-17V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-14.0J-17V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-14.0J-420..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-14.0J-420..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-15.0J-50V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-15.0J-50V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-15.0J-95V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-15.0J-95V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-17.0J-60V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-17.0J-60V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-17.0J-230..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-17.0J-230..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-18.0J-20V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-18.0J-20V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-18.0J-115..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-18.0J-115..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-18.0J-460..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-18.0J-460..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-19.0J-130..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-19.0J-130..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-19.0J-250..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-19.0J-250..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-20.0J-60V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-20.0J-75V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-20.0J-75V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-20.0J-130..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-20.0J-230..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-21.0J-250..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-21.0J-250..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-21.0J-275..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-21.0J-275..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-22.0J-75V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-22.0J-140..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-22.0J-140..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-23.0J-275..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-23.0J-275..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-23.0J-300..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-23.0J-300..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-24.0J-150..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-24.0J-150..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-25.0J-95V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-25.0J-95V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-25.0J-150..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-26.0J-25V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-26.0J-25V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-26.0J-30V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-26.0J-30V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-27.0J-50V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-27.0J-50V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-28.0J-175..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-28.0J-175..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-30.0J-95V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-30.0J-115..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-30.0J-115..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-32.0J-420..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-32.0J-420..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-32.0J-460..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-32.0J-460..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-33.0J-35V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-33.0J-35V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-33.0J-60V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-33.0J-60V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-34.0J-130..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-34.0J-130..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-35.0J-115..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-36.0J-140..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-36.0J-140..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-36.0J-230..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-36.0J-230..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-37.0J-40V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-37.0J-40V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-38.0J-130..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-38.0J-250..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-38.0J-250..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-40.0J-75V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-40.0J-75V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-40.0J-250..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-40.0J-385..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-40.0J-385..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-43.0J-275..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-43.0J-275..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-45.0J-150..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-45.0J-275..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-45.0J-420..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-45.0J-420..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-45.0J-420..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-46.0J-175..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-46.0J-175..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-47.0J-300..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-47.0J-300..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-50.0J-95V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-50.0J-95V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-50.0J-320..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-50.0J-320..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-50.0J-460..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-50.0J-460..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-55.0J-175..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VARISTANCE-60.0J-115..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-60.0J-115..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-60.0J-230..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-60.0J-230..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-65.0J-250..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-65.0J-250..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-70.0J-130..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-70.0J-130..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-70.0J-230..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-71.0J-275..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-71.0J-275..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-72.0J-250..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-74.0J-130..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-74.0J-130..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-75.0J-275..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-76.0J-300..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-76.0J-300..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-78.0J-140..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-78.0J-140..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-80.0J-150..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-80.0J-385..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-80.0J-385..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-84.0J-320..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-84.0J-320..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-85.0J-150..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-85.0J-150..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-90.0J-320..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-90.0J-420..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-90.0J-420..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-90.0J-420..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-98.0J-175..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-98.0J-175..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-100J-14VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-100J-460V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-100J-460V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-105J-480V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-110J-510V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-120J-575V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-130J-230V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-130J-230V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-130J-250V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-130J-250V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-140J-250V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-140J-250V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-140J-275V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-140J-275V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-140J-660V..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-150J-21VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-150J-275V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-150J-275V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-150J-385V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-150J-385V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-151J-275V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-151J-275V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-160J-320V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VARISTANCE-160J-420V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-173J-300V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-173J-300V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-175J-420V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-175J-420V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-180J-480V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-184J-320V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-184J-320V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-185J-320V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-185J-320V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-190J-510V..> 14-Dec-2012 08:57 3.2K
VARISTANCE-190J-510V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-195J-460V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-195J-460V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-215J-275V..> 14-Dec-2012 08:56 3.2K
VARISTANCE-215J-275V..> 13-Dec-2012 19:03 3.2K
VARISTANCE-220J-575V..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-230J-625V..> 14-Dec-2012 08:54 3.2K
VARISTANCE-230J-625V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-235J-300V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-235J-300V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-255J-320V..> 14-Dec-2012 08:55 3.2K
VARISTANCE-255J-320V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VARISTANCE-360J-1000..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-808J-30VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-1210-18VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-1210-26VA..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-0..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:46 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:44 3.2K
VARISTANCE-BOITIER-1..> 14-Dec-2012 08:40 3.2K
VELCRO-BOB5M-107424...> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
VELCRO-BOB5M-107425...> 14-Dec-2012 08:46 3.0K
VENTILATEUR-40MM-5VC..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-40MM-5VC..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-40MM-12V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VENTILATEUR-40MM-24V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-40MM-24V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-45MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-45MM-12V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VENTILATEUR-50MM-5VC..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-50MM-5VC..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-50MM-12V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-51MM-12V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-51MM-12V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VENTILATEUR-60MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-60MM-12V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-60MM-12V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-60MM-12V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-60MM-24V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-60MM-24V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-60MM-24V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-60MM-24V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-60MM-24V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-60MM-115..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-60MM-115..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-75MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-75MM-12V..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VENTILATEUR-80MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-80MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-80MM-12V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-80MM-12V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-80MM-24V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-80MM-24V..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VENTILATEUR-92MM-12V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-92MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-92MM-12V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-92MM-24V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-95MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-95MM-12V..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-95MM-12V..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-95MM-24V..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-119MM-12..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-119MM-12..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-119MM-24..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-120MM-24..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VENTILATEUR-150MM-23..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-150MM-23..> 13-Dec-2012 19:02 3.1K
VENTILATEUR-AIR-CHAU..> 14-Dec-2012 08:53 3.0K
VENTILATEUR-AIR-CHAU..> 13-Dec-2012 19:01 3.0K
VENTILATEUR-AXIAL-10..> 14-Dec-2012 08:47 3.1K
VENTILATEUR-AXIAL-10..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
VENTILATEUR-AXIAL-10..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
VENTILATEUR-AXIAL-10..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
VENTILATEUR-AXIAL-10..> 14-Dec-2012 08:50 3.1K
VENTILATEUR-AXIAL.html 13-Dec-2012 19:02 3.1K
VENTILATEUR-DBLE-ASP..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-DBLE-ASP..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-DBLE-ASP..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-DBLE-ASP..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-DBLE-ASP..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
VENTILATEUR-DBLE-ASP..> 14-Dec-2012 08:47 3.2K
VENTILATEUR-FILTRE-I..> 14-Dec-2012 08:41 3.2K
VENTILATEUR-POUR-CPU..> 14-Dec-2012 08:52 3.2K
VENTILATEUR-POUR-CPU..> 13-Dec-2012 19:01 3.2K
VENTILATEUR-RADIAL-1..> 14-Dec-2012 08:53 3.1K
VENTILATEUR-RADIAL.html 13-Dec-2012 19:02 3.1K
VENTILATEUR-SIMPLE-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-SIMPLE-A..> 14-Dec-2012 08:50 3.2K
VENTILATEUR-SIMPLE-A..> 14-Dec-2012 08:53 3.2K
VENTILATEUR-SIMPLE-A..> 13-Dec-2012 19:02 3.2K
PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 24MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:2.28:1; I.D. Fourni:24mm; I.D. Max récupéré:10.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):38mm; Longueur totale - Impérial:1.49''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:24mm; Diamètre, avant rétreint:24mm; Diamètre, câble max..:24mm; Diamètre, câble min.:6mm; Diamètre, retreint complet:10.5mm; Epaisseur PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 36MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.6:1; I.D. Fourni:36mm; I.D. Max récupéré:22.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):60mm; Longueur totale - Impérial:2.36''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:36mm; Diamètre, avant rétreint:36mm; Diamètre, câble max..:36mm; Diamètre, câble min.:8.5mm; Diamètre, retreint complet:22.5mm; Epaisseu PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 60MM DIA.; Série:1100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.71:1; I.D. Fourni:60mm; I.D. Max récupéré:35mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):80mm; Longueur totale - Impérial:3.15''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:60mm; Diamètre, avant rétreint:60mm; Diamètre, câble max..:60mm; Diamètre, câble min.:16mm; Diamètre, retreint complet:35mm; Epaisseur, PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 24MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:2.28:1; I.D. Fourni:24mm; I.D. Max récupéré:10.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):26mm; Longueur totale - Impérial:1.02''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:24mm; Diamètre, avant rétreint:24mm; Diamètre, câble max..:24mm; Diamètre, câble min.:6mm; Diamètre, retreint complet:10.5mm; Epaisseur PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 25MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.78:1; I.D. Fourni:25mm; I.D. Max récupéré:14mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):40mm; Longueur totale - Impérial:1.57''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:25mm; Diamètre, avant rétreint:25mm; Diamètre, câble max..:9mm; Diamètre, câble min.:3.5mm; Diamètre, retreint complet:14mm; Epaisseur, m PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 30MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:2.14:1; I.D. Fourni:30mm; I.D. Max récupéré:14mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):55mm; Longueur totale - Impérial:2.16''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:30mm; Diamètre, avant rétreint:30mm; Diamètre, câble max..:30mm; Diamètre, câble min.:6mm; Diamètre, retreint complet:14mm; Epaisseur, mu PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 31MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.72:1; I.D. Fourni:31mm; I.D. Max récupéré:18mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):67mm; Longueur totale - Impérial:2.63''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:31mm; Diamètre, avant rétreint:31mm; Diamètre, câble max..:31mm; Diamètre, câble min.:7mm; Diamètre, retreint complet:18mm; Epaisseur, mu PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 36MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.6:1; I.D. Fourni:36mm; I.D. Max récupéré:22.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):80mm; Longueur totale - Impérial:3.14''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:36mm; Diamètre, avant rétreint:36mm; Diamètre, câble max..:36mm; Diamètre, câble min.:8.5mm; Diamètre, retreint complet:22.5mm; Epaisseu PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 43MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.53:1; I.D. Fourni:43mm; I.D. Max récupéré:28mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):60mm; Longueur totale - Impérial:2.36''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:43mm; Diamètre, avant rétreint:43mm; Diamètre, câble max..:43mm; Diamètre, câble min.:10mm; Diamètre, retreint complet:28mm; Epaisseur, m PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 43MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.53:1; I.D. Fourni:43mm; I.D. Max récupéré:28mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):79mm; Longueur totale - Impérial:3.11''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:43mm; Diamètre, avant rétreint:43mm; Diamètre, câble max..:43mm; Diamètre, câble min.:10mm; Diamètre, retreint complet:28mm; Epaisseur, m PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 66MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.46:1; I.D. Fourni:66mm; I.D. Max récupéré:45mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):130mm; Longueur totale - Impérial:5.12''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:66mm; Diamètre, avant rétreint:66mm; Diamètre, câble max..:66mm; Diamètre, câble min.:17mm; Diamètre, retreint complet:45mm; Epaisseur, PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 60MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:1.71:1; I.D. Fourni:60mm; I.D. Max récupéré:35mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):90mm; Longueur totale - Impérial:3.54''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:60mm; Diamètre, avant rétreint:60mm; Diamètre, câble max..:60mm; Diamètre, câble min.:16mm; Diamètre, retreint complet:35mm; Epaisseur, m PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 24MM DIA.; Série:1100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:2.28:1; I.D. Fourni:24mm; I.D. Max récupéré:10.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):26mm; Longueur totale - Impérial:1.02''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:24mm; Diamètre, avant rétreint:24mm; Diamètre, câble max..:24mm; Diamètre, câble min.:6mm; Diamètre, retreint complet:10.5mm; Epaisseu PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 30MM DIA.; Série:1100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:2.06:1; I.D. Fourni:30mm; I.D. Max récupéré:15.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):32mm; Longueur totale - Impérial:1.26''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:30mm; Diamètre, avant rétreint:30mm; Diamètre, câble max..:30mm; Diamètre, câble min.:6mm; Diamètre, retreint complet:15.5mm; Epaisseu PIECE MOULEE THERMORETRACTABLE 30MM DIA.; Série:100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polyester; Shrink Ratio:2.14:1; I.D. Fourni:30mm; I.D. Max récupéré:14mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):43mm; Longueur totale - Impérial:1.69''; Approval Bodies:VG; Body Material:Polyester; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:30mm; Diamètre, avant rétreint:30mm; Diamètre, câble max..:30mm; Diamètre, câble min.:6mm; Diamètre, retreint complet:14mm; Epaisseur, mu COFFRET 46 PIECES; Contenu du kit:3, 4, 4.5, 5, 6, 7, 8, 9, mm, PH0, PH1, PH2, PH3, PZ0, PZ1, PZ2, PZ3, Ratchet Drivers; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:Jeu de 46 pièces; Taille du conducteur:1/4'' COFFRET DOUILLES 1/4 POUCES 39 PIECES; Contenu du kit:4, 4.5, 5, 5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14mm, PH1, PH2, PH3, PZ1, PZ2, PZ3, Ratchet Handle; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:39 Piece Set; Taille du conducteur:1/4'' JEU DE DOUILLES 23 PIECES; Contenu du kit:6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 24mm, Adapter, Ratchet Handle; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:23 Piece Set; Nb de pièces:23; Taille du conducteur:3/8'' JEU DE TOURNEVIS 8 PIECES; Contenu du kit:2.5, 4, 6.5mm, PH1, PH2, PZ1, PZ2, MainsTester; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) COFFRET OUTILS 110 PIECES CRESCENT; Contenu du kit:110-Pcs of 1/4'', 1/2'' Assorted Tools COFFRET OUTILS 45 PIECES CRESCENT; Contenu du kit:45-Pcs of 1/4'' Assorted Tools EMPORTE PIECE POUR AFFICHEUR DMS-20; Longueur:44.45mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:28.58mm; Largeur (externe):44.45mm; Profondeur externe - Impérial:31.75''; Type d'outils:Trou KNIFE, DISPOSABLE 50-PIECE-BOX KIT DE COSSES 630 PIECES; Type d'accessoire:Terminal Kit; Contenu du kit:Kit de 630 cosses sertir et colliers avec outils et cutter; Numéro AWG max..:3AWG; Numéro AWG min.:25AWG; Type de borne: sertir INSULATED SOCKET SET, 9 PIECE SET; Contenu du kit:10, 13, 14, 16, 17, 19, 20/21mm, Ratchet, Extension Bar; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:Ë in. Ratchet, 1/2 in. Metric Socket: 10, 13, 14, 16, 17, 19, 20/21mm, Extension bar125mm; Style d'embase:6 Point; Taille A/F - Impérial:3/8, 1/2, 9/16, 5/18, 11/16, 3/4, 25/32, 13/16; Taille du conducteur:1/2''; Type d'embase:Square Drive SCREW TAILPIECE 1/2'' BSP M; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) ESD PLIERS SET, 4 PIECES; Contenu du kit:3-901-7 Side Cutters, 3-906-7 End Cutters, 3-932-7 Flat Nose, 3-933-7 Snipe Nose Pliers; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu de la trousse, Nombre de Pieces:4; Contenu du kit:ESD Side cutters, 120 mm, for soft wire up to 1.0 mm, for hard wire up to 0.4 mm Ř; ESD End cutters, 125 mm, with angular tips and oblique cutting edge, without side face, for flush cutting, for soft wire only up to 0.8 mm Ř; ESD Flat nose pliers, 120 mm; ESDSnipe nose pliers, 5 PIECE LOCKING PLIER SET; Contenu du kit:5'', 7'', 10'' Curved Jaw Locking Pliers, 6'', 9'' Long Nose Locking Pliers SCREW KIT, 1340PIECE; Fermeture des matériaux:Acier; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Matière:Stainless Steel KIT D'OUTILS POUR CABLES 25 PIECES; Contenu de la trousse, Nombre de Pieces:25; Contenu du kit:10 x RJ45 8P6C modular plugs, 10 x RJ12 6P6C modular plugs, Enhanced network cable tester, network cable terminator, wrist strap set, 2-in-1 modular telephone plug crimp tool JEU DE DOUILLES 1/4'' 25 PIECES; Contenu du kit:4, 4.5, 5, 5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13mm, T10, T15, T20, T25, T30, T40, Ratchet, Bit Holders; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille du conducteur:1/4''; Type d'embase:Socket Set PIECE POUR SCELLEUSE THERMIQUE 200MM; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur/hauteur:200mm; Type d'accessoire:Heat Sealer PIECE POUR SCELLEUSE THERMIQUE 300MM; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur/hauteur:300mm; Type d'accessoire:Heat Sealer SOLDERING HANDPIECE, REWORK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Connecteur de puissance 8 broches JEU DE DOUILLES 1/2 POUCE 106 PIECES; Contenu du kit:4, 4.5, 5, 5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13mm, PH1, PH2, PH3, PH4, PZ1, PZ2, PZ3, Ratchet Handle; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille du conducteur:1/4'' & 1/2''; Type d'embase:Socket Set JEU DE DOUILLES 91 PIECES 1/4'' ET 1/2''; Contenu du kit:4, 4.5, 5, 5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13mm, PH0, PH1, PH2, PH3, Spinner & Ratchet Handle; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille du conducteur:1/4'' & 1/2''; Type d'embase:Socket Set JEU 2 PIECES DE REMP. POUR DTX-PLA002S; Type d'accessoire:Tip Set; A utiliser avec:DTX CableAnalyser; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBOUTS DE VISSAGE HSS MINI 30 PIECES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE, ULTRA FINE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) STAND, TWEEZER HANDPIECE; Type d'accessoire:TipSaver Workstand; A utiliser avec:Oki MX-PTZ Handpiece; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) STAND, DESOLDER HANDPIECE; Type d'accessoire:TipSaver Workstand; A utiliser avec:Oki MX-DS1 Handpiece; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) JEU DE CLES A CLIQUET 3 PIECES; Contenu du kit:8x9x10x11mm, 12x13x14x15mm, 16x17x18x19mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) KIT DE NETTOYAGE/PONCAGE 30 PIECES; Contenu du kit:Brosses, disques et bandes de ponçage; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT VISSAGE. CISELAGE/FRAISAGE 24 PIECES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT COUPAGE/MEULAGE 60 PIECES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE, PRECISION TWEEZER; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) STAND, ADVANCED & ULTRA FINE H/PIECE; Type d'accessoire:TipSaver Workstand; A utiliser avec:Oki Metcal Advanced & UltraFine Handpieces; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CRIMP KIT, 175 PIECE; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) HANDPIECE SX-90 INTELLIHEAT; Tension d'alimentation Vac:230V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE PS-90 INTELLIHEAT; Tension d'alimentation Vac:230V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE PS-90 SENSATEMP; Tension d'alimentation Vac:230V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE TT-65 INTELLIHEAT; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+288°C +343°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) SOLDERING HANDPIECE, PRODUCTION; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TEST LEAD KIT, 8 PIECES, MINI HOOK; Tension:60VDC; Contenu du kit:8 x Test Clips; Connecteur type A:Mini Hook Test Clip; Connecteur type B:Mini Hook Test Clip; Longueur câble:50cm; Type de câble assemblé:Test JEU DE DOUILLES 1/2'' METRIQUE 24 PIECES; Contenu du kit:10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 27, 30, 32mm, Ratchet, Breaker Bar; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille du conducteur:1/2''; Type d'embase:Socket Set JEU DE DOUILLES 1/2 + CLES 40 PIECES; Contenu du kit:10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 30, 32mm, Ratchet; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille du conducteur:1/2''; Type d'embase:Socket Set JEU DE DOUILLES 94 PIECES 1/4'' ET 1/2''; Contenu du kit:4, 4.5, 5, 5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13mm, PH1, PH2, PH3, PH4, Spinner & Ratchet Handle; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille du conducteur:1/4'' & 1/2''; Type d'embase:Socket Set TOOL SET IN METAL BOX, 61-PIECE; Contenu du kit:1 Rathcet Handle,19 Sockets,3 Ext Bars,1 Sliding T-Bar, 17 Combination Wrenches,10 Screwdrivers, 8 Hex Sets,1 T & G Plier,1 Locking Plier TERMINAL KIT, CRIMP, 500 PIECE; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) HANDPIECE TT-65 SENSATEMP STAND; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+288°C +343°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE MT-100 INTELLIHEAT; Tension d'alimentation Vac:230V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) SET, 31 PIECES, BIT RATCHET AND 28 BITS; Contenu du kit:4mm, 5.5mm Slot, PZ1 to PZ3 Pozidrive, PH1 to PH3 Phillips, 1.5 to 8mm Hex, TX6 to TX9 Torx Bits; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EYEPIECE, DINO-EYE, USB, 1.3M PIXEL; A utiliser avec:Windows 2000/XP, Vista, Windows 7 and MAC X Computers; Type de caméra:Numérique KIT EMBOUTS 32 PIECES; Contenu du kit:SW2 to SW6, T7 to T40, Spanner Bits: #4, #6, #8, # 0, Torque-set Bits: #6, #8, #10, #1/4''; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:1 Bit holder, 1 Universal bit holder, SW2, SW2.5, SW3, SW4, SW5, SW6, TX7, TX8, TX9, TX10, TX15, TX20, TX25, TX30, TX40, Spanner bits: # 4, # 6, # 8, # 10, Torq-set bits: # 6, # 8, # 10, # 1/4'', Tri-wing bits, Square plus bits: # 0, # 1, # 2, # 3; Poids:0.482kg PAPIER ACCORDEON 5 PIECES; Type d'accessoire:Paper Chart; A utiliser avec:Pen Recorders, Printing Recorders; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PIECE THERMORETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2.1:1; I.D. Fourni:30mm; I.D. Max récupéré:14.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:30mm; Diamètre, avant rétreint:30mm; Diamètre, câble max..:30mm; Diamètre, câble min.:5.9mm; Diamètre, retreint complet:14.2mm; Longueur en pouces:2.17''; Matière:Polyolefin; Température de fonctionneme PIECE THERMORETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:1.5:1; I.D. Fourni:43mm; I.D. Max récupéré:28.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:43mm; Diamètre, avant rétreint:43mm; Diamètre, câble max..:43mm; Diamètre, câble min.:9.9mm; Diamètre, retreint complet:28.2mm; Longueur en pouces:3.9''; Matière:Polyolefin; Température de fonctionnemen COFFRET DOUILLES 22 PIECES; Contenu du kit:10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 22, 24, 27, 30, 32mm, Adapter, Ratchet Handle; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nb de pièces:22; Taille du conducteur:1/2'' CIRCLIPS GRAND KIT 450 PIECE; Type de clip:Circlip; Contenu du kit:Interne/ Externe 14 25mm, Type E 10 15mm; Quantité, boite:450 JEU DE BRUCELLES ANTIST 5 PIECES; Type de brucelles:Précision; Matériau du corps des brucelles:Plastique; Matériau des pannes des brucelles:Plastique; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT EMBOUTS 11 PIECES; Contenu du kit:4.5, 5.5, 6.5mm, PH1, PH2, PH3, PZ1, PZ2, PZ3, Chuck, Bit Holder; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:1 porte-embout+embout tournevis PZ1/25, PZ2/25, PZ 3/25, PH1/25, PH2/25, PH3/25, 0.6x4.5, 1x5.5, 1.2x6.5; Poids:0.252kg; Type de tournevis:Phillips, Pozidriv, fente COMPOSITION DE DOUILLES 1/4 32 PIECES; Contenu du kit:5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14mm, PH1, PH2, PH3, Adapter, Ratchet; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:5.5 - 14; Nb de pièces:33; Poids:0.870kg PIECE THERMORETRACTABLE COUDEE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2.1:1; I.D. Fourni:30mm; I.D. Max récupéré:14.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:30mm; Diamètre, avant rétreint:30mm; Diamètre, câble max..:30mm; Diamètre, câble min.:5.9mm; Diamètre, retreint complet:14.2mm; Longueur en pouces:1.26''; Matière:Polyolefin; Température de fonct KIT TOURNEVIS 12 PIECES; Contenu du kit:4 Screwdrivers, 7 Nut Drivers & 1 other Tool MODULE SANDVIK BAHCO''ERGO''-3 PIECE; Contenu du kit:Semi Flush Side Cutter, Long Nose Pliers, Flat Nose Pliers; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) CLE HEXAGONALE MET 10 PIECES 1.5 A 10MM; Contenu du kit:1.5mm, 2mm, 2.5mm, 3mm, 4mm, 5mm, 6mm, 7mm, 8mm, 10mm Hex Keys; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Normes:DIN 911, BS 4168:1967, ou BS 2470 :1973 CLE HEXAGONALE MET 7PIECES 2.5 A 8M; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:2.5mm, 3mm, 4mm, 5mm, 6mm, 7mm, 8mm Hex Keys; Normes:DIN 911 CLE HEXAGONALE A/F 7 PIECES 3/32'' A; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:3/32'', 1/8'', 5/32'', 3/16'', 3/8'', 1/4'', 5/16'' Hex Keys; Normes:DIN 911 DISTANCE PIECE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EYEPIECE, DINO-EYE, USB, 5M PIXEL; A utiliser avec:Windows 2000/XP, Vista, Windows 7 and MAC X Computers; Type de caméra:Numérique TORX BIT JEU FOLD-UP 7 PIECE; Contenu du kit:T7, T8, T9, T10, T15, T20, T25 Torx Bit; Type de clé Torx:T7, T8, T9, T10, T15, T20, T25; Handle Type:Dépliable; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:Clés tailles T7, T8, T9, T10, T15, T20, T25; Tip / Nozzle Size:T7, T8, T9, T10, T15, T20, T25 JEU DE CLES PLATES METRINCH 14 PIECE; Contenu du kit:8mm to 23mm, 5/16'' to 7/8''; Contenu du kit:Jeu de clés 8mm-5/16'', 9mm-11/32'', 10mm-3/8'', 11mm-7/16'', 12mm-15/32'', 13mm-1/2'', 14mm-9/16'', 15mm-19/32'', 16mm-5/8'', 17mm-11/16'', 18mm-23/32'', 19mm-3/4'', 20/21mm-13/16'', 22/23mm-7/8''; Gamme:8mm 22mm - 5/16'' 7/8'' KIT OUTIL, 14 PIECES; Contenu du kit:Screwdrivers, Snipe Nose Pliers, Side Cutters, Tweezers JEU DE BRUCELLES HAUTE PREC. 5 PIECES; Type de brucelles:Précision; Matériau du corps des brucelles:Acier inoxydable; Matériau des pannes des brucelles:Acier inoxydable; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Normes:DIN1.4404, AISI316L JEU DE BRUCELLES HAUTE PREC. 5 PIECES; Type de brucelles:Précision; Matériau du corps des brucelles:Acier inoxydable; Matériau des pannes des brucelles:Acier inoxydable; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Normes:DIN1.4404, AISI316L JEU DE 8 PIECES TORX; Contenu du kit:T8, T10, T15, T20, T25, T27, T30, T40 Torx; Contenu du kit:Jeu de tounevis T8T, T10T, T15T, T20T, T25T, T27T, T30T, T40T; Type de tournevis:Torx KIT EMBOUTS 14 PIECES; Contenu du kit:4.5, 5.5mm, PH1, PH2, PZ1, PZ2, T10, T15, T20, T25, T30, T40; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:1 porte-embout baillonnette, 1 porte-embout baillonnette serrage rapide, embouts tailles TX10, TX15, TX20, TX25, TX30, TX40, PZ1/25, PZ2/25, PH1/25, PH2/25, 0.6x4.5, 1x5.5; Poids:0.314kg; Type de tournevis:Phillips, Pozidriv, fente, Torx TETE D'IMPRESSION 2 PIECES; Thermocouple Type:L, J, U, T, K, E, N, S, R, B; Température de fonctionnement max..:25°C; Température d'utilisation min:15°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:6 Electrically Isolated Measurement Inputs; Longueur/hauteur:144mm; Tension, alimentation max..:240V; Tension, alimentation min.:110V TORX BIT JEU FOLD-UP 8 PIECE; Contenu du kit:T9, T10, T15, T20, T25, T27, T30, T40 Torx Keys; Type de clé Torx:TX9, TX10, TX15, TX20, TX25, TX27, TX30, TX40; Handle Type:Dépliable; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:Clés tailles T9, T10, T15, T20, T25, T27, T30, T40; Tip / Nozzle Size:T9, T10, T15, T20, T25, T27, T30, T40 JEU DE CLES PLATES METRINCH 10 PIECE; Contenu du kit:10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19mm, 3/8, 7/16, 15/32, 1/2, 9/16, 9/32, 5/8, 11/16, 23/32, 3/4''; Contenu du kit:Jeu de clés 10mm-3/8'', 11mm-7/16'', 12mm-15/32'', 13mm-1/2'', 14mm-9/16'', 15mm-19/32'', 16mm-5/8'', 17mm-11/16'', 18mm-23/32'', 19mm-3/4''; Gamme:10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19mm - 3/8'', 7/16'', 15/32'', 1/2'', 9/16'', 19/32'', 5/8'', 11/16'', 23/32'', 3/4'' JEU DE CLES PLATES METRINCH 15 PIECE; Contenu du kit:8mm to 32mm, 5/16'' to 1.1/4''; Contenu du kit:Jeu de clés 8mm-5/16'', 9mm-11/32'', 10mm-3/8'', 11mm-7/16'', 12mm-15/32'', 13mm-1/2'', 14mm-9/16'', 15mm-19/32'', 16mm-5/8'', 17mm-11/16'', 18mm-23/32'', 19mm-3/4'', 20/21mm-13/16'', 22/23mm-7/8'', 31/32mm-1.1/4''; Gamme:8mm 32mm - 5/16'' 1-1/4'' TOURNEVIS JEU TORX 6 PIECE; Contenu du kit:T4, T5, T6, T7, T8, T9; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:Jeu de tournevis T4, T5, T6, T7, T8, T9; Type de tournevis:Torx PIECE DE MONTAGE; Type d'accessoire:Mounting Bracket; A utiliser avec:Encoders; Matière:Metal PIECE THERMORETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2.3:1; I.D. Fourni:24mm; I.D. Max récupéré:10.4mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:24mm; Diamètre, avant rétreint:24mm; Diamètre, câble max..:24mm; Diamètre, câble min.:5.6mm; Diamètre, retreint complet:10.4mm; Longueur en pouces:1.5''; Matière:Polyolefin; Température de fonctionnemen PIECE THERMORETRACTABLE COUDEE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:1.7:1; I.D. Fourni:31mm; I.D. Max récupéré:18mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:31mm; Diamètre, avant rétreint:31mm; Diamètre, câble max..:31mm; Diamètre, câble min.:7.1mm; Diamètre, retreint complet:18mm; Longueur en pouces:1.54''; Matière:Polyolefin; Température de fonctionn JEU DE BRUCELLES ANTIST 5 PIECES; Type de brucelles:Précision; Matériau du corps des brucelles:Plastique; Matériau des pannes des brucelles:Plastique; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT EMBOUTS 32 PIECES; Contenu du kit:PH1, PH2, PH3, PZ1, PZ2, PZ3, T10, T15, T20, T25, T30, T40, SW4, SW5, SW6, 4.5, 5.5, 6.5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contenu du kit:1 porte-embout, 1 embout universel, 3 embouts tournevis tailles PH1/25, PH2/25, PH3/25, PZ1/25, PZ2/25, PZ3/25, TX10, TX15, TX20, TX25, TX30, TX40, SW4, SW5, SW6, 0.6x4.5, 1x5.5, 1.2x6.5; Poids:0.482kg CAP, 1-PIECE, TRANSPARENT; Couleur levier / capuchon:Vert; Couleur:Transparent Green; IP / NEMA Rating:IP65 JEU DE PIECES DETACHEES; Type de levage:Outil de levage avec système sous vide; Diamètre, extérieur:9mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PIECE THERMORETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:1.7:1; I.D. Fourni:31mm; I.D. Max récupéré:18mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:31mm; Diamètre, avant rétreint:31mm; Diamètre, câble max..:31mm; Diamètre, câble min.:7.1mm; Diamètre, retreint complet:18mm; Longueur en pouces:2.64''; Matière:Polyolefin; Température de fonctionnement m EYEPIECE, 20X MAGNIFICATION; A utiliser avec:59-020-040 Stereo Microscope; Magnification:20x; Facteur de grossissement:20 CLE HEXAGONALE A/F 8PIECES 1/16''A 1/4''; Contenu du kit:1/16'', 5/64'', 3/32'', 1/8'', 5/32'', 3/16'', 7/32'', 1/4'' Hex Keys; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Normes:DIN 911, BS 4168:1967, ou BS 2470 :1973 CIRCLIPS PETIT KIT 890 PIECE; Type de clip:Circlip; Contenu du kit:Externe 3 12mm, Interne 8 12mm, Type E 1.2 9mm; Quantité, boite:890 CLE HEXAGONALE A/F 10PIECES 1/16 A 3/8''; Contenu du kit:1/16'', 5/64'', 3/32'', 1/8'', 5/32'', 3/16'', 7/32'', 1/4'', 5/16'', 3/8'' Hex Keys; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Normes:DIN 911, BS 4168:1967, ou BS 2470 :1973 CLE HEXAGONALE MET 8 PIECES 1.5 A 7MM; Contenu du kit:1.5mm, 2mm, 2.5mm, 3mm, 4mm, 5mm, 6mm, 7mm Hex Keys; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Normes:DIN 911, BS 4168:1967, ou BS 2470 :1973 COMPOSITION DE DOUILLES 1/4 26 PIECES; Contenu du kit:5.5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14mm, PH1, PH2, Adapter, Ratchet; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:5.5 - 14; Nb de pièces:26; Poids:0.825kg TROUSSE A OUTILS 11 PIECES; Contenu du kit:Knipex 0305160, 0305160, 2505160, 3015160, 3035160, 3115160, 6705140, 7005140, 982025, 982025,982401; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:Combination plier, wire stripper, chainnose side cutting pliers, long nose plier flat, long nose plier round, needle nose plier, high leverage end cutting plier, diagonal cutter, Screwdrivers flat blade width 2.8mm and 4mm Phillips size 1. ETUI PINCES ET TOURNEVIS 8 PIECES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:1 x eletronic plier 115mm, 1 x electronic diagonal cutting plier 115mm, One of each screwdriver electronic 0.4 x 2.5, 0.5 x 3, 0.6 x 3.5, 0.8 x 4mm. Phillips size 0 & 1. CAP, 1-PIECE, TRANSPARENT; A utiliser avec:RACON, RF 15 / RF 19 and KN 19 Key Switches; Couleur levier / capuchon:Transparent; Couleur:Transparent Colourless; IP / NEMA Rating:IP65 CAP, 1-PIECE, TRANSPARENT; A utiliser avec:RACON, RF 15 / RF 19 and KN 19 Short-Travel Keyswitches; Couleur levier / capuchon:Transparent; Couleur:Transparent Red; IP / NEMA Rating:IP65 MALE SCW TAILPIECE 1/4'' BSP; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MALE SCREW TAILPIECE 1/4'' BSP; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) HANDPIECE SX-90 SENSATEMP; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+316°C +399°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) KIT BNC RG58 50 OHMS 100 PIECES; Type de connecteur:Coaxial BNC; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Câble; Approval Bodies:MIL Spec; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Courant dc max:1A; Diamètre, câble max..:5mm; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:Laiton; Méthode de term KIT BNC RG59 75 OHMS 100 PIECES; Type de connecteur:Coaxial BNC; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:75ohm; RG Cable Type:RG-59; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Câble; Approval Bodies:MIL Spec; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Courant dc max:1A; Diamètre, câble max..:6.15mm; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:Laiton; Méthode de t KIT DE PONCAGE 25 PIECES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:Accessoires de ponçage et de façonnage utilisables sur la plupart des mini-outils rotatifs. Comprend des bandes et des disques de ponçage pour divers travaux de rénovation sur des petites surfaces. Diamètre d'arbre de 2.35mm et 3.2mm. TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:100V 600V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +50°C; Diamètre:26mm; Longueur/hauteur:176mm; Poids:48g; Safety Category:1000V CATIII TEL EXTENSION SKT SCREW 2/6A; Couleur:White; Nombre de voies:1 SOCKET, EXTENSION, IDC, TEL, 3/6A; Genre:Embase; Nombre de ports:1; Couleur:White; Nombre de voies:1; Ports, number of:1 SOCKET, EXTENSION, IDC, TEL, 4/3A; Genre:Embase; Nombre de ports:2; Couleur:White; Nombre de voies:2; Ports, number of:2 TEL EXTENSION SKT SCREW 5/6A; Couleur:White; Nombre de voies:2 INDICATEUR DE TENSION BATTERIE 12V; Fonction mètre:Battery Condition Indicator; Meter Range:10.5V 12.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Echelle:10.5 12.5; Largeur (externe):48mm; Longueur/hauteur:48mm; Profondeur:24mm; Safety Category:CE; Taille compteur:48mm x 48mm x 24mm; Tension, alimentation c.c.:12V INDICATEUR DE TENSION BATTERIE 24V; Fonction mètre:Battery Condition Indicator; Meter Range:21V 25V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Echelle:21.5 25V; Largeur (externe):48mm; Profondeur:24mm; Safety Category:CE; Taille compteur:48mm x 48mm x 24mm; Tension, alimentation c.c.:24V REFERENCE DE TENSION 0.2%; Tension, référence:2V; Coefficient de température:100ppm/°C; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:SC-70; Type de tension de référence:Fixé; CONVERT DE TENSION 7660 DIP8; Tension d'entrée primaire:10V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:22.8V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:45mA; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:ICL7660CPAZ; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Température DETECTEUR DE TENSION; Tension de seuil:1.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 16V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:2.9mA; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:25mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7665; Numéro générique:7665; Racine de la référence:7665; Température de fonctionnemen TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:12V 690V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Frequency Measuring Range:45Hz 65Hz; Gammes de mesures de continuité:200 kR; Largeur (externe):40mm; Longueur/hauteur:210mm; Poids:130g; Profondeur:22mm; Série:T50; Temps de montée:0.1s; Température de fonctionnement max..:55°C; Température, stockage max..:55°C; Température, stockage min.:-10°C; Température d'utilisation min:-10°C; Voltage Me DETECTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:200V 1000V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +50°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Safety Category:CATIV 1000V; Série:VOLTALERT; Tension c.a.:1000V; Type de protection:IP40 TRANSLATEUR DE TENSION CMS; Nombre d'entrées:3; Courant, sortie:4mA; Temps de propagation:3.8ns; Type de logique:Driver / Mémoire de ligne; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Type de boîtier CI logique:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de voies:1; Numéro de la fonction logique:74198; Numéro générique:74AUP1T98; Racine de la référence:74; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40° REFERENCE DE TENSION CMS AJUSTABLE 1.0%; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.233V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4041; Numéro générique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance d REFERENCE DE TENSION CMS AJUSTABLE 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.233V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4041; Numéro générique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance d REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V 1%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance de la réfé REFERENCE DE TENSION CMS 2.048V 1%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance de la ré REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance de la ré REFERENCE DE TENSION CMS AJUSTABLE 1.0%; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.233V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4041; Numéro générique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance de REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance de la REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance de la réf SOCKET, EXTENSION, IDC, SCREW, 4/6A; Genre:Embase; Nombre de ports:2; Couleur:White; Nombre de voies:2; Ports, number of:2 DETECTEUR DE TENSION 4.5V CMOS; Tension de seuil:2V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:30è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température:100ppm/°C; Courant, sortie max.:50è¾A; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Numéro de la fonction logique:61; Numéro génériqu DETECTEUR DE TENSION 2.0V CMOS; Tension de seuil:4.5V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:30è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température:100ppm/°C; Courant, sortie max.:50è¾A; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Numéro de la fonction logique:61; Numéro généri DETECTEUR DE TENSION 3.0V N-CH; Tension de seuil:3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:30è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température:100ppm/°C; Courant, sortie max.:50è¾A; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Numéro de la fonction logique:61; Numéro génériqu COMMUTATEUR CMS SPDT BASSE TENSION; Type de commutation analogique:SPST; Nombre de voies:1; Résistance, Ron, max..:18.5ohm; Temps, t off:32ns; Temps, t on:41ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 12V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact, nombre de:1; Input Type:CMOS / TTL; Numéro de la fonction logique:417; Numéro générique:417; Racine de la référence:417; Résistance Rds on:20ohm; R DETECTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:12V 690V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Frequency Measuring Range:45Hz 65Hz; Gammes de mesures de continuité:200 kR; Largeur (externe):40mm; Longueur/hauteur:210mm; Poids:130g; Profondeur:22mm; Série:T50; Temps de montée:0.1s; Température de fonctionnement max..:55°C; Température, stockage max..:55°C; Température, stockage min.:-10°C; Température d'utilisation min:-10°C; Voltage PRECISION REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:7V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:65ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:65ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:REF02CPZ; Numéro de la fonction logique:2; Racine de la référence:02; Température de fo AMPLIFICATEUR CONTROLE EN TENSION; Classe d'amplificateur audio:AB; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 18V; THD + N:0.006% @ 100kohm, VS=è… 15V; Impédance de charge:100kohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:14MHz; Gain max.:140dB; Gain, bande-passante -3dB:14MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2018; Numéro générique:2018; Puissance TRANSLATEUR DE TENSION CMS; Nombre d'entrées:3; Courant, sortie:4mA; Temps de propagation:3.9ns; Type de logique:Traducteur de niveau de tension; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Type de boîtier CI logique:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:500nA; Famille Circuit logique:AUP; Fonction logique:Translation; Nombre de voies:1; Numéro de base de la fonction logique:7497; Numéro de la fonction logique RELAIS REED HAUTE TENSION 12VCC; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Résistance, bobine:275ohm; Courant de commutation:3A; Tension de commutation:7.5kV; Configuration des contacts:SPST-NC; Montage relais:Suspendu; Hauteur, dimension externe:30mm; Largeur (externe):29.1mm; Profondeur:18mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NC; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant, Commutation max..:3A; Longueur/hauteur:30mm; Nombre d RELAIS REED HAUTE TENSION 24VCC; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Résistance, bobine:1.5kohm; Courant de commutation:3A; Tension de commutation:7.5kV; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:Suspendu; Hauteur, dimension externe:30mm; Largeur (externe):29.1mm; Profondeur:18mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant, Commutation max..:3A; Longueur/hauteur:30mm; Nombre REFERENCE DE TENSION CMS AJUSTABLE 1.0%; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.233V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4041; Numéro générique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance d REFERENCE DE TENSION CMS AJUSTABLE 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.233V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4041; Numéro générique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance de REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V 1%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance de la référen REFERENCE DE TENSION CMS 2.048V 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance de REFERENCE DE TENSION CMS 2.048V 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance de l REF DE TENSION CMS PRECISION 4.096V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:è… 50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:140mW; Marquage composant:MCP1541T-I/TT; Numéro de la fonction logique:1541; Quantité par bobine:3000; LEAD, EXTENSION, 6/4WAY, 4.57M; Connecteur type A:RJ11 Plug; Connecteur type B:RJ11 Socket; Couleur de la gaine:Ivoire ; Longueur de câble - Impérial:14.9ft; Longueur de câble - Métrique:4.57m; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Type de câble assemblé:Câbles de réseau; Connecteur type A:RJ11 Plug; Connecteur type B:RJ11 Socket; Couleur:Ivoire; Longueur cordon:15ft; Longueur câble:15ft; Nombre de contacts:4; Nombre de voies:6 REFERENCE DE TENSION CMS AJUSTABLE 0.5%; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.233V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4041; Numéro générique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.5%; Tolérance REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V 1%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance de la référe REFERENCE DE TENSION CMS 2.048V 1%; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Numéro de la fonction logique:4040; Numéro générique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1%; Tolérance de la DIODE HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:2kV; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vf max..:2.4V; Temps trr max.:300ns; Courant, Ifs max.:20A; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier diode:SOD-57; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:Fast Rect; Config. Brochage:Cathode Band; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, Ir, max..:100è¾A; Courant, direct, If:250mA; Temps, trr typ.:300ns; Tempér COMMUTATEUR CMS SPST BASSE TENSION; Type de commutation analogique:SPST; Nombre de voies:1; Résistance, Ron, max..:20ohm; Temps, t off:31ns; Temps, t on:43ns; Gamme de tension d'alimentation:è… 3V è… 6V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact, nombre de:1; Input Type:CMOS / TTL; Numéro de la fonction logique:418; Numéro générique:418; Racine de la référence:418; Résistance Rds on:20ohm; Ré COMMUTATEUR CMS SPDT BASSE TENSION; Type de commutation analogique:SPST; Nombre de voies:2; Résistance, Ron, max..:18.5ohm; Temps, t off:32ns; Temps, t on:41ns; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 12V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact, nombre de:1; Input Type:CMOS / TTL; Numéro de la fonction logique:419; Numéro générique:419; Racine de la référence:419; Résistance Rds on:20ohm; R DIODE HAUTE TENSION SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:250mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:4A; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Haute tension; Courant, If max..:250mA; Courant, If, Vf:100mA; Courant, Ir, max..:100è¾A; Marquage, CMS:JSs; Puissance, Ptot:350mW; Température, Tj max..:150°C; Tension Vr max..:200V; Tension de CONVERTISSEUR TENSION /FREQUENCE CMS; Résolution (Bits):8bit; Taux d'échantillonnage:50kSPS; Type de canal d'entrée:Différentiel; Interface de données:Parallèle; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:4.75V 5.25V; Courant, alimentation:16mA; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques A/N, N/A:CMOS, sortie parallèle, échantillonnage et maintien, compatible microprocesseur; Erreur +:1LSB; E REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 36V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:500mW; Numéro de la fonction logique:680; Racine de la référence:680; Températ REG TENSION AJUS +2/37V CMS SO-8-8 317; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:8; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Numéro de la fonction logique:317; Numéro générique:317; Racine de la référence:317; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0° RELAIS REED HAUTE TENSION 12VCC; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Résistance, bobine:250ohm; Courant de commutation:3A; Tension de commutation:7.5kV; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:19.8mm; Largeur (externe):68mm; Profondeur:19mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant, Commutation max..:3A; Longueur/hauteur:19.8mm; Nombre de b RELAIS REED HAUTE TENSION 24VCC; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Résistance, bobine:1kohm; Courant de commutation:3A; Tension de commutation:7.5kV; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:PCB; Hauteur, dimension externe:19.8mm; Largeur (externe):68mm; Profondeur:19mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant, Commutation max..:3A; Longueur/hauteur:19.8mm; Nombre de br RELAIS REED HAUTE TENSION 24VCC; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Résistance, bobine:650ohm; Courant de commutation:3A; Tension de commutation:7.5kV; Configuration des contacts:SPST-NC; Montage relais:Suspendu; Hauteur, dimension externe:30mm; Largeur (externe):29.1mm; Profondeur:18mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NC; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant, Commutation max..:3A; Longueur/hauteur:30mm; Nombre d REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 33V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:3; Racine de la référence:03; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.: AMPLIFICATEUR CONTROLE EN TENSION; Classe d'amplificateur audio:AB; Nombre de voies:1; Gamme de tension d'alimentation:è… 5V è… 18V; THD + N:0.006% @ 100kohm, VS=è… 15V; Impédance de charge:100kohm; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:12MHz; Bande passante, gain:14MHz; Gain max.:140dB; Gain, bande-passante -3dB:14MHz; Impédance charge min:9000ohm; Marquage composant:SSM2018PZ; Nomb RELAIS REED HAUTE TENSION 12VCC; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Résistance, bobine:340ohm; Courant de commutation:3A; Tension de commutation:7.5kV; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:Suspendu; Hauteur, dimension externe:30mm; Largeur (externe):29.1mm; Profondeur:18mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contact c.a. max.:3A; Courant de contact c.c. max.:3A; Courant de contact max.:5A; Courant, Commutation max..:3A; Longueur/hauteur:30mm; Nombre d ENCASTRE BASSE TENSION CHROME POLI; Largeur:70mm; Profondeur:27mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Polished Chrome; Diamètre de découpe panneau:61mm; Diamètre, extérieur:70mm; IP / NEMA Rating:IP20; Lamp Base Type:G4 (M47) 20W; Largeur (externe):70mm; Light Source:Tungstène halogène; Longueur cordon:2.4m; Longueur/hauteur:27mm; Matière:Pressed Steel; Profondeur, derrière panneau:27mm; Puissance:20W; Tension, alimentation:12V; Tension, alimentation c.c.:12V ENCASTRE BASSE TENSION NICKEL; Largeur:70mm; Profondeur:27mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Brushed Nickel; Diamètre de découpe panneau:61mm; Diamètre, extérieur:70mm; IP / NEMA Rating:IP20; Lamp Base Type:G4 (M47) 20W; Largeur (externe):70mm; Light Source:Tungstène halogène; Longueur cordon:2.4m; Longueur/hauteur:27mm; Matière:Pressed Steel; Profondeur, derrière panneau:27mm; Puissance:20W; Tension, alimentation:12V; Tension, alimentation c.c.:12V ENCASTRE BASSE TENSION BLANC; Largeur:70mm; Profondeur:27mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:White; Diamètre de découpe panneau:61mm; Diamètre, extérieur:70mm; IP / NEMA Rating:IP20; Lamp Base Type:G4 (M47) 20W; Largeur (externe):70mm; Light Source:Tungstène halogène; Longueur cordon:2.4m; Longueur/hauteur:27mm; Matière:Pressed Steel; Profondeur, derrière panneau:27mm; Puissance:20W; Tension, alimentation:12V; Tension, alimentation c.c.:12V REGUL DE TENSION +5.0V CMS 78L05 SO-8-8; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:8; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Numéro de la fonction logique:05; Numéro générique:78L05; Précision:5%; Racine de la référence:78; Température de fonctionnement max..:125°C; Températur REG TENSION LDO 1.5A +3.3V 1086 TO2203; Tension d'entrée primaire:30V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:1.3V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:1086; Numéro générique:1086; Précision:1%; Racine de la référence:1086; Température de fonctionnement max..:125°C; Tem AMPLI DIFFERENTIEL CMS HAUTE TENSION; Nombre d'amplificateurs:1; Tension d'offset d'entrée:5mV; Bande passante:550kHz; Vitesse de balayage:0.45V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 1.35V è… 18V; Courant, alimentation:570è¾A; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Haute tension; Gain, programmable max..:100; Numéro de la fonction logique:146; Numéro géné AMPLI OP CMS HAUTE TENSION; Type d'AOP:Haute tension; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:2MHz; Vitesse de balayage:15V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 10V è… 45V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Entrée FET; Gain, bande-passante -3dB:2MHz; Numéro de la fonction logique:445; Numéro générique:445; Racine de la AMPLI OP HAUTE TENSION; Type d'AOP:Haute tension; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:900kHz; Vitesse de balayage:9V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:8V 60V; Type de boîtier d'amplificateur:TO-220; Nombre de broches:11; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Haute tension; Gain, bande-passante -3dB:0.9MHz; Numéro de la fonction logique:549; Numéro générique:549; Racine de la référence:549; Températu AMPLI OP CMS HAUTE TENSION; Type d'AOP:Haute tension; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:3MHz; Vitesse de balayage:15V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 30V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:3MHz; Numéro de la fonction logique:551; Numéro générique:551; Racine de la référence:551; Température de fonctionnement max..:125°C; Temp AMPLI OP HAUTE TENSION 80V; Type d'AOP:Haute tension; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:1.8MHz; Vitesse de balayage:10V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 10V è… 40V; Type de boîtier d'amplificateur:TO-220; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain, bande-passante -3dB:1.8MHz; Numéro générique:452; Racine de la référence:452; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, alimentati REGUL DE TENSION +3.3V CMS 4931 SOIC8; Tension d'entrée primaire:5.3V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:400mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:300mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.25A; Marquage composant:L4931CD33; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:4931; Précision:2%; Racine de la référence:4931; Température de fonctionnement max..:85°C; Températur DETECTEUR DE TENSION 2.7V CMS; Tension de seuil:2.7V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:30è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Numéro de la fonction logique:61; Numéro générique:61; Racine de la référence:61; Tempé CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:12V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:30V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:497; Numéro générique:497; Précision:0.004%; Racine de la référence:497; Température de fon REFERENCE DE TENSION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:11.4V 36V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:102; Racine de la référence:102; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.: DETECTEUR DE TENSION 4.5V CMS; Tension de seuil:4.5V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:30è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Numéro de la fonction logique:61; Numéro générique:61; Racine de la référence:61; Tempé REFERENCE DE TENSION CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.3V 15V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:6mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TSOT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:363; Numéro générique:363; Racine de la référence:363; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'uti REFERENCE DE TENSION CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.6V 15V; Tension, référence:3.3V; Tolérance de la référence de tension:8mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:366; Numéro générique:366; Racine de la référence:366; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d REFERENCE DE TENSION CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.8V 15V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:6mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TSOT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:361; Numéro générique:361; Racine de la référence:361; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u REFERENCE DE TENSION CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.3V 15V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:8mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:365; Numéro générique:365; Racine de la référence:365; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u REFERENCE DE TENSION CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.4V 15V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:8mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:364; Numéro générique:364; Racine de la référence:364; Température de fonctionnement max..:125°C; Température REFERENCE DE TENSION 3.3V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:330; Racine de la référence:330; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d REFERENCE DE TENSION 4.1V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:4.1V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:40401; Racine de la référence:40401; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Températu REFERENCE DE TENSION 5.0V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:500; Racine de la référence:500; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'u REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:ZRC250F02TA; Numéro de la fonction logique:250; Racine de la référence:250; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 1.25V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.22V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:ZXRE125EFTA; Numéro de la fonction logique:125; Racine de la référence:125; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C REG DE TENSION LDO 50MA +3.3V CMS 71533; Tension d'entrée primaire:24V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:415mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:50mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SC-70; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.05A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:71533; Numéro générique:71533; Précision:4%; Racine de la référence:71533; Température de fonctionnement max..:125°C REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:330mW; Numéro de la fonction logique:250; Racine de la référence:250; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Te REFERENCE DE TENSION CMS 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:ZRB500F01TA; Numéro de la fonction logique:500; Racine de la référence:500; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, T REFERENCE DE TENSION 4.0V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:4V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:40; Racine de la référence:040; Tolérance:1.0%; Tolérance de la référence de tension:1%; Type de boîtier:SOT-223; Type de tension de référence:Fi REG DE TENSION LDO 0.2A +3.3V CMS 73033; Tension d'entrée primaire:5.5V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:120mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:200mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.2A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:73033; Numéro générique:73033; Précision:2%; Racine de la référence:73033; Température de fonctionnement max..:85°C COMPARATEUR CMS BASSE TENSION; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:1è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:60è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:1; Numéro de la fonction logique:331; Numéro générique:331; Racine de la référence:33 REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:ZRC250F01TA; Numéro de la fonction logique:250; Racine de la référence:250; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Températur REFERENCE DE TENSION 3.3V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:330; Racine de la référence:330; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d REFERENCE DE TENSION 4.1V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:4.1V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:400; Racine de la référence:400; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 1.22V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.22V; Coefficient de température:75ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:75ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:ZXRE1004DFTA; Numéro de la fonction logique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:8 REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 1.22V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.22V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:ZXRE125CFTA; Numéro de la fonction logique:125; Racine de la référence:125; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C REFERENCE DE TENSION 1.25V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.22V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:125; Racine de la référence:125; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température REFERENCE DE TENSION 1.225V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.225V; Coefficient de température:75ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:75ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Tempéra REFERENCE DE TENSION 1.22V 3% CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.22V; Coefficient de température:90ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:90ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:125; Racine de la référence:125; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Températ REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:40401; Racine de la référence:40401; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Tempéra REFERENCE DE TENSION 5.0V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:500; Racine de la référence:500; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'u REFERENCE DE TENSION 1.225V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.225V; Coefficient de température:75ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:75ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Tempéra REFERENCE DE TENSION 100UA 2.5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.55V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3225; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.01%; Tolérance de la référence REFERENCE DE TENSION 100UA CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.05V 5.5V; Tension, référence:3V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3130; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de REFERENCE DE TENSION 100UA CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.146V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3140; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Typ CONVERTISSEUR DC/DC H. TENSION; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:12V; Puissance:1.5W; Tension, sortie:-500V; Approval Bodies:CE; Tension, alimentation:12V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Efficacité:60%; Largeur (externe):40mm; Longueur/hauteur:20mm; Poids:60g; Profondeur:40mm; Puissance, continue:1.5W; Puissance, pointe:3W; Régulation, charge:10%; Température de fonction CAPTEUR DE BAISSE DE TENSION; Tension de seuil:1.11V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 16.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:5è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:7A; Dissipation de puissance:727mW; Dissipation de puissance Pd:727mW; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction l REFERENCE DE TENSION 10V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:13V 33V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:65ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +75°C; Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1; Racine de la référence:01; Température de fonctionnement max..:75°C; Température, Tj max..:75°C; Température, Tj min.:0°C; Température d'utilisation REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:0.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +75°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:0.5ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:6325; Racine de la référence:6325; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj CONTROLEUR DE TENSION CMS; Tension de seuil:1.27V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:2V 40V; Courant, alimentation:560è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:450mW; Dissipation de puissance Pd:450mW; Numéro de la fonction logique:33161; Numéro générique:33161; Racine de la référence:33161; Température de fonctionnem CIRCUIT DETECTEUR DE TENSION; Tension de seuil:4.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Dissipation de puissance Pd:300mW; Numéro de la fonction logique:54; Numéro générique:54VN4302; Raci FICHE FEMELLE BASSE TENSION 2.5MM; Genre:Embase; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Traversant vertical; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:1A; Insulator Material:POM; Largeur/Diamètre de broche:2.35mm; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard REFERENCE DE TENSION 100UA CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.098V 5.5V; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3120; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Typ COMPARATEUR AVEC REF DE TENSION CMS; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:6è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:2.8è¾A; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:1; Racine de la référence:3011; Température de fonctionnement max..:125°C; Te REFERENCE DE TENSION 100UA 2.048V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.098V 5.5V; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3220; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.01%; Tolérance de la réfé REFERENCE DE TENSION 100UA 4.096V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.146V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3240; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référ REFERENCE DE TENSION 100UA CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.3V 5.5V; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3112; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type d REFERENCE DE TENSION 100UA CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.55V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3125; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type d REFERENCE DE TENSION 100UA CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.35V 5.5V; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3133; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type d REFERENCE DE TENSION 5.0V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:1ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Coefficient de température, +:1ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:6350; Racine de la référence:6350; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min.:0°C; Température d'utilisati CONVERTISSEUR DE TENSION DOUBLE; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-10V; Courant, sortie:10mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:0.12A; Fréquence:8kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:680; Numéro générique:680; Racine de la référence:680; Température de fonctionnement max..:70°C; Temp REFERENCE DE TENSION 5.0V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 33V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +75°C; Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:2; Racine de la référence:02; Température de fonctionnement max..:75°C; Température, Tj max..:75°C; Température, Tj min.:0°C; Température d'utilisation CMOS CONVERT DE TENSION DIP8 660; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:0.12A; Fréquence:80kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:MAX660CPA+; Numéro de la fonction logique:660; Numéro générique:660; Racine de la référence:660; Température de fonctionnement ma CONTROLEUR DE TENSION 48V; Applications Contrôleur:Server Backplane, Storage Area Networks, Medical Systems, Plug In Modules, Base Stations; Tension, entrée:80V; Tension, sortie:16V; Commutateur interne:No; Gamme de tension d'alimentation:9V 80V; Type de boîtier CI numérique:VSSOP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:2490; Racine de la référence:2490; Température de fonctionnement max..:85°C; Températ AMPLI OP FAIBLE TENSION CMS; Type d'AOP:Applications générales; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:1MHz; Vitesse de balayage:1V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Application standard, basse tension; Gain, bande-passante -3dB:1MHz; Numéro de la fonction logique:321; Numéro générique:321; Rac REFERENCE DE TENSION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:11.4V 36V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:2.5ppm/°C; Racine de la référence:102; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:DIP; Type de tensi FICHE MALE BASSE TENSION 2.1MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Couleur:Grey; Courant max.:1A; Diamètre du trou:2.1mm; Insulator Material:POM; Longueur:14.5mm; Longueur/hauteur:35mm; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Puissance DC FICHE MALE BASSE TENSION 2.5MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Couleur:Black; Courant max.:1A; Diamètre du trou:2.5mm; Insulator Material:POM; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Puissance DC COMPARATEUR DE TENSION; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:200ns; Type de sortie CI:DTL, MOS, RTL, TTL; Compatibilité de sortie:DTL, ECL, MOS, TTL; Courant, alimentation:2.4mA; Gamme de tension d'alimentation:5V 30V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du comparateur:Comparateur de tension; Gamme de température, circuit intégré:Commer REFERENCE DE TENSION 5.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 33V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:15mW; Numéro de la fonction logique:2; Racine de la référence:02; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj m REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 33V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Dissipation de puissance, max..:15mW; Racine de la référence:2; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la réfé CONVERTISSEUR TENSION/FREQ CMS; Fréquence:500kHz; Gamme d'échelle pleine:10kHz 100kHz; % de linéarité:0.05%; Gamme de tension d'alimentation:è… 11V è… 20V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:14; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:500kHz; Courant, alimentation:5.5mA; Courant, sortie max.:10mA; Fréquence, fonctionnement max..:500kHz; Linéarité:0.05%; Racine de la référence:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionne FICHE MALE BASSE TENSION 4.3MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:18VDC; Courant:2A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:4.3mm; Diamètre, contact interne:1.4mm; Diamètre, extérieur:6.5mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:18V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.45MM; Genre:Embase; Tension:18VDC; Courant:2A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.45mm; Insulator Material:POM; Tension VDC:18V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 0.65MM; Genre:Embase; Tension:3.15VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:0.65mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:3.15V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.65MM; Genre:Embase; Tension:6.3VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:0.65mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:3.15V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.05MM; Genre:Embase; Tension:13.5VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.05mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:13.15V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE MALE BASSE TENSION 1.95MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:34VDC; Courant:1A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Couleur:Grey; Courant max.:1A; Diamètre du trou:1.95mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE MALE BASSE TENSION 2.5MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Couleur:Black; Courant max.:1A; Diamètre du trou:2.5mm; Insulator Material:POM; Longueur:14.5mm; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Puissance DC FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.9MM; Genre:Embase; Tension:34VDC; Courant:4A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Insulator Material:POM; Largeur/Diamètre de broche:1.9mm; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 2.5MM; Genre:Embase; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:1A; Insulator Material:POM; Largeur/Diamètre de broche:2.35mm; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard LEAD, SCHUKO EXTENSION, 2M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Blanc; Longueur:2m; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Taille du conducteur:1mmË›; Tension c.a.:250V; Type de fiche d'alimentation:DE REFERENCE DE TENSION 100UA 1.25V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.3V 5.5V; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3312; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.01%; Tolérance de la référenc REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 33V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Dissipation de puissance, max..:15mW; Racine de la référence:2; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la réfé REFERENCE DE TENSION 10V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:11.4V 36V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Racine de la référence:102; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Ty CONTROLEUR DE TENSION 48V; Applications Contrôleur:Server Backplane, Storage Area Networks, Medical Systems, Plug In Modules, Base Stations; Tension, entrée:80V; Tension, sortie:16V; Commutateur interne:No; Gamme de tension d'alimentation:9V 80V; Type de boîtier CI numérique:VSSOP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Numéro générique:2491; Racine de la référence:2491; Température de fonctionnement max..:85°C; Températ REGUL DE TENSION LDO 0.2A AJUS CMS 72301; Tension d'entrée primaire:-2.7V; Gamme de tension de sortie ajustable:-1.2V -10V; Tension, déclenchement:280mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:200mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.2A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:72301; Précision:2%; Racine de la référence:72301; Température de fonctionnement max..:125°C; Températu MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385Z-1.2G; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Te REG DE TENSION LDO +3.3V CMS 2980 SOT235; Tension d'entrée primaire:4.3V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:120mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:50mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.05A; Marquage composant:LP2980AIM5-3.3; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:2980; Numéro générique:2980; Précision:0.5%; Racine de la référence:2980; Temp CONVERTISSEUR TEMPERATURE/TENSION CMS; Type de sortie CI:Tension; Gamme de précision de détection:è… 2°C; Gamme de température de détection:-40°C +125°C; Courant, alimentation:35è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 4.4V; Type de boîtier de capteur CI:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:100è¾A; Numéro de la fonction logique:1046; Numéro générique:1046; Pas:2.05mm; Pas, rang:2.64mm; Racine de la référence:1046; Température de fonctionnement:-40°C +125°C CAPTEUR LUMIERE/TENSION; Courant, sortie:10mA; Sensor Output1:Tension; Gamme de tension d'alimentation DC:2.7V 5.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:1.9mA; Courant, alimentation max.:3.5mA; Courant, sortie max.:10mA; Diode Type:Photodiode amplifiée; Largeur (externe):4.6mm; Longueur cordon:14.75mm; Longueur/hauteur:4.6mm; Pas:2.0mm; Profondeur:2.6mm; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Ten REFERENCE DE TENSION 2.5V FAIBLE PUISS; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min.:0°C; Températ REFERENCE DE TENSION 4.096V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.146V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Racine de la référence:3040; Température de fonctionnement max..:-40°C; Température d'utilisation min:125°C; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:S REFERENCE DE TENSION ERENCE 2.048V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.098V 5.5V; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3020; Température de fonctionnement max..:-40°C; Température d'utilisation min:125°C; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boît REFERENCE DE TENSION 3.3V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.35V 5.5V; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Température de fonctionnement max..:-40°C; Température d'utilisation min:125°C; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence: REFERENCE DE TENSION 3.0V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.05V 5.5V; Tension, référence:3.05V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3030; Température de fonctionnement max..:-40°C; Température d'utilisation min:125°C; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:SOT-23; CONVERTISSEUR DC/DC H. TENSION; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:12V; Puissance:1.5W; Tension, sortie:500V; Approval Bodies:CE; Tension, alimentation:12V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Efficacité:60%; Largeur (externe):40mm; Longueur/hauteur:20mm; Poids:60g; Profondeur:40mm; Puissance, continue:1.5W; Puissance, pointe:3W; Régulation, charge:10%; Température de fonctionn CONVERTISSEUR DC/DC H. TENSION; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:12V; Puissance:1.5W; Tension, sortie:1kV; Approval Bodies:CE; Tension, alimentation:12V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Efficacité:60%; Largeur (externe):40mm; Longueur/hauteur:20mm; Poids:60g; Profondeur:40mm; Puissance, continue:1.5W; Puissance, pointe:3W; Régulation, charge:10%; Température de fonctionne CONTROLEUR DE TENSION CMS; Tension de seuil:4.63V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:6è¾A; Temps de retard:560ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:20mA; Dissipation de puissance:320mW; Dissipation de puissance Pd:320mW; Numéro de la fonction logique:811; Numéro générique:811; Racine d REFERENCE DE TENSION CMS 1.2V; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.4V 11V; Tension, référence:1.2V; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:MAX6120EUR+T; Numéro de la fonction logique:6120; Racine de la référence:6120; Température de fonctionnement max..:85°C; Tempér CONNECTEUR BASSE TENSION; Genre:Embase; Courant:5A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; Diamètre de découpe panneau:8mm; Diamètre, extérieur:11mm; Longueur:22mm; Matière:Copper; Méthode de terminaison:Contact souder; Nombre de cycles d'accouplements:5000; Nombre de sorties:1; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension c.a.:500V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard; Type de montage:Suspendu FICHE MALE BASSE TENSION 2.1MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:12VDC; Courant:500mA; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Couleur:Grey; Courant max.:1A; Diamètre du trou:2.1mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.9MM; Genre:Embase; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Traversant vertical; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:1A; Insulator Material:POM; Largeur/Diamètre de broche:1.95mm; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 2.1MM; Genre:Embase; Tension:12VDC; Courant:4A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:1A; Insulator Material:POM; Largeur/Diamètre de broche:2mm; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard RELAIS DE CONTROLE DE TENSION 3-PHASE; Configuration des contacts:DPCO; Consommation de puissance:1W; Tension, alimentation max..:240V; Montage relais:Rail DIN; Série:GAMMA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:DPCO; Courant de contact c.a. max.:5A; Fonctions retard:Multifunction; Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:90mm; Nombre de pâles:2; Profondeur:103mm; Tension d'entrée nominale:240V; Tension, contact c.a. max..:250V; Tension, sortie:250V; Type de montage:Rail DIN RELAIS CONTROLE DE SOUS-TENSION3-PHASE; Configuration des contacts:SPCO; Consommation de puissance:8VA; Montage relais:Rail DIN; Tension de contrôle:AC; Série:ENYA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPCO; Courant de contact c.a. max.:5A; Courant, AC3 max., contact principal:5A; Fonctions retard:Monitoring; Gamme de temps de retard:200ms; Largeur (externe):17.5mm; Longueur/hauteur:87mm; Profondeur:60mm; Tension d'entrée nominale:400V; Tension, alimentation:250VAC; Tension, aliment RELAIS CONTROLE DE NIVEAU DE TENSION; Type de relais:Couplage; Tension, bobine c.a. nom.:250V; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:8A; Tension AC nominale du contact:250V; Configuration des contacts:1CO; Type de bobine:CA / CC; Puissance de fonctionnement nominale:330mW; Montage relais:Rail DIN; Largeur (externe):17.5mm; Profondeur:70mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE; Contact Configuration:1CO; Courant:8A; Courant de contact c.a. max.:8A; Longueur/hauteur:87m DETECTEUR DE TENSION 2.9V CMS; Tension de seuil:2.9V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:1.1è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:30mA; Dissipation de puissance:320mW; Dissipation de puissance Pd:320mW; Racine de la référence:1061; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d' FICHE MALE BASSE TENSION 0.7MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:3.15VDC; Courant:2A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:0.7mm; Diamètre, extérieur:2.35mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:3.15V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.65MM; Genre:Embase; Tension:12VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.65mm; Diamètre, extérieur:4.4mm; Insulator Material:POM; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.05MM; Genre:Embase; Tension:13.5VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Diamètre du trou:1.05mm; Insulator Material:POM; Tension VDC:13.5V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE MALE BASSE TENSION 1.35MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:12VDC; Courant:1A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Couleur:Black; Courant max.:1A; Diamètre du trou:1.35mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard EXTENSION 6MM; A utiliser avec:Momentary Action Switches; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de contact max.:50mA; Durée de vie, mécanique:10; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, contact c.a. max..:30VAC; Tension, contact c.c. max..:42VDC CONTROLEUR DE TENSION ZERO; Courant, sortie:130mA; Gamme de tension d'alimentation:-10V -8V; Type de boîtier CI Driver:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:2016; Numéro générique:2016; Racine de la référence:2016; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, alimentation max..:-8V; Tension, alimentation min.:-10V; Type de boîtier:D CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:15mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:30mA; Courant, sortie max.:30mA; Fréquence:22kHz; Numéro de la fonction logique:2767; Numéro générique:2767; Racine de la référence:2767; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; FICHE MALE BASSE TENSION 1.7MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:6.3VDC; Courant:2A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.7mm; Diamètre, extérieur:4.0mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:6.3V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.65MM; Genre:Embase; Tension:10.5VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Traversant angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.65mm; Diamètre, extérieur:5.15mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:10.5V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard RELAIS ENCODEUR DE TENSION 0 - 10VDC; Type de relais:Couplage; Tension, bobine c.a. nom.:28V; Tension, bobine c.c. nom.:28V; Courant de contact max..:2A; Tension AC nominale du contact:28V; Tension DC nominale du contact:28V; Type de bobine:CA / CC; Puissance de fonctionnement nominale:330mW; Montage relais:Rail DIN; Largeur (externe):17.5mm; Profondeur:70mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE; Courant:2A; Courant de contact c.a. max.:2A; Courant de contact c.c. max.:2A; Longueur/hau EXTENSION POUR SYSTEM 6; Embout taille 1:6mm; Embout taille 2:6mm; Longueur, lame:166mm; Longueur, hors tout:166mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Largeur (externe):6mm; Longueur:164mm; Longueur, lame:166mm; Matière corps de l'outil:Acier au chrome-vanadium; Panne type 1:6mm HEX CONTROLEUR HAUTE TENSION; Gamme de tension d'alimentation:8.85V 16V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite max.:800mA; Courant de la sortie, entrant min.:800mA; Courant de la sortie, sortant min.:300mA; Courant de sortie max.:300mA; Nombre de canaux de sortie:2; Racine de la référence:6599; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimenta COMPARATEUR DE TENSION DOUBLE CMS; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:2.5è¾s; Type de sortie CI:MOS, Drain ouvert; Compatibilité de sortie:CMOS; Courant, alimentation:22è¾A; Gamme de tension d'alimentation:3V 16V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Racine de la référence:393; Température de fonctionnement max..:85°C; Tempér REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:2ppm/°C; Racine de la référence:1021; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:DIP; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:Trave REFERENCE DE TENSION 1.25V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:1389; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1634; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1634; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.4V 18V; Tension, référence:0.4V; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Racine de la référence:6650; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance:1.0%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Fixé; Type REG DE TENSION LDO AJUS CMS SOIC8 1763; Tension d'entrée primaire:20V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.22V 20V; Tension, déclenchement:300mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Racine de la référence:1763; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:10V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:18.5V; Courant, sortie:15mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.02A; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Racine de la référence:1026; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie ajustable max.:18V; Ten INVERSEUR DE TENSION CMS; Tension, sortie:14V; Type de boîtier CI régulateur de tension:SSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.01A; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Racine de la référence:1550; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, Vcc:7V; Tension, entrée max..:7V; Type de boîtier:SSOP; Type de régulation de tension:Switched Capacitor INVERSEUR DE TENSION CMS; Tension, sortie:10.5V; Type de boîtier CI régulateur de tension:SSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.02A; Fréquence:900kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Précision:5%; Racine de la référence:1550; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, Vcc:5.5V; Tension, alimentation max..:6.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Tension, REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 18V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:6mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR445; Racine de la référence:445; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.6V 18V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ARD444; Racine de la référence:444; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 18V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:4mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ARD443; Racine de la référence:443; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:1mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR441; Racine de la référence:441; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR441; Racine de la référence:441; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:1mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR440; Racine de la référence:440; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1034; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:Traversant REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.4V 20V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:15ppm/°C; Racine de la référence:1460; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance de la référence de tension:0.001%; Type de boîtier:MSOP; Type de te CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:18V; Nombre de canaux de sortie:1; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Racine de la référence:1144; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie ajustable max.:-18V; Tension de sortie ajustable min CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:8V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-9V; Courant, sortie:15mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.125A; Fréquence:550kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Précision:5%; Racine de la référence:1261; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-5.5V; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Fréquence:80kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Racine de la référence:660; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie ajustabl REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 18V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:6mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR445; Racine de la référence:445; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.6V 18V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ARD444; Racine de la référence:444; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 18V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:1.2mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ARD443; Racine de la référence:443; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m CORDON EXTENSION CAT6 UTP BEIGE 5M; Connecteur type A:Fiche femelle RJ45; Connecteur type B:Fiche mâle RJ45; Couleur de la gaine:Beige; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles de réseau; Connecteur type A:RJ45 Plug; Connecteur type B:RJ45 Socket; Couleur:Beige; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m REGUL DE TENSION LDO +5.0V TO-92-3 2950; Tension d'entrée primaire:30V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:380mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1.4%; Racine de la référence:2950; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation m EXTENSION FEM CABLE NAPPE NOIR 2 VOIES; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connector Type:Secteur UK; Couleur:Black; Courant:13A; Genre:Embase; Nombre de sorties:2; Nombre de voies:Two; Orientation du connecteur:Câble; Quantité, boite:1; Tension:250VAC; Tension c.a.:250V; Terminaison du contact:Vis; Type de montage:Câble EXTENSION CABLE NAPPE 1 VOIES ORANGE 10M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Orange; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Orange; Couleur de connecteur:Orange; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de sorties:1; Nomb EXTENSION CABLE NAPPE 1 VOIES NOIR 5M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de sorties:1; Nombre de voies: CONTROLEUR HAUTE TENSION CMS; Gamme de tension d'alimentation:8.85V 16V; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite max.:800mA; Courant de la sortie, entrant min.:800mA; Courant de la sortie, sortant min.:300mA; Courant de sortie max.:300mA; Nombre de canaux de sortie:2; Racine de la référence:6599; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation CONTROLEUR DE TENSION CMS; Tension de seuil:4.61V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:390è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:60mA; Dissipation de puissance:625mW; Dissipation de puissance Pd:625mW; Numéro de la fonction logique:33064; Numéro générique:33064; Racine de la référence:33064; REFERENCE DE TENSION 0.1% 3PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.2V 5.5V; Tension, référence:2.048V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4140; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:80°C; Températu REFERENCE DE TENSION 0.1% 6PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:6ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:6ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tensio REFERENCE DE TENSION 0.1% 10PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.8V 5.5V; Tension, référence:1.024V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:5.5V; T REFERENCE DE TENSION 0.1% 10PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Ten REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:6.5V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:1019; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance de la référence de te REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:2.5mV; Coefficient de température:2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:2ppm/°C; Racine de la référence:1236; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance de la référence de ten REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:1389; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.4V 20V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1460; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison: REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.9V 20V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1460; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 4.096V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1634; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 18V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:4mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ARD443; Racine de la référence:443; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR440; Racine de la référence:440; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR440; Racine de la référence:440; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation REFERENCE DE TENSION 10V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:11.4V 36V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Racine de la référence:102; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier REFERENCE DE TENSION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:11.4V 36V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Racine de la référence:102; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:DIP; Type de tension d CONVERTISSEUR TENSION/FREQ; Fréquence:400MHz; Gamme d'échelle pleine:10kHz 4MHz; % de linéarité:0.0002%; Gamme de tension d'alimentation:è… 8V è… 18V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:4MHz; Courant, alimentation:13mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence, fonctionnement max..:4MHz; Linéarité:0.02%; Numéro générique:110; Racine de la référence:110; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:8 CONVERTISSEUR TENSION/FREQUENCE; Fréquence:1MHz; % de linéarité:0.1%; Gamme de tension d'alimentation:è… 13V è… 20V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:1MHz; Courant, alimentation:6.5mA; Courant, sortie max.:10mA; Fréquence, fonctionnement max..:1MHz; Linéarité:0.005%; Numéro générique:320; Racine de la référence:320; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min DETECTEUR DE TENSION; Tension de seuil:2.7V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Dissipation de puissance Pd:300mW; Numéro de la fonction logique:54; Numéro générique:54VN2702; Racine de la EXTENSION FEM CABLE NAPPE NOIR 1 VOIE; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connector Type:Secteur UK; Couleur:Black; Courant:13A; Genre:Embase; Nombre de sorties:1; Nombre de voies:One; Orientation du connecteur:Câble; Quantité, boite:1; Tension:250VAC; Tension c.a.:250V; Terminaison du contact:Vis EXTENSION FEM CABLE NAPPE BLANC 2 VOIES; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connector Type:Secteur UK; Couleur:White; Courant:13A; Genre:Embase; Nombre de sorties:2; Nombre de voies:Two; Orientation du connecteur:Câble; Quantité, boite:1; Tension:250VAC; Tension c.a.:250V; Terminaison du contact:Vis; Type de montage:Câble EXTENSION FEM CABLE NAPPE ORANGE 2 VOIES; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connector Type:Secteur UK; Couleur:Orange; Courant:13A; Genre:Embase; Nombre de sorties:2; Nombre de voies:Two; Orientation du connecteur:Câble; Quantité, boite:1; Tension:250VAC; Tension c.a.:250V; Terminaison du contact:Vis; Type de montage:Câble EXTENSION CABLE NAPPE 2 VOIES ORANGE 5M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Orange; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 2; Couleur:Orange; Couleur de connecteur:Orange; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de canaux de sortie:2; Nombre de sorties:2; Nom EXTENSION CABLE NAPPE 2 VOIES NOIR 5M; Connecteur type A:Fiche secteur UK; Connecteur type B:Fiche secteur UK; Courant:13A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de canaux de sortie:2; Nombre de sorties:2; Nombre de voies:Two; Quantité, boite:1; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Sect EXTENSION LEAD, SWITCHED/FUSED, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:240V; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:13A; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 6; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Nombre de canaux de sortie:6; Nombre de sorties:6; REGUL DE TENSION 0.8A AJUS CMS SOP8 3878; Tension d'entrée primaire:16V; Gamme de tension de sortie ajustable:1V 5.5V; Tension, déclenchement:475mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOP; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.8A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1%; Racine de la référence:3878; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tensi REFERENCE DE TENSION 0.1% 6PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 5.5V; Tension, référence:4.1V; Coefficient de température:6ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:6ppm/°C; Racine de la référence:4140; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.8V; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de AMPLI OP HAUTE TENSION; Type d'AOP:Haute tension; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:12MHz; Vitesse de balayage:24V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 30V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Haute tension; Gain, bande-passante -3dB:12MHz; Numéro de la fonction logique:552; Numéro générique:552; Racine de la référence:552; Températur CORDON D'EXTENSION PS2 DROIT 10M; Connecteur type B:PS2 Socket; Longueur de câble - Impérial:32.81ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:6 Way Mini DIN Plug; Connecteur type B:6 Way Mini DIN Socket; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de voies:6 REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:è… 50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:140mW; Racine de la référence:1525; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; T EXTENSION FEM CABLE NAPPE BLANC 1 VOIE; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connector Type:Secteur UK; Couleur:White; Courant:13A; Genre:Embase; Nombre de sorties:1; Nombre de voies:One; Orientation du connecteur:Câble; Quantité, boite:1; Tension:250VAC; Tension c.a.:250V; Terminaison du contact:Vis; Type de montage:Câble EXTENSION FEM CABLE NAPPE ORANGE 1 VOIE; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connector Type:Secteur UK; Couleur:Orange; Courant:13A; Genre:Embase; Nombre de sorties:1; Nombre de voies:One; Orientation du connecteur:Câble; Quantité, boite:1; Tension:250VAC; Tension c.a.:250V; Terminaison du contact:Vis; Type de montage:Câble EXTENSION CABLE NAPPE 2 VOIES ORANGE 10M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Orange; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 2; Couleur:Orange; Couleur de connecteur:Orange; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de canaux de sortie:2; Nombre de sorties:2; EXTENSION CABLE NAPPE 1 VOIES NOIR 10M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de sorties:1; Nombre de vo REFERENCE DE TENSION 0.1% 3PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tensio REFERENCE DE TENSION 0.1% 6PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.8V 5.5V; Tension, référence:1.024V; Coefficient de température:6ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:6ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tens REFERENCE DE TENSION 0.1% 10PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 5.5V; Tension, référence:4.1V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:4140; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.8V; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension ALIMENTATION DE TABLE HAUTE TENSION; Type de sortie d'alimentation:Adjustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:100V; Courant, sortie:1A; Puissance:100W; Régulation, charge:0.01%; Longueur:291mm; Largeur:158mm; Hauteur:136mm; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE; Largeur (externe):158mm; Longueur/hauteur:136mm; Poids:4kg; Poids, unité min.:4kg; Profondeur:291mm; Tension d'alimentation typique:110V AC / 220V AC; Tension, alimentation: FICHE MALE BASSE TENSION 1.7MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:10.5VDC; Courant:2A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.7mm; Diamètre, extérieur:4.75mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:Câble; Tension VDC:10.5V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 1.45MM; Genre:Embase; Tension:18VDC; Courant:2A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Montage en surface angle droit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:1.45mm; Insulator Material:POM; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:18V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard FICHE FEMELLE BASSE TENSION 2.1MM; Genre:Embase; Tension:12VDC; Courant:4A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Traversant vertical; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:1A; Insulator Material:POM; Largeur/Diamètre de broche:1.9mm; Orientation du connecteur:CI; Tension VDC:12V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard LEAD, SCHUKO EXTENSION, 3M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Fiche femelle Schuko; Couleur:Blanc; Longueur:3m; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Longueur, allongée:2.75m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:250V; EXTENSION LEAD, SCHUKO, BLACK, 5M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Taille du conducteur AWG:16AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Noir; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230V EXTENSION M3 XR14R 24VDC; Nombre d'entrées numériques:8; Nombre de sorties numériques:6; IP / NEMA Rating:IP40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:XD10, XD26; Approval Bodies:CSA / GL / UL; Longueur/hauteur:107.6mm; Profondeur:70mm; Tension, alimentation max..:24VDC; Type de montage:Rail DIN / Suspendu EXTENSION M3 XN05 ETHERNET SLAVE 24VDC; Type d'afficheur:LCD; IP / NEMA Rating:IP40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:XD10, XD26; Approval Bodies:CSA / UL; Longueur/hauteur:108mm; Profondeur:70mm; Tension, alimentation max..:24VDC; Type de montage:Rail DIN CONVERT DE TENSION DIP8 7662; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-4.5V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence:10kHz; Marquage composant:ICL7662CPA+; Racine de la référence:7662; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie ajustable max.:-20V; Tension de sortie ajustable min: REFERENCE DE TENSION 2.5V 50PPM/C CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.55V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Racine de la référence:3025; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtie REFERENCE DE TENSION 1.25V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.8V 5.5V; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:3012; Température de fonctionnement max..:-40°C; Température d'utilisation min:125°C; Tolérance:0.2%; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 33V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Dissipation de puissance, max..:15mW; Racine de la référence:2; Température de fonctionnement max..:-40°C; Température d'utilisation min:85°C; Tolérance de la réfé KIT CONDENSATEUR HAUTE TENSION; Contenu du kit:High Voltage Capacitors; Gamme de valeurs de capacité:10pF 0.1è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:29 Valeurs EXTENSION LEAD, SCHUKO, BLACK, 3M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Taille du conducteur AWG:16AWG; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Noir; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230V REGUL DE TENSION 0.1A +5.0V CMS SOT-89-3; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-89; Température de fonctionnement:0°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Précision:5%; Racine de la référence:78; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, ali CONDITIONNEUR DE SIGNAL COURANT/TENSION; Nombre de voies:1; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:93.1mm; Nombre de canaux de sortie:1; Profondeur:102.5mm; Précision:0.1%; Température de fonctionnement max..:65°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de montage:Rail DIN CONVERTISSEUR TENSION/COURANT DIP16 110; Tension, alimentation min.:13.5V; Tension, alimentation max..:40V; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie par canal:20mA; Courant, alimentation:3mA; Courant, sortie max.:25mA; Gamme de tension d'alimentation:13.5V 40V; Marquage composant:XTR110KPG4; Nombre d'amplificateurs:2; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:110; Numéro générique:110; Racine de la référe EXTENSION LEAD, SCHUKO, WHITE, 3M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Taille du conducteur AWG:16AWG; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Blanc; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230V EXTENSION LEAD, SCHUKO, WHITE, 5M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Taille du conducteur AWG:16AWG; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Blanc; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230V EXTENSION LEAD, SCHUKO, WHITE, 10M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Taille du conducteur AWG:16AWG; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:32.81ft; Longueur de câble - Métrique:10m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Blanc; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230V REGULATEUR A DECOUPAGE HAUTE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:75V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Fréquence:780kHz; Racine de la référence:5001; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:75V; Tension, alimentation min.:3.1V; Tension, entrée m CONTROLEUR HAUTE TENSION; Type de driver:Puissance; Configuration module:Côté haut / Côté bas; Courant, sortie crête:450mA; Résistance de sortie:125ohm; Gamme de tension d'alimentation:10V 16.6V; Type de boîtier CI Driver:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite max.:450mA; Courant de la sortie, entrant min.:450mA; Courant de la sortie, sortant min.:250mA; Courant de sortie max.:250mA; Nombre de canaux de sortie:2; Ra REFERENCE DE TENSION 4.096V TO92; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:27ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:140mW; Marquage composant:MCP1541-I/TO; Racine de la référence:1541; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance de la référence de tensi CONVERTISSEUR DC/DC HAUTE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:36V; Courant, sortie:40mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:40A; Fréquence:12kHz; Racine de la référence:7662; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-45°C; Tension de sortie ajustable max.:-18V; Tension de sortie ajustable min CONVERTISSEUR DC/DC HAUTE TENSION; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:36V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:40A; Fréquence:10kHz; Racine de la référence:7662; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-45°C; Tension de sortie ajustable max.:-15V; Tension de sortie ajustable min AMPLI CONTROLE EN TENSION PRE-REGLEE; Fonction CI:Amplificateur contrôlé de tension; Brief Features:Contrôle du gain exponentiel, vaste gamme de gains; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 18V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:SIP; Nombre de broches:8; Gain, bande-passante -3dB:20MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2180; Numéro générique:2180; Racine de la référence:2180; Température de fonctionnement max..:70°C; Température REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:SOIC REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Racine de la référence:1021; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance de la référence de tens REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:12ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:12ppm/°C; Racine de la référence:1029; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance de la référence de tension:1%; Type de boîtier:TO-92; Type d REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Racine de la référence:1236; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1236; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminais REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.9V 20V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:15ppm/°C; Racine de la référence:1460; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:MSOP; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 20V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:12ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:12ppm/°C; Racine de la référence:1461; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 1.25V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Racine de la référence:1634; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Fixé; Type de terminaison:CMS CONVERT DE TENSION CMS SOIC8 1044; Tension d'entrée primaire:9V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-12V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:5kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:LTC1044ACS8; Racine de la référence:1044; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-5V; Courant, sortie:50mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:50mA; Courant, sortie max.:0.05A; Fréquence:30kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Racine de la référence:1046; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min EXTENSION FICHE FEM. AUTODENUDANTE 3/4A; Couleur de connecteur:Blanc; Couleur:White; Genre:Embase; Nombre de ports:1; Nombre de voies:1; Ports, number of:1; Type de montage:Encastré REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 18V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR445; Racine de la référence:445; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.6V 18V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:1.6mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ARD444; Racine de la référence:444; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisati REFERENCE DE TENSION XFET LDO CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Numéro de la fonction logique:ADR441; Racine de la référence:441; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m CONTROLEUR PWM HAUTE TENSION CMS; Tension, entrée:48V; Tension, sortie:9.75V; Courant, sortie:100mA; Fréquence:600kHz; Gamme de tension d'alimentation:15V 90V; Type de boîtier CI numérique:MSOP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:5033; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:90V; Tension, alimentation min.:15V; Tension, entrée max..:90V; Type d AMPLI CONTROLE EN TENSION PRE-REGLEE; Fonction CI:Amplificateur contrôlé de tension; Brief Features:Contrôle du gain exponentiel, vaste gamme de gains; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 18V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:SIP; Nombre de broches:8; Gain, bande-passante -3dB:20MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2180; Numéro générique:2180; Racine de la référence:2180; Température de fonctionnement max..:70°C; Température AMPLI CONTROLE EN TENSION REGLABLE; Fonction CI:Amplificateur contrôlé de tension; Brief Features:Contrôle du gain exponentiel, vaste gamme de gains; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 18V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:SIP; Nombre de broches:8; Gain, bande-passante -3dB:20MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2181; Numéro générique:2181; Racine de la référence:2181; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d COMPARATEUR BASSE TENSION CMS; Type de comparateur:Basse tension; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:1.1è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:10è¾A; Gamme de tension d'alimentation:850mV 6V; Type de boîtier d'amplificateur:UDFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du comparateur:Sub-one volt low power; Nombre de comparateurs:1; Nombre de voies:1; Racine de la réf EXTENSION LEAD 8 GANG INTELLIPANEL; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:Telephone/Modem, UK Sockets; Tension:240V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 8 + Telephone/Modem; Couleur de connecteur:Blanc; Largeur (externe):125mm; Longueur:340mm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Longueur/hauteur:50mm; Nombre de sorties EXTENSION, 1/4''DRV, 250MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:250mm; Longueur en pouces:10''; Taille du conducteur:1/4'' EXTENSION, 3/8''DRV, 125MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:125mm; Longueur en pouces:5''; Taille du conducteur:3/8'' EXTENSION, 3/8''DRV, 250MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:250mm; Longueur en pouces:10''; Taille du conducteur:3/8'' CORDON CAT6 UTP EXTENSION BEIGE 1M; Connecteur type A:Fiche femelle RJ45; Connecteur type B:Fiche mâle RJ45; Couleur de la gaine:Beige; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; Type de câble assemblé:Câbles de réseau; Connecteur type A:RJ45 Plug; Connecteur type B:RJ45 Socket; Couleur:Beige; Longueur cordon:1m; Longueur câble:1m CORDON EXTENSION CAT6 UTP BEIGE 2M; Connecteur type A:Fiche femelle RJ45; Connecteur type B:Fiche mâle RJ45; Couleur de la gaine:Beige; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Câbles de réseau; Connecteur type A:RJ45 Plug; Connecteur type B:RJ45 Socket; Couleur:Beige; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m CORDON EXTENSION CAT6 UTP BEIGE 3M; Connecteur type A:Fiche femelle RJ45; Connecteur type B:Fiche mâle RJ45; Couleur de la gaine:Beige; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles de réseau; Connecteur type A:RJ45 Plug; Connecteur type B:RJ45 Socket; Couleur:Beige; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m EXTENSION CABLE NAPPE 2 VOIES NOIR 10M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Secteur; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 2; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de canaux de sortie:2; Nombre de sorties:2; Nombre RESISTANCE 0805 HAUTE TENSION 5% 100K; Résistance:100kohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:125mW; Tension:400V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0805; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.25mm; Longueur/hauteur:2mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.5mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C +1 RESISTANCE 0805 HAUTE TENSION 5% 4M7; Résistance:4.7Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:125mW; Tension:400V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0805; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.25mm; Longueur/hauteur:2mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.5mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C +15 RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 100K; Résistance:100kohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 330K; Résistance:330kohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C EXTENSION LEAD, SWITCHED/FUSED, 5M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:240V; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:13A; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 6; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de canaux de sortie:6; Nombre de sorties:6; REFERENCE DE TENSION 0.1% 3PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.8V 5.5V; Tension, référence:1.024V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Tens REFERENCE DE TENSION 0.1% 3PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.8V 5.5V; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4140; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:80°C; Températur REFERENCE DE TENSION 0.1% 10PPM CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:1.8V 5.5V; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4140; Racine de la référence:4140; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:80°C; Tempéra REGULATEUR A DECOUPAGE HAUTE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:75V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Fréquence:780kHz; Racine de la référence:5002; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:75V; Tension, alimentation min.:3.1V; Tension, entré SOCKET, EXTENSION, SCREW, FLUSH, 3/6A,T2; Genre:Embase; Nombre de ports:1; Terminaison du contact:Encastré; Couleur:White; Nombre de voies:1; Ports, number of:1; Type de montage:Encastré CONTR. TEMP. SORTIE RELAIS BAS. TENSION; Thermocouple Type:T; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-10°C; Tension, sortie max..:250VAC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Temperature Alarm Applications; Afficheur:LCD; Approval Bodies:CE / cRUus; Consommation de puissance:5VA; Consommation de puissance:5VA; Contact de sortie:SPST-NO 250V ac, 3A (resistive load); Couleur:Black; Evaluation de contrôle de la sortie:ON/OFF or 2-PID (with auto-tuning); Large REFERENCE DE TENSION +5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:7V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Racine de la référence:2; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.3%; Tolérance de la référence d LEVIER DE TENSION AJUSTABLE; A utiliser avec:Sirius Switches; Série:SIRIUS RELAIS SURVEILLANCE NUMERI. DE TENSION; Consommation de puissance:2W; Tension, alimentation max..:275V; Montage relais:Rail DIN; Tension de contrôle:AC / DC; Série:3UG; Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:110mm; Profondeur:86mm; Terminaison du contact:Vis; Type de borne:Screw REGULATEUR DE TENSION +5.0V D2PAK-3 7805; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Précision:2%; Racine de la référence:7805; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:35V AMPLI CONTROLE EN TENSION REGLABLE; Fonction CI:Amplificateur contrôlé de tension; Brief Features:Contrôle du gain exponentiel, vaste gamme de gains; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 18V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:SIP; Nombre de broches:8; Gain, bande-passante -3dB:20MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2181; Numéro générique:2181; Racine de la référence:2181; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d AMPLI CONTROLE EN TENSION REGLABLE; Fonction CI:Amplificateur contrôlé de tension; Brief Features:Contrôle du gain exponentiel, vaste gamme de gains; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 18V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:SIP; Nombre de broches:8; Gain, bande-passante -3dB:20MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2181; Numéro générique:2181; Racine de la référence:2181; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d ALIMENTATION DE TABLE HAUTE TENSION; Type de sortie d'alimentation:Adjustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:200V; Courant, sortie:1A; Puissance:200W; Régulation, charge:0.02%; Longueur:365mm; Largeur:265mm; Hauteur:164mm; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE; Largeur (externe):265mm; Longueur/hauteur:164mm; Poids:7kg; Poids, unité min.:7kg; Profondeur:365mm; Tension d'alimentation typique:110V AC / 220V AC; Tension, alimentation: ALIMENTATION DE TABLE HAUTE TENSION; Type de sortie d'alimentation:Adjustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:300V; Courant, sortie:1A; Puissance:300W; Régulation, charge:0.02%; Longueur:365mm; Largeur:265mm; Hauteur:164mm; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE; Largeur (externe):265mm; Longueur/hauteur:164mm; Poids:7kg; Poids, unité min.:7kg; Profondeur:365mm; Tension d'alimentation typique:110V AC / 220V AC; Tension, alimentation: CORDON D'EXTENSION 4 GANG 1M NOIR; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:13A; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:1m; Longueur câble:1m; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Nomb EXTENSION, 1/2''DRV, 500MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:500mm; Taille du conducteur:1/2'' REGUL DE TENSION +5.0V CMS DPAK-3 7805; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.5A; Précision:2%; Racine de la référence:7805; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..: RESISTANCE 0805 HAUTE TENSION 5% 1M; Résistance:1Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:125mW; Tension:400V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0805; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.25mm; Longueur/hauteur:2mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.5mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C +155°C RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 22M; Résistance:22Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C + REFERENCE DE TENSION 5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Coefficient de température, +:2.5ppm/°C; Gamme de température, circuit intégré:Industriel; Numéro générique:6250; Racine de la référence:6250; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation RESISTANCE 0805 HAUTE TENSION 5% 220K; Résistance:220kohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:125mW; Tension:400V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0805; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.25mm; Longueur/hauteur:2mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.5mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C +1 RESISTANCE 0805 HAUTE TENSION 5% 1M5; Résistance:1.5Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:125mW; Tension:400V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0805; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.25mm; Longueur/hauteur:2mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.5mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C +15 RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 3M3; Résistance:3.3Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 15M; Résistance:15Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C + RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 27M; Résistance:27Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C + ENCASTRE BASSE TENSION MOULE FIXE CHROME; Profondeur:116mm; Diamètre, extérieur:80mm; Largeur (externe):80mm; Light Source:Halogène; Longueur/hauteur:116mm; Puissance:50W; Tension, alimentation:12V EXTENSION M3 XA04A 24VDC; Nombre d'entrées analogiques:2; Nombre de sorties analogique:2; IP / NEMA Rating:IP40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:XD10, XD26; Approval Bodies:CSA / GL / UL; Tension, alimentation max..:24VDC; Type de montage:Rail DIN / Suspendu EXTENSION LEAD, SCHUKO, BLACK, 10M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Taille du conducteur AWG:16AWG; Courant:16A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.81ft; Longueur de câble - Métrique:10m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Noir; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230V COMPARATEUR DOUBLE BASSE TENSION CMS; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:500ns; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:9è¾A; Gamme de tension d'alimentation:850mV 6V; Type de boîtier d'amplificateur:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Racine de la référence:2220; Température de fonctionnement max..:105°C; Tempé CORDON D'EXTENSION 4G 10M NOIR; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:13A; Catégorie d'approbation:BS1363/A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Nomb SUPERVISEUR DE TENSION PRECISION CMS; Tension de seuil:1.2V; Nombre de superviseurs / moniteurs:5; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 11V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:16è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance:842mW; Dissipation de puissance Pd:842mW; Numéro de la fonction logique:8213; Racine de la référence:8213; Température de fonction CONVERTISSEUR DC/DC HAUTE TENSION; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:100mA; Fréquence:10kHz; Racine de la référence:7662; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-45°C; Tension de sortie ajustable max.:-15V; Tension de sortie ajustable min:-1.5V; Tension, ali CONVERTISSEUR DC/DC HAUTE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:36V; Courant, sortie:40mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-45°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:40A; Fréquence:10kHz; Racine de la référence:7662; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-45°C; Tension de sortie ajustable max.:-15V; Tension de sortie ajustable min REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.2V 15V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Marquage composant:REF195GPZ; Racine de la référence:195; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0. CONVERTISSEUR TENSION/COURANT; Tension, alimentation min.:13.5V; Tension, alimentation max..:40V; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie par canal:20mA; Courant, alimentation:3mA; Courant, sortie max.:25mA; Gamme de tension d'alimentation:13.5V 40V; Nombre d'amplificateurs:2; Nombre de canaux de sortie:1; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, entrée ma EXTENSION CORD, BT, 3M; Connecteur type A:BT Plug; Connecteur type B:BT Socket; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles de téléphone; Connecteur type A:Fiche mâle BT; Connecteur type B:Fiche femelle BT; Couleur:Blanc; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m EXTENSION CORD, BT, 5M; Connecteur type A:BT Plug; Connecteur type B:BT Socket; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles de téléphone; Connecteur type A:Fiche mâle BT; Connecteur type B:Fiche femelle BT; Couleur:Blanc; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m EXTENSION LEAD, LOW PROFILE, 15M; Connecteur type A:BT431A Plug; Connecteur type B:BT431A Socket; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:49.21ft; Longueur de câble - Métrique:15m; Type de câble assemblé:Câbles de téléphone; Connecteur type A:BT431A Plug; Connecteur type B:BT431A Socket; Connector Type:BT431A; Couleur:Gris; Longueur cordon:15m; Longueur câble:15m; Nombre de contacts:4; Nombre de voies:4 REGULATEUR DE TENSION -5V; Tension d'entrée primaire:-10V; Tension de sortie fixe:-5V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Précision:5%; Racine de la référence:79; Tension, alimentation max..:37V; Tension, alimentation min.:-7V; Tension, entrée max..:-30V; Tension, sortie:-5V; Tension, CONTR. TEMP. SORTIE TENSION ALIM.; Thermocouple Type:T; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-10°C; Tension, sortie max..:12VDC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Temperature Alarm Applications; Afficheur:LCD; Approval Bodies:CE / cRUus; Consommation de puissance:5VA; Consommation de puissance:5VA; Contact de sortie:SPST-NO 250V ac, 3A (resistive load); Couleur:Black; Evaluation de contrôle de la sortie:ON/OFF or 2-PID (with auto-tuning); Largeur (ext CONTR. TEMP. SORTIE TENSION BAS. TENSION; Thermocouple Type:T; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-10°C; Tension, sortie max..:12VDC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Temperature Alarm Applications; Afficheur:LCD; Approval Bodies:CE / cRUus; Consommation de puissance:5VA; Consommation de puissance:5VA; Contact de sortie:SPST-NO 250V ac, 3A (resistive load); Couleur:Black; Evaluation de contrôle de la sortie:ON/OFF or 2-PID (with auto-tuning); Large REGULATEUR DE TENSION 5V; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Précision:5%; Racine de la référence:78; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:30V; Tension, alime REGULATEUR DE TENSION 5V; Tension d'entrée primaire:30V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Précision:5%; Racine de la référence:78; Tension, alimentation max..:30V; Tension, alimentation min.:7V; Tension, entrée max..:30V; Tension, sortie:5V; Tension, sorti TENSIONING TOOL, STAINLESS STEEL TIES; Type d'accessoire:Cable Management Tools; A utiliser avec:Cable Ties; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) AMPLI CONTROLE EN TENSION PRE-REGLEE; Fonction CI:Amplificateur contrôlé de tension; Brief Features:Contrôle du gain exponentiel, vaste gamme de gains; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 18V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:SIP; Nombre de broches:8; Gain, bande-passante -3dB:20MHz; Nombre d'amplificateurs:1; Numéro de la fonction logique:2180; Numéro générique:2180; Racine de la référence:2180; Température de fonctionnement max..:70°C; Température REGULATEUR DE TENSION LINEAIR 3.3V CMS; Tension d'entrée primaire:4.3V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:300mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1%; Racine de la référence:2985; Tension, alimentation max..:16V; Tension, alimentation min.:2.5V; Tension, entrée max..:16V; Tension, TRIPLE CONTROLEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:3; Type de boîtier CI régulateur de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Racine de la référence:88021; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vcc:5.5V; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée max..:5.5V; Type de boîtier:MSOP; Type de terminaison: REG DE TENSION +5.0V CMS SOT-89-3 7805; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-89; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Précision:5%; Racine de la référence:7805; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:20 EXTENSION, FLEX, 1/4''DRV, 150MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:150mm; Longueur en pouces:6''; Taille du conducteur:1/4'' EXTENSION, 3/8''DRV, 75MM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:75mm; Longueur en pouces:3''; Taille du conducteur:3/8'' RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 2M2; Résistance:2.2Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C RESISTANCE 1206 HAUTE TENSION 5% 10M; Résistance:10Mohm; Tolérance de résistance:è… 5%; Puissance:250mW; Tension:500V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température -:200ppm/°C; Coefficient de température, +:200ppm/°C; Largeur (externe):1.60mm; Longueur/hauteur:3.1mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.55mm; Série:RV; Température de fonctionnement:-55°C + REGULATEUR DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.55V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:35ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:35ppm/°C; Courant, sortie max.:0.025A; Racine de la référence:2925; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, entrée max..:5.5V; Tension, entr RELAIS NUMERI. DE TENSION-22.5MM; Consommation de puissance:2W; Tension, alimentation max..:240V; Montage relais:Rail DIN; Tension de contrôle:AC / DC; Série:3UG; Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:110mm; Profondeur:86mm; Tension, contrôle c.a. max..:240V; Tension, de contrôle c.a. min:24V; Terminaison du contact:Vis; Type de borne:Screw EXTENSION LEAD+BRK, TELEPHONE, 10M; Connecteur type A:BT431A Plug; Connecteur type B:BT431A Socket; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:32.81ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Câbles de téléphone; Connecteur type A:BT431A Plug; Connecteur type B:BT431A Socket; Connector Type:BT431A; Couleur:Blanc; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de contacts:4 REGULATEUR DE TENSION 5V; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Précision:2%; Racine de la référence:7805; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:35V; Tension, alime REGULATEUR DE TENSION LDO 3.3V CMS; Tension d'entrée primaire:5.3V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:1.1V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.8A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1%; Racine de la référence:1117; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:3.3V; Tension, entrée max..:15V; Tension, sorti REGULATEUR DE TENSION LINEAIR 37V CMS; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:4; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Racine de la référence:317; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:3V; Tension, entrée max..:40V; Tension, sortie:37V; Tension, sortie max.. EXTENSION CABLE, ESATA M-F, 0.5M; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:1.64ft; Longueur de câble - Métrique:500mm; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:SATA Female; Longueur cordon:0.5m; Longueur câble:0.5m EXTENSION NOZZLE; Tension d'alimentation Vac:240V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); A utiliser avec:TEC 250 Series Glue Gun; Puissance, entrée:500W; Type d'accessoire:Nozzle REG DE TENSION LDO 3.3V 0.8A SOT-223-4; Tension d'entrée primaire:15V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:1.15V; Nombre de broches:4; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:0°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.8A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:2.5%; Racine de la référence:1117; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tensio LEAD, PC AUDIO EXTENSION, HAMA; Connecteur type A:2 x 3.5mm Stereo Male; Connecteur type B:2 x 3.5mm Stereo Female; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:5.91ft; Longueur de câble - Métrique:1.8m; Type de câble assemblé:Audio / Vidéo; Connecteur type A:2 x 3.5mm Stereo Male; Connecteur type B:2 x 3.5mm Stereo Female; Longueur cordon:1.8m; Longueur câble:1.8m; Nombre de pâles:3 CABLE EXTENSION CLAVIER/SOURIS PS/2; Connecteur type A:6 Way Mini DIN Male; Connecteur type B:PS/2 Female; Couleur de la gaine:Ivoire ; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:PS2 Plug; Connecteur type B:PS2 Socket; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:6 Ways CABLE EXTENSION CLAVIER/SOURIS PS/2; Connecteur type A:Mini 6 Way DIN Plug; Connecteur type B:Mini 6 Way Din Plug; Couleur de la gaine:Ivoire ; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:PS2 Plug; Connecteur type B:PS2 Plug; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:6 Ways EXTENSION CABLE, ESATA M-M, 1M; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Longueur cordon:1m; Longueur câble:1m EXTENSION CABLE, ESATA M-M, 1.5M; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:4.92ft; Longueur de câble - Métrique:1.5m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Longueur cordon:1.5m; Longueur câble:1.5m EXTENSION CABLE, ESATA M-M, 2M; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m CABLE D'EXTENSION SVGA/PS2 2M; Connecteur type B:SVGA & 2 x PS2 Plugs; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:SVGA & 2 x PS2 Plugs; Connecteur type B:SVGA & 2 x PS2 Sockets; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Nombre de voies:6 Ways CABLE EXTENSION CLAVIER; Connecteur type A:5 Way DIN Plug; Connecteur type B:5 Way DIN Socket; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:5 Pin Din Plug; Connecteur type B:5 Pin Din Socket; Longueur câble:5m CABLE EXTENSION CLAVIER/SOURIS PS/2; Connecteur type A:Mini 6 Way DIN Plug; Connecteur type B:Mini 6 Way Din Plug; Couleur de la gaine:Ivoire ; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:PS2 Plug; Connecteur type B:PS2 Plug; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de voies:6 Ways EXTENSION CABLE, USB, 1.8M; Connecteur type A:USB Plug; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:5.91ft; Longueur de câble - Métrique:1.8m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:USB Female; Connecteur type B:USB Male; Couleur:Noir; Longueur cordon:1.8m; Longueur câble:1.8m; Nombre de voies:4; Taux de transfert de données max..:480Mbps EXTENSION CABLE, USB, 3M; Connecteur type A:USB Plug; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:USB Female; Connecteur type B:USB Male; Couleur:Noir; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:4; Taux de transfert de données max..:480Mbps REFERENCE DE TENSION FAIBLE BRUIT 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 13.2V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Racine de la référence:6652; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, entrée max..:13.2V; Tension, entrée min.:2.8V; Toléranc RESISTANCE 20MR 1206 HAUTE TENSION; Résistance:20Mohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:300mW; Tension:1.5kV; Coefficient de température:è… 100ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:CRHV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier:1206 EXTENSION CABLE, ESATA M-M, 0.5M; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:1.64ft; Longueur de câble - Métrique:500mm; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:eSATA Male; Connecteur type B:eSATA Male; Longueur cordon:0.5m; Longueur câble:0.5m RESISTANCE 50MR 1206 HAUTE TENSION; Résistance:50Mohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:300mW; Tension:1.5kV; Coefficient de température:è… 100ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:CRHV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier:1206 CONTROLEUR DE TENSION ZERO; Courant, sortie:130mA; Gamme de tension d'alimentation:-10V -8V; Type de boîtier CI Driver:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:2016; Numéro générique:2016; Racine de la référence:2016; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, alimentation max..:-8V; Tension, alimentation min.:-10V; Type de boîtier:D CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-4.5V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Fréquence:10kHz; Racine de la référence:7662; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie ajustable max.:-20V; Tension de sortie ajustable min:-4.5V; Tension, alimentation max..:2 CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:12V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:22.8V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:45mA; Fréquence:35kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér CABLE EXTENSION CLAVIER/SOURIS PS/2; Connecteur type A:6 Way Mini DIN Male; Connecteur type B:PS/2 Female; Couleur de la gaine:Ivoire ; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:PS2 Plug; Connecteur type B:PS2 Socket; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de voies:5 Ways REFERENCE DE TENSION FAIBLE BRUIT 3.3V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.8V 13.2V; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Racine de la référence:6652; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, entrée max..:13.2V; Tension, entrée min.:2.8V; Toléra PENCIL POINT EXTENSION; Tension d'alimentation Vac:240V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); A utiliser avec:TEC 250 Series Glue Gun; Puissance, entrée:500W; Type d'accessoire:Nozzle EXTENSION NOZZLE; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); A utiliser avec:TEC 810 Series Glue Gun; Type d'accessoire:Nozzle RESISTANCE 1GR 1206 HAUTE TENSION; Résistance:1Gohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:300mW; Tension:1.5kV; Coefficient de température:è… 100ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:CRHV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier:1206 BANDE EXTENSION 24MM PQT5; Type de bande:Isolation; Largeur Ruban - Métrique:24mm; Largeur Ruban - Impérial:0.94''; Couleur Ruban:Jaune / Bleu; Couleur:Yellow / Blue; Largeur, bande:24mm; Matière:Polyester Film VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1206 11VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:200A; Boîtier de varistor:1206; Tension, bloquée max..:35V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):500mJ; Tension VDC:14V; Tension c.a.:11V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:1500pF; Courant, crête max.., 8/20us:200A; Pointe de courant:200A; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:35V; Tensio VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1206 30VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:200A; Boîtier de varistor:1206; Tension, bloquée max..:85V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):1.1J; Tension VDC:38V; Tension c.a.:30V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:550pF; Courant, crête max.., 8/20us:200A; Pointe de courant:200A; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:85V; Tension, VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1210 20VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:400A; Boîtier de varistor:1210; Tension, bloquée max..:60V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):1.9J; Tension VDC:26V; Tension c.a.:20V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:1400pF; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Pointe de courant:400A; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:60V; Tension PROTECTION SURTENSION 4.5KA; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:2.5m; Nombre de sorties:8; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur EXTENSION LEAD, 4 GANG, SWITCHED, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 10 GANG, TOWER, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket x 10; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur câble:2m; Nombre de sorties:10; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Secteur GB; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 4 GANG, INDIV-SW, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:300VAC; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Connector Type:Connecteur mâle UK; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Courant de pic:4.5kA; Courant, sortie:13A; Largeur (externe):60mm; Longueur:320mm; Longueur cordon:2m EXTENSION LEAD, 4 GANG, INDIV-SW, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:230V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Largeur (externe):60mm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Longueur, nappe:320mm; Matière:Plastic; Nombre de canaux de sortie:4; Nombr REFERENCE DE TENSION 5V 0.2 7.5PPM 8DIP; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1027; Type de boîtier:DIP; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:Traversant REFERENCE DE TENSION 2.5V UP PRECI 8SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.4V 20V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1460; Tolérance de la référence de tension:0.125%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 4.096V UP PRECI 8SOIC; Topologie:Série; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:3.2mV; Coefficient de température:12ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:50mA; Racine de la référence:1461; Tension d'entrée primaire:4.5V; Tension de sortie fixe:4V; Tension, déclenchement:130mV; Tension, sortie:4V; Tolérance de la référence de tension:0. REFERENCE DE TENSION 3V UP PREC SOT23-5; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.9V 20V; Tension, référence:3V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1460; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 0.1% 25PPM UP SOT23-6; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 18V; Tension, référence:3V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1790; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 0.1% 25PPM UP SOT23-6; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 18V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1790; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS COMPAR UP 400M REF DE TENSION SOT23-6; Type de comparateur:Basse tension; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:18è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:7.1è¾A; Gamme de tension d'alimentation:1.4V 18V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Racine de la référence:6700; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation COMPARA UP 400M REF DE TENSION SOT23-6; Type de comparateur:Basse tension; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:18è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:7.1è¾A; Gamme de tension d'alimentation:1.4V 18V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Racine de la référence:6700; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation CABLE D'EXTENSION SVGA/PS2 3M; Connecteur type B:SVGA & 2 x PS2 Plugs; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:SVGA & 2 x PS2 Plugs; Connecteur type B:SVGA & 2 x PS2 Sockets; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Nombre de voies:6 Ways CABLE EXTENSION CLAVIER; Connecteur type A:5 Way DIN Plug; Connecteur type B:5 Way DIN Socket; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:5 Pin Din Plug; Connecteur type B:5 Pin Din Socket; Longueur câble:3m REF DE TENSION PRECISION 5V LN 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:15mA; Fréquence:1kHz; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6250; Tension d'entrée primaire:10V; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:8V; Tension, entrée max..:36V; Tension REF DE TENSION PRECISION 5V LN 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:15mA; Fréquence:1kHz; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6250; Tension d'entrée primaire:10V; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:8V; Tensio DIODE REF DE TENSION 2.5V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:Traversant DIODE REF DE TENSION 2.5V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:Traversant AMPOULE MR16 HALOGENE BASSE TENSION 35W; Tension, alimentation:12V; Lamp Base Type:GX5,3 / GU5,3; Puissance:35W; Diamètre, réflecteur:50mm; Température, couleur:2800K; Diamètre, extérieur:50mm; Durée de vie:2000h; Durée de vie moyenne de la lampe:2000h; Tension, alimentation c.c.:12V KIT EXTENSION TELEPHONE. 20M; Connecteur type A:UK Adaptor; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:65.62ft; Longueur de câble - Métrique:20m; Connecteur type A:Adaptateur anglais; Connecteur type B:Fiche femelle d'extension; Couleur:Blanc; Longueur cordon:20m; Longueur câble:20m SUPERVISEURS RAM RETENSION; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fonction de gestion de batterie:Moniteur d'état; Racine de la référence:3620; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vcc:5.5V; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.65V; Tension, entrée max..:5.5V; Type de boîtier:MSOP; Type de terminaison:CMS COMMUTATEUR HAUTE TENSION 100KHZ; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:25W; Dissipation de puissance Pd:25W; Fréquence:100kHz; Racine de la référence:1028; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:-0.3V; Tension, entrée max..:10V; Tension, sortie max..:700V; Type d'alimentation:SMPS; Type d COMPARATEUR BASSE TENSION DOUBLE; Type de comparateur:Basse consommation; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:580ns; Type de sortie CI:CMOS, TTL; Compatibilité de sortie:CMOS, TTL; Courant, alimentation:3è¾A; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 5.5V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nombre de comparateurs:2; Nombre de voies:2; Racine de la référence:9077; Température de fonctionnement max. 1/2''DRV EXTENSION 5''; Longueur:125mm; Longueur en pouces:5''; Taille du conducteur:1/2'' 1/2''DRV EXTENSION 10''; Longueur:250mm; Longueur en pouces:10''; Taille du conducteur:1/2'' REFERENCE DE TENSION 3V 3DFN; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.9V 20V; Tension, référence:3V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DFN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6660; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:DFN; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 3.3V 3DFN; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.2V 20V; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DFN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6660; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:DFN; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V 3DFN; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.9V 20V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DFN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6660; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:DFN; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS CARTE D'EXTENSION BLACKFIN; Silicon Fabricant:Analog Devices; Core Architecture:Blackfin; Nom de famille Silicon:Blackfin; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:RS232 Serial Level Shifter, Serial Sub-D9 Plug; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Module de processeur Blackfin; MCU Supported Families:DEV-BF5xx, EVAL-BF5xx; Outils / carte d'application:Débogage / Programmation; Supported Devices:CM-BF533, CM-BF561, CM-BF537E, CM-BF537U, CM-BF527; Type:Experimental Extender Board REGULATEUR DE TENSION LINEAIRE; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier diode:SOT-223; Nombre de broches:6; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:6-SOT-223 REFERENCE DE TENSION; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 18V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vz:2.048V; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:8-SOIC; Type de boîtier diode:SOIC; Type de tension de référence:Série REGULATEUR DE TENSION; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Tension, alimentation max..:35V; Tension, alimentation min.:7V; Tension, entrée max..:35V; Tension, entrée min.:5V; Tension, sortie:5V; Tension, sortie max..:5V; Type de boîtier:3-DPAK; Type de régula REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:16V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:450mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, alimentation max..:30V; Tension, alimentation min.:6V; Tension, entrée max..:16V; Tension, sortie:5V; Tension, sortie max..:5V; Type de boîtier:3-TO-220FP; Typ REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Tension de sortie fixe:9V; Tension, déclenchement:1.7V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-89; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Précision:0.05%; Tension, alimentation max..:35V; Tension, alimentation min.:11.5V; Tension, entrée max..:23V; Tension, sortie:9V; Tension, sortie max..:9V; Type de boî REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:-19V; Tension de sortie fixe:-12V; Tension, déclenchement:1.3V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Précision:0.04%; Tension, alimentation max..:-30V; Tension, alimentation min.:-14.5V; Tension, entrée max..:-30V; Tension, sortie:-12V; Tension, sortie max..:-12V; Type d REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:24V; Tension de sortie fixe:2.5V; Tension, déclenchement:415mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:50mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SC-70; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:50mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.04%; Tension, alimentation max..:24V; Tension, alimentation min.:2.5V; Tension, entrée max..:24V; Tension, sortie:2.5V; Tension, sortie max..:2.5V; Type REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:18V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:38V; Courant, sortie:1.2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1.2A; Courant, sortie max.:1.2A; Fréquence:1.2MHz; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:3V; Tension, entrée max..:18V; Tension, sortie max..:38V; Type de boîtier:6-S REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.04%; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:3V; Tension, entrée max..:40V; Tension, sortie:37V; Tension, sortie max..:37V; Type de boîtier: REGULATEUR DE TENSION 8DIP; Tension de seuil:1.27V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:2V 40V; Courant, alimentation:560è¾A; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20mA; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:2V; Type de boîtier:8-DIP DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:800nA; Temps de retard:460ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:1.2V; Type de boîtier:3-SOT-23 BANDE EXTENSION 8 & 12MM RK5; Type de bande:Isolation; Matériau Surface Ruban:Polyester; Largeur Ruban - Métrique:12mm; Largeur Ruban - Impérial:0.47''; Couleur Ruban:Jaune / Bleu; Couleur:Yellow / Blue; Largeur, bande:12mm; Matière:Polyester Film VARISTANCE DE SURTENSION 7MM 50VRMS; Série:WE-VD; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:1.75kA; Boîtier de varistor:Disque 7 mm; Tension, bloquée max..:135V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):7J; Tension VDC:65V; Tension c.a.:50V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:640pF; Courant, crête max.., 8/20us:1750A; Diamètre du corps:7mm; Pointe de courant:1.75kA; Suppressor Type:Varistance; Tension, b VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1206 14VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:200A; Boîtier de varistor:1206; Tension, bloquée max..:45V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):500mJ; Tension VDC:18V; Tension c.a.:14V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:1160pF; Courant, crête max.., 8/20us:200A; Pointe de courant:200A; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:45V; Tensio VARISTANCE DE SURTENSION CMS 2220 14VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:1.2kA; Boîtier de varistor:2220; Tension, bloquée max..:45V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):5.8J; Tension VDC:18V; Tension c.a.:14V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:13600pF; Courant, crête max.., 8/20us:1200A; Pointe de courant:1.2kA; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:45V; Ten VARISTANCE DE SURTENSION CMS 2220 35VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:1.2kA; Boîtier de varistor:2220; Tension, bloquée max..:100V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):12J; Tension VDC:45V; Tension c.a.:35V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:4800pF; Courant, crête max.., 8/20us:1200A; Pointe de courant:1.2kA; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:100V; Ten PROTECTION SURTENSION 4.5KA; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:2.5m; Nombre de sorties:5; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:4%; Racine de la référence:317; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:3V; Tension, entrée max..:40V; Tension, sortie max..:37V; Type de boîtier: REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Précision:4%; Racine de la référence:7805; Tension, alimentation max..:35VDC; Tension, alimentation min.:7VDC; Tension, entrée max..:35VDC; Tension, sortie:5V; Tension, sort REF DE TENSION 1.2V 5MA SOT23 3; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:1mV; Coefficient de température:è… 50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Marquage composant:AD1580BRTZ; Racine de la référence:1580; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.1%; Type de REFERENCE DE TENSION 2.5V 5MA SOT23-3; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 12V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1582; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS EXTENSION LEAD, 4 GANG, SWITCHED, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 1 GANG, HVY DTY, 15M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:49.2ft; Longueur de câble - Métrique:15m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK FRAME, EXTENSION LEAD, 35M EXTENSION LEAD, 4 GANG, TIMER, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Plug; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur câble:2m; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Secteur GB; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 6 GANG, INDIV-SW, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:300VAC; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Connector Type:Connecteur mâle UK; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Courant de pic:4.5kA; Courant, sortie:13A; Largeur (externe):120mm; Longueur:260mm; Longueur cordon:2 EXTENSION LEAD, 4 GANG, RCD, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur câble:2m; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Secteur GB; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 6 GANG, INDIV-SW, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:230V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Largeur (externe):120mm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Longueur, nappe:260mm; Matière:Plastic; Nombre de canaux de sortie:6; Nomb REF DE TENSION 0.2% 30PPM PREC SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4030; Tolérance de la référence de tension:0.15%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V 0.2 7.5PPM TO92; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:8ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1029; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:Traversant REF DE TENSION PRECI 10V 5PPM 8SOIC; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:11.5V 40V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1236; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 0.10% 25PPM UP SOT23-6; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 18V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1790; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 0.1% 25PPM UP SOT23-6; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.8V 18V; Tension, référence:3.3V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1790; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS COMPARA UP 400M REF DE TENSION SOT23-6; Type de comparateur:Basse tension; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:18è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:6.5è¾A; Gamme de tension d'alimentation:1.4V 18V; Type de boîtier d'amplificateur:DFN; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:1; Racine de la référence:6703; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation mi REFERENCE DE TENSION PREC 3-TERM SOT23-3; Topologie:Série; Tension, référence:4.5V; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1%; Racine de la référence:6145; Tension d'entrée primaire:4.7V; Tension, alimentation max..:12.6V; Tension, alimentation min.:4.7V; Tension, déclenchement:200mV; Tension, entrée max..:12.6V; Tensi DIODE REF DE TENSION 2.5V 8-SO; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS DIODE REF DE TENSION 2.5V 8-SO; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:385; Tolérance de la référence de tension:0.8%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS KIT EXTENSION ESD ENTREE JACK; Type d'accessoire:Remote Input Jack; A utiliser avec:3M Workstation Monitor 724; Gamme de résistance:3.7Mohm to 35Mohm; Tension, test:16V; Type de testeur CI:Connecteur femelle d'entrée distance REF DE TENSION MICROPOWER 1.2V TO-92; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Marquage composant:LM385LP-1-2; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Tolérance:2%; Tolérance de la référence de tension:2%; Type TRANSLATEUR DE TENSION 8 BITS 20TSSOP; Nombre d'entrées:8; Courant, sortie:620è¾A; Temps de propagation:3.5ns; Type de logique:Traducteur de niveau de tension; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 3.6V, 1.65V 5.5V; Type de boîtier CI logique:TSSOP; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:8è¾A; Fonction logique:8bit Bidirectional Voltage Level Translator; Nombre de voies:8; Numéro de base de la fonction logique:0108; T REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation min.:7V; Tension, entrée max..:20V; Tension, sortie:5V; Tension, sortie max..:5V; Type de boîtier:3-DPAK; Type d REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:18V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:200mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation min.:4V; Tension, entrée max..:18V; Tension, sortie:3.3V; Tension, sortie max..:3.3V; Type REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:37V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:250mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:6V; Tension, entrée max..:37V; Tension, sortie:5V; Tension, sortie max..:5V; Type de boîtier:3-TO-92; Type REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:9V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:1V; Nombre de broches:5; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1%; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:4.3V; Tension, entrée max..:9V; Tension, sortie:3.3V; Tension, sortie max..:3.3V; Type de boîtier:5 REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Tension de sortie ajustable max.:37V; Tension de sortie ajustable min:1.2V; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:3V; Tension, entrée max..:40V; Tension REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:2.5V 20V; Tension, déclenchement:250mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:400mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.4A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:2%; Tension, alimentation max..:45V; Tension, alimentation min.:3.5V; Tension, entrée max..:40V; Tension, sortie:20V; Tension, sortie REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:12V; Tension de sortie fixe:1.8V; Tension, déclenchement:130mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TSOP; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Tension, alimentation max..:12V; Tension, alimentation min.:2.8V; Tension, entrée max..:12V; Tension, sortie:1.8V; Tension, sortie max..:1.8V; Type de boîtier:5-TSOP; Type de r REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:20V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.25V 18.8V; Tension, déclenchement:1.2V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2.2A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1%; Tension, alimentation max..:20V; Tension, entrée max..:20V; Tension, sortie:18.8V; Tension, sortie max..:18.8V; Type de boîtier:3 REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Tension de sortie fixe:3.3V; Nombre de broches:4; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:800mA; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:4.7V; Tension, entrée max..:15V; Tension, sortie:3.3V; Tension, sortie max..:3.3V; Type de boîtier:4-SOT-223; Typ REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:6.5V; Gamme de tension de sortie ajustable:900mV 6.2V; Tension, déclenchement:170mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SC-70; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:150mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.03%; Tension, alimentation max..:6.5V; Tension, alimentation min.:2.5V; Tension, entrée max..:6.5V; Tension, sortie:6.2V; Tensio REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:60mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.015%; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:1.8V; Tension, entrée max..:10V; Type de boîtier:5-SOT-23; Type de régulation de tension:Fixed Positive LDO Linea REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:40V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Tension, alimentation max..:40V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, entrée max..:40V; Type de boîtier:8-SOIC; Type de régulation de tension:Buck Switching; Type de terminaison:CMS DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:4.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 6V, 700mV 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:0.7V; Tension, seuil de mise en marche:4.3V; Type de boîtier:3-SOT-23A REGULATEUR DE TENSION; Tension de seuil:2.7V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:800mV 10V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:100ms; Type de boîtier CI numérique:SC-82AB; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:70mA; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:800mV; Type de boîtier:4-SC-82AB; Type de terminaison:CMS VARISTANCE DE SURTENSION 10MM 20VRMS; Série:WE-VD; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:1kA; Boîtier de varistor:Disque 10 mm; Tension, bloquée max..:65V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):4.8J; Tension VDC:26V; Tension c.a.:20V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:4250pF; Courant, crête max.., 8/20us:1000A; Diamètre du corps:10mm; Pointe de courant:1kA; Suppressor Type:Varistance; Tension, bl VARISTANCE DE SURTENSION 14MM 130VRMS; Série:WE-VD; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:6kA; Boîtier de varistor:Disque 14 mm; Tension, bloquée max..:340V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):70J; Tension VDC:170V; Tension c.a.:130V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:840pF; Courant, crête max.., 8/20us:6000A; Diamètre du corps:14mm; Pointe de courant:6kA; Suppressor Type:Varistance; Tension, VARISTANCE DE SURTENSION 20MM 275VRMS; Série:WE-VD; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:10kA; Boîtier de varistor:Disque 20 mm; Tension, bloquée max..:710V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):303J; Tension VDC:350V; Tension c.a.:275V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:860pF; Courant, crête max.., 8/20us:10000A; Diamètre du corps:20mm; Pointe de courant:10kA; Suppressor Type:Varistance; Tensi VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1206 25VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:200A; Boîtier de varistor:1206; Tension, bloquée max..:72V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):1J; Tension VDC:30V; Tension c.a.:25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:620pF; Courant, crête max.., 8/20us:200A; Pointe de courant:200A; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:72V; Tension, b EXTENSION LEAD, EURO, WHT, 4GANG, 3M; Connecteur type A:Douille IEC; Connecteur type B:Prise Schuko; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:4 prises Schuko; Connecteur type B:Prise Schuko; Couleur:Blanc; Longueur câble:3m EXTENSION LEAD, 10GANG, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 2 GANG, HVY DTY, 15M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:49.2ft; Longueur de câble - Métrique:15m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK REF DE TENSION 0.05% 10PPM PREC SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4030; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 0.1% 10PPM PREC SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4030; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 10V 0.2 8SOIC; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:11.5V 40V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1019; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V 0.2 20PPM 8DIP; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1021; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:DIP; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:Traversant REFERENCE DE TENSION 5V UP PRECI 8SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.9V 20V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1460; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 2.5V UP PRECI 8SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.4V 20V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1460; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V UP PRECI TO92; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.9V 20V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1460; Tolérance de la référence de tension:0.25%; Type de boîtier:TO-92; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:Traversant REFERENCE DE TENSION 5V UP PRECI 8SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 20V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:7.5mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:50mA; Racine de la référence:1461; Tension d'entrée primaire:5.5V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:130mV; Tension, sortie:5V; Tolérance RESISTANCE 5MR 1206 HAUTE TENSION; Résistance:5Mohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:300mW; Tension:1.5kV; Coefficient de température:è… 100ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:1206; Resistor Mounting:CMS; Nombre de broches:2; Série:CRHV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier:1206 REF DE TENSION ULTRA-HI 2.5V 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 12.6V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6126; Tension d'entrée primaire:5V; Tension, alimentation max..:12.6V; Tension, alimentation min.:2.7V; Tension, déclenchement:200mV; Tension, entrée max..:12.6V; Tension, REF DE TENSION PRECISION 2.5V LN 8SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:15mA; Fréquence:1kHz; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6225; Tension d'entrée primaire:10V; Tension, alimentation REFERENCE DE TENSION 4.096V LN 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:1mV; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:15mA; Fréquence:1kHz; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6241; Tension d'entrée primaire:10V; Tension, alimentation AMPOULE MR16 HALOGENE BASSE TENSION 50W; Tension, alimentation:12V; Lamp Base Type:GX5,3 / GU5,3; Puissance:50W; Diamètre, réflecteur:50mm; Température, couleur:2800K; Diamètre, extérieur:50mm; Durée de vie:2000h; Durée de vie moyenne de la lampe:2000h; Tension, alimentation c.c.:12V AMPOULE MR16 HALOGENE BASSE TENSION 50W; Tension, alimentation:12V; Lamp Base Type:GX5,3 / GU5,3; Puissance:50W; Diamètre, réflecteur:50mm; Température, couleur:2800K; Diamètre, extérieur:50mm; Durée de vie:2000h; Durée de vie moyenne de la lampe:2000h; Tension, alimentation c.c.:12V TRIPLE PROTECTION SURTENSION SO8; TVS Polarity:Bidirectional; Tension , Vrwm:28V; Courant, impulsion crête:200A; Type de boîtier diode:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Cd, typ. Vr:16pF; Configuration diode:Bidirectionnel; Diode Type:TVS bidirectionnelle; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Tension, isolement:28V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS CABLE D'EXTENSION USB; Connecteur type A:USB 1.1; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:0.98ft; Longueur de câble - Métrique:300mm; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:USB; Connecteur type B:RJ45; Couleur:Noir; Longueur câble:0.3m COMPARATEUR DE TENSION; Type de comparateur:Basse consommation; Nombre de comparateurs:4; Temps de réponse:1è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, TTL; Compatibilité de sortie:MOS; Courant, alimentation:44è¾A; Gamme de tension d'alimentation:3V 16V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:14-SOIC; Type de sortie:TTL / MOS / CMOS REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:26V; Gamme de tension de sortie ajustable:2.7V 29.5V; Tension, déclenchement:160mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:100mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Tension, alimentation max..:26V; Tension, alimentation min.:2.76V; Tension, entrée max..:26V; Tension, sortie:29.5V; Tension, REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:1.1V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.8A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.01%; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:4.75V; Tension, entrée max..:15V; Tension, sortie:3.3V; Tension, sortie max..:3.3V; Typ REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:235mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:3.77V; Tension, entrée max..:10V; Tension, sortie:3.3V; Tension, sortie max..:3.3V; Typ REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:5.5V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:130mV; Nombre de broches:6; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1000mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.03%; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.2V; Tension, entrée max..:5.5V; Tension, sortie:5V; Tension, sor REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:16V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:280mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:150mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.01%; Tension, alimentation max..:16V; Tension, alimentation min.:2.5V; Tension, entrée max..:16V; Tension, sortie:5V; Tension, sortie max..:5V; Type de REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:3V; Tension, déclenchement:115mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:100mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.03%; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:2.7V; Tension, entrée max..:10V; Tension, sortie:3V; Tension, sortie max..:3V; Type de REGULATEUR AJUSTABLE HAUTE TENSION; Tension d'entrée primaire:125V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.25V 125V; Tension, déclenchement:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:700mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:700mA; Précision:1.5%; Tension de sortie ajustable max.:125V; Tension de sortie ajustable min:1.25V; Tension, alimentation max..:150V; T CONVERTISSEUR DC/DC REG DE TENSION; Tension d'entrée primaire:6V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:6V; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1.4A; Courant, sortie max.:1A; Fréquence:2.5MHz; Précision:0.015%; Tension de sortie ajustable max.:6V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:3.07V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:5è¾A; Temps de retard:300ms; Type de boîtier CI numérique:SOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:6.5V; Tension, alimentation min.:1.8V; Tension, seuil de mise en marche:3.07V; Type de boîtier:6-SOT TRANSLATEUR DE TENSION 4 BITS 14QFN; Nombre d'entrées:4; Courant, sortie:0.02mA; Temps de propagation:4ns; Type de logique:Traducteur de niveau de tension; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 3.6V; Type de boîtier CI logique:QFN; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:10è¾A; Fonction logique:4Bit Bidirectional Voltage Level Translator; Nombre de voies:4; Numéro de base de la fonction logique:0104; T TIMER ELECTRO. TENSION LCD; Gamme de tension d'alimentation:9V DC 28V DC; Temps de réinitialisation:15ms; Hauteur de digit:8.9mm; Largeur (externe):51mm; Longueur/hauteur:28mm; Profondeur:40mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Tension, alimentation c.a. max..:300V; Tension, alimentation c.a. min:10V; Tension, alimentation c.c. max..:300V; Tension, alimentation c.c. min.:10V INDICATEUR TENSION CUB5V RETRO-ECLAIRE; No. of Digits / Alpha:5; Fonction mètre:DC Millivolts / DC Volts; Meter Range:0mV 200mV / 0V 2V / 0V 20V / 0V 200V; Hauteur de digit:12.2mm; Gamme de tension d'alimentation:9V DC 28V DC; Température de fonctionnement:-35°C +75°C; Largeur (externe):74.9mm; Longueur/hauteur:39.1mm; Profondeur:43.4mm; Température de fonctionnement max..:75°C; Température d'utilisation min:-35°C; Tension, alimentation c.a. max..:250V; Tension, alimentation c.a. min REF DE TENSION PREC LDO 5SOT23; Topologie:Série; Tension, référence:3V; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CABLE EXTENSION POUR M-TUBE 5M; Type d'accessoire:Extension Cable; A utiliser avec:M-TUBE Premium LED Light Systems; Longueur câble:5m CABLE EXTENSION POUR M-TUBE 10M; Type d'accessoire:Extension Cable; A utiliser avec:M-TUBE Premium LED Light Systems; Longueur câble:10m EXTENSION ALIMENTATION 3M; Type d'accessoire:Power Supply Extension Cable; A utiliser avec:M-TUBE High Brightness LED Light Systems; Longueur câble:3m CABLE EXTENSION POUR M-TUBE 3M; Type d'accessoire:Extension Cable; A utiliser avec:M-TUBE Premium LED Light Systems; Longueur câble:3m REFERENCE DE TENSION PREC 5V SOT23; Topologie:Série; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:è… 100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1585 REFERENCE DE TENSION SHUNT 2.5V SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:2.5mV; Coefficient de température:75ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:5041 RBK 1/2''DRV EXTENSION IMPACT 250MM 10''; Longueur:250mm; Longueur en pouces:10''; Taille du conducteur:1/2'' FLEXI EXTENSION 5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION UPOWER 2.5V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:2.5mV; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3425; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-40°C REF DE TENSION UPOWER 4.096V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:4.096mV; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3440; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1812 30VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:800A; Boîtier de varistor:1812; Tension, bloquée max..:85V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):4.2J; Tension VDC:38V; Tension c.a.:30V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:2550pF; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2mm; Pointe de courant:800A; Profondeur:3.2mm; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:85V; Tensi REF DE TENSION PREC 5MA 1.25V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.2V 18V; Tension, référence:1.25V; Tolérance de la référence de tension:0.625mV; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C REFERENCE DE TENSION PREC 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 18V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:0.5mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C REFERENCE DE TENSION 3.3V 8MSOP; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.8V 13.2V; Tension, référence:3.3V; Tolérance de la référence de tension:0.825mV; Coefficient de température:è… 2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6655; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REFERENCE DE TENSION 4.096V 8MSOP; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.596V 13.2V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:1.024mV; Coefficient de température:è… 2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6655; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REG DE TENSION 5V 5TO39; Tension d'entrée primaire:35V; Tension de sortie fixe:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-39; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation:35V REF DE TENSION 1.2V MICROPWR 8SOIC; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION 2.5V MICROPWR 8SOIC; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:38mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION AJUSTABLE MICROPWR 8SOIC; Topologie:Shunt, ajustable; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONVERTISSEUR TENSION FREQ 8PDIP; Fréquence:100kHz; % de linéarité:0.05%; Gamme de tension d'alimentation:8V 22V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8 REFERENCE DE TENSION 4.096V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 5.5V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:4.096mV; Coefficient de température:è… 2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3440; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REF DE TENSION SHUNT AJUSTABLE 3SOT23; Topologie:Shunt, ajustable; Coefficient de température:129ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REG DE TENSION AJUSTABLE 100MA 8SOIC; Tension d'entrée primaire:30V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.24V 29V; Tension, déclenchement:380mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Tension, alimentation:30V DETECTEUR DE TENSION CMOS 1.4V TO92-3; Tension de seuil:1.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1402 DETECTEUR DE TENSION CMOS 2.1V TO92-3; Tension de seuil:2.1V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:2102 DETECTEUR DE TENSION CMOS 3.0V TO92-3; Tension de seuil:3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3002 DETECTEUR DE TENSION CMOS 4.3V TO92-3; Tension de seuil:4.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4302 CARTE D'EXTENSION I.MX51; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex-A8; Nombre de noyau de silicium:i.MX5; Nom de famille Silicon:i.MX51; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:7? WVGA Touch Screen LCD Display, SD/MMC Card Slots, Ethernet Port; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:CMOS Camera, TV Out, Keypad, UART; MCU Supported Families:i.MX51; Type:Expansion Board ROEBUCK EXTENSION LEAD 14M E85111 1.5MM; Connecteur type A:16A Plug; Connecteur type B:16A Socket; Longueur cordon:14m; Tension c.a.:110V RBK 3/8''DRV EXTENSION 5''; Longueur:125mm; Longueur en pouces:5''; Taille du conducteur:3/8'' BANDE EXTENSION 16MM PQT5; Type de bande:Isolation; Matériau Surface Ruban:Polyester; Largeur Ruban - Métrique:16mm; Largeur Ruban - Impérial:0.63''; Couleur Ruban:Jaune / Bleu; Couleur:Yellow / Blue; Largeur, bande:16mm; Matière:Polyester Film CARTE D'EXTENSION MEMOIREFLASH SRAM; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M3; Nombre de noyau de silicium:LM3S; Nom de famille Silicon:Stellaris 9000; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:8MB Flash Memory, Memory Mapped LCD I/F, Power LED Indicator; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Connects Directly to the EPI Header, Power LED Indicator, Memory Mapped LCD I/F for LCD Performance; MCU Supported Families:LM3S9B96; Type:Mem DETECTEUR DE TENSION 2.63V 3SC70; Tension de seuil:2.63V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1è¾A; Type de boîtier CI numérique:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:111 VARISTANCE DE SURTENSION 20MM 320VRMS; Série:WE-VD; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:10kA; Boîtier de varistor:Disque 20 mm; Tension, bloquée max..:842V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):382J; Tension VDC:418V; Tension c.a.:320V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:760pF; Courant, crête max.., 8/20us:10000A; Diamètre du corps:20mm; Pointe de courant:10kA; Suppressor Type:Varistance; Tensi VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1210 14VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Protection contre les décharges électrostatiques; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:400A; Boîtier de varistor:1210; Tension, bloquée max..:45V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):1.4J; Tension VDC:18V; Tension c.a.:14V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:2380pF; Courant, crête max.., 8/20us:400A; Pointe de courant:400A; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:45V; Tension VARISTANCE DE SURTENSION CMS 2220 25VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:1.2kA; Boîtier de varistor:2220; Tension, bloquée max..:72V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):9.6J; Tension VDC:30V; Tension c.a.:25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:8900pF; Largeur (externe):5.7mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Pointe de courant:1200A; Profondeur:5mm; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:72V; Ten PROTECTION SURTENSION 15KA; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:3m; Nombre de sorties:8; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur CORDON. DACOMEX EXTENSION USB 2.0 5M; Connecteur type A:USB Plug; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:USB Male; Connecteur type B:USB Female EXTENSION LEAD, 6 GANG, SWITCHED, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 6 GANG, SWITCHED, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 8 GANG, SWITCHED, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Type de fiche d'alimentation:UK EXTENSION LEAD, 8 GANG, 3 USB, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:300VAC; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Plug; Connector Type:Connecteur mâle UK; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Courant de pic:13.5kA; Courant, sortie:13A; Longueur câble:2m; Nombre de canaux de sortie:8; Nombre de sorties:8; Outlet Type:Prise secteur, Hub USB 2.0 EXTENSION LEAD, 10 GANG, TOWER, 2M; Connecteur type A:Fiche secteur UK; Connecteur type B:Fiche; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Blanc; Longueur câble:2m; Nombre de canaux de sortie:10; Taille du conducteur:1.25mmË›; Type de fiche d'alimentation:UK REFERENCE DE TENSION UP 2.5V 0.2% 8SOIC; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:35ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1009; Tolérance de la référence de tension:0.4%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Shunt; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 2.5V 0.5% 8SOIC; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:4V 40V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1019; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION 5V 0.2 20PPM 8SOIC; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:11.5V 40V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1021; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REFERENCE DE TENSION PRECI 10V 5PPM 8DIP; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:11.5V 40V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1236; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:DIP; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:Traversant REF DE TENSION PRECI 5V 10PPM 8SOIC; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:7.2V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1236; Tolérance de la référence de tension:0.05%; Type de boîtier:SOIC; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 0.1% 25PPM UP SOT23-6; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.6V 18V; Tension, référence:1.25V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1790; Tolérance de la référence de tension:0.1%; Type de boîtier:SOT-23; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS COMPARA UP 400M REF DE TENSION SOT23-6; Type de comparateur:Basse tension; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:18è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, Drain / collecteur ouvert, TTL; Courant, alimentation:7.1è¾A; Gamme de tension d'alimentation:1.4V 18V; Type de boîtier d'amplificateur:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Racine de la référence:6700; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation DETECTEUR DE TENSION 2.9V TO92; Tension de seuil:2.9V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:2902 REF DE TENSION UPOWER 5V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.2V 5.5V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3450; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REF DE TENSION PRECISON 2.5V LN 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:7ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:15mA; Fréquence:1kHz; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6225; Tension d'entrée primaire:10V; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimenta REF DE TENSION PRECISION 5V LN 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:3ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:15mA; Fréquence:1kHz; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Racine de la référence:6250; Tension d'entrée primaire:10V; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:8V; Tens REF DE TENSION PREC 5MA 3.3V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.8V 18V; Tension, référence:3.3V; Tolérance de la référence de tension:1.65mV; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C REF DE TENSION PREC 5MA 2.048V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.548V 18V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:0.205mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C REFERENCE DE TENSION PREC 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.596V 18V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:0.41mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C REFERENCE DE TENSION 10V 3DFN; Topologie:Série; Tension d'entrée:10.9V 20V; Tension, référence:10V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DFN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6660; Tolérance de la référence de tension:0.2%; Type de boîtier:DFN; Type de tension de référence:Série; Type de terminaison:CMS TRANSLATEUR DE TENSION 8 BITS 20VQFN; Nombre d'entrées:8; Courant, sortie:20è¾A; Temps de propagation:4ns; Type de logique:Traducteur de niveau de tension; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 3.6V, 1.65V 5.5V; Type de boîtier CI logique:QFN; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:10è¾A; Fonction logique:8bit Bidirectional Voltage Level Translator; Nombre de voies:8; Numéro de base de la fonction lo REFERENCE DE TENSION; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:80ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vz:1.235V; Tolérance de la référence de tension:1%; Type de boîtier:8-SOIC; Type de boîtier diode:SOIC; Type de tension de référence:Shunt COMPARTEUR DE TENSION DOUBLE; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:2; Temps de réponse:1.5è¾s; Type de sortie CI:Tension; Compatibilité de sortie:CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL; Courant, alimentation:400è¾A; Gamme de tension d'alimentation:è… 1V è… 18V; Type de boîtier d'amplificateur:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de comparateurs:2; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:2V; T REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:11V; Tension de sortie fixe:6V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Précision:0.02%; Tension, alimentation max..:25V; Tension, alimentation min.:8V; Tension, entrée max..:25V; Tension, sortie:6V; Tension, sortie max..:6V; Type de boîtier REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:12V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.25V 10V; Tension, déclenchement:340mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.86A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.9%; Tension, alimentation max..:12V; Tension, alimentation min.:2.6V; Tension, entrée max..:12V; Type de boîtier:8-SOIC; Type de ré REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:16V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:300mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:2.9%; Tension, alimentation max..:18V; Tension, alimentation min.:2.5V; Tension, entrée max..:16V; Tension, sortie:5V; Tension, sortie max..:5V; Type de boî REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:35V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 32V; Tension, déclenchement:2.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-89; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:100mA; Tension de sortie ajustable max.:32V; Tension de sortie ajustable min:1.2V; Tension, alimentation max..:38V; Tension, aliment REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:230mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:0.02%; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:2.1V; Tension, entrée max..:15V; Tension, sortie:3.3V; Tension, sortie max..:3.3V; Type de b CONVERTISSEUR DC/DC REG DE TENSION; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:31V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:HSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:5A; Courant, sortie max.:5A; Fréquence:500kHz; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:5.5V; Tension, entrée max..:36V; Tension, sortie max..:31V; Type de boîtier:8-HSOP; Ty CONVERTISSEUR DC/DC REG DE TENSION; Tension d'entrée primaire:6.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SON; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1.5A; Courant, sortie max.:500mA; Fréquence:720kHz; Précision:0.03%; Tension de sortie ajustable max.:5.5V; Tension, alimentation max..:6.5V; Tension, alimentation min.:0. DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:2.93V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:1V 5.5V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:16è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:1V; Tension, seuil de mise en marche:2.93V; Type de boîtier:8-SOIC; Type de sorti DETECTEUR DE TENSION / MICRO SUPERV; Tension de seuil:2.25V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2V 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:20è¾A; Temps de retard:200ms; Type de boîtier CI numérique:SOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:6V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, seuil de mise en marche:2.25V; Type de boîtier:3-SOT HACKSAW, 12'' HI-TENSION; Type de scie: métaux; Longueur, lame:304.8mm; Matière corps de l'outil:Acier; Longueur:12'' CARTE D'EXTENSION POUR DK-LM3S9B96; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M3; Nombre de noyau de silicium:LM3S; Nom de famille Silicon:Stellaris 9000; A utiliser avec:LM3S9B96 Microcontroller; Caractéristiques:EM Digital and Analog Audio Signal Headers, EM MOD1 SDIO Connection Headers; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:1Kbit of I2C Memory, 32kHz Oscillator, EM MOD1 SDIO Connection Headers; MCU Supported Families:LM3S9B96; Typ REFERENCE DE TENSION 1.25V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.3V 5.5V; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:1.2mV; Coefficient de température:è… 8ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3412; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-40°C REFERENCE DE TENSION 3V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.2V 5.5V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:è… 2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3430; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REFERENCE DE TENSION 3.3V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 5.5V; Tension, référence:3.3V; Tolérance de la référence de tension:3.3mV; Coefficient de température:è… 8ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3433; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REFERENCE DE TENSION 5V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.2V 5.5V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:è… 2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3450; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C FICHE FEMELLE 4POLES BASSE TENSION; Série:Cliffcon; Genre:Embase; Tension:120V; Courant:20A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Traversant vertical; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Blue; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de connecteur:Connecteur d'entrée REFERENCE DE TENSION 2.5V SERIES 8-SOIC; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 36V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REFERENCE DE TENSION 1.235V LP TO-51-2; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:è… 50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-51; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION 3.3V 25PPM TSOT-23-5; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.6V 15V; Tension, référence:3.3V; Tolérance de la référence de tension:8mV; Coefficient de température:è… 25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TSOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION PREC 5MA 2.048V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.548V 18V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:1.024mV; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C REF DE TENSION PREC 5MA 4.096V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.596V 18V; Tension, référence:4.096V; Tolérance de la référence de tension:2.048mV; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C REF DE TENSION PREC 5MA 1.25V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.2V 18V; Tension, référence:1.25V; Tolérance de la référence de tension:0.125mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C REFERENCE DE TENSION PREC 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.8V 18V; Tension, référence:3.3V; Tolérance de la référence de tension:3.3mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C PROTECT SURTENSION/COURANT 8TSOT23; Applications Contrôleur:Cell/Smart Phones, Digital Cameras, Handheld Computers, MP3/MP4 Players, USB Protection; Tension, entrée:5.5V; Tension, sortie:5.8V; Commutateur interne:No; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:TSOT-23; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4361 REFERENCE DE TENSION SERIES 2.048V 8MSOP; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 13.2V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:0.512mV; Coefficient de température:è… 2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6655; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-40°C REFERENCE DE TENSION 3V 8MSOP; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 13.2V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:0.75mV; Coefficient de température:è… 2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6655; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REFERENCE DE TENSION 5V 8MSOP; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 13.2V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:1.25mV; Coefficient de température:è… 2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6655; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C JEU DE SONDES DE TENSION 10:1. GRIS; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:Série 190 II; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Sonde de tension 10:1 (Gris) SONDE DE TENSION HV 100:1. ROUGE ET NOIR; Type de sonde:Divers; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:Série 190 II; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Sonde haute tension 100:1 (Rouge/Noir) DETECTEUR DE TENSION CMOS 2.1V SOT23A-3; Tension de seuil:2.1V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:2102 DETECTEUR DE TENSION 3.0V SOT23A-3; Tension de seuil:3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3002 DETECTEUR DE TENSION N-CH 2.1V TO92-3; Tension de seuil:2.1V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:2102 FICHE 4POLES. COUDEE BASSE TENSION; Série:Cliffcon; Genre:Connecteur mâle; Tension:120V; Courant:20A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Pince; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Blue; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de connecteur:Connecteur d'entrée DETECTEUR DE TENSION CMOS 2.7V TO92-3; Tension de seuil:2.7V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:2702 DETECTEUR DE TENSION N-CH 1.4V TO92-3; Tension de seuil:1.4V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:1402 DETECTEUR DE TENSION 4.5V SOT23A; Tension de seuil:4.5V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4502 JEU DE SONDES DE TENSION 10:1. ROUGE; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:Série 190 II; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Sonde de tension 10:1 (Rouge) JEU DE SONDES DE TENSION 10:1. VERT; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:Série 190 II; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Sonde de tension 10:1 (Vert) SONDE EXTENSION VPS400; Type de sonde:Divers; A utiliser avec:Série 190 II; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Jeu d'extension pour sonde pour VPS410 CORDON EXTENSION ALIM SATA. 30CM; Connecteur type A:SATA Male; Longueur de câble - Impérial:11.81''; Longueur de câble - Métrique:300mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:15-pin SATA plug; Connecteur type B:15-pin SATA socket; Longueur câble:300mm CORDON EXTENSION USB. STYLE COL DE CYGNE; Connecteur type A:USB A Plug; Connecteur type B:USB A Socket; Couleur de la gaine:Chrome; Longueur de câble - Impérial:15.75''; Longueur de câble - Métrique:400mm; Type de câble assemblé:USB; Connecteur type A:USB A Plug; Connecteur type B:USB A Socket; Longueur câble:400mm HOLDER, BIT RATCHET WITH 100MM EXTENSION; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EXTENSION. SORTIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:100mm; Profondeur:121mm; Puissance, CC:2W; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Tension, alimentation max..:24VAC; Type de terminaison: visser FICHE 4POLES. HAUTE TENSION; Série:Cliffcon; Genre:Connecteur mâle; Tension:250V; Courant:20A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Pince; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Red; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de connecteur:Connecteur d'entrée FICHE 4POLES. COUDEE HAUTE TENSION; Série:Cliffcon; Genre:Connecteur mâle; Tension:250V; Courant:20A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Pince; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Red; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de connecteur:Connecteur d'entrée JEU DE SONDES DE TENSION 10:1. BLEU; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:Série 190 II; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Sonde de tension 10:1 (Bleu) REGUL DE TENSION MICRPWR 3.3V SD TO92; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:380mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:100mA; Courant, sortie max.:100mA; Nombre de canaux de sortie:1; Précision:1.4%; Racine de la référence:2950; Tension, alimentation max..:30V; Tension, alimentation min.:2V; Tension, entrée max..:30V; Tension, CABLE ECLAIRAGE A LED EXTENSION. 1M. DC; Connecteur type A:Connecteur mâle; Connecteur type B:Connecteur mâle; Tension:60VDC; Courant:2.5A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Type de câble assemblé:Basse tension; Connecteur type A:Plug; Taille du conducteur:1.5mmË› EXTENSION. SORTIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):45mm; Longueur/hauteur:100mm; Profondeur:121mm; Puissance, CC:2.5W; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Tension, alimentation max..:24VAC; Type de terminaison: visser EXTENSION. SORTIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):45mm; Longueur/hauteur:100mm; Profondeur:121mm; Puissance, CC:6.8VA; Température de fonctionnement max..:45°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation max..:230VAC; Type de terminaison: visser EXTENSION. SORTIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):45mm; Longueur/hauteur:100mm; Profondeur:121mm; Puissance, CC:3W; Température de fonctionnement max..:45°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Type de terminaison: visser EXTENSION. SORTIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):45mm; Longueur/hauteur:100mm; Profondeur:121mm; Puissance, CC:3.2W; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Tension, alimentation max..:24VAC; Type de terminaison: visser EXTENSION. ENTREE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:UL Recognised; Largeur (externe):48mm; Longueur/hauteur:126mm; Matière:GRP; Profondeur:61mm; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Type de terminaison:Cage Clamp REF DE TENSION DE PRECISION 10V 8DIP; Topologie:Série; Tension d'entrée:11.4V 36V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:102 REF DE TENSION AJUSTABLE MICROPWR 3TO46; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:38mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-46; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REF DE TENSION SHUNT HI PREC 3SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:15mV; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REG DE TENSION 50MA 5.0V 8SOIC; Tension d'entrée primaire:40V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:200mV; Nombre de broches:8; Courant, sortie:50mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de canaux de sortie:1; Tension, alimentation:40V OSCILLATEUR CONTROL TENSION 8PDIP; Horloge externe:No; Fréquence:1MHz; Gamme de tension d'alimentation:è… 4V è… 13V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C SONDE HAUTE TENSION 1.000V 200MHZ; Tension, entrée max..:600V; Longueur cordon:1.2m; Bande passante:200MHz REF DE TENSION SHUNT 0.5% SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.495V; Tolérance de la référence de tension:15mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Racine de la référence:431; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-20°C REF DE TENSION 0.2% 2.5V SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-40°C REF DE TENSION 0.2% 5V SOT23; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C REF DE TENSION UPOWER 3V 6SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.2V 5.5V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:2.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3430; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C KIT EXTENSION CORTEX-M3 STM32W108; Silicon Fabricant:ST Micro; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M3; Nombre de noyau de silicium:STM32; Nom de famille Silicon:STM32W108xx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:IEEE 802.15.4-Compliant Transceiver, Mesh Networks; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:IEEE 802.15.4 2.4GHz Outstanding Performances, Best-in-Class Code Density, Main Software Libraries; MCU Supported Famili VARISTANCE DE SURTENSION CMS 1812 25VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:800A; Boîtier de varistor:1812; Tension, bloquée max..:72V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):3.7J; Tension VDC:30V; Tension c.a.:25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:2950pF; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:2mm; Pointe de courant:800A; Profondeur:3.2mm; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:72V; Tensi VARISTANCE DE SURTENSION CMS 2220 30VRMS; Série:WE-VS; Varistor Type:Courant de pic élevé; Pointe de courant de crête 8/20è¾s:1.2kA; Boîtier de varistor:2220; Tension, bloquée max..:85V; Energie transitoire max.. (10/1000uS):12J; Tension VDC:38V; Tension c.a.:30V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:5700pF; Largeur (externe):5.7mm; Longueur/hauteur:2.5mm; Pointe de courant:1200A; Profondeur:5mm; Suppressor Type:Varistance; Tension, blocage:85V; Tens REF DE TENSION PREC 10MA 2.5V SC70-5; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 36V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:è… 25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REFERENCE DE TENSION PREC 5MA 5V 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.5V 18V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:2.5mV; Coefficient de température:è… 10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C REFERENCE DE TENSION PREC 6TSOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.5V 18V; Tension, référence:3V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:è… 20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6656; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:0°C PROTECT SURTENSION/COURANT 8TSOT24; Applications Contrôleur:Cell/Smart Phones, Digital Cameras, Handheld Computers, MP3/MP4 Players, USB Protection; Tension, entrée:5.5V; Tension, sortie:5.8V; Commutateur interne:No; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:TSOT-23; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4361 REFERENCE DE TENSION SERIES 1.25V 8MSOP; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 13.2V; Tension, référence:1.25V; Tolérance de la référence de tension:0.313mV; Coefficient de température:è… 2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:6655; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-40°C DETECTEUR DE TENSION 4.5V SOT23A; Tension de seuil:4.5V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4502 DETECTEUR DE TENSION N-CH 3.0V TO92-3; Tension de seuil:3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:700mV 10V; Type de reset:Actif bas / Open-Drain; Courant, alimentation:1.1è¾A; Temps de retard:200è¾s; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:3002 FICHE 4POLES. BASSE TENSION; Série:Cliffcon; Genre:Connecteur mâle; Tension:120V; Courant:20A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Pince; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Blue; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de connecteur:Connecteur d'entrée FICHE FEMELLE. 4POLES HAUTE TENSION; Série:Cliffcon; Genre:Embase; Tension:250V; Courant:20A; Montage connecteur:CI; Terminaison du contact:Traversant vertical; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Red; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de connecteur:Connecteur d'entrée CABLE ECLAIRAGE A LED EXTENSION. 1M. AC; Connecteur type A:Connecteur mâle; Connecteur type B:Connecteur mâle; Tension:240VAC; Courant:2.5A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:3.28ft; Longueur de câble - Métrique:1m; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Type de câble assemblé:Basse tension; Longueur câble:1m; Taille du conducteur:1.5mmË› EXTENSION. ENTREE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:UL Recognised; Courant de fonctionnement:75mA; Largeur (externe):48mm; Longueur/hauteur:126mm; Matière:GRP; Nombre de voies:4; Profondeur:61mm; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Type de terminaison:Cage Clamp SONDE. TENSION. 40MHZ. FLUKE 120; Type de sonde:Divers; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:120 Series ScopeMeters; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) EMBASE HTE TENSION APD.CODE 6. 4 VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Polybutylène téréphtalate renforcé de verre; Genre:Embase; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Nombre de contacts:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MODULE EXTENSION GENIE NX 110-240V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) SONDE DIFFERENTIELLE HTE TENSION 200MHZ; Type de sonde:Divers; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:TPS2000 and THS3000 Series Oscilloscopes SOURCEMETRE BASSE TENSION; Fonction Source Mètre:Source de courant-tension / Mesure de courant-tension-résistance; Gamme Source de Tension:è… 200mV è… 20V; Puissance de sortie:20W; Gamme Source de Courant:è… 1è¾A è… 1A; Gamme de Mesure de Résistance:0.2ohm 200Mohm FICHE. HTE TENSION. APD. CODE 5. 4 VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Polybutylène téréphtalate renforcé de verre; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Nombre de contacts:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EMBASE HTE TENSION APD.CODE 5. 4 VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Polybutylène téréphtalate renforcé de verre; Genre:Embase; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Nombre de contacts:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EXTENSION CORDON. V-LOCK C19. 2M. NOIR; Connecteur type A:Douille IEC; Connecteur type B:Prise IEC; Tension:250VAC; Courant:16A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique IC EXTENSION PAK PIC16F1939; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) SELECTEUR TENSION KE/KG. 100-240V; Série:Voltage Selectors Insert 1; Type d'accessoire:Voltage Selector Insert; A utiliser avec:KE, CE, KG, CG Series Power Entry Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) SELECTEUR TENSION KE/KG. 110/220V; Série:Voltage Selectors Insert 1; Type d'accessoire:Voltage Selector Insert; A utiliser avec:KE, CE, KG, CG Series Power Entry Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REG DE TENSION LDO +3.3V CMS 6202 SOT233; Tension d'entrée primaire:4.3V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:670mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:6202; Précision:2%; Racine de la référence:6202; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C ETIQUETTE LEGENDE SOUS TENSION; Type d'étiquette:Légende; Taille d'étiquette:30mm x 40mm; Matière:Metal; Couleur:Black; Légende:POWER ON; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur, légende:White REPETEUR EXTENSION POUR PROFIBUS RS-485; Type d'accessoire:RS 485 Repeater for PROFIBUS; A utiliser avec:PROFIBUS Modules; Tension:24VDC; IP / NEMA Rating:IP20; Tension, alimentation max..:24VDC REF DE TENSION 0.2% 15PPM/C 2.5V 3SOT23; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.5V 12.6V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:6ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) REGULATEUR DE TENSION 2A AJUST.; Tension d'entrée primaire:60V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:57V; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:2A; Courant, charge c.c. max.:2A; Courant, sortie crête:2A; Courant, sortie max.:2A; Fréquence:150kHz; Numéro générique:2592; Précision:4%; Racine de la référence:2592; T RELAIS CONT. TENSION EUH 230VCA; Configuration des contacts:SPDT; Tension, alimentation max..:230VAC; Montage relais:Rail DIN; Tension de contrôle:AC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de commutation:8A; Courant de contact c.a. max.:8A; Courant, Commutation max..:8A; Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:99.3mm; Nombre de pâles:1; Profondeur:100mm; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension d'entrée nominale:230VAC; T NOZZLE EXTENSION; Taille d'accouplement pneumatique:2mm; Diamètre, perçage max..:2mm; Longueur:250mm; Longueur/hauteur:235mm; Matière:Steel zinced PANNEAU D'EXTENSION 100 CREME; Type d'accessoire:Expander Panel; A utiliser avec:100 Series Shell Case; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:100 EXTENSION LEAD, 4WAY, BLACK, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Couleur:Black; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Secteur GB EXTENSIONS POUR TOURNEVIS; Contenu du kit:4.5mm, 7mm Slot, PH1, PH2, PH3 Phillips, PZ1, PZ2, PZ3 Pozidrive, TX15, TX20 Torx Bits; Longueur:100mm UNITE D'EXTENSION; Nombre d'entrées analogiques:2; Nombre d'entrées numériques:12; Nombre de sorties numériques:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:EASY Expansion Units; Afficheur:LCD; Consommation de puissance:4W; Courant, charge:0.5A; Entrée:2 x analogique, 0-10V; IP / NEMA Rating:IP20; Largeur (externe):90mm; Longueur/hauteur:107.5mm; Output Configuration:8 Transistors, 0,5A; Profondeur:53mm; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, al TESTEUR DE TENSION DIGICHECK 5; Voltage Measuring Range AC:5V 690V; Type d'afficheur:LCD; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); IP / NEMA Rating:IP50; Température de fonctionnement max..:50°C; Température d'utilisation min:-10°C EXTENSION, M5-M8, 110MM; Largeur (externe):4.9mm; Longueur:110mm; Normes:DIN377 EXTENSION SOCKET, 5WAY, IP44; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:230V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Jaune; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Socket; Couleur:Jaune; Couleur de connecteur:Jaune; IP / NEMA Rating:IP44; Largeur (externe):52cm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Longueur/haut TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:40V 300V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:0°C +50°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tailles de batterie acceptées:AAA REGULATEUR DE TENSION +3.3V CMS; Type de comparateur:Précision; Nombre de comparateurs:4; Temps de réponse:1.3è¾s; Type de sortie CI:CMOS, MOS, TTL, DTL, ECL; Compatibilité de sortie:CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL; Courant, alimentation:1mA; Gamme de tension d'alimentation:è… 1V è… 18V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du comparateur:Quadruple basse tension; Nombre de comparateurs:4; Nom EXTENSION POLE-1.2M SILVER TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:50V 600V; Type d'afficheur:LED; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) NOZZLE EXTENSION; Taille d'accouplement pneumatique:2mm; Diamètre, perçage max..:2mm; Longueur:100mm; Longueur/hauteur:87mm; Matière:Steel zinced REFERENCE DE TENSION 25V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Courant, sortie max.:20mA; Numéro de la fonction logique:285; Racine de la référence:285; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tol REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Courant, sortie max.:20mA; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Toléra TESTEUR DE TENSION CA704; Voltage Measuring Range AC:2V, 20V, 200V, 690V; Température de fonctionnement:-10°C +55°C SONDE HAUTE TENSION; Type de sonde:Pointe; Fonctions de test de la sonde:Tension; Précision %:5%; Précision:VDC(1kV-20kV):1%, VDC(20kV-40kV): è… 2%, VAC(1kV-28kV): è… 5%: PROTECT. SECTEUR CONTRE SURTENSION TRI; Suppressor Type:Secteur; Tension:400Vrms; Tension de fonctionnement:300Vrms 500Vrms; Courant de pic:10kA; Temps de réponse:10ns; Connector Type:Câble; Courant, Ifs max.:10kA; Diamètre de la broche:5mm; IP / NEMA Rating:IP54; Largeur (externe):81mm; Longueur cordon:500mm; Longueur/hauteur:61mm; Nombre de phases:Trois; Normes:BS6651; Profondeur:182mm; Tension c.a.:400V; Tension, contrôle c.a. max..:400V; Type de connecteur:Câble PROTECT. SECTEUR CONTRE SURTENSION TRI; Série:DSP; Suppressor Type:Secteur; Tension:400Vrms; Tension de fonctionnement:200Vrms 500Vrms; Courant de pic:30kA; Temps de réponse:10ns; Connector Type:Câble; Courant de fuite:600è¾A; Courant, Ifs max.:20kA; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:72mm; Nombre de phases:Trois; Normes:BS6651; Profondeur:176mm; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension c.a.:400V; Tension, contrôle c.a. max..:400V; Type de co EXTENSION CABLE, PLUG TO SKT, 4M; Connecteur type A:DIN ISO4165 Plug; Connecteur type B:DIN ISO4165 Socket; Tension:24V; Courant:8A; Longueur de câble - Impérial:13.12ft; Longueur de câble - Métrique:4m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Batterie; Calibre du Fusible:5A; Connecteur type A:DIN ISO4165 Plug; Connecteur type B:DIN ISO4165 Socket; Longueur cordon:4m; Longueur câble:4m; Nombre de conducteurs:2; Section, conducteur CSA:0.75mmË› DECLENCHEMENT SOUS TENSION; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:PKZM0, PKZM4, PKZM0-T, PKM0 Motor Protective Circuit Breaker; Type d'accessoire:Undervoltage Trip; Tension c.a.:415V; Tension, isolement:415V SONDE DIFFERENTIELLE HTE TENSION 100MHZ; Type de sonde:Divers; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:TPS2000 and THS3000 Series Oscilloscopes SONDE DIFFERENTIELLE HTE TENSION 200MHZ; Type de sonde:Divers; Fonctions de test de la sonde:Tension; A utiliser avec:TPS2000 and THS3000 Series Oscilloscopes REGUL DE TENSION +5.0V 7805 TO-220-3; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5.2V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:To-220; Chute de tension courant:2V; Courant, sortie max.:1A; Numéro de la fonction logique:7805; Numéro générique:7805; Pas:2.715mm; Précision:4%; Racine de la référenc REFERENCE DE TENSION TOLERANCE 0.5%; Topologie:Shunt, ajustable; Tension, référence:2.495V; Tolérance de la référence de tension:17mV; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Largeur (externe):4.7000mm; Longueur/hauteur:19.000mm; Numéro de la fonction logique:431; Profondeur:3.7000mm; Racin REFERENCE DE TENSION TOLERANCE 1% CMS; Topologie:Shunt, ajustable; Tension, référence:2.495V; Tolérance de la référence de tension:17mV; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Largeur (externe):2.910mm; Longueur/hauteur:1.660mm; Numéro de la fonction logique:431; Profondeur:1.080mm; Racin CABLE EXTENSION PRT; Longueur de bobine (Impérial):32ft; Longueur, bobine:10m; Nbre de conducteurs:4; Nombre de brins x Taille Strand:7 x 0.2mm; Section, conducteur CSA:0.219mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:4mm; Matière, conducteur:Cuivre; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cable Type:Gaine tressée; Composition du conducteur:7 / 0.2mm; Couleur de la gaine:-0; Diamètre extérieur:4mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Nombre de conducte CABLE EXTENSION PRT; Longueur de bobine (Impérial):82ft; Longueur, bobine:25m; Nbre de conducteurs:4; Nombre de brins x Taille Strand:7 x 0.2mm; Section, conducteur CSA:0.219mmË›; Couleur de la gaine:Noir; Matériau de l'isolant:PVC (Chlorure de polyvinyle); Diamètre, extérieur:4mm; Matière, conducteur:Cuivre; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cable Type:Gaine tressée; Composition du conducteur:7 / 0.2mm; Couleur de la gaine:-0; Diamètre extérieur:4mm; Matière, isolant secondaire:PVC; Nombre de conducte CIRCUIT EXTENSION E/S I2C AVEC INTERRUPT; Fréquence de bus:400kHz; Type d'interface:I2C, SM Bus; Nombre d'E/S:32; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:TSSOP; Nombre de broches:24; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:135è¾A; Fonction CI:Port E/S 16 bits avec interruption; Fonction communication:Expander E/S; Interface de contrôle:I2C; Numéro de la fonction logique:9555; Numéro générique:9555; Racine de la référence:9555; Température de fonctionnem BARRIERE DE DETEC 2.5M MULTI TENSION REFERENCE DE TENSION CMS TOL. 0.5%; Topologie:Série; Tension d'entrée:2V 6V; Tension, référence:2.5V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4125; Racine de la référence:4125; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'util DRIVER HAUTE TENSION 100V CMS; Type de driver:MOSFET; Configuration module:Demi-pont; Courant, sortie crête:1.8A; Délais de sortie:25ns; Gamme de tension d'alimentation:9V 14V; Type de boîtier CI Driver:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite max.:1.8A; Courant de la sortie, entrant min.:2A; Courant de la sortie, sortant min.:2A; Courant de sortie max.:1.6A; Délais E/S:25ns; Nombre de canaux de sortie:2; Numéro de la REGULATEUR HAUTE TENSION (100V); Tension d'entrée primaire:95V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:90V; Courant, sortie:350mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:350mA; Fréquence:600kHz; Numéro générique:5008; Racine de la référence:5008; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:95V; Tension, REGULATEUR DE TENSION 30MA CMS; Tension d'entrée primaire:2.5V; Tension de sortie fixe:1.5V; Tension, déclenchement:400mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:30mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.03A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:3992; Racine de la référence:3992; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension:1.5V; Tension REGULATEUR DE TENSION 5A AJUST; Tension d'entrée primaire:40V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:37V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:5A; Courant, sortie max.:5A; Fréquence:260kHz; Numéro générique:2678; Précision:2%; Racine de la référence:2678; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'u REGULATEUR DE TENSION 5A AJUST; Tension d'entrée primaire:40V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:37V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:5A; Courant, sortie max.:5A; Fréquence:260kHz; Numéro générique:2677; Précision:2%; Racine de la référence:2677; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Te REGULATEUR DE TENSION 0.15A 2.1V; Tension de sortie fixe:2.1V; Tension, déclenchement:0.06V; Nombre de broches:5; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾Bump; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:3995; Précision:2%; Racine de la référence:3995; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension:2.1V; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alime EXTENSION SET. BT VERS RJ45. 2 X 1.5M; Connecteur type A:BT Socket; Connecteur type B:Fiche mâle RJ45; Longueur de câble - Impérial:4.92ft; Longueur de câble - Métrique:1.5m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Câbles de téléphone REF DE TENSION +/-0.02% 0.5PPM/C5V 8SOIC; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:0.75ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:10V; Courant, sortie:200mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:250mA; Courant, sortie max.:250mA; Fréquence:150kHz; Marquage composant:LM2662M; Numéro de la fonction logique:2662; Numéro générique:2662; Racine de la référence:2662; Température de fonctionnement CABLE D'EXTENSION KVM 5M; Connecteur type A:15 Way Hi-D Male and 2 x PS/2 Male; Connecteur type B:15 Way Hi-D Female and 2 x PS/2 Female; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:15 Way Hi-D Male and 2 x PS/2 Male; Connecteur type B:15 Way Hi-D Female and 2 x PS/2 Female; Longueur câble:5m; Longueur/hauteur:5m UNITE D'EXTENSION; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Largeur (externe):23mm; Profondeur:115mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / EN / IEC / UL; Capacité de commutation:250V ac/125V dc; Contact Configuration:4PST-NO; Longueur/hauteur:100mm; Tension, alimentation:24VDC TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:12V 690V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:T100 TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:12V 690V; Type d'afficheur:LCD; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:T100 REFERENCE DE TENSION 2.048V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4V 18V; Tension, référence:2.048V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:420; Racine de la référence:420; Température de fonctionnement max..:125°C REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:10.8V 36V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:500mW; Numéro de la fonction logique:586; Racine de la référence:586; Température REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:7V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:65ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:REF02CSZ; Numéro de la fonction logique:2; Racine de la référence:02; Température REG TENSION AJUS 1.2/37V CMS SOIC8 337; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:8; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-25°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Numéro de la fonction logique:337; Numéro générique:337; Racine de la référence:337; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min: MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 2.5V; Tension, référence:2.5V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIZ-2.5; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.1%; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier diode:TO-92; Type de term COMPARATEUR DE TENSION DIP8 311; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:200ns; Type de sortie CI:DTL, MOS, RTL, TTL; Compatibilité de sortie:MOS, DTL, RTL, TTL; Courant, alimentation:5.1mA; Gamme de tension d'alimentation:5V è… 15V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du comparateur:Comparateur de tension; Gamme de température, circuit int CONVERTISSEUR FREQUENCE /TENSION; Fréquence:10kHz; Gamme d'échelle pleine:1Hz 100kHz; % de linéarité:0.01%; Gamme de tension d'alimentation:4V 40V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:0.1MHz; Courant, alimentation:8mA; Courant, sortie max.:156è¾A; Fréquence, fonctionnement max..:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Linéarité:0.01%; Numéro de la fonction logique:331; Numéro générique:331; Racine de la référence: REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:34ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:54ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:336; Racine de la référence:336; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tempéra REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:34ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:54ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM336Z-2.5; Numéro de la fonction logique:336; Racine de la référence:336; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj mi MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385Z-2.5; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement ma REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE; Topologie:Shunt, ajustable; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Courant, If, Vf:20mA; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max. REGUL DE TENSION LDO +5.0V 2950 TO-92-3; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:380mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:2950; Précision:0.5%; Racine de la référence:2950; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension:5V; Tension, alimentati MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIZ-5.0; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 10V; Tension, référence:10V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIZ-10.0; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:1.0%; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:120mA; Courant, sortie max.:0.12A; Fréquence:80kHz; Numéro de la fonction logique:2660; Numéro générique:2660; Racine de la référence:2660; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'u REG DE TENSION LDO +3.3V CMS 1117 DPAK-3; Tension d'entrée primaire:4.8V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:1.2V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:800mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.8A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:1117; Précision:1%; Racine de la référence:1117; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Te AMPLI. OP./ REF. DE TENSION; Type d'AOP:Applications générales; Nombre d'amplificateurs:1; Bande passante:90kHz; Vitesse de balayage:0.2V/è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.1V 7V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques de l'amplificateur opérationnel:Tension de référence; Courant, Iqc typ.:270è¾A; Gain, bande-passante -3dB:0.4MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Mar CONVERTISSEUR FREQUENCE /TENSION; Fréquence:10kHz; Gamme d'échelle pleine:1Hz 100kHz; % de linéarité:0.01%; Gamme de tension d'alimentation:4V 40V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:0.1MHz; Courant, alimentation:8mA; Courant, sortie max.:156è¾A; Fréquence, fonctionnement max..:100kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Linéarité:0.01%; Numéro de la fonction logique:331; Numéro générique:331; Racine de la référence: REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tem REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:200mV; Coefficient de température:34ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:54ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM336Z-5.0; Numéro de la fonction logique:336; Racine de la référence:336; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér PRECISION REFERENCE DE TENSION 6.9V; Topologie:Shunt; Tension, référence:6.9V; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM329DZ...; Numéro de la fonction logique:329; Racine de la référence:329; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tempéra REG TENSION AJUS +1.2/37V CMS SOIC8 317; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Tension, déclenchement:1.8V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:8; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Température de fonctionnement:-25°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Marquage composant:LM317LM; Numéro de la fonction logique:317; Numéro générique:317; Racine de la référence:317; Température de DIODE HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Configuration diode:Une; Tension, Vrrm:1.6kV; Courant, If moy.:360mA; Tension, Vf max..:1.6V; Temps trr max.:2è¾s; Courant, Ifs max.:16A; Température de fonctionnement:-65°C +175°C; Type de boîtier diode:DO-41; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, If, Vf:2A; Courant, Ifrm:15A; Diamètre, extérieur:2.7mm; Longueur/hauteur:5.2mm; Température, Tj max..:175°C; Tension , Vrwm:180V; Type de boîtier:DO-41; Type de terminaison:Broches a REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:35ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:35ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1009; Racine de la référence:1009; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Tem REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:4V 40V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1019; Racine de la référence:1019; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, T REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 5.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1027; Racine de la référence:1027; Température de fonctionnement max..:70°C REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.225V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1034; Racine de la référence:1034; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min.:0°C; Température d'utili MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LT1004CZ25#PBF; Numéro de la fonction logique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnemen REGULATEUR TENSION FIXE CMS; Tension d'entrée primaire:30V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:1.3V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:3A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:1085; Racine de la référence:1085; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie ajustable max.:12V; MULTIPLEXEUR 8 CANAUX FAIBLE TENSION CMS; Nombre de circuits:1; Courant, alimentation:1nA; Résistance, Ron, max..:3ohm; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:TSSOP; Nombre de broches:16; Configuration multiplexeur:08:01; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:55MHz; Contact, nombre de:8; Interface Type:Parallel; Nombre de voies:8; Numéro générique:708; Racine de la référence:708; Résistance Rds on:3ohm MULTIPLEXEUR 4 CANAUX FAIBLE TENSION CMS; Nombre de circuits:2; Courant, alimentation:1nA; Résistance, Ron, max..:3ohm; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 5.5V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier commutateur analogique:TSSOP; Nombre de broches:16; Configuration multiplexeur:04:01; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:55MHz; Contact, nombre de:8; Interface Type:Parallel; Nombre de voies:2; Numéro de la fonction logique:709; Numéro générique:709; Racine de la ré REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 40V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:43; Racine de la référence:43; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Températu REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:12V 40V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:100mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:65ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1; Racine de la référence:01; Température de fonctionnement max..:85° REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:12V 40V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1; Racine de la référence:01; Température de fonctionnement max..:70°C REFERENCE DE TENSION BASSE PUISSANCE; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Numéro de la fonction logique:1004; Numéro générique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0° REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:1009; Numéro générique:1009; Racine de la référence:1009; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolérance REFERENCE DE TENSION CMS 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:4mV; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:1009; Numéro générique:1009; Racine de la référence:1009; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tolé REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE; Topologie:Série, Programmable; Tension d'entrée:4.5V 30V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:7.5mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Courant, If, Vf:10mA; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:600mW; Marquage composant:AD584JNZ; Nu CONVERT DE TENSION CMS 7660 SOIC8; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:22.8V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:45mA; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:ICL7660CBAZ; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Tempéra MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:80ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:80ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385BZ-1.2G; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tem REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 5.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:10.8V 36V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:500mW; Numéro de la fonction logique:586; Racine de la référence:586 REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:12V 40V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:100mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:65ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:REF01CSZ; Numéro de la fonction logique:1; Racine de la référence:01; Températ TENSION DE REF. TEMP. IND. 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:80ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:80ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:285; Racine de la référence:285; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d CAPTEUR DE SOUS-TENSION POUR MICRO CMS; Tension de seuil:4.59V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:390è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:34604; Numéro générique:34064; Racine de la référence:34064; Température de fonctionnement max FICHE. HTE TENSION. APD. CODE 6. 4 VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Polybutylène téréphtalate renforcé de verre; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Nombre de contacts:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) SONDE. HAUTE TENSION. 50X 250MHZ 2.5KV; Type de sonde:Divers; Fonctions de test de la sonde:Tension; Type d'accessoire:High voltage Probe MODULE EXTENSION GENIE NX 12-24VDC; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) EXTENSION CORDON. V-LOCK C13. 2M. NOIR; Connecteur type A:Prise IEC; Connecteur type B:Douille C13; Tension:250VAC; Courant:10A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique SUPERVISEUR DE TENSION CMS; Tension de seuil:1.204V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 11V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:2.4è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:-20mA; Dissipation de puissance:571mW; Dissipation de puissance Pd:571mW; Numéro de la fonction logique:834; Numéro générique:834; Racine REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:30mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:30mA; Fréquence:500kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:662; Numéro générique:662; Précision:5%; Racine de la référence:662; Température de fonctionnement max..:70° CONVERT DE TENSION CMS 7662 SOIC8; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-20V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:0.02A; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Marquage composant:ICL7662CBA+; Numéro de la fonction logique:7662; Numéro générique:7662; Racine de la référence:7662; Tempér REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 12.6V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:6002; Racine de la référence:6002; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, SUPERVISEUR DE TENSION POUR MICRO CMS; Tension de seuil:4.579V; Nombre de superviseurs / moniteurs:5; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 11V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:137è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance:667mW; Dissipation de puissance Pd:667mW; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:8216; Numéro CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:10mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:0.02A; Fréquence:10kHz; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:10V; Tension, alimentation min.:1.5V; DETECTEUR DE TENSION; Tension de seuil:1.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:2V 16V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:3è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:25mA; Dissipation de puissance:471mW; Dissipation de puissance Pd:471mW; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7665; Numéro gén CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-20V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:0.02A; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7661; Numéro générique:7661; Racine de la référence:7661; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempé REG TENSION LDO 0.1A 5.0V 3480 SOT-23-3; Tension d'entrée primaire:6.5V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:900mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:TO-23; Chute de tension courant:1.2V; Courant, sortie max.:0.1A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:3480; Numéro générique:3480; Précision:5%; Racine de la référence EXTENSION BOBINE DE 4VOIES 50M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:164ft; Longueur de câble - Métrique:50m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur de connecteur:Bleu; Nombre de sorties:4; Type de connecteur:Secteur GB EXTENSION 4E/4S 12/24VCC; Nombre d'entrées numériques:4; Tension, alimentation:24VDC; IP / NEMA Rating:IP20; Longueur/hauteur:90mm; Profondeur:55mm; Tension, alimentation max..:24VDC; Tension, alimentation min.:12VDC; Type de montage:Rail DIN TONECALLER II, BT EXTENSION; Niveau de bruit:82dB; Hauteur, dimension externe:93mm; Largeur (externe):93mm; Profondeur:33mm; Couleur:White; Longueur cordon:3m; Longueur/hauteur:93mm REGULATEUR DE TENSION 0.5A AJUST.; Tension d'entrée primaire:60V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:57V; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:500mA; Courant, sortie max.:0.5A; Fréquence:150kHz; Numéro générique:2594; Précision:4%; Racine de la référence:2594; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min: TESTEUR DE TENSION; Tension, test:250V; Gammes de mesures de continuité:0 to 50MR; Type de tournevis:Test; Voltage Measuring Range AC:70 600V; Voltage Measuring Range DC:0V 250V TESTEUR DE TENSION CA760; Voltage Measuring Range AC:10V 690V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +55°C POWER EXTENSION BAR SET COMPARATEUR DE TENSION DIP8 311; Type de comparateur:Applications générales; Nombre de comparateurs:1; Temps de réponse:200ns; Type de sortie CI:DTL, MOS, RTL, TTL; Compatibilité de sortie:MOS, DTL, RTL, TTL; Courant, alimentation:5.1mA; Gamme de tension d'alimentation:5V è… 15V; Type de boîtier d'amplificateur:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du comparateur:Comparateur de tension; Gamme de température, circuit int EXTENSION PS/2; Connecteur type A:PS/2 Female; Connecteur type B:PS/2 Male; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:PS/2 Female; Connecteur type B:PS/2 Male; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m EXTENSION, M4, 95MM; Largeur (externe):3.4mm; Longueur:95mm; Normes:DIN377 EXTENSION, M9-M10, 115MM; Largeur (externe):5.5mm; Longueur:115mm; Normes:DIN1079 REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE 0.2%; Topologie:Shunt; Coefficient de température:è… 15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Courant, Ifs max.:12mA; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4051; Racine de la référence:4051; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Tempé REFERENCE DE TENSION DE PREC. 0.5% 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:6mV; Coefficient de température:è… 15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4051; Racine de la référence:4051; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, T CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:3.6V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-5.2V; Courant, sortie:10mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:10mA; Courant, sortie max.:10mA; Fréquence:110kHz; Numéro de la fonction logique:2687; Numéro générique:2687; Racine de la référence:2687; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util REFERENCE DE TENSION 1.8V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.3V 12V; Tension, référence:1.8V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisatio REFERENCE DE TENSION 2.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.3V 12V; Tension, référence:2V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation PRECISION REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3.3V 12V; Tension, référence:2.5V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:350mW; Marquage composant:LM4120AIM5-2.5; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85 PANNEAU D'EXTENSION 90 CREME; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:90 REGUL DE TENSION +5.0V 78M05 TO-220-3; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:0°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.5A; Numéro générique:78M05; Racine de la référence:78; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension:5V; Tension, alim RELAIS TENSION 3P 220-480V; Configuration des contacts:SPDT; Tension, alimentation max..:480VAC; Montage relais:Rail DIN; Tension de contrôle:AC; Série:K8AB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:6A; Fonctions retard:Monitoring; Hystéresis:5% of operating value (fixed); Hystéresis:5%; Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:90mm; Nombre de manoeuvres électriques:50000; Nombre de pâles:2; Profondeur:100mm; Température de fonctionnement max..:60°C; RELAIS HAUTE TENSION SPNO 500A; Tension de fonctionnement:900VDC; Courant de charge inductif:500A; Courant de charge résistif:500A; Nombre de pâles:1; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:Suspendu; Approval Bodies:CE; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPST-NO; Contact Type:1 Forme A; Courant:500A; Courant de bobine:3.8A; Courant de contact c.c. max.:500A; Courant de contact max..:500A; Entraxe de fixation:68.28mm; Force diélectrique, Vcc:2200VAC; Hauteur, CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-10V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.01A; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempéra REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tem REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIM3-5.0; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctio REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE 0.1%; Topologie:Shunt; Coefficient de température:è… 15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Courant, Ifs max.:12mA; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4051; Racine de la référence:4051; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Tempé REFERENCE DE TENSION DE PREC. 0.1% 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:1.2mV; Coefficient de température:è… 15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:280mW; Numéro de la fonction logique:4051; Racine de la référence:4051; Température de REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 4.1V; Topologie:Série; Tension d'entrée:5.1V 12V; Tension, référence:4.1V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:350mW; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 5.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:6V 12V; Tension, référence:5V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:350mW; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Temp REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:100ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; T CIRCUIT DE CONTROLE DE TENSION; Tension de seuil:2.7V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:750nA; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:1mA; Courant, sortie max.:70mA; Numéro de la fonction logique:8365; Numéro générique:8365; Racine de la référence:8365; Température de fonctionnement max..:85°C; Tem EXTENSION LEAD, 4WAY, 3M; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Longueur cordon:3m; Tension c.a.:250V SHAFT, EXTENSION, 300MM REFERENCE DE TENSION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:12V 30V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:600mW; Numéro de la fonction logique:581; Racine de la référence:584; Températu DIODE HAUTE TENSION SOT-23; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:200V; Tension, Vf max..:1.25V; Temps trr max.:50ns; Courant, Ifs max.:1A; Type de boîtier diode:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Haute tension; Configuration diode:Une; Courant, If max..:600mA; Courant, If, Vf:200mA; Courant, direct, If:100mA; Courant, test:100mA; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:B82; Profondeur:2.5mm; Puissance, P REGULATEUR DE TENSION 1A 3.3V; Tension d'entrée primaire:12V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.3V; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1A; Courant, sortie max.:1A; Fréquence:260kHz; Numéro générique:2672; Précision:1.5%; Racine de la référence:2672; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Te PANNEAU D'EXTENSION 100 NOIR; Type d'accessoire:Expander Panel; A utiliser avec:100 Series Shell Case; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:100 EXTENSION LEAD, 4WAY, BLACK, 5M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Couleur:Black; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Secteur GB EXTENSION LEAD, SWITCH, 4WAY; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:240V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:4.92ft; Longueur de câble - Métrique:1.5m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Couleur:Black; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:1.5m; Longueur câble:1.5m; Matériau du corps du connecteur:Métal; Nombre de sorties:4; Tension c. EXTENSION CABLE, PLUG TO SKT, 3M; Connecteur type A:DIN ISO4165 Plug; Connecteur type B:DIN ISO4165 Socket; Tension:24V; Courant:8A; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Batterie; Calibre du Fusible:5A; Connecteur type A:DIN ISO4165 Plug; Connecteur type B:DIN ISO4165 Socket; Longueur cordon:3m; Longueur câble:3m; Longueur, allongée:3m; Nombre de conducteurs:2; Section, conducteur CSA:0.75mmË› REFERENCE DE TENSION TOLERANCE 1%; Topologie:Shunt, ajustable; Tension, référence:2.495V; Tolérance de la référence de tension:17mV; Coefficient de température:50ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Largeur (externe):4.7000mm; Longueur/hauteur:19.000mm; Numéro de la fonction logique:431; Profondeur:3.7000mm; Racine REGULATEUR DE TENSION 3A AJUST; Tension d'entrée primaire:60V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:57V; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:3A; Courant, sortie crête:3A; Courant, sortie max.:3A; Fréquence:52kHz; Numéro générique:2576; Précision:4%; Racine de la référence:2576; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d' REGULATEUR DE TENSION AJUST.; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Numéro générique:317; Racine de la référence:317; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sor LEAD, SCHUKO EXTENSION, 5M; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Prise Schuko; Connecteur type B:Fiche femelle Schuko; Couleur:Blanc; Longueur:4m; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:250V; Type de fiche d'alimentati TESTEUR DE TENSION ATEX; Voltage Measuring Range AC:110V 1000V REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Courant, sortie max.:20mA; Numéro de la fonction logique:285; Racine de la référence:285; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; To REG DE TENSION LDO 0.15A 3.3V CMS 76333; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:300mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:150mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:76333; Précision:3%; Racine de la référence:76333; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40 CABLE D'EXTENSION KVM 2M; Connecteur type A:15 Way Hi-D Male and 2 x PS/2 Male; Connecteur type B:15 Way Hi-D Female and 2 x PS/2 Female; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:15 Way Hi-D Male and 2 x PS/2 Male; Connecteur type B:15 Way Hi-D Female and 2 x PS/2 Female; Longueur câble:2m; Longueur/hauteur:2m CABLE D'EXTENSION KVM 3M; Connecteur type A:15 Way Hi-D Male and 2 x PS/2 Male; Connecteur type B:15 Way Hi-D Female and 2 x PS/2 Female; Couleur de la gaine:Gris; Longueur de câble - Impérial:9.84ft; Longueur de câble - Métrique:3m; Type de câble assemblé:Câbles informatiques; Connecteur type A:15 Way Hi-D Male and 2 x PS/2 Male; Connecteur type B:15 Way Hi-D Female and 2 x PS/2 Female; Longueur câble:3m; Longueur/hauteur:3m REGULATEUR DE TENSION 1A 3.3V; Tension d'entrée primaire:12V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.3V; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:1A; Courant, sortie max.:1A; Fréquence:52kHz; Numéro générique:2575; Précision:4%; Racine de la référence:2575; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Ten REGULATEUR DE TENSION 0.15A 2.4V; Tension de sortie fixe:2.4V; Tension, déclenchement:0.06V; Nombre de broches:5; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾Bump; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.15A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:3999; Précision:2%; Racine de la référence:3999; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension:2.4V; Tension, alimentation max..:6V; Tension, alime TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:230V 1000V TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:230V 1000V TESTEUR DE TENSION ATEX; Voltage Measuring Range AC:230V 1000V ENREGISTREUR DE TENSION USB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):27mm; Longueur/hauteur:112mm; Profondeur:27mm; Résolution:100mV; Voltage Measuring Range DC:0V 30V REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 18V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:3mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:421; Racine de la référence:421; Température de fonctionnement max..:125°C; REFERENCE DE TENSION BASSE PUISSAN. 4.1V; Tension, référence:4.1V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolérance:0.1%; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE; Tension, référence:1.225V; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Courant, Ifs max.:12mA; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4041; Racine de la référence:4041; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vf max..:10V; Tolérance:1.0%; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant CONVERTISSEUR FREQUENCE /TENSION; Fréquence:10kHz; % de linéarité:0.3%; Gamme de tension d'alimentation:0V 28V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:14; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:0.01MHz; Courant, alimentation:3.8mA; Courant, sortie max.:240è¾A; Linéarité:è… 3%; Numéro de la fonction logique:2907; Numéro générique:2907; Racine de la référence:2907; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min: CONVERTISSEUR FREQUENCE /TENSION; Fréquence:10kHz; % de linéarité:0.3%; Gamme de tension d'alimentation:0V 28V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:0.01MHz; Courant, alimentation:3.8mA; Courant, sortie max.:240è¾A; Linéarité:è… 3%; Numéro de la fonction logique:2907; Numéro générique:2907; Racine de la référence:2907; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:- REFERENCE DE TENSION BASSE PUISSAN. 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min.:0°C; Temp REG DE TENSION AJUS +1.2/37V TO-92-3 317; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Tension, déclenchement:1.8V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-25°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Marquage composant:LM317LZ; Numéro de la fonction logique:317; Numéro générique:317; Racine de la référence:317; Température d REG DE TENSION AJUS -1.2/37V TO-92-3 337; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-92; Température de fonctionnement:-25°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.1A; Numéro de la fonction logique:337; Numéro générique:337; Racine de la référence:337; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation m REFERENCE DE TENSION 1.2V CMS; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:4mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Courant, If, Vf:10mA; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnement max..:70°C; Températ REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1009; Racine de la référence:1009; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Tempér REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:6.5V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:5ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1019; Racine de la référence:1019; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 2.5V; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:4V 40V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1019; Racine de la référence:1019; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Te REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:2ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:3ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1027; Racine de la référence:1027; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, CONVERTISSEUR DE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:15V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +100°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:300mA; Courant, sortie max.:100mA; Fréquence:25kHz; Numéro de la fonction logique:1054; Numéro générique:1054; Racine de la référence:1054; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisation min:0°C; T CONVERT DE TENSION 1044 DIP8; Tension d'entrée primaire:9V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:5kHz; Marquage composant:LTC1044CN8; Numéro de la fonction logique:1044; Numéro générique:1044; Racine de la référence:1044; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustable max.:1 REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:15mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Numéro de la fonction logique:1009; Numéro générique:1009; Racine de la référence:1009; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tolé REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:13.5V 36V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:500mW; Numéro de la fonction logique:587; Racine de la référence:587 REFERENCE DE TENSION PROGRAMMABLE; Topologie:Série; Tension d'entrée:4V 36V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:7ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:7ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:500mW; Numéro de la fonction logique:780; Racine de la référence:780; Tempé DETECTEUR DE TENSION CMS; Tension de seuil:1.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 16V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:2.9mA; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:25mA; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7665; Numéro générique:7665; Racine de la référence:7665; Température de fonction SUPERVISEUR DE TENSION; Tension de seuil:4.61V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:390è¾A; Type de boîtier CI numérique:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:60mA; Dissipation de puissance:625mW; Dissipation de puissance Pd:625mW; Numéro de la fonction logique:33064; Numéro générique:33064; Racine de la référence:33064; Te CARTE D'EXTENSION ASURO; Type de conseil:Carte prototype; Conseil des matériaux:Epoxy; Hauteur, dimension externe:35mm; Largeur (externe):40mm; Epaisseur de carte:1.5mm; Matière:Epoxy; Nombre de trous:175 REGULATEUR DE TENSION AJUST.; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-11V; Courant, sortie:30mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:è¾MAX; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:30A; Dissipation de puissance:444mW; Dissipation de puissance Pd:444mW; Fréquence:450kHz; Numéro de la fonction logique:868; Numéro générique:868; Racine de la référence:868; Température de fonctionnem REGULATEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:30mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:30mA; Fréquence:500kHz; Numéro de la fonction logique:662; Numéro générique:662; Précision:5%; Racine de la référence:662; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:5.5V; Te CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:10V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:10mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:0.02A; Fréquence:10kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentatio REGUL DE TENSION LDO +5.0V 4940 TO-220-3; Tension d'entrée primaire:17V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:500mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:4940; Racine de la référence:4940; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension:5V; Ten REFERENCE DE TENSION CMS PRECISION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:2.7V 5.5V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:27ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:140mW; Marquage composant:MCP1525T-I/TT; Numéro de la fonction logique:1525; Quantité par bobine:3000; Racine de la référence:1525; Température REFERENCE DE TENSION CMS 1.235V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM385M3-1.2; Numéro de la fonction logique:385; Racine de la référence:385; Température de fonctionnement max REFERENCE DE TENSION DE PREC. 0.2% 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.2V; Tolérance de la référence de tension:2.4mV; Coefficient de température:è… 15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4051; Racine de la référence:4051; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 3.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4V 12V; Tension, référence:3V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:350mW; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Temp REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 3.3V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.3V 12V; Tension, référence:3.3V; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:350mW; Numéro de la fonction logique:4120; Racine de la référence:4120; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; REG DE TENSION LDO +3.3V 3940 SOT-223-3; Tension d'entrée primaire:5V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:110mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-223; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Marquage composant:LM3940IMP-3.3; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:3940; Numéro générique:3940; Racine de la référence:3940; Température de fonctionnemen CIRCUIT DE CONTROLE DE TENSION; Tension de seuil:2V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:700nA; Temps de retard:60è¾s; Type de boîtier CI numérique:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:1mA; Courant, sortie max.:70mA; Numéro de la fonction logique:8364; Numéro générique:8364; Racine de la référence:8364; Température de fonctionne REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:50mV; Coefficient de température:30ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:30ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4431M3-2.5; Numéro de la fonction logique:4431; Racine de la référence:4431; Température de fonctionne REG DE TENSION LDO +5.0V CMS 2980 SOT235; Tension d'entrée primaire:6V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:120mV; Nombre de broches:5; Courant, sortie:50mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.05A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro de la fonction logique:2980; Numéro générique:2980; Précision:0.5%; Racine de la référence:2980; Température de fonctionnement max..:125°C; CONVERT DE TENSION CMS 2664 SOT-23-6; Tension d'entrée primaire:5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:40mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:40mA; Courant, sortie max.:0.04A; Fréquence:160kHz; Marquage composant:LM2664M6; Numéro de la fonction logique:2664; Numéro générique:2664; Racine de la référence:2664; Température de fonc CABLE D'EXTENSION CLAVIER/SOURIS PS/2; Type d'accessoire:Cable Assembly; A utiliser avec:Storm Keyboards; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connecteur type A:Molex Socket; Connecteur type B:6 Way Mini DIN; Connector Type:PS/2; Longueur cordon:2.5m; Série:STORM 2200 TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:12V 690V; Type d'afficheur:LCD; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Série:T100 REFERENCE DE TENSION 2.5V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.5V 33V; Tension, référence:2.5V; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:03; Racine de la référence:03; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj m REFERENCE DE TENSION 10V; Topologie:Série; Tension d'entrée:13.5V 36V; Tension, référence:10V; Tolérance de la référence de tension:10mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:500mW; Numéro de la fonction logique:587; Pd Tc = 25°C:500mW; Racine de la réf REFERENCE DE TENSION 5.0V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:34ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:54ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:336; Racine de la référence:336; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min.:0°C; Température d'utilisation REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:5V; Coefficient de température:34ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:54ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM336BZ-5.0; Numéro de la fonction logique:336; Racine de la référence:336; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj min.: REG TENSION AJUS +1.2/37V TO-220-3 317; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Numéro générique:317; Racine de la référence:317; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tens REGULATEUR DE TENSION +15V TO-220-3 340; Tension d'entrée primaire:23V; Tension de sortie fixe:15V; Tension, déclenchement:2.9V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Numéro générique:340; Précision:2%; Racine de la référence:340; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension:15V; REG TENSION AJUS +1.2/37V TO-263-3 317; Tension d'entrée primaire:40V; Gamme de tension de sortie ajustable:1.2V 37V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1.5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.5A; Numéro générique:317; Racine de la référence:317; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tens MICROPOWER REFERENCE DE TENSION 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Tolérance de la référence de tension:4mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LT1004CZ1.2#PBF; Numéro de la fonction logique:1004; Racine de la référence:1004; Température de fonctionnem REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:5mV; Coefficient de température:25ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1009; Racine de la référence:1009; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max. REFERENCE DE TENSION 5V; Topologie:Série, Shunt; Tension d'entrée:6.5V 40V; Tension, référence:5V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:20ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:1019; Racine de la référence:1019; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température, Tj m CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:15V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +100°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:300mA; Courant, sortie max.:100mA; Fréquence:25kHz; Marquage composant:LT1054CN8; Numéro de la fonction logique:1054; Numéro générique:1054; Racine de la référence:1054; Température de fonctionnement max..:100°C; Température COMMUT. DE BUS FET FAIBLE TENSION CMS; Gamme de tension d'alimentation:2.3V 3.6V; Type de boîtier CI logique:TSSOP; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Famille Circuit logique:BTL; Fonction logique:Low Voltage Octal FET Bus Switch; Numéro de base de la fonction logique:743245; Numéro de la fonction logique:743245; Numéro générique:74CBTLV3245; Racine de la référence:74; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisatio REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE; Topologie:Shunt, Programmable; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:20mV; Coefficient de température:23ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:23ppm/°C; Courant, If, Vf:100mA; Numéro de la fonction logique:1431; Numéro générique:1431; Racine de la référence:1431; Température de fonctionnement max..:70°C; T CONVERTISSEUR N/A 8 BITS SORTIE TENSION; Résolution (Bits):8bit; Taux d'échantillonnage:167kSPS; Type de canal d'entrée:Série; Interface de données:Série, 2 / 3 / 4 fils; Gamme de tension d'alimentation - Analogique:2.5V 5.5V; Courant, alimentation:150è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier:MSOP; Caractérist REFERENCE DE TENSION DE PRECISION 5.0V; Topologie:Série; Tension d'entrée:7V 40V; Tension, référence:5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:2; Racine de la référence:02; Température de fonctionnement max..:70°C; REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 2V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 15V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:10ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:REF192GSZ; Numéro de la fonction logique:192; Racine de la référence:192; Tempé REFERENCE DE TENSION 2.5V; Topologie:Série; Tension d'entrée:3V 15V; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:2mV; Coefficient de température:10ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:25ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:192; Racine de la référence:192; Température de fonctionnement max..:85°C; Tempéra CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:12V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:22.8V; Courant, sortie:20mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:45mA; Fréquence:35kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:7660; Numéro générique:7660; Racine de la référence:7660; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér REGUL DE TENSION +5.0V CMS 78M05 DPAK-3; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de broches:3; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-252; Température de fonctionnement:0°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.5A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:78M05; Précision:4%; Racine de la référence:78; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension:5V; REGULATEUR DE TENSION +5.0V CMS 7805; Tension d'entrée primaire:10V; Tension de sortie fixe:5V; Tension, déclenchement:2V; Nombre de canaux de sortie:1; Nombre de broches:3; Courant, sortie:1A; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-263; Température de fonctionnement:0°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Numéro générique:7805; Précision:4%; Racine de la référence:7805; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension:5V; Tens REFERENCE DE TENSION 1.235V IND TEMP; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.235V; Coefficient de température:80ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:80ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM285Z-1.2G; Numéro de la fonction logique:285; Racine de la référence:285; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Te REFERENCE DE TENSION 4.096V; Topologie:Série; Tension d'entrée:4.296V 12.6V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:100ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:6004; Racine de la référence:6004; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Tempér CONVERTISSEUR DE TENSION; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:100mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:0.12A; Fréquence:80kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:660; Numéro générique:660; Racine de la référence:660; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension de sortie aju CONVERTISSEUR DE TENSION DOUBLE; Tension d'entrée primaire:6V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:10V; Courant, sortie:10mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Courant, sortie max.:0.12A; Fréquence:8kHz; Fréquence, fonctionnement:8kHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Numéro de la fonction logique:680; Numéro générique:680; Racine de la référence:680; Température de fonctionnement max..:70°C; REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 2.5V; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:25mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Marquage composant:LM4040DIM3-2.5; Numéro de la fonction logique:4040; Racine de la référence:4040; Température de fonc REFERENCE DE TENSION CMS MICROPOWER 1.2V; Topologie:Shunt; Tension, référence:1.225V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:150ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:150ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Dissipation de puissance, max..:306mW; Marquage composant:LM4041DIM3-1.2; Numéro de la fonction logique:4041; Racine REFERENCE DE TENSION AJUSTABLE 0.5%; Topologie:Shunt; Coefficient de température:è… 15ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Coefficient de température, +:50ppm/°C; Courant, Ifs max.:12mA; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:4051; Racine de la référence:4051; Température de fonctionnement max..:85°C; Température, Tj max..:85°C; Température, Tj min.:-40°C; Tempé RELAIS HAUTE TENSION SPNO 500A; Nombre de pâles:1; Configuration des contacts:SPST-NO; Montage relais:Suspendu; Approval Bodies:CE; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Contact Configuration:SPST-NO; Contact Type:1 Forme A; Courant:200A; Courant de bobine:3.8A; Courant de contact c.c. max.:250A; Courant de contact max..:500A; Entraxe de fixation:68.28mm; Force diélectrique, Vcc:2200VAC; Hauteur, dimension externe:55.81mm; Largeur (externe):80.48mm; Limitation de courant (max..):500A; Longueur/ DIODE LL34 HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:150mA; Tension, Vrrm:100V; Tension, Vf max..:1V; Temps trr max.:4ns; Courant, Ifs max.:450mA; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Style de boîtier alternatif:LL-34; Temps, trr typ.:4ns; Température, Tj max..:200°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:2A DIODE CMS HAUTE TENSION; Diode Type:Faible signal; Courant, If moy.:200mA; Tension, Vrrm:250V; Tension, Vf max..:1.5V; Temps trr max.:75ns; Courant, Ifs max.:625mA; Type de boîtier diode:LL-34; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Style de boîtier alternatif:LL-34; Température, Tj max..:175°C; Type de boîtier:LL-34; Type de terminaison:CMS; courant Ifsm:1A RESISTANCE SURTENSION 1R6 1% 0603; Résistance:1.6ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1R8 1% 0603; Résistance:1.8ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 6R8 1% 0603; Résistance:6.8ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 8R2 1% 0603; Résistance:8.2ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 12R 1% 0603; Résistance:12ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 39R 1% 0603; Résistance:39ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 56R 1% 0603; Résistance:56ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 62R 1% 0603; Résistance:62ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 68R 1% 0603; Résistance:68ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 75R 1% 0603; Résistance:75ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 120R 1% 0603; Résistance:120ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 200R 1% 0603; Résistance:200ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 270R 1% 0603; Résistance:270ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 390R 1% 0603; Résistance:390ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 470R 1% 0603; Résistance:470ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 560R 1% 0603; Résistance:560ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 750R 1% 0603; Résistance:750ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 910R 1% 0603; Résistance:910ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1K2 1% 0603; Résistance:1.2kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 2K7 1% 0603; Résistance:2.7kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 3K 1% 0603; Résistance:3kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 3K9 1% 0603; Résistance:3.9kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 7K5 1% 0603; Résistance:7.5kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 24K 1% 0603; Résistance:24kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 27K 1% 0603; Résistance:27kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 30K 1% 0603; Résistance:30kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 33K 1% 0603; Résistance:33kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 51K 1% 0603; Résistance:51kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 62K 1% 0603; Résistance:62kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 68K 1% 0603; Résistance:68kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 150K 1% 0603; Résistance:150kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 430K 1% 0603; Résistance:430kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 750K 1% 0603; Résistance:750kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 910K 1% 0603; Résistance:910kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1MR 1% 0603; Résistance:1Mohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1R2 1% 0603; Résistance:1.2ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1R3 1% 0603; Résistance:1.3ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 24R 1% 0603; Résistance:24ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 43R 1% 0603; Résistance:43ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 51R 1% 0603; Résistance:51ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 150R 1% 0603; Résistance:150ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 330R 1% 0603; Résistance:330ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 360R 1% 0603; Résistance:360ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1K3 1% 0603; Résistance:1.3kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1K6 1% 0603; Résistance:1.6kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 3K6 1% 0603; Résistance:3.6kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 5K6 1% 0603; Résistance:5.6kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 22K 1% 0603; Résistance:22kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 120K 1% 0603; Résistance:120kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 360K 1% 0603; Résistance:360kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 390K 1% 0603; Résistance:390kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 560K 1% 0603; Résistance:560kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 2R2 1% 0603; Résistance:2.2ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 3R3 1% 0603; Résistance:3.3ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 13R 1% 0603; Résistance:13ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 15R 1% 0603; Résistance:15ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 18R 1% 0603; Résistance:18ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 33R 1% 0603; Résistance:33ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 36R 1% 0603; Résistance:36ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 110R 1% 0603; Résistance:110ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 130R 1% 0603; Résistance:130ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 180R 1% 0603; Résistance:180ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 620R 1% 0603; Résistance:620ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1K8 1% 0603; Résistance:1.8kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 2K2 1% 0603; Résistance:2.2kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 4K3 1% 0603; Résistance:4.3kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 4K7 1% 0603; Résistance:4.7kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 5K1 1% 0603; Résistance:5.1kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 6K2 1% 0603; Résistance:6.2kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 8K2 1% 0603; Résistance:8.2kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 12K 1% 0603; Résistance:12kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 13K 1% 0603; Résistance:13kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 36K 1% 0603; Résistance:36kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 39K 1% 0603; Résistance:39kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 47K 1% 0603; Résistance:47kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 56K 1% 0603; Résistance:56kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 75K 1% 0603; Résistance:75kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 180K 1% 0603; Résistance:180kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 200K 1% 0603; Résistance:200kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 220K 1% 0603; Résistance:220kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 510K 1% 0603; Résistance:510kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS EXTENSION LEAD, 8 GANG, INDIV-SW, 2M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:230V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Socket; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Largeur (externe):120mm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Longueur, nappe:330mm; Matière:Plastic; Nombre de canaux de sortie:8; Nomb RESISTANCE SURTENSION 1R1 1% 0603; Résistance:1.1ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1R5 1% 0603; Résistance:1.5ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 2R7 1% 0603; Résistance:2.7ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 3R9 1% 0603; Résistance:3.9ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 4R3 1% 0603; Résistance:4.3ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 5R6 1% 0603; Résistance:5.6ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 11R 1% 0603; Résistance:11ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 20R 1% 0603; Résistance:20ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 22R 1% 0603; Résistance:22ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 27R 1% 0603; Résistance:27ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 30R 1% 0603; Résistance:30ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 82R 1% 0603; Résistance:82ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 91R 1% 0603; Résistance:91ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 510R 1% 0603; Résistance:510ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 680R 1% 0603; Résistance:680ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 820R 1% 0603; Résistance:820ohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 1K1 1% 0603; Résistance:1.1kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 3K3 1% 0603; Résistance:3.3kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 6K8 1% 0603; Résistance:6.8kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 9K1 1% 0603; Résistance:9.1kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 11K 1% 0603; Résistance:11kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 15K 1% 0603; Résistance:15kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 18K 1% 0603; Résistance:18kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 43K 1% 0603; Résistance:43kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 82K 1% 0603; Résistance:82kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 110K 1% 0603; Résistance:110kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 130K 1% 0603; Résistance:130kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 160K 1% 0603; Résistance:160kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 240K 1% 0603; Résistance:240kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 270K 1% 0603; Résistance:270kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 330K 1% 0603; Résistance:330kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 470K 1% 0603; Résistance:470kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 620K 1% 0603; Résistance:620kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 680K 1% 0603; Résistance:680kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS RESISTANCE SURTENSION 820K 1% 0603; Résistance:820kohm; Tolérance de résistance:è… 1%; Puissance:125mW; Tension:50V; Coefficient de température:è… 200ppm/°C; Type de résistance:Couche épaisse; Type de boîtier de résistance:0603; Resistor Mounting:CMS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):0.8mm; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de broches:2; Profondeur:0.45mm; Série:SG73; Température de fonctionnement:-55°C +155°C; Tension, surcharge:100V; Type de boîtier:0603; Type de terminaison:CMS REF DE TENSION 1% 2.5V SC70-5; Topologie:Shunt; Tension, référence:2.5V; Tolérance de la référence de tension:12mV; Coefficient de température:20ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SC-70; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Racine de la référence:4040; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-40°C SONDE ACTIVE DIFF. HAUTE TENSION; Type de sonde:Crochet; Fonctions de test de la sonde:Différentielle active; Précision %:2%; A utiliser avec:Oscilloscope; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:70MHz; Safety Category:CATI; Type d'accessoire:Probe TESTEUR DE TENSION; Voltage Measuring Range AC:12V, 24V, 50V, 120V, 220V, 400V; Type d'afficheur:LED; Température de fonctionnement:-10°C +50°C; Safety Category:GS/TUV/CE; Voltage Measuring Range DC:12V, 24V, 50V, 120V, 220V, 400V EXTENSION LEAD, 2WAY, 10M; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 2; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de sorties:2; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Secteur GB; Type de fiche d'alimentation:UK ETIQUETTE DANGER HTE TENSION (7 PICTO); Largeur (externe):50mm; Couleur de signe:Noir sur jaune; Type de signe:Danger; Légende panneau:Danger, risque de choc électrique; Plaquette:Polyester; Couleur:Black on Yellow; Longueur/hauteur:50mm; Légende:Danger Electricity; Matière:Polyester ETIQUETTE DANGER HTE TENSION (3 PICTO); Largeur (externe):100mm; Couleur de signe:Noir sur jaune; Type de signe:Danger; Légende panneau:Danger, risque de choc électrique; Plaquette:Polyester; Couleur:Black on Yellow; Longueur/hauteur:100mm; Légende:Danger Electricity; Matière:Polyester ETIQUETTE DANGER ARMOIRE SOUS TENSION; Largeur (externe):297mm; Couleur de signe:Noir sur jaune; Type de signe:Danger; Légende panneau:Danger, haute tension; Plaquette:Polyester; Couleur:Black on Yellow; Hauteur:105mm; Longueur:297mm; Longueur/hauteur:105mm; Légende:Danger High Voltage; Matière:Adhésif; Type:A RELAIS TENSION 1P 20-600V; Configuration des contacts:SPDT; Consommation de puissance:5VA; Tension, alimentation max..:230VAC; Montage relais:Rail DIN; Tension de contrôle:AC; Série:K8AB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPDT; Courant de contact c.a. max.:6A; Fonctions retard:Monitoring; Hystéresis:5% of operating value; Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:90mm; Nombre de manoeuvres électriques:50000; Nombre de pâles:2; Profondeur:100mm; Température de fonctionnement max. REFERENCE DE TENSION 4.096V CMS; Topologie:Série; Tension d'entrée:8V 36V; Tension, référence:4.096V; Coefficient de température:0.5ppm/°C; Type de boîtier CI référence de tension:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Coefficient de température, +:0.5ppm/°C; Diode Type:Référence de tension; Numéro de la fonction logique:6341; Racine de la référence:6341; Température de fonctionnement max..:70°C; Température, Tj max..:70°C; Température UNITE SUPPRESSION DE TENSION; Série:VSU; Suppressor Type:Secteur; Tension:275V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Fil volant; Largeur (externe):40mm; Longueur cordon:150mm; Longueur/hauteur:40mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:35mm; Tension, contrôle c.a. max..:275V; Type de connecteur:Fil CIRCUIT D'EXTENSION DE BUS; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 12V; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:22mA; Fonction CI:Extenseur de bus; Fréquence, horloge:3.6864MHz; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Interface de contrôle:I2C; Nombre d'E/S:4; Numéro de la fonction logique:82B715; Numéro générique:82B715; Racine de la référence:82; Température de fonctionnement m DETECTEUR DE TENSION; Tension de seuil:1.3V; Nombre de superviseurs / moniteurs:2; Gamme de tension d'alimentation:2V 16V; Type de reset:Actif haut / Actif bas; Courant, alimentation:3è¾A; Temps de retard:1ms; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie max.:25mA; Dissipation de puissance:727mW; Dissipation de puissance Pd:727mW; Racine de la référence:7665; Température de fonctionnement max..:70°C FICHE MALE BASSE TENSION 3.3MM; Genre:Connecteur mâle; Tension:13.5VDC; Courant:2A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Puissance DC; Contact Plating:Nickel; Courant max.:2A; Diamètre du trou:3.3mm; Diamètre, contact interne:1.0mm; Diamètre, extérieur:5.5mm; Insulator Material:POM; Tension VDC:13.15V; Type de connecteur:Puissance DC DRIVER MULTITENSION POUR INDICAT. XENON; IP / NEMA Rating:IP67; Nombre de flashs par minute:75; Puissance:1W; Courant:190mA; Courant, direct, If 12Vcc:160mA; Courant, direct, If 24Vcc:80mA; Diamètre de l'ampoule:36mm; Diamètre, extérieur:36mm; Fréquence, flash max..:1.25Hz; Largeur (externe):43mm; Light Source:Xénon; Longueur:57mm; Longueur/hauteur:34mm; Poids:0.06kg; Profondeur:45mm; Puissance de sortie:1W; Puissance, flash:0.5J; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Taille de découpe, panneau:22.5 EXTENSION. SORTIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):22.5mm; Longueur/hauteur:100mm; Profondeur:121mm; Puissance, CC:1.2W; Température de fonctionnement max..:45°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation c.c. max..:24V; Type de terminaison: visser CONTROLEUR BASSE TENSION 4.6V 8SOIC; Tension de seuil:4.61V; Nombre de superviseurs / moniteurs:1; Gamme de tension d'alimentation:1V 6.5V; Type de reset:Actif bas; Courant, alimentation:390è¾A; Type de boîtier CI numérique:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) POLE, EXTENSION, 1.13M; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur/hauteur:1.3m REGULATEUR STEP-DOWN FAIBLE TENSION CMS; Tension d'entrée primaire:3.3V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, sortie max.:2A; Dissipation de puissance:1.2W; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Fréquence:350kHz; Numéro de la fonction logique:1644; Numéro générique:1644; Racine de la référence:1644; Température de fonctionnement max..:85°C; Tem REG DE TENSION LDO +3.3V CMS 6201 SOT893; Tension d'entrée primaire:4.3V; Tension de sortie fixe:3.3V; Tension, déclenchement:400mV; Nombre de broches:3; Courant, sortie:250mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:SOT-89; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:0.25A; Nombre de canaux de sortie:1; Numéro générique:6201; Précision:2%; Racine de la référence:6201; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C EXTENSION 4E/4S 110/230VCA; Nombre d'entrées numériques:4; Tension, alimentation:230V; IP / NEMA Rating:IP20; Longueur/hauteur:90mm; Profondeur:55mm; Tension, alimentation max..:230V; Tension, alimentation min.:115V; Type de montage:Rail DIN CABLE D'EXTENSION CLAVIER/SOURIS UBS; Type d'accessoire:Cable Assembly; A utiliser avec:Storm Keyboards; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connecteur type A:Molex Socket; Connecteur type B:USB; Connector Type:USB; Longueur cordon:2.5m; Série:STORM 2200 MANCHON POUR CONNECTEUR RF NOIR RG59; Type d'accessoire:Strain Relief Boot; A utiliser avec:R/F Coax Connector; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (20-Jun-2011); Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Noir; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction MANCHON POUR CONNECTEUR RF NOIR RG158; Type d'accessoire:Strain Relief Boot; A utiliser avec:R/F Coax Connector; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (20-Jun-2011); Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Noir; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction MANCHONS EN PLASTIQUE PT/FS 6.3; Type de boîtier:Modulaire MANCHON POUR CONNECTEUR RF NOIR RG174; Type d'accessoire:Strain Relief Boot; A utiliser avec:R/F Coax Connector; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (20-Jun-2011); Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Noir; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction MANCHONS EN PLASTIQUE PT/FS 2.8; Type de boîtier:Modulaire MANCHON AUTO-SOUDANT TRANSPARENT NOIR; A utiliser avec:S'utilise avec les séries IP et IB-IS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C MANCHON SCELLEMENT 1200 SERIES NOIR; A utiliser avec:S'utilise avec les séries 1200, 4700 et 4800; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir MANCHON AUTO-SOUDANT SERIES10400 NOIR; A utiliser avec:S'utilise avec la série 10400; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir MANCHON H12X20 NOIR PQ500; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.2mm; Couleur gaines:Noir; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:2.4mm; Diamètre, câble min.:1.2mm; Diamètre, perçage max..:2.4mm; Diamètre, perçage min.:1.2mm; Diamètre, perçage nom.:1.2mm; Diamètre, élargi:2.4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59- MANCHON H30X25 NOIR PQ500; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:3mm; Couleur gaines:Noir; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:6mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:3mm; Diamètre, perçage nom.:3mm; Diamètre, élargi:6mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858; Rés MANCHON H15X20 NOIR PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.5mm; Couleur gaines:Noir; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:3mm; Diamètre, câble min.:1.5mm; Diamètre, perçage max..:3mm; Diamètre, perçage min.:1.5mm; Diamètre, perçage nom.:1.5mm; Diamètre, élargi:3mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3 MANCHON H30 X 25 BLEU PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:3mm; Couleur gaines:Bleu; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Bleu; Diamètre, câble max..:6mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:3mm; Diamètre, perçage nom.:3mm; Diamètre, élargi:6mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858; R MANCHON H50 X 25MM ROSE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:5mm; Couleur gaines:Rose; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rose; Diamètre, câble max..:10mm; Diamètre, câble min.:5mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:5mm; Diamètre, perçage nom.:5mm; Diamètre, élargi:10mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS38 MANCHON H15X20 NOIR PQ500; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.5mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:3mm; Diamètre, câble min.:1.5mm; Diamètre, perçage max..:3mm; Diamètre, perçage min.:1.5mm; Diamètre, perçage nom.:1.5mm; Diamètre, élargi:3mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Norme MANCHON H20X20 NOIR PQ500; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:2mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Diamètre, perçage min.:2mm; Diamètre, perçage nom.:2mm; Diamètre, élargi:4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def St MANCHON H15 X 20MM ROSE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.5mm; Couleur gaines:Rose; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rose; Diamètre, câble max..:3mm; Diamètre, câble min.:1.5mm; Diamètre, perçage max..:3mm; Diamètre, perçage min.:1.5mm; Diamètre, perçage nom.:1.5mm; Diamètre, élargi:3mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 MANCHON H20X20 BRUN PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:2mm; Couleur gaines:Marron; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Marron; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Diamètre, perçage min.:2mm; Diamètre, perçage nom.:2mm; Diamètre, élargi:4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:De MANCHON H20 X 20MM ROSE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:2mm; Couleur gaines:Rose; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rose; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Diamètre, perçage min.:2mm; Diamètre, perçage nom.:2mm; Diamètre, élargi:4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858; MANCHON H50 X 25 ROUGE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:5mm; Couleur gaines:Rouge; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:rouge; Diamètre, câble max..:10mm; Diamètre, câble min.:5mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:5mm; Diamètre, perçage nom.:5mm; Diamètre, élargi:10mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Norme MANCHON H75 X 25MM NOIR PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:7.5mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:15mm; Diamètre, câble min.:7.5mm; Diamètre, perçage max..:15mm; Diamètre, perçage min.:7.5mm; Diamètre, perçage nom.:7.5mm; Diamètre, élargi:15mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité MANCHON H12 X 20MM NOIR PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.2mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:2.4mm; Diamètre, câble min.:1.2mm; Diamètre, perçage max..:2.4mm; Diamètre, perçage min.:1.2mm; Diamètre, perçage nom.:1.2mm; Diamètre, élargi:2.4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élastic MANCHON H12 X 20MM ROSE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.2mm; Couleur gaines:Rose; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rose; Diamètre, câble max..:2.4mm; Diamètre, câble min.:1.2mm; Diamètre, perçage max..:2.4mm; Diamètre, perçage min.:1.2mm; Diamètre, perçage nom.:1.2mm; Diamètre, élargi:2.4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan MANCHON H15X20 BLEU PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.5mm; Couleur gaines:Bleu; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Bleu; Diamètre, câble max..:3mm; Diamètre, câble min.:1.5mm; Diamètre, perçage max..:3mm; Diamètre, perçage min.:1.5mm; Diamètre, perçage nom.:1.5mm; Diamètre, élargi:3mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Norme MANCHON H15 X 20 ROUGE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.5mm; Couleur gaines:Rouge; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rouge; Diamètre, câble max..:3mm; Diamètre, câble min.:1.5mm; Diamètre, perçage max..:3mm; Diamètre, perçage min.:1.5mm; Diamètre, perçage nom.:1.5mm; Diamètre, élargi:3mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; MANCHON H20X20 NOIR PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:2mm; Couleur gaines:Noir; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Diamètre, perçage min.:2mm; Diamètre, perçage nom.:2mm; Diamètre, élargi:4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858; Rés MANCHON H20X20 BLEU PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:2mm; Couleur gaines:Bleu; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Bleu; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Diamètre, perçage min.:2mm; Diamètre, perçage nom.:2mm; Diamètre, élargi:4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def St MANCHON H20 X 20 ROUGE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:2mm; Couleur gaines:Rouge; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rouge; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Diamètre, perçage min.:2mm; Diamètre, perçage nom.:2mm; Diamètre, élargi:4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858 MANCHON H30X25 NOIR PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:3mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:6mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:3mm; Diamètre, perçage nom.:3mm; Diamètre, élargi:6mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def St MANCHON H30 X 25MM ROSE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:3mm; Couleur gaines:Rose; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rose; Diamètre, câble max..:6mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:3mm; Diamètre, perçage nom.:3mm; Diamètre, élargi:6mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:De MANCHON H30 X 25 ROUGE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:3mm; Couleur gaines:Rouge; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rouge; Diamètre, câble max..:6mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:3mm; Diamètre, perçage nom.:3mm; Diamètre, élargi:6mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:D MANCHON H50 X 25 NOIR PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:5mm; Couleur gaines:Noir; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:10mm; Diamètre, câble min.:5mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:5mm; Diamètre, perçage nom.:5mm; Diamètre, élargi:10mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858 MANCHON H75 X 25MM ROUGE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:7.5mm; Couleur gaines:Rouge; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rouge; Diamètre, câble max..:15mm; Diamètre, câble min.:7.5mm; Diamètre, perçage max..:15mm; Diamètre, perçage min.:7.5mm; Diamètre, perçage nom.:7.5mm; Diamètre, élargi:15mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan MANCHON THERMORETRACTABLE PQ501; Type de connecteur:Manchon souder; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:2.3mm; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Couleur de la gaine:Clear; Diamètre, retreint complet:2.3mm; Longueur:16mm; Matière:Polyolefin; Matériau de la gaine:Polyolefin; Taille de fil (AWG):18; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de terminaison: souder MANCHON THERMORETRACTABLE PQ100; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:1.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur:Transparent / Clair; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:26mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilis MANCHON THERMORETRACTABLE PQ52; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:13mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de termin MANCHON H50X25 NOIR PQ500; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:5mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:10mm; Diamètre, câble min.:5mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:5mm; Diamètre, perçage nom.:5mm; Diamètre, élargi:10mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def MANCHON H75X25 NOIR PQ500; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:7.5mm; Couleur gaines:Noir; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:15mm; Diamètre, câble min.:7.5mm; Diamètre, perçage max..:15mm; Diamètre, perçage min.:7.5mm; Diamètre, perçage nom.:7.5mm; Diamètre, élargi:15mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; No MANCHON H12 X 20MM BLEU PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.2mm; Couleur gaines:Bleu; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Bleu; Diamètre, câble max..:2.4mm; Diamètre, câble min.:1.2mm; Diamètre, perçage max..:2.4mm; Diamètre, perçage min.:1.2mm; Diamètre, perçage nom.:1.2mm; Diamètre, élargi:2.4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élastic MANCHON H12 X 20MM ROUGE PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:20mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:1.2mm; Couleur gaines:Rouge; Approval Bodies:BS; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Rouge; Diamètre, câble max..:2.4mm; Diamètre, câble min.:1.2mm; Diamètre, perçage max..:2.4mm; Diamètre, perçage min.:1.2mm; Diamètre, perçage nom.:1.2mm; Diamètre, élargi:2.4mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:20mm; Matière:Néoprène haute élas MANCHON H50 X 25 BLEU PQ100; Type d'accessoire:Sleeving; Type de gaine / tube:Serrage; Longueur:25mm; Matériau gaines:Polychloroprène; Diamètre intérieur:5mm; Couleur gaines:Bleu; Body Material:Polychloroprene; Couleur:Bleu; Diamètre, câble max..:10mm; Diamètre, câble min.:5mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:5mm; Diamètre, perçage nom.:5mm; Diamètre, élargi:10mm; Inflammabilité:UL94-HB; Longueur/hauteur:25mm; Matière:Néoprène haute élasticité; Normes:Def Stan 59-15 BS3858 MANCHON 2V; Série:SURE-SEAL; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:Sure-Seal Connectors; Nombre de positions:2; Matériau anti-traction:Elastomère; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Couleur:Noir; IP / NEMA Rating:IP66A; Matière:Perbunane ou butadiène nitrile; Nombre de voies:2; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C MANCHON THERMORETRACTABLE PQ102; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:2.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de term MANCHON THERMORETRACTABLE PQ51; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:10.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de term MANCHON THERMORETRACTABLE PQ500; Type de connecteur:Matériel; Méthode de terminaison:A souder; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Diamètre, retreint complet:1.5mm; Longueur:16mm; Matière:Polyolefin; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de terminaison: souder MANCHON THERMORETRACTABLE PQ103; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:4.5mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de term MANCHON THERMORETRACTABLE PQ50; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:8.7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de terminaison: souder MANCHON THERMORETRACTABLE PQ12; Type de connecteur:Manchon souder; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:21mm; Matière:Polyolefin; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de câble coaxial:RG174; Type de terminaison: souder MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:RT-375; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Fluoropolymère; Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:1.6mm; I.D. Max récupéré:0.8mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:Fluoropolymer; Couleur:Clair; Diamètre intérieur:1.6mm; Diamètre, avant rétreint:1.6mm; Diamètre, câble max..:1.6mm; Diam MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:RT-375; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Fluoropolymère; Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:9.5mm; I.D. Max récupéré:4.8mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:Fluoropolymer; Couleur:Clair; Diamètre intérieur:9.5mm; Diamètre, avant rétreint:9.5mm; Diamètre, câble max..:9.5mm; Diam MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:RT-375; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Fluoropolymère; Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:19.1mm; I.D. Max récupéré:9.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:Fluoropolymer; Couleur:Clair; Diamètre intérieur:19.1mm; Diamètre, avant rétreint:19.1mm; Diamètre, câble max..:19.1mm; MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:RT-375; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Fluoropolymère; Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:25.4mm; I.D. Max récupéré:12.7mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:Fluoropolymer; Couleur:Clair; Diamètre intérieur:25.4mm; Diamètre, avant rétreint:25.4mm; Diamètre, câble max..:25.4mm; MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:DWFC; Shrink Ratio:4:1; I.D. Fourni:12mm; I.D. Max récupéré:3mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Couleur:Transparent; Diamètre intérieur:12mm; Diamètre, avant rétreint:12mm; Diamètre, câble max..:12mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, retreint complet:3mm; Longueur de bobine (Impérial):3ft; Longueur en pouces:3.94ft; Longueur, bobi MANCHON THERMORETRACTABLE RNF 150M; Série:RNF-100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:3.2mm; I.D. Max récupéré:1.6mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):150m; Longueur totale - Impérial:492ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:3.2mm; Diamètre, avant rétreint:3.2mm; Diamètre, câble max..:3.2mm; Diamètre, câb MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:DWFC; Shrink Ratio:4:1; I.D. Fourni:8mm; I.D. Max récupéré:2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Couleur:Transparent; Diamètre intérieur:8mm; Diamètre, avant rétreint:8mm; Diamètre, câble max..:8mm; Diamètre, câble min.:2mm; Diamètre, retreint complet:2mm; Longueur de bobine (Impérial):3ft; Longueur en pouces:3.94ft; Longueur, bobine:1 MANCHON THERMORATRACTABLE 300MM; Série:SST; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polymère; Shrink Ratio:3:1; I.D. Fourni:68.6mm; I.D. Max récupéré:22.9mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):300mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:ABS / DNV / LLOYDS; Body Material:Polymer; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:68.6mm; Diamètre, avant rétreint:68.6mm; Diamètre, câble max..:68.6mm; Diamètre, câble min.:22.9mm; Diamètre, retreint complet:22.9mm; E MANCHON THERMORETRACTABLE; Série:222A1; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:4.5:1; I.D. Fourni:24.9mm; I.D. Max récupéré:5.3mm; Epaisseur panneau rétablie:1.3mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:24.9mm; Diamètre, avant rétreint:24mm; Diamètre, câble max..:24.9mm; Diamètre, câble min.:5.3mm; Diamètre, retreint complet:5.3mm; Matière:Polyolefin; T MANCHON THERMORETRACTABLE NOIR 1.2M; Série:RNF-100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:76mm; I.D. Max récupéré:38mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:76mm; Diamètre, avant rétreint:76mm; Diamètre, câble max..:76.2mm; Diamètre, câbl MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:RT-375; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Fluoropolymère; Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:6.4mm; I.D. Max récupéré:3.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:Fluoropolymer; Couleur:Clair; Diamètre intérieur:6.4mm; Diamètre, avant rétreint:6.4mm; Diamètre, câble max..:6.4mm; Diam MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:DWFC; Shrink Ratio:4:1; I.D. Fourni:4mm; I.D. Max récupéré:1mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Couleur:Transparent; Diamètre intérieur:4mm; Diamètre, avant rétreint:4mm; Diamètre, câble max..:4mm; Diamètre, câble min.:1mm; Diamètre, retreint complet:1mm; Longueur de bobine (Impérial):3ft; Longueur en pouces:3.94ft; Longueur, bobine:1 MANCHON THERMORETRACTABLE NOIR 300MM; Série:SST; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polymère; Shrink Ratio:3:1; I.D. Fourni:43.2mm; I.D. Max récupéré:12.7mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):300mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:ABS / DNV / LLOYDS; Body Material:Polymer; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:43.2mm; Diamètre, avant rétreint:43.2mm; Diamètre, câble max..:43.2mm; Diamètre, câble min.:12.7mm; Diamètre, retreint complet:12.7 MANCHON THERMORETRACTABLE RNF 75M; Série:RNF-100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:6.4mm; I.D. Max récupéré:3.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):75m; Longueur totale - Impérial:246ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:6.4mm; Diamètre, avant rétreint:6.4mm; Diamètre, câble max..:6.4mm; Diamètre, câble MANCHON THERMORETRACTABLE RNF 60M; Série:RNF-100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:19mm; I.D. Max récupéré:9.5mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):60m; Longueur totale - Impérial:196.85ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:19mm; Diamètre, avant rétreint:19mm; Diamètre, câble max..:19.1mm; Diamètre, câbl MANCHON 3/4V; Série:SURE-SEAL; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:Sure-Seal Connectors; Nombre de positions:4; Matériau anti-traction:Elastomère; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Couleur:Noir; IP / NEMA Rating:IP66A; Matière:Perbunane ou butadiène nitrile; Nombre de voies:3/4; Température de fonctionnement max..:105°C; Température d'utilisation min:-40°C MANCHON THERMO. PQ100; Type de connecteur:Manchon souder; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:22mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Numéro AWG:22AWG; Taille de fil (AWG):24-22; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de terminaison: souder MANCHON THERMORETRACTABLE PQ101; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:1.95mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:26mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de ter MANCHON THERMORETRACTABLE PQ104; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:6mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de termin MANCHON THERMORETRACTABLE PQ105; Type de connecteur:Manchon souder; Série:B-155; Insulator Colour:Clair; Méthode de terminaison:A souder; Taille Stud / Tab:7mm; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Polyoléfine; Connector Type:Matériel; Contact Material:Cuivre; Contact Plating:Etain; Couleur de la gaine:Clear; Longueur/hauteur:42mm; Matériau de la gaine:Polyolefin; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de termin MANCHON ANTITORSION; Type d'accessoire:Strain Relief; Type de canon isolant:Ouvert; Diamètre trou de fixation:9mm; Diamètre, câble max..:5.5mm; Diamètre, câble min.:5.3mm; Matériau passe-fils:PVC (Chlorure de polyvinyle); Couleur passe-fils:Noir; Body Material:PVC (Polyvinyl Chloride); Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Black; Diamètre, trous de fixation:9mm; Matière:PVC sans cadmium MANCHON THERMORETRACTABLE NOIR 1.2M; Série:RNF-100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:102mm; I.D. Max récupéré:51mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:102mm; Diamètre, avant rétreint:102mm; Diamètre, câble max..:101.6mm; Diamètre, MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:RT-375; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Fluoropolymère; Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:1.2mm; I.D. Max récupéré:0.6mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:Fluoropolymer; Couleur:Clair; Diamètre intérieur:1.2mm; Diamètre, avant rétreint:1.2mm; Diamètre, câble max..:1.2mm; Diam MANCHON THERMORETRACTABLE 150MM; Série:SST; Matériau gaines / manchons thermorétractables:Polymère; Shrink Ratio:3:1; I.D. Fourni:10.2mm; I.D. Max récupéré:3.8mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):150mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:ABS / DNV / LLOYDS; Body Material:Polymer; Couleur:Noir; Diamètre intérieur:10.2mm; Diamètre, avant rétreint:10.2mm; Diamètre, câble max..:10.2mm; Diamètre, câble min.:3.9mm; Diamètre, retreint complet:3.8mm; Epai MANCHON THERMORETRACTABLE RNF 91M; Série:RNF-100; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:12.7mm; I.D. Max récupéré:6.4mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):91m; Longueur totale - Impérial:298.56ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / MIL Spec / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:12.7mm; Diamètre, avant rétreint:12.7mm; Diamètre, câble max..:12.7mm; Diamètre VANNE A MANCHON COULISSANT M5X0.8; Température de fonctionnement:-10°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre du port:2mm; Valve Type:3/2 Boisseau; Diamètre ext du tube:2mm; Matière:Corps: laiton nickelé, Manchon :alu; Pression d'utilisation max.:232Psi; Pression max:16bar; Taille du filetage:M5x08; Taille orifice:2 DN; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-10°C VANNE A MANCHON COULISSANT G1/4; Température de fonctionnement:-10°C +80°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre du port:7mm; Valve Type:3/2 Boisseau; Diamètre ext du tube:7mm; Matière:Corps: laiton nickelé, Manchon :alu; Pression d'utilisation max.:232Psi; Pression max:16bar; Taille du filetage:G1/4; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-10°C OUTIL A MANCHON MANCHON POUR IEC; Série:DIP Moulded; Type d'accessoire:Insulating Cover; A utiliser avec:IEC Inlets, Outlets and Filters; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:6mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur:63mm; Matière:PVC; Type de connecteur:Cache-poussière et protecteur MANCHON ISOLANT; Type d'accessoire:Insulation Boot; A utiliser avec:General Purpose Connectors; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Black; Diamètre, câble max..:5.5mm; Longueur/hauteur:30mm; Matière:PVC noir; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-20°C MANCHON DE CONNEXION ORANGE; Type d'accessoire:Waterproof Connection Casing; Catégorie d'approbation:NF; Connector Type:Goulotte de connexion; Couleur:Orange; IP / NEMA Rating:IP54 MANCHON. E-SPRING. NATUREL; Type d'accessoire:Spring Sleeve; Type de gaine / tube:de protection; Longueur:24.7mm; Matériau gaines:Polyamide 6.6; Couleur gaines:Naturel; A utiliser avec:336074, 336075, 336076 Terminals; Body Material:PA 66 (Polyamide); Couleur:Natural MANCHON DE PROTECTION. IP68. FICHE S; Série:Core; Type d'accessoire:Sleeve; A utiliser avec:S Series Cable Mounted Plugs MANCHON DE PROTECTION. IP68. EMBASE KE; Série:Core; Type d'accessoire:Sleeve; A utiliser avec:KE Series Cable Mounted Receptacles MANCHON 17-13AWG; Insulator Colour:Rouge; Wire Size (AWG):20AWG 15AWG; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:Nylon; Taille de fil (AWG):17-13 MANCHON FIL A FIL. 22-18AWG; Type de connecteur:Bornier; Série:SIAMEZE; Wire Size (AWG):34AWG 18AWG; Matériau du contact:Laiton; Taille de fil (AWG):22-18 MANCHON DE PROTECTION. IP68. EMBASE KE; Série:Core; Type d'accessoire:Sleeve; A utiliser avec:KE Series Cable Mounted Receptacles MANCHON. 35MM; Type d'accessoire:Crimping Sleeve; Matériau gaines:Cuivre; A utiliser avec:HF06 Series Contacts MANCHON A SOUDER. DIA 6MM; Type de connecteur:Manchon souder; Insulator Colour:Bleu; Méthode de terminaison:A souder; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:PVDF MANCHON DE PROTECTION. IP68. EMBASE KE; Série:Core; Type d'accessoire:Sleeve; A utiliser avec:KE Series Cable Mounted Receptacles; Matériau du corps du connecteur:Elastomère thermoplastique MANCHON; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON. ISOLANT DIA. 3MM; Type d'accessoire:Insulation Sleeve; Type de gaine / tube:Isolant; Longueur:22.5mm; Matériau gaines:Polyamide 6.6; Couleur gaines:Naturel; A utiliser avec:FASTON Connectors, 6.3mm & 9.5mm Series Receptacle Contacts; Body Material:PA 66 (Polyamide); Couleur:Natural MANCHON A SERTIR PARALLELE ORANGE; Type de connecteur:Épissure; Série:STRATO-THERM; Insulator Colour:Orange; Wire Size (AWG):22AWG 16AWG; Matériau du contact:Nickel; Taille de fil (AWG):22-16 MANCHON FERME. 22-10AWG; Type de connecteur:Épissure; Insulator Colour:Violet; Méthode de terminaison:A sertir; Wire Size (AWG):22AWG 10AWG; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Etain; Insulator Material:PVC; Taille de fil (AWG):22-10 MANCHON DE PROTECTION. IP68. FICHE S; Série:Core; Type d'accessoire:Sleeve; A utiliser avec:S Series Cable Mounted Plugs MANCHON DE PROTECTION. IP68. EMBASE KE; Série:Core; Type d'accessoire:Sleeve; A utiliser avec:KE Series Cable Mounted Receptacles MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 MANCHON ISOLATION DD12. KE. KM. KMF; Type d'accessoire:Insulation Boot; A utiliser avec:DD12, EC11, KE, KM, KMF Series Power Entry Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MANCHON ISOLANT PQ5; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:Mains Connector; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:4mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur:52mm; Matière:PVC; Type de connecteur:Cache-poussière et protecteur OUTIL A MANCHON; A utiliser avec:623-21220 Prongs MANCHON POUR SERIE 200. 6.35MM; Série:100; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MANCHON POUR IEC; Série:DIP Moulded; Type d'accessoire:Insulating Cover; A utiliser avec:IEC Inlets, Outlets and Filters; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:5mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur:48mm; Matière:PVC; Type de connecteur:Cache-poussière et protecteur MANCHON POUR MODULE HAN 100A; Série:HAN; Type d'accessoire:Cable Shoe; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Argent; Courant:100A; Degré de pollution:3; Insulator Material:Polycarbonate; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:2; Numéro AWG max..:5AWG; Numéro AWG min.:2AWG; Résistance d'isolement:10000Mohm; Résistance, contact:0.3mohm; Taille de fil, mm2 max..:35mmË›; Taille de fil, mm2 min.:16mmË›; Température de fonctionnement max..:125°C; MANCHON ISOLATION KEC. KFA. KFC; Type d'accessoire:Insulation Boot; A utiliser avec:KEC, KFA, KFB2, KFC Series Power Entry Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MANCHON ISOLATION FKH. KD. KM; Type d'accessoire:Insulation Boot; A utiliser avec:FKG, FKH, FKHD, FKI, FKID, KD, KM, 5145, 6135, 6145 Series Power Entry Modules; Matériau du corps du connecteur:Thermoplastique; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MANCHON COSSE 4.8MM; Série:STO; Type d'accessoire:Cover; A utiliser avec:4.8mm Receptacle Tab Terminals; Matériau du corps du connecteur:PA66; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Clear; Largeur (externe):4.8mm; Matière:PA66 MANCHON PROTECTEUR NOIR CABLE DIA 6; Couleur:Noir; Matière:PVC; Matériau du corps du connecteur:PVC; Nombre de voies:0 MANCHON BLANC PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:1.1mm; I.D. Max:3.2mm; Background Colour:Blanc; Approval Bodies:CSA / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Blanc; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Blanc; Diamètre intérieur:3.2mm; Diamètre, avant rétreint:3.2mm; Diamètre, câble max..:3.2mm; Diamètre, câble min.:1.1mm; Diamètre, retreint complet:1.1mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:3.2mm; I.D. Max récupéré:1.1mm; MANCHON BLANC PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:4.2mm; I.D. Max:12.7mm; Background Colour:Blanc; Approval Bodies:CSA / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Blanc; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Blanc; Diamètre intérieur:12.7mm; Diamètre, avant rétreint:12.7mm; Diamètre, câble max..:12.7mm; Diamètre, câble min.:4.22mm; Diamètre, retreint complet:4.2mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:12.7mm; I.D. Max récupéré:4 MANCHON JAUNE PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:1.1mm; I.D. Max:3.2mm; Background Colour:Jaune; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Diamètre intérieur:3.2mm; Diamètre, avant rétreint:3.2mm; Diamètre, câble max..:3.2mm; Diamètre, câble min.:1.1mm; Diamètre, retreint complet:1.1mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:3.2mm; I.D. Max récupéré:1.1mm; Inflammabilité:UL224/VW1; MANCHON JAUNE PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:1.6mm; I.D. Max:4.8mm; Background Colour:Jaune; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Diamètre intérieur:4.8mm; Diamètre, avant rétreint:4.8mm; Diamètre, câble max..:4.8mm; Diamètre, câble min.:1.6mm; Diamètre, retreint complet:1.6mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:4.8mm; I.D. Max récupéré:1.6mm; Inflammabilité:UL224/VW1; MANCHON JAUNE PQ250; Série:RPS; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:3:1; I.D. Fourni:19mm; I.D. Max récupéré:6.4mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Longueur (métrique):50.8mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Diamètre intérieur:19mm; Diamètre, avant rétreint:19mm; Diamètre, câble max..:19mm; Diamètre, câble min.:6.35mm; Diamètre, retreint complet:6.4mm; Force de tension:1200Psi; Inflammabilité MANCHON POUR IEC; Série:DIP Moulded; Type d'accessoire:Insulating Cover; A utiliser avec:IEC Inlets, Outlets and Filters; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:6mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur:46mm; Matière:PVC; Type de connecteur:Cache-poussière et protecteur MANCHON COSSE 2.8MM; Série:STO; Type d'accessoire:Cover; A utiliser avec:2.8mm Receptacle Tab Terminals; Matériau du corps du connecteur:PA66; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Clear; Largeur (externe):2.8mm; Matière:PA66 MANCHON LFO 6.35MM TAB; Série:250; Type d'accessoire:Cover; A utiliser avec:6.3mm Flag Receptacle Tab Terminals; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Clear; Largeur (externe):6.3mm; Matière:Polyamide 6.6 MANCHON POUR FICHE BNC (PAQUET DE 10); Type d'accessoire:Strain Relief; A utiliser avec:Crimp Plugs; Matériau anti-traction:PVC; Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Noir; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction MANCHON POUR FICHE BNC; Type d'accessoire:Strain Relief; A utiliser avec:Crimp Plugs; Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Bleu; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction PINCE A MANCHONNER; A utiliser avec:Solid & Stranded Wires; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, câble max..:9mm; Diamètre, câble min.:1.75mm MANCHON RETRACTABLE; Série:202A1; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:1.7:1; I.D. Fourni:31mm; I.D. Max récupéré:7.4mm; Epaisseur panneau rétablie:1.78mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:31mm; Diamètre, avant rétreint:31mm; Diamètre, câble max..:31mm; Diamètre, câble min.:7.4mm; Diamètre, retreint complet:17.8mm; Matière:Polyolefin; Température MANCHON RETRACTABLE; Série:202A1; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:1.6:1; I.D. Fourni:36.1mm; I.D. Max récupéré:8.6mm; Epaisseur panneau rétablie:1.78mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:36.1mm; Diamètre, avant rétreint:36mm; Diamètre, câble max..:36.1mm; Diamètre, câble min.:8.6mm; Diamètre, retreint complet:21.9mm; Matière:Polyolefin; Tempé MANCHON RETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:26.9mm; I.D. Max récupéré:12.4mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):38mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:26.9mm; Diamètre, avant rétreint:26.9mm; Diamètre, câble max..:26.9mm; Diamètre, câble min.:12.4mm; Diamètre, retreint complet:12.4mm; Longueur/hauteur:38.0mm; Matière:Polyolefin; MANCHON PROTECTEUR NOIR CABLE DIA 2.6; Type d'accessoire:Strain Relief; Matériau anti-traction:Tefabloc; Couleur:Noir; Matière:PVC; Nombre de voies:0 MANCHON PROTECTEUR NOIR CABLE DIA 5; Couleur:Noir; Matière:PVC; Matériau du corps du connecteur:PVC; Nombre de voies:0 MANCHON ANTI-TRACTION XLR ORANGE; Série:X; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XLR Cable Connectors, Jacks, NE8MC-1 and NE8MC-B-1 Cable Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Orange MANCHONS CONNECTEUR REAR TWIST VIOLET; Type d'accessoire:Boot; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Violet MANCHON BLANC PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:2.1mm; I.D. Max:6.4mm; Background Colour:Blanc; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Blanc; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Blanc; Diamètre intérieur:6.4mm; Diamètre, avant rétreint:6.4mm; Diamètre, câble max..:6.4mm; Diamètre, câble min.:2.1mm; Diamètre, retreint complet:2.1mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:6.4mm; I.D. Max récupéré:2.1mm; Inflammabilité:UL224/VW1; MANCHON JAUNE PQ250; Série:RPS; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:3:1; I.D. Fourni:9.5mm; I.D. Max récupéré:3.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Longueur (métrique):50.8mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Diamètre intérieur:9.5mm; Diamètre, avant rétreint:9.5mm; Diamètre, câble max..:9.53mm; Diamètre, câble min.:3.18mm; Diamètre, retreint complet:3.2mm; Force de MANCHON RETRACTABLE; Série:202A1; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2.4:1; I.D. Fourni:24.6mm; I.D. Max récupéré:5.3mm; Epaisseur panneau rétablie:1.52mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:24.6mm; Diamètre, avant rétreint:24mm; Diamètre, câble max..:24.6mm; Diamètre, câble min.:5.3mm; Diamètre, retreint complet:9.9mm; Matière:Polyolefin; Tempér MANCHON RETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:13.2mm; I.D. Max récupéré:6.1mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):22mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:13.2mm; Diamètre, avant rétreint:13.2mm; Diamètre, câble max..:13.2mm; Diamètre, câble min.:6.1mm; Diamètre, retreint complet:6.1mm; Longueur/hauteur:22.0mm; Matière:Polyolefin; Tem MANCHON ISOLATION CG. DF11. DF12. KG; Type d'accessoire:Insulation Boot; A utiliser avec:CG, DF11, DF12, EF11, EF12, KG Series Power Entry Modules; Matériau du corps du connecteur:Thermoplastique; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MANCHON ISOLATION CD; Type d'accessoire:Insulation Boot; A utiliser avec:CD Series Power Entry Modules; Matériau du corps du connecteur:Thermoplastique; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MANCHON PROTECTEUR ROUGE; Couleur:Rouge; Matière:PVC; Matériau du corps du connecteur:PVC MANCHON PROTECTEUR ROUGE; Couleur:Rouge; Matière:PVC; Matériau du corps du connecteur:PVC; Nombre de voies:0 MANCHON POUR FICHE FEMELLE; Série:F; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:F Connectors; Matériau anti-traction:Polypropylene; Connector Type:Enveloppe; Couleur:Black; Diamètre du corps:18.2mm; Longueur/hauteur:49.6mm; Matière:Polypropylène; Type de connecteur:Enveloppe MANCHON THERMORETRACTABLE INCOLORE 1.2M; Série:DWFC; Shrink Ratio:4:1; I.D. Fourni:16mm; I.D. Max récupéré:4mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Transparent; Longueur (métrique):1.2m; Longueur totale - Impérial:3.94ft; Type d'accessoire:Heatshrink; Couleur:Transparent; Diamètre intérieur:16mm; Diamètre, avant rétreint:16mm; Diamètre, câble max..:16mm; Diamètre, câble min.:4mm; Diamètre, retreint complet:4mm; Longueur de bobine (Impérial):3ft; Longueur en pouces:3.94ft; Longueur, bobi MANCHON POUR FICHE BNC; Type d'accessoire:Strain Relief; A utiliser avec:Crimp Plugs; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Noir; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction MANCHON POUR FICHE BNC; Type d'accessoire:Strain Relief; A utiliser avec:Crimp Plugs; Matériau anti-traction:PVC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Décharge de traction; Couleur:Jaune; Matière:PVC; Type de connecteur:Décharge de traction MANCHON ANTI-TRACTION XLR JAUNE; Série:X; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XLR Cable Connectors, Jacks, NE8MC-1 and NE8MC-B-1 Cable Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Jaune MANCHON ANTI-TRACTION XLR VIOLET; Série:X; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XLR Cable Connectors, Jacks, NE8MC-1 and NE8MC-B-1 Cable Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Violet MANCHON ANTI-TRACTION XLR GRIS; Série:X; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XLR Cable Connectors, Jacks, NE8MC-1 and NE8MC-B-1 Cable Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Gris MANCHON ANTI-TRACTION XLR BLANC; Série:X; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XLR Cable Connectors, Jacks, NE8MC-1 and NE8MC-B-1 Cable Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Blanc MANCHONS CONNECTEUR REAR TWIST ROUGE; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:Rear Twist BNC 75ohm Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Rouge; Type de connecteur:Enveloppe MANCHON POUR IEC; Série:DIP Moulded; Type d'accessoire:Insulating Cover; A utiliser avec:IEC Inlets, Outlets and Filters; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Diamètre, câble max..:6mm; Inflammabilité:UL94V-0; Longueur:59mm; Matière:PVC; Matériau anti-traction:PVC; Type de connecteur:Cache-poussière et protecteur MANCHON MARRON POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Marron; Matière:POM MANCHON JAUNE POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Jaune; Matière:POM MANCHON VIOLET POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Violet; Matière:POM MANCHON BLANC PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:1.6mm; I.D. Max:4.8mm; Background Colour:Blanc; Approval Bodies:CSA / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Blanc; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Blanc; Diamètre intérieur:4.8mm; Diamètre, avant rétreint:4.8mm; Diamètre, câble max..:4.8mm; Diamètre, câble min.:1.6mm; Diamètre, retreint complet:1.6mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:4.8mm; I.D. Max récupéré:1.6mm; MANCHON JAUNE PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:2.1mm; I.D. Max:6.4mm; Background Colour:Jaune; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Diamètre intérieur:6.4mm; Diamètre, avant rétreint:6.4mm; Diamètre, câble max..:6.4mm; Diamètre, câble min.:2.1mm; Diamètre, retreint complet:2.1mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:6.4mm; I.D. Max récupéré:2.1mm; Inflammabilité:UL224/VW1; MANCHON JAUNE PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:4.2mm; I.D. Max:12.7mm; Background Colour:Jaune; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Diamètre intérieur:12.7mm; Diamètre, avant rétreint:12.7mm; Diamètre, câble max..:12.7mm; Diamètre, câble min.:4.22mm; Diamètre, retreint complet:4.2mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:12.7mm; I.D. Max récupéré:4.2mm; Inflammabilité:UL224 MANCHON ORANGE POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Orange; Matière:POM MANCHON NOIR POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Noir; Matière:POM MANCHON ANTI-TRACTION XLR VERT; Série:X; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XLR Cable Connectors, Jacks, NE8MC-1 and NE8MC-B-1 Cable Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Vert MANCHONS CONNECTEUR REAR TWIST MARRON; Type d'accessoire:Boot; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Marron MANCHONS CONNECTEUR REAR TWIST JAUNE; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:Rear Twist BNC 75ohm Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Jaune; Type de connecteur:Enveloppe MANCHONS CONNECTEUR REAR TWIST BLANC; Type d'accessoire:Bushing; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Blanc MANCHON BLANC PQ250; Type d'accessoire:Heatshrink; Matériau marqueur:Polyoléfine; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:3.2mm; I.D. Max:9.53mm; Background Colour:Blanc; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Blanc; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Blanc; Diamètre intérieur:9.5mm; Diamètre, avant rétreint:9.5mm; Diamètre, câble max..:9.53mm; Diamètre, câble min.:3.18mm; Diamètre, retreint complet:3.2mm; Force de tension:1200Psi; I.D. Fourni:9.5mm; I.D. Max récupéré:3.2mm; Inflammabilité:UL224/VW MANCHON BLANC PQ250; Série:RPS; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:3:1; I.D. Fourni:19mm; I.D. Max récupéré:6.4mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Blanc; Longueur (métrique):50.8mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Approval Bodies:CSA / UL; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Blanc; Diamètre intérieur:19mm; Diamètre, avant rétreint:19mm; Diamètre, câble max..:19mm; Diamètre, câble min.:6.35mm; Diamètre, retreint complet:6.4mm; Force de tensi MANCHON PROTECTEUR VERT; Couleur:Vert; Matière:PVC; Matériau du corps du connecteur:PVC; Nombre de voies:0 MANCHON RETRACTABLE; Série:202A1; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:28.4mm; I.D. Max récupéré:6.6mm; Epaisseur panneau rétablie:1.78mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:28.4mm; Diamètre, avant rétreint:28mm; Diamètre, câble max..:28.4mm; Diamètre, câble min.:6.6mm; Diamètre, retreint complet:14.2mm; Matière:Polyolefin; Tempéra MANCHON RETRACTABLE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:26.9mm; I.D. Max récupéré:13.2mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Noir; Longueur (métrique):93mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Noir; Diamètre intérieur:26.9mm; Diamètre, avant rétreint:26.9mm; Diamètre, câble max..:26.9mm; Diamètre, câble min.:13.2mm; Diamètre, retreint complet:13.2mm; Longueur en pouces:3.67''; Longueur/hauteur:9 MANCHON THERMO RETRAC. 3.65MX11.15MM; Background Colour:Blanc; Couleur:Black; Largeur, bande:11.15mm; Longueur, bande:3.65m; Matière:Heat Shrink Polyolefin MANCHON THERMO JAUNE 3.65MX11.15MM; Background Colour:Jaune; Couleur:Black; Largeur, bande:11.15mm; Longueur, bande:3.65m; Matière:Heat Shrink Polyolefin KIT DE MANCHONS; Température de fonctionnement max..:60°C MANCHON PROTECTEUR VERT; Couleur:Vert; Matière:PVC; Matériau du corps du connecteur:PVC; Nombre de voies:0 MANCHON BLEU POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Bleu; Matière:POM MANCHON GRIS POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Gris; Matière:POM MANCHON BLANC POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Blanc; Matière:POM MANCHON ROUGE POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Rouge; Matière:POM MANCHON VERT POUR XLR SERIE XX; Série:XX; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Bague; Couleur:Vert; Matière:POM MANCHONS CONNECTEUR REAR TWIST BLEU; Type d'accessoire:Boot; A utiliser avec:Rear Twist BNC 75ohm Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Enveloppe; Couleur:Bleu; Type de connecteur:Enveloppe MANCHON MS3057A; Série:97 Series; Type d'accessoire:Bushing; A utiliser avec:Amphenol's 97 Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:MIL-DTL-5015 TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:106A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:5310pF; Courant, Id max..:106A; Courant, Idm impul.:550A; Dissipation de puissance:200W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:430mJ; Marquage, CMS:F3808; Puissance Pd:20 TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3000pF; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:470A; Dissipation de puissance:140W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:120mJ; Marquage, CMS:F4104; Puissance Pd:1 TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:91A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:140W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR1010ZPBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:91W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:250A; Dissipation de puissance:91W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR48ZPBF; N TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:58A; Dissipation de puissance:2.5W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.5W; Temps de descente:36ns; Temps de mo TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:880pF; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:3.8W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:110mJ; Marquage, CMS:Z34NS; Puissance Pd:3.8W TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance:48W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRLR120NPBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; P TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance:48W; Marquage, CMS:IRL520NPBF; Puissance Pd:48W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:210A; Dissipation de puissance:110W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR2307ZPBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):24.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:48W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR4105ZPBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:140W; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU1010ZPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Puissance Pd:140W; Style de boî TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2900pF; Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:160W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:170mJ; Nombre de transistors:1; Pas:2.54m TRANSISTOR MOSFET P I-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):205mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:66W; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU5410PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Puissance Pd:66W; Style de boît TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:2.1W; Largeur (externe):6.7mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:FL4105; Nombre de transistors:1; Profondeur:7.3mm; Pu TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:210A; Dissipation de puissance:130W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:130W; Puissance, Ptot:130W; Température, courant:25°C; Température, TRANSISTOR MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.6A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:30W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:30W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.1A; Courant, Idm impul.:8.4A; Dissipation de puissance:35W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:35W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:110W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:310mJ; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:110W; Pu TRANSISTOR IGBT D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:18A; Tension, Vce sat max..:2.1V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:18A; Courant, Icm impulsionnel:36A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de montée:41ns; Tension Vces:600V; Type de boîtier:D2-PAK (TO-263); T TRANSISTOR IGBT D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:31A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente, max.: TRANSISTOR IGBT TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:98A; Tension, Vce sat max..:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:250V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:98A; Courant, Icm impulsionnel:196A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de descente, max.:940ns; Temps de m TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Hfe, min.:30; Marquage composant:2N3439; Nombre de transist TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:45V TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1S1,2G1,3S2,4G2,(5&6)D2,(8&7)D1; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:79A; Dissipation de puissance:2W; Nombre de transistors:2; Puissance Pd:2W; Temps de descente:6.3ns; Te TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:2.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1S1,2G1,3S2,4G2,(5&6)D2,(8&7)D1; Courant, Id cont, canal P:1.5A; Courant, Id imp, canal P:6A; Courant, Id max..:2.1A; Courant, Idm cont., canal N 1:2.1A; Courant, Idm impu TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2900pF; Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:160W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:170mJ; Marquage, CMS:F3710; Puissance Pd:16 TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1700pF; Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:150W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:230mJ; Marquage, CMS:F540S; Puissance Pd:15 TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:140W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR3710ZPBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:480A; Dissipation de puissance:140W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR4104PBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:140W; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU3710ZPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Puissance Pd:140W; Style de boî TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):24.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:48W; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU4105ZPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Puissance Pd:48W; Style de boîti TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:3W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.5W; Temps de descente:17ns; Temps de mon TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.9A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:15A; Dissipation de puissance:2.5W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.5W; Temps de descente:9ns; Temps de TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.3A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:9.3A; Courant, Idm impul.:74A; Dissipation de puissance:2.5W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.5W; Temps de descente:12ns; Temps de mon TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:45W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRLR024NPBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; Pui TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:40; Marquage composant:BD139; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Te TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tens TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:60W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tensio TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:60W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BDX54B; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:25 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:75; Marquage composan TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:240; Marquage composant:B TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Marquage composant:BC546; TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:400mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:400mA; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:BS270; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:625mW; Température, courant:25°C; Tempéra TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2880pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:70A; Dissipation de puissance:150W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:182mJ; Format broche:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:144A; Dissipation de puissance:100W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:100W; Puissance, TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistor TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissan TRANSISTOR JFET CANAL N BOITIER TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:6mA 15mA; Tension, Vgs off max..:8V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HFA; Config. Brochage:k; Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Format broche:k; Gfs, max..:6.5mA/V; Gfs, min.:3mA/V; Marquage TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11.5A; Courant, Idm impul.:50A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:FDS 6680; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:30V TRANSISTOR JFET CANAL N BOITIER TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-35V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:2mA; Tension, Vgs off max..:3V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:SW; Config. Brochage:m; Courant, Idss max..:2mA; Courant, Idss min.:2mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance:625mW; Format broche:m; Marquage composant:J113; Nombre de transistors:1; Pola OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:VDE; Ratio, CTR min:20%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Ratio, CTR min:19%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL / VDE; Courant, If, CTR:10mA; Ratio, CTR min:40%; Temps de descente:11è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, rupture min.:70V; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Ratio, CTR min:19%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:20%; Temps de descente:4.5è¾s; Temps de montée:2.8s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, rupture min.:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransi OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:20%; Temps de descente:4.5è¾s; Temps de montée:2.8è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, rupture min.:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototrans OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:50%; Temps de descente:4.5è¾s; Temps de montée:2.8è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, rupture min.:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototrans OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Ratio, CTR min:20%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:VDE; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:VDE; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, If, CTR:16mA; Ratio, CTR:12%; Ratio, CTR min:12%; Taux de transfert:1Mbps; Temps de propagation, CL:0.3è¾s; Temps de propagation, LC:0.45è¾s; Température de fonctionnement:-55° OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant Ic max..:400mA; Courant, Ic max.. permanent a:400mA; Courant, If, CTR:16mA; Ratio, CTR:7%; Ratio, CTR min:7%; Taux de transfert:1Mbps; Temps de propagation, CL:0.5è¾s; Temps de propagation, LC:0.45è¾s; Température de fonctionnement OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant Ic max..:400mA; Courant, Ic max.. permanent a:400mA; Courant, If, CTR:16mA; Ratio, CTR:19%; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfert:1Mbps; Temps de propagation, CL:0.3è¾s; Temps de propagation, LC:0.45è¾s; Température de fonctionneme OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:5.7s; Temps de montée:7.5s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, rupture min.:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransi OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, If moy.:10mA; Marquage composant:X001; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:200%; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:2è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de so OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:125%; Ratio, CTR min:63%; Temps de descente:6.7è¾s; Temps de montée:7è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:32V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:P OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:200%; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:6.7s; Temps de montée:7s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:32V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Ph OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:1mA; Ratio, CTR max.:320%; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor PHOTOTRANSISTOR T1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:925nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:30°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:30°; Courant, Ic typ.:3.2mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité max.. mW/cm3:0.8 0.5; Sensibilité min. mW/cm2:3.2 0.5; Sensibilité nom mW/cm4:3.2mA @ 1mW / cmË›; Temps de descente:1.5è¾s; Temps de montée:1.5è¾s; Tension, Vcc:5V; Transistor T RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:760mW; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:CMOS, PMOS 6V / 15V; Marquage composant:ULN2804AP; Nombre de transistors:8; Nombre de voies:8; Numéro de la fonction logi OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, If, CTR:16mA; Ratio, CTR:19%; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfert:1Mbps; Temps de propagation, CL:0.3è¾s; Temps de propagation, LC:0.45è¾s; Température de fonctionnement:-55° OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL / VDE; Courant, If, CTR:10mA; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:14è¾s; Temps de montée:3è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, rupture min.:70V; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, If, CTR:16mA; Ratio, CTR:7%; Ratio, CTR min:7%; Taux de transfert:1Mbps; Temps de propagation, CL:0.5è¾s; Temps de propagation, LC:0.45è¾s; Température de fonctionnement:-55°C OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:5.7è¾s; Temps de montée:7.5è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, rupture min.:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototran OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL / VDE; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:40%; Temps de descente:2.3è¾s; Temps de montée:1.6è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, rupture min.:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL / VDE; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:63%; Temps de descente:2.3è¾s; Temps de montée:1.6è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, rupture min.:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL / VDE; Courant, If moy.:10A; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:2.3è¾s; Temps de montée:1.6è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, rupture min.:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / EN / IEC / VDE; Courant, If moy.:10mA; Ratio, CTR:63%; Ratio, CTR min:63%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR H/V SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:300V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:125%; Ratio, CTR min:63%; Temps de descente:5.5è¾s; Temps de montée:2.5è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:300V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type d OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:320%; Ratio, CTR min:160%; Temps de descente:4.7è¾s; Temps de montée:4.2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:90V; Tension, sortie max..:90V; Type d'optocoupleur:Sorti PHOTOTRANSISTOR T3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:825nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:12°; Type de boîtier de transistor:T-3/4 (1.8mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:12°; Courant, Ic typ.:1mA; Longueur/hauteur:2.9mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité max.. mW/cm3:1.0 1; Sensibilité min. mW/cm2:0.5 1; Sensibilité nom mW/cm4:1mA @ 1mW / cmË›; Temps de descente:3.7è¾s; Temps de montée:3.7è¾s; Tension RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:760mW; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:CMOS, PMOS 6V / 15V; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Numéro de la fonction logique:2004; Numéro générique:200 TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-143; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Ban TRANSISTOR NPN RF SOT-343; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:4.5V; Fréquence de transition ft typ.:25GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:95; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.1dB; Courant Ic max..:30mA; Courant de collecteur:35mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Courant, Ic moy.:35mA; Courant, Ic TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:400mA; Dissipation de puissance:360mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hau TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:170mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:19pF; Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Courant, Idss max..:1è¾A; Différentiel de tension dv/dt:6kV/è¾s; Dissipation de puissance:360mW; Energie avalanche répét TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Icm impulsionnel:600mA; Dissipation de puissance:330mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Gain en courant hfe, max.. TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Icm impulsionnel:200mA; Dissipation de puissance:330mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant hfe, max..:3 TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:14.6A; Dissipation de puissance:83W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:83W; Puissance, Ptot:83W; Temp TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Dissipation de puissance:208W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:208W; Puissance, Pto TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:47A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:415W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:47A; Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:141A; Dissipation de puissance:415W; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR DOUBLE NPN SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Ban TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):100ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:40mA; Courant, Idm impul.:120mA; Dissipation de puissance:360mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hau TRANSISTOR FAST IGBT; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:46A; Tension, Vce sat max..:3.6V; Dissipation de puissance Pd:313W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:25A; Courant, Ic max.. permanent a:46A; Courant, Icm impulsionnel:84A; Dissipation de puissance:313W; Dissipation de puissance, max..:313W; Marquage composant:SKW25N120; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:313W; Puissance, Pt TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:13.5A; Dissipation de puissance:50W; Marquage, CMS:04N60C3; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:5 TRANSISTOR IGBT; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:195W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:80A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance:195W; Dissipation de puissance, max..:195W; Format broche:GCE; Marquage composant:SGH80N60UFDTU; Nombre de transistors:1; Po TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:54A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance:167W; Dissipation de puissance, max..:167W; Marquage composant:HGTG12N60A4D; Nombre de transistors:1; Polarit TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-248; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance:290W; Dissipation de puissance, max..:290W; Marquage composant:HGTG20N60A4D; Nombre de transistors:1; Polari TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1970pF; Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:210A; Dissipation de puissance:130W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:700mJ; Marquage, CMS:Z48NS; Puissance Pd:130 TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:480pF; Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:3.8W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:68mJ; Marquage, CMS:Z24NS; Puissance Pd:3.8W; TRANSISTOR MOSFET P D-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-8.8A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance:42W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR9024PBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5m TRANSISTOR MOSFET P FETKY SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:29A; Courant, Idm impul.:29A; Courant, If moy.:2.8A; Dissipation de puissance:2W; Marquage, CMS:F7326; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2W; Température, courant:25°C; Tempé TRANSISTOR IGBT D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:23A; Tension, Vce sat max..:2.1V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente:140ns; Temps de montée:9.6ns; Température, courant:25 TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:19A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:19A; Courant, Icm impulsionnel:38A; Dissipation de puissance:52W; Dissipation de puissance, max..:52W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:52W; Temps de montée:35ns; Ten TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:325W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Dissipation de puissance:215W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:325W; Puissance, Ptot:325W; Style de boîtier alternatif:SOT-24 TRANSISTOR MOSFET N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:50A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:FDS3692; Puissance Pd:2.5W; Température, courant:25°C TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:70MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:40; Marquage composant:2N1893; Tension, Vcb TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK/7; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:7580pF; Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:700A; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche répétitive max..:160mJ; Puissance Pd:300W; Temps, trr typ.:35ns; Temp TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.25V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:5; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:4860pF; Courant, Id max..:22A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:3.9W; Marquage, CMS:6611; Puissance Pd:3.9W; Temps, trr typ.:24ns; Tem TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3765pF; Courant, Id max..:19A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, CMS:661 TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET ST; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.35V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ST; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1300pF; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:2.1W; Marquage, CMS:66 TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MP; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1330pF; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:2.3W; Marquage, CMS:6637; Puissance Pd:2.3W; Temps, trr typ.:13ns; Température, Tj max..:150°C; Températur TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):7.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.9V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2060pF; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, C TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:5640pF; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, CMS:6678; Puissance Pd:2.8W; Temps, trr typ.:43ns; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min TRANSISTOR IGBT BOITIER D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temps de montée: TRANSISTOR JFET P TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:-4mA -16mA; Tension, Vgs off max..:6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LNA; Config. Brochage:n; Courant, Idss max..:16mA; Courant, Idss min.:4mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Format broche:n; Gfs, max..:6mA/V; Gfs, min.:2mA/V; Marquage composant:2N54 TRANSISTOR IGBT TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:42A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:42A; Courant, Ic moy.:42A; Courant, Icm impulsionnel:84A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temps de montée:15ns; Tension Vces:600V; Type TRANSISTOR IGBT TO-274AA; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:99A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:350W; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd: TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Marquage composant:BC547B TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Dissipation de puissance:830mW; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:830mW; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Te TRANSISTOR JFET CANAL N BOITIER TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-35V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:5mA; Tension, Vgs off max..:5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:SW; Config. Brochage:m; Courant, Idss max..:5mA; Courant, Idss min.:5mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance:350mW; Format broche:m; Marquage composant:J112; Nombre de transistors:1; Pola TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:-24A; Courant, Idm impul.:70A; Dissipation de puissance:50W; Format broche:1G,(2+Tab)D, 3S; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:60W; Puissan TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Configuration module:Double; Polarité transistor:N and P Channel; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Courant, Id max..:5.3A; Nombre de transistors:2; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS; Courant, Id cont, ca OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:7.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:5.7s; Temps de montée:7.5s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, rupture min.:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransi TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.45V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:5040pF; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, CMS:6619; Puissance Pd:2.8W; Temps, trr typ.:29ns; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj mi TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET SQ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SQ; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1460pF; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:2.2W; Marquage, CMS:6621; Puissance Pd:2.2W; Temps, trr typ.:9.8ns; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:- TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET MP; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1250pF; Courant, Idm impul.:132A; Dissipation de puissance:2.3W; Marquage, CMS:6633; Puissance Pd:2.3W; Temps, trr typ. TRANSISTOR IGBT TO-247AC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:3.2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:300W; Dissipation de puissance, max..:300W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd: TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BC807-16; TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:250; Marquage composant:BC817-40 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:125; Marquage compo TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ.:11 TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Marquage, CMS:D2; Nom TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:215; Marquage compo TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:U1; Nombre de TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:1 TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:7GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:150mA; Courant de collecteur:150mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:7GHz; Hfe, min.:80; Marquage, CMS:BFG135; Nombre de tra TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:3.5dB; Courant Ic max..:100mA; Courant de collecteur:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:800MHz; Ga TRANSISTOR JFET N SOT-23; Transistor Type:JFET; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:200è¾A 1.5mA; Tension, Vgs off max..:2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GPA; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:1mA; Courant, Ig:5mA; Dissipation de puissance:250mW; Marquage, CMS:M3p; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:250W; Température, puissanc TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:750mA; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:680mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-750mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:417mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteu TRANSISTOR MOSFET N 30V LFPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:98A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:33nC; Courant, Id max..:98A; Courant, Idm impul.:290A; Dissipation de puissance:62.5W; Largeur (externe):5mm; Longueur/haut TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:8.3W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:8.3W; Puissance, Ptot:8.3W; Te PHOTOTRANSISTOR T1.3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:930nm; Consommation de puissance:150mW; Angle, vision:15°; Type de boîtier de transistor:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:30°; Courant, Ic typ.:9mA; Longueur/hauteur:2.54mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:900nm; Sensibilité nom mW/cm4:9mA @ 1mW / cmË›; Temps de descente:3.3è¾s; Temps de montée:3.3è¾s; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 3/4 OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / EN / IEC; Courant, If moy.:10A; Ratio, CTR:63%; Ratio, CTR min:63%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Tension, rupture min.:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / EN / IEC / UL; Courant, If moy.:10mA; Marquage composant:X001; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:200%; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:2è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Type d'optoco OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Ratio, CTR max.:320%; Ratio, CTR min:160%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vce sat max..:0.5V; Tension, Vceo:50V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / EN / IEC / UL; Courant, If moy.:1mA; Ratio, CTR:160%; Ratio, CTR min:160%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:80%; Ratio, CTR min:40%; Temps de descente:6.7è¾s; Temps de montée:7è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:32V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Ph OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:10.16mm; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:15è¾s; Temps de montée:15è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:320%; Ratio, CTR min:160%; Temps de descente:4.7è¾s; Temps de montée:4è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:90V; Tension, sortie max..:90V; Type d'optocoupleur:Sortie OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Courant, If, CTR:5mA; Ratio, CTR min:50%; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Tension, rupture min.:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor PHOTOTRANSISTOR T1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:50°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:25°; Courant, Ic typ.:50mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:830nm; Sensibilité max.. mW/cm3:4.0@1; Sensibilité min. mW/cm2:1.5@1; Temps de descente:1.5è¾s; Temps de montée:1.5è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Phot OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / EN / IEC; Courant, If moy.:10mA; Ratio, CTR:63%; Ratio, CTR min:63%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:125%; Ratio, CTR min:63%; Temps de descente:2.7è¾s; Temps de montée:2.5è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:90V; Tension, sortie max..:90V; Type d'optocoupleur:Sortie OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR max.:200%; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:3.7è¾s; Temps de montée:3è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:90V; Tension, sortie max..:90V; Type d'optocoupleur:Sortie OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:32V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:10.16mm; Ratio, CTR max.:80%; Ratio, CTR min:40%; Temps de descente:6.7è¾s; Temps de montée:7è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:32V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sorti OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:15è¾s; Temps de montée:15è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:10.16mm; Ratio, CTR min:40%; Temps de descente:3.7è¾s; Temps de montée:3è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:90V; Tension, sortie max..:90V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:10.16mm; Ratio, CTR max.:125%; Ratio, CTR min:63%; Temps de descente:3.7è¾s; Temps de montée:3è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:90V; Tension, sortie max..:90V; Type d'optocoupleur:Sort OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:25V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:19%; Temps de descente:0.5è¾s; Temps de montée:0.3è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR:12.5%; Ratio, CTR min:12.5%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:20V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR QUAD SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Courant, If, CTR:5mA; Ratio, CTR min:50%; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vceo:70V; Tension, rupture min.:70V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor PHOTOTRANSISTOR T1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:25°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:25°; Courant, Ic typ.:5mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité max.. mW/cm3:8.0@1; Sensibilité min. mW/cm2:3.0@1; Sensibilité nom mW/cm4:5mA @ 1mW / cmË›; Temps de descente:1.5è¾s; Temps de montée:1.5è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +10 PHOTOTRANSISTOR T1.3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:150mW; Angle, vision:15°; Type de boîtier de transistor:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:15°; Courant, Ic typ.:10mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité max.. mW/cm3:10.0@1; Sensibilité min. mW/cm2:3.0@1; Sensibilité nom mW/cm4:10mA @ 1mW / cmË›; Temps de descente:3.8è¾s; Temps de montée:3.8è¾s; Tension, Vcc:5V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.7A; Courant, Idm impul.:18.8A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12m TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:270MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Icm impulsionnel:200mA; Dissipation de puissance:330mW; FB typique:5dB; Gain Bande-passan TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Dissipation de puissance:208W; Marquage, CMS:20N60C3; Nombre de transistors:1; Puissance TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:21.9A; Dissipation de puissance:83W; Marquage, CMS:07N60C3; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:8 TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:208W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:208W; Puissance, Ptot:208W; Temp TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:20.7A; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Dissipation de puissance:208W; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:20A; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:208W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2 TRANSISTOR MOSFET RF HEMT SOT-343; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120mA; Tension Vds max..:5V; Tension, Vgs th typ.:380mV; Dissipation de puissance Pd:725mW; Type de boîtier de transistor:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:120mA; Courant, Idss max..:120mA; Dissipation de puissance:725mW; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:4F; Puissance Pd:360mW; Puissance, Ptot:360mW; Tension, Vds typ.:3V; Tension, Vgs max..:1V; Type de boîti TRANSISTOR MOSFET RF HEMT SOT-343; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100mA; Tension Vds max..:5V; Tension, Vgs th typ.:370mV; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idss max..:100mA; Dissipation de puissance:270mW; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:5F; Puissance Pd:270mW; Puissance, Ptot:270mW; Tension, Vds typ.:2.7V; Tension, Vgs max..:1V; Type de boî TRANSISTOR MOSFET SMART SOT-27; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:600mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:600mA; Courant, sortie max.:600mA; Dissi TRANSISTOR DARLINGTON NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:29W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:29W; Hfe, min.:150; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Ten TRANSISTOR NPN 300V ISOTOP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:80A; Gain en courant DC hFE:16; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:120A; Courant Ic Vce sat:40A; Courant, Ic (hfe):40A; Courant, Ic max.. permanent a:80A; Courant, Ic moy.:80A; Dissipation de puissance:250W; Hfe, min.:16; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C TRANSISTOR NPN 450V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:8A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:175W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:175W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:1kV; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de boîtier:TO-3 TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:500mV; TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tensio TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; H TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:90W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Gain en courant hfe, TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:22; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:80W; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:38; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:85W; Hfe, min.:5; Puissance, Ptot:85W; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:90W; Hfe, min.:8; Puissance, Ptot:90W; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Marquage compo TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MH TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Marquage, CM TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:48; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:48; Puissance, Ptot:70W; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Tens TRANSISTOR PNP 60V 5A D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:-10A; Courant, Icbo:10nA; Dissipation de puissance:15W; Hfe, min.:75; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:15W; Tension, Vcbo:30V; Tension, Vce sat max..:700mV; Type de boî TRANSISTOR PNP 80V 1.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:140; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:-1.5mA; Courant, Ic (hfe):-500mA; Courant, Ic max.. permanent a:-1A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:3dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Marquage compos TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Marquage, CMS:3E; Nombre de t TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:3dB; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:50; TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ.:115 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140 TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Marquage composant:BCW TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, mi TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-143; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.6dB; Courant Ic max..:70mA; Courant de collecteur:70mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:70mA; Fréquence, test:900MHz; Ga TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:7GHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant de collecteur:200mA; Courant, Ic (hfe):70mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:7GHz; Hfe, min.:60; Marquage, CMS:BFG591; Nombre de trans TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.9dB; Courant Ic max..:120mA; Courant de collecteur:120mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max.. permanent a:120mA; Fréquence, test:900MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Gain Ga asso TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:6GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.9dB; Courant Ic max..:35mA; Courant de collecteur:35mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:35mA; Fréquence, test:1GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Hfe, min.:40; Marqu TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:400mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:920mA; Courant, Idm impul.:3.4A; Dissipation de puissance:750mW; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:500mW; Puissance, Ptot:5 TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:173mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:173mA; Courant, Idm impul.:700mA; Dissipation de puissance:830mW; Marquage, CMS:M8p; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:830mW; Pui TRANSISTOR MOSFET N 25V LFPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:92nC; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:62.5W; Largeur (externe):5mm; Longueur TRANSISTOR MOSFET N 30V D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:120W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:120W; Marquage, CMS:PHD71NQ03LT; Puissance Pd:120W; Style de boîtier altern TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:8.3W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.8W; Puissance, Ptot:1.8W; Tem TRANSISTOR JFET N SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:24mA 60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:12mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:250mW; Tension Vds max..:25V; Type de boîti TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SOT-363; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:125mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:125mA; Courant, Id max..:125mA; Courant, Idm impul.:250mA; Dissipation de p TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:400A; Dissipation de puissance:230W; Marquage, CMS:PSMN009-100P; Puissance Pd:230W; Tension, Vds typ.:100V TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:-6A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat max TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:7A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:-7A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant hfe, max..: TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:-10A; Dissipation de puissance:90W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Gain en courant hfe, max..:250; Hfe, min.:40; Nombre de tr TRANSISTOR MOSFET DIRECTFET MN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:86A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2120pF; Courant, Id max..:86A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, CMS: TRANSISTOR NPN RF SOT-343; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:4.5V; Fréquence de transition ft typ.:25GHz; Dissipation de puissance Pd:55mW; Courant de collecteur DC:12mA; Gain en courant DC hFE:95; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.25dB; Courant Ic max..:10mA; Courant de collecteur:12mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Courant, Ic moy.:12mA; Courant, Ic TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.4dB; Courant Ic max..:30mA; Courant de collecteur:45mA; Courant, Ic (hfe):14mA; Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Courant, Ic moy.:45mA; Fréquence, tes TRANSISTOR FAST IGBT; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:41A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:30A; Courant, Ic max.. permanent a:41A; Courant, Icm impulsionnel:112A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Marquage composant:SGW30N60; Polarité transis TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Icm impulsionnel:600mA; Dissipation de puissance:330mW; FB typique:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:270MHz; Gain en courant hf TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Puissance, Ptot:125W TRANSISTOR MOSFET RF BOITIER SOT-343; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:65mA; Tension Vds max..:5.5V; Tension, Vgs th typ.:-5V; Dissipation de puissance Pd:725mW; Type de boîtier de transistor:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:145mA; Dissipation de puissance:725mW; Marquage, CMS:4PX; Puissance Pd:725mW; Puissance, Ptot:725mW; Tension, Vds typ.:5.5V; Tension, Vgs max..:5V; Type de boîtier:SOT-343; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:54A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance:167W; Dissipation de puissance, max..:167W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Marquage composant:BC8 TRANSISTOR NPN DOUBLE SC-88; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-pass TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Marquage composant:BC859C; Ma TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130 TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130 TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ.:13 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:380; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:10 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:10 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:1 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:-50mA; Courant, Ic (hfe):-25mA; Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Marquage, CMS:1W; Nombre de TRANSISTOR MOSFET N RF SOT-143; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:12V; Courant, Id cont.:30mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Bruit:1dB; Type de boîtier transistor RF:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:Dual-Gate (HF) MOSFET; Courant, Idss max..:18mA; Courant, Idss min.:2mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Gfs, min.:21mA/V; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200mW; Puissance, Ptot:200mW; Température, p TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.6dB; Courant Ic max..:70mA; Courant de collecteur:70mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:70mA; Fréquence, test:900MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Gain Ga associé: TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:1GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:4.5dB; Courant Ic max..:25mA; Courant de collecteur:25mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Fréquence, test:500MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:1GHz; Hfe, min.:25; Mar TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:2.8GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:2.5dB; Courant Ic max..:50mA; Courant de collecteur:25A; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Fréquence, test:800MHz; Gain TRANSISTOR MOSFET N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.1A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):57mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.1A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:FDS2582; Puissance Pd:2.5W; Température, courant:25°C; Température, puissance: TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:8.3W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:8.3W; Puissance, Ptot:8.3W; Tem TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Dissipation de puissance:830mW; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:830mW; Puissance, Ptot:830mW; R TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; H TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:7.6A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12 TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.9A; Courant, Idm impul.:23.7A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1. RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 4NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Courant, sortie max.:1.5A; Input Type:TTL, CMOS 5V; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Numéro de la fonction logique:2068; Numéro générique:2068; R TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:21.6A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.1 TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:230W; Marquage, CMS:PSMN005-75P; Puissance Pd:230W; Tension, Vds typ.:75V; T TRANSISTOR NPN BOITIER SOT 23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe min.:190; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:10mA; Dissip TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:30; Marquage, CMS:724; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:4; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.5W; Tension Vces:700V; Tension, Vcbo:400V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type TRANSISTOR NPN 400V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.6W; Hfe, min.:4; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.6W; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:SOT-223; Type de termi TRANSISTOR NPN DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:135W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:135W; Hfe, min.:300; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:135W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat ma TRANSISTOR NPN DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:100W; Hfe, min.:1500; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max.. TRANSISTOR NPN DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:160W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:40A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Ic moy.:20A; Dissipation de puissance:160W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:160W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max.. TRANSISTOR NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:30W; Hfe, min.:12; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:450V; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de TRANSISTOR NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:31W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:31W; Hfe, min.:14; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:31W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:400V; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Dissipation de puissance:200W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:450V; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de boîtier:TO-247; Type de TRANSISTOR PNP 60V 3A D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:-3A; Courant, Icbo:-10nA; Dissipation de puissance:15W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:90; Nombre de transistors:1; Puiss TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:-6A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Tension, Vcbo:45V; Tension, Vce sat max..:800mV; Type de boîtier: OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / DIN / EN / IEC; CMR:30kV/è¾s; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Courant, If moy.:16mA; Largeur (externe):11.15mm; Longueur/hauteur:5.1mm; Pas:2.54mm; Pas, rang:11mm; Profondeur:9mm; Ratio, CTR:25%; Ratio, CTR min:15%; Temps de descente:0.2è¾ TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3970pF; Courant, Idm impul.:190A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, CMS:6612; Puissance Pd:2.8W; Temps, trr typ.:19ns; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MT; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:6580pF; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:2.8W; Marquage, TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130mA; Courant, Idm impul.:520mA; Dissipation de puissance:360è¾W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:SP; Nombre TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Tension, Vds typ. TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:79A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:430A; Dissipation de puissance:310W; Marquage, CMS:FDP2532; Puissance Pd:310W; Tension, Vds typ.:150V; Tens TRANSISTOR N IGBT TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance:463W; Dissipation de puissance, max..:463W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:463W; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Temps TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.35A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:54W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:158W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Dissipation de puissance:158W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transisto TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:23W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:23W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:23W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Dissipation de puissance:40W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:40W; Tension, Vds typ.:600V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:51W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Dissipation de puissance:51W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:51W; Tension, Vds typ.:800V; Tens TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:-500mA; Courant, Ic (hfe):-10mA; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:2D; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:350mW; Tensi TRANSISTOR JFET N SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:24mA 60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HFA; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance:350mW; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625W; Température, puissance:25°C; Te TRANSISTOR MOSFET SMART SOT-31; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:400mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Activation de polarité:Actif bas; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:400mA; Courant, sortie max.:600mA; Dissipation de puissance:667mW; Polarité transistor:P Canal; Puissanc OPTOCOUPLEUR DOUBLE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Courant, If max..:60mA; Dissipation de puissance:400mW; Dissipation de puissance Pd:400mW; Largeur (externe):9.65mm; Longueur/hauteur:4.31mm; Profondeur:6.6mm; Ratio, CTR min:20%; Temps de propagation, CL:2. TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; H TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Marquage compo TRANSISTOR NPN/PNP SC-88; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-p TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:22 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, t TRANSISTOR PNP DOUBLE SC-88; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; La TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ.:11 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:32V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:215; Marquage comp TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BCX17; M TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:6dB; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Marquage composant:BCX71H; M TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-143; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant de collecteur:200mA; Courant, Ic (hfe):35mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:5GHz; TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-89; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5.5GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:3.3dB; Courant Ic max..:100mA; Courant de collecteur:100mA; Courant, Ic (hfe):70mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:500MHz; Gai TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:2dB; Courant Ic max..:25mA; Courant de collecteur:25mA; Courant, Ic (hfe):15mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Fréquence, test:1GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:5GHz; Hfe, min.:40; Marquag TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:5V; Fréquence de transition ft typ.:2.3GHz; Dissipation de puissance Pd:30mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:3.8dB; Courant Ic max..:10mA; Courant de collecteur:6.5mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:6.5mA; Fréquence, test:500MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:1.2GHz; Hfe, min.:20; TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:40; Largeur, bande:8mm; Marquage composan TRANSISTOR MOSFET N SOT-143; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50mA; Tension Vds max..:10V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:230mW; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:0.6pF; Courant, Id max..:50mA; Dissipation de puissance:230mW; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:230mW; Puissance, Ptot:230mW; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:45mohm; Tempér TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:190mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1g, 2s, 3d; Courant, Id max..:190mA; Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:830mW; Nombre de transistors:1; Puissance Pd: TRANSISTOR MOSFET DRIVER INTELLIGENT; Tension, entrée:265V; Tension, sortie:800V; Nombre de canaux de sortie:1; Dissipation de puissance Pd:31W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Format broche:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(N.C), 5(Drain), 7(VCC), 8(GND); Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:31W; Résistance Rds(on):0.8ohm; Tension Vds max..:800V; TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:41W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:11A; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Dissipation de puissance:41W; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR DARLINGTON ISOWATT-218; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:300; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max. TRANSISTOR NPN 1500V TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:700V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:2.5A; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Dissipation de puissance:75W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance, Ptot:75W; Température, puissance:25°C; Tension Vces:1.5kV; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type TRANSISTOR NPN 250V TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:180W; Courant de collecteur DC:60A; Gain en courant DC hFE:9; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:60A; Courant Ic Vce sat:60A; Courant, Ic (hfe):60A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Ic moy.:60A; Dissipation de puissance:180W; Hfe, min.:6; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:180W; Température, puissance:25°C; T TRANSISTOR NPN 450V 1A D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:200mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA; Dissipation de puissance:20W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, mi TRANSISTOR NPN 450V ISOTOP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:75A; Courant Ic Vce sat:32A; Courant, Ic (hfe):32A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:50A; Dissipation de puissance:250W; Hfe, min.:12; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR NPN 700V 4A SOT-82; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:55W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-82; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:2.5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:55W; Hfe, min.:8; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:55W; Température, puissance:25°C; Tens TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:12.5W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:45V; Tension, Vce sat max..:500mV; TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:800mV; Type de boî TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:12A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Gain en courant hfe, TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:8; Puissance, Ptot:70W; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:70W; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:15; Puissance, Ptot:80W; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:110W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Dissipation de puissance:110W; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:110W; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:250mA; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:70W; Gain en courant hfe, max..:70; Hfe, min.:35; Hfe, typ.:35; Nombre de transistors:1; Puissance, TRANSISTOR PNP 100V 5A TO-220FP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:29W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:4V; TRANSISTOR PNP 45V 8A TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:10A; Courant Ic Vce sat:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:-8A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:60; Hfe, typ.:120; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Tension, Vce sa TRANSISTOR PNP DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15mA; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:-2 TRANSISTOR PNP SOT-32; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.25W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat max..:500 TRANSISTOR PNP SOT-32; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.25W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:500 TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:-12A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:12A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:-4A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:5; Hfe, typ. TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:90W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Gain en courant hfe, max..:250; Hfe, min.:40; Marquage comp TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:17A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:51A; Dissipation de puissance:42W; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:16A; Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:160W; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:21A; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:63A; Dissipation de puissance:208W; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR MOSFET N 20V LFPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:78nC; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:62.5W; Largeur (externe):5mm; Longueur TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hf SUPPORT TRANSISTOR TO-3 / TO-66; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Nombre de contacts:3; Pas:5.1mm; Pas, rang:8.23mm; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Catégorie d'approbation:UL94V-0; Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Couleur:Black; Courant dc max:1A; Matière:Glass Filled Polyphenylene-Sulfide; Nombre de voies:3; Orientation d TRANSISTOR MOSFET RF SOT-123; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:65V; Courant, Id cont.:1A; Dissipation de puissance Pd:5W; Bruit:5.5dB; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-123A; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:13pF; Code d'application:RFPOWMOS; Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:1A; Courant, Idss max..:10è¾A; Dissipation de puissance, max..:16W; Efficacité:50%; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Ga TRANSISTOR PNP RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-35mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:2.4dB; Courant Ic max..:-35mA; Courant de collecteur:-35mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:35mA; Fréquence, test:500MHz; Gai RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:TTL, CMOS 5V; Marquage composant:ULN2003A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Numéro de la fonction logique:2003; N RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:CMOS, PMOS 6V / 15V; Marquage composant:ULN2004A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Numéro de la fonction logique: RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 4NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Courant, sortie max.:1.5A; Input Type:Famille de circuits logiques 5V; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Numéro de la fonction logique:2064; Numér TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):530mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:31W; Puissance Pd:31W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:5V; Tension, TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:1.6W; Marquage, CMS:FDS6912A; Puissance Pd:1.6W; Tension Vds:30V; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.9V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; M TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:45A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:220W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:45A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:220W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistor TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-249; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:54A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:18A; Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:390W; Dissipation de puissance, max..:390W; Marquage composant:HGTG18N120BND; Polarité transistor:N Canal; Puissance P TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-255; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance:290W; Dissipation de puissance, max..:290W; Format broche:GCE; Marquage composant:HGTG20N60A4; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Cana TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-250; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance:463W; Dissipation de puissance, max..:463W; Format broche:GCE; Marquage composant:HGTG30N60A4; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Cana TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Icbo:10mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:4V; Type de boîtier:D-PAK TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:90W; Marquage, CMS:RFD16N06LESM; Puissance Pd:90W; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Tension, Vds typ.:60V; TRANSISTOR RF TSFP3; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:6V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.1dB; Courant Ic max..:80mA; Courant de collecteur:80mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max.. permanent a:80mA; Fréquence, test:1.8GHz; Gain Bande-passante f TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:40W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:8A; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:40W; Nombre de transistors:1; Puissance TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:17A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:51A; Dissipation de puissance:208W; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:8.3A; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:35W; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR MOSFET SMART SOT-23; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:300mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:300mA; Courant, sortie max.:300mA; Dissi TRANSISTOR MOSFET N TSSOP-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1366pF; Config. Brochage:D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5); Courant de drain continu Id, Canal N:7.8A; Courant, Idm impul.:31.3A; Marquage, CMS:26UN; Nombre de tra TRANSISTOR MOSFET SMART SOT-26; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:300mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:300mA; Courant, sortie max.:300mA; Dissi TRANSISTOR MOSFET SMART SOT-29; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:600mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:600mA; Courant, sortie max.:600mA; Dissi TRANSISTOR MOSFET SMART SOT-32; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:300mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:200mA; Courant, sortie max.:300mA; Dissi TRANSISTOR NPN 100V 5A TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:29W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:2V; TRANSISTOR NPN 400V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant Ic Vce sat:15A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:175W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:175W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaiso TRANSISTOR NPN 450V SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:200mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min TRANSISTOR NPN 600V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:750mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:750mA; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:5; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Tension Vces:700V; Tension, Vce sat max..:500mV; TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:80; Marquage, CMS:N715; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:90W; Hfe, min.:500; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:90W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; TRANSISTOR NPN ISOTOP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:270W; Courant de collecteur DC:80A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:160A; Courant, Ic (hfe):60A; Courant, Ic max.. permanent a:80A; Dissipation de puissance:270W; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:270W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:450V; Tension, Vce sat max..:2V; Type TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:500mV; TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:12; Puissance, Ptot:70W; Tension, Vce sat max..:700mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:33W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Dissipation de puissance:33W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Darlingt RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:DTL, TTL, PMOS, CMOS; Marquage composant:ULN2001A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Numéro de la fonction logique RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:PMOS 14V / 25V; Marquage composant:ULN2002A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Numéro de la fonction logique:2002; RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:TTL / CMOS; Marquage composant:ULN2803A; Nombre de transistors:8; Nombre de voies:8; Numé RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gain en courant DC (hfe) max..:1000; Input Type:CMOS; Marquage composant:ULN2804A; Nombre de transis TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:208W; Puissance Pd:208W; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Tension, Vds typ. TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:39W; Puissance Pd:39W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:5V; Tension TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:50A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:FDS6670A; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:30V; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs th TRANSISTOR MOSFET P SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-5.3A; Courant, Idm impul.:50A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:FDS9435A; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:30V; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1.7V; Tension TRANSISTOR MOSFET P TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSSOP; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1193pF; Config. Brochage:D(1+5+8), S(2+3+6+7), G(4); Courant, Id max..:-4.5A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:1.3W; Marquage, CMS:2 TRANSISTOR IGBT NPT TO-3P; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:312W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:75A; Dissipation de puissance:312W; Dissipation de puissance, max..:312W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:3 TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.93ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:167W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:167W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors: TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.57ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:167W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.6A; Courant, Idm impul.:26.4A; Dissipation de puissance:167W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transi TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:147W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:147W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:33W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:33W; Tension, Vds typ.:600V; Tens TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:48W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:48W; Tension, Vds typ.:600V; Tens TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-248; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:54A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance:167W; Dissipation de puissance, max..:167W; Format broche:GCE; Marquage composant:HGTG12N60A4; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-222; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance:290W; Dissipation de puissance, max..:290W; Format broche:GCE; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:290W; Puissanc TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-224; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:34A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:34A; Courant, Icm impulsionnel:56A; Dissipation de puissance:125W; Dissipation de puissance, max..:125W; Format broche:GCE; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:125W; Puissance TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:300mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Dissipation de puissance:625mW; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:KSP44; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:1D; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:350mW; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:49W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:49W; Marquage, CMS:RFD12N06RLESM; Puissance Pd:49W; Style de boîtier alternatif:D-P TRANSISTOR RF SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:8GHz; Dissipation de puissance Pd:450mW; Courant de collecteur DC:65mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.2dB; Courant Ic max..:65mA; Courant de collecteur:65mA; Courant, Ic (hfe):15mA; Courant, Ic max.. permanent a:65mA; Fréquence, test:900MHz; Gain Bande-pass TRANSISTOR MOSFET DRIVER INTELLIGENT; Tension, entrée:265V; Tension, sortie:650V; Nombre de canaux de sortie:1; Dissipation de puissance Pd:20W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Format broche:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(Drain),5(Drain), 6(N.C) 7(VCC), 8(GND); Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:20W; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension Vds max. TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:431W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:230A; Dissipation de puissance:431W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:431W; Puissance, Ptot:431W; Style TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:240W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:24.3A; Courant, Id max..:24.3A; Courant, Idm impul.:72.9A; Dissipation de puissance:240W; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:34.1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):118mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:313W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:34.1A; Courant, Id max..:34.1A; Courant, Idm impul.:85A; Dissipation de puissance:313W; Nombre de transistors:1; Pu TRANSISTOR NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:36W; Hfe, min.:8; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:500V; Tension, Vce sat max..:1.1V; Type de b TRANSISTOR PNP 100V TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:800mW; Hfe, min.:500; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.2W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:-2.5V; Type de boîtier:TO-92; Type TRANSISTOR PNP 400V 1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-400V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:-1.5mA; Courant, Ic (hfe):-1A; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:1.6W; Hfe, min.:4; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.6W; Tension, Vce sat max..:-500mV; Type de boîtier:SOT-223; Type de TRANSISTOR PNP SOT-32; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:63; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.25W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:500m TRANSISTOR MOSFET N 1000V 6A TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:160W; Marquage, CMS:STP8NK100Z; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:160W; Puissance, Ptot:160W; Rési TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11.8A; Courant, Idm impul.:35.3A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:PHK12NQ TRANSISTOR PNP TO-220FP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:33W; Courant de collecteur DC:-12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Dissipation de puissance:33W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:3V; Transistor Type:Darlington; Type de boîtier: RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gain en courant DC (hfe) max..:1000; Input Type:CMOS; Nombre de transistors:8; Nombre de voies:8; Nu TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:5V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:36W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:36W; Puissance Pd:36W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:5V; Tension TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.15V; Dissipation de puissance Pd:750W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:176A; Dissipation de puissance:750W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:750W; Puissance, Ptot:750W; St TRANSISTOR IGBT NPT TO-264; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:2.9V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension, Vceo:1kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:60A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:180W; Dissipation de puissance, max..:180W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd: TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9.5A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:156W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transist TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):530mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:225W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:225W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistor TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:107W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:107W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:205W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:205W; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors: TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:39W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:39W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.55ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:59W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:59W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:59W; Tension, Vds typ.:800V; Tension TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:200W; Marquage composant:HUF75339P3; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:20 TRANSISTOR PNP D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:-8A; Courant, Icbo:10mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:4V; Type de boîtier:D-P TRANSISTOR RF SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:12V; Dissipation de puissance Pd:175mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.45dB; Courant Ic max..:20mA; Courant de collecteur:20mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Fréquence, test:900MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Gain Ga associé:18.5dB; Hfe, min.:50; Marquage, CMS:RFs; TRANSISTOR RF TSFP3; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:6V; Fréquence de transition ft typ.:14GHz; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-60°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TFSP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1dB; Courant Ic max..:35mA; Courant de collecteur:35mA; Courant, Ic (hfe):15mA; Courant, Ic max.. permanent a:35mA; Fréquence, test:1.8GHz; Gain Bande-passante ft TRANSISTOR MOSFET DRIVER INTELLIGENT; Tension, entrée:265V; Tension, sortie:800V; Nombre de canaux de sortie:1; Dissipation de puissance Pd:17W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Format broche:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(N.C), 5(Drain), 7(VCC), 8(GND); Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:17W; Résistance Rds(on):3ohm; Tension Vds max..:800V; Te TRANSISTOR MOSFET DRIVER INTELLIGENT; Tension, entrée:265V; Tension, sortie:650V; Nombre de canaux de sortie:1; Dissipation de puissance Pd:33W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Format broche:1(SoftS), 2(FB), 3(CS), 4(Drain),5(Drain), 6(N.C) 7(VCC), 8(GND); Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:33W; Résistance Rds(on):0.65ohm; Tension Vds max TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:284W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:32A; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:284W; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:52A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:417W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 25°C:52A; Courant, Id max..:52A; Courant, Idm impul.:156A; Dissipation de puissance:417W; Nombre de transistors:1; Puissanc RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:TTL, CMOS 5V; Marquage composant:ULN2003AD; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Numéro de la fonction logique:2003; OPTOCOUPLER TRANSISTOR O/P; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:5mA; Ratio, CTR:50%; Ratio, CTR min:50%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant efficace max.:60mA; Courant, If moy.:16mA; Pas:2.54mm; Ratio, CTR:50%; Ratio, CTR min:50%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR QUADRUPLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:5mA; Marquage composant:TLP521-4; Ratio, CTR:20%; Ratio, CTR min:20%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Photot TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Iar:20A; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Courant, Idss max..:1mA; Différentiel de tension dv/dt:50V/è¾s; Dissip TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA; Dissipation de puissance:330mW; Format broche:1B, 2E, 3C; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:115W; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:115W; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Te TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:15A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:175W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:175W; Temps de descente Ic:0.4è¾s; Température, puissance:25°C; Tension Vces:800V; Tension, Vcbo:850V; Te TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant Ic Vce sat:8A; Courant, Ic (hfe):2.5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:100W; T TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant Ic Vce sat:10A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Dissipation de puissance:175W; Gain en courant hfe, max..:400; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:175W; Température, puissanc TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:4V; TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Hfe, min.:5; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Tr TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N D-PAK; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:1.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; Courant Iar:1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:5.4A; Courant, Idss max..:1è¾A; Différentiel de tension dv/dt:50V/ns; Dissipation de puissance:25W; Energie avalanche répétitive max..:0.07mJ; Ene TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:85W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MH TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Ic moy.:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Te TRANSISTOR IGBT RAPIDE; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:20A; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Dissipation de puissance:179W; Dissipation de puissance, max..:179W; Format broche:1G, 2C, 3E; Marquage composant:SKW20N60; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:400mA; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:175W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:175W; Temps de descente Ic:0.4è¾s; Température, puissance:25°C; Tension Vces:1kV; Tension, Vcbo:1kV; Te TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:140V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Trav TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:140V; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:140V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Trav TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:115W; Gain Bande-passante ft, typ.:800kHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:115W; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:117W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:7.5; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:117W; Gain Bande-passante ft, typ.:200kHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:117W; Température, puissance:25°C TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:200kHz; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:18000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tensi TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):1.2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:100W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:100W; Temps de descente Ic:0.5è¾s; Tempér TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:200W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:1 TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:400V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Trav TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant Ic Vce sat:16A; Courant, Ic (hfe):8mA; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:150W; Gain en courant hfe, max..:60; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Tempér TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:200W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:120V; Tens TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:50A; Dissipation de puissance:300W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:300W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:120V; Tens TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:400V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Trav TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Pto TRANSISTOR BOITIER TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:260V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:175; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Courant, Icm impulsionnel:25A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:75; Marquage composant:MJL3281A; Nombre TRANSISTOR DE PUISSANCE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:125V; Fréquence de transition ft typ.:8MHz; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Gain Bande-passante ft, typ.:8MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:BUV20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:160V; OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Pas, rang:9mm; Ratio, CTR min:50%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR UNIJUNCTION TO-18; Peak courant d'émetteur:5è¾A; Courant Valley Iv:4mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C +125°C; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Courant crête:5è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Rapport intrins ¨que:0.75dB; Type de boîtier:TO-18; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:62.5W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:62.5W; Température, p TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:2700; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:62.5W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD648; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:62.5W; Température, puissance:25° TRANSISTOR PNP TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:130W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:2SA1386; Nombre de transisto TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:130W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:2SC3263; Nombre de transisto TRANSISTOR PNP TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:35MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:130W; Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:2SA1294; Nombre de transisto TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:7A; Dissipation de puissance:100W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:100W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Tension, PHOTOTRANSISTOR VUE LATERALE; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:18°; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:18°; Courant, Ic typ.:17.5mA; Largeur (externe):4.57mm; Longueur/hauteur:3.3mm; Pas:2.54mm; Profondeur:4.29mm; Réponse spectrale crête:880nm; Sensibilité max.. mW/cm3:17.5@1; Sensibilité min. mW/cm2:7.0@1; Temps de descente:10è¾s; Temps de montée:10è¾s; Température de fonctionnemen TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2000pF; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:110W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:320mJ; Puissance Pd:110W; Tempé TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Dissipation de puissance:175W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:175W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:400V; Tension, TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:160V; Type de boîtier: TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:175W; Hfe, min.:6; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:175W; Temps de descente Ic:0.7è¾s; Tempéra TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:50A; Dissipation de puissance:300W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:300W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:2 TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:18000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:150W; Gain en courant hfe, max..:18000; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1 TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:200V; Courant de collecteur DC:-16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:350V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Tra TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:75W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:125W; Marquage composant:BUZ900; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Style de boîtier alternatif:TO-204AA; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:1.5V; Type de boîtier:TO-3; Ty TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Pto TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PHVS; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:30mA; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:10 TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:6; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:6; Marquage composant:2N6331; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison: TRANSISTOR MOSFET P TO-3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:-200V; Tension, Vgs max..:-1.5V; Type de boîtier:TO-3; TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:130W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:2SC3519; Nombre de transisto TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:62.5W; Température, puissance:25°C; Transistor Type:Darlington; Type de boîtier:TO-220; TRANSISTOR NPN MT-200; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:180V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:17A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:MT-200; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:17A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Ic moy.:17A; Courant, Icm impulsionnel:16A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:30; Marquage compo TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:2700; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:62.5W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD650; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:62.5W; Température, puissance:25 TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Ten TRANSISTOR PNP MT-200; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:35MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:17A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:MT-200; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:17A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Ic moy.:17A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:2SA1295; Nombre de transis TRANSISTOR PNP TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Marquage composant:BC461; Nombre de transistors:1; Puissance, Pt TRANSISTOR NPN DOUBLE TO-77; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-77; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Hfe, min.:10; Nombre de transistors:2; Puissance, Ptot:500mW; Tension, Vcbo:45V; Tension, Vce sat max..:350mV; Type de boîtier:TO- TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Config. Brochage:b; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:10mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:30A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:250W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Temps de descente, typ:0.8è¾s; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:1kV; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Travers TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:115W; Gain Bande-passante ft, typ.:800kHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:2N3055H; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:115W; Tempé TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:60A; Dissipation de puissance:300W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:300W; Températ TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:250W; Marquage composant:BUZ900D; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:250W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:160V; Tension, Vgs max.. TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:73A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:292A; Dissipation de puissance:270W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:319.2mJ; Pas:5.45mm; Puissance Pd:270W; Puissance, Ptot:270W; Température, Tj max..:150°C; Tem TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant Iar:32A; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:128A; Dissipation de puissance:270W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:597.4mJ; Pas:5.45mm; Puissance Pd:270W; Puissance, Ptot:270W; Température, T TRANSISTOR MOSFET P TO-247; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:734pF; Config. Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode, Flywheel:Id(peak) = 8 A; Dissipation de puissance:125W; Marquage composant:BUZ905P; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Rés TRANSISTOR MOSFET P TO-247; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:734pF; Config. Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode, Flywheel:Id(peak) = 8 A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction- TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-50°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1780pF; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:150W; Energie dissipée, avalanche n TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:30W; Puissance Pd:30W; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Tension, Vd RESEAU DE TRANSISTOR 5 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:450MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:76; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Cinq; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Courant, sortie max.:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:450MHz; Input Type:Base de transistor; Mar TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:125W; Puissance, OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:10mA; Ratio, CTR:100%; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:3è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:30V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):45ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:480mA; Dissipation de puissance:1.7W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP125; Nombre de transist TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:480mA; Dissipation de puissance:1.7W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP129; Nombre de transis TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):310mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6.8A; Dissipation de puissance:1.8W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7 TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:30; Marquage, CMS:p/t16; Nombre de TRANSISTOR PNP BOITIER 2-21F1A; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:15A; Courant, Ib:1.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:55; Marquage composant:2SA1943; Nombr TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:35W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:35W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:60V; Tensio TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:90W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:90W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:120V; Tensi TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:BDV65C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance: TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:7MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Style de boîtier alternatif:SOT- TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:PNP3055; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Style de boîtier alternat TRANSISTOR NPN TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:870mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic, mesure du temps de descente:5A; Dissipation de puissance:870mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:40; Marquage compo TRANSISTOR NPN TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic, mesure du temps de descente:500mA; Dissipation de puissance:5W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, mi TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Config. Brochage:a; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:50; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW; TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:250mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:11W; Température, puissance:25°C; Tensio TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:10W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BUP40; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:75W; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température, puissan TRANSISTOR DARLINGTON TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:55MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Hfe, min.:5000; Marquage composant:2SD2390; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:8MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:30A; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:8MHz; Hfe, min.:10; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:35; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversan TRANSISTOR MOSFET P TO-3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:125W; Marquage composant:BUZ905; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:-160V; Tension, Vgs max..:- QUAD OPTOCOUPLEUR 5KV SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, CTR:5mA; Pas:2.54mm; Ratio, CTR max.:600%; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:62.5W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD649; Nombre de transistors:1; Puissance, TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:BDT64C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance: TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:BDT65C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance: TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:100kHz; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, QUAD OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Style de boîtier alternatif:SOT- TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:BD955; Nombre de transistors:1; Pu TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:7MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Style de bo TRANSISTOR PNP TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:240; Nombre de TRANSISTOR NPN TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:115; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Tension, Vce sat m TRANSISTOR NPN TO-5; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-5; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:800mW; Tension, Vcbo:40V; Type de boîtier:TO-5; Type de terminaison:Tr TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Config. Brochage:b; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:10mA; Dissipation de puissance:625mW; Hfe, min.:100; Nombre de tran TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Style de bo TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:45; Marquage composant:BDX36; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:15W; Tempéra TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:10W; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:100; Marquage co TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:7A; Courant, Ic (hfe):2.5A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR MOSFET P TO-3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-16A; Dissipation de puissance:250W; Marquage composant:BUZ905D; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:250W; Température, courant:25°C; Température, puissance: TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:57A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:228A; Dissipation de puissance:270W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:272.5mJ; Pas:5.45mm; Puissance Pd:270W; Puissance, Ptot:270W; Température, Tj max..:150°C; Tem TRANSISTOR MOSFET N TO-39; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:25A; Dissipation de puissance:25W; Nombre de transistors:1; Pas:5.08mm; Puissance Pd:25W; Température, courant:25 TRANSISTOR NPN RF SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:9.5V; Fréquence de transition ft typ.:900MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant de collecteur:500mA; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA; Efficacité:60%; Gain Bande-passante ft, typ.:900MHz; Gain, puissan TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:3000mA; Dissipation de puissance:1.75W; G OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Porte logique; Courant, entrée:15mA; Tension, sortie:3.3V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); CMR:50kV/è¾s; Catégorie d'approbation:UL Approved; Courant, sortie:50mA; Logique de sortie:CMOS(+5V); Sortie autorisée:Yes; Temps de propagation, CL:90ns; Temps de propagation, LC:75ns; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension, Vcc:5V; Tension, Vcm:50V; Te TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.8V; Dissipation de puissance Pd:79W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:85A; Dissipation de puissance:79W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:417W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:141A; Dissipation de puissance:417W; Puissance Pd:417W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(G), 2(D), 3(S); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Dissipation de puissance:125W; Energie avalanche répétitive max..:12 TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:70A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:417W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:417W; Puissance Pd:417W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:30V; Tension PHOTOTRANSISTOR T1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:900nm; Consommation de puissance:165mW; Angle, vision:12°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:32°; Courant, Ic typ.:15mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:900nm; Sensibilité:730nm to 1120nm; Sensibilité max.. mW/cm3:2.0@0.5; Sensibilité min. mW/cm2:1.0 0.5; Sensibilité nom mW/cm4:2mA @ 500è¾W / cmË›; Temps de descente:10è¾s; Temps de montée:10è¾s; Tempé TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:480mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:480mA; Courant, Idm impul.:1.44A; Dissipation de puissance:1.8W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP149; Nombre de transi TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Dissipation de puissance:1.7W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1 TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6.8A; Dissipation de puissance:1.8W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7m TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:5A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BDP 949; Nom TRANSISTOR NPN RF SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:2dB; Courant Ic max..:25mA; Courant de collecteur:25mA; Courant, Ic (hfe):15mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Fréquence, test:1GHz; Gain Bande-passa TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:1.8W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:750mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:750mA; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:400mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:N2; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Current, Ic hfe -Do Not Use S TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Current, Ic hfe -Do Not Use TRANSISTOR MOFSFET SMART SWITCHSOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Commutateur interne:Oui; Courant, Id max..:1.3A; Dissipation de puissance:1.5W; Largeur (externe):6.5mm; Limite en courant:1.8A; Longueur TRANSISTOR MOSFET N 1500V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:30nC; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:160W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:160W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7ohm; Tempér DOUBLE OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Transistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:5.5V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Transistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:BSI / SEMKO / UL; Ratio, CTR max.:600%; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:cUL / UL / VDE; Ratio, CTR max.:260%; Ratio, CTR min:130%; Temps de descente:18000ns; Temps de montée:18000ns; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, rupture min.:70V; Tension, sortie max..:6V; Type de sortie:Phototransistor PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:570nm; Angle, vision:60°; Nombre de broches:3; MSL:MSL 4 - 72 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:60°; Courant, Ic typ.:20mA; Réponse spectrale crête:570nm; Sensibilité:350nm to 970nm; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:SMD-3 Plastic; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:2700; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:62.5W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:62.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tens TRANSISTOR NPN MT-200; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:17A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:MT-200; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:17A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Ic moy.:17A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:2SC3264; Nombre de transis TRANSISTOR NPN BOITIER 2-21F1A; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:15A; Courant, Ib:1.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:55; Marquage composant:2SC5200; Nombre TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.5V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:150W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:150W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.: TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:150W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:150W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:8 TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:150W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:150W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:9 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:625mW; Tension, Vcbo:50V; Tens TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GPAmp; Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:160; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic (sat):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Current, Ic hf TRANSISTOR MOSFET SMART SWITCH MLP-6; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:1.5A; Résistance d'état On:0.05ohm; Protection thermique:No; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:MLP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.5A; Dissipation de puissance:1.2W; Pol TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:54A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:55W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8880; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):49mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:392W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Dissipation de puissance:392W; Puissance Pd:392W; Tension, Vds typ.:250V; Tension, Vgs max..:30V; Tension TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:250W; Energie avalanche répétitive max..:25mJ; Puissance Pd:250W; Tension, Vds DOUBLE OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:15V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4.4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:BSI / UL; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:800; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Current, Ic hfe -Do Not Use TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):50ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-80°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:HVGP; Courant, Id max..:140mA; Courant, Idm impul.:600mA; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; TRANSISTOR MOFSFET SMART SWITCHSOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Commutateur interne:Oui; Courant, Id max..:1.6A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):6.5mm; Limite en courant:3A; Longueur/ TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:25W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:350mJ; Puissance Pd:25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:380mohm TRANSISTOR MOSFET SMART SWITCH SOT-23-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:300mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:0.667W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:0.4A; Courant, d'arrêt:0.4A; TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:254W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Dissipation de puissance:254W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8860; Nombre de transistors TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:153W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:54A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:54A; Courant, Idm impul.:65A; Dissipation de puissance:55W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:55W; Puissance, Ptot:5 TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant continu Id canal N:7A; Courant, Id cont, canal P:5A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résist TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:417W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:244A; Dissipation de puissance:417W; Energie avalanche répétitive max..:41.7mJ; Puissance Pd:417W; Tension, V PHOTOTRANSISTOR T1; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:70mW; Angle, vision:20°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:40°; Courant, Ic typ.:24mA; Réponse spectrale crête:880nm; Sensibilité max.. mW/cm3:24.0@5; Sensibilité min. mW/cm2:12.0@5; Temps de descente:12è¾s; Temps de montée:12è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 PHOTOTRANSISTOR VUE LATERALE; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:50°; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:50°; Courant, Ic typ.:6.5mA; Largeur (externe):4.5mm; Longueur/hauteur:5.7mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.3mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité max.. mW/cm3:6.5@1; Sensibilité min. mW/cm2:3.4@1; Temps de descente:8è¾s; Temps de montée:8è¾s; Température de fonctionnement:-40° TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11.6A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:125W; Puiss OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If moy.:5mA; Ratio, CTR:50%; Ratio, CTR min:50%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vceo:55V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR. TRANSISTOR O/P; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / DIN / EN / IEC; Courant, If, CTR:10mA; Ratio, CTR min:20%; Temps de descente:3000ns; Temps de montée:3000ns; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vf max..:1.5V; Tension, Vf typ.:1.2V; Type d'optocoupleur:Usage général; Type de OPTOCOUPLEUR. TRANSISTOR O/P; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / DIN / EN / IEC; Courant, If, CTR:10mA; Ratio, CTR min:20%; Temps de descente:3000ns; Temps de montée:3000ns; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vf max..:1.5V; Tension, Vf typ.:1.2V; Type d'optocoupleur:Usage général; Type de TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:215MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant Ic max..:4.5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:4.5A; Current, Ic hfe -Do Not TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Current, Ic hfe -Do Not Use TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:35 TRANSISTOR MOFSFET P SOT-223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:DCDC; Courant, Id max..:-200mA; Courant, Idm impul.:1A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12m TRANSISTOR MOFSFET P D-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:9.9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:9.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-9.9A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance:9.5W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de transistor TRANSISTOR MOFSFET P D-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:10.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-10.4A; Courant, Idm impul.:37.5A; Dissipation de puissance:10.1W; Dissipation de puissance PD pour CI 50mmË›:4.3W; Largeur (externe) TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:84nC; Courant, Id max..:22A; Courant, Idm impul.:88A; Différentiel de tension dv/dt:44V/ns; Dissipation de puissance:160W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:160W; Ré TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Ten TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tra TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:3000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:6MHz; Hfe, min.:1000; Nombre de trans TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:3000; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:200W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Marquage composant:BD956; Nombre de transistors:1; Pu TRANSISTOR PNP TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:240; Température de fonctionnement:-65°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passa TRANSISTOR PNP TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:800mW; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:650mV; Typ TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:30A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:250W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Temps de descente, typ:0.8è¾s; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:850V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:50; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:800mV; TRANSISTOR DARLINGTON TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:5000; Marquage composant:2SB1560; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:50A; Dissipation de puissance:300W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:300W; Tempéra TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:500pF; Config. Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode, Flywheel:Id(peak) = 8 A; Dissipation de puissance:125W; Marquage composant:BUZ900P; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Rési TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:198W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14.5A; Courant, Idm impul.:58A; Dissipation de puissance:198W; Entraxe de fixation:30mm; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Puissance P TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant Ic max..:2.5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Current, Ic hfe -Do TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:880pF; Courant Iar:5A; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Différentiel de tension dv/dt:15V/ns; Dissipation de puissance:100W; Energie dissipée, avalanche non répéti TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Dissipation de puissance:70W; Puissance Pd:70W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm; Tension Vds:5 TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:100W; Puissance Pd:100W; Tension Vds:500V; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs th max..:5V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:4400pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:300W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:1300mJ; Puissance Pd:300W; Tension Vds:55V; TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3850pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:300W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:870mJ; Puissance Pd:300W; Tension Vds:55V; Te TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1110pF; Courant Iar:7A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:28A; Dissipation de puissance:30W; Energie dissipée, avalanche TRANSISTOR MOSFET P TSOP-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:9.3nC; Courant, Id max..:-4.5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:1.1W; Largeur (externe):3mm; Longueur/h TRANSISTOR IGBT TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:25W; Temps de montée:6ns; Tension V TRANSISTOR IGBT TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:56W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:21A; Dissipation de puissance:56W; Dissipation de puissance, max..:56W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:20W; Temps de montée:5ns; Tension V TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance:25W; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:25W; Temps de montée:460ns; T TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:9A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:23W; Dissipation de puissance, max..:24W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:25W; Temps de montée:6ns; Tensio TRANSISTOR IGBT TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de montée:12ns; Te TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:208W; Marquage, CMS:20N60S5; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:208W; Pui TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:L-Sat; Courant DC Gain Hfe max.:560; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic (sat):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:500mA; Dissipation de pu TRANSISTOR MOSFET N 300V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:46A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):59ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:430W; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:33A; Courant, Id cont. 25°C:46A; Courant, Id max..:46A; Dissipation de puissance:430W; Puissance Pd:430W; Rth:0.35; Te TRANSISTOR MOSFET N 55V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:21A; Courant, Id cont. 25°C:30A; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:68W; Puissance Pd:68W; Rth:2.2; Tension Vds:55V; Tension, Vd TRANSISTOR MOSFET N 60V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:60W; Puissance Pd:60W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N 60V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:88W; Puissance Pd:88W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension Vds:60V; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max. TRANSISTOR MOSFET P 40V SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:10.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-10.5A; Courant, Idm impul.:43A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:40V; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:-3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:1 TRANSISTOR MOSFET N 40V TSOP-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):198mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LowR; Courant Id Cont 70°C:2; Courant, Id cont. 25°C:2.5A; Courant, Id max..:-2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de pu TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:57A; Courant, Id cont. 25°C:80A; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:260W; Puissance Pd:260W; Puissance, Ptot:260W; Rth:0.57; TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:65A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:46A; Courant, Id cont. 25°C:65A; Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:330W; Puis TRANSISTOR IGBT 600V TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:1.55V; Dissipation de puissance Pd:99W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Icm impulsionnel:32A; Dissipation de puissance:99W; Dissipation de puissance, max..:99W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:99W; Temps de montée:15ns; T TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3850pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:300W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:870mJ; Puissance Pd:300W; Température, Tj max TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.6A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2000pF; Courant Iar:8.6A; Courant, Id max..:8.6A; Courant, Idm impul.:34A; Dissipation de puissance:150W; Energie dissipée, aval TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:5300pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:300W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2260pF; Courant Iar:14A; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Dissipation de puissance:40W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:300mJ; Puissance Pd:160W; TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6°C/W; TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:90A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Rth:0.5; Temps trr max.:200ns; Tension, V TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Tension, Vceo:1.7kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:120W; Dissipation de puissance, max..:120W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W; Temps de desce TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:26A; Tension, Vce sat max..:5.2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.7kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:26A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Temps de des TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Temps de desc TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:4600pF; Charge, porte, canal N:170nC; Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:250W; Puissance Pd:250W; Rth:0.5; Temps trr max.:550ns; Tension, TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:5A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boî TRANSISTOR MOSFET N 900V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220SIS; Type de TRANSISTOR IGBT 1200V TO-3P(N); Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:170W; Dissipation de puissance, max..:170W; Format broche:GCE; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:170W TRANSISTOR IGBT +D 600V TO-3P(N); Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.45V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:60A; Dissipation de puissance:170W; Dissipation de puissance, max..:170W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:170W; Résistance ther TRANSISTOR IGBT SOT-227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:1.2V; Dissipation de puissance Pd:600W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:600W; Dissipation de puissance, max..:600W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:600W; Temps de montée:112ns TRANSISTOR IGBT TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:25A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance, max..:80W; Polarité transistor:N Canal; Temps de montée:8.5ns; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:9A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:25W; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:25W; Temps de montée:6ns; Tensio TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:6A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:20W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:21A; Dissipation de puissance:20W; Dissipation de puissance, max..:20W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:20W; Temps de montée:5ns; Tensio TRANSISTOR MOSFET RF 15W 500MHZ; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:40V; Courant, Id cont.:5A; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier transistor RF:PowerSO-10RF; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:73W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:73W; Température, puissance:70°C; Tension, Vds typ.:12.5V; Tension, Vgs th typ.:5V; Type de boîtier:PowerSO-10RF; Type de boîtier de transistor:PowerSOIC; Type de ter TRANSISTOR NPN I-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LVFS; Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant Ic max..:5A; Courant, Ib:2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissip TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:160; Puissance, Ptot:1.4W; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce s TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2220pF; Courant Iar:12A; Courant, Id max..:13.5A; Courant, Idm impul.:54A; Dissipation de puissance:160W; Energie dissipée, ava TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:30W; Puissance Pd:30W; Tension Vds:30V; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max.. TRANSISTOR MOSFET N SOT-227; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:600W; Puissance Pd:600W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:170mohm; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:25W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:170mJ; Puissance P TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, Vgs th min.:2V TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1000pF; Courant Iar:6A; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:160W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:400mJ; Puissance Pd:160W; T TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1350pF; Courant Iar:5.8A; Courant, Id max..:5.8A; Courant, Idm impul.:23.2A; Dissipation de puissance:30W; Energie dissipée, avala TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3850pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:300W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1320pF; Courant Iar:6.2A; Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:24.8A; Dissipation de puissance:30W; Energie dissipée, ava TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:68nC; Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:156W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1 TRANSISTOR MOSFET N MAX-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:450W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:560A; Dissipation de puissance:450W; Puissance Pd:450W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:10mohm; Tension, Vd TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:11A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:28W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance:28W; Dissipation de puissance, max..:28W; Polarité transistor:N Canal; Temps de montée:8.5ns; Tension Vces:600V; T TRANSISTOR IGBT TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:250W; Temps de montée:13ns; Te TRANSISTOR MOSFET RF 3W 500MHZ; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:25V; Courant, Id cont.:4A; Dissipation de puissance Pd:52.8W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:PowerSO-10RF; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:52.8W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:52.8W; Température, puissance:70°C; Tension, Vds typ.:7.5V; Tension, Vgs th typ.:5V; Type de boîtier:PowerSO-10RF; Ty TRANSISTOR. DOUBLE NPN/PNP SO-8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(E1), 2(B1), 3(E2), 4(B2), 5&6(C2), 7&8(C1); Courant Ic NPN:3A; Courant Ic PNP:3A; Courant Ic max..:3A; Courant, Ib:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic (sat):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:80; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic (sat):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:1000mA; Dissipation TRANSISTOR NPN ISOWATT218FX; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:700V; Dissipation de puissance Pd:62W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:28; Type de boîtier de transistor:ISOWATT-218FX; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:14A; Courant, Ib:7A; Courant, Ic (sat):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:7A; Courant, Icm impulsionnel:21A; Dissipation de puissance:62W; Hfe, min.:6; Puissance, Ptot:62W; Temps, t off:120ns; TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:1A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:160; Puissance, Ptot:1.6 TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:560; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:500mW; Gain en courant hfe, max..:560; Hfe, min.:200; Hfe, typ.:280; Nombre de transisto TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:5A; Dissipation de puissance:1.6W; Hfe, min.:70; Tension, Vcbo:45V; Tension, Vce sat max..:150mV; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 12V SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:12; Courant, Id cont. 25°C:15A; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Rth:50; Tension Vds:12V; Tension, Vds typ TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:43W; Puissance Pd:43W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension Vds:100V; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6.5A; Courant, Idm impul.:26A; Dissipation de puissance:3W; Puissance Pd:74W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N 20V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:130A; Courant, Id cont. 25°C:180A; Courant, Idm impul.:720A; Puissance Pd:210W; Rth:0.72; Tension Vds:20V; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N 14V SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:14V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-16A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:14V; Tension, Vds typ.:12V; Tension, Vgs max..:-600mV; Tension, Vgs, mesure de Rds o TRANSISTOR MOSFET N 40V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:280A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:200A; Courant, Id cont. 25°C:280A; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:1080A; Dissipation de puissance:330W; Puissance Pd:330W; Rth:0.45; Tension Vds:40V; Te TRANSISTOR MOSFET N 75V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:120A; Courant, Id cont. 25°C:170A; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:680A; Dissipation de puissance:300W; Pui TRANSISTOR MOSFET N 40V TSOP-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):112mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LowR; Courant Id Cont 70°C:2.7; Courant, Id cont. 25°C:3.4A; Courant, Id max..:-3.4A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance ther TRANSISTOR MOSFET N 30V TSOP-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LowR; Courant Id Cont 70°C:3; Courant, Id cont. 25°C:3.8A; Courant, Id max..:-3.8A; Courant, Idm impul.:15A; Dissipation de p TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:3.8W; Puissance Pd:200W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension Vds:100V; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:65A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):19.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:4600pF; Courant, Id cont. 100°C:46A; Courant, Id cont. 25°C:65A; Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:330W; Energie dissipée, a TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:62A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Température de fonctionnement:-40°C +180°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:44A; Courant, Id cont. 25°C:62A; Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:330W; Puis TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1300pF; Charge, porte, canal P:97nC; Courant Iar:11A; Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:76A; Dissipation de puissance:3.1W; Energie dissipée, avalanche non répétit TRANSISTOR MOSFET N 100V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:63A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:45A; Courant, Id cont. 25°C:63A; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:250A; Dissipation de puissance:140W; Puiss TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N TSSOP-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de drain continu Id, Canal N:4.8A; Courant, Id max..:4.8A; Courant, Idm impul.:19A; Puissance Pd:1.2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.04ohm; Tension Vds:20V; Tension drain source TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P TSOP-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LowR; Configuration module:Double; Courant Id Cont 70°C:2.3; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.9A; Courant, Id cont. 25°C:2.9A; Courant, Id max..:-2.9A; Coura TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Id max..:-4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Tension Vds:12V; TRANSISTOR IGBT COPAK TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:48A; Tension, Vce sat max..:1.65V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:48A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:250W; Temps de montée:22 TRANSISTOR IGBT COPAK TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:48A; Tension, Vce sat max..:1.65V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:48A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:250W; Temps de montée:22 TRANSISTOR PNP D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic (sat):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:100mA; Dissipati TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:3.8W; Puissance Pd:320W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N 150V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:43A; Courant, Id cont. 25°C:60A; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:320W; Puissance Pd:320W; Rth:0.47; Tension Vds:150V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 200V TSOP-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:600mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:SMPS; Courant Id Cont 70°C:0.48; Courant, Id cont. 25°C:600mA; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:4.8A; Dissipati TRANSISTOR MOSFET N 150V TSOP-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:900mA; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:SMPS; Courant Id Cont 70°C:0.7; Courant, Id cont. 25°C:900mA; Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:7A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance t TRANSISTOR MOSFET N 55V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:74A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-74A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension Vds:55V; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max. TRANSISTOR MOSFET N 12V SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-16A; Courant, Idm impul.:65A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:12V; Tension, Vds typ.:12V; Tension, Vg TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:3.8W; Puissance Pd:48W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension, TRANSISTOR MOSFET N 20V TSOP-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):86mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:LowR; Courant Id Cont 70°C:3.3; Courant, Id cont. 25°C:4A; Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:16.5A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance thermi TRANSISTOR MOSFET N 40V TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4.6A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance Pd:1.5W; Tension Vds:40V; Tension, Vds typ.:-40V; Tensi TRANSISTOR MOSFET N 75V TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:210A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:9400pF; Courant, Id cont. 100°C:150A; Courant, Id cont. 25°C:210A; Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:850A; Dissipation de puissance:370W; Energie dissipée, TRANSISTOR MOSFET N 30V SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.35V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:17; Courant, Id cont. 25°C:21A; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Rth:50; Tension Vds:30V; Tension, Vds TRANSISTOR MOSFET N 25V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.85V; Dissipation de puissance Pd:81W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:72A; Courant, Id cont. 25°C:100A; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:410A; Dissipation de puissance:81W; Puiss TRANSISTOR MOSFET N 100V SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:6.6; Courant, Id cont. 25°C:8.3A; Courant, Id max..:8.3A; Courant, Idm impul.:66A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissanc OPTOCOUPLEUR 5KV SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, CTR:1mA; Pas:2.54mm; Ratio, CTR max.:1200%; Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR 5KV SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, CTR:1mA; Pas:2.54mm; Ratio, CTR max.:1200%; Ratio, CTR min:100%; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor QUAD OPTOCOUPLEUR 5KV SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:300V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Courant, If, CTR:1mA; Pas:2.54mm; Ratio, CTR:4000%; Ratio, CTR min:1000%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor Darlington QUAD OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:UL; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6°C/W; Temps de desc TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.7A; Courant, Id max..:4.7A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Résistance On Rds(on TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5.4A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Id max..:-5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Tension Vds:12V; TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):51mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.9A; Courant, Idm impul.:15A; Puissance Pd:1W; Tension Vds:20V; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:-0.45V; Tension, Vgs th min.:-1.2V TRANSISTOR IGBT COPAK TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:24A; Tension, Vce sat max..:1.55V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:24A; Courant, Icm impulsionnel:48A; Dissipation de puissance:140W; Dissipation de puissance, max..:140W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:140W; Temps de montée:17 TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:82A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:14000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:82A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:360W; Rth:0.35; Temps trr max.:200ns; Tension, Vds typ.:300V; Tension, Vgs max..:5V; Tension TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Rth:0.5; Temps trr max.:200ns; Tension, TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:45A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):72mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:12700pF; Charge, porte, canal N:197nC; Courant, Id max..:45A; Dissipation de puissance:360W; Puissance Pd:360W; Rth:0.35; Temps trr max.:200ns; Tension, TRANSISTOR IGBT ISOI4-PAC; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:44A; Tension, Vce sat max..:3.5V; Tension, Vceo:1.7kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS i4-PAC; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:26A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Tension Vces:1700V; Type de boîtier:ISOi4-PAC; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:160; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:310mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MH OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Porte logique; Courant, entrée:15mA; Tension, sortie:3.3V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UDE / UL; CMR:50000V/è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type d'optocoupleur:Haute rapidité; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Porte logique TRANSISTOR MOSFET SMART SWITCH SOT-23-5; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:800mA; Résistance d'état On:0.125ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:667mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-23; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:800mA; Dissipation de puissance:667mW; Polarité transistor:P Ca TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:70A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:92W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:70A; Dissipation de puissance:92W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8445; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:90A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Dissipation de puissance:500W; Puissance Pd:500W; Tension, Vds typ.:300V; Tension, Vgs max..:30V; Tension TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puissance:35W; Puissance Pd:35W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type d TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:40W; Puissance Pd:40W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):430mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR IGBT 1200V TO-3P(LH); Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:25A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de descent TRANSISTOR IGBT 600V TO-3P(LH); Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de descente TRANSISTOR IGBT 600V TO-220NIS; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:35W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220NIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:35W; Dissipation de puissance, max..:35W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:35W; Temps de descente, PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:860nm; Consommation de puissance:75mW; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; Angle, moitié:13°; Courant Ic max..:3mA; Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic typ.:0.8mA; Diamètre de la broche:0.4mm; Dissipation de puissance:75mW; Dissipation de puissance Pd:75mW; Largeur (externe):3mm; Longueur cordon:17.5mm; Longueur d'onde, crête:860nm; Longueur/hauteur:4.0mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.8mm; Sensibilité nom TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:450mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:250mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..: TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:280pF; Courant Iar:2A; Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:45W; Energie dissipée, avalanche non rép TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 600V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:21A; Dissipation de puissance:83W; Puissance Pd:83W; Style de boîtier alternatif:TO-252; Tension, Vds typ.:6 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P MLP6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):95mohm; Tension, mesure Rds:-1V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.1A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:1.4W; Marquage, CMS:029; Puissance Pd:1.4W; Température, Tj max..:150°C TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:254W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:9200pF; Config. Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:556A; Dissipation de puissance:254W; Puissance Pd:254W; Résistance thermique, jonction-carcass TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1360pF; Config. Brochage:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, TRANSISTOR MOSFET P UCPBF; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:800pF; Config. Brochage:G(1),S(2,5,6),D(3,4); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:15A; Dissipation de puissance:1.9W; Puissance Pd:1.5W; Résistance, Rds on max..:85mohm; TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:3550pF; Charge, porte, canal N:110nC; Puissance Pd:120W; Rth:1.25; Temps trr max.:150ns; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tension, isolation:2.5kV; Type de boîtier:ISOPLUS TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:133A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:235nC; Courant, Id max..:133A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Rth:0.5; Temps trr max.:150ns; Tension, TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):95mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:8700pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:35A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Rth:0.42; Temps trr max.:200ns; Tension TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:26A; Tension, Vce sat max..:3.5V; Tension, Vceo:1.7kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:38A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Temps de descente:250ns; Temps de montée:250ns; Tension Vces:1700V; Type de b TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:1.9V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Dissipation de puissance:167W; Dissipation de puissance, max..:167W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.74°C/W; Temps de descente:8 TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.5°C/W; Temps de descente:100n TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.32°C/W; Temps de descente:3 TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):7.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:22nC; Puissance Pd:150W; Rth:1; Temps trr max.:80ns; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tension, isolation:2.5kV; Type de boîtier:ISOPLUS-220; Type de terminaison:Traver TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:160A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Puissance Pd:300W; Rth:0.5; Temps trr max.:120ns; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tension, isolation:2.5kV; Type de boîtier:ISOPLUS-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N 450V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):680mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:40W; Puissance Pd:40W; Tension, Vds typ.:450V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:40W; Puissance Pd:40W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:45W; Puissance Pd:45W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type TRANSISTOR MOSFET N 900V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):6.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:7.5A; Dissipation de puissance:40W; Puissance Pd:40W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:270MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Current, Ic hfe -Do Not Use TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:6V; Fréquence de transition ft typ.:270MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:380; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:560; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Current, Ic hfe -Do Not Use TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:3.5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Current, Ic hfe -Do Not Us TRANSISTOR NPN/PNP SOT23-6; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant DC Gain Hfe max.:500; Courant DC Gain Hfe min.:180; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:750mA; Dissipation de puissan TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:9.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:GPSW; Courant, Id max..:10.9A; Courant, Idm impul.:35.3A; Dissipation de puissance:9.5W; Dissipation de puissance PD pour CI 50mmË›:4.2W TRANSISTOR MOFSFET P SOT-223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.7A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:SWLR; Courant, Id max..:-3.7A; Courant, Idm impul.:9.6A; Dissipation de puissance:3.9W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande: TRANSISTOR MOSFET N 1500V TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):7ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:13000pF; Courant Iar:4A; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:160W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:350mJ; Puissance Pd:160W TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:15000pF; Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:70A; Dissipation de puissance:300W; Format broche:G,D,S; Marquage, CMS:FDB8441; TRANSISTOR MOSFET P MLP6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:-700mV; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6.6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:2.4W; Puissance Pd:2.4W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3437pF; Config. Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:137W; Puissance Pd:137W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0 TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:15000pF; Config. Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Résistance thermique, jonction-carcas TRANSISTOR HAUTE FREQ GAAS; Courant, Id cont.:40mA; Tension Vds max..:3V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:180mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:40mA; Courant, Idm impul.:40mA; Dissipation de puissance:180mW; Gain Bande-passante ft, typ.:12GHz; Puissance Pd:180mW; Style de boîtier alternatif:SC-70; Tension, Vds typ.:3V; Tension, Vgs max..:3V; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS; ft, min.: TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:7V; Tension, Vgs th typ.:380mV; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id cont. 25°C:1A; Courant, Id max..:1A; Dissipation de puissance:2.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:0Gx; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.25W; Tension, Vds typ.:4.5V; Tension, Vgs max..:800mV; Type de boî TRANSISTOR MOSFET N RF 754; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:10A; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Nombre de broches:8; Capacité, Ciss typ:383pF; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance, max..:470W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:360W; Résistance Rds(on):1ohm; Temps de montée:16ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:4.95V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:20V; Type de boîtier:DE-275X2; TRANSISTOR MOSFET N RF DE275X2; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1kV; Courant, Id cont.:16A; Dissipation de puissance Pd:1.18kW; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier transistor RF:DE275X2; Nombre de broches:8; Capacité, Ciss typ:1800pF; Dissipation de puissance, max..:1.18kW; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:1.18kW; Résistance Rds(on):800mohm; Temps de montée:2ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:15V; T TRANSISTOR MOSFET N RF DE375; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1.2kV; Courant, Id cont.:8A; Dissipation de puissance Pd:880W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier transistor RF:DE375; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:1960pF; Dissipation de puissance, max..:880W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:880W; Résistance Rds(on):2.1ohm; Temps de montée:5ns; Tension, Vds typ.:1.2kV; Tension, Vgs th typ.:6.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:20V; Type de b TRANSISTOR MOSFET N RF SOT-227B; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:55A; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-227B; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:6700pF; Dissipation de puissance, max..:600W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:600W; Résistance Rds(on):85mohm; Temps de montée:20ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Typ TRANSISTOR MOSFET N RF TO-247AD; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:21A; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-247AD; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2600pF; Dissipation de puissance, max..:300W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:300W; Résistance Rds(on):250mohm; Temps de montée:12ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Ty TRANSISTOR MOSFET N RF TO-264; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1kV; Courant, Id cont.:24A; Dissipation de puissance Pd:560W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6600pF; Dissipation de puissance, max..:560W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:560W; Résistance Rds(on):390mohm; Temps de montée:18ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:7V; Courant, Id cont.:30mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Bruit:2dB; Type de boîtier transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1); Dissipation de puissance, max..:200mW; Marquage, CMS:MO4; Nombre de transistors:2; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200mW; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:7V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Ty TRANSISTOR MOSFET VHF SOT121; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:125V; Courant, Id cont.:16A; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier transistor RF:SOT-121B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:RFPOWMOS; Courant, Idss max..:2.5mA; Dissipation de puissance, max..:220W; Format broche:D(1), S(2&4), G(3); Gain Bande-passante ft, typ.:28MHz; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:220W; Racine de la référence:1; Résistance RESEAU DE TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:350MHz; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Courant, sortie max.:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Numéro de la fonction logique:340; Numéro générique:340; TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:7V; Tension, Vgs th typ.:280mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:LPCC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:S(1), G(2), D(7),N/C(3+5+6+8) ; Courant, Id cont. 25°C:1A; Courant, Id max..:1A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Marquage, CMS:1Px; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:3W; Tension, Vds typ.:4.5V; Tension, Vgs max..:1V; Type de boî TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:7V; Courant, Id cont.:300mA; Dissipation de puissance Pd:1W; Gamme de fréquences d'utilisation:50MHz 6GHz; Bruit:0.85dB; Type de boîtier transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Id cont. 25°C:300mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Marquage, CMS:3Gx; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1W; Tension, Vds typ.:4V TRANSISTOR MOSFET N RF DE275; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:10A; Dissipation de puissance Pd:470W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier transistor RF:DE275; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:622pF; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance, max..:470W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:470W; Résistance Rds(on):1ohm; Temps de montée:4ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:4.95V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N RF DE275; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:200V; Courant, Id cont.:25A; Dissipation de puissance Pd:590W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier transistor RF:DE275; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:2500pF; Dissipation de puissance, max..:590W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:590W; Résistance Rds(on):80mohm; Temps de montée:5ns; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:15V; Type de bo TRANSISTOR MOSFET N RF DE275; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:590W; Type de boîtier de transistor:DE-275; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:1800pF; Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:590W; Puissance Pd:590W; Temps de montée:2ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:15V; Type de boîtier: TRANSISTOR MOSFET N RF TO-247AD; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:12A; Dissipation de puissance Pd:180W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-247AD; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1870pF; Dissipation de puissance, max..:180W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:180W; Résistance Rds(on):400mohm; Temps de montée:14ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type TRANSISTOR MOSFET N RF TO-268AA; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:28A; Dissipation de puissance Pd:315W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-268; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:3000pF; Dissipation de puissance, max..:315W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:315W; Résistance Rds(on):190mohm; Temps de montée:13ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type d TRANSISTOR JFET N RF SOT23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:6mA 15mA; Tension, Vgs off max..:7.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:S(1), D(2), G(3); Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:250mW; Température, Tj max..:150°C; TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT323; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.9dB; Config. Brochage:B(1),E(2),C(3); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:120mA; Courant de collecteur:120mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Fréquence, test:900M RESEAU DE TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:350MHz; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Courant, sortie max.:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Numéro de la fonction logique:300; Numéro générique:300; Ra TRANSISTOR MOSFET RF 12W 500MHZ; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:40V; Courant, Id cont.:2.5A; Dissipation de puissance Pd:14W; Type de boîtier transistor RF:PowerFLAT; Nombre de broches:8; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance, max..:14W; Largeur (externe):5mm; Longueur/hauteur:5mm; Marquage, CMS:55003; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Profondeur:1mm; Puissance Pd:14W; Température, puissance:70°C; Tension, Vds typ.:40V; Ten TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 600V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:11.7A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Résistance, Rds on max..:1.2ohm; Style de boîtier al TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 650V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:54W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:13.8A; Dissipation de puissance:54W; Puissance Pd:54W; Style de boîtier alternatif:TO-252; Tension, Vds TRANSISTOR MOSFET N MLP6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):123mohm; Tension, mesure Rds:1V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.9A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:1.5W; Marquage, CMS:109; Puissance Pd:1.5W; Température, Tj max..:150°C; Tempé TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N MLP6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:1V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroFET; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:1.4W; Marquage, CMS:028; Puissance Pd:1.4W; Température, Tj max..:150°C; TRANSISTOR MOSFET P SUPER33; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.8V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:200pF; Config. Brochage:D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:42W; R TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):94mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:235W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1640pF; Config. Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:132A; Dissipation de puissance:235W; Puissance Pd:235W; Résistance thermique, jonction-carcasse: TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):94mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:94W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1640pF; Config. Brochage:G(1),D(2),S(3); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:94W; Puissance Pd: TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:117W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3620pF; Config. Brochage:G(1),D(2),S(3); Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:112A; Dissipation de puissance:117W; Puissance TRANSISTOR MOSFET SMART SWITCH MLD; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:200mA; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:MLP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:0.4A; Dissipation de puissance:1.4W; Polarité transistor:P Canal; Puissance Pd:1.4W; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, Vds typ.:5 TRANSISTOR MOSFET N 600V D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:9A; Dissipation de puissance:2.5W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:20mJ; Largeur (externe):6.8m TRANSISTOR MOSFET IPS SOIC-8; Type de commutateur:Bas potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:1.5A; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif bas; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Nombre de canaux de sortie:2; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.5A; Courant, Id max..:1.5A TRANSISTOR MOSFET IPS SOT-223; Type de commutateur:Bas potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:1.4A; Résistance d'état On:0.16ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif bas; Dissipation de puissance Pd:2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.4A; Courant, Id max..:1.4 TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:32A; Résistance d'état On:0.024ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Dissipation de puissance:25W TRANSISTOR MOSFET IPS D2PAK; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:32A; Résistance d'état On:0.024ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:D2-PAK; Dissipation de puissance:3.1W; Racine TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MZ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.9V; Dissipation de puissance Pd:2.8mW; Type de boîtier de transistor:DirectFET; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:6.6A; Courant, Id max..:6.6A; Courant, Idm impul.:66A; Dissipation de puissance:2.8mW; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:39mJ; Racine de la référenc TRANSISTOR MOSFET IPS D2-PAK; Type de commutateur:Bas potentiel unique; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.02ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:6A; Courant, Id max..:4.8A; Courant, d'arrêt:35A; Dissipation de puissance:3.1W; Polarité trans TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MZ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):59.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.8mW; Type de boîtier de transistor:DirectFET; Nombre de broches:5; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:3.7A; Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:37A; Dissipation de puissance:2.8mW; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:46m TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:32V; Limite en courant:14A; Résistance d'état On:0.016ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Dissipation de puissance:2W; R TRANSISTOR FAIBLE BRUIT GAAS; Courant, Id cont.:305mA; Tension Vds max..:5.5V; Tension, Vgs th typ.:-5V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Type de boîtier de transistor:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:305mA; Courant, Idm impul.:305mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:10GHz; Marquage, CMS:3Px; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:600mW; Tension, Vds typ.:5.5V; Tension, Vgs max..:5V; Type de boîtier:SOT-343; Type de terminai TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:7V; Tension, Vgs th typ.:300mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:LPCC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:S(1), G(2), D(7),N/C(3+5+6+8) ; Courant, Id cont. 25°C:300mA; Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Marquage, CMS:3Px; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1W; Tension, Vds typ.:4V; Tension, Vgs max..:1V; Type TRANSISTOR MOSFET N RF DE375; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:940W; Type de boîtier de transistor:DE-375; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:2000pF; Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:940W; Puissance Pd:940W; Temps de montée:3ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:15V; Type de boîtier:DE TRANSISTOR MOSFET N RF DE475; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:1.8kW; Type de boîtier de transistor:DE-475; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:5500pF; Courant, Id max..:44A; Dissipation de puissance:1.8kW; Puissance Pd:1.8kW; Temps de montée:5ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:15V; Type de boîti TRANSISTOR MOSFET N RF DE475; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:1.8kW; Type de boîtier de transistor:DE-475; Nombre de broches:6; Capacité, Ciss typ:5500pF; Courant, Id max..:24A; Dissipation de puissance:1.8kW; Puissance Pd:1.8kW; Temps de montée:5ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:15V; Type de boîtier TRANSISTOR MOSFET N RF TO-247AD; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1kV; Courant, Id cont.:6A; Dissipation de puissance Pd:180W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-247AD; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1870pF; Dissipation de puissance, max..:180W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:180W; Résistance Rds(on):1.9ohm; Temps de montée:14ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs th typ.:5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET N RF TO-264; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:500V; Courant, Id cont.:44A; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5500pF; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:500W; Résistance Rds(on):120mohm; Temps de montée:18ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs th typ.:5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET N RF TO-264; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1kV; Courant, Id cont.:21A; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5500pF; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:500W; Résistance Rds(on):500mohm; Temps de montée:16ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs th typ.:5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de bo TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:20V; Courant, Id cont.:20mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Bruit:1dB; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1); Dissipation de puissance, max..:200mW; Marquage, CMS:M91; Nombre de transistors:2; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200mW; Température, Tj max..:150°C; Tens TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT343; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:1.9dB; Config. Brochage:C(1),B(2),E(3+4); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:120mA; Courant de collecteur:120 RESEAU DE TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:325MHz; Courant de collecteur DC:-20mA; Gain en courant DC hFE:75; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:-20mA; Courant, sortie max.:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:325MHz; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Numéro de la fonction logique:320; Numéro générique:320; TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:70W; Puissance Pd:70W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm; Tension Vds:600V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:45W; Puissance Pd:45W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.8ohm; Tension Vds:400V; T TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:510pF; Courant Iar:4A; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:25W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:120mJ; Puissance Pd:25W; Résis TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:40nC; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:214W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:214W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:45A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:117nC; Courant, Id max..:45A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:417W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:417W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:100mohm; Sty TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:25W; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:25W; Temps de montée:250ns; Te TRANSISTOR IGBT TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:250A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de montée:70ns; Te TRANSISTOR MOSFET IPS SOT-223; Type de commutateur:Bas potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:1.4A; Résistance d'état On:0.1ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif bas; Dissipation de puissance Pd:1W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.4A; Courant, Id max..:1.4A TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:32A; Résistance d'état On:0.024ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:DPAK (TO-252); Dissipation de puissance:2.5W; TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:16A; Résistance d'état On:0.046ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Dissipation de puissance:25W TRANSISTOR MOSFET IPS SOIC-8; Configuration module:Côté haut; Courant, sortie crête:7A; Résistance de sortie:0.11ohm; Délais d'entrée:5è¾s; Délais de sortie:10è¾s; Gamme de tension d'alimentation:4V 5.5V; Type de boîtier CI Driver:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.6A; Courant, charge:0.22A; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Délais E/S:10è¾s; Limitation de courant (max..):16A; Polarité transis TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic (sat):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:100mA; Dissipati TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:3A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:90; Puissance, Ptot:1.6W; Tension, Vcbo:40V; TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:88W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:3.7W; Puissance Pd:88W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension Vd TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:3W; Puissance Pd:125W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension, Vds TRANSISTOR MOSFET N 30V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:170A; Courant, Id cont. 25°C:200A; Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1040A; Dissipation de puissance:330W; TRANSISTOR MOSFET N 55V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:74A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-74A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension Vds:55V; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max TRANSISTOR MOSFET N 75V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:70A; Courant, Id cont. 25°C:100A; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:520A; Dissipation de puissance:3.8W; Pu TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-262AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, Vgs th TRANSISTOR MOSFET P 30V TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-8A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance Pd:1.5W; Tension Vds:30V; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:-1V; Te TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:76A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension TRANSISTOR MOSFET N 40V SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):112mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.4A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Tension Vds:40V; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max. TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont. 100°C:57A; Courant, Id cont. 25°C:80A; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:260W; Puis TRANSISTOR MOSFET N 150V SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.2A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):44ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:3.7; Courant, Id cont. 25°C:5.2A; Courant, Id max..:5.2A; Courant, Idm impul.:42A; Dissipation de puissance:3W; Puissance Pd:3W; Rth:50; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET N 20V SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:2.5W; Tension Vds:20V; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-1.2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P TSSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Id max..:-4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Tension Vds:30V; T TRANSISTOR IGBT 1200V D2-PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:11A; Tension, Vce sat max..:3.17V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:22A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Style de boîtier alternatif:TO-263; Temps de montée:26ns; Tension Vc TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.3A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:1.25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:122mohm TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:70A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:625W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:20000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:70A; Dissipation de puissance:625W; Puissance Pd:625W; Rth:0.2; Temps trr max.:200ns; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:5V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:102nC; Courant, Id max..:20A; Dissipation de puissance:208W; Puissance Pd:208W; Rth:0.6; Temps trr max.:200ns; Tension, TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:3.3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:70A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.5°C/W; Temps de descente:1 TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:56A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:56A; Dissipation de puissance:170W; Dissipation de puissance, max..:170W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.74°C/W; Temps de descente:3 TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:68A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.6°C/W; Temps de desce TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Config. Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.5°C/W; Temps de descent TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-220; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:44nC; Puissance Pd:300W; Rth:0.5; Temps trr max.:80ns; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tension, isolation:2.5kV; Type de boîtier:ISOPLUS-220; Type de terminaison:Trav TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Bas potentiel unique; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.02ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:6A; Courant, Id max..:4.3A; Courant, d'arrêt:35A; Dissipation de puissance:2.5W; Polarité transi TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Bas potentiel unique; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.04ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:6A; Courant, Id max..:3A; Courant, d'arrêt:18A; Dissipation de puissance:2.5W; Polarité transist TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:32V; Limite en courant:18A; Résistance d'état On:0.0095ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Dissipation de puissance:2W; TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:80A; Courant, Idss max..:250mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Rac TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:240A; Courant, Idss max..:250mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; TRANSISTOR MOSFET N 900V TO-220SIS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:15A; Dissipation de puissance:45W; Puissance Pd:45W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de bo TRANSISTOR IGBT 1200V TO-3P(N); Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:10A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:140W; Dissipation de puissance, max..:140W; Format broche:GCE; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:140W; Temps de montée:70ns; Tension Vces:1.2kV; Ty TRANSISTOR IGBT +D 600V TO-3P(LH); Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:2.45V; Dissipation de puissance Pd:240W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance:240W; Dissipation de puissance, max..:240W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:240W; Résistance th TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Bas potentiel unique; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.01ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:18A; Courant, Id max..:18A; Courant, d'arrêt:85A; Dissipation de puissance:25W; Polarité transist TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Bas potentiel unique; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.02ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:6A; Courant, Id max..:13.5A; Courant, d'arrêt:35A; Dissipation de puissance:25W; Polarité transis TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Bas potentiel unique; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.04ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:6A; Courant, Id max..:9.5A; Courant, d'arrêt:18A; Dissipation de puissance:25W; Polarité transist TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:29A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8mW; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:5; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Id Cont 70°C:23; Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:230A; Dissipation de puissance:2.8mW; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:1170mJ; Racin TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:32V; Limite en courant:23A; Résistance d'état On:0.006ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Dissipation de puissance:2W; R TRANSISTOR MOSFET PROFET 12A P-DSO-12; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:40V; Limite en courant:12A; Résistance d'état On:0.07ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Nombre de canaux de sortie:2; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:3.7A; Dissipation de puissance:3.1W; Inductance, max..:21.3mH; Nombre d TRANSISTOR MOSFET PROFET 8A TO-220-7; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:34V; Limite en courant:8A; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:75W; Nombre de canaux de sortie:2; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:4.4A; Dissipation de puissance:75W; Nombre de voies:2; Numéro générique:6 TRANSISTOR MOSFET PROFET 6.5A DSO-20; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:40V; Limite en courant:6.5A; Résistance d'état On:0.11ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Nombre de canaux de sortie:4; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:5.3A; Dissipation de puissance:3.6W; Inductance, max..:21mH; Nombre de TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Ciss typ:872pF; Charge, porte, canal N:11nC; Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:21A; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance Pd:1W; T TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Ciss typ:370pF; Charge, porte, canal N:4.8nC; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:11.8A; Dissipation de puissance:806mW; Puissance TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:480W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:3550pF; Charge, porte, canal N:110nC; Courant, Id max..:110A; Dissipation de puissance:480W; Puissance Pd:480W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.31°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:460W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:4000pF; Charge, porte, canal N:70nC; Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:460W; Puissance Pd:460W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.27°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:48A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:8860pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:48A; Dissipation de puissance:830W; Puissance Pd:830W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.15°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:88A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:180nC; Courant, Id max..:88A; Dissipation de puissance:600W; Puissance Pd:600W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-268; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-268; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5500pF; Charge, porte, canal N:93nC; Courant, Id max..:36A; Dissipation de puissance:540W; Puissance Pd:540W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.23°C/W; TRANSISTOR MOSFET N PLUS220 SMD; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:PLUS220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:3000pF; Charge, porte, canal N:50nC; Puissance Pd:360W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.35°C/W; Temps trr max.:250ns; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor T TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:800W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:200A; Dissipation de puissance:800W; Puissance Pd:800W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/ TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:88A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:180nC; Courant, Id max..:88A; Dissipation de puissance:600W; Puissance Pd:600W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Te TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:80; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):80mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Gain en courant hfe, max..:80; Hfe, min TRANSISTOR MOSFET P 8V SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.7A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.7A; Dissipation de puissance:960mW; Puissance Pd:960mW; Tension, Vds typ.:-8V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236) TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.2A; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:1.25W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1.2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-23 TRANSISTOR MOSFET P 50V SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130mA; Dissipation de puissance:225mW; Puissance Pd:225mW; Tension, Vds typ.:-50V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.68V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:2.1W; Puissance Pd:2.1W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:1.68V; Te TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:12mA 30mA; Tension, Vgs off max..:4V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:30mA; Courant, Idss min.:12mA; Dissipation de puissance:225mW; Marquage, CMS:6x; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:225mW; Tension Vds max..:25V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:225pF; Config. Brochage:A(1&2), S(3), G(4), C(7&8), D(6&5); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance, Rds on max..:56mohm; TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:4152pF; Config. Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:255W; Puissance Pd:255W; Résistance thermique, jonction-carcass TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:715pF; Config. Brochage:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6A; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm imp TRANSISTOR MOSFET PROFET 4A TO-220-7; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:34V; Limite en courant:4A; Résistance d'état On:0.16ohm; Dissipation de puissance Pd:36W; Nombre de canaux de sortie:2; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2.3A; Dissipation de puissance:36W; Nombre de voies:2; Numéro générique:612; Pas:2.54mm; Résistance TRANSISTOR MOSFET PROFET 4A P-DSO-20; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:34V; Limite en courant:4A; Résistance d'état On:0.165ohm; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Nombre de canaux de sortie:4; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:4.4A; Dissipation de puissance:3.6W; Nombre de voies:4; Numéro générique:711; Résistance Rds(on):0 TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2250pF; Charge, porte, canal N:43nC; Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2300pF; Charge, porte, canal N:38nC; Puissance Pd:300W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; Temps trr max.:200ns; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type: TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:460W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:4150pF; Charge, porte, canal N:70nC; Courant, Id max..:30A; Dissipation de puissance:460W; Puissance Pd:460W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.27°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:102nC; Courant, Id max..:36A; Dissipation de puissance:650W; Puissance Pd:650W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:680W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:115A; Dissipation de puissance:680W; Puissance Pd:680W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.22°C TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:680W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:7000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:150A; Dissipation de puissance:680W; Puissance Pd:680W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.22°C TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:18000pF; Charge, porte, canal N:250nC; Courant, Id max..:53A; Dissipation de puissance:1.04kW; Puissance Pd:1.04kW; Résistance thermique, jonction-carcasse: TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1050pF; Charge, porte, canal N:39nC; Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.62°C/W; Tem TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1050pF; Charge, porte, canal N:39nC; Courant, Id max..:4A; Dissipation de puissance:150W; Puissance Pd:156W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.8°C/W; Temps t TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:102A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:224nC; Courant, Id max..:102A; Dissipation de puissance:700W; Puissance Pd:700W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:8000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:120A; Dissipation de puissance:700W; Puissance Pd:700W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1050pF; Charge, porte, canal N:39nC; Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:150W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.8°C/W; Tem TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):84mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2300pF; Charge, porte, canal N:70nC; Courant, Id max..:42A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; TRANSISTOR MOSFET PROFET 17A TO-220-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:41V; Limite en courant:17A; Résistance d'état On:0.05ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:75W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:7A; Dissipation de puissance:75W; Inductance, m TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:180A; Dissipation de puissance:830W; Puissance Pd:830W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:8700pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:64A; Dissipation de puissance:830W; Puissance Pd:830W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.15°C/W TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):49mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:20000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:90A; Dissipation de puissance:1.04kW; Puissance Pd:1.04kW; Résistance thermique, jonction-carcasse: TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:14000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:115A; Dissipation de puissance:700W; Puissance Pd:700W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18° TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:680W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:235nC; Courant, Id max..:200A; Dissipation de puissance:680W; Puissance Pd:680W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.22° TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):96mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:200nC; Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:700W; Puissance Pd:700W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/ TRANSISTOR MOSFET N TO-268; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-268; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:4700pF; Charge, porte, canal N:155nC; Courant, Id max..:140A; Dissipation de puissance:600W; Puissance Pd:600W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.25°C/W TRANSISTOR MOSFET N PLUS220 SMD; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:400W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PLUS220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:3600pF; Charge, porte, canal N:60nC; Courant, Id max..:26A; Dissipation de puissance:400W; Puissance Pd:400W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0. TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:4700pF; Charge, porte, canal N:82nC; Courant, Id max..:36A; Dissipation de puissance:540W; Puissance Pd:540W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.23°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2250pF; Charge, porte, canal N:74nC; Courant, Id max..:75A; Dissipation de puissance:360W; Puissance Pd:360W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; TRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:300W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-720mV; Dissipation de puissance Pd:730mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.2A; Dissipation de puissance:730mW; Puissance Pd:730mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-720mV; Tension, Vgs, TRANSISTOR MOSFET N 50V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:200mA; Dissipation de puissance:225mW; Puissance Pd:225mW; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236) TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:24mA 60mA; Tension, Vgs off max..:6.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance:225mW; Marquage, CMS:6x; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:225mW; Tension Vds max..:25V; Tension, V TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:24mA 60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance:225mW; Marquage, CMS:6C; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:225mW; Tension Vds max..:25V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:400mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:400mA; Dissipation de puissance:225mW; Puissance Pd:225mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-1.9V; Tension, Vgs, TRANSISTOR MOSFET P 30V SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.95A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.95mA; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:1.25W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mes TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.75V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5mA; Dissipation de puissance:730mW; Puissance Pd:730mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.75V; Tension, Vgs, me TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Puissance Pd:225mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Ty TRANSISTOR JFET N 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:25mA 75mA; Tension, Vgs off max..:5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss max..:14pF; Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance:225mW; Marquage, CMS:6K; Polarité transistor:N Canal; Résistance, Rds on max..:60ohm; Tension Vds max..:30V; T TRANSISTOR PROFET PG-DSO-14; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:28V; Limite en courant:8A; Résistance d'état On:0.14ohm; Dissipation de puissance Pd:900mW; Nombre de canaux de sortie:2; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.8A; Dissipation de puissance:900mW; Nombre de voies:2; Résistance Rds(on):0.14ohm; Température de foncti TRANSISTOR PROFET P-TO252-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:36V; Limite en courant:65A; Résistance d'état On:0.013ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:42W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:25A; Dissipation de puissance:42W; Nombre de voies:1; Résistance Rds(on):0.016o TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:150mW; Puissance Pd:150mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1.7V; Tension, Vgs, mesur TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-323; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.37A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-640mV; Dissipation de puissance Pd:329mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.37A; Dissipation de puissance:329mW; Puissance Pd:329mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-640mV; Tension, TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.8A; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:1.25W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:500mV; Tension, Vgs, mesure TRANSISTOR MOSFET N/P 20V 6 BROCHES DFN; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.8A; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance Pd:2.3W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, TRANSISTOR MOSFET P 30V TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-5V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Ty TRANSISTOR PROFET P-TO252-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:38V; Limite en courant:75A; Résistance d'état On:0.01ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:59W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:8A; Dissipation de puissance:59W; Nombre de voies:1; Rés TRANSISTOR PROFET PG-SOT223-4; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:45V; Limite en courant:1.1A; Résistance d'état On:0.15ohm; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:700mA; Dissipation de puissance:1.4W; Nombre de voies:1; Résistance Rds(on):0. TRANSISTOR PROFET PG-DSO-8; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:16V; Limite en courant:4.5A; Résistance d'état On:0.15ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.3A; Dissipation de puissance:1.5W; Nombre de voies:1; Ré TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.6mA; Dissipation de puissance:730mW; Puissance Pd:420mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.7V; Tension, Vgs, mesur TRANSISTOR MOSFET P 30V SOT-223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.75V; Dissipation de puissance Pd:3.13W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.2A; Dissipation de puissance:3.13W; Puissance Pd:3.13W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1.75V; Tension, Vgs th max..:-3V; Tension, V TRANSISTOR MOSFET SMART N 60V 2.5W DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:65V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.85V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(G),2(D),3(S); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:2.5W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:143mJ; Puissance Pd:1.3W; Température, chute:20 TRANSISTOR PROFET PG-DSO-12; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:28V; Limite en courant:40A; Résistance d'état On:0.019ohm; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Nombre de canaux de sortie:2; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Dissipation de puissance:1.4W; Nombre de voies:2; Résistance Rds(on):0.025ohm; Température de fonctio TRANSISTOR PROFET P-TO252-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:38V; Limite en courant:75A; Résistance d'état On:0.01ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:59W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:8A; Dissipation de puissance:59W; Nombre de voies:1; Rés PHOTOTRANSISTOR I/R EMISSION LATERALE; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:920nm; Consommation de puissance:150mW; Angle, vision:37°; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:37°; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic typ.:4mA; Dissipation de puissance:150mW; Dissipation de puissance Pd:150mW; Largeur (externe):4.9mm; Longueur cordon:12.9mm; Longueur/hauteur:4.9mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.65mm; Réponse spectrale crête:920 TRANSISTOR MOSFET P 8V SOT-323; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.4A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:290mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.4A; Dissipation de puissance:290mW; Puissance Pd:290mW; Tension, Vds typ.:-8V; Tension, Vgs max..:-700mV; Tension, Vgs, TRANSISTOR MOSFET P 60V TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):196mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:2.4W; Puissance Pd:2.4W; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET SMART N 42V 64W DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:42V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:64W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(G),2(D),3(S); Courant, Id max..:33A; Dissipation de puissance:64W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:1215mJ; TRANSISTOR, PNP, TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminais TRANSISTOR, NPN, TO-225; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:2; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:2N5194 / 2N5195; Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:40W TRANSISTOR, NPN, TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:2; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):60mA; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:5; Tension, Vce sat max..:750mV; Type de boîtier:TO-204AA; Type de terminaison:Tr TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:700mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Puissance, Ptot:300mW; Tensio TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):450mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:30 TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de bo TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:375; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:BCP68; Config. Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):220mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Puissance, Ptot:300mW; Tensio TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:600mV; Type de boîtier: TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):475mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de bo TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):475mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de bo TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de t TRANSISTOR, NPN, TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:83W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:83W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:400mV; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR, PNP, TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:83W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:83W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:12000; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:MJD117G; Courant Ic max..:2A; Courant de pic Icm:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:1.75W; Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:20W; Tension, Vcbo: TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:MJD253G; Courant Ic max..:4A; Courant de pic Icm:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:15; Pui TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT-363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:MJD31CT4G; Courant Ic max..:3A; Courant de pic Icm:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.56W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; T TRANSISTOR, PNP, TO-225; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:40; Type de boîtier:TO-225; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:PZT2907AT1; Config. Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:PZT2222AT1; Config. Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Puissan TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:4mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:650MHz; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, DARLIN, TO92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:5000; Nombre de transistors:2; Puissance, Ptot:625mW; Tension, Vce sat max..:1.5V; Typ TRANSISTOR, NPN, SMD, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:N690A; Puissance, Ptot:1.6W; Tension, Vce sat max.. TRANSISTOR MOSFET PUIS DISSIPATION 140W; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Dissipation de puissance:140W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaiso TRANSISTOR MOSFET P 6-TSOP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-1.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.3A; Dissipation de puissance:1.7W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:TSOP; Type de termin TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):6.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.8A; Dissipation de puissance:54W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de bo TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:190W; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-600mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-760mA; Dissipation de puissance:540mW; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR IGBT N TO-220AB 600V 16A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:150W; Marquage composant:IRFP240; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-610mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-780mA; Dissipation de puissance:540mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS SUPPORT TRANSISTOR TO-5 6PIN; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:TF; Nombre de contacts:6; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Plating:Or; Nombre de voies:6; Orientation du connecteur:Carte PC; Type de montage:Carte PC SUPPORT TRANSISTOR TO-18 3PIN; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:TF; Nombre de contacts:3; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Plating:Or; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.27mm; Type de montage:Carte PC SUPPORT TRANSISTOR TO-5 8PIN; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:TF; Nombre de contacts:8; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Plating:Or; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.27mm; Type de montage:Carte PC TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR DARLINGTON TO-218; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:130W; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:2.5V; Transistor Type:Darlington; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:30è¾A 90è¾A; Tension, Vgs off max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:90è¾A; Courant, Idss min.:30è¾A; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:350mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:5mA 30mA; Tension, Vgs off max..:3V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:30mA; Courant, Idss min.:5mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SUPERSOT-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:680mA; Courant, Id max..:680mA; Dissipation de puissance:900mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.33ohm; Tension TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SUPERSOT-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:960mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.05ohm; Tension drain sour TRANSISTOR MOSFET N 3-TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Dissipation de puissance:75W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.9V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Type de terminaison:Trav TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:170W; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs max..:5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Type de terminaison:Traver TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:65MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:MJD200G; Courant Ic max..:5A; Courant de pic Icm:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:65MHz; Hfe, min.:10; Pui TRANSISTOR, NPN, TO-225; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:MJE253; Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:15; Puissance, Ptot:15W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max.. TRANSISTOR, PNP, TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:15; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-93; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:160W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:18; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):18A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:160W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Darlington; Type de boîtie TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:SOT-416; Type de te TRANSISTOR, PNP, SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:SOT-323; Type de TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:400mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:15V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Tension, Vf max..:1.9V; Type de boîtier:DIP 8; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vf max..:1.8V; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor Darlington OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:50V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP 16; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:13.9kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:32V; Type de boîtier opto:Traversant; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +85°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:CMS; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:25V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vf max..:1.9V; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vf max..:1.65V; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vf max..:1.65V; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:CMS; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Courant, direct, If:60mA; Courant, direct, If:60mA; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor Darlington TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P SC-89; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Courant, Id max..:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SC-89; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P SOT-363; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.9ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:270mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SOT-363; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 6-SC-70; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:1.28A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:740mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Courant, Id max..:1.13A; Dissipation de puissance:740mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SOT-323 (SC-70); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P TO-236; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-3.5A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:3.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vds typ.:-8V; Tension, Vgs max..:-800mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P 6-TSOP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-7.9A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Courant, Id max..:-5.9A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:TSOP; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:8.5A; Dissipation de puissance:1.7W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 8-SOIC; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:11.8A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:11.8A; Dissipation de puissance:3.5W; Tension, Vds typ.:12V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:19A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS CAPTEUR OPTIQ PHOTOTRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:150mW; Angle, vision:20°; Type de boîtier de transistor:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Angle, moitié:20°; Courant, Ic typ.:4.5mA; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité nom mW/cm4:4.5mA@1mW/cmË›; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 3/4 CAPTEUR OPTIQ PHOTOTRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:880nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:15°; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Angle, moitié:15°; Courant, Ic typ.:7mA; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité nom mW/cm4:7mA@1mW/cmË›; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:TO-5 TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.2A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:250V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier: TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4.3A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs max..:-550mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CM TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.7A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-550mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CM RESEAU DE TRANSISTOR NPN 2003 DIP16; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:350mA; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:TTL, CMOS 5V; Marquage composant:ULN2003AN; Nombre de transistors:7; Numéro de la fonction logique:2003; Numéro générique:2003; Racine de la référence:200 TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:7V; Tension, Vgs th typ.:280mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Id cont. 25°C:500mA; Courant, Id max..:500mA; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Marquage, CMS:2Gx; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.5W; Tension, Vds typ.:4.5V; Tension, Vgs max..:1V; Type de bo TRANSISTOR MOSFET N RF ISOPLUS247; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1.2kV; Courant, Id cont.:8A; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier transistor RF:ISOPLUS247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1960pF; Dissipation de puissance, max..:3W; Polarité transistor:N Canal; Résistance Rds(on):2.1ohm; Temps de montée:5ns; Tension, Vds typ.:1.2kV; Tension, Vgs th typ.:6.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:20V; Type de boîtier:ISOPLUS-247; Type de boîtier de transi TRANSISTOR MOSFET N RF SOT-227B; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:1kV; Courant, Id cont.:24A; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-227B; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:6600pF; Dissipation de puissance, max..:600W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:600W; Résistance Rds(on):390mohm; Temps de montée:18ns; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type TRANSISTOR PNP 5GHZ SOT23; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-25mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:2.5dB; Config. Brochage:B(1),E(2),C(3); Courant DC Gain Hfe min.:20; Courant Ic max..:25mA; Courant de collecteur:-25mA; Courant, Ic (hfe):14mA; Fréquence, test:500MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:9G TRANSISTOR JFET N RF SOT23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:5mA; Tension, Vgs off max..:3V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Idss min.:5mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:300mW; Résistance, Rds on max..:50ohm; Température, Tj max..:150°C; Tens TRANSISTOR IGBT N 72A 1200V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:72A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:72A; Dissipation de puissance:500W; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaiso TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 30V SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.2A; Courant, Id max TRANSISTOR PNP 400V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier TRANSISTOR MOSFET N 50V SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:1(G), 2(S),3(D); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:360mW; Puissance Pd:360mW; Tension, TRANSISTOR DARLINGTON SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:900mA; Gain en courant DC hFE:60000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:900mA; Courant Ic Vce sat:930mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:900mA; Courant, Ic moy.:900mA; Courant, Icm impulsi TRANSISTOR DARLINGTON SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:300mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Courant, Ic moy.:300mA; Dissipation de puissance:330mW; Hfe, min.:10000; Nombre de TRANSISTOR NPN SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:190MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:190MHz; TRANSISTOR PNP SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:290MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:290MHz; TRANSISTOR NPN 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ib:100mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:330mW; Gain Bande-passante ft, t TRANSISTOR PNP 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ib:100mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:330mW; Gain Bande-passante ft, t TRANSISTOR NPN 40V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Puissance, OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR SOIC-W; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOIC Large; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR SOIC-W; Nombre de voies:2; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:30mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:110; Marquage composant:BC557; Puissance, Ptot:500mW; TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:200V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:400mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:10; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversa TRANSISTOR PNP TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:2.5V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET P TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:-2mA -25mA; Tension, Vgs off max..:4V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:2mA; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:350mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP 80V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm impulsionnel:1.5A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR IGBT N 20A 600V TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:166W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic max.. permanent b:20A; Courant, Icm impulsionnel:60A; Dissipation de puissance:166W; Dissipation de puissance, max..:166W; Nombre de transistors:1; P SUPPORT TRANSISTOR TO-5 10PIN; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:TF; Nombre de contacts:10; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Plating:Or; Nombre de voies:10; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:1.46mm; Type de montage:Carte PC TRANSISTOR IGBT N 15A 1200V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:110W; Dissipation de puissance, max..:110W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:T TRANSISTOR IGBT N 25A 1200V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:50A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:190W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:190W; Dissipation de puissance, max..:190W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:T TRANSISTOR IGBT N 30A 600V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:187W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:187W; Dissipation de puissance, max..:187W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO- TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:29.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:9.6A; Dissipation de puissance:29.7W; Puissance Pd:29.7W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:650V; TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:13.5A; Dissipation de puissance:31W; Puissance Pd:31W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:650V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:21.9A; Dissipation de puissance:32W; Puissance Pd:32W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Dissipation de puissance:33W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; T TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11.6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11.6A; Courant, Idm impul.:34.8A; Dissipation de puissance:33W; Puissance Pd:33W; Tension Vds:500V; Tension, Vds typ.:560V; T TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:35W; Puissance Pd:35W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:600V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):440mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:28A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:650V; Tensio OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:PhotoSCR; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:500mV; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, direct, If:60mA; Courant, direct, If:60mA; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:50V; Type de boîtier:DIP 8; Type de sortie:Photodiode OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:300V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 4; Type de sortie:Phototransistor Darlington OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:13.9kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:32V; Type de boîtier opto:Traversant; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +85°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:11.6kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:32V; Type de boîtier opto:Traversant; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +85°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:32V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOIC Large; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vf max..:1.65V; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-950mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:-2.2A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:900mW; Marquage composant:SI2301BDS; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-950mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier TRANSISTOR MOSFET N TO-236; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:950mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:4.9A; Dissipation de puissance:750mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:950mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-4.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:-4.7A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-5.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:-4.1A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P SO-8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):53mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.13W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:4.9A; Dissipation de puissance:1.13W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P 8-TSSOP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-5.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:4.7A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:TSSOP; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:7.8A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:100W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):9.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:100W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-236; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:115mA; Dissipation de puissance:200mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 3-SC-70; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:640mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:640mA; Dissipation de puissance:310mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-323 (SC-70); Type de terminaison:CMS CAPTEUR OPTIQ PHOTOTRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:880nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:15°; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Angle, moitié:15°; Courant, Ic typ.:7mA; Réponse spectrale crête:950nm; Sensibilité nom mW/cm4:7mA@1mW/cmË›; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:TO-5 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Marquage composant:BC556B; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtie TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; FB max..:2dB; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:420; Marquage composant:BC560C; Puissance, Ptot:500mW; Tens TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:625mW; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminai TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:1.6V; Transistor Type:Darlington; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR IGBT N 3-TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:24A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:24A; Dissipation de puissance:104W; Dissipation de puissance, max..:104W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:4mA 16mA; Tension, Vgs off max..:8V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:16mA; Courant, Idss min.:4mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:100mA; Tension, Vgs off max..:4.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:100mA; Courant, Idss min.:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:35V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:20mA; Tension, Vgs off max..:35V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:20mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:J111; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:35V; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:8V; Limite en courant:1A; Protection thermique:No; Dissipation de puissance Pd:700mW; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:Super-SOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:700mW; Polarité transistor:N and P Canal; Transistor Type:MOSFET; Type de boîtier:SuperSOT-6 TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.3A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.38ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8.3A; Dissipation de puissance:230W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.38ohm; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs max..:3.75V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtie TRANSISTOR IGBT N 600V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Dissipation de puissance:290W; Dissipation de puissance, max..:290W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Travers OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:50V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP 16; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:70V; Type de boîtier:DIP 8; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP 16; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:PhotoSCR; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:500mV; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Courant, direct, If:60mA; Courant, direct, If:60mA; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:50V; Type de boîtier:DIP 8; Type de sortie:Photodiode OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP 16; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 16; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SO 8; Type de sortie:Phototransistor Darlington OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:50V; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOIC Large; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:25mA 75mA; Tension, Vgs off max..:5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:75mA; Courant, Idss min.:25mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N 100V DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:9.85W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:6.4A; Dissipation de puissance:9.85W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET P 60V DPAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:9.76W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-8.2A; Dissipation de puissance:9.76W; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:-20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type TRANSISTOR MOSFET N + P 30V SO8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:4.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.4A; Courant de d TRANSISTOR MOSFET N + P 60V SO8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:3.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.7A; Courant de TRANSISTOR NPN SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR PNP SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:25mV; Type de boîtier:SOT-22 TRANSISTOR MOSFET N SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:1(G), 2(S),3(D); Courant, Id max..:115mA; Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:330mW; Puissance Pd:330mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.5V; Tension, TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:12000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:1A; Courant, Icm impulsionnel:4A; Dissipation de puissa TRANSISTOR MOSFET N 30V SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:1.56W; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:16.3mohm; Tension Vds:30V; Tension, TRANSISTOR MOSFET SMART DRIVER; Tension, entrée:21V; Tension, sortie:650V; Dissipation de puissance Pd:32W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Fréquence, max..:100kHz; Résistance Rds(on):2.95ohm; Température de fonctionnement max..:130°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension Vds:650V; Tension d'entrée max..:265V; Te TRANSISTOR MOSFET SMART DRIVER; Tension, entrée:21V; Tension, sortie:650V; Dissipation de puissance Pd:220W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:TO-220; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:5A; Fréquence, max..:100kHz; Résistance Rds(on):0.95ohm; Température de fonctionnement max..:130°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension Vds:650V; Tension d'entrée max..:265V TRANSISTOR IGBT N 1.3A 1200V TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:3.2A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:28W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.3A; Dissipation de puissance:28W; Dissipation de puissance, max..:28W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:T TRANSISTOR IGBT N 10A 600V TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:110W; Dissipation de puissance, max..:110W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO- TRANSISTOR IGBT N 75A 600V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:428W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance:428W; Dissipation de puissance, max..:428W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-247 TRANSISTOR MOSFET N 800V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:30.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:30.5W; Puissance Pd:30.5W; Tension Vds:800V; Tension, Vds typ.:800V; Tensi TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:18.6A; Dissipation de puissance:32W; Puissance Pd:32W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 600V D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:9.6A; Dissipation de puissance:38W; Puissance Pd:38W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:650V; Tension TRANSISTOR MOSFET N 600V D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:3.2A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:600V; Tension, OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:PhotoSCR; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:500mV; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:50V; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Photodiode OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:100V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:1.15A; Dissipation de puissance:730mW; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 1206-8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:4.2A; Dissipation de puissance:1.1W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:1206-8 ChipFET; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:10A; Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:1.4W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.018ohm; Tension drain source Vds, Canal N:30V; Tension, Vds typ. TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:45A; Dissipation de puissance:156W; Puissance Pd:156W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:650V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N 600V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:13.5A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; Tension TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:63A; Dissipation de puissance:208W; Puissance Pd:208W; Tension Vds:500V; Tension, Vds typ.:560V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:34.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:313W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:34.6A; Courant, Idm impul.:103.8A; Dissipation de puissance:313W; Puissance Pd:313W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:500mA; Tension, Vgs off max..:10V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET P TO-3P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-36A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-36A; Dissipation de puissance:294W; Tension, Vds typ.:-150V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:TO-3P; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN/PNP SM-8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SM; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:2A; Courant de pic Icm:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:2.75W; Gai TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 60V SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.2A; Courant, Id ma TRANSISTOR NPN SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:30mV; Type de boîtier:SOT-22 TRANSISTOR PNP 150V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ib:200mA; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4.5A; Courant Ic Vce sat:4.5A; Courant de pic Icm:6A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4.5A; Dissipation de puissance:1.5W; Ga TRANSISTOR NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:155MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz; Hfe, min.:270; Puissance, Pt TRANSISTOR NPN 80V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:1W; Tension, Vcbo:100V; Tens TRANSISTOR MOSFET N 30V SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:1.56W; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:27mohm; Tension Vds:30V; Tension, Vds TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:190mA; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:190mA; Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:1.8W; Puissance Pd:1.8W; Tension Vds:800V; Tensi TRANSISTOR MOSFET SMART DRIVER; Tension, entrée:21V; Tension, sortie:650V; Dissipation de puissance Pd:31W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1A; Fréquence, max..:100kHz; Résistance Rds(on):3ohm; Température de fonctionnement max..:130°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension Vds:650V; Tension d'entrée max..:265V; Tensi TRANSISTOR MOSFET SMART DRIVER; Tension, entrée:21V; Tension, sortie:650V; Dissipation de puissance Pd:25W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Fréquence, max..:100kHz; Résistance Rds(on):4.7ohm; Température de fonctionnement max..:130°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension Vds:650V; Tension d'entrée max..:265V; TRANSISTOR IGBT N 3.9A 1200V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:9.6A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:3.9A; Dissipation de puissance:62.5W; Dissipation de puissance, max..:62.5W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boî TRANSISTOR IGBT N 15A 600V TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.05V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:130W; Dissipation de puissance, max..:130W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO- TRANSISTOR IGBT N 8A 1200V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:70W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:70W; Dissipation de puissance, max..:70W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:TO-247 TRANSISTOR IGBT N 40A 1200V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:270W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Dissipation de puissance:270W; Dissipation de puissance, max..:270W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:T TRANSISTOR IGBT N 50A 600V TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:80A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance:333W; Dissipation de puissance, max..:333W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-247 TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:61A; Dissipation de puissance:192W; Puissance Pd:192W; Tension Vds:600V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N 600V SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:230mA; Courant, Idm impul.:900mA; Dissipation de puissance:500mW; Puissance Pd:500mW; Tension Vds:60V; Tension, Vds typ.:60V; TRANSISTOR MOSFET N 800V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:39W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:39W; Puissance Pd:39mW; Tension Vds:800V; Tension, Vds typ.:800V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.6A; Courant, Idm impul.:22.8A; Dissipation de puissance:32W; Puissance Pd:32W; Tension Vds:500V; Tension, Vds typ.:560V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:45A; Dissipation de puissance:34W; Puissance Pd:34W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; Tension TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:63A; Dissipation de puissance:34.5W; Puissance Pd:34.5mW; Tension Vds:500V; Tension, Vds typ.:560V; TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:18.6A; Dissipation de puissance:74W; Puissance Pd:74W; Tension Vds:600V; Tension, Vds typ.:650V; Tensi TRANSISTOR MOSFET IPS SOT-223; Type de commutateur:Bas potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:1.95A; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif bas; Dissipation de puissance Pd:2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.95A; Courant, Id max..:1 TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:60A; Résistance d'état On:0.011ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:DPAK (TO-252); Dissipation de puissance:2.5W; TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:16A; Résistance d'état On:0.046ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:DPAK (TO-252); Dissipation de puissance:2.5W; TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:7A; Résistance d'état On:0.11ohm; Protection thermique:Oui; Activation de polarité:Actif haut; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:Oui; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Type de boîtier:DPAK (TO-252); Dissipation de puissance:2.5W; Ra TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:130A; Différentiel de tension dv/dt:4.4V/ns; Dissipation de puissance:3.8W; Energie avalanche répétitive max..:17mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:330mJ; Puis TRANSISTOR MOSFET PROFET 5A TO-220-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:42V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.19ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:50W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.8A; Dissipation de puissance:50W; Nombre de voi TRANSISTOR MOSFET PROFET 9.8A TO-220-5; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:41V; Limite en courant:40A; Résistance d'état On:0.035ohm; Dissipation de puissance Pd:75W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:9.8A; Dissipation de puissance:75W; Inductance, max..:5mH; Nombre de vo TRANSISTOR MOSFET PROFET 24A TO-220-7; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:34V; Limite en courant:24A; Résistance d'état On:0.027ohm; Dissipation de puissance Pd:85W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12.6A; Dissipation de puissance:85W; Nombre de voies:1; Numéro générique:640; Pas:2.54mm; Résist TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2300pF; Charge, porte, canal N:40nC; Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:714W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6000pF; Charge, porte, canal N:152nC; Courant, Id max..:120A; Dissipation de puissance:714W; Puissance Pd:714W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:714W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6000pF; Charge, porte, canal N:198nC; Courant, Id max..:170A; Dissipation de puissance:714W; Puissance Pd:714W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:100nC; Courant, Id max..:24A; Dissipation de puissance:650W; Puissance Pd:650W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5440pF; Charge, porte, canal N:98nC; Courant, Id max..:44A; Dissipation de puissance:650W; Puissance Pd:650W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:88A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:180nC; Courant, Id max..:88A; Dissipation de puissance:600W; Puissance Pd:600W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:14000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:140A; Dissipation de puissance:1.04kW; Puissance Pd:1.04kW; Résistance thermique, jonction-carcasse:0 TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):96mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:200nC; Courant, Id max..:64A; Dissipation de puissance:1.04kW; Puissance Pd:1.04kW; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.1 TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Capacité, Ciss typ:8700pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:61A; Dissipation de puissance:700W; Puissance Pd:700W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):740mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1610pF; Charge, porte, canal N:32nC; Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.62°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-268; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-268; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:102nC; Courant, Id max..:36A; Dissipation de puissance:650W; Puissance Pd:650W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:96A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:4800pF; Charge, porte, canal N:145nC; Courant, Id max..:96A; Dissipation de puissance:600W; Puissance Pd:600W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.25°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:800W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:140A; Dissipation de puissance:800W; Puissance Pd:800W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:800W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:180A; Dissipation de puissance:800W; Puissance Pd:800W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:2250pF; Charge, porte, canal N:43nC; Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:750pF; Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:3.6A; Dissipation de puissance:100W; Puissance Pd:100W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.25°C/W; Te TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:714W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:190nC; Courant, Id max..:150A; Dissipation de puissance:714W; Puissance Pd:714W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:714W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:6000pF; Charge, porte, canal N:198nC; Courant, Id max..:170A; Dissipation de puissance:714W; Puissance Pd:714W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; T TRANSISTOR JFET N 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:5mA 30mA; Tension, Vgs off max..:3V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss max..:14pF; Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance:225mW; Marquage, CMS:6G; Polarité transistor:N Canal; Résistance, Rds on max..:100ohm; Tension Vds max..:30V; T TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:-1.5mA -20mA; Tension, Vgs off max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss max..:11pF; Courant, Idss max..:20mA; Courant, Idss min.:1.5mA; Dissipation de puissance:225mW; Marquage, CMS:6Y; Polarité transistor:P Canal; Puissance, Ptot:225mW; Tension Vds max..:30V; Tensi TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:B(1), C(2+case), E(3); Courant Ic max..:7A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ib:1.5A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:15; Nombre de tr TRANSISTOR PROFET PG-SOT223-4; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:60V; Limite en courant:700mA; Résistance d'état On:1ohm; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:200mA; Dissipation de puissance:1.7W; Nombre de voies:1; Résistance Rds(on):1ohm TRANSISTOR PROFET PG-SOT223-4; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:45V; Limite en courant:2.2A; Résistance d'état On:0.15ohm; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.4A; Dissipation de puissance:1.4W; Nombre de voies:1; Résistance Rds(on):0.2 TRANSISTOR PROFET PG-DSO-36; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:45V; Limite en courant:1.1A; Résistance d'état On:0.15ohm; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Nombre de canaux de sortie:8; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:36; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:3.3W; Nombre de voies:8; Résistance Rds(on):0.2ohm; Température de fonctionnement max..:85°C; Températ TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:270mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:270mA; Dissipation de puissance:330mW; Puissance Pd:330mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de boîtier:SOT-323 (SC-7 TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:560mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.4V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:560mA; Dissipation de puissance:830mW; Puissance Pd:830mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.4V; Tension, Vgs, mesure TRANSISTOR MOSFET P 60V SOT-223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.6mA; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs th max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET SMART N 42V SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:42V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1(G),2(D),3(S), 4-TAB(D); Courant, Id max..:2A; Dissipation de puissance:1.7W; Energie dissipée, a TRANSISTOR, NPN, TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):360mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR, PNP, TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:400mV; Type de boîtier:TO-92; Type de termi TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:10dB; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Tension, Vce sat max..:600mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de termina TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:BCP53T1; Config. Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:400mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Appareil complémentaire:MMBT3906WT1G; Config. Brochage:B(1), C(3), E(2); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passan TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:300mW; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:60mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:225mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:150mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:1.2V; Type de boîtier:SOT-323; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:A92; Puissance, Pto TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.4A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.4A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:-55V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-24A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-24A; Dissipation de puissance:75W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N MICRO3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.2A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:1.2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:Micro3; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:28A; Dissipation de puissance:46W; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS SUPPORT TRANSISTOR TO-5 3PIN; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:TF; Nombre de contacts:3; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Plating:Or; Couleur:Black; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:2.54mm; Type de boîtier:TO-5 3-pin; Type de montage:Carte PC SUPPORT TRANSISTOR TO-5 4PIN; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:TF; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Plating:Or; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Carte PC; Pas:2.54mm; Type de montage:Carte PC TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:275W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:275W; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversa TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:160W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:160W; Hfe, min.:750; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Darlington; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET P TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:-1mA -5mA; Tension, Vgs off max..:6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:5mA; Courant, Idss min.:1mA; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:P Canal; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET RF N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:1mA 5mA; Tension, Vgs off max..:3V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:5mA; Courant, Idss min.:1mA; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET RF N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:4mA 10mA; Tension, Vgs off max..:4V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:10mA; Courant, Idss min.:4mA; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR JFET N TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:40mA; Tension, Vgs off max..:6V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:40mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:200mA; Dissipation de puissance:400mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:960mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:900mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SuperSOT-6; Type de TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:350W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Dissipation de puissance:350W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:700mohm; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs max..:3.75V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier: TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:313W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Dissipation de puissance:313W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:45A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:45A; Dissipation de puissance:417W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:100mohm; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-2 OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 8; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 16; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:35V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:Mini-Flat 16 broches; Type de sortie:Phototransistor Darlington OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:1mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOIC Large; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:100V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR JFET DOUBLE P; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:-20mA -135mA; Tension, Vgs off max..:10V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Courant, Idss max..:135mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:P Canal; Type de boîtier:TO-236; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 6-SC-70; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:1.2A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):215mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.2A; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.2A; Courant, Id max..:1.2A; Dissipation de puissance:400mW; Résistance On Rd TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 6-SC-70; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):385mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant, Id max..:660mA; Dissipation de puissance:200mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.32ohm; Tension drain source Vds, Canal N:20V; Tens TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-3.85A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-900mV; Dissipation de puissance Pd:770mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:-3A; Dissipation de puissance:770mW; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs max..:8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 6-TSOP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Courant, Id max..:3.4A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TSOP; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P 6-TSOP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Courant, Id max..:-3.7A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:TSOP; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 8-1206; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:3.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:2.1A; Dissipation de puissance:2.1W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:1206-8 ChipFET; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:10.3A; Dissipation de puissance:1.8W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:7.6A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vds typ.:80V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:40A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P TO-252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-15A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:-15A; Dissipation de puissance:4W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR ARRAY, DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Courant de collecteur DC:500mA; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:6V; Type de boîtier:NSOIC; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR ARRAY, DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Courant de collecteur DC:500mA; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Tension, alimentation max..:15V; Tension, alimentation min.:6V; Type de boîtier:PDIP; Type de terminaison:Traversant OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR 8-DIP; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:85V; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR 8-SOIC; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, sortie max..:100V; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR JFET N TO-92; Polarité transistor:NPN; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:625mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR DARLINGTON SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:15000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-pas TRANSISTOR DARLINGTON SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Ban TRANSISTOR PNP 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:500V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:S TRANSISTOR NPN SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:800; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1. TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA; Courant, Icm impulsionnel:1.5A; Dissipation de puissance:1 TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA; Courant, Icm impu TRANSISTOR PNP 20V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm impulsionnel:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.: TRANSISTOR PNP 80V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm impulsionnel:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:230mA; Dissipation de puissance:360mW; Puissance Pd:360mW; Tension Vds:60V; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tensio TRANSISTOR MOSFET SMART DRIVER; Tension, entrée:21V; Tension, sortie:650V; Dissipation de puissance Pd:32W; Gamme de tension d'alimentation:8.5V 21V; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2A; Fréquence, max..:100kHz; Résistance Rds(on):0.92ohm; Température de fonctionnement max..:130°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension Vds:650V; Tension d'entrée max..:265V; Te TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):99mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2800pF; Charge, porte, canal N:60nC; Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:93A; Dissipation de puissance:255W; Energie avalanche répétitive max.. TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):199mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:51A; Dissipation de puissance:139W; Puissance Pd:139W; Tension Vds:600V; Tensio TRANSISTOR MOSFET N 650V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Dissipation de puissance:33W; Puissance Pd:33W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:650V; Tension TRANSISTOR MOSFET N 650V TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Dissipation de puissance:34.5W; Puissance Pd:34.5W; Tension Vds:650V; Tension, Vds typ.:6 TRANSISTOR MOSFET N 500V D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:5.4A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Tension Vds:500V; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vg TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:39A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:37W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:39A; Courant, Idm impul.:156A; Dissipation de puissance:37W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs th max..:5V OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ratio, CTR max.:200%; Ratio, CTR min:100%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:4è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:70V; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Température de fonctionnement:-50°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:9.2nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant, Id max..:6.5A; Dissipation de puissa TRANSISTOR MOSFET N POWER PAK; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, sortie:25A; Dissipation de puissance:6W; Dissipation de puissance Pd:6W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:6W; Racine de la référence:734; Résistance Rds(on):12.3mohm; Tension Vds max..:32V; Tension d'entrée max..:24V; Tension d'entrée min.:3.3V; Tension, entrée max..:24V; Tension, entrée min.:3.3V; Tension, sortie max..:6V; Tension, sortie min.:500mV; Type de boîtier:PowerPAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N POLAR PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:103A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PolarPAK; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:25nC; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:104mW; Puissance Pd:104W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:5.5mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:7mohm; Tensi TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:46.8mW; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:17.5A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:46.8mW; Racine de la référence:50; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:12mohm; Ré PHOTOTRANSISTOR PLASTIQUE T-1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:2.15mA; Courant, Ic typ.:5.95mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):3.05mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:5.32mm; Pas:1.27mm; Réponse spectrale crête:935nm; Sensibilité nom mW/cm4:2.15m PHOTOTRANSISTOR PLASTIQUE T-1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:4.3mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):3.05mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:4.82mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:935nm; Sensibilité nom mW/cm4:4.3mA @ 500è¾W / cmË›; Températur PHOTOTRANSISTOR T-1 3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:890nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:2.35mA; Courant, Ic typ.:50mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):4.95mm; Longueur cordon:19.05mm; Longueur/hauteur:7.61mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:890nm; Sensibilité nom mW/cm4:2.35mA @ TRANSISTOR, NPN, 65V, SOT-23; Transistor; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:310mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Applications générales; T TRANSISTOR, PNP, -65V, SOT-23; Transisto; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:310mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-300mV; Transistor Type:Applications générale TRANSISTOR PNP 4A 40V SSOT-6; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:-6A; Courant, Ic (hfe):-500mA; Courant, Ic max.. permanent a:-4A; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, m TRANSISTOR NPN 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:10kohm; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:335mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:335mA; Courant, Idm impul.:1.3A; Dissipation de puissance:830mW; Puissance Pd:830mW; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:10V; TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-130mA; Courant, Idm impul.:520mA; Dissipation de puissance:250mW; Puissance Pd:250mW; Tension, Vds typ.:-50V; Tension, Vgs max..:-2 TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:175MH TRANSISTOR NPN & ZENER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:550mW; Hfe, min.:160; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON HI V; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Marquage composant:ULN2003AIDG4; Nombre de transistors:7; Racine de la référence:2003; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR IGBT NPT TO-264; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:64A; Tension, Vce sat max..:3.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:64A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:500mW; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:N Canal; Temps de montée:20ns; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:TO-264; Type de terminai TRANSISTOR MOSFET P & SCHOTTKY SSOT-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1.5mW; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6A; Courant, If moy.:1mA; Dissipation de puissance:1.5mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vf max..:0.45V; Tension, Vgs th max..:-1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:242mW; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:242mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.5V; Tension, Vgs, mesure TRANSISTOR MOSFET P SC-89; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:960mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):167mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.45V; Dissipation de puissance Pd:236mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal P:3.25nC; Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:236è¾W; Puissance Pd:236mW; Racine de la réf TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SC-70; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):205mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:1.2nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.3A; Courant, Id max..:1.3A; Courant, Idm i TRANSISTOR MOSFET N TSOP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:2.5V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:860mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:20A; Courant, sortie max.:860mA; Dissipation de puissance:20mW; Puissance Pd:860mW; Racine de la référence:3442 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:4.5nC; Courant de drain continu Id, Canal N:6.9A; Courant, Id max..:6.9A; Dissipation de puissance:2W; Racine de la référence:49 TRANSISTOR MOSFET N POWER PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:52mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:41nC; Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:52mW; Racine de la référence:7102; Tens TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:166W; Température de fonctionnement:-55°C 175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:166W; Puissance Pd:166W; Racine de la référence:36; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs, mesure de R PHOTOTRANSISTOR PLASTIQUE T-1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:4.3mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):3.05mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:5.32mm; Pas:1.27mm; Réponse spectrale crête:935nm; Sensibilité nom mW/cm4:4.3mA @ 500è¾W / cmË›; Températur PHOTOTRANSISTOR PLASTIQUE TO-18; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:890nm; Consommation de puissance:250mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:3.0mA; Courant, Ic typ.:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Dissipation de puissance Pd:250mW; Largeur (externe):4.67mm; Longueur cordon:19.05mm; Longueur/hauteur:5.58mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:890nm; Sensibilité nom mW/cm4:3mA @ 1.7 PHOTOTRANSISTOR TO-18; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:250mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:2.5mA; Courant, Ic typ.:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Dissipation de puissance Pd:250mW; Largeur (externe):5.57mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:4.94mm; Réponse spectrale crête:890nm; Sensibilité nom mW/cm4:2.5mA @ 5mW / cmË›; Temps de descente:7è¾s; Temps de montée:7è¾ TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:38.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:64A; Dissipation de puissance:38.5W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs th max. TRANSISTOR PNP TO-264; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:150W; Tension, Vcbo:230V; Tension, Vce sa TRANSISTOR PNP TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:130W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:130W; Tension, Vcbo:230V; Tension, Vce sat TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.6W; Hfe, min.:150; Puissance, Ptot:1.6W; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:120mV; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:60W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:25; Puissance, Ptot:900mW; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat TRANSISTOR IGBT N 1200V 3A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:6A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:25W; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:25W; Temps de montée:3.5ns; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:TO-220FP; Type de termi TRANSISTOR NPN 3A 80V SSOT-6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:240; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:2 TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:8.3W; Puissance Pd:8.3W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:600mA; Dissipation de puissance:250mW; Puissance Pd:250mW; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20 TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:175MH TRANSISTOR NPN & ZENER SOT-666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:160; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS IC TRANSISTOR ARRAY, GILBERT; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:8V; Fréquence de transition ft typ.:10GHz; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:10GHz; Nombre de transistors:6; Nombre de voies:1; Racine de la référence:3101; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d TRANSISTOR MOSFET N POLAR PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PolarPAK; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:12nC; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:104mW; Puissance Pd:104W; Racine de la référence:800; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7.2 TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:52A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:3.12W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Ciss typ:4220pF; Courant, Idm impul.:100A; Puissance Pd:3.12W; Racine de la référence:52; Temps, trr typ.:133ns; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs th max..:4.5V; Tension, Vgs th min.:2.5V; Tension, Vgs, mesu PHOTOTRANSISTOR PLASTIQUE T-1; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:2.15mA; Courant, Ic typ.:5.95mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):3.05mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:4.82mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:935nm; Sensibilité nom mW/cm4:2.15m TRANSISTOR NPN BOBINE 3000; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:250; Largeur, bande:8mm; Marquage c TRANSISTOR NPN BOBINE 3000; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Largeur, bande:8mm; TRANSISTOR MOSFET N BOBINE 1000; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:480mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:660mA; Courant, Idm impul.:1.44A; Dissipation de puissance:1.8W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hau TRANSISTOR MOSFET N BOBINE 3000; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:7.3A; Dissipation de puissance:400mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:1B; Nombre de transisto TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:70; Puissance, Ptot:100W; Tension, Vcbo:200V; Tension, Vce sat TRANSISTOR NPN TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:150W; Tension, Vcbo:230V; Tension, Vce sa TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:230V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:130W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:130W; Tension, Vcbo:230V; Tension, Vce sat TRANSISTOR PNP TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:60W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max TRANSISTOR PNP TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:70; Puissance, Ptot:100W; Tension, Vcbo:140V; Tension, Vce sa TRANSISTOR IGBT N 600V 10A DË›PAK; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:65W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance:65W; Dissipation de puissance, max..:65W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:65W; Temps de montée:5ns TRANSISTOR IGBT N 600V 30A TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:200W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de montée:12ns; Tension Vces:600V; Type de bo TRANSISTOR ARRAY, 7 NPN, 16SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:CMOS et PMOS; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la référence:2004; Température de fo TRANSISTOR ARRAY, 8 NPN, 18DIP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:PMOS; Nombre de transistors:8; Nombre de voies:18; Racine de la référence:2802; Température de TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:22; Type de boîtier de transistor:SOT-523; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:22; Tension Vi(on):3V; Tension, Vcbo:50V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance de polarisation (BRT); Type de boîtier:SOT-52 TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-523; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Tension Vi(on):1.3V; Tension, Vcbo:50V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance de polarisation (BRT); Type de boîtier:SOT- TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Tension Vi(on):4V; Tension, Vcbo:50V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance d TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:50W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:50; Nombre de transistors:1; Puissan TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Marquage composant:TIP41C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:2 TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:420; Marquage, TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:12.5W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tensio TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:25W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:26W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tensio TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:1 TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de des TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance:6 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:h; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:40; Nomb TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Pui TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:50; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, m IC TRANSISTOR ARRAY, ULTRA H FREQ; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:5.5GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:37mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Cinq; Courant, Ic max.. permanent a:34mA; Gain Bande-passante ft, typ.:5.5GHz; Nombre de transistors:5; Nombre TRANSISTOR NPN BOBINE 3000; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Largeur, bande:8m TRANSISTOR MOSFET N SOT-23 BOBINE 3000; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.9A; Courant, Idm impul.:23.7A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/haut TRANSISTOR MOSFET N SOT-23 BOBINE 3000; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.7A; Courant, Idm impul.:18.8A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur TRANSISTOR NPN 4A 20V SSOT-6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:3 TRANSISTOR NPN 3A 60V SSOT-6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:345; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:3 TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:70; Résistance, R1:1kohm; Résistance, R2:10kohm; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:S TRANSISTOR ARRAY, 7 NPN, 16DIP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Input Type:TTL et CMOS; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la référence:2003; Température de fonctionnement max..:105°C; TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance d TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SOT-523F; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:68; Tension Vi(on):1.1V; Tension, Vcbo:50V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transist TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:12.5W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat max..:500mV; Typ TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:300V; Type de boîtier:TO-126; Type TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:20 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.: TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:210MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz; Hfe, min.:160; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:30 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; FB max..:1.4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Mar TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:320MHz; Hfe, min.:180; Nombre de transisto TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:1000; Puissance, Ptot:80W; Tension Vceo max..:100V; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:2.5V; Transisto TRANSISTOR NPN/PNP 40V 1A SSOT-6; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:330mW; Hfe, min.:50; Marquage, CMS:9F; Puissance, Ptot:330mW; Tension, Vcbo:40V; Te TRANSISTOR NPN/PNP 50V .01A SSOT-6; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:290mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:290mW; Hfe, min.:30; Marquage, CMS:9C; Puissance, Ptot:290mW; Résistance, TRANSISTOR NPN/PNP 40V .01A SSOT-6; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:290mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:290mW; Hfe, min.:24; Marquage, CMS:9G; Puissance, Ptot:290mW; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:50mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:11.7A; Dissipation de puissance:50mW; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET P SC-70; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.78W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal P:5.5nC; Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:6.5A; Dissipation de puissance:2.78mW; Puissance Pd:2.78W; Racine de la ré TRANSISTOR MOSFET N SC-70; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:4.85nC; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:2.8mW; Puissance Pd:2.8W; Racine de la référence TRANSISTOR MOSFET P SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:9.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension, Vgs th typ.:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal P:37nC; Courant, Id max..:13.7A; Dissipation de puissance:1.5W; Racine de la référence:4463; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm; TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:19nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:2W; R TRANSISTOR MOSFET P POWERPAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:17.8mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal P:21nC; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:17.8mW; Racine de la référence:5479; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs th min.:-0.4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:1.8V; Transistor Type:Trench; Type de boîtier:PowerPAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):49mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:3.12W; Température de fonctionnement:-55°C 175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Ciss typ:2735pF; Courant, Idm impul.:80A; Puissance Pd:3.12W; Racine de la référence:33; Temps, trr typ.:114ns; Tension, Vds typ.:200V; Tens TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:70; Puissance, Ptot:100W; Tension, Vcbo:200V; Tension, Vce sa TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:8; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:5; Puissance, Ptot:1.5W; Tension, Vcbo:700V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):350mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:16; Puissance, Ptot:1.5W; Tension, Vcbo:500V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR IGBT N 600V 9A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:35W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance:35W; Dissipation de puissance, max..:32W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:35W; Temps de montée: PHOTOTRANSISTOR LATERAL; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:1.30mA; Courant, Ic typ.:4.7mA; Dissipation de puissance:100mW; Dissipation de puissance Pd:100mW; Largeur (externe):4.45mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:5.71mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.28mm; Réponse spectrale crête:935nm; Sensibilité nom PHOTOTRANSISTOR PLASTIQUE TO-18; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:890nm; Consommation de puissance:250mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic min.:5.0mA; Courant, Ic typ.:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Dissipation de puissance Pd:250mW; Largeur (externe):4.67mm; Longueur cordon:19.05mm; Longueur/hauteur:5.58mm; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:890nm; Sensibilité nom mW/cm4:5mA @ 1.7 TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK 55V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:160A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:240A; Courant, Idm impul.:1000A; Dissipation de puissance:300mW; Racine de la référence:3805; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N RF PLD-1.5; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:40V; Courant, Id cont.:2A; Dissipation de puissance Pd:31.25W; Gamme de fréquences d'utilisation:450MHz 520MHz; Type de boîtier transistor RF:PLD-1.5; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:31.25W; Dissipation de puissance, max..:31.25W; Gain:15dB; Polarité transistor:N Canal; Puissance de sortie:3W; Tension Vds:650mV; Type de boîtier:PLD-1.5; Type de boîtier de transistor:PLD-1.5; T TRANSISTOR NPN 0.8A 40V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:350; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:2.2kohm; Tension, Vce sat max..:-1.15V; Transistor TRANSISTOR NPN 3A 100V SSOT-6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:170; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.1mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, mi TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:40; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:2.2kohm; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtie TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:10kohm; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Dissipation de puissance:830mW; Marquage composant:12%; Puissance Pd:830mW; Résistance thermique, jonction-carcasse:150°C/W; Température, Tj max. IC TRANSISTOR ARRAY, ULTRA H FREQ; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:8V; Fréquence de transition ft typ.:8GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:37mA; Gain en courant DC hFE:130; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Cinq; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Racine de la référence:3096; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'util TRANSISTOR NPN BOBINE 1000; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:75V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4.5A; Courant Ic Vce sat:4.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4.5A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissa TRANSISTOR MOSFET P BOBINE 1000; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:1.45A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Courant typ. Idss:0.00001è¾A; Courant, Id max..:-1.9A; Courant, Idm impul.:5.8A; Courant, Idss max..:1è¾A; Différentiel de tension dv/dt:6kV/è¾s; Dissipation de puissance:1.5W; Energie dissipée, avalanche TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4A; Dissipation de puissance:1.4W; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:120mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:60mohm; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:12 TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:71W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:670A; Dissipation de puissance:370W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Ty TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK 5-PIN; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.055ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:2.5W; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Tensi TRANSISTOR MOSFET IPS D2-PAK 5-PIN; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.055ohm; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:2.5W; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Tension d'entrée min.:-0.3V; T TRANSISTOR MOSFET IPS D2-PAK 5-PIN; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.25W; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Ten OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Ratio, CTR max.:260%; Ratio, CTR min:130%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:80V; Tension, Vf max..:1.4V; Tension, Vf typ.:1.2V; TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance d TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SOT-523F; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:30; Tension Vi(on):2.5V; Tension, Vcbo:50V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance de polarisation (BRT); Type de boîtier:SOT- TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SOT-523F; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SOT-523F; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:3.75W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:110A; Courant, Idm impul.:440A; Dissipation de puissance:3.75W; Temps, trr typ.:56ns; Température, Tj max..:175°C; Température, Tj m TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):62mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.05V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Dissipation de puissance:500mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-1.05V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SuperSOT; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):187mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.2A; Dissipation de puissance:750mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-900mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:8V; Type de boîtier:SC70; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR RF; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:15W; Hfe, min.:30; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Dissipation de puissance:310W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:175W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Dissipation de puissance:175W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-263; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOIC-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:75; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:150W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:175W; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:3.5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):23.6mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:810mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:MicroFET; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Dissipation de puissance:900mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:810mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:MicroFET; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-20A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:-1.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOIC-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:430W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Dissipation de puissance:430W; Tension, Vds typ.:250V; Tension, Vgs max..:5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance:250W; Hfe, min.:10; Tension, Vce sat max..:5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:75mW; Angle, vision:24°; Type de boîtier de transistor:Metal Can; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:75mW; Dissipation de puissance Pd:75mW; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Transistor Type:NPN; Type de boîtier:Radial TRANSISTOR; Dissipation de puissance Pd:180mW; Type de boîtier transistor RF:77; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:77 TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Fréquence de transition ft typ.:70MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:3W; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant RESEAU TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:24V; Fréquence de transition ft typ.:550MHz; Dissipation de puissance Pd:750mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Configuration module:Cinq; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:550MHz; Marquage composant:NTE912; Nombre de transistors:3; Type de boîtier:DIP; Type de terminaison:Bro TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:360mW; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:350mV; Type de boîtier:TO-18; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:60W; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Ten TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:400mW; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:5; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance:300W; Hfe, min.:5; Tension, Vce sat max..:5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:52.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:121W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:52A; Dissipation de puissance:121W; Température, Tj max..:175°C; Température, Tj min.:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-262; Type de terminaison:Tra TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Te TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:12.5W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:45V; Tension, Vce sat max..:500mV; Typ TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Dissipation de puissance:12.5W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Ten TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:45V; Tension TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:300V; Type de boîtier:TO-126; Type TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:10mA; Dissipation de puissance:62 TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transis TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:300mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Dissipation de puissance:625mW; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Pu TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, m TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.5A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-223 (TO-261); Type de term TRANSISTOR MOSFET NP; Polarité transistor:N and P Channel; Tension, mesure Rds:2.7V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant continu Id canal N:0.22A; Courant, Id cont, canal P:120mA; Courant, Id cont.:220mA; Courant, Id max..:220mA; Dissipation de puissance:900mW; Résistance, Rds on max.., canal N:4ohm; Résistance, Rds on max.., canal P:10ohm; Résistance Rds(on):5ohm; Tension TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:1 OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:30V; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 3000VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:1mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor Darlington OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 3000VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Photodiode; Courant, entrée:1mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor Darlington OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:PhotoSCR; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:500mV; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Photodiode OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR JFET N 30V 5MA; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-36V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:5mA 15mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-206AF; Nombre de broches:4; Dissipation de puissance:300mW TRANSISTOR MOSFET P TSOP-6; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:450mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.2A; Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:830mW; Résis TRANSISTOR MOSFET P 8-SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.85W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:12.7A; Dissipation de puissance:1.85W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2V; Type de boîtier:8-SOIC PHOTOTRANSISTOR NPN 3-TO-18; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:250mW; Angle, vision:10°; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Angle, moitié:10°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:850nm; Temps de montée:6è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:TO-18 PHOTOTRANSISTOR NPN T-1 3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:25°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; Angle, moitié:25°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:850nm; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Transistor Type:Photo TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:10V; Fréquence de transition ft typ.:8GHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Température, Tj max..:175°C; Type de boîtier:SOT-23; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant de pic Icm:0.2A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.6A; Dissipation de puissance:1.4W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:47mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:65mohm; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:2 TRANSISTOR NPN/PNP 50V .01A SSOT-6; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:290mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:290mW; Hfe, min.:30; Marquage, CMS:9D; Puissance, Ptot:290mW; Résistance, TRANSISTOR NPN & ZENER SOT-666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:160; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN & ZENER SOT-666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:160; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN & ZENER SOT-666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:160; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR ARRAY; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Type de boîtier:16-SOIC; Type de terminaison:CMS RESEAU TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:8; Type de boîtier:18-SOIC; Type de terminaison:CMS RESEAU TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:8; Numéro de la fonction logique:2803; Numéro générique:2803; Racine de la référence:2803; Tension, entrée max..:5V; Tension, sortie max..:50V; Transi PHOTO-TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:880nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:15°; Nombre de broches:2; MSL:MSL 2 - 1 an; Angle, moitié:15°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:880nm; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Transistor Type:Photo TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:70V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:2.3; Tension, Vce sat max..:3.5V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:800; Tension, Vce sat max..:420V; Transistor Type TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-204; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-204; Typ TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:0.2; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:30W; Hfe, min.:1; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Puissance bipolaire; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:30V; Transistor Type:Ap TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:195W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Dissipation de puissance:195W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-8.8A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1.7V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtie TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:125W; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.8A; Dissipation de puissance:190W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):94mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.9VDC; Dissipation de puissance Pd:48W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:48W; Tension, Vds typ.:60VDC; Tension, Vgs max..:2.9V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10VDC; Type de boîtier:DPA TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.7A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:3.7A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:2A; Courant Valley Iv:6mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Courant crête:1è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Type de boîtier:TO-18; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Type de boîtier:SOT-23; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Dissipation de puissance:34W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.7A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.7A; Dissipation de puissance:32W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type: TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.1A; Dissipation de puissance:31W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:34W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.9A; Dissipation de puissance:33W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):99mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Dissipation de puissance:255W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21A; Dissipation de puissance:192W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):299mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:96W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):385mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.1A; Dissipation de puissance:60W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21A; Dissipation de puissance:192W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):385mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.8A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):299mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:89W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.1A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.1A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):385mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:39A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:313W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:39A; Dissipation de puissance:313W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rd TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.9A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:32W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.6A; Dissipation de puissance:32W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13.4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):330mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:34W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13.4A; Dissipation de puissance:34W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:34W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Dissipation de puissance:42W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:MO TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.2A; Dissipation de puissance:74W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.6A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:79A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:315A; Dissipation de puissance:110W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Ty TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:315A; Dissipation de puissance:110W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.34mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:310A; Dissipation de puissance:140W; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de ter TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:71W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de termi TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:71W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rd TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:310A; Dissipation de puissance:140W; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rd TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:620A; Dissipation de puissance:220W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Bas potentiel; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.1ohm; Dissipation de puissance Pd:1W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:5A; Dissipation de puissance:1W; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension d'entrée max..:6V; Tension d'entrée min.:-0.3V; Tension, Vds typ.: TRANSISTOR MOSFET IPS D2-PAK 5-PIN; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:7A; Résistance d'état On:0.11ohm; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.25W; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Tension d'entrée min.:-0.3V; TRANSISTOR MOSFET IPS SO-8; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.08ohm; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.25W; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Tension d'entrée min. TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220AB; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.055ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220AB; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:2.5W; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Tensio TRANSISTOR MOSFET IPS SO-8; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.25W; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension d'entrée max..:5 TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:34A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MX; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:34A; Courant, Idm impul.:270A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th mi TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MX; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th m OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SMDIP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SSOP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SSOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SSOP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:40V; Type de boîtier opto:SSOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SO-5; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Analogique; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:35V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Analogique OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR DIP-8 DOUBLE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-30°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N/P SO-8; Polarité transistor:N and P Channel; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):48mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant continu Id canal N:5A; Courant, Id cont, canal P:4.4A; Courant, Id max..:5A; Dissipation de puissance:2.75W; Dissipation de puissa TRANSISTOR MOSFET P PPAK SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):64mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-5A; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance Pd:1.5W; Temps de montée:9ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:60V TRANSISTOR MOSFET N PPAK1212; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):19mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:6.3A; Dissipation de puissance:1.5W; Puissance Pd:1.5W; Temps de montée:12ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ. TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:90A; Dissipation de puissance:3.75W; Puissance Pd:300W; Temps de montée:17ns; Température, Tj max..:175°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; T TRANSISTOR MOSFET 100V 290A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:290A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:290A; Courant, Idm impul.:1120A; Dissipation de puissance:520W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vg TRANSISTOR PNP TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:70; Puissance, Ptot:100W; Tension, Vcbo:140V; Tension, Vce sat TRANSISTOR NPN DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:15W; Hfe, min.:90; Puissance, Ptot:15W; Tension, Vcbo:150V; Tension, Vce sat max..:50mV; Type de boîtier:D-PAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Puissance, Ptot:1.4W; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:SOT-89; TRANSISTOR NPN IPAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.6A; Courant, Ic (hfe):1.6mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:4; Puissance, Ptot:20W; Tension, Vcbo:1kV; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:I-PAK; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:150; Puissance, Ptot:1.6W; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2.8W; Hfe, min.:4; Puissance, Ptot:2.8W; Tension, Vcbo:980V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR 1700V 4A TO247-4L HP; Polarité transistor:NPN; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:11; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:5; Puissance, Ptot:50W; Résistance On Rcs:0.17ohm; Tension Vcs on typ.:0.7V; Tension max. Vcs (ss):1700; Transistor Type:Emetteur commuté; Type de bo TRANSISTOR IGBT N 600V 50A ISOTOP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:90A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:260W; Dissipation de puissance, max..:260W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:260W; Temps de mont TRANSISTOR IGBT N 600V 50A ISOTOP; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:100A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:250A; Dissipation de puissance:260W; Dissipation de puissance, max..:260W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:260W; Temps de mon TRANSISTOR IGBT N 600V 19A TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:42A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:22A; Courant, Icm impulsionnel:35A; Dissipation de puissance:125W; Dissipation de puissance, max..:125W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:125W; Temps de monté TRANSISTOR IGBT N 600V 40A TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:230A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:250W; Temps de mont OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Ratio, CTR max.:400%; Ratio, CTR min:20%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:80V; Tension, Vf max..:1.4V; Tension, Vf typ.:1.2V; OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Ratio, CTR max.:150%; Ratio, CTR min:50%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:80V; Tension, Vf max..:1.4V; Tension, Vf typ.:1.2V; OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Ratio, CTR max.:600%; Ratio, CTR min:50%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:80V; Tension, Vf max..:1.4V; Tension, Vf typ.:1.2V; TRANSISTOR MOSFET N 30V DIRECTFETSQ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SQ; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:2.2W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Tension, Vds typ.:30V; TRANSISTOR MOSFET N 25V DIRECTFETMX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:5; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:250A; Dissipation de puissance:2.8W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Te TRANSISTOR MOSFET N 60V D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:270A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:8970pF; Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Dissipation de puissance:375W; Puissance Pd:375W; Temps, trr typ.:44ns; TRANSISTOR MOSFET N 75V D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:230A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):2.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.35V; Dissipation de puissance Pd:370W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:9370pF; Courant, Id max..:230A; Courant, Idm impul.:900A; Dissipation de puissance:370W; Puissance Pd:370W; Temps, trr typ.:54 TRANSISTOR MOSFET N 100V D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:190A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:20V; Dissipation de puissance Pd:380W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:9830pF; Courant, Id max..:190A; Courant, Idm impul.:740A; Dissipation de puissance:380W; Puissance Pd:380W; Temps, trr typ.:60ns; Tension, Vds typ.:100V TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:144W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:144W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:5V; Tension, Vgs t TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:60mW; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:60mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Puis TRANSISTOR, N CH 30MA TO-92; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:8mA; Gain Bande-passante ft, typ.:1.5GHz; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR, PNP, 0.5A 60V SC70-6; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:1.6V; Transi TRANSISTOR, NPN 200MA TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR, NPN 5A 60V TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Puiss TRANSISTOR, PNP 0.2A 40V SOT223; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-223; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SC70-6; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:400mV; Transis TRANSISTOR NPN 0.5A 50V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:700MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:700MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:600mV; Transi TRANSISTOR NPN 1A 40V TO92; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN 0.2A 25V SOT23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:360; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-23; Type de boîtier transis TRANSISTOR, BIPLOAR NPN 16A TO247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):80mA; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, TRANSISTOR NPN BOBINE 3000; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Hfe, typ.:125; La BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:240; Tension, Vce sat max..:60V; Type de boîtier:TO-92 BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:25MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:12; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.75W; Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Hfe, min.:1; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:D-PAK BIPOLAR, TRANSISTOR, TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Type de boîtier:TO-3 NPN TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3 TRANSISTOR BIPOLAR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:250V; Type de boîtier:3-TO-247 MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Dissipation de puissance:110W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D-PAK MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-223 TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.6A SC70-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:750mW; Marquage composant:.36; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vg TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:90mV; Transistor Type:Faible tension de saturation (BISS); TRANSISTOR PNP SOT89 0.9W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor T TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:70mV; Transistor TRANSISTOR NPN SOT323 0.3W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:270MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:270MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:350mV; Transist TRANSISTOR NPN SOT323 0.4W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:115mV; Transist TRANSISTOR PNP SOT323 0.3W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:200mV; Transist TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:15; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:4V; Type de boîtier:SOT-93; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:18; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-204; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:400; Tension, Vce sat max..:3.5V; Type de boîtier:TO-204; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:-400mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de TRANSISTOR MOSFET NN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:800mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SOT-323 (SC-70); Type de terminaison:CM TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-13A; Dissipation de puissance:110W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.2A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:-5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOIC-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NUMERIQUE; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Rapport de résistance R1/R2:1; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Transistor Type:Résistance de polarisation (BRT); Type de boîtier:SC-75; Type de boîtier transistor RF:SC-75; Type de terminaison:CM TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET PP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.5A; Courant, Id max..:-2.5A; Dissipation de puissance:960mW; Résistance On Rds(on), Canal P:0.069ohm; Tension drain source Vds TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Diode Type:Recouvrement standard; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:25; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:110A; Dissipation de puissance:312W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:10.5mohm; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Type de terminais TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:35W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-66; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:35W; Hfe, min.:25; Tension, Vce sat max..:750mV; Type de boîtier:TO-66; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:3.3A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaiso TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:40A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant Ic max..:40A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:80A; Courant, Ic moy.:40A; Dissipation de puissance:250W; Hfe, min.:50; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:10VDC; Tension, Vce sat max..:5V; Transistor Type:Darlingt TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-600mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-600mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-223 (TO-261); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:10W; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:2.5V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:150W; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison: OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:30V; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:4; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:305mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:305mA; Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:250mW; Résista TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:300mV; Transis TRANSISTOR JFET N 40V 25MA; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-55V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:25mA 75mA; Tension, Vgs off max..:-5V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-218X; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance:1.8W; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:TO-218X; Type de terminaison:Traversant PHOTOTRANSISTOR NPN T-1 3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:825nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:40°; Type de boîtier de transistor:T-3/4 (1.8mm); Nombre de broches:2; Angle, moitié:40°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:825nm; Temps de montée:4.8è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 3/4 TRANSISTOR PAD TO-5; Conductive Material:Polyamide, GF reinforced; Largeur (externe):9.9mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Insulator Material:Polyamide remplie de verre; Longueur:9.9mm; Matière:Polyamide, GF reinforced; Profondeur:4mm; Type:IC Pad; Type de boîtier:TO-5; boîtier CI / Transistor:TO-5 TRANSISTOR PAD TO-5; Conductive Material:Polyamide, GF reinforced; Largeur (externe):9.4mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Insulator Material:Polyamide remplie de verre; Longueur:9.4mm; Matière:Polyamide, GF reinforced; Profondeur:3mm; Type:IC Pad; Type de boîtier:TO-5; boîtier CI / Transistor:TO-5 TRANSISTOR PAD TO-5 6P; Conductive Material:Polyamide, GF reinforced; Largeur (externe):9.5mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Insulator Material:Polyamide remplie de verre; Longueur:9.5mm; Matière:Polyamide, GF reinforced; Profondeur:1.5mm; Type:IC Pad; Type de boîtier:TO-5; boîtier CI / Transistor:TO-5 / TO-6 TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant de pic Icm:0.8A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:100mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Marquage TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:20A; Courant de pic Icm:0.2A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Marquage, OPTOCOUPLER, TRANSISTOR O/P; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.55kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ratio, CTR min:100%; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor PHOTOTRANSISTOR 3.0MM ROUND; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:860nm; Consommation de puissance:75mW; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de collecteur:100nA; Dimension de la lentille:3mm / T-1; Réponse spectrale crête:860nm; Taille de lampe:T-1 (3mm); Temps de montée:15è¾s; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:Radial; Type de boîtier opto:Radial; Type de montage:Traversant RESEAU DE TRANSISTOR 8NPN 50V 18-SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:500mA; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Marquage composant:ULN2803ADW; Nombre de transistors:8; Racine de la référence:2803; Type de boîtier:18-SOIC; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:50000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:20000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:3; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:150; Tension, Vce sat max..:30V; Type de boîtier:TO-225; Type de TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:150; Tension, Vce sat max..:30V; Type de boîtier:TO-225; Type de t TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Tension, Vce sat max..:200V; Transistor Type: TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Tension, Vce sat max..:200V; Transistor Type TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:40V; Type de boîtier:SOT-2 TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Dissipation de puissance:1.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:50V; Transistor Type:Puis TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:30V; Transistor Type:Puissance bipolaire; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:75MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:75; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:75MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:40V; Transistor Type:Faible signa TRANSISTOR JFET POLARITE P; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:-2mA -9mA; Tension, Vgs off max..:7.5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:9mA; Courant, Idss min.:2mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Marquage composant:2N5461; Nombre de transistors:1; Polarité transisto TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-350mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130mA; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:350V; Tension, Vgs max..:-2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-0.35V; Type de boîtier:SOT-223 (TO-261 TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-1.7V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:SO-8 TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on), Canal TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-410mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-820mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-410mA; Courant, Id max..:-410mA; Dissipation de puissance:300mW; Résistance On Rds(on TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:5.6A; Dissipation de puissance:43W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET POLARITE P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-6.5A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6.5A; Dissipation de puissance:74W; Tension, Vds typ.:-200V; Tension, Vgs max..:-20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Ty TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier: TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-23A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-23A; Dissipation de puissance:120W; Tension, Vds typ.:-100V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîti TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:85A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:85A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220 (SOT-78B); Type de terminaiso TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:2A; Peak courant d'émetteur:1è¾A; Courant Valley Iv:10mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Courant crête:1è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Type de boîtier:TO-18; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:1.5A; Peak courant d'émetteur:1è¾A; Courant Valley Iv:5mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Courant crête:1è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:700; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:500mA; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Type de boîtier:SC-70; Type de boîtier de transistor:SC-70; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:1; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-218; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:1MHz; Type de boîtier:TO-218; Type de boîtier transistor RF:TO-218; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.1A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.1A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:35W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):199mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:34W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:35W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.8A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):99mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Dissipation de puissance:255W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:156W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:114W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Dissipation de puissance:114W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:89W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds o TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):440mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:33W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Dissipation de puissance:50W; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-251; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.8A; Dissipation de puissance:25W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type: TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:160W; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR IGBT TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:41A; Tension, Vce sat max..:3.15V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic Vce sat:30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Dissipation de puissance:250W; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-247; Type TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:79A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:315A; Dissipation de puissance:110W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de term TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:310A; Dissipation de puissance:140W; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:71W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de t TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:71W; Temps, t off:49ns; Temps, t on:6.3ns; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs m TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.4mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:200A; Courant, Idm impul.:840A; Dissipation de puissance:280W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Type de commutateur:Bas potentiel; Tension, entrée:5.5V; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:2W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, d'arrêt:4.5A; Dissipation de puissance:2W; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension d'entrée max..:6V; Tension d'entrée mi TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET ST; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ST; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:2.2W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th mi TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MT; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:250A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vg TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MZ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:89W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:39A; Dissipation de puissance:89W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs t TRANSISTOR RF; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:65; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:65MHz; Type de boîtier:D-PAK TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:75; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-92; Type de RESEAU TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:8V; Fréquence de transition ft typ.:8GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:37mA; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Cinq; Courant, Ic max.. permanent a:11.3mA; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Nombre de transistors:5; Tension, alimentation min.:12V; Type de boîtier:SOIC; Type de terminais TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Dissipation de puissance:70W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:65mohm; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); T TRANSISTOR MOSFET NN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.4A; Courant, Id max..:9.4A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.01ohm; Tension drain source Vds, Canal N:20V; Ten OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR DIP-4 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-30°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:41A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:230W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:41A; Dissipation de puissance:230W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaiso TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:140A; Dissipation de puissance:300W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR IGBT N; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:43A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:43A; Dissipation de puissance:298W; Dissipation de puissance, max..:298W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Hfe, min.:10; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):57mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension, Vgs th typ.:850mV; Dissipation de puissance Pd:710mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:2.9A; Dissipation de puissance:710mW; Puissance Pd:710mW; Temps de montée:7ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:20V; TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:175W; Hfe, min.:8; Tension, Vce sat max..:1.5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:5MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:3; Tension, Vce sat max..:5V; Type de boîtier:TO-3; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:6W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:12.4A; Dissipation de puissance:2.5W; Puissance Pd:6W; Temps de montée:150ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:5W; Puissance Pd:62.5W; Temps de montée:9ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:80V; Tension, Vgs max..:20V; Tensi TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:6.5W; Puissance Pd:40.8W; Temps de montée:20ns; Température, Tj max..:175°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:312.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:75A; Dissipation de puissance:3.12W; Puissance Pd:312.5W; Temps de montée:10ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:150 TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.8A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SOT-223 (TO-261); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR JFET; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:35V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:5mA; Tension, Vgs off max..:35V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:5mA; Dissipation de puissance:625mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:33A; Dissipation de puissance:94W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET PP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:700mA; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):221mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-600mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-700mA; Dissipation de puissance:300mW; Tension, Vds typ.:12V; Tension, Vgs max..:-600mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-323 (SC-70); Type de terminai TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):78mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-2.5A; Dissipation de puissance:750mW; Puissance Pd:750mW; Temps de montée:12ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:-20V TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP PPAK SC-75; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):295mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.6A; Courant, Id max..:-2.6A; Dissipation de puissance:1.1W; Puissance TRANSISTOR MOSFET 150V 171A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:171A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):4.8mohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:517W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:171A; Courant, Idm impul.:684A; Dissipation de puissance:517W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR VDE; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR VDE; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR VDE; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N 30V DIRECTFETSQ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SQ; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:22A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:2.2W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Tension, Vds typ.:25V; TRANSISTOR MOSFET N 30V 8PQFN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:2.35V; T TRANSISTOR MOSFET N 25V SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs th max..:2.35V; Tension, Vgs th min.:1.35V; Tension, Vgs, TRANSISTOR MOSFET N 30V SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:24mA; Courant, Idm impul.:190A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs th max..:2.35V; Tension, Vgs th min.:1.35V; Tension, Vg TRANSISTOR MOSFET N 60V D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:293A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:20V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:8850pF; Courant, Id max..:293A; Courant, Idm impul.:1172A; Dissipation de puissance:375W; Puissance Pd:375W; Temps, trr typ.:44ns; Tension, Vds typ.:60V; TRANSISTOR MOSFET N 40V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:130A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:3810pF; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:500A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Temps, trr typ.:30ns; Tension, Vds typ.:40V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 75V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:45A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):17.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1440pF; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Temps, trr typ.:30ns; Tension, Vds typ.:75V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 60V TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:270A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:20V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Dissipation de puissance:375W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, Vgs t TRANSISTOR MOSFET N 150V TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:144W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:35A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:144W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:5V; Tension, Vgs t TRANSISTOR MOSFET N 25V TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:1.8W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:2 OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototriac; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:600V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototriac OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5000VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5000VRMS; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N 6-SC-89; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:0.6è¾A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:515mA; Courant, Id max..:600mA; Dissipation de puissance:250mW; Tension drain source Vds, Canal N:20 TRANSISTOR MOSFET P SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:9.5A; Dissipation de puissance:1.56W; Tension, Vds typ.:80V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOIC-8 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P SO-8; Polarité transistor:P Canal; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):62mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.9A; Courant, Id max..:-3A; Dissipation de puissance:1.2W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.062ohm; Tension drain source Vds, Canal PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:800nm; Consommation de puissance:75mW; Angle, vision:35°; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; Angle, moitié:35°; Courant Ic max..:20A; Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic typ.:400mA; Dissipation de puissance:75mW; Dissipation de puissance Pd:75mW; Largeur (externe):3mm; Longueur cordon:17.5mm; Longueur d'onde, crête:800nm; Longueur/hauteur:3.5mm; Pas:2.54mm; Profondeur:1.5mm; Temps de descente:3.5è¾s; T TRANSISTOR PAD TO-5; Conductive Material:Polyamide, GF reinforced; Largeur (externe):9.9mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Insulator Material:Polyamide remplie de verre; Longueur:9.9mm; Matière:Polyamide, GF reinforced; Profondeur:4mm; Type:IC Pad; Type de boîtier:TO-5; boîtier CI / Transistor:TO-5 TRANSISTOR, DUAL P TO-92; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:300mA; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR, NPN 300MA TO-92; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:25V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:540; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:50mA; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN DUAL 40V SSOT-6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SSOT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:35; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:S TRANSISTOR, NPN 0.5A 40V TO-92; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:150mA; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN 400V 0.3A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:625mW; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:750mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN 60V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Hfe, min.:110; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison: TRANSISTOR PNP -60V -10A TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Puissa TRANSISTOR DARL NPN 1.5A 100V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:1000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Tr BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:35V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:400; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:6-TSOP TRANSISTOR BIPOLAR; Polarité transistor:NPN; Dissipation de puissance Pd:10W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Dissipation de puissance:10W; Type de boîtier:TO-39 MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:280W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:280W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC RF BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Type:FET RF; Tension Vds max..:3V; Courant, Id cont.:500mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Gamme de fréquences d'utilisation:450MHz 6GHz; Bruit:0.5dB; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Sortie IP3:30.5dB; Type de boîtier:4-SC-70; Type de boîtier de transistor:SC-70 TRANSISTOR PNP SOT223 1.2W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor T TRANSISTOR PNP SOT89 0.9W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:370mV; Transistor T TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:10mV; Transistor TRANSISTOR PNP SOT23 0.6W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor TRANSISTOR NPN SOT323 0.4W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:200mV; Transist TRANSISTOR PNP SOT323 0.3W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:380mV; Transist TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):6.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.9V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor T TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:52A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:52A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:MO TRANSISTOR FET P SIMPLE 12V 4DSBGA; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:600mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.2A; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:12V; Tension, Vgs max..:-6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Tra TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-523; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:150mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tra TRANSISTOR MOSFET N SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR MOSFET P SOT-323; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension, Vgs th typ.:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-130mA; Dissipation de puissance:200mW; Tension, Vds typ.:-50V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-5V; Tr TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:305mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:305mA; Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:200mW; Rési TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de bo TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:550mV; Type de boîtier: TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:5MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:5; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz; Hfe, min.:150; Tension, Vce sat max..:20V; Transistor Type:Puissance; Type TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:380mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:475; Tension, Vce sat max..:220V; Transistor Type:Applications générales; Type de boîti TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO?225AA; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:3.4; Température de fonctionnement:-65°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:0.5; Tension, Vce sat max..:1.6V; Transistor Typ TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:0.75; Tension, Vce sat max..:2.5V; Type de boîtier:TO-225; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100V; Transistor Type:Fai TRANSISTOR BIPOLAIRE NW; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:700mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Courant, Ic max.. permanent a:700mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:1.4V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Tension, Vce sat max..:2.8V; Type de boîtier:SOT-32; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR DARLINGTON NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:500; Tension, Vce sat max..:3V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:115mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-23 (TO-236); Type de termi TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.49A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:1.49A; Dissipation de puissance:900mW; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:22A; Dissipation de puissance:3.5W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.3A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:7.4A; Dissipation de puissance:1.1W; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:C TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Type de boîtier:SOT-223; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:-300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:-50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Transistor Type:RF de puissance; Type de boîtier:SOT-23; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension Vi(on):3V; Tension, Vcbo:50V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SOT-523F; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vcbo:40V; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Résistance TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):299mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):299mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:33W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):385mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:31W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.8A; Dissipation de puissance:30W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:28W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.1A; Dissipation de puissance:28W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):99mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:93A; Dissipation de puissance:255W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.8A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.1A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.1A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):385mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.1A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.8A; Dissipation de puissance:66W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.1A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.9A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:156W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:63W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:63W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds o TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.6A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.6A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:156W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-251; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Dissipation de puissance:50W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13.4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):330mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13.4A; Dissipation de puissance:156W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transisto PHOTOTRANSISTOR 1.9MM JOUG; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:130mW; Angle, vision:25°; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, moitié:25°; Courant, Ic typ.:2.5mA; Réponse spectrale crête:935nm; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:CMS OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR DIP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SSOP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SSOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR USOP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:1mA; Tension, sortie:40V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:7A; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:7A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Nombre de transistors:1; Pas:2.5mm; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:25°C; Tension Vces:330V; Tension, Vcbo:330V; Tension, Vc TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:1; Puissance, Ptot:80W; Tension Vceo max..:100V; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Typ TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Marquage composant:BC847B; Marquage, CMS:1Fp; Nomb TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Marquage, CMS:1G; Nombre de transistors:1; Puissan TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:25W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:26W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tensio TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Températu TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Hfe, min.:160; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:25V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:2.5dB; Config. Brochage:g; Courant Ic max..:25mA; Courant de collecteur:100mA; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Fréquence, test:400MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:550MHz; Hfe, min.:38; Nombre de transistors: TRANSISTOR DARLINGTON TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:300mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:8.9A; Dissipation de puissance:1.4W; Puissance Pd:1.4W; Temps de montée:10ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, TRANSISTOR MOSFET P PPAK1212; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:25V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:52W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-16A; Dissipation de puissance:3.7W; Puissance Pd:52W; Temps de montée:13ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:3 TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2.9mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:2.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:5W; Puissance Pd:50W; Temps de montée:10ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):9.3mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-90A; Dissipation de puissance:2.4W; Puissance Pd:2.4W; Temps de montée:190ns; Température, Tj max..:175°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:-20V; TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:18.6A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):9.2mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-18.6A; Dissipation de puissance:1.9W; Puissance Pd:1.9W; Temps de montée:25ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:40V; TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:20.7A; Dissipation de puissance:4.2W; Puissance Pd:36W; Temps de montée:20ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tens TRANSISTOR MOSFET N POLARPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Température de fonctionnement:-50°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PolarPAK; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:44.5A; Dissipation de puissance:5.2W; Puissance Pd:25W; Temps de montée:10ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:30V; TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:90A; Dissipation de puissance:3.75W; Puissance Pd:375W; Temps de montée:10ns; Température, Tj max..:175°C; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:20V; Te TRANSISTOR MOSFET 200V 130A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:130A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:520W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Dissipation de puissance:520W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:5V; Tension, Vg TRANSISTOR MOSFET 75V 350A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:350A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):1.46mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:350A; Courant, Idm impul.:1280A; Dissipation de puissance:520W; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vg OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR VDE; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET N 25V DIRECTFETMX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MX; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:2.8W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Tension, Vds typ.:25V; TRANSISTOR MOSFET N 100V 140A TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:130A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:550A; Dissipation de puissance:300W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs th max..:4V; Tension, Vgs th min.:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N 100V D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:20V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:9575pF; Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Dissipation de puissance:375W; Puissance Pd:375W; Temps, trr typ.:72ns; Tension, Vds typ.:100V TRANSISTOR, SWITCH N CH, TO-92; Transistor Type:Régulateurs; Tension, claquage:25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:10mA; Tension, Vgs off max..:4V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP 60V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:-1.6V; Tran MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO; TRA; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:800mV; Tension, Vgs, mesure TRANSISTOR NPN 32V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:550mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtie TRANSISTOR NPN 0.5A 60V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boît TRANSISTOR NPN 0.2A 15V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Régulateurs; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN DARL 0.3A 30V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Tension, Vce sat max..:1.5V; DARLINGTON, BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hfe, min.:1000; Type de boîtier:TO-252 NPN TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:5W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de boîtier:TO-39 Small Signal Bipolar Transistor; Transis; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:400MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:400MHz; Hfe, min.:15; Type de boîtier:TO-39 TRANSISTOR PHASE-FREQUENCY DET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de boîtier:8-NSOIC; Type de boîtier de transistor:SOIC MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.1A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:190W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.1A; Dissipation de puissance:190W; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.5A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; Type de boîtier:SOT-223 MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-27A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-27A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vds typ.:-150V; Tension, Vgs max..:-5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîti MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:7.9A; Dissipation de puissance:1.8W; Tension, Vgs max..:2V MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:240mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:240mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vgs max..:2V; Type de boîtier:TO-236 TRANSISTOR PNP SOT223 1.2W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:125; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:160MHz; Hfe, min.:125; Tension, Vce sat max..:210mV; Transistor TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:240MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:240MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:370mV; Transistor T TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:350; Tension, Vce sat max..:70mV; Transistor TRANSISTOR PNP SOT23 0.6W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:13mV; Transistor Type:F TRANSISTOR PNP SOT323 0.4W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:200mV; Transist TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:81A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.1mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:81A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor T TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Dissipation de puissance:2.7W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.7V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transist TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.6W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Dissipation de puissance:2.6W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor T TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR MOSFET N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:200mA; Courant, Id max..:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Résistanc TRANSISTOR MOSFET P SOT-363; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension, Vgs th typ.:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-130mA; Courant, Id max..:-130mA; Dissipation de puissance:300mW; Résistance O TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:540mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Transi TRANSISTOR MOSFET N SC-59; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4A; Dissipation de puissance:500mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Transistor T TRANSISTOR MOSFET P SC-59; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-700mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-700mA; Dissipation de puissance:500mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; TRANSISTOR PNP BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:300mV; Transi TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:350mV; Type de boîtier: PHOTOTRANSISTOR 5.0MM ROUND; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:860nm; Consommation de puissance:75mW; Type de boîtier de transistor:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de collecteur:100nA; Dimension de la lentille:5mm / T-1 3/4; Réponse spectrale crête:860nm; Taille de lampe:T-1 3/4 (5mm); Temps de montée:15è¾s; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:Radial; Type de boîtier opto:Radial; Type de montage:Tr TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de pic Icm:10A; Courant, Ib:1.5A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:15; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-65°C; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Darlin TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.9A; Dissipation de puissance:960mW; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:65mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:45mohm; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max TRANSISTOR MOSFET N DFN322; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:5.1A; Dissipation de puissance:1.35W; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:120mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:60mohm; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max.. TRANSISTOR PNP 60V 10A DPAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:20W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:1.1V; Transistor Type:Puissan TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:160; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Typ TRANSISTOR DARL NPN 60V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:10000; Tension, Vce sat max..:1V; Tr TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transisto TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Ty TRANSISTOR NPN 300V 0.05A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-80; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:600mV; Transisto TRANSISTOR PNP 250V 0.05A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-250V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-30mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:-600mV; Tran TRANSISTOR PNP 80V 0.1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:1.35W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; Trans TRANSISTOR DARL PNP SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:-1.3V; Transistor TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transi TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; Tra TRANSISTOR NPN 300V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:500mV; Transisto TRANSISTOR NPN 40V 0.5A FAIBLE SAT SC75; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:450MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:450MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:50m TRANSISTOR NPN 80V 4.6A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.6A; Gain en courant DC hFE:470; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:40mV; Transis TRANSISTOR NPN 80V 5.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:470; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:40mV; Trans TRANSISTOR NPN 15V 0.5A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-15V; Fréquence de transition ft typ.:280MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:280MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-25mV; Tr TRANSISTOR NPN 60V 1A FAIBLE SAT SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:115mV TRANSISTOR NPN 60V 1A FAIBLE SAT SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:900mA; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:11 TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de t TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de te TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de term TRANSISTOR NPN AVEC RES SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de terminaiso TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:35; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:35; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-323; Type de termin TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-100mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de te TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de termin TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:300mV; Trans TRANSISTOR PNP 60V 0.2 SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; T TRANSISTOR NPN SW 40V 0.6A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:1.15W; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:400mV; TRANSISTOR NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:4.5V; Fréquence de transition ft typ.:25GHz; Dissipation de puissance Pd:135mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-343R; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Dissipation de puissance:135mW; Gain Bande-passante ft, typ.:25GHz; Hfe, min.:50; Transistor Type:Large bande RF; Ty TRANSISTOR NPN 5V 5GHZ SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:5V; Fréquence de transition ft typ.:5GHz; Dissipation de puissance Pd:32mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500è¾A; Dissipation de puissance:32mW; Gain Bande-passante ft, typ.:5GHz; Hfe, min.:50; Transistor Type:Large bande RF; Type de boîti TRANSISTOR JFET NAN 20V SOT-23; Transistor Type:JFET; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:3mA; Tension, Vgs off max..:1.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:7mA; Courant, Idss min.:2.5mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:80mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:80mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:40mA; Tension, Vgs off max..:-2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:40mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:20mA 135mA; Tension, Vgs off max..:10V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:135mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance:300mW; Polarité transistor:P Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 20V 1.05A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:570mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.05A; Dissipation de puissance:417mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:570mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on TRANSISTOR MOSFET N 60V 300MA SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tra TRANSISTOR MOSFET N 100V 3.5A SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:6.9W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.5A; Dissipation de puissance:6.9W; Tension, Vds typ.:130V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; Tr TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 30V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:710mA; Courant, Id max..:710mA; Dissipation de puissance: TRANSISTOR MOSFET N 30V 5.2A SOT457; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.2A; Dissipation de puissance:1.75W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; T TRANSISTOR MOSFET N 30V 0.84A SOT416; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):440mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:840mA; Dissipation de puissance:530mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5 TRANSISTOR MOSFET N 30V 0.8A SOT416; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:530mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds o TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.7A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tra TRANSISTOR MOSFET N 300V 0.34A SOT96-1; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:170mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-96; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:340mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-235mA; Courant, Id max. TRANSISTOR MOSFET N 25V 75A DPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:A enrichissement; Type de boîtier:SOT-428; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 40V 327A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:327A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:341W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:327A; Dissipation de puissance:341W; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V SUPPORT DE TRANSISTOR 3P; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:W3400; Nombre de contacts:3; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Or; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Material:Or; Contact Plating:Or; Diamètre, pas circulaire:2.54mm; Matière:Thermoplastique polyester; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:Carte PC; Température, max..:150°C; Température, min.:-55°C; Typ SUPPORT DE TRANSISTOR 3P; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:W3400; Nombre de contacts:3; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Or; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Material:Or; Contact Plating:Or; Diamètre, pas circulaire:2.54mm; Matière:Thermoplastique polyester; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:Carte PC; Température, max..:150°C; Température, min.:-55°C; Typ TRANSISTOR NPN 80V 3A TO 92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:160; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:TO-92 TRANSISTOR. PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-400mV; Transis TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boît TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT563; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boît TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:200mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:S TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:SOT- TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; Transisto TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type: TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transis TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Puissance; Type de boîtier:TO-252; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR, NPN, 80V, 3A, SOT32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:12.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:-200mV; T TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:200mV; Trans TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:200mV; Trans TRANSISTOR PNP 0.5A 45V SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:160; Tens TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Tension, Vce sat max..:700mV; Transistor Type:Applications générales; Type TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:160; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transistor TRANSISTOR NPN 30V 0.1A DOUBLE SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Ty TRANSISTOR NPN 60V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:1.3V; Transisto TRANSISTOR NPN 45V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:1.3V; Transistor TRANSISTOR NPN 15V 0.5A FAIBLE SAT SC75; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:420MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:420MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:25m TRANSISTOR NPN 100V 3.7A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:40mV; Trans TRANSISTOR NPN/PNP 60V 1A SC-74; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:420mW; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:110mV; TRANSISTOR NPN 40V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:60mV; T TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:47kohm; Tension, Vce sat max..: TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de t TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-100mV; Transistor Type:Applications génér TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Typ TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NPN AVEC RES SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de terminaiso TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de t TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de termin TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Tran TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; TRANSISTOR PNP 0.5V 0.05A SOT353; Dissipation de puissance Pd:335mW; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:335mW; Polarité transistor:PNP; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier:SOT-353; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:400mV; Transi TRANSISTOR NPN 60V 0.6A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:1.15W; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Tran TRANSISTOR NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:4.5V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-343R; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:18GHz; Hfe, min.:40; Transistor Type:Puissance bipolaire; Type de boîtier:SOT-343R; Type d TRANSISTOR JFET NAN 20V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-20V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:10mA 25mA; Tension, Vgs off max..:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:10mA; Tension, Vgs off max..:-500mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:2mA 35mA; Tension, Vgs off max..:4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:35mA; Courant, Idss min.:2mA; Dissipation de puissance:300mW; Polarité transistor:P Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 60V 340MA SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:340mA; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tr TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.9A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.9A; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tr TRANSISTOR MOSFET N 30V 10A SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:8.3W; Tension, Vds typ.:43V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transisto TRANSISTOR MOSFET N 100V 520MA SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:6.25W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:520mA; Dissipation de puissance:6.25W; Tension, Vds typ.:130V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; TRANSISTOR MOSFET N 250V 375MA SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:375mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:250V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; T TRANSISTOR MOSFET P 250V 225MA SOT223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-200mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-225mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:-250V; Tension, Vgs max..:-2.8V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET P 30V 3A SOT223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.8mA; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-2.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; TRANSISTOR MOSFET N 20V 1.02A SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:560mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.02A; Dissipation de puissance:560mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 20V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:560mA; Courant, Id max..:860mA; Dissipation de puissance:410 TRANSISTOR MOSFET N 20V 6.3A SOT457; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.3A; Dissipation de puissance:1.75W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5 TRANSISTOR MOSFET P 20V 4.8A 6TSOP; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-750mV; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4.8A; Dissipation de puissance:2.2W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-750mV; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET P 20V 3.9A SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):76mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:-750mV; Dissipation de puissance Pd:1.92W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.9A; Dissipation de puissance:1.92W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-750mV; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N 20V 2.5A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:650mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:650mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5 TRANSISTOR MOSFET N 30V 80A LFPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Résistance Rds(on):5.7mohm; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-669; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:A enrichissement; Type de boîtier:SOT-669; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.4A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.4A; Courant, Id max..:2.4A; Dissipation de puissance:2W; Résistance On TRANSISTOR MOSFET P 30V 30MA SOT23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:7mA 70mA; Tension, Vgs off max..:6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:70mA; Dissipation de puissance:300mW; Polarité transistor:P Canal; Résistance Rds(on):125ohm; Tension, Vds typ.:30V; Type de boîtier:SOT-23; Type TRANSISTOR MOSFET N 40V 30A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:41.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Dissipation de puissance:41.7W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 30V 50A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.05mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:69W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:69W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 30V 50A PPAK SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:69W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-50A; Dissipation de puissance:69W; Tension, Vgs max..:25V TRANSISTOR MOSFET P 20V 5.6A 8SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-5.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-5.6A; Dissipation de puissance:1.25W; Tension, Vgs max..:9V TRANSISTOR MOSFET P 20V 4.5A 8SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-4.5A; Dissipation de puissance:1.3W; Tension, Vgs max..:12V TRANSISTOR MOSFET N 200V 18A D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Dissipation de puissance:100W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Typ TRANSISTOR MOSFET P 60V 0.185A SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-185mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-185mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P ESD 20V 0.14A SC89; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-140mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-140mA; Dissipation de puissance:250mW; Tension, Vgs max..:6V TRANSISTOR MOSFET PP 12V 4.8A 8SOIC; Polarité transistor:P Canal; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-6.4A; Courant, Id max..:-4.8A; Dissipation de puissance:1.1W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.0 TRANSISTOR NPN 1A 80V SOT89 TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 1A 20V SOT89 TRANSISTOR PNP 0.1A 65V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-300mV; Tra TRANSISTOR NPN/NPN 45V 0.1A SS-MINI; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:200mV; TRANSISTOR PNP/PNP 45V 0.1A SC74; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:380mW; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-200mV TRANSISTOR NPN 250V 0.05A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:600mV; Transist TRANSISTOR NPN 350V 0.05A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:70MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:500mV; Transist TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; Transi TRANSISTOR PNP 80V 0.1A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; Trans TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor TRANSISTOR NPN 80V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:1.3V; Transi TRANSISTOR NPN 90V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:1.3V; Transi TRANSISTOR PNP 80V 0.5A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:1.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:-1.3V; Tr TRANSISTOR PNP 90V 0.5A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:1.25W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:-1.3V; Tr TRANSISTOR NPN 20V 5.8A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.8A; Gain en courant DC hFE:570; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:25mV; Trans TRANSISTOR PNP 20V 5.1A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-5.1A; Gain en courant DC hFE:370; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:-35mV; Tra TRANSISTOR PNP 20V 5.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-5.5A; Gain en courant DC hFE:370; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:-35mV; T TRANSISTOR PNP 30V 5.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-5.3A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:-35mV; T TRANSISTOR PNP 60V 4.2A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4.2A; Gain en courant DC hFE:295; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-50mV; Tra TRANSISTOR PNP 80V 4.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.5A; Gain en courant DC hFE:280; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-50mV; T TRANSISTOR NPN 100V 5.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:40mV; Tra TRANSISTOR PNP 100V 4.1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-100V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:700mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-65mV; TRANSISTOR NPN/NPN 60V FAIBLE SAT SC-74; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:420mW; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:110mV TRANSISTOR PNP DOUBLE 60V 1A SC-74; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:185MHz; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:420mW; Gain Bande-passante ft, typ.:185MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-165mV; TRANSISTOR PNP 60V 1A FAIBLE SAT SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:185MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:185MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-1 TRANSISTOR PNP 20V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:-50mV; TRANSISTOR PNP 40V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-60m TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de ter TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:35; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:35; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-323; Type de te TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de termi TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-100mV; Type de boîtier:SOT-666; Type de te TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de te TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de t TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de t TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications génér TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR PNP SW 40V 0.6A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:1.15W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400 TRANSISTOR NPN 4.5V 25GHZ SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:4.5V; Fréquence de transition ft typ.:25GHz; Dissipation de puissance Pd:135mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-343F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Dissipation de puissance:135mW; Gain Bande-passante ft, typ.:25GHz; Hfe, min.:50; Transistor Type:Large bande RF; Type TRANSISTOR NPN 15V 9GHZ SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Hfe, min.:60; Transistor Type:Large bande RF; Type d TRANSISTOR NPN DOUBLE 70MA 8V SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:8V; Fréquence de transition ft typ.:9GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Hfe, min.:60; Transistor Type:Large bande RF; Type de bo TRANSISTOR JFET NAN 30V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:12mA 25mA; Tension, Vgs off max..:-7.8V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:12mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P 60V 300MA SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-160mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:417mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-300mA; Dissipation de puissance:417mW; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:1.9V; TRANSISTOR MOSFET P 12V 1.52A SOT457; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-600mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-1.52A; Dissipation de puissance:417mW; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs max..:-600mV; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N 300V 350MA SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:250mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:350mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:300V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; T TRANSISTOR MOSFET P 300V 210MA SOT223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-170mA; Tension Vds max..:-300V; Résistance Rds(on):17ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.55V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-210mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:-300V; Tension, Vgs max..:-2.8V; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N 240V 375MA SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:340mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:373mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:240V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; T TRANSISTOR MOSFET N 100V 3.5A SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:6.9W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.5A; Dissipation de puissance:6.9W; Tension, Vds typ.:130V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; TRANSISTOR MOSFET N 100V 6.5A SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.5A; Dissipation de puissance:8.3W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tran TRANSISTOR MOSFET N 30V 870MA SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:870mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):440mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:870mA; Dissipation de puissance:560mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4. TRANSISTOR MOSFET N 30V 830MA SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:560mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:830mA; Dissipation de puissance:560mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N 30V 4.9A SOT457; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.9A; Dissipation de puissance:1.75W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5 TRANSISTOR MOSFET N 20V 0.98A SOT416; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:980mA; Dissipation de puissance:530mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds TRANSISTOR MOSFET N 60V 0.55A SOT416; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):920mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:550mA; Dissipation de puissance:530mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; TRANSISTOR MOSFET N 20V 3.76A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:650mV; Dissipation de puissance Pd:1.92W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.76A; Dissipation de puissance:1.92W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:650mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4 TRANSISTOR MOSFET N 20V 2.28A SOT883; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.28A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on TRANSISTOR MOSFET N 60V 1.22A SOT883; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.22A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A SOT96-1; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-96; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.5A; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; TRANSISTOR MOSFET N 100V 47A SOT428; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:47A; Dissipation de puissance:150W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tran TRANSISTOR MOSFET N 25V SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5mA; Tension Vds max..:25V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:25V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS SUPPORT DE TRANSISTOR 8P; Type de connecteur:Fiche femelle pour transistor; Série:W3400; Nombre de contacts:8; Terminaison du contact:Traversant vertical; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Connecteur femelle pour transistor; Contact Material:Or; Contact Plating:Or; Diamètre, pas circulaire:7.62mm; Matière:Thermoplastique polyester; Nombre de voies:8; Orientation du connecteur:Carte PC; Température, max..:150°C; Température, TRANSISTOR N 30V 100A PQFN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.6W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR PNP/PNP. SOT26; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier: TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier: TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Faible signal; Type de b TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT563; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:600mV; T TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor Ty TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor Ty TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:600; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transisto TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor Ty TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor Ty TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:125; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transisto TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transisto TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transis TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-1.6V; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:SOT TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:SOT-23 TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-300mV; Transis TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:600; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transisto TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT563; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier: TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transistor TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier: TRANSISTOR. NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:S TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-1.6V; Transistor Type:Faible signal; Type de boîti TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier: TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:750mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier: TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Ty TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:750mV; Transistor TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Typ TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-1.6V; Transist TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor Ty TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transisto TRANSISTOR. DARLINGTON. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Tension, Vce sat max..:1.5V TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transist TRANSISTOR. NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:600mV; Tran TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:SOT TRANSISTOR NPN 0.5A 500V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:520mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR PNP COMMUT CHARGE 20V 3A SO8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:-20V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTOR NPN 20V 6.2A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:105MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-6.2A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz TRANSISTOR NPN 30V 3.5A SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:135MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:135MHz TRANSISTOR PNP 30V 2.7A SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:104MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:104MHz TRANSISTOR PNP 30V 4.2A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4.2A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR NPN 60V 6.2A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:6.2A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz TRANSISTOR NPN 20V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:440; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz TRANSISTOR NPN 30V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR PNP 20V 6A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:345; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz TRANSISTOR NPN/NPN 20V SO8; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Courant de collecteur DC:7.5A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR PNP/PNP 20V SO8; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:105MHz; Courant de collecteur DC:-6.3A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/PNP 20V SO8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:105MHz; Courant de collecteur DC:7.5A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/PNP 30V SO8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Courant de collecteur DC:5.7A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/NNP W/RES 50V SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, TO-251; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.34mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:310A; Dissipation de puissance:140W; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type d TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):2.8mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:340W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:200A; Courant, Idm impul.:850A; Dissipation de puissance:340W; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4.8mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:134A; Courant, Idm impul.:560A; Dissipation de puissance:280W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:97A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.2mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:97A; Courant, Idm impul.:390A; Dissipation de puissance:230W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-247AC; Type TRANSISTOR MOSFET IPS TO-220AB; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:5.5V; Limite en courant:5A; Résistance d'état On:0.08ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220AB; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:1.25W; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension d'entrée max..:5.5V; Tensi TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20 TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MZ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:57W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:57W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:200V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET N PQFN; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:3.4W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Ratio, CTR max.:160%; Ratio, CTR min:80%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:80V; Tension, Vf max..:1.4V; Tension, Vf typ.:1.2V; OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR VDE; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Ratio, CTR max.:260%; Ratio, CTR min:130%; Temps de descente:3è¾s; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +110°C; Tension, Vceo:80V; Tension, Vf max..:1.4V; Tension, Vf typ.:1 TRANSISTOR, NPN, 50V, 0.5A, SOT346; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:500MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:500MHz TRANSISTOR NPN RF SOT-143; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:10GHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier transistor RF:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:10GHz TRANSISTOR MOSFET N 25V 18A 8SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Dissipation de puissance:5W; Tension, Vgs max..:12V TRANSISTOR MOSFET N 250V 18.4A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18.4A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:96W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18.4A; Dissipation de puissance:96W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 600V 22A TO220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:22A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 30V 32A PPAK SO8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:69.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:32A; Dissipation de puissance:69.4W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 60V 8.6A PPAK SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-8.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-8.6A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 40V 50A TO252; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:73.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-50A; Dissipation de puissance:73.5W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 20V 0.58A SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-580mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):420mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-580mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vgs max..:8V TRANSISTOR MOSFET P 30V 0.385A SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-385mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-385mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 20V 7.3A 8SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-7.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-7.3A; Dissipation de puissance:1.35W; Tension, Vgs max..:8V TRANSISTOR MOSFET P 30V 9.7A 8SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-9.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):8.8mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-9.7A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vgs max..:12V TRANSISTOR MOSFET P 12V 6A 1206-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6A; Dissipation de puissance:5.7W; Tension, Vgs max..:8V TRANSISTOR MOSFET NN 30V 1.3A SC70; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):155mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.3A; Courant, Id max..:1.3A; Dissipation de puissance:1.25W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.19 TRANSISTOR MOSFET PP 30V 7A PPAK SO8; Polarité transistor:P Canal; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:20V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-10.9A; Courant, Id max..:-7A; Dissipation de puissance:1.4W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.02oh TRANSISTOR MOSFET N 40V 20A PPAK SO8L; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:35.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Dissipation de puissance:35.7W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 100V 60A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:104W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Dissipation de puissance:104W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 200V 3.2A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.2A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 100V 5.7A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.7A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 150V 3A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 40V 50A TO252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:48.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:50A; Dissipation de puissance:48.1W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET ESD N 20V 0.14A SC89; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:140mA; Dissipation de puissance:250mW; Tension, Vgs max..:6V TRANSISTOR MOSFET DI N 30V 38A 8SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:38A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:38A; Dissipation de puissance:7.8W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET P 60V 3.6A PPAK SO8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-3.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3.6A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET NN 60V 5.3A 8SOIC; Polarité transistor:N Canal; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id max..:5.3A; Dissipation de puissance:3.1W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.058ohm; TRANSISTOR PNP 1A 45V SOT89 TRANSISTOR PNP 1A 60V SOT89 TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.8A 45V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 32V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.1A 32V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 30V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.1A 65V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23 TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23 TRANSISTORNPN45V3AD-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 1A 80V SOT89 TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.8A 45V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.8A 45V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.8A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 65V SOT23 TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.1A 65V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23 TRANSISTOR RF; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:625mW; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:250mV; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-218; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:4V; Type de boîtier:TO-218; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:-50A; Gain en courant DC hFE:2; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-204; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:15V; Type de boîtier:TO-204 TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.1A; Résistance Rds(on):58mohm; Tension, Vgs th typ.:-950mV; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtier:SOT-323 (SC-70); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:75; Tension, Vce sat max..:300mV; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):17.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:49A; Dissipation de puissance:110W; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-262; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):104mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:48W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; Type de boîtier:DPAK (TO-252); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.4A; Dissipation de puissance:3W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:-1.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOT-223 (TO-261); Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):7.3mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:-1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:-1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:SO-8; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:27A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-27A; Dissipation de puissance:120W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:D2-PAK; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Hfe, min.:15; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:10W; Hfe, min.:5; Tension, Vce sat max..:1.2V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:10W; Hfe, min.:5; Tension, Vce sat max..:2V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR IGBT N; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:8.5A; Dissipation de puissance Pd:38W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:8.5A; Dissipation de puissance:38W; Dissipation de puissance, max..:38W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:600V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, sortie max..:30V; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 1000VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:8.2kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:32V; Type de boîtier opto:Traversant; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +85°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 2500VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.13kV; Optocoupler Output Type:PhotoSCR; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:15V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:0°C +75°C; Type de sortie:Photodiode OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET CANAL N 20V 0.5A SC89; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:900mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Type de boîtier:SC TRANSISTOR MOSFET P SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:1.28A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:450mV; Dissipation de puissance Pd:570mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.28A; Courant, Id max..:1.28A; Dissipation de puissance:570mW; Résistance On Rds(on), Canal N:0.2 TRANSISTOR MOSFET N 8-SOIC; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:5.8A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:8-SOIC; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET P TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:30A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-252; Type de terminaison:C PHOTOTRANSISTOR NPN T-1 3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:150mW; Angle, vision:20°; Type de boîtier de transistor:T-1 3/4 (5mm); Nombre de broches:2; Angle, moitié:20°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:850nm; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 3/4 TRANSISTOR MOSFET N VHF SOT-262; Transistor Type:MOSFET RF; Tension Vds max..:125V; Courant, Id cont.:18A; Dissipation de puissance Pd:500W; Gamme de fréquences d'utilisation:400MHz 520MHz; Type de boîtier transistor RF:SOT-262A1; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Dissipation de puissance:500W; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:500W; Résistance Rds(on):200mohm; Température, Tj max..:200°C; Température, stockage TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Dissipation de puissance:12.5W; Hfe, min.:63; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:500mV; T TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:750mV; Type de boîtier:TO-92; TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:1.6V; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:800mW; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:5V; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:800mW; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Tension, Vce sat max..:200V; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier: TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:2; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:1.75W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:20V; Type de boîtier:D-PAK; Type TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:1.75W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:15; Tension, Vce sat max..:1.5V; Transistor Type:Puissance bi TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:225mW; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Régulateurs; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR IGBT; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:1.45V; Dissipation de puissance Pd:208W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Dissipation de puissance:208W; Dissipation de puissance, max..:208W; Polarité transistor:N Canal; Tension Vces:1.45V; Type de boîtier:TO-247; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Dissipation de puissance:3.8W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:2.4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-252 TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.5A; Dissipation de puissance:1.6W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:1.7V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO-8; TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:28A; Dissipation de puissance:150W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:20V; Type de bo TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.35A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1.05V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.35A; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-1.05V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; Type de boîtie TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:2W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:3.75V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SO TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:192W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Dissipation de puissance:192W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220; TRANSISTOR MOSFET POLARITE P 8SOIC 40V; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-10.5A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:-10.5A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:-40V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtier:SO-8; T TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:1.5A; Courant Valley Iv:7mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Courant crête:1è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:N and P Canal; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Type de boîtier:SOT363; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Dissipation de puissance:33W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):199mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:139W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.1A; Dissipation de puissance:60W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Dissipation de puissance:89W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Dissipation de puissance:192W; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type:M TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):99mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Dissipation de puissance:255W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):199mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Dissipation de puissance:139W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):299mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Dissipation de puissance:96W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.7A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.7A; Dissipation de puissance:89W; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type: TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:431W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:230A; Dissipation de puissance:431W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:227W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Dissipation de puissance:227W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.2A; Dissipation de puissance:38W; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.3A; Dissipation de puissance:83W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Ty TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13.4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):330mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:156W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13.4A; Dissipation de puissance:156W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transisto TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:208W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20.7A; Dissipation de puissance:208W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transisto TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:240W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21.7A; Dissipation de puissance:240W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transisto TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT143B; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz TRANSISTOR NPN 1A 180V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:180V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR NPN 1A 500V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:25MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:155; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz TRANSISTOR NPN 2A 150V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:33MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:240; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:33MHz TRANSISTOR PNP 0.25A 500V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-400V; Fréquence de transition ft typ.:55MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:210; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 30V 2.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:2.6A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR NPN 30V 4.9A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:4.9A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz TRANSISTOR PNP 30V 2.4A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.4A; Gain en courant DC hFE:320; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:160MHz TRANSISTOR NPN 60V 7A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:105MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz TRANSISTOR NPN 60V 5.7A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:-5.7A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz TRANSISTOR NPN 80V 5.6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:155MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:5.6A; Gain en courant DC hFE:425; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz TRANSISTOR NPN 12V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:440; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:345; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz TRANSISTOR NPN 500V 0.15A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Fréquence de transition ft typ.:35MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR DIP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SSOP-4; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:40V; Type de boîtier opto:SSOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR SO-8; Nombre de voies:1; Tension, isolation:2.5kV; Optocoupler Output Type:Analogique; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:7V; Type de boîtier opto:SSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Analogique OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SMDIP-6 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR SMDIP-4 SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:35V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Température de fonctionnement:-30°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Dissipation de puissance:3.1W; Puissance Pd:3.1W; Résis TRANSISTOR MOSFET N SO-8 + SCHOTTKY; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:34A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.75mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:34A; Dissipation de puissance:3.5W; Puissance Pd:7.8W; Temps de montée:180ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:3 TRANSISTOR MOSFET P PPAK SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-28A; Dissipation de puissance:5.2W; Puissance Pd:83W; Temps de montée:20ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:1 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:7.1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant de drain continu Id, Canal P:-7.1A; Courant, Id max..:-7.1A; Dissipation de puissance:1.1W; Puissance Pd:1.1W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.02ohm; Temps de montée:12ns; Température, Tj max..:150°C; Tension TRANSISTOR MOSFET N POLARPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PolarPAK; Nombre de broches:10; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:13.2A; Dissipation de puissance:5.2W; Puissance Pd:125W; Temps de montée:10ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:2 TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:53A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):19.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:9.2A; Dissipation de puissance:3.1W; Puissance Pd:104.2W; Temps de montée:7ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:-20V TRANSISTOR MOSFET P PPAK SC-75; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.45W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-9A; Dissipation de puissance:2.45W; Puissance Pd:13.1W; Temps de montée:42ns; Température, Tj max..:150°C; Tension, Vds typ.:12V; TRANSISTOR MOSFET 40V 350A TO-247AC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:350A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.35mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:350A; Courant, Idm impul.:1390A; Dissipation de puissance:380W; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, V TRANSISTOR MOSFET N 30V DIRECTFETSQ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:92A; Dissipation de puissance:1.7W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 25V DIRECTFETS1; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):5.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DirectFET; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:1.8W; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Tension, Vds typ.:2 TRANSISTOR MOSFET N 75V D2PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:260A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:20V; Dissipation de puissance Pd:370W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:9200pF; Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1060A; Dissipation de puissance:370W; Puissance Pd:370W; Temps, trr typ.:52ns; Tension, Vds typ.:75V; TRANSISTOR MOSFET N 55V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1570pF; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Temps, trr typ.:22ns; Tension, Vds typ.:55V; Tensi TRANSISTOR MOSFET N 75V I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:53A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):12.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2190pF; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:210A; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Temps, trr typ.:31ns; Tension, Vds typ.:75V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-220AB; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:76A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:20V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:76A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:375W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:5V; Tension, Vgs th max..:5V; Tension, Vgs th TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz TRANSISTOR NPN 400V 12A TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:12A; Dissipation de puissance:100W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:6; Tension, Vce sat max..:3V; Transistor Type:Régulateurs; Type de boîtier:TO-220; Type de termina TRANSISTOR; TRANSISTOR TYPE:BIPOLAR; TRA; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:75V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:35; Tension, Vce sat max..:1V; TRANSISTOR,NPN,1.5A,45V,SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:25; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN 45V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:350mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtie TRANSISTOR, BIPLOAR PNP 16A TO247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):80mA; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:2 TRANSISTOR BIPOLAR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Tension, Vce sat max..:250V; Type de boîtier:3-TO-247 MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.7A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Courant, Id max..:24.5A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:SOIC-8 MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:630mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):375mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:920mV; Dissipation de puissance Pd:270mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:630mA; Courant, Id max..:630mA; Dissipation de puissance:270mW; Résistance On Rds( MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-40A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-40A; Dissipation de puissance:200W; Tension, Vds typ.:-100V; Tension, Vgs max..:-4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de boîtie MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:375W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:110A; Dissipation de puissance:375W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-263 MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Dissipation de puissance:150W; Tension, Vgs max..:4V TRANSISTOR MOSFET N 30V 2A SC70-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:750mW; Marquage composant:.15; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..: TRANSISTOR NPN SOT223 1.2W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:105MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor TRANSISTOR NPN SOT223 1.2W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Tension, Vce sat max..:40mV; Transistor TRANSISTOR PNP SOT223 1.2W; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Tension, Vce sat max..:50mV; Transistor TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:900mW; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:180mV; Transistor Type: TRANSISTOR NPN SOT323 0.3W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:200mV; Transist TRANSISTOR NPN SOT563 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:110mV; Transist TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.1W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:56A; Dissipation de puissance:2.7W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.2W; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:1.6V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transi TRANSISTOR FET P SIMPLE 20V 6DSBGA; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):62mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:750mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.2A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:300mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tran TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:115mA; Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:200mW; Résist TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:200mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tra TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:250mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:250mA; Dissipation de puissance:300mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor T TRANSISTOR MOSFET N SC-59; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4A; Dissipation de puissance:500mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Type TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; Transistor Typ TRANSISTOR MOSFET P SOT-563; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-950mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:170mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-860mA; Dissipation de puissance:170mW; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-2.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-890mV; Dissipation de puissance Pd:1.08W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-2.7A; Dissipation de puissance:1.08W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-4.5V; TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Type de bo TRANSISTOR NPN 1A 150V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR PNP COMMUT CHARGE 20V 3A SO8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:-20V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 20V 4.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:165MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:4.3A; Gain en courant DC hFE:550; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:165MHz TRANSISTOR NPN 20V 6.6A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:85MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:-6.6A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:85MHz TRANSISTOR PNP 60V 2.7A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR NPN 60V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:440; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR PNP 100V 2.7A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-100V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:295; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR NPN/NPN 60V SO8; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Courant de collecteur DC:6.7A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/PNP 60V SO8; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Courant de collecteur DC:6.7A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR PNP/PNP W/RES 50V SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/NPN W/RES 50V SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/PNP W/RES 50V SOT457; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTORPNP45V0.5ASOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTORNPN65V0.1ASC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTORNPN180V0.5ASOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:180V; Fréquence de transition ft typ.:70MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz TRANSISTORPNP45V0.5ASC70-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTORNPN125V1ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:155MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz TRANSISTORPNP45V0.1ASC70-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR IGBT 600V 70A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:111A; Tension, Vce sat max..:2.23V; Dissipation de puissance Pd:447W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:447W TRANSISTOR PNP 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:210MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:465; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz TRANSISTOR,NPN,20A,80V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz TRANSISTOR,NPN,7A,70V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:70V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz TRANSISTOR,NPN,1.5A,40V,TO237; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:400MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-237; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:400MHz TRANSISTOR,NPN,3A,60V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,PNP,0.6A,150V,TO92; Polarité transistor:PNP; Dissipation de puissance Pd:0.625W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,8A,100V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,PNP,4A,45V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz TRANSISTOR,PNP,4A,120V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-120V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz TRANSISTOR,NPN,15A,40V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:5MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz TRANSISTOR,PNP,45V,0.01A,TO78; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:80 TRANSISTOR,JFET, N CH,40V,TO18; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:50mA; Tension, Vgs off max..:-10V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300mW TRANSISTOR,JFET, N CH,40V,TO18; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:8mA 80mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300mW TRANSISTOR,DARL, NPN,80V,20A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:300 TRANSISTOR,DARL, NPN,80V,20A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:1000 TRANSISTOR,DARL, PNP,100V,20A,TO3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-100V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:-20A; Gain en courant DC hFE:800; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:800 TRANSISTOR HIREL NPN 40V 0.6A LCC1; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:LCC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR HIREL PNP 60V 0.6A LCC1; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:LCC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:17; Type de boîtier de transistor:SOT-54; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR IGBT 1200V 50A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:84A; Tension, Vce sat max..:3.22V; Dissipation de puissance Pd:431W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:431W TRANSISTOR IGBT 1200V 50A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:84A; Tension, Vce sat max..:3.22V; Dissipation de puissance Pd:431W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:431W TRANSISTOR IGBT 1200V 100A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:134A; Tension, Vce sat max..:2.36V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:463W TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:210; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR,NPN,10A,80V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:15MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz TRANSISTOR,PNP,8A,120V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-120V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR,PNP,3A,80V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz TRANSISTOR,PNP,2A,60V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,30A,40V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz TRANSISTOR,NPN,4A,80V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz TRANSISTOR,NPN,8A,80V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,0.3A,150V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR,PNP,1A,60V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz TRANSISTOR,PNP,3A,80V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz TRANSISTOR,NPN,1A,100V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR,NPNNPN,60V,0.05A,TO78; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain en courant DC (hfe) max..:300 TRANSISTOR,PNPPNP,60V,0.05A,TO78; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:500MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:300 TRANSISTOR,JFET, N CH,30V,TO18; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:50mA; Tension, Vgs off max..:-10V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300mW TRANSISTOR,NPN,300V,5A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:20 TRANSISTOR PNP FAST SW SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:160; Tension, Vce sat max..:320mV; Type de boîti TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:7.5; Type de boîtier de transistor:SOT-54; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR IGBT 600V 100A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:184A; Tension, Vce sat max..:1.72V; Dissipation de puissance Pd:577W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:577W TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR,NPN,4A,80V,TO126 TRANSISTOR,PNP,10A,45V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:12MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:12MHz TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz TRANSISTOR,NPN,0.7A,60V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:700mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTOR,PNP,1A,60V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,PNP,3A,40V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,PNP,8A,80V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,150V,0.3A,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:40 TRANSISTOR,PNPPNP,60V,0.05A,TO78; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:500MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:150 TRANSISTOR,JFET, N CH,30V,TO18; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-30V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:20mA 100mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300mW TRANSISTOR,DARL, NPN,100V,20A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:1000 TRANSISTOR PNP 40V 3A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:190; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.8A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.8A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT323-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 15V 0.5A DFN1006-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:-15V; Fréquence de transition ft typ.:340MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:90; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 40V 0.5A DFN1006-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 160V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR DIGITAL NPNNPN SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-300mV; T TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SC-75; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:-200mV; Tr TRANSISTOR NPN/NPN 45V 0.1A SC88; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:200mV; Typ TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Ty TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Transis TRANSISTOR NPN 0.6A 40V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:35mV; Transistor Type:Faible tension de saturation (BISS); Type de boîtier:SOT-23; Type de TRANSISTOR NPN 20V 5.3A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:5.3A; Gain en courant DC hFE:570; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:25mV; Transis TRANSISTOR NPN 60V 4.7A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.7A; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:300; Tension, Vce sat max..:35mV; Transis TRANSISTOR PNP 80V 4A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:280; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-50mV; Transis TRANSISTOR PNP 20V 2A FAIBLE SAT SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:185MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:495; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:185MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-8 TRANSISTOR PNP 100V 1A FAIBLE SAT SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-100V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-250mA; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Tension, Vce sat max..:-1 TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-100mV; Transistor Type:Applications génér TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de termina TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de t TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:150mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-666; Type de termi TRANSISTOR NPN 40V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:200mV; Transis TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; Tra TRANSISTOR NPN 30V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Tra TRANSISTOR PNP GP 0.5A 80V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; T TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Dissipation de puissance:1.15W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1mA; Dissipation de puissance:1.35W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:400mV; Transist TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:10V; Fréquence de transition ft typ.:8GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Hfe, min.:40; Transistor Type:Large bande RF; Type de boîtier TRANSISTOR NPN 10V 150MA SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:18V; Fréquence de transition ft typ.:4GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:4GHz; Hfe, min.:25; Transistor Type:Large bande RF; Type de boîti TRANSISTOR NPN 4.5V 21GHZ SOT343R; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:4.5V; Fréquence de transition ft typ.:21GHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-343R; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:80mA; Dissipation de puissance:360mW; Gain Bande-passante ft, typ.:21GHz; Hfe, min.:40; Transistor Type:Large bande RF; Typ TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:6mA 15mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Dissipation de puissance:250mW; Polarité transistor:N Canal; Type de boîtier:SOT-23; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET N 100V 850MA SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:850mA; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:130V; Tension, Vgs max..:3V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10 TRANSISTOR MOSFET N 55V 300MA SOT323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:700mW; Tension, Vds typ.:75V; Tension, Vgs max..:1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; TRANSISTOR MOSFET P 30V 470MA SOT23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-280mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-680mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-470mA; Dissipation de puissance:417mW; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-680mV; Tension, Vgs, mesure de TRANSISTOR MOSFET N 200V 0.55A SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:750mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:550mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; TRANSISTOR MOSFET P 200V 225MA SOT223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-200mA; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-225mA; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vds typ.:-200V; Tension, Vgs max..:-2.8V; Tension, Vgs, mesure de R TRANSISTOR MOSFET P 240V 0.2A SOT89; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-200mA; Tension Vds max..:-240V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-200mA; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:-240V; Tension, Vgs max..:-2.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:- TRANSISTOR MOSFET N 200V 400MA SOT-89; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:400mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:400mA; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:2.8V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tr TRANSISTOR MOSFET N 20V 1A SOT-323; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1A; Dissipation de puissance:560mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; T TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 20V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:870mA; Courant, Id max..:870mA; Dissipation de puissance: TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 60V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):920mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:490mA; Courant, Id max..:490mA; Dissipation de puissance:410m TRANSISTOR MOSFET N 20V 5.7A SOT457; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):34mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.7A; Dissipation de puissance:1.75W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5 TRANSISTOR MOSFET N 12V 5.7A SOT457; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):34mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.7A; Dissipation de puissance:1.75W; Tension, Vds typ.:12V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5 TRANSISTOR MOSFET N 30V 5.4A SOT457; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.4A; Dissipation de puissance:1.75W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.5V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; TRANSISTOR MOSFET N 30V 2.5A SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Dissipation de puissance:830mW; Tension, Vds typ.:37V; Tension, Vgs max..:2V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tra TRANSISTOR MOSFET N 20V 5.7A SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.7A; Dissipation de puissance:1.9W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.78A SOT883; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):460mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.78A; Dissipation de puissance:2.5W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:700mV; Tension, Vgs, mesure de Rds on TRANSISTOR MOSFET N 40V 240A D2PAK-7; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:400A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:400A; Dissipation de puissance:380W; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tra TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 40V 2A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT-523-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 140V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR MOSFET N 25V 100A 8SON; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.7mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Dissipation de puissance:3.1W; Racine de la référence:16325; Tension, Vds typ.:25V; Tension, Vgs max..:10V; Tension, Vg TRANSISTOR PNP 40V 1A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 15V 0.5A DFN1006-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:90; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 45 V 0.5A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Typ TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transis TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Typ TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-1.6V; Transist TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Tension, Vce sat max..:-650mV; Transisto TRANSISTOR NPN/NPN. SOT26; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:200mV; Transistor Type:Faible TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor Ty TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type: TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transistor T TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:200mV; Transistor T TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor TRANSISTOR PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-400mV; Transistor Type TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:750mV; Transistor Type:Faible signal; Type de bo TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Tension, Vce sat max..:-500mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîti TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:200mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boî TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:600mV; Transistor PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, moitié:16°; Courant, Ic typ.:0.55mA; Réponse spectrale crête:840nm; Sensibilité min. mW/cm2:4.0@20; Temps de descente:5è¾s; Temps de montée:5è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, TO-251; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR MOSFET N 600V 22A TO220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:22A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 600V 22A TO220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:22A; Dissipation de puissance:250W; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR MOSFET N 30V 8.5A PPAK SO8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:1212; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8.5A; Dissipation de puissance:1.5W; Tension, Vgs max..:12V TRANSISTOR MOSFET N 25V 18A 8SOIC; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):6.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:40A; Dissipation de puissance:71W; Tension, Vgs max..:12V TRANSISTOR MOSFET N 20V 0.42A TO92; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:420mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:420mA; Dissipation de puissance:350mW; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR PNP 1A 45V SOT89 TRANSISTOR PNP 1A 80V SOT89 TRANSISTOR NPN 1A 45V SOT89 TRANSISTOR NPN 1A 45V SOT89 TRANSISTOR NPN 1A 60V SOT89 TRANSISTOR NPN 1A 60V SOT89 TRANSISTOR NPN 1A 80V SOT89 TRANSISTOR PNP 0.1A 65V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.1A 65V SOT23 TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23 TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23 PHOTOTRANSISTOR SILICON 0805 SMD; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:60°; Type de boîtier de transistor:0805; Nombre de broches:2; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:100nA; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:0805; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN/NPN APPAIRES SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPN 1A 150V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR NPN 0.5A 500V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR PNP 0.25A 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-400V; Fréquence de transition ft typ.:55MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz TRANSISTOR PNP 0.15A 500V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-500V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR PNP 2A 150V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Fréquence de transition ft typ.:35MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz TRANSISTOR PNP 0.5A 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-400V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:155; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:320; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:320; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 20V 7A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:550; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz TRANSISTOR NPN 20V 8A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:95MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:550; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:95MHz TRANSISTOR NPN 20V 3.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-20V; Fréquence de transition ft typ.:155MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-3.5A; Gain en courant DC hFE:320; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz TRANSISTOR PNP 30V 4.4A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.4A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz TRANSISTOR NPN 60V 3.8A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:3.8A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz TRANSISTOR PNP 60V 5A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:90MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:265; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz TRANSISTOR PNP 80V 4A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:265; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:335; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz TRANSISTOR PNP 100V 5.2A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:-100V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-5.2A; Gain en courant DC hFE:285; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR PNP/PNP 30V SO8; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Courant de collecteur DC:-4.8A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR NPN/NPN 60V SO8; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Courant de collecteur DC:-5.9A; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTORNPN45V0.5ASC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTORNPN45V0.8ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTORNPN450V0.15ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz TRANSISTORNPN150V0.4ASOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:180V; Fréquence de transition ft typ.:90MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz TRANSISTORNPNPNPDUAL60VSOT23-6; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR NPN 5A 1000V TO220F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:32W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:22; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR HIREL NPN 15V 0.2A LCC1; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:500MHz TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:7.5; Type de boîtier de transistor:SOT-54; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 400V 4A SOT428; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:21; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 400V 8A SOT428; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:22; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR IGBT 600V 70A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:111A; Tension, Vce sat max..:2.23V; Dissipation de puissance Pd:447W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:447W TRANSISTOR IGBT 1200V 50A SOT227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:134A; Tension, Vce sat max..:2.36V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Dissipation de puissance, max..:463W TRANSISTOR IGBT 1200V 120A SOT227; Tension, Vf max..:4V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration diode:Dual, Isolated; Courant, Ifs max.:350A; Diode Type:Ultra-rapide, recouvrement progressif; Dissipation de puissance Pd:337W; Dissipation de puissance, max..:337W; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Type de boîtier diode:SOT-227 TRANSISTOR PNP 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:210; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR PNP 500V 0.25A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-500V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Fréquence de transition ft typ.:165MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:320; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:165MHz TRANSISTOR,PNP,20A,45V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:12MHz TRANSISTOR,PNP,1A,80V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz TRANSISTOR,PNP,4A,80V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz TRANSISTOR,NPN,25A,150V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz TRANSISTOR,PNP,2A,100V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz TRANSISTOR,PNP,0.2A,60V,TO18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,1A,350V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:15MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz TRANSISTOR,NPN,1A,80V,TO18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:400MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:400MHz TRANSISTOR,NPN,3.5A,400V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:325V; Fréquence de transition ft typ.:2.8MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Gain Bande-passante ft, typ.:2.8MHz TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:15; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,0.6A,160V,TO92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:180V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz TRANSISTOR, PNP, 100, 8A, TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3 TRANSISTOR,NPN,5A,350V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Fréquence de transition ft typ.:5MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:75; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz TRANSISTOR,PNP,60V,0.01A,TO78; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:225; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:200 TRANSISTOR,JFET, N CH,40V,TO18; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-40V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:20mA 100mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:300mW TRANSISTOR,DARL, NPN,60V,0.5A,TO72; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-72; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain en courant DC (hfe) max..:2000 TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:1.05kV; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:66; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 25V 3A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-25V; Fréquence de transition ft typ.:135MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:260; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 2A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT323-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-65V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 20V 1.5A DFN1411-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 300V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, PNP, 30V, 1A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-30V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 17.5V, 5A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:17.5V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.5A, DFN1006; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DFN1006; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:PNP / PNP; Tension, Vceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN/NPN, 40V, 200MA, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:230mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 4A 1050V DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:66; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN QUADRUPLE 40V 30MA 14SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:14; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Quadruple TRANSISTOR NPN DOUBLE AUDIO 8SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR, NPN, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 12V, 3A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:135MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 100V, 1A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-100V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 150V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-150V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:14; Température de fonctionnement:-55°C 150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance, Ptot:80W; Température, puissance:25°C; Tension Vces:550V; Tension, Vce sa TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN/NPN, 40V, 200MA, SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:240mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, PNP/PNP, 40V, 200MA, SOT666; Polarité transistor:PNP / PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:240mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:26W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:66; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 12A 700V TO220AB; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, SOT-223; Transistor Type:Puissance - Applications générales; Type de boîtier:SOT-223; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-277; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:230A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Courant, Id max..:230A; Courant, Idm impul.:920A; Dissipation de puissance:700W; Puissance Pd:700W; Résistance, Rds on max..:6mohm; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension Vds:100V; Tension, Vds TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-263; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:155W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:155W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.75W; Marquage TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Iar:9A; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:75W; Energie avalanche répétitive max..:7.5mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:54mJ; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:25W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:75mJ; Longueur cordon:14.22mm; Longueur/hauteur:18.03mm; Nombre de tra TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:11A; Dissipation de puissance:25W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:0.35mJ; Longueur cordon:14.22mm; Longueur/hauteur:18.03mm; Nombre d TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:144A; Différentiel de tension dv/dt:5V/è¾s; Dissipation de puissance:700W; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie dissip TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:200A; Courant, Idm impul.:600A; Dissipation de puissance:520W; Energie avalanche répétitive max..:30mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:2J; PHOTOTRANSISTOR TO-18; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:250mW; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, moitié:15°; Courant, Ic typ.:22mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:850nm; Sensibilité max.. mW/cm3:22@5; Sensibilité min. mW/cm2:7@5; Sensibilité nom mW/cm4:7mA @ 5mW / cmË›; Temps de descente:7è¾s; Temps de montée:7è¾s; Température de fonctionnement:-65°C +125°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de b TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:150W; Entraxe de fixation:30mm; Marquage composant:IRF250; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Puissance Pd:150W; Température, courant:2 PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:150mW; Angle, vision:18°; Type de boîtier de transistor:TO-46; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Angle, moitié:18°; Courant, Ic typ.:8mA; Pas:2.54mm; Réponse spectrale crête:880nm; Sensibilité nom mW/cm4:8mA @ 5mW / cmË›; Temps de descente:6è¾s; Temps de montée:6è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; Tension, Vcc:5V; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:TO-18 TRANSISTOR, NPN TO-126; Transistor Type:Puissance - Applications générales; Type de boîtier:TO-126 TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:210pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:39nC; Charge, porte, canal N:6.4nC; Courant, Idm impul.:18A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipatio TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:90nC; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche r TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:200nC; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:95nC; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Différentiel de tension dv/dt:5V/è¾s; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche répétitive max..:30mJ; Energie dissipée, aval TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:735W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:186nC; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Différentiel de tension dv/dt:20V/ns; Dissipation de puissance:735W; Energie avalanche TRANSISTOR JFET; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:35V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:20mA; Tension, Vgs off max..:10V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idss min.:20mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance:625mW; Format broche:m; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance, Ptot:350mW; Tension Vds max..:35V; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison TRANSISTOR MOSFET CANAL N 30V LFPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:67A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.6ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:14nC; Courant, Id max..:67A; Courant, Idm impul.:268A; Dissipation de puissance:62.5W; Largeur (externe):5mm; Longue TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-1.6A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:806mW; Marquage, CMS:313; Nombre de transistors:1; Puissance TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30.6A; Dissipation de puissance:3.9W; Marquage, CMS:ZXMN6A09; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:7A; Courant Ic Vce sat:6.5A; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Ic moy.:7A; Courant, Icm impulsionnel:20A; D TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5.5A; Gain en courant DC hFE:225; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:5.5A; Courant Ic Vce sat:5.5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5.5A; Courant, Ic moy.:5.5A; Courant, Icm impulsionnel TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.2A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:32nC; Courant, Id max..:7.2A; Courant, Idm impul.:28.8A; Différentiel de tension dv/dt:4.5V/è¾s; Dissipation de TRANSISTOR MOSFET INTELLIGENT DSO-20-9; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.5A; Résistance Rds(on):30mohm; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:P-DSO; Nombre de broches:20; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Dissipation de puissance:3.8W; Limitation de courant (max..):5.5A; Limitation de courant, I(scr):24A; Nombre de transistors:2; Puissance Pd:3.8W; Puissance, Ptot:3.8W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.03ohm TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Iar:4.5A; Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:75W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:1.1mJ; Entraxe de fixation:30mm; Nombre de TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:20W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:76mJ; Longueur cordon:14.22mm; Longueur/hauteur:18.03mm; Nombre de tra TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:15W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puissance:15W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:68mJ; Longueur cordon:14.22mm; Longueur/hauteur:18.03mm; Nombre de TRANSISTOR MOSFET CANAL-P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-16.5A; Courant, Idm impul.:66A; Dissipation de puissance:100W; Marquage composant:FQP17P10; Puissance Pd:100W; Tension, Vds typ.:-100V; Tension, Vgs max..:-4V; TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 10V, 4A, 2W, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:10V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 100V, 1A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 400V, 0.2A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-400V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 200V, 0.3A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-200V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-300mA; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 15V, 3A, 2W, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-300V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 80V, 0.5A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-80V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):390mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Différentiel de tension dv/dt:5V/è¾s; Dissipation de puissance:600W; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissi TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:27A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:108A; Dissipation de puissance:520W; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:2.5J; Nombre de transistors:1; Poids:0.04kg; P TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:600W; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Nombre de transistors:1; Poids:0.046kg; Puissance TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Dissipation de puissance:700W; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:4 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 81A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:81A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:84A; Courant, Idm impul.:330A; Dissipation de puissance:170W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:170W; Résistance the TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 162A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:162A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:202A; Courant, Idm impul.:650A; Dissipation de puissance:200W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:200W; Résistance th TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 21A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:27A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:108A; Dissipation de puissance:136W; Puissance Pd:136W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6°C/W; Température, courant:25°C; Tempéra TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 30V 62A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:62A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:248A; Dissipation de puissance:87W; Marquage, CMS:IRF3707S; Puissance Pd:87W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.73°C/W; Style de boît TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 57A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:46A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:150W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.7W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.6 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 200V 18A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:150W; Marquage, CMS:IRF640NS; Puissance Pd:150W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Style de boîti TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 250V 14A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température, courant:25°C; Températu TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 23A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:92A; Dissipation de puissance:136W; Puissance Pd:136W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.1°C/W; Tension, Vds typ.:150V; Tension, TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 41A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:41A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:41A; Courant, Idm impul.:164A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Tension, Vds typ.:150V; Tension TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223 55V 4A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.8A; Courant, Idm impul.:11.2A; Dissipation de puissance:2.1W; Marquage, CMS:FL024N; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.1W; Résistance thermique, jonction-carcas TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 60V 7.7A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Dissipation de puissance:25W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 16A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:38W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR024N; Nombre de transistors:1; Profondeur: TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 100V 9.1A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:39W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR120N; Nombre de transistors:1; Profon TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 200V 2.6A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.6A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:25W; Marquage, CMS:IRFR210; Puissance Pd:25W; Résistance thermiqu TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 200V 4.8A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.8A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:42W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 100V 31A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:125A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR3410; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de boît TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 500V 2.4A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:42W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -55V -28A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-31A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR5305; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de bo TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 600V 2A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:42W; Marquage, CMS:IRFRC20; Puissance Pd:42W; Résistance thermique, jon TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 500V 11A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:170W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.1W; Marquage, CMS:11N50; Puissance Pd:170W; Résista TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 200V 24A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:3.8W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:FS23N20D; Puissance Pd:3.8W; Pu TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 60V 7.7A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:34A; Dissipation de puissance:30W; Longueur cordon:9.65mm; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 400V 1.7A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 400V 3.1A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.1A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:42W; Puissance Pd:42W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3° TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 500V 2.4A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:7.7A; Dissipation de puissance:42W; Longueur cordon:9.65mm; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; TRANSISTOR MOSFET CANAL P IPAK -55V -11A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):175mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:38W; Marquage, CMS:IRFU 9024N; Puissance Pd:38W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Style de boî TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:45W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:45W; Résistance thermiq TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 34A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:34A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:34A; Courant, Icm impulsionnel:68A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente, max.:590ns TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 23A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:23A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente:150ns; Temp TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 23A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:23A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Marquage composant:IRG4PC30UPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 52A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:52A; Tension, Vce sat max..:1.84V; Dissipation de puissance Pd:104W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:52A; Courant, Icm impulsionnel:104A; Dissipation de puissance:104W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50KDPBF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 55A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:55A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50UD; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 55A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:55A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50U; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:2 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO274AA 600V 85A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:85A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:Super-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:85A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:350W; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:350W; Temps de descente, max.:16 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 130A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:130A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Dissipation de puissance:200W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Tempér TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 104A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:104A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:104A; Courant, Idm impul.:416A; Dissipation de puissance:2.4W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:167W; Marquage, CMS:L1104S; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 24A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:45W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:45W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 30V 64A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:83W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.7W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 77A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:77A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:89A; Courant, Idm impul.:310A; Dissipation de puissance:130W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:130W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.2°C/W TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 120A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:480A; Dissipation de puissance:150W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:150W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 200V 17A; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:1800pF; Charge, porte, canal N:66nC; Courant Iar:10A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Courant, Idss max..:25è¾A; Dissipation de puissance:125W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.1W; Energie a TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:69W; Marquage, CMS:IRLR2905; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:69W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1. TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 10A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:43W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:43W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0°C/W; Température, courant:25°C; Tempé TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 94A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:94A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.11°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7.5m TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 175A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:175A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:700A; Dissipation de puissance:330W; Puissance Pd:330W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 59A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:230A; Dissipation de puissance:57W; Puissance Pd:57W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9.5 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:92W; Puissance Pd:92W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.64°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:26.5m TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 80A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:260W; Puissance Pd:260W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.57°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:15 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 80A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:260W; Puissance Pd:260W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.57°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:15mo TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 60A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:320W; Puissance Pd:320W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.47°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:32 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 150V 24A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):95mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.1°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:95ohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 200V 5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:43W; Puissance Pd:43W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.5°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:600ohm; Styl TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 31A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:125A; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse: TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 30V 61A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:244A; Dissipation de puissance:87W; Puissance Pd:87W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7 TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 25A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:48W; Puissance Pd:48W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.7°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:45ohm; Style de boîtier alternatif TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:44W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:44W; Puissance Pd:44W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3. TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 51A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:80W; Puissance Pd:80W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13.9mo TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:2.15V; Dissipation de puissance Pd:308W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:308W; Dissipation de puissance, max..:308W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:308W; Temps de montée:6ns; Tension Vces:600V; Type de b TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 30V 200A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1040A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:3 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 20V 180A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Dissipation de puissance:210W; Puissance Pd:210W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.72°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4o TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:180moh TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 100V 4.3A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:540mohm; S TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 25A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:57W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:57W; Puissance Pd:57W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.65° TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BC817-16; Marqua TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:275MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25mA; Courant de collecteur:25mA; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante ft, typ.:450MHz; Hfe, min. TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:420MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande TRANSISTOR NPN BOITIER SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:470; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:1.35A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:1.35A; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.35A; Dissipation de puissance:310mW; Gain Bande-passante TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:300; Puissanc TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.35W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:2W; Température, p TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.35W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:25 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:130; Puissance, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:140; Puissance, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:10kohm; Température, p TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):20è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:4.7kohm; Température TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:160; Puissance, TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, m TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:2; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:2. TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:2; Puissan TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:2; Puissan TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:2; Pu TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:2; P TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:2; Pui TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:2; Pu TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min. TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, SOT883; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, SOT883; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 200MA, SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 4A 850V DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:425V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:21; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 4A 700V TO220AB; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:124A; Dissipation de puissance:3.1W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FS31N20D; Puissance Pd:3.1W; Style d TRANSISTOR MOSFET CANAL N FETKY SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:46A; Courant, If moy.:4A; Courant, Ifs max.:15A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7 TRANSISTOR MOSFET CANAL N FULLPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.1A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:30W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:30W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.3A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.3A; Courant, Idm impul.:50A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7488; Pas, rang:6.3mm; Puissance Pd:2.5W; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:43A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7490; Pas, rang:6.3mm; Puissance Pd:2.5W; TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-228; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:480W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Dissipation de puissance:480W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:480W; Température, coura TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:740pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:8.6nC; Charge, porte, canal N:12nC; Courant, Id max..:4.2A; Courant, Idm impul.:33A; Courant, Idss max..:1è¾A; Dissipation de puissance:1.25W; Largeur (externe):3.05m TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-252; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR18N15D; Puissance Pd:110W; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Tension, Vds typ.:150V; Tension TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF5210S; Puissance Pd:200W; Style de TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER DIL; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-1A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:1.3W; Marquage composant:IRFD9120PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.5 TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-6.2A; Courant, Idm impul.:25A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7241; Profondeur:5.2mm; Puissance Pd:2. TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:28A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7331; Profondeur:5.2mm; Puissance Pd:2W; Tempér TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-550mV; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:633pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:11nC; Charge, porte, canal P:12nC; Courant, Id max..:-3.7A; Courant, Idm impul.:22A; Courant, Idss max..:1è¾A; Dissipation de puissance:1.3W; Energie dissi TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:1.25W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:IRLML5203; M TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:20W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombr TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:130A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Charge, porte, canal N:380nC; Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:700W; Energie avalanche répétitive max..:85mJ; Energie dissipée, avalanche TRANSISTOR IGBT BOITIER SOT-227; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:1.1V; Dissipation de puissance Pd:630W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:630W; Dissipation de puissance, max..:630W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissan TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:31A; Tension, Vce sat max..:1.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente, max.:180ns; Temps TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:3.1V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente, max.:170ns; Temps TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:3.1V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente, typ:97ns; Temps de TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:11A; Tension, Vce sat max..:3.17V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:22A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de descente, max.:620ns; Temps de OPTOCOUPLEUR. SORTIES TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:6mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL / VDE; Bande passante:17MHz; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR PROFET; Type de driver:Côté haut; Courant, sortie crête:1.8A; Résistance de sortie:0.19ohm; Délais d'entrée:125è¾s; Délais de sortie:85è¾s; Gamme de tension d'alimentation:4.7V 42V; Type de boîtier CI Driver:TO-220AB; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.8A; Dissipation de puissance:75W; Dissipation de puissance Pd:75W; Limitation de courant (max..):1.8A; Limitation de courant, I(scr):5A; Nombre de transisto TRANSISTOR PROFET; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:16V; Limite en courant:7.5A; Résistance d'état On:0.042ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Nombre de canaux de sortie:4; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:SOP; Nombre de broches:20; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.9A; Dissipation de puissance:3.6W; Limitation de courant (max..):1.9A; Limitation de courant, I(scr):3.7A; Nombr TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Idm impul.:16A; Marquage, CMS:2A3; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.1W; Puissance, Ptot:1.1W; Résistance, Rds on max..:55mohm; Température, Tj max..:150°C; Température, T TRANSISTOR MOSFET BOITIER SM8; Polarité transistor:N and P Channel; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SM; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant, Id cont, canal P:1.5A; Courant, Id cont.:1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:8.7A; Dissipation de puissance:1.7W; Marquage, CMS:ZXMHC6A07; Nombre de transistors:4; Pui TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:110; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:110; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:500MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:10mA; Dissipation de puissance:3 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:800mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; P TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Pui TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:30mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz; Hfe, min.:25; Nombre de TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 75V 82A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:71A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:82A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:150W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:150W; Résistance the TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 150V 21A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:84W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:84A; Dissipation de puissance:84W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF3315S; Puissance Pd:84W; Résistan TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 43A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:37A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance:150W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 20V 77A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:77A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:77A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:88W; Puissance Pd:88W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Tension Vds:20V; Tension, Vds typ.:20 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 20V 77A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:77A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:77A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:IRF3706S; Puissance Pd:2.5W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Style de boî TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:79W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF530NS; Puissance Pd:79W; Résista TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 33A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:27A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:94W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF540N; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 33A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:140W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF540NS; Puissance Pd:140W; Rési TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 18A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:150W; Puissance Pd:150W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 400V 10A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 500V 5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:74W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:74W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 500V 8A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs m TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 500V 11A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:170W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Températ TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 500V 18A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Puissance, Ptot:38W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.63°C/W; Tension Vds: TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 75A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.74°C/W; Résistance, Rds on max..:14mohm TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 37A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:37A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance:69W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR1205; Nombre de transistors:1; Profondeur TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 56A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR2405; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de boîtie TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 400V 1.7A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:25W; Marquage, CMS:IRFR310; Puissance Pd:25W; Résistance thermique TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -55V -18A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-18A; Courant, Idm impul.:64A; Dissipation de puissance:57W; Marquage, CMS:IRFR5505; Puissance Pd:57W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.2°C/W; Style de boîti TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 100V 9.1A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:48W; Marquage, CMS:IRFU120N; Puissance Pd:48W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.2°C/W; Style de boîti TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 10A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:36W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:36W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; P TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 29A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:29A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:29A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:68W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:FZ34NS; Puissance Pd:68W; Résistance TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 50A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:150W; Puissance Pd:150W; Résistance thermique, jonction-carcass TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 46A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:46A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:53A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:88W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:88W; Résistance thermi TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 72A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:72A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:72A; Courant, Idm impul.:290A; Dissipation de puissance:150W; Puissance Pd:150W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs m TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 72A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:72A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:72A; Courant, Idm impul.:290A; Dissipation de puissance:150W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:150W; Marquage, CMS:FZ48VS; Puissance Pd:150W; Résista TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 16A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:1.66V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Icm impulsionnel:64A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de descente, max.:320ns; Temps de descente, typ:340 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 23A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:23A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Marquage composant:IRG4BC30UDPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:1 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40UDPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40WPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance P TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 55A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:55A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:2 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO274AA 600V 85A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:85A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:Super-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:85A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:350W; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Cana TRANSISTOR MOSFET CANAL N DIRECTFET MQ; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:7V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:MQ; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:MQ; Capacité, Ciss typ:2270pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:28nC; Courant, Id max..:12.5A; Courant, Idm impul.:92A; Dissipation de puissance:2.3W; Largeur (externe):5.05mm; Lon TRANSISTOR MOSFET CANAL N DIRECTFET ST; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ST; Nombre de broches:7; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Boitier CI:ST; Capacité, Ciss typ:2560pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:5.5nC; Courant, Id max..:12.7A; Courant, Idm impul.:102A; Dissipation de puiss TRANSISTOR MOSFET CANAL N DIRECTFET ST; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:ST; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:ST; Capacité, Ciss typ:1360pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:12nC; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:2.1W; Largeur (externe):3.95mm; Longueur/hauteur:0.7mm; Mar TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 110A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:450A; Dissipation de puissance:3.1W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:200W; Marquage, CMS:L1004S; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 104A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:104A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:104A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Tension, Vds typ.:55V; Tension, V TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 56A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:83W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:83W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.8°C/W; T TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 34A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:34A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:38A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:56W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:56W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.7°C/W; T TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:94W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:94W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.1°C/W; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:6MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:6MHz; Hfe, min.:1000 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; T TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Temp TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo: TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Tempé TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Tem TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Tempér TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:7A; Courant, Ic (hfe):2.5A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Tempé TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; T TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; T TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:50W; Gain Bande-passante ft, typ.:12MHz; Gain en courant hfe, max..:60; Hfe, min.:60; Puissance, P TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Temp TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Temp TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo: TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:140W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:L540NS; Puissance Pd:140W; Résist TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223 55V 2A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:2.1W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:LL014N; Nombre de tran TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 100V 15A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:79W; Marquage, CMS:IRLR3410; Puissance Pd:79W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.4°C/W; Résistance, Rds TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 30V 46A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):19mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:107W; Puissance Pd:107W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.8°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:19mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 41A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:41A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:83W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:83W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.8°C/W; T TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 83A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:84A; Courant, Idm impul.:330A; Dissipation de puissance:170W; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:12mohm TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 210A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:210A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:850A; Dissipation de puissance:330W; Puissance Pd:330W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V: TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 170A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:170A; Courant, Idm impul.:850A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcas TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 135A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:135A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:135A; Courant, Idm impul.:700A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcas TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 75V 89A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:89A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):9.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:350A; Dissipation de puissance:170W; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9.4 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 150V 41A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:41A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:41A; Courant, Idm impul.:164A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:45 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 20V 92A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:92A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:92A; Courant, Idm impul.:330A; Dissipation de puissance:79W; Puissance Pd:79W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.89°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:6ohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 140A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:140A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:550A; Dissipation de puissance:330W; Puissance Pd:330W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7o TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 44A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:320W; Puissance Pd:320W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.47°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:54 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 71A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:71A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:71A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.09°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 20V 75A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:88W; Puissance Pd:88W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9mohm; Style TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 30V 61A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:244A; Dissipation de puissance:87W; Puissance Pd:87W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.73°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:12.5mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 55A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:115W; Puissance Pd:115W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:16.5 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 51A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:80W; Puissance Pd:80W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13.9 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 31A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:31A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 22A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:22A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:22A; Courant, Icm impulsionnel:44A; Dissipation de puissance:104W; Dissipation de puissance, max..:156W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:104W; Temps TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.35V; Dissipation de puissance Pd:215W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Dissipation de puissance:215W; Dissipation de puissance, max..:215W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:215W; Temps de montée:5ns; Tension Vces:600V; Type de bo TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 78A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:78A; Tension, Vce sat max..:2.35V; Dissipation de puissance Pd:370W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:78A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:370W; Dissipation de puissance, max..:370W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:370W; Temp TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:13A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:90W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:26A; Dissipation de puissance:90W; Dissipation de puissance, max..:90W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:90W; Temps de descente:22ns; Temps de descente, max.:22ns; Temp TRANSISTOR IGBT BOITIER TO220FP 600V 12A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:12A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:39W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Icm impulsionnel:24A; Dissipation de puissance:39W; Dissipation de puissance, max..:39W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:39W; Temps de descente:42ns; Temps de descente, max.:42ns; T TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 160A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:160A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:640A; Dissipation de puissance:3.8W; Puissance Pd:3.8W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4moh TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 200A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.7V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:790A; Dissipation de puissance:230W; Puissance Pd:230W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 200A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1040A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 105A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:105A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.25V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:105A; Courant, Idm impul.:420A; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-car TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 61A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:120W; Puissance Pd:120W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:14mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 61A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:120W; Puissance Pd:120W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1. TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 30V 110A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.09°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:6.8mohm; Style de boîtier a TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 51A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:204A; Dissipation de puissance:80W; Puissance Pd:80W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13.5mo TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:300mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, TRANSISTOR DE COMMUTATION BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passant TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:270mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:470; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Puissance, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissance, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):100è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR PNP BOITIER SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissan TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissance TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.35W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:2W; Température, pu TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:250; Puissance TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:1.35W; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR NPN BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:290mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:290mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:80; Marquage, CMS:81; Puissance, Ptot:430m TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Puissance, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:200m TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:10kohm; Température, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:22kohm; Résistance, R2:4 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:20; Puissance, Ptot:250mW TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:250mW TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:2 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:22kohm; Résistance, R2:4 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:47kohm; Résistance, R2 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; TRANSISTOR NPN/PNP BOITIER SOT-666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:2; P TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:80; Nombre de transistors:2; Pui TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:2; Puissance TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:2; Puissanc TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:2; Puissanc TRANSISTOR BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:370mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:370mW; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 100V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:96A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:5150pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:88A; Courant, Idm impul.:380A; Dissipation de puissance:250W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:220mJ; Forma TRANSISTOR MOSFET CANAL NN MICRO-8; Configuration module:Double; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Courant, Id max..:2.4A; Largeur (externe):3.05mm; Longueur/hauteur:1.11mm; Nombre de transistors:2; Pas:0.65mm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; M TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:800mA; Courant, Idm impul.:6.4A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj mi TRANSISTOR MOSFET CANAL N FETKY SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:52A; Courant, If moy.:2.7A; Courant, Ifs max.:11A; Dissipation de puissance:20W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F TRANSISTOR MOSFET CANAL N MICRO-8; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:5.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:520pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:87nC; Courant, Id max..:5.6A; Courant, Idm impul.:30A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance: TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant, Id max..:13.3A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:2.5W; Format broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Largeur (externe):4.05mm; Lon TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:109A; Dissipation de puissance:3.1W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7811W; Pas, rang:6.3mm; Puissance Pd:3.1W; TRANSISTOR MOSFET CANAL N SUPER 247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:446W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:Super-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:144A; Dissipation de puissance:446W; Puissance Pd:446W; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:9.7A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:47W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF520N; Nombre de transistors TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-14A; Courant, Idm impul.:56A; Dissipation de puissance:79W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF9530NS; Puissance Pd:79W; Style de b TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-31A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:110W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; M TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):175mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:45W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Mar TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-42A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:150W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.7W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; M TRANSISTOR MOSFET CANAL P FETKY SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:33A; Courant, If moy.:4A; Courant, Ifs max.:20A; Dissipation de puissance:2.5W; Marquage, CMS:F7422D2; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2.5W TRANSISTOR MOSFET CANAL P FULLPAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:37W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2.5A; Courant, Idm impul.:21A; Dissipation de puissance:37W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:37W; Température, cour TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:48W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF9520N; Nombre de transis TRANSISTOR MOSFET CANAL P TO-263; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:6.8A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:350pF; Charge, porte, canal N:27nC; Courant Iar:4A; Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:27A; Courant, Idss max..:25è¾A; Dissipation de puissance:48W; Dissipation de puissance, sur circuit impr TRANSISTOR IGBT BOITIER SOT-228; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:500W; Dissipation de puissance, max..:500W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissan TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4BC40UPBF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temp TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:49A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:49A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temps de descente, max.:170ns; Temps OPTOCOUPLEUR. SORTIES TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Commande de grille; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL / VDE; CMR:15000V/è¾s; Courant, If moy.:10mA; Ratio, CTR:90%; Ratio, CTR min:44%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.4è¾s; Temps de montée:0.55è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vcc:15V; Tension TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:110; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150Hz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Nomb TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:500MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:100mA; Dissipation de puissance TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Pu TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passa TRANSISTOR PNP RF BOITIER TO-39; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant de collecteur:1A; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:10W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:350V; Type de boîtier:TO-39; Type de TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:800mW; Tension, Vcbo:40V; Tens TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:113W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:8; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):600mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Ic moy.:6A; Dissipation de puissance:113W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:75W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:7 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Temp TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo: TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:70V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:90W; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:9 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Températ TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:10; Nombr TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:10; Nombr TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:65W; Gain en courant hfe, max..:20000; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température TRANSISTOR PNP BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:40A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant Ic Vce sat:15A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Gain en courant hfe, max..:10; Hfe TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:6MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:6MHz; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:65W; Gain en courant hfe, max..:20000; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:73A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:73A; Courant, Idm impul.:292A; Dissipation de puissance:500W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:500W; Résistance, Rds on max..:45mohm; Température, cour TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:85mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:45mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:230mohm; Style de boî TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:84A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:250mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température, courant:25°C TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:85mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:45mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:1.05ohm; Style de boîtie TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:76A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:76A; Courant, Idm impul.:304A; Dissipation de puissance:360W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:360W; Résistance, Rds on max..:11mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:20mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:230mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:360W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:360W; Résistance, Rds on max..:700mohm; Style de boîtie TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; T TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors: TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm impulsionnel:15A; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:500V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:150mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:75MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:49 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:625W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:1.1A; Courant, Idm impul.:4.3A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage, CMS:P03; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:625W; Puissance, Ptot:625W; Résistance, Rds TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-2.3A; Courant, Idm impul.:13A; Dissipation de puissance:1.7W; Marquage, CMS:2P02; Nombre de transistors:1; Puissance P TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-1.5A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:806mW; Marquage, CMS:2P03; Nombre de transistors:1; Puissance Pd: TRANSISTOR MOSFET CANAL N MSOP-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:1.1W; Marquage, CMS:ZXM4N02; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.1 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP MSOP8; Polarité transistor:N and P Channel; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant, Id cont, canal P:2A; Courant, Id cont.:2.3A; Courant, Id max..:2.3A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puissance:1.25W; Marquage, CMS:ZXM63C03; Nombre de transistors:2; TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP MSOP8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.7A; Courant, Id max..:-1.7A; Courant, Idm impul.:9.6A; Dissipation de p TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:ZVN3310A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:625mW; Puissance, Pt TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:100; N TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:100; TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:806mW; Marquage, CMS:7N3; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:625mW; Puissance, Ptot:625mW; Résistance, Rds on max..:12 TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:3.9W; Marquage, CMS:ZXMN6A11; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:2 TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:230mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:230mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:700mW; Marquage composant:ZVP2110A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:700mW; Puissance, Ptot:700m TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:150è¾A; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:330mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1. TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:75V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300 TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:75V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel:4A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, m TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:M TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:2.4W; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:ZVN3310F; Marquage TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:75mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:75mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Dissipation de puissance:330mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:ZVP3310 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:330mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:160mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-160mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:ZVP3306A; Nombre de transistors:1; Pas TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Nombre de tra TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Nombre de tr TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:FZ TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Mar TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:MT6 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:110MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-2.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3.5A; Courant Ic Vce sat:3.5A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de pui TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:240MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, t TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, t TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:2W TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, mi TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:135MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:1 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:210MHz; Dissipation de puissance Pd:385mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:490; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissi TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:75MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:7.4A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage, CMS:N02; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:625mW; Puissance, Ptot:806mW; Résistance, Rds o TRANSISTOR MOSFET CANAL P MSOP-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-3.8mA; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1.8W; Marquage, CMS:ZXM4P03; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.1W TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP MSOP8; Polarité transistor:N and P Channel; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant, Id cont, canal P:1.7A; Courant, Id cont.:2.4A; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1.25W; Marquage, CMS:ZXM63C02; Nombre de transist TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:270mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:VN10LP; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:625mW; Puissance, Ptot TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:270mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:ZVN3306A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:625mW; Puissance, Ptot TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:40; TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100 TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain B TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:100; N TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:50; Nombre TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:8A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:400mA; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm impulsionnel:1A; Dissipation de TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:1mW; Gain Bande-pass TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:17A; Dissipation de puissance:1.7W; Marquage, CMS:3A3; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.1W; R TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant, Ic moy.:800mA; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:10000; Marquage composant:ZTX614; Nombre TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:MT TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min. TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:330mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:ZVN4106F; Marquage, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:MT TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:FZT TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:FZ TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:5000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-pas TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:75V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:1W; TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:190MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:190MHz; Hfe, min.:300; Largeur, bande:8mm; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:300mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Nombre de tra TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:225mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:400mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:400mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:4 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:41A; Nom TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:44nC; Courant, Id max..:5.7A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:1.9W; Largeur (externe):6.2mm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:600mV; Dissipation de puissance Pd:71W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:71W; Puissance Pd:71W; Puissance, Ptot:71W; Style de boîtier al TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-93; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:100kHz; Hfe, min.:1000; Nombr TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-218; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:150; Marquage c TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:60; Marquage composant:D44H8G; Pui TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, PNP Ic min.:2 TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:375V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PHVS; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:10; Marquage composant:MJE5731A; TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, PNP Ic min.:3; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:50 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP102; Puissance, Ptot:80W; Tension Vceo max..:100V; Tension, Vcbo:100V; Tensio TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:60MHz; Dissipation de puissance Pd:830mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:h; Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:83 TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:2N4920; Nombre de transistors:1; Puissance TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:2N4923; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, puissance:25° TRANSISTOR UNIJONCTION BOITIER TO-92; Courant Itrm max..:2A; Peak courant d'émetteur:4è¾A; Courant Valley Iv:150è¾A; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-50°C +100°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant crête:5è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:25; Marquage TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:MJE15033; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Style TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:80; Marquage, CMS:A8C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:47kohm; Résis TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:2; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:160; Marquage, CMS:A6E; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:10kohm; Tens TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal N:42nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:1.9W; Largeur (externe):6.2mm; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:85W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:1000; Marquage composant TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Tempéra TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:1.75W; Hfe, min.:1000; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage composant:MJD127; Marquage, CMS:MJD1 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Gain Bande-passante ft, typ.:3 TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:300VDC; Tension, Vce sat max..:30V TRANSISTOR NPN TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:25; Marquage composant:MJL21194; Nombre de tra TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:65V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:225mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Largeur, bande:8mm; M TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:210MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1.56W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:25; Largeur (externe):6.73mm; Longu TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:1GM; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:50W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS: TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:BDV65B; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Style de boîtie TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Ic moy.:25A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissan TRANSISTOR NPN BOITIER TO-225AA; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vc TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:50W; Tension, Vcbo: TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:20A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; T TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Style de boît TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:6MHz; Dissipation de puissance Pd:180W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:180W; Gain Bande-passante ft, typ.:6MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:MJ15015G; Nombre de TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:60; Marquage, CMS:A8B; Nombre de transistors:1; Puiss TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:2; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:160; Marquage, CMS:A8F; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:4.7kohm; Ten TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Fréquence de transition ft typ.:13MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:32; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PHVS; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:13MHz; Hfe, min.:6; Nombre de transistors:1; Puissance TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:1.75W; Hfe, min.:1000; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage composant:MJD122; Marquage, CMS:MJD1 TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm impulsionnel:16A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:40; Nombre TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Courant, Icm impulsionnel:16A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:20; Nombre de TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.56W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; Largeur (externe):6.73mm; Longueur/hauteur:2.38mm; Marquage, CMS:MJD31C; No TRANSISTOR PNP D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:1.56W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; Largeur (externe):6.73mm; Longueur/hauteur:2.38mm; Marquage, TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:25W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:26W; Températur TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:1MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD679A; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; T TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BDX54C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:2 TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:200V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15; Marquage composant:MJ15023G; Nombre de transistors:1; Puissan TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:85MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:1.75W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Largeur (externe):6.73mm; Longueur/ TRANSISTOR NPN ISOWATT-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Fréquence de transition ft typ.:13MHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:32; Type de boîtier de transistor:ISOWATT-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:280mW; Gain Bande-passante ft, typ.:13MHz; Hfe, min.:12; Nombre de transisto TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Te TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:62 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:200mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:702; Nombre de transistors:1; Profondeur:2.5mm; Puissance Pd:200mW; T TRANSISTOR PAIRE PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:36V; Fréquence de transition ft typ.:190MHz; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:165; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:190MHz; Input Type:Base de transistor; Nombre de transistors:2; Numéro de la fonction logique:2220; Numéro génér TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.225A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:225mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.5A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:35; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 80V, 1.5A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 70V, 1.5A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-70V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 120V, 1A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) TRANSISTOR, PNP, 40V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Approval Bodies:UL; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Courant Ic max..:8mA; Courant, Ic min.:4mA; Courant, If max..:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Profondeur:4.58mm; Ratio OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Approval Bodies:UL; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Courant Ic max..:30mA; Courant, If max..:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Profondeur:4.58mm; Ratio, CTR max.:600%; Rati OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Approval Bodies:UL; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Courant Ic max..:30mA; Courant, If max..:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Profondeur:4.58mm; Ratio, CTR max.:600%; Rati TRANSISTOR, NPN, DUAL MATCHED, 6TO-78; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:65V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 200MA, SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 4A 850V TO220AB; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:425V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:21; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 4A 850V TO220F; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:425V; Dissipation de puissance Pd:26W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:21; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Iar:21A; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:84A; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche répétitive max..:30mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:12 TRANSISTOR MOSFET CANAL-P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:65W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:65W; Marquage composant:FQP8P10; Puissance Pd:65W; Tension, Vds TRANSISTOR MOSFET CANAL-P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):360mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11.5A; Courant, Idm impul.:46A; Dissipation de puissance:120W; Marquage composant:FQP12P20; Puissance Pd:120W; Ten PHOTOTRANSISTOR VUE LATERALE; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:935nm; Consommation de puissance:100mW; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic typ.:2.4mA; Largeur (externe):4.45mm; Longueur cordon:12.7mm; Longueur/hauteur:5.7mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.28mm; Réponse spectrale crête:880nm; Sensibilité nom mW/cm4:250è¾A @ 1mW / cmË›; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Température d TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:176A; Dissipation de puissance:500W; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:2. TRANSISTOR NPN TO-5; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante TRANSISTOR NPN TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant, Ic, mesur TRANSISTOR PNP RF BOITIER TO-39; Polarité transistor:P Canal; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier transistor RF:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant de collecteur:1A; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Hfe, min.:30; Marquage composant:2N5416; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:10W; Température, p TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:200mA; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:20; Hfe, typ.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, puissance:25°C TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:75W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:7 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP112; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:2 TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP117; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:25°C; Ten TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP121; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tens TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP126; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:2 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP135; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25 TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:700mV; Type de b TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:1.2V; Type de boî TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:370mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):6.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:370mA; Courant, Id max..:370mA; Courant, Idm impul.:1.48A; Dissipation de puissanc TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:120W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.75W; Marquage, CMS:F TRANSISTOR MOSFET NUMERIQUE N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension, Vgs th typ.:800mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:680mA; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:303; Nombre de TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Dissipation de puissance:360mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1. TRANSISTOR MOSFET P D-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:45A; Dissipation de puissance:42W; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Marquage, CMS:FDD5614P; TRANSISTOR MOSFET P I-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):134mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:79W; Largeur (externe):9.9mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Marquage, CMS:FQU17P06; N TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:NDS352P; Nombre de trans TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:1.2A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BCP56; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Tension, Vcbo:100 TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Nombre de TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HV; Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic moy.:200mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Ma TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:310mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:225mW; Hfe, min.:40; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:1S; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:225mW; Temps, t off:18ns; Temps, t on:1 TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BT2907A; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:25W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:75mJ; Longueur cordon:14.22mm; Longueur/hauteur:18.03mm; Nombre de tra TRANSISTOR MOSFET CANAL-N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19.4A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:19.4A; Courant, Idm impul.:78A; Dissipation de puissance:140W; Marquage composant:FQP19N20; Puissance Pd:140W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:5V; Tensi TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 ISO.; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:39W; Température de fonctionnement:-40°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:19A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:39W; Puissance Pd:39W; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:20V TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:14; Puissance, Ptot:70W; Tension, Vcbo:700V; Tension, Vce sat max..:700mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:100W; Hfe, min.:15; Puissance, Ptot:100W; Tension, Vcbo:1kV; Tension, Vce sat max..:800mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversan TRANSISTOR NPN BOITIER D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Courant, Icbo:10nA; Dissipation de puissance:15W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:15W; Tension, Vcbo:300V; Type de bo TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:75W; Hfe, min.:27; Puissance, Ptot:75W; Tension, Vcbo:700V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:150W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:150W; Marquage, CMS:STP13NK60Z; Nombre de transistors:1; Pas: TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:40mohm; Tension, TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:9.6A; Dissipation de puissance:45W; Marquage, CMS:STP3NK60Z; Nombre de transistors:1; Pas:2 TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:38A; Courant, Idm impul.:152A; Dissipation de puissance:80W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:80W; Résistance, Rds TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:45W; Puissance Pd:45W; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:20V; T TRANSISTOR PNP TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance:400mW TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:20; Marquage composant:2N5192; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Tensi TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:25W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:26W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:-600mV; Type de bo TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:25; Hfe, typ.:25; Marquage composant:BD241C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Style de boîtier alternat TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:90MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:30mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:5W; Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transis TRANSISTOR NPN TO-218; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:15A; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Temps de descente Ic:0.8è¾s; Température, puissance:25°C; Tension Vces:1kV; Tension, Vcbo:1kV; T TRANSISTOR DARLINGTON SOT-227; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:84A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:84A; Courant, Ib:8A; Courant, Ic (hfe):70A; Courant, Ic max.. permanent a:84A; Courant, Ic moy.:84A; Courant, Icm impulsionnel:126A; Dissipation de puissance:250W; Hfe, min.:120; Hfe, typ.:120; Largeur (exter TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20.8W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:20.8W; Hfe, min.:30; Marquage composant:MJE340; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:300 TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:115W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1370pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:115W; Energie TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1390pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:125W; Energie TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1138pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:5.2A; Courant, Idm impul.:20.8A; Dissipation de puissance:125W; Energ TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:190W; Puissance Pd:190W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:270mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Tension, Vds TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP122; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:2 TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP127; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Ten TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:15000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, V TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:25; Marquage composant:TIP31A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:10; Marquage composant:TIP32C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sa TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN335N; Marquage, CMS: TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:357; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:NDS355AN; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:11.8A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:50W; Puissance Pd:50W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:30V; Te TRANSISTOR N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18.5A; Courant, Idm impul.:74A; Dissipation de puissance:300W; Puissance Pd:300W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; T TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:5A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:338; Nombre de transistor TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:120mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-120mA; Courant, Idm impul.:1A; Dissipation de puissance:300mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:610; Nombre de transistors TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BCP55; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Tension, Vcbo TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:20000; Marquage composant:BCV26; Marquage, CMS: TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:60W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:90V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):7.5A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25; Marquage composant:MJ802; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, pui TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:200kHz; Hfe, min.:15; Marquage composant:2N3771; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, pu TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:15MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Hfe, min.:40; Nomb TRANSISTOR NPN BOITIER TO-5; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-5; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:40; Marquage composant:BFY51; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:800mW; Température, p TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:115W; Hfe, min.:5; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:-1V; Typ TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:BD435; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissan TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Marquage composant:BD437; Nombre de transistors:1; Pui OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; CMR:1000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.6è¾s; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension, Vcc:15V; Tension, sortie max..:15V; Type d'optocoup OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; CMR:1000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:7%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:1.3è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vcc:15V; Tension, sortie max..:15V; Type d OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / VDE; CMR:15000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.6è¾s; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension, Vcc:15V; Tension, sortie max..:15V; Type d'opto TRANSISTOR MOSFET CANAL P TO-220 ISO.; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):93mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-14A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:33W; Puissance Pd:33W; Tension, Vds typ.:-55V; Tension, Vgs max..:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Typ TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:8; Puissance, Ptot:80W; Tension, Vcbo:800V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:800V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):400mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:90W; Hfe, min.:12; Puissance, Ptot:90W; Tension, Vcbo:1600V; Tension, Vce sat max..:1V; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP BOITIER D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Courant, Icbo:100è¾A; Dissipation de puissance:15W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:15W; Tension, Vcbo:300V; Type de TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.6W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:90; Marquage, CMS:N851; Nombre de transistors:1; P TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:30W; Puissance Pd:30W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:520mohm; Ten TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:45W; Puissance Pd:45W; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:3.75 TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:5500pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:300W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:200mJ; No TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension, Vgs th typ.:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:2.5W; Nombre de transistor TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:24.8A; Dissipation de puissance:140W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:140W; Résistan TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-218; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:70V; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:90W; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:90W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; T TRANSISTOR NPN BOITIER TO-218; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:80W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; T TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:100W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre d TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:35A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:50W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de t TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BDX33C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissan OPTOCOUPLEUR DOUBLE SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; CMR:1000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.6è¾s; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Tension, Vcc:15V; Tension, sortie max..:15V; Type TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-18A; Courant, Idm impul.:76A; Dissipation de puissance:125W; Entraxe de fixation:30mm; Marquage composant:IRF9140; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Puissance Pd:125W; Température, coura TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Différentiel de tension dv/dt:5V/è¾s; Dissipation de puissance:600W; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie dissi TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:150A; Courant, Idm impul.:600A; Dissipation de puissance:600W; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:151nC; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:400W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:90nC; Courant, Idm impul.:92A; Différentiel de tension dv/dt:15V/ns; Dissipation de puissance:400W; Energie avalanche répétitive max..:30mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, E TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:135nC; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:300W; Energie avalanche répétitive max..:30mJ; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:360W; Energie avalanch TRANSISTOR MOSFET CANAL N PLUS-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:780W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PLUS247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:160nC; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:780W; Energie avalanche rép TRANSISTOR DE PUISSANCE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:10V; Fréquence de transition ft typ.:900MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:250mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:250mA; Courant de collecteur:250mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic moy.:250mA; Efficacité:60%; Fréquence, test:900MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:900MHz; Gain Ga associé:6dB; Gain, puissa TRANSISTOR HITFET; Configuration module:Côté bas; Courant, sortie crête:12A; Résistance de sortie:0.025ohm; Délais d'entrée:40è¾s; Délais de sortie:70è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.3V 10V; Type de boîtier CI Driver:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:12A; Dissipation de puissance Pd:149W; Limitation de courant (min.):25A; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:149W; Puissance, Ptot:149W; Résistance Rd TRANSISTOR MOSFET CANAL N 30V LFPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:42nC; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:62.5W; Largeur (externe):5mm; Longue TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:14.4A; Dissipation de puissance:1.1W; Marquage, CMS:317; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.1 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:6A; Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Ic moy.:6A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Diss TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:83nC; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Différentiel de tension dv/dt:20V/ns; Dissipation de puissance:500W; Energie avalanche ré TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:110nC; Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Différentiel de tension dv/dt:20V/ns; Dissipation de puissance:500W; Energie avalanche répétitive max..:50mJ; Energie dissipée, aval TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:52A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:52A; Courant, Idm impul.:205A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:360W; Energie avalanche r TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:780W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:400nC; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:128A; Différentiel de tension dv/dt:15V/ns; Dissipation de puissance:780W; Energie avalanche répé TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:380nC; Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:800A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:700W; Energie avalanche répé TRANSISTOR PROFET; Type de commutateur:Haut potentiel; Tension, entrée:6V; Limite en courant:44A; Résistance d'état On:0.03ohm; Protection thermique:Oui; Dissipation de puissance Pd:125W; Nombre de canaux de sortie:1; Commutateur interne:No; Type de boîtier commutateur de distribution:TO-220AB; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:11A; Dissipation de puissance:125W; Limitation de courant (max..):11A; Limitation de courant, I(scr):35A; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Charge, porte, canal N:20nC; Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Différentiel de tension dv/dt:4.5V/è¾s; Dissipation de p TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:806mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:2.2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:806mW; Marquage, CMS:7N2; Nombre de transistors:1; Puissanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:22A; Dissipation de puissance:3.9W; Marquage, CMS:ZXMN 4A06; Nombre de transistors:1; Puissance P TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT223; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-6.4A; Courant, Idm impul.:21A; Dissipation de puissance:3.9W; Marquage, CMS:ZXMP4A16; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Configuration module:Double; Polarité transistor:N and P Channel; Courant, Id cont.:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance:2.1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id cont, canal P:5.4A; Courant, Id max..:6.4A; Courant, Idm impul.:30A; Marquage, CMS:ZXMC3A16; Nombre de TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dis TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 42A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF1310NS; Puissance Pd:160W; Rés TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 133A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:169A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:169A; Courant, Idm impul.:680A; Dissipation de puissance:330W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:330W; Résistance TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 75V 82A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:82A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:82A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF2807S; Puissance Pd:200W; Résis TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 150V 43A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:43A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF3415S; Puissance Pd:200W; Rési TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 57A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:46A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:150W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 18A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 500V 8A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 500V 8A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:125W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.1W; Marquage, CMS:IRF840S; Puissance Pd:125W; Résista TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 24A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:24A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:170W; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Tension, Vds typ.:200V; Tension, TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 31A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:31A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:124A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Tension, Vds typ.:200V; Tension TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 59A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Tension, Vds typ.:100V; Tension TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 60V 14A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Dissipation de puissance:42W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 100V 4.3A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Dissipation de puissance:25W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 200V 5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:43W; Marquage, CMS:IRFR220N; Puissance Pd:43W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.5°C/W; Style de boîtier al TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 400V 3.1A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.1A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:42W; Marquage, CMS:IRFR320; Puissance Pd:42W; Résistance thermiqu TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 100V 15A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:52W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR3910; Nombre de transistors:1; Profonde TRANSISTOR MOSFET CANAL P D-PAK -55V 11A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):175mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:38W; Marquage, CMS:IRFR9024N; Puissance Pd:38W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Style de boît TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 200V 4.8A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.8A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:42W; Puissance Pd:42W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3 TRANSISTOR MOSFET CANAL P IPAK -55V -28A; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:1200pF; Courant Iar:16A; Courant, Id max..:-31A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:110W; Energie avalanche répétitive max..:6.9mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:2 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 28A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:112A; Dissipation de puissance:68W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRFZ34EPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puis TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 26A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:29A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:29A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:56W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRFZ34NPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puis TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 48A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:192A; Dissipation de puissance:110W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:110W; Résistance the TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 41A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:41A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:49A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:83W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRFZ44NPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puis TRANSISTOR IGBT TO-220 600V 9A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:9A; Tension, Vce sat max..:2.39V; Dissipation de puissance Pd:38W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:18A; Dissipation de puissance:38W; Dissipation de puissance, max..:38W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:38W; Temps de descente:210ns; Temps de descente, TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 16A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:1.66V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Icm impulsionnel:64A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de descente, max.:220ns; Temps de montée:20ns; Temp TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 60A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension, Vce sat max..:1.6V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40SPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance P TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 900V 51A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:51A; Tension, Vce sat max..:2.25V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:900V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:51A; Courant, Icm impulsionnel:204A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PF50WDPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:13A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:90W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:26A; Dissipation de puissance:90W; Dissipation de puissance, max..:90W; Marquage, CMS:IRGB6B60K; Polarité transistor:N Canal; Pui TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 17A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:28A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:28A; Courant, Icm impulsionnel:56A; Dissipation de puissance:167W; Dissipation de puissance, max..:167W; Marquage, CMS:IRGB8B60K; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:167W; Puissance, Ptot:167W; Temps TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 104A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:104A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:104A; Courant, Idm impul.:416A; Dissipation de puissance:167W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:167W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Températu TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 100A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:116A; Courant, Idm impul.:400A; Dissipation de puissance:130W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:130W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.2°C/ TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 104A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:104A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:104A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, joncti TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 89A; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:89A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:3600pF; Charge, porte, canal N:98nC; Courant Iar:46A; Courant, Id max..:89A; Courant, Idm impul.:310A; Courant, Idss max..:25è¾A; Dissipation de puissance:170W; Dissipation de puissance, sur circuit TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:79W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:L530NS; Puissance Pd:79W; Résistanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 60 7.7A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Dissipation de puissance:25W; Marquage, CMS:IRLR014; Puissance Pd:25W; Résistance thermique, TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 30V 89A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:91A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:89A; Courant, Idm impul.:363A; Dissipation de puissance:115W; Puissance Pd:115W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:46W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:46W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Résistance, Rds on TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 11A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance:48W; Puissance Pd:48W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.2°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:185mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 47A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:47A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:110W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:LZ44NS; Puissance Pd:110W; Résista TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 84A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.11°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:8.5m TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 20V 180A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:700A; Dissipation de puissance:230W; Puissance Pd:230W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4o TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 162A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:162A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:162A; Courant, Idm impul.:650A; Dissipation de puissance:200W; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4moh TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 190A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:190A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:190A; Courant, Idm impul.:750A; Dissipation de puissance:220W; Puissance Pd:220W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V: TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 150A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:600A; Dissipation de puissance:230W; Puissance Pd:230W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 280A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:280A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Dissipation de puissance:330W; Marquage composant:IRF2804PBF; Puissance Pd:330W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; R TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 75V 89A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:89A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):9.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:350A; Dissipation de puissance:170W; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9.4mo TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 110A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:440A; Dissipation de puissance:170W; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:6.5m TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 33A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:130A; Dissipation de puissance:170W; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:5 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 500V 5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:110W; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1. TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -100V 13A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):205mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:5.2A; Dissipation de puissance:66W; Puissance Pd:66W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:205m TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 32A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:130W; Puissance Pd:130W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.2°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:44ohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 40V 87A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:87A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):9.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:350A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.09°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9.2ohm; Style de boîtier alte TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 71A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:71A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1. TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 20V 62A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:62A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:300A; Dissipation de puissance:90W; Puissance Pd:90W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9.5ohm; Style de boîtier alternat TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 30V 61A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:244A; Dissipation de puissance:87W; Puissance Pd:87W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.73°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13ohm; Style de boîtier alternati TRANSISTOR MOSFET CANAL P IPAK -55V -18A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-18A; Courant, Idm impul.:64A; Dissipation de puissance:57W; Puissance Pd:57W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.2°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:110ohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 57A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:57A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:230A; Dissipation de puissance:92W; Puissance Pd:92W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.64°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:12mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 61A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:61A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:91W; Puissance Pd:91W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.64°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11ohm; TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.1V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temps de descente, max.:120ns; Temps de montée:57n TRANSISTOR IGBT BOITIER D-PAK 600V 14A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:14A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:38W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:14A; Courant, Icm impulsionnel:18A; Dissipation de puissance:38W; Dissipation de puissance, max..:38W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:38W; Temps de descente, max.:31ns; Temps de montée:31ns; Type de TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 31A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:31A; Tension, Vce sat max..:2.2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:62A; Dissipation de puissance:139W; Dissipation de puissance, max..:208W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:139W; Temps de descente:26ns; Temps de descente, max.:26ns TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 86A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:86A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Dissipation de puissance:130W; Puissance Pd:130W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.14°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:8moh TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 30V 22A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:22A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance:38W; Puissance Pd:38W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:45mohm; Styl TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 80V 39A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:39A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance:120W; Puissance Pd:120W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:28mohm TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 20V 120A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:460A; Dissipation de puissance:89W; Puissance Pd:89W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.69°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4.2moh TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 51A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:204A; Dissipation de puissance:80W; Puissance Pd:80W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13.5 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-pa TRANSISTOR NPN/PNP BOITIER SOT-666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe TRANSISTOR PNP BOITIER SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):15è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:640mW; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR NPN BOITIER SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):250è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Nombre de transist TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:380MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:67; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:380MHz; Hfe, min. TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:500mA; Dissipation de puissance:1.3W; Gain Bande-passante TRANSISTOR DE COMMUTATION BOITIER SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:280MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. TR2:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; D TRANSISTOR BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:420MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Ba TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:470; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissance, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:100A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Puissance TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:220; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:1000A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Marquage TRANSISTOR NPN BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:300; Marquag TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:300; Puissanc TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:100; Puissance, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:350; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:270mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:225; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Puissance, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissanc TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:80; Puissance, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:250mW; TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:200m TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:100kohm; Résistance, R2: TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:20; Puissance, Ptot:200 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:200 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Puissance, TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:80; Nombre de transistors:2; Puis TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:2; Pu TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, mi TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min. TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:2; Puissanc TRANSISTOR NPN BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:190MHz; Dissipation de puissance Pd:180mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:180mW; Gain TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):30è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:1.25W; Températ TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:350mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:350mA; Courant, Idm impul.:750mA; Dissipation de puissance:350mW; Marquage composant:TP0202K; Marquage, CMS:2K; Puiss TRANSISTOR MOSFET CANAL P POWERPAK; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:8.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):19mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, porte, canal P:121nC; Courant, Id max..:8.6A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:1.9W; Largeur (externe):6.15mm; Longueur/hauteur:1.07mm; Marquage TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:92W; Puissance Pd:92W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.64°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:26. TRANSISTOR MOSFET CANAL NN MICRO-8; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1.25W; Largeur (externe):3.05mm; L TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1.3W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Puissanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N FULLPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9.8A; Courant, Idm impul.:39A; Dissipation de puissance:40W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:40W; Température, Tj max. TRANSISTOR MOSFET CANAL N FULLPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):108mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:33W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:33W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; Température TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:210pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:39nC; Charge, porte, canal N:6.4nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:18A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipa TRANSISTOR MOSFET CANAL N MICRO-8; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:5.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:650pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:69nC; Courant, Id max..:5.7A; Courant, Idm impul.:30A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissan TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):930mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:167W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8.5A; Courant, Idm impul.:21A; Dissipation de puissance:167W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:167W; Températur TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:125W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3W; Marquage TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:19A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-19A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:68W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF9Z24NS; Puissance Pd:68W; Style de bo TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance:140W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:IRF9540NS; Puissance Pd:140W; Style de TRANSISTOR MOSFET CANAL P MICRO-8; Polarité transistor:P Channel; Courant, Id cont.:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MicroSOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:520pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:50nC; Courant, Id max..:-3.6A; Courant, Idm impul.:19A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissanc TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:47A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marqua TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:40W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; No TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.75A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:-1.8A; Courant, Idm impul.:7A; Dissipation de puissance:20W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nom TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:-3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puissance:40W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; N TRANSISTOR IGBT BOITIER D2-PAK; Tension, Vce sat max..:1.66V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Icm impulsionnel:64A; Dissipation de puissance:60W; Marquage, CMS:IRG4BC20FDS; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de descente, max.:290ns; Temps de montée:22ns; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Type de boîtier:D2-PAK (TO-263); Type de TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de descente, max.:130ns; Temps TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:55A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de descente, max.:110ns; Temps de OPTOCOUPLEUR. SORTIES TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Commande de grille; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BS / VDE; CMR:15000V/è¾s; Courant, If moy.:10mA; Ratio, CTR:90%; Ratio, CTR min:44%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.4è¾s; Temps de montée:0.55è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Tension, Vcc:15V; Tension, s TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:110; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:150mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:360mW; Tension, Vcbo:90V; Tension, Vce sat TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:400mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; P TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:15MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Hfe, min.:40; Nombr TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:800mW; Tension, Vcbo:80V; Tension, Vce sat max..:-150mV; Type de boît TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:75V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:75V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:500mV; Type TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100 TRANSISTOR MOSFET CANAL N DIRECTFET MT; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.45V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MT; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:MT; Capacité, Ciss typ:6290pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:26nC; Courant, Idm impul.:250A; Dissipation de puissance:2.8W; Largeur (externe):5.05mm; Longueur/hauteur: TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Te TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:8A; Température de fonctionnement:-65°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:125W; Gain en courant hfe, max..:8; Hfe, min.:8; Nombre de transistors:1; Puiss TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Courant, Icm impulsionnel:16A; Dissipation de puissance:50W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:20; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Tempér TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:6MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:6MHz; Hfe, min.:1000 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:150V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Courant, Icm impulsionnel:16A; Dissipation de puissance:50W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:20; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Tempé TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:70V; Fréquence de transition ft typ.:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:90W; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; P TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:170A; Courant, Idm impul.:680A; Dissipation de puissance:600W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:600W; Résistance, Rds on max..:10mohm; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:480A; Dissipation de puissance:600W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:600W; Résistance, Rds on max..:17mohm; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:180W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:180W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:180W; Résistance, Rds on max..:2ohm; Style de boîtier altern TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:58A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:58A; Courant, Idm impul.:232A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:40mohm; Style de boîtier TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 72A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:68A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:85A; Courant, Idm impul.:270A; Dissipation de puissance:115W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:115W; Résistance t TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 100A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:400A; Dissipation de puissance:170W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:170W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 110A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:98A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:110A; Courant, Idm impul.:390A; Dissipation de puissance:150W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.7W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 62A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:62A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:248A; Dissipation de puissance:87W; Puissance Pd:87W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.73°C/W; Tension Vds:30V; Tension, Vds typ.:30 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 20V 110A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:110A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:110A; Courant, Idm impul.:440A; Dissipation de puissance:120W; Marquage, CMS:IRF3711; Puissance Pd:120W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W; Tension, V TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:63W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF530N; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 400V 2A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:20W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:20W TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 400V 10A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:125W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:125W; Résistance t TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 200V 14A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):235mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR13N20D; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 75V 42A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:170A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR2407; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de boîtie TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 80V 38A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:38A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR3518; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de boîtie TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 25A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:46W; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR5104; Nombre de transistors:1; Profondeur TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -150V 13A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):295mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance:110W; Marquage, CMS:IRFR6215; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de b TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 200V 9.4A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9.4A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:38A; Dissipation de puissance:86W; Marquage, CMS:IRFR9N20D; Puissance Pd:86W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.75°C/W; Style de b TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 16A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:45W; Marquage, CMS:IRFU024N; Puissance Pd:45W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Style de boîtier al TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 17A; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Capacité, Ciss typ:370pF; Charge, porte, canal N:20nC; Courant Iar:10A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Courant, Idss max..:25è¾A; Dissipation de puissance:45W; Dissipation de puissance, sur circuit imp TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 49A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:49A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:110W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Puissance Pd:110W; Résistance thermique, jonctio TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 55A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:115W; Puissance Pd:115W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, V TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:13A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:52A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de descente, max.:110ns; Te TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:13A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:52A; Dissipation de puissance:60W; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:60W; Temps de descente, max.:120ns; Te TRANSISTOR DE PUISSANCE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:36V; Courant de collecteur DC:2.2A; Température de fonctionnement:0°C +125°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2.2A; Courant, sortie max.:1A; Input Type:Base de transistor; Nombre de transistors:2; Nombre de voies:1; Numéro de la fonction logique:395; Numéro générique:395; Racine de la référence:395; Température de fonctionnement max..:125°C; Tempé TRANSISTOR DE PUISSANCE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:36V; Courant de collecteur DC:130mA; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:130mA; Courant, sortie max.:100mA; Input Type:Base de transistor; Marquage composant:LP395Z; Nombre de transistors:1; Nombre de voies:1; Numéro de la fonction logique:395; Numéro générique:395; Racine de la référence:395; Température de TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 31A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:31A; Tension, Vce sat max..:1.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Marquage composant:IRG4BC30FDPBF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd: TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 28A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:28A; Tension, Vce sat max..:2.21V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:28A; Courant, Icm impulsionnel:58A; Dissipation de puissance:100W; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:100W; Temps de descente:120ns; Tem TRANSISTOR IGBT BOITIER TO220FP 600V 17A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:17A; Tension, Vce sat max..:1.95V; Dissipation de puissance Pd:45W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance:45W; Dissipation de puissance, max..:45W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:45W; Temps de descente, max.:180ns TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 49A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:49A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:49A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40FDPBF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40UPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance P TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 900V 51A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:51A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:900V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:51A; Courant, Icm impulsionnel:204A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PF50WPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance P TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 48A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:190A; Dissipation de puissance:200W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:200W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 30V 140A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:470A; Dissipation de puissance:150W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.7W; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.6 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 10A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance:48W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.8W; Marquage, CMS:L520NS; Puissance Pd:48W; Résistanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 18A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:18A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance:45W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:45W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Te TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 27A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:27A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance:56W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:56W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.7°C/W; T TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:270mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:BS170P; Nombre de transistors:1; Pas:1 TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:1. TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:170mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:500mA; Dissipation de puissance:625mW; Marquage composant:ZVP4105A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:625mW; Puissance, Ptot:625m TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2W; TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS: TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:14 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:75V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4.5A; Courant Ic Vce sat:4.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4.5A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de pu TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:70V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel:5A; Dissipation de puissance: TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:70V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel:5A; Dissipation de puissance: TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm impulsionnel:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:50; Marquage, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm impulsionnel:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:50; Marquage, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:500mA; Courant, Icm impulsionnel:5A; Dissipation TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:7.3A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage, CMS:N03; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:625mW TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:900mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:-700mV; Dissipation de puissance Pd:625W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:4.9A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage, CMS:P02; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:625W; Puissance, Ptot:625W; Résistanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:320mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:320mA; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:700mW; Marquage composant:ZVN2110A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:700mW; Puissance, Pto TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; TRANSISTOR NPN E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:240MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:240MHz; Hfe, min.:100; Nombre de tra TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:100; No TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:640mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:640mA; Courant, Idm impul.:2.5A; Dissipation de puissance:625mW; Marquage, CMS:7N1; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:625mW; Puissance, Ptot:625mW; Résistance, Rds on ma TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:5.8A; Dissipation de puissance:3.9W; Marquage, CMS:ZXMN10A11; Nombre de transistors:1; Puissance P TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:4A; Dissipation de puissance:1.7W; Marquage, CMS:6A8; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:1.1W; Rés TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:2000; Marquage composant:Z TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:3000; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande- TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:330mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:ZVN3306F; Marquage, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:MT4 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:300mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Courant, Ic moy.:300mA; Dissipation de puissance:330mW; Hfe, min.:10000; Largeur (externe):3.05mm; Lon TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:300; Largeur, bande:8mm; Marquage compos TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:17.5V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:1W TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2m TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:20000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante f TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 84A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.11°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:8. TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 130A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:130A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Dissipation de puissance:330W; Puissance Pd:330W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V: TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 170A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:680A; Dissipation de puissance:330W; Marquage composant:IRF2907ZPBF; Puissance Pd:330W; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Tension, Vds ty TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 210A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:210A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:1000A; Dissipation de puissance:230W; Puissance Pd:230W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 30V 59A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:59A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:57W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:230A; Dissipation de puissance:57W; Puissance Pd:57W; Résistance thermique, jonction-carcasse: TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 90A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:90A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:120W; Puissance Pd:120W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9ohm TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 200V 9A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:74W; Puissance Pd:74W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7° TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 400V 10A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Dissipation de puissance:125W; Puissance Pd:125W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 500V 14A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Dissipation de puissance:250W; Puissance Pd:250W; Résistance thermique, jonction-carcas TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 56A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:56A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:380W; Puissance Pd:380W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:40o TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 200V 17A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:17A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:165 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 40V 87A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:87A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:350A; Dissipation de puissance:140W; Puissance Pd:140W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.0 TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 100V 7.7A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Dissipation de puissance:42W; Puissance Pd:42W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0 TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.35V; Dissipation de puissance Pd:220W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Dissipation de puissance:220W; Dissipation de puissance, max..:220W; Marquage composant:IRGP20B60PDPbF; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:220W; Temps de montée TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 75A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.35V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:150A; Dissipation de puissance:390W; Dissipation de puissance, max..:390W; Marquage composant:IRGP50B60PD1PbF; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:390W; Temps de mont TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 86A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:86A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Dissipation de puissance:130W; Puissance Pd:130W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.14°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:8mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 20V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:35W; Puissance Pd:35W; Résistance thermique, jonction-carcasse:4.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:16mohm; Style de boîtier alter TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 12V 84A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:84A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:88W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:84A; Courant, Idm impul.:320A; Dissipation de puissance:88W; Puissance Pd:88W; Résistance thermique, jonction-carcasse:1 TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 25A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:57W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:57W; Puissance Pd:57W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.65° TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 15A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:52W; Puissance Pd:52W; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:105mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 20V 36A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:47W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:47W; Puissance Pd:47W; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.2°C TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:150mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS: TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:91A; No TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:1.8A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:5A; Dissipation de puissa TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, ty TRANSISTOR DOUBLE NPN BOITIER SOT143; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):100è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-pa TRANSISTOR DOUBLE PNP BOITIER SOT143; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant Ic Vce sat:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:250mW; Gain Bande-passan TRANSISTOR PNP BOITIER SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100 TRANSISTOR BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:420MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Ban TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +125°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Marqua TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):500è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Puissanc TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:125MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:430; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:500A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:550mW; Gain Bande-passante ft TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:2W; Température, puis TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:650mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Puissance, Ptot:2W; Température, pui TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:250mW TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:100kohm; Résistance, R2: TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:2 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100A; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:56; Puissance, Ptot:200mW; TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:4.7kohm; Température, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:20 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:68; Puissance, Ptot:250mW; TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:47kohm; Résistance, R2:2 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:10kohm; Température, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250m TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:20 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):0mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:56; Puissance, Ptot:250mW; TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:22kohm; Température, p TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:80; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:22kohm; Résistance, R2 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:200; Puissance, Ptot:250mW; Résistance, R1:4.7kohm; Température, TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:50; Puissance, Ptot:250mW TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10è¾A; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:250mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:250 TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:2 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:2; Puis TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:2; Pu TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:200; Nombre de transistors:2; Pu TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min. TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, mi TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant Ic max..:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance:200mW; Hfe, min.:80; Nombre de transistors:2; Puissance, TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:1.2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:1.2W; Tension, TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Ic moy.:25A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:2N5886G; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:2 TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:30Hz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, PNP Ic min.:3; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:50W; TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:40; Puissance, Ptot:50W; Tension, Vcbo:12 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:200; Nombre de transis TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:200W; Hfe, min.:1000; Marquage composant:MJ11016; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Style de boîtier TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:50; Marquage composan TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:2; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:160; Marquage, CMS:A8E; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:10kohm; Tens TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:35; Marquage, CMS:A6A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:10kohm; Résist TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:140V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Dissipation de puissance:150W; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:160V; Tension, TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:85W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:1000; Marquage composant TRANSISTOR PNP TO-264; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:200V; Fréquence de transition ft typ.:30MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:175; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Courant, Icm impulsionnel:25A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:60; M TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:40; Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, mi TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PGP; Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:70W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:1; Pu TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:40MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Style TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:85; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage c TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD682; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance: TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BDX53C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:60W; Température, puissance:2 TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:14MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PHVS; Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:80W; Gain Bande-passante ft, typ.:14MHz; Hfe, min.:5; Nombre de TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:210MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz; Hfe, min.:160; Nombre de trans TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:320MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:160; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:6B; Nombre de transistors:1; Puissance, OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Approval Bodies:BSI / CSA / DEMKO / EN / FIMKO / NEMKO / SEMKO; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Courant Ic max..:12.5mA; Courant, Ic min.:5mA; Courant, If max..:1A; Courant, If moy.:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, max..:80kHz; Largeur (ex OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Approval Bodies:UL; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Courant Ic max..:20mA; Courant, If max..:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Profondeur:4.58mm; Ratio, CTR max.:400%; Rati TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 100V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:73A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:73A; Courant, Idm impul.:290A; Dissipation de puissance:190W; Puissance Pd:190W; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.77°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:14mohm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 75V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:180A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Dissipation de puissance:330W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:330W; Température, c TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:45V; Tension, Vce sat max..:500 TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:540pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:100W; Format broche:1G, (2+Tab)D, 3S; Nombre de transistors:1; Pas TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:930pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:110W; Energie dis TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2180pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance:150W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:385mJ; No TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.4A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:535pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:21.6A; Dissipation de puissance:70W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:130mJ; M TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance:150W; Puissance Pd:150W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:380mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Tension, Vds TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat max..:-1.5V; Type de boî TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont, canal P:5A; Courant, Id imp, canal P:20A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm cont., canal N 1:7A; Courant, Idm impul.:20A; Courant, Idm impuls. canal N 1:20A; Dissipation d TRANSISTOR MOSFET NUMERIQUE N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension, Vgs th typ.:850mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:220mA; Courant, Idm impul.:500mA; Dissipation de puissance:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:301; Nombre de TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:46A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.9V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:46A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance:50W; Marquage, CMS:FDD6690A; Puissance Pd:50W; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température, courant:25°C; Température, pu TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:220mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.3V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:220mA; Courant, Idm impul.:880mA; Dissipation de puissance:360mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1 TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:15A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN359AN; Marquage, CMS: TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:NDS351AN; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:280mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:1.5A; Dissipation de puissance:300mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:NDS7002A; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:56W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:56W; Puissance Pd:56W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:25V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:53A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:62W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:53A; Courant, Idm impul.:212A; Dissipation de puissance:62W; Puissance Pd:62W; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.25A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:618; Marquage, CMS:618 TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:310mW; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MH TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:220MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:20000; Marquage composant:BCV27; Marquage, CMS: TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:1 TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; FB max..:5dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BT3904; M TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:10mA; Dissipation de puissance:62 TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:600mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Marquage composant: TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:1.2A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Courant, Ic moy.:1.2A; Dissipation de puissance:1.5W; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BCP53; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.5W; Tension, TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:HV; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Courant, Ic moy.:100mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Ma TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BT3906; M TRANSISTOR MOSFET CANAL PP SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:30A; Dissipation de puissance:2W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75 TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:36W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:3.3A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:36W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3W; Largeur (ext TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puissance:1.3W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Puissanc TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.3A; Courant, Idm impul.:10.4A; Dissipation de puissance:1.3W; Marquage composant:IRFD120PBF; Nombre de transistors:1; Pas: TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:600mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:4.8A; Dissipation de puissance:1W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Puissance TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:19A; Dissipation de puissance:1W; Marquage composant:IRFD020PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:65A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance:75W; Marquage, CMS:IRLR7821; Puissance Pd:75W; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température, Tj max..:150°C; Tem TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ FULLPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:38W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:38W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; Tempér TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ FULLPAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:47A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:52A; Courant, Idm impul.:310A; Dissipation de puissance:47W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:47W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; Tempér TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:300pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:37nC; Charge, porte, canal N:4.7nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul. TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:N Channel; Courant, Id cont.:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.2V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacité, Ciss typ:1310pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:15nC; Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance:2W; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7452; Profondeur:5.2mm; Puissance Pd:2. TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:85A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:6.9A; Courant, Idm impul.:55A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8.3A; Courant, Idm impul.:66A; Dissipation de puissance:2.5W; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7807A; Pas, rang:6.3mm; Puissance Pd:2.5W TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:41A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:170W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:72A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:81A; Courant, Idm impul.:290A; Dissipation de puissance:130W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:130W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:53A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance:100W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:100W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER DIL; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-1.6A; Courant, Idm impul.:13A; Dissipation de puissance:1.3W; Marquage composant:IRFD9024PBF; Nombre de transistors:1; Pas TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER DIL; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:700mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-700mA; Courant, Idm impul.:5.6A; Dissipation de puissance:1.3W; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Pu TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:16A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant, Id max..:-16A; Courant, Idm impul.:65A; Dissipation de puissance:2.5W; Format broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Largeur (externe):4.05mm; Long TRANSISTOR MOSFET CANAL P TO-247; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:21A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:180W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-21A; Courant, Idm impul.:84A; Dissipation de puissance:180W; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Puissance Pd:180W; Tempé TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:49A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:49A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temps de descente, max.:170ns; Temps TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:160W; Dissipation de puissance, max..:160W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:160W; Temps de descente:74ns; Temps de desc TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:45A; Tension, Vce sat max..:2.77V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:45A; Courant, Icm impulsionnel:90A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PH50KPBF.; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Te TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:70A; Tension, Vce sat max..:1.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:200W; Temps de descente, max.:140ns; Temps OPTOCOUPLEUR. SORTIES TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:7V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL / VDE; CMR:25kV/è¾s; Ratio, CTR min:7%; Taux de transfet, typique:1; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension, alimentation:3.3V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Type de boîtier:DIP-8; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR DOUBLE. SORTIES TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL; CMR:30000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR:24%; Ratio, CTR max.:50%; Ratio, CTR min:15%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.6è¾s; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:36W; Hfe, min.:6; Marquage, CMS:BUL310FP; Puissance, Ptot:36W; Tension, Vcbo:1kV; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220FP; Typ TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1550pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance:115W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:13mJ; Nom TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:5.4A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:21.6A; Dissipation de puissance:25W; Puissance Pd:25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm; Tensi TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:80A; Dissipation de puissance:300W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:300W; Température, courant:25°C; Températur TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:20; Puissance, Ptot:1.1W; Tension, Vcbo:150V; Tensio TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Dissipation de puissance:1.1W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:1.1W; Tension, Vcbo:150V; Tensio TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Dissipation de puissance:214W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:214W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:250mohm; Style de boîtier alt TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER MAX247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:560W; Type de boîtier de transistor:MAX-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Dissipation de puissance:560W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:560W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:50mohm; Tension, Vds typ.:50 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-218; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:80W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; T TRANSISTOR PNP BOITIER TO-218; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; Marquage composant:TIP36C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:53A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:460W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:54A; Courant, Idm impul.:212A; Dissipation de puissance:460W; Entraxe de fixation:31.6mm; Largeur (externe):25.4mm; Longueur/hauteur:12.2mm; Nombre de transistors:1; Profon TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:25W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:26W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:600mV; Typ TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:15A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:175W; Gain Bande-passante ft, typ.:6MHz; Hfe, min.:6; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot: TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:150W; Gain Bande-passante ft, typ.:200kHz; Hfe, min.:15; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat m TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:32V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:BD436; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissan OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); CMR:1000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.35è¾s; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension, Vcc:15V; Tension, sortie max..:15V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:15V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; CMR:1000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:19%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.6è¾s; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension, Vcc:15V; Type d'optocoupleur:Sortie transistor; Typ TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Nom TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:120; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:180; Puissance, Ptot:6 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:500MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:a; Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:10mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:10mA; Dissipation de puissance:3 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:600mA; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA; Dissipation de puissance:600mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:800mW; Tension, Vcbo:100V; Ten TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:800mW; Tension, Vcbo:60V; Tens TRANSISTOR MOSFET CANAL N DIRECTFET MX; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.45V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:MX; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:MX; Capacité, Ciss typ:4130pF; Charge, Qrr typ. Tj = 25°C:13nC; Courant, Id max..:22A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:2.8W; Largeur (externe):5.05mm; Lo TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:25A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance:125W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Pto TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:80W; T TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:150V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:375; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:60W; Hfe, min.:375; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Dissipation de puissance:150W; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:150W; Temps de descente Ic:0.8è¾s; Température, puissance:25°C; Tension Vces:1kV; Tension, Vce TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:300mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic (sat):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant Ic Vce sat:8A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:50W; Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Gain en courant hfe, max..:60; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:1; Puissa TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:75W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:7 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:50W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:50W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Te TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:15000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:70W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:70W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:80V; TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:125W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcb TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:30W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Marquage composant:TIP30C; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Dissipation de puissance:300W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:300W; Résistance, Rds on max..:200mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température, courant:25° TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:48A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:192A; Dissipation de puissance:500W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:500W; Résistance, Rds on max..:100mohm; Température, co TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:90A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance:500W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:500W; Résistance, Rds on max..:20mohm; Température, cour TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:128A; Dissipation de puissance:360W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:360W; Résistance, Rds on max..:150mohm; Style de boîtie TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:400W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:133A; Dissipation de puissance:400W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:400W; Résistance, Rds on max..:120mohm; Température, TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:48A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:192A; Dissipation de puissance:520W; Nombre de transistors:1; Puissance Pd:520W; Résistance, Rds on max..:100mohm; Température, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:F TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:215MHz; Dissipation de puissance Pd:385mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissi TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:5A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance: TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance: TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN MSOP8; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.4A; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puiss TRANSISTOR NPN BOITIER SUPERSOT-4; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:115MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:10A; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic typ.:5A; Dissipation de puissance:1.1 TRANSISTOR PNP BOITIER SUPERSOT-4; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:55MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:15A; Courant Ic Vce sat:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic typ.:4A; Dissipation de puissance:1.1W TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:90mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):50ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:90mA; Courant, Idm impul.:600mA; Dissipation de puissance:700mW; Marquage composant:ZVN0545A; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:450mA; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:700mW; Marquage composant:ZVN2106A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:700mW; Puissance, Ptot TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:45mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):150ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:-45mA; Courant, Idm impul.:400mA; Dissipation de puissance:700mW; Marquage composant:ZVP0545A; Nombre de transistors:1; Pas: TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:320mA; Courant, Idm impul.:5A; Dissipation de puissance:700mW; Marquage composant:ZVP2106A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:700mW; Puissance, Ptot:700mW TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Config. Brochage:e; Courant Ic max..:1A; Courant Ic Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:50; N TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant, Ic moy.:800mA; Dissipation de puissance:1W; Hfe, min.:10000; Marquage composant:BCX38C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1W; Températu TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:5000; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm impulsionnel:6A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant Ic Vce sat:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:8A; Dissipation de puissance:1W; G TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:90mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:90mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Dissipation de puissance:330mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:ZVP3306F TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:330mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:VN10LF; Marquage, C TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:330mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:FZT TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:3000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:160MHz; Hfe, min.:3000; Largeur (externe) TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:3 TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:2.5A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Largeur, bande:8mm; Marquage composa TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:155MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance:1W; TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:7A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Marquage, CMS:FZT8 TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:7A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:3W; Gain Bande-passante ft, t TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +200°C; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passant TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:135MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant Ic max..:4A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissan RESEAU DE TRANSISTOR PONT EN H; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SM; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Quadruple; Courant Ic max..:2.5A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):6mA; Courant, Ic (sat):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2. TRANSISTOR PNP TO-264; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:200W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:25; Marq TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre d TRANSISTOR PNP TO-220AB; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PHVS; Courant Ic max..:8A; Courant Ic Vce sat:4A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Dissipation de puissance:80W; Hfe, min.:5; Largeur (externe):10.28mm; Longueur/hauteur TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage compos TRANSISTOR UNIJONCTION BOITIER TO-92; Courant Itrm max..:2A; Peak courant d'émetteur:80nA; Courant Valley Iv:150è¾A; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-50°C +100°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant crête:1è¾A; Dissipation de puissance:300mW; Marquage composant:2N6028G; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR PNP BOITIER TO-225AA; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Dissipation de puissance:1.25W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température, puissance:25°C; Tension, V TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Marquage compos TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:200W; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:12 TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:25; Marquage TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:35; Marquage, CMS:A8A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:200mW; Résistance, R1:10kohm; Résist TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:1; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:246mW; Hfe, min.:80; Marquage, CMS:A8D; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:246mW; Résistance, R1:10kohm; Résis TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15; Marquage composant:MJ15025G; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Style de boîtier altern TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:1A; Dissipation de puissance:400mW; Marquage composant:VN2222LL; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance Pd:400mW; Température, courant:25°C; Te TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:300mA; Courant Ic Vce sat:50mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Dissipation de puissance:625mW; Hfe, min.:40; Marquage composant:MPSA44; Nombre de transistors:1; Puissance, P TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:18MHz; Dissipation de puissance Pd:180W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:180W; Gain Bande-passante ft, typ.:18MHz; Hfe, min.:20; Marquage composant:MJ15016G; Nombre de transistors:1; Puiss TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Températu TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage c TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:1MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD680A; Nombre de transistors:1; Puissan TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance:250W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15; Marquage composant:MJ15022G; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance: TRANSISTOR PNP D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:D-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance:1.75W; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:40; Largeur (externe):6.73mm; Longueur/hauteur:2.38mm; Marquage, CMS:MJD45H11; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:20W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:30V; Type de boîtier:TO-1 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante f TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:500mA; Courant Ic Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:62 TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Nombre de transis OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:20mA; Tension, sortie:80V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Approval Bodies:UL; Catégorie d'approbation:Reconnu UL; Courant Ic max..:13mA; Courant, If max..:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Dissipation de puissance Pd:200mW; Largeur (externe):6.5mm; Longueur/hauteur:3.5mm; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Profondeur:4.58mm; Ratio, CTR max.:260%; Rati PHOTOTRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:800nm; Consommation de puissance:75mW; Type de boîtier de transistor:Side Looking; Nombre de broches:2; Angle, moitié:13°; Courant Ic max..:6mA; Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic typ.:1.7mA; Diamètre de la broche:0.4mm; Dissipation de puissance:75mW; Dissipation de puissance Pd:75mW; Largeur (externe):3.0mm; Longueur cordon:17.5mm; Longueur d'onde, crête:800nm; Longueur/hauteur:4.0mm; Pas:2.54mm; Profondeur:2.8mm; Réponse spectr TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:115W; Hfe, min.:5; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:115W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:1V; Type TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:30; Marquage composant:BD244C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; TRANSISTOR NPN BOITIER TO-5; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:35V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:55; Type de boîtier de transistor:TO-5; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:800mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:30; Marquage composant:BFY50; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:800mW; Température, p TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:30A; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:30A; Courant Ic Vce sat:16A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Dissipation de puissance:250W; Marquage composant:BUX98A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Temps de descente Ic:0.8è¾s; Température, puissance:25°C; Tension Vces:1 TRANSISTOR DARLINGTON SOT-227; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:225W; Courant de collecteur DC:100A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:b; Courant Ic max..:100A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):85A; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Courant, Ic moy.:100A; Courant, Icm impulsionnel:150A; Dissipation de puissance:225W; Hfe, min.:300; Hfe, typ.:300; Largeur (e TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance:75W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:75W; Température, TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:20.8W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:20.8W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:20W; Température, puissance:25°C; Type de boîtier:TO-126; Type de terminaison: TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:26A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:870pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Dissipation de puissance:85W; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas:220mJ; Nombr TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:30W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat max..:700mV; Type de boî TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:2W; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:60V; Tension, Vce sat max..:-1.2V; Type de boîtie TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:15; Marquage composant:TIP41C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension, Vcbo:100V; Tension, Vce sat max..:-1.5V; Type de TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:155W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:D2-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:155W; Dissipation de puissance, sur circuit imprimé de 2:3.75W; Marquage, CMS: TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:25A; Dissipation de puissance:3W; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:3055L; Nombre de transistors:1; Pro TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:200mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.1 TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.2A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN337N; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:800mA; Dissipation de puissance:300mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:MMBF170; Marquage, CMS TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):6.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:35W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation de puissance:35W; Puissance Pd:35W; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:30V; Tensio TRANSISTOR N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:310W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23.5A; Courant, Idm impul.:94A; Dissipation de puissance:310W; Puissance Pd:310W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; T TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:55A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:310W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance:310W; Puissance Pd:310W; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C TRANSISTOR MOSFET NUMERIQ P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:460mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension, Vgs th typ.:-860mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:460mA; Courant, Idm impul.:500mA; Dissipation de puissance:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:304P; Nombre d TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:180mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:180mA; Courant, Idm impul.:1A; Dissipation de puissance:360mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:65D; Marquage, CMS:605; TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:10A; Dissipation de puissance:500mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:332; Nombre de transistors:1 TRANSISTOR IGBT TO-247; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:With flywheel diode; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance:165W; Dissipation de puissance, max..:165W; Marquage composant:HGTG20N60B3D; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Ca TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:350mW; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Marquage composant:BT2222A; Marquage TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Fréquence de transition ft typ.:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:200mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Dissipation de puissance:350mW; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Largeur, bande:8mm; Marquage, CMS:1D; Nombr TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:155W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Dissipation de puissance:155W; Hfe, min.:300; Marquage composant:BU941ZP; Puissance, Ptot:155W; Température, Tj max..:175°C; Tension, Vcbo:350V; TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Dissipation de puissance:75W; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:75W; Tension, Vcbo:1kV; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-220; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR NPN BOITIER ISOTOP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:100A; Gain en courant DC hFE:27; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:150A; Courant, Ic (hfe):100A; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Courant, Ic moy.:100A; Dissipation de puissance:250W; Hfe, min.:27; Hfe, typ.:27; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W; Température, puissance:25°C; Tens TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:480A; Dissipation de puissance:300W; Format broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance Pd:300W; Résistance TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:35W; Puissance Pd:35W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:750mohm; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:3.75V; TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:670pF; Config. Brochage:a; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:90W; Energie dissi TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:9.6A; Dissipation de puissance:45W; Puissance Pd:45W; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Temp TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:35A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Température de fonctionnement:-55°C +175°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:1180pF; Courant, Id max..:35A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance:115W; Energie dissipée, avalanche non TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD678; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:2 TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD679; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:2 TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:GP; Courant Ic max..:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Dissipation de puissance:65W; Hfe, min.:30; Marquage composant:BD243C; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Style de boîtier alternatif: TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:22V; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:36W; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:50; Marquage composant:BD434; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:36W; Température, puissan OPTOCOUPLEUR SORTIE TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:16mA; Tension, sortie:20V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:UL; CMR:15000V/è¾s; Courant, If moy.:16mA; Ratio, CTR min:15%; Taux de transfet, typique:1000000; Temps de descente:0.2è¾s; Temps de montée:0.6è¾s; Température de fonctionnement:0°C +70°C; Tension, Vcc:15V; Tension, sortie max..:15V; Type d'optocou TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant Ic max..:600mA; Courant de pic Icm:1.1A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:225mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:3 OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR ARRAY, NPN, SMD; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Courant de collecteur DC:350mA; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Type de boîtier:SOIC; Type de terminaison:CMS OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de boîtier:SOP; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 2A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):154mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:175pF; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2A; Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:1. TRANSISTOR MOSFET P VGS -2.5V; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:325pF; Config. Brochage:1(G),2(S),3(A),4(K),5(D); Courant, Idm impul.:6A; Puissance Pd:900mW; Temps de descente:10ns; Temps de montée:10ns; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):62mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:290pF; Config. Brochage:D(1+2+5+6), G(3), S(4); Courant, Idm impul.:14A; Puissance Pd:1.25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:62mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:84mohm; Temp TRANSISTOR MOSFETN 45V 8.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8.5A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:34A; Puissance Pd:2W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:13mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:16mohm; Tension, Vds typ.:45V; Tension, Vgs th max..:2.5V; Tension, Vgs th min.:1V; Ten TRANSISTOR MOSFET N 30V 11A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:44A; Puissance Pd:2W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7.6mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:10.3mohm; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs th max..:2.5V; Tension, Vgs th min.:1V; TRANSISTOR MOSFET P 20V 2.5A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:10A; Puissance Pd:1.25W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs th max..:-2V; Tension, Vgs th min.:-0.7V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transistor Type:A enrichissement; TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:15A; Puissance Pd:1.25W; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:55mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:38mohm; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs th max..:1.5V; Tension, Vgs th mi TRANSISTOR MOSFET P 20V 3A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-12V; Tension, Vgs th max..:-2V; Tension, Vgs th min.:-0.7V; TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP 30V 5A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):63mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de drain continu Id, Canal P:-5A; Courant, Idm impul.:20A; Puissance Pd:2W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.03ohm; Tension drain source Vds, Canal P:-30V; Tension, Vds typ.:-30V; Tensi DOUBLE TRANSISTOR DTA143T+2SK3019; Polarité transistor:PNP + N MOSFET; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Courant, sortie max.:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Input Type TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP 20V/30V 1A; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):360mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.5A; Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:6A; Dissipation d TRANSISTOR MOSFET P 30V 4A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:20A; Puissance Pd:2W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs th max..:-2.5V; Tension, Vgs th min.:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transistor Type:A enrichissement; Type de boî TRANSISTOR MOSFET P 30V 9A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:36A; Puissance Pd:2W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs th max..:-2.5V; Tension, Vgs th min.:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transistor Type:A enrichissement; Type de boî TRANSISTOR MOSFET N 30V 13A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:2000pF; Config. Brochage:S(1+2+3),D(5+6+7+8),G(4); Courant, Idm impul.:52A; Puissance Pd:2W; Temps de descente:55ns; Temps de montée:30ns; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs th ma TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):79mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:350pF; Config. Brochage:D(1+2+5+6),S(4),G(3); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Temps de descente:20ns; Temps de mont TRANSISTOR MOSFET N VGS=2.5V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:200pF; Config. Brochage:1(G),2(S),3(D); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Temps de descente:11ns; Temps de montée:16ns; T TRANSISTOR MOSFET P VGS=2.5V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:475pF; Config. Brochage:1(G),2(S),3(D); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Dissipation de puissance:1W; Puissance Pd:1W; Temps de descente:19ns; Temps de montée:18ns; T TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP 30V 7A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de drain continu Id, Canal P:-7A; Courant, Idm impul.:28A; Puissance Pd:2W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.02ohm; Tension drain source Vds, Canal P:-30V; Tension, Vds typ.:-30V; Tensi TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 45V 6A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:6A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6A; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Dissipation de puissance:2W; Pui TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.5A; Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:18A; Dissipation de puissance:2W; Puis DOUBLE TRANSISTOR PNP+NUMERIQ; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:180; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Courant, sortie max.:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Nombre de transisto DOUBLE TRANSISTOR DTC144E+2SA2018; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Courant, sortie max.:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Nombre de tra TRANSISTOR NUMERIQUE; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:TL; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Puissance, Ptot:150mW; Transistor Type:Résistance de polarisati TRANSISTOR NUMERIQUE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:TL; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Puissance, Ptot:150W; Transistor Type:Résistance de polaris TRANSISTOR MOSFET N 30V 12.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:12.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:50A; Puissance Pd:2W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:6.5mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:8.6mohm; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs th max..:2.5V; Tension, Vgs th min.:1 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP 30V 3.5A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de drain continu Id, Canal P:-3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Puissance Pd:2W; Résistance On Rds(on), Canal P:0.065ohm; Tension drain source Vds, Canal P:30V; Tension, Vds typ.:-30V DOUBLE TRANSISTOR NPN+NUMERIQ; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:320MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:320MHz; Nombre de transistors: DOUBLE TRANSISTOR PNP+NUMERIQ; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:UMT; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Courant, sortie max.:150mA; Nombre de transistors:1; Nombre de voies:1; Type de boîtier:UMT; Type de terminaison:CMS DOUBLE TRANSISTOR NPN+NUMERIQ; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:320MHz; Dissipation de puissance Pd:120mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:UMT; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:1; Nombre de voies:1; Type de boîtier:UMT; Type de terminaison:CMS DOUBLE TRANSISTOR PNP+PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Courant, sortie max.:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Nombre de transistors:2; Nom TRANSISTOR MOSFET N VGS=-2.5V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:80pF; Config. Brochage:1(G),2(S),3(A),4(K),5(D); Courant, Idm impul.:6A; Puissance Pd:700mW; Temps de descente:6ns; Temps de montée:9ns; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:32A; Dissipation de puissance:95W; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de boîtier:TO-220AB; Type de terminaison:Traversant PHOTOTRANSISTOR NPN T-1 3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:100mW; Angle, vision:25°; Type de boîtier de transistor:T-1 (3mm); Nombre de broches:2; Angle, moitié:25°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:850nm; Temps de montée:2è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Transistor Type:Photo TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION SS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:400mA; Dissipation de puissance:150mW; Puissance Pd:150mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:1.5V; Tension, Vgs t TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 1A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):364mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1A; Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:4A; Dissipation de puissance:1.25W; Puissance Pd:900mW; Résistance On Rds(on) TRANSISTOR MOSFET P 30V 7.5A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:30A; Puissance Pd:2W; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs th max..:-2.5V; Tension, Vgs th min.:-1V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transistor Type:A enrichissement; Type de TRANSISTOR MOSFET N 30V 9A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:15mohm; Tension, Vds typ.:30V; Tension, TRANSISTOR MOSFET P 20V 3A; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:-2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Idm impul.:12A; Puissance Pd:1.25W; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs th max..:-2V; Tension, Vgs th min.:-0.7V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transistor Type:A enrichissement; Type TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 3.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:28A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance On Rds(on), Canal N TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 9A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9A; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Dissipation de puissance:2W; Puissance Pd:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0 TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 3.5A; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de drain continu Id, Canal N:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Puissance Pd:2W; Résistance On Rds(on), Canal N:0.059ohm; Tension drain source Vds, Canal N:30V; Tension, Vds typ.:30V; Te TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SOP8; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9A; Courant de drain continu Id, Canal P:-7A; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:28A; Dissipation de puissance:2W; Pui DOUBLE TRANSISTOR 2SK3018+2SA2018; Polarité transistor:PNP + N MOSFET; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Courant, sortie max.:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Input Ty DOUBLE TRANSISTOR 2SC5585+2SK3019; Polarité transistor:NPN + N MOSFET; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:320MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:320MHz; Input Type: DOUBLE TRANSISTOR PNP+NUMERIQ; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:260MHz; Dissipation de puissance Pd:120mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:UMT; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:1; Nombre de voies:1; Type de boîtier:UMT; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR NPN VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:11V; Fréquence de transition ft typ.:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:3.2GHz; Hfe, min.:56; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Applica TRANSISTOR SMT3 NPN DRIVER; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:500mV; Transist TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:210MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:350mV; Transistor Type: TRANSISTOR 30V 1.5A NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:330MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:270; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:330MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:350mV; Transistor Type: TRANSISTOR SOT-23 SST PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:620mV; Transistor TRANSISTOR SOT-23 SST NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:250; Tension, Vce sat max..:350mV; Transistor Type:Faible signal; Type de boîtier:SOT-2 TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transist TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications générales; Type TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:5mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; T TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUESC-59 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Transistor Type:Applications générales; Type de bo TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:82; Transistor Type:Applications g TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications g TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT6 PNP/PNP; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min. TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120; TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tens TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Trans TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transi TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tensi TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; Tensi TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; Tensi TRANSISTOR MOSFET N SOT23; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.85V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:115mA; Dissipation de puissance:225mW; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transist TRANSISTOR MOSFET 30V 3.5A DOUBLE N SOP8; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:4.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):46ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.5A; Courant, Id max..:4.5A; Dissipation de puissance:2W; Résistanc TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:10000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:10000; Tension, Vce sat max..:1.2V; Transistor TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transis TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SC-88; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Tr TRANSISTOR DOUBLE UM5 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transist TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transist TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; Tension TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:11V; Fréquence de transition ft typ.:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:3.2MHz; Hfe, min.:56; Tension, V TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; T OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 3750VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 3750VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:50mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOP; Nombre de broches:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Température de fonctionnement:-40°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR ATV PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:70MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ATV; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Puissance; Type de boî TRANSISTOR ATV PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:70MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ATV; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Puissance; Type de boî TRANSISTOR SMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:18V; Fréquence de transition ft typ.:1.5GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:1.5GHz; Hfe, min.:56; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:App TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor TRANSISTOR SMT3 NPN DRIVER; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:500mV; Transist TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:2000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:2000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Transisto TRANSISTOR ATV ECB NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ATV; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:82; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Puissance; Type de TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor TRANSISTOR D-PAK BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:160V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:2V; Transistor Type:Puissance; TRANSISTOR SMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:350MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:820; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz; Hfe, min.:820; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor Type TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:820; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:820; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Applic TRANSISTOR MOSFET CANAL N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transistor Type:F TRANSISTOR SOT-23 SST NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:420; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor T TRANSISTOR SOT-23 SST PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:210; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:210; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor T TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Transistor Type:Applications générale TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SPT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-72; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP EM3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:47; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:47; Transistor Type:Applications gé TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:300mV; T TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; TRANSISTOR NUMERIQUESPT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-72; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:5mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUEUMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:5mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUEUMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications générales; TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications TRANSISTOR DOUBLE EMT6 PNP+NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; Tens TRANSISTOR DOUBLE SC-74A PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Ten TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120; Ten TRANSISTOR MOSFET 30V 0.3A N UMT3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:300mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:UMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:300mA; Dissipation de puissance:200mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Tr TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION TUMT3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2A; Dissipation de puissance:800mW; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Tra TRANSISTOR MOSFET P 20V 2A TSMT3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-2A; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Transistor TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtie TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION UMT6; Polarité transistor:Double canal N; Courant, Id cont.:10mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:UMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:100mA; Courant, Id max..:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Résistance TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transis TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transis TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transis TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transist TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120; Tensio TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; T BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:450V; Fréquence de transition ft typ.:4MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:4; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Dissipation de puissance:50W; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:30V; Type de boîtier:3-TO-220 MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:N and P Canal; Courant, Id cont.:630mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:630mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-450mA; Courant, Id max..:630mA; Dissipation de puissance:270mW; Rési TRANSISTOR FET P SIMPLE 20V 8SON; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:60A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8.7mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension, Vgs th typ.:850mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-60A; Dissipation de puissance:2.8W; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4.5V; Tra TRANSISTOR SOT-89 BCE PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:2W; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:1000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Transistor Type:Puissance Darlington; Type de boîtier:SOT-89; TRANSISTOR NPN MPT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:20MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:82; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Puiss TRANSISTOR EMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:270; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor Type:A TRANSISTOR NPN MPT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor Type: TRANSISTOR NPN CPT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Régulateurs TRANSISTOR D-PAK BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:800mV; Transistor Type:Puissan TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:80MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:1000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Transistor Type:P TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:10mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension, Vgs th typ.:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Transisto TRANSISTOR SOT-23 SST NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:620mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension, Vce sat max..:-300mV; Transis TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:82; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE UMT, PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications générale TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:39; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:39; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-300mV TRANSISTOR NUMERIQUE SMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Transistor Type:Applications générale TRANSISTOR NUMERIQUE VMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transist TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:1mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; T TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications g TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.: TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120; TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:1mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tensio TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:1.5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:1.5GHz; Hfe, min.:56; Tension, TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION TUMT3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-1A; Dissipation de puissance:800mW; Tension, Vds typ.:-30V; Tension, Vgs max..:-20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION TSMT3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:1.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):235mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:-1.5A; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:-20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Tran TRANSISTOR MOSFET 30V 2.5A N TSMT6; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:2.5A; Dissipation de puissance:1W; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:Puissance bipolaire; Type de boîtier:S TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor Type:Puissance bipolaire; Type de boîtier:S TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Typ TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Transist TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120; Tension TRANSISTOR NPN MED PWR SOT32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:12.5W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor Ty TRANSISTOR PNP 80V 4A SOT-32; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:40W; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:7; Tension, Vce sat max..:80V; Transistor Type:Puissance TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:6.2W; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.15A VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR PNP 12V 1.5A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:400MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:400MHz TRANSISTOR NPN 11V 0.05A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:11V; Fréquence de transition ft typ.:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:3.2GHz TRANSISTOR PNP 32V 0.8A SOT-346; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-32V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR NPN 20V 5A SOT-428; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz TRANSISTOR PNP 120V 0.05A SOT-346; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-120V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz TRANSISTOR NPN 32V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPN 20V 3A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:290MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:290MHz TRANSISTOR NPNNPN 20V 0.05A SOT-363; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:1.5GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:1.5GHz TRANSISTOR NPNNPN 50V 0.1A EMT6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPNNPN 50V 0.03A EMT6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPNNPN 50V 0.1A SOT-353; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR D-PAK BCE PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Type de boîtier:SOT-428; Type de terminaison:CMS TRANSISTOR ATV PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ATV; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:800mV; Transistor Type:Puissance bipolai TRANSISTOR SOT-89 BCE PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:240MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:240MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type: TRANSISTOR UMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:82; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:82; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Type:App TRANSISTOR NPN VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:18V; Fréquence de transition ft typ.:1.5GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:1.5GHz; Hfe, min.:56; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Applica TRANSISTOR 60V 3A NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:500mV; Transistor Type:Pui TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Fréquence de transition ft typ.:120MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:400mV; Transistor TRANSISTOR ATV ECB NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:32V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ATV; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Tension, Vce sat max..:800mV; Transistor Type:Puissance bi TRANSISTOR D-PAK BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:1000; Tension, Vce sat max..:1.5V; Transistor Type:Puissance; Type de boîtier:SOT-428; Type de t TRANSISTOR MPT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:180; Tension, Vce sat max..:1V; Transistor Type:Faible te TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-300mV; Trans TRANSISTOR NUMERIQUE PNP EM3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transistor Type:Applications générales TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Transistor Type:Applications TRANSISTOR NUMERIQUE,VMT3:NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:5mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; Transistor Ty TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:33; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:33; Transistor Type:Applications g TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:300mV; TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:47; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SST; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:47; Transistor Type:Applications génér TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:47; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:200mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:47; Transistor Type:Applications g TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Trans TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tensi TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transi TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:120; Te TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Dissipation de puissance:300mW; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120; Ten TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tensio TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Tr TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN / PNP; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tr TRANSISTOR DOUBLE UM5 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SC-88A; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Transisto TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:150mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Transist TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-32V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR NPN 12V 2A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:12V; Fréquence de transition ft typ.:360MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:360MHz TRANSISTOR PNP 120V 0.05A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-120V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz TRANSISTOR NPNNPN 20V 0.5A SOT-457; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Fréquence de transition ft typ.:350MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:560; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz TRANSISTOR NPNNPN 50V 0.03A EMT6; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-346; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-32V; Fréquence de transition ft typ.:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz TRANSISTOR NPN 6V 0.05A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:6V; Fréquence de transition ft typ.:800MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:800MHz TRANSISTOR NPN 120V 0.05A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:120V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SC-72; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.02A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR NPN 50V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Fréquence de transition ft typ.:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz TRANSISTOR PNP 12V 3A TSMT3; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-12V; Fréquence de transition ft typ.:280MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:280MHz TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz TRANSISTOR NPN 60V 15A TO3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 300V 2A TO-66; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:35W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-66; Nombre de broches:2 TRANSISTOR PNP 100V 6A TO252; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 350V 4A TO220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 200V 20A SOT93; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 350V 30A TO264; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:230W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 40V 0.6A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3 TRANSISTOR NPN 300V 0.5A TO252; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:300V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 200V 15A SOT93; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:400; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 80V 0.8A TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:50; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3 TRANSISTOR PNP 100V 10A TO247; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR DARLING NPN 400V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:350V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:30; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR DARLING NPN 500V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:500V; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:10; Température de fonctionnement:-65°C +200°C; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 800MHZ 30V TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:800MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:400mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier transistor RF:TO-39; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 100V 0.008A TO252; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 250V 15A TO3P; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:75; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR PNP 250V 15A TO3P; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:250V; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:75; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:400V; Fréquence de transition ft typ.:10MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:PHVS; Courant Ic max..:1.5A; Courant Ic Vce sat:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Dissipation de puissance:1.4W; Gain Bande-passante ft, typ. TRANSISTOR NPN 45V 0.1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 100V 3A IPAK; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:100V; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:25; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 90V 10A TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:90V; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR NPN 1.2GHZ 20V TO39; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:20V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:400mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier transistor RF:TO-39; Nombre de broches:3 TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:30V; Fréquence de transition ft typ.:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:f; Courant Ic max..:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:220; Nombre de transistors:1; TRANSISTOR JFET CANAL N BOITIER TO-92; Transistor Type:JFET; Tension, claquage:-25V; Gamme de courant de porte logique zéro volt Idss:12mA 30mA; Tension, Vgs off max..:4V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Code d'application:RFA; Config. Brochage:m; Courant, Idss max..:30mA; Courant, Idss min.:12mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance:350mW; Format broche:m; Marquage composant:J309; Nombre de transist TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:15V; Fréquence de transition ft typ.:2.5GHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:70; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bruit:3.5dB; Courant Ic max..:50mA; Courant de collecteur:25mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence, test:800MHz; Gain Bande-p TRANSISTOR PNP DARLINGTON SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:80V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:25°C; Tension, Vce sat max..:-2V; TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:I-PAK; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, Ciss typ:310pF; Courant Iar:3A; Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Dissipation de puissance:45W; Energie dissipée, avalanche non rép TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:38A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.9V; Dissipation de puissance Pd:280W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:250nC; Courant, Id max..:38A; Dissipation de puissance:280W; Puissance Pd:280W; Rth:0.45; Temps trr max.:650ns; Tension TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:44A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:5V; Dissipation de puissance Pd:1.2kW; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:198nC; Courant, Id max..:44A; Dissipation de puissance:1.04kW; Puissance Pd:1.2kW; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12 OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP 6; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:5mA; Tension, sortie:55V; Type de boîtier opto:CMS; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:d; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:110; Marquage composant:BC547A; Puissance, Ptot:500mW; OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:1; Tension, isolation:4kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:SOIC; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR E/S TRANSISTOR; Nombre de voies:2; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de boîtier:DIP; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR IGBT N 600V 19A TO-220; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:19A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance:130W; Dissipation de puissance, max..:130W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:125W; Temps de monté Bipolar Transistor; Transistor Polarity:; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:45V; Fréquence de transition ft typ.:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance:500mW; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:250mV; Transistor Type:Applications générales; Ty TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:175V; Fréquence de transition ft typ.:200MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Dissipation de puissance:5W; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Tension, Vce sat max..:500mV; Type de boîtier:TO-39; Type de terminaison:Traversant OPTOCOUPLEUR PHOTOTRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:10mA; Tension, sortie:30V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor OPTOCOUPLEUR TRANSISTOR 5300VRMS; Nombre de voies:1; Tension, isolation:5.3kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Courant, entrée:60mA; Tension, sortie:70V; Type de boîtier opto:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C +100°C; Type de sortie:Phototransistor TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:-1.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:è¾SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.7A; Courant, Id max..:-1.7A; Dissipation de puissance:1.25W; Résistance On Rds(on), Can TRANSISTOR,NPN,0.05A,25V,TO92; Polarité transistor:N Canal; Tension, Vceo:25V; Fréquence de transition ft typ.:1.1GHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:38; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de collecteur:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:1.1GHz; Type de boîtier:TO-92; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de terminaison:Traversant TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:23A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:23A; Dissipation de puissance:280W; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de b TRANSISTOR MOSFET N TO-251; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:800mA; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3V; Dissipation de puissance Pd:11W; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:800mA; Dissipation de puissance:11W; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Transistor Typ TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-50V; Fréquence de transition ft typ.:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance:300mW; Hfe, min.:80; Tension, Vce sat max..:-150mV; Transistor Type:Applications général TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Température de fonctionnement:-65°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance:150mW; Hfe, min.:200; Tension, Vce sat max..:100mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:SOT-416; Type de termi PHOTOTRANSISTOR NPN T-1 3/4; Polarité transistor:NPN; Longueur d'onde typ.:850nm; Consommation de puissance:250mW; Angle, vision:40°; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Angle, moitié:40°; Courant, Ic typ.:50mA; Réponse spectrale crête:850nm; Temps de montée:6è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Transistor Type:Photo; Type de boîtier:T-1 3/4 TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-3; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:11A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension, Vgs th typ.:-4V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Iar:11A; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:50A; Dissipation de puissance:75W; Energie avalanche répétitive max..:7.5mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive, Eas: PHOTOTRANSISTOR BOITIER PILL; Polarité transistor:NPN; Consommation de puissance:50mW; Type de boîtier de transistor:Metal Can; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant d'obscurité:100nA; Courant, Ic typ.:22mA; Longueur/hauteur:2.75mm; Réponse spectrale crête:890nm; Sensibilité nom mW/cm4:22mA @ 20mW / cmË›; Temps de descente:15è¾s; Temps de montée:15è¾s; Température de fonctionnement:-65°C +125°C; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-65°C; TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 430V 20A; Transistor Type:IGBT; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:1.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension, Vceo:430V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:125W; Dissipation de puissance, max..:125W; Marquage composant:IRGB14C40LPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:125W; Temps de descente, max.:2 TRANSISTOR MOSFET INTELLIGENT TO-218-5; Type de driver:MOSFET; Configuration module:Côté haut; Courant, sortie crête:165A; Délais d'entrée:600è¾s; Délais de sortie:200è¾s; Gamme de tension d'alimentation:5V 34V; Type de boîtier CI Driver:TO-218; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR DARLING NPN 50V TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:25000; Température de fonctionnement:-55°C +150°C; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:60V; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Dissipation de puissance:40W; Hfe, min.:750; Marquage composant:BD680; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température, puissance:2 TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4.5V; Dissipation de puissance Pd:780W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Charge, porte, canal N:380nC; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:780W; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie dissipée, avalanche TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Charge, porte, canal N:227nC; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Dissipation de puissance:360W; Energie avalanche répétitive max..:45mJ; Energie dissipée, avala TRANSISTOR HITFET; Configuration module:Côté bas; Courant, sortie crête:3.5A; Résistance de sortie:0.08ohm; Délais d'entrée:40è¾s; Délais de sortie:70è¾s; Gamme de tension d'alimentation:1.3V 10V; Type de boîtier CI Driver:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:3.5A; Dissipation de puissance Pd:50W; Limitation de courant (min.):7A; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:50W; Puissance, Ptot:50W; Résistance Rds(o TRANSISTOR MOSFET NUMERIQ P SOT-23; Polarité transistor:P Canal; Courant, Id cont.:120mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension, Vgs th typ.:-1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:500mA; Dissipation de puissance:350mW; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:302P; Nombre de tr TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension, Vceo:200V; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant Ic max..:7A; Courant Ic Vce sat:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Ic moy.:10A; Dissipation de puissance:60W; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Pas:2.5mm; Puissan STATION DE SOUDAGE 230V PRISE UK; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+50°C +450°C; Puissance de sortie:95W; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Hauteur:147mm; Largeur (externe):108mm; Longueur:134mm; Puissance, entrée:95W; Stabilité en température, + :+- 5°C; Tension secondaire:24V PINCE MULTIPRISE; Type de pince:Joint coulissant; Ecartement des machoires:55mm; Longueur, machoire:52mm; Longueur, hors tout:315mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur:315mm PRISE MURALE ROUGE 415V; Série:PEW63_pp; Genre:Embase; Tension:415VAC; Courant:63A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Vis; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de sorties:1; Tension c.a.:415V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard; Type de montage:Mur PRISE MURALE ROUGE 415V; Genre:Embase; Courant:125A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Vis; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de sorties:1; Orientation du connecteur:Mur; Tension c.a.:415V; Type de montage:Mur PRISE MURALE 16A 240V BLEU; Série:PEW16_pp; Genre:Embase; Tension:240VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Vis; IP / NEMA Rating:IP67; Nombre de sorties:1; Tension c.a.:240V; Type de connecteur:Connecteur d'entrée standard; Type de montage:Mur PINCE MULTIPRISE; Type de pince:Joint coulissant; Ecartement des machoires:45mm; Longueur, machoire:40mm; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur:250mm PINCE MULTIPRISE; Type de pince:Alligator; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:250mm; Normes:DIN5231D; Poids:290g MULTIPRISE EURO X2; Convertir de:Plug; Convertir vers:Earthed Socket, 2 x Euro Socket; Couleur de connecteur:Blanc; Tension c.a.:230V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Schuko; Couleur:White; Largeur (externe):950mm; Longueur/hauteur:500mm; Nombre de canaux de sortie:3; Nombre de sorties:3; Orientation du connecteur:Borne de raccordement rapide; Profondeur:800mm; Tension:230VAC; Tension de puissance:230VAC; Type de connecteur:Adaptateur AC PRISE DE MISE A LA TERRE MONTAGE PANNEAU; Type de connecteur:Point d'essai ; Série:POAG-S6/15; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:DIN42801 MULTIPRISE EURO X2; Convertir de:Plug; Convertir vers:2 x Euro Socket; Couleur de connecteur:Blanc; Tension c.a.:230VAC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Schuko; Couleur:White; Largeur (externe):450mm; Longueur/hauteur:600mm; Nombre de canaux de sortie:2; Nombre de sorties:2; Orientation du connecteur:Borne de raccordement rapide; Profondeur:450mm; Tension:230VAC; Tension de puissance:230VAC; Type de connecteur:Adaptateur AC PRISE FILTREE IEC 3A; Type de filtre:Secteur; Courant:3A; Capacité:47è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):60mm; Longueur/hauteur:26mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:51.7mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE IEC + FUSIBLE 2A; Type de filtre:Secteur; Courant:2A; Capacité:470è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):33.4mm; Longueur/hauteur:65mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:57.8mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE CHASSIS 15A; Type de filtre:Monophasé; Courant:15A; Capacité:100è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:500è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):51.8mm; Longueur/hauteur:32mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:94.5mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE IEC FUSIBLE 2A; Type de filtre:EMI / RFI; Courant:2A; Capacité:0.22è¾F; Inductance, min.:6.5mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):44.2mm; Longueur/hauteur:35mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:58mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE IEC FUSIBLE 4A; Type de filtre:EMI / RFI; Courant:4A; Capacité:0.22è¾F; Inductance, min.:2.4mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):44.2mm; Longueur/hauteur:35mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:58mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE CHASSIS 8A; Type de filtre:Monophasé; Courant:8A; Capacité:100è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:500è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):51.8mm; Longueur/hauteur:32mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:94.5mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE IEC FILTREE 2.5A; Type de filtre:Applications générales; Courant:2.5A; Capacité:0.22è¾F; Inductance, min.:2mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / SEV / UL / VDE; Capacité, condensateur type X:0.22è¾F; Capacité, condensateur type Y:3300pF; Courant de fuite:0.32mA; Entraxe de fixation:40mm; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:0Hz; Inductance, fuite:0.4mH; Largeur (externe):50mm; Largeur, découpe panneau:29mm; Longueur/hauteur:65mm; Nombre de PRISE IEC FILTREE 6A; Type de filtre:Applications générales; Courant:6A; Capacité:0.22è¾F; Inductance, min.:450è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / SEV / UL / VDE; Capacité, condensateur type X:0.22è¾F; Capacité, condensateur type Y:3300pF; Courant de fuite:0.32mA; Entraxe de fixation:40mm; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:0Hz; Inductance:0.45mH; Inductance, fuite:0.4mH; Largeur (externe):50mm; Largeur, découpe panneau:29mm; Longueur/hauteu PRISE FILTREE IEC FUSIBLE 6A; Type de filtre:EMI / RFI; Courant:6A; Capacité:0.22è¾F; Inductance, min.:1.1mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):44.2mm; Longueur/hauteur:35mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:58mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE IEC + FUSIBLE 6A; Type de filtre:Secteur; Courant:6A; Capacité:470è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):33.4mm; Longueur/hauteur:65mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:57.8mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab PRISE FILTREE CHASSIS 10A; Type de filtre:Monophasé; Courant:10A; Capacité:100è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:500è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):51.8mm; Longueur/hauteur:32mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:94.5mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab BOUTON DE PROTECTION PRISE MALE TAILLE 1; Série:C163; Type d'accessoire:Dust Cap and Cover; A utiliser avec:C 16-3 Male Cable Connectors; Taille du connecteur:1; Matériau du corps du connecteur:Polyamide 6.6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Cache-poussière et protecteur; Couleur:Black; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polyamide 6.6 BOUTON DE PROTEC. PRISE FEMELLE TAILLE 1; Série:C163; Type d'accessoire:Dust Cap; A utiliser avec:C 16-3 Female Cable Connectors; Taille du connecteur:1; Matériau du corps du connecteur:Polyamide 6.6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Cache-poussière et protecteur; Couleur:Black; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polyamide 6.6 BOUTON DE PROTEC. PRISE FEMELLE TAILLE 1; Série:C163; Type d'accessoire:Dust Cap; A utiliser avec:C 16-3 Male Receptacles; Taille du connecteur:1; Matériau du corps du connecteur:Polyamide 6.6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Cache-poussière et protecteur; Couleur:Black; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polyamide 6.6 BOUTON DE PROTECTION PRISE MALE TAILLE 2; Série:C163; Type d'accessoire:Dust Cap; A utiliser avec:C 16-3 Male Cable Connectors; Taille du connecteur:2; Matériau du corps du connecteur:Polyamide 6.6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Cache-poussière et protecteur; Couleur:Black; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polyamide 6.6 PRISE C1 CABLE 3X18; Connecteur type A:Prise USA; Connecteur type B:Fil; Tension:125V; Courant:10A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Prise UK 10A ; Connecteur type B:Libre; Couleur:Noir; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Taille du conducteur:18AWG; Tension c.a.:110V; Type de fiche d'alimentation:US PINCE MULTI-PRISES SMART-GRIP; Ecartement des machoires:36mm; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:10mm; Longueur:250mm; Normes:DIN ISO 8976 BOUTON DE PROTEC. PRISE FEMELLE TAILLE 2; Série:C163; Type d'accessoire:Dust Cap; A utiliser avec:C 16-3 Male Receptacles; Taille du connecteur:2; Matériau du corps du connecteur:Polyamide 6.6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Cache-poussière et protecteur; Couleur:Black; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polyamide 6.6 PRISE IEC FLITREE 15A; Type de filtre:Standard; Courant:15A; Capacité:0.1è¾F; Inductance, min.:75è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / SEV / UL / VDE; Capacité, condensateur type X:100nF; Capacité, condensateur type Y:2.2nF; Courant de fuite:190è¾A; Epaisseur, panneau max..:2mm; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:0Hz; Inductance:0.075mH; Largeur (externe):48mm; Largeur, découpe panneau:20.8mm; Longueur/hauteur:22.5mm; Nombre de condensateurs t PRISE IEC FLITREE 6A; Type de filtre:Standard; Courant:6A; Capacité:0.1è¾F; Inductance, min.:780è¾H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / SEMKO / SEV / UL / VDE; Capacité, condensateur type X:100nF; Capacité, condensateur type Y:2.2nF; Courant de fuite:190è¾A; Epaisseur, panneau max..:2mm; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:0Hz; Inductance:0.78mH; Largeur (externe):48mm; Largeur, découpe panneau:20.8mm; Longueur/hauteur:22.5mm; Nombre de condensateurs typ PRISE PANNEAU M8 3VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M8; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Taille du connecteur:M8; Nombre de contacts:3; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Longueur cordon:500mm; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voies:3; Normes:DIN/VDE 0660 pa PRISE PANNEAU M12 5VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M12; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Longueur cordon:200mm; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voies:4; Normes:DIN/VDE 0660 PRISE TWINAX F/T ISOLEE; Type de connecteur:Twinaxial, Coaxial; Style de corps:Adaptateur de cloison droit, Connecteur femelle-Connecteur femelle; Convertir du connecteur:Coaxial BNC; Convertir du genre:Connecteur femelle; Convertir vers connecteur:Coaxial BNC; Convertir vers genre:Connecteur femelle; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Twinaxial, Coaxial; Type de connecteur coaxial:TWINAX 70 PRISE PANNEAU M8 4VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M8; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Taille du connecteur:M8; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Longueur cordon:500mm; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voies:4; Normes:DIN/VDE 0660 pa PRISE INDUSTRIELLE 16A BLEUE; Genre:Connecteur mâle; Tension:240V; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Material:Laiton solide; Contact Type:Broche; Couleur:Bleu; Courant efficace max.:16A; Diamètre du corps:59mm; Longueur/hauteur:125mm; Matière:Enveloppe de nylon très résistante aux chocs; Nombre de contacts:3; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Normes:BS4343; Orientation du connecteur:Câble; Tension, c.a. max..:2 PRISE INDUSTRIELLE 16A BLEUE; Genre:Embase; Tension:240V; Courant:16A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Material:Laiton solide; Contact Type:Fiche; Couleur:Bleu; Courant efficace max.:16A; Entraxe de fixation:47mm; Largeur (externe):62mm; Longueur/hauteur:62mm; Matière:Enveloppe de nylon très résistante aux chocs; Nombre de broches:3; Nombre de contacts:3; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Normes:BS4343; Profondeur:65mm PRISE RCA MALE DOREE; Type de connecteur:Amplificateur RC / Phono; Genre:Connecteur mâle; Couleur de connecteur:Nickel; Terminaison du contact:Pince; Plaquage du contact:Or; Montage connecteur:Câble; Matériau du corps du connecteur:Métal; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Or; Connector Type:RCA / Phono; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Flash or; Couleur:Noir / Or; Courant:5A; Courant efficace max.:5A; Diamètre:10.8mm; Diamètre, câble max..:5.5mm; Insulator Material:Noryl; Largeur PRISE LIBRE M12 5 VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M12; Matériau du corps du connecteur:Polyamide; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de pâles:5; Nom PINCE MULTIPRISES ISOLEE VDE 250MM; Type de pince:Pompe eau; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Handle Type:Ergonomique; Longueur:250mm; Type de machoire:Serrated ADAPTATEUR MULTI PRISE 18W 15V; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Puissance:18W; Tension d'entrée:90VAC 255VAC; Tension d'alimentation typique:110V AC / 230V AC; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1.2A; Connecteur de sortie:2,1 mm x 5,5 mm x 12 mm; Montage alimentation:Borne de raccordement; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro / US / Aus; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Largeur (externe):43mm; Longueur/hauteur:74mm; Profondeur:34mm; Approuvé:CSA / EN / IEC / UL; Courant, entrée:0.5A; Effica STATION DE SOUDAGE PRISE UK 230V; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+50°C +450°C; Puissance de sortie:95W; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):108mm; Longueur:134mm; Profondeur:147mm; Température, max..:450°C; Température, min.:50°C; Tension, entrée:230VAC PRISE INDUSTRIELLE 16A BLEUE; Genre:Embase; Tension:220V; Courant:16A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Material:Laiton solide; Contact Type:Fiche; Couleur:Bleu; Courant efficace max.:16A; Largeur (externe):64mm; Longueur/hauteur:103mm; Matière:Enveloppe de nylon très résistante aux chocs; Nombre d'entrées:20; Nombre de broches:3; Nombre de contacts:4; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Normes:BS4343; Profondeur:117mm; T MULTIPRISE 3 VOIES; Connecteur type A:No lead Included; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE / VDE; Connecteur type A:Without; Connecteur type B:Schuko Sockets x 3; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:3; Nombre de voies:3; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard MULTIPRISE 5 VOIES; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:4.6ft; Longueur de câble - Métrique:1.4m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE; Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets x 5; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:1.4m; Longueur câble:1.4m; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:5; Nom MULTIPRISE 4 VOIES; Connecteur type A:No lead Included; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE / VDE; Connecteur type A:Without; Connecteur type B:Schuko Sockets x 4; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:4; Nombre de voies:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard MULTIPRISE 4X BLANCHE 1.5M; Connecteur type A:French Plug; Connecteur type B:French Socket; Tension:220V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:3.93ft; Longueur de câble - Métrique:1.2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Fiche Mâles françaises; Connecteur type B:4 x Fiches Femelles Françaises; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:1.2m; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:220V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard MUTIPRISE 3 VOIES; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:4.6ft; Longueur de câble - Métrique:1.4m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE; Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets x 3; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:1.4m; Longueur câble:1.4m; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:3; Nomb MULTIPRISE 4 VOIES; Connecteur type A:No lead Included; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE / VDE; Connecteur type A:Without; Connecteur type B:Schuko Sockets x 4; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:4; Nombre de voies:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard MULTIPRISE 4 VOIES; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:4.6ft; Longueur de câble - Métrique:1.4m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE; Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets x 4; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:1.4m; Longueur câble:1.4m; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:4; Nom MULTIPRISE 5 VOIES; Connecteur type A:No lead Included; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE / VDE; Connecteur type A:Without; Connecteur type B:Schuko Sockets x 5; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:5; Nombre de voies:5; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard ADAPTATEUR MULTI PRISE 18W 24V; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Puissance:18W; Tension d'entrée:90VAC 255VAC; Tension d'alimentation typique:110V AC / 230V AC; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:750mA; Connecteur de sortie:2,1 mm x 5,5 mm x 12 mm; Montage alimentation:Borne de raccordement; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro / US / Aus; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Largeur (externe):43mm; Longueur/hauteur:74mm; Profondeur:34mm; Approuvé:CSA / EN / IEC / UL; Courant, entrée:0.5A; Effic FICHE MULTIPRISE BLANCHE 2X10/16A; Courant:16A; Calibre du Fusible:16A; Couleur de connecteur:Blanc; Matériau du corps du connecteur:PVC (Chlorure de polyvinyle); Tension c.a.:230V; Connector Type:IEC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de sorties:2; Orientation du connecteur:Borne de raccordement rapide; Tension:230VAC; Terminaison du contact:Vis; Type de connecteur:Adaptateur AC SCOPEMETER FLUKE 125 PRISE ANGLAISE; Type d'oscilloscope:Numérique; Nombre de canaux:2; Bande passante:40MHz; Type d'afficheur:LCD; Taux d'échantillonnage:25Méch/s; Impédance, entrée:1Mohm; Temps de montée:8.75ns; Tension, entrée:600V; Hauteur, dimension externe:232mm; Largeur (externe):115mm; Profondeur:50mm; Poids:1.2kg; Type de fiche d'alimentation:Euro; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande-passante oscilloscope:40MHz; Série:120 MULTIPRISE 4 VOIES; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Schuko Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:4.6ft; Longueur de câble - Métrique:1.4m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Approval Bodies:CE; Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets x 4; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur cordon:1.4m; Longueur câble:1.4m; Matière, boîtier:Plastic; Nombre de sorties:4; Nom PRISE DESIGN CARRE POUR 3SB3; Type d'accessoire:Blank Plug; A utiliser avec:Seimens 3SB3 Pushbutton Units; Matière:Plastic; Série:3SB3 MULITPRISE 5X BLANC+INTER+1M; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Euro Socket; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:3.93ft; Longueur de câble - Métrique:1.2m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Longueur câble:1.20m; Nombre de sorties:5; Type de connecteur:Réglette de sortie standard MULTIPRISE IEC; Type de connecteur:Réglette de sortie fusible; Matériau du corps du connecteur:Thermoplastique; Nombre de sorties:5; Tension c.a.:250V; Courant:15A; Couleur de connecteur:Noir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Calibre du Fusible:10A; Connector Type:IEC; Contact Material:Laiton, Plaqué nickel; Couleur:Noir; Genre:Embase; Largeur (externe):228mm; Longueur/hauteur:40mm; Matière:ABS noir; Nombre de canaux de sortie:5; Nombre de sorties:5; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:Câb CORDON PRISE UK / 2 X IEC NOIR 5M; Connecteur type A:Fiche secteur UK; Connecteur type B:2 x fiche femelle IEC; Tension:240V; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:16.4ft; Longueur de câble - Métrique:5m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Fiche mâle anglaise; Connecteur type B:2 x Fiche femelle IEC; Couleur:Noir; Longueur cordon:5m; Longueur câble:5m; Tension c.a.:240V LAMPE LOUPE - ARES PRISE EURO; Magnification:3 Dioptre; Type de fiche d'alimentation:Euro; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Blanc; Fréquence, alimentation:60Hz; Poids:3.5kg; Tension, alimentation:230VAC; Tension d'alimentation Vac:230V STATION DE SOUDAGE PRISE EU; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+150°C +450°C; Type de fiche d'alimentation:Euro; Consommation de puissance:48W; Fréquence:60Hz; Hauteur:125mm; Largeur (externe):210mm; Poids:1.8kg; Profondeur:135mm; Température, max..:450°C; Température, min.:150°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V SOLDERING/REWORK STATION UK/PRISE EU; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+160°C +480°C; Puissance de sortie:320W; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; Température, max..:480°C; Température, min.:160°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V STATION DE SOUDAGE PRISE EU; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+150°C +450°C; Type de fiche d'alimentation:Euro; Consommation de puissance:48W; Couleur:bleue; Fréquence:60Hz; Hauteur:87mm; Largeur (externe):195mm; Profondeur:165mm; Température, max..:450°C; Température, min.:150°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V; Tension, sortie:24V PRISE RJ45 4 VOIES CAT 5E VERTICALE; Type d'accessoire:Faceplate; Nombre d'espaces de module:4; Matériau du corps du connecteur:ABS (Acrylonitrile-butadiène-styrène); Catégorie LAN:Cat5e; Connector Type:RJ45; Couleur:White; Entraxe de fixation:75mm; Largeur (externe):86mm; Longueur/hauteur:86mm; Matière, boîtier:ABS; Méthode de terminaison:Raccordement broches IDC; Nombre de modules:4; Nombre de ports:4; Ports, number of:4; Profondeur:27mm; Type de connecteur:RJ45 MULTIPRISE IEC; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:Douille IEC; Tension:250V; Courant:6A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:6.3A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:IEC Sockets x 5; Contact Material:Laiton, Plaqué nickel; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Insulator Material:Noryl; Largeur (externe):228mm; Longueur cordon:2m PISTOLET A COLLE, PRISE ANGLAISE; Tension d'alimentation Vac:240V; Diamètre bâton de colle:12mm; Puissance:40W; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Poids:.37kg; Puissance, entrée:500W; Temps de montée en température:7min; Température de fonctionnement max..:195°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:100V STATION DE REPRISE/SOUDAGE PRISE EU/UK; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+160°C +480°C; Puissance de sortie:80W; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; Température, max..:480°C; Température, min.:160°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V STATION DE SOUDAGE PRISE EU ESD; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+150°C +450°C; Type de fiche d'alimentation:Euro; Consommation de puissance:48W; Couleur:noire; Fréquence:60Hz; Hauteur:87mm; Largeur (externe):195mm; Profondeur:165mm; Température, max..:450°C; Température, min.:150°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V; Tension, sortie:24V FER A SOUDER 40W BLACK PRISE EU; Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+420°C +460°C; Tension, alimentation:240VAC; Type de fiche d'alimentation:Euro; Connector Type:UE; Couleur:Noire; Puissance:40W; Température, max..:460°C; Température, min.:420°C; Tension d'alimentation Vac:240V FER A SOUDER 40W BLUE PRISE EU; Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+370°C +420°C; Tension, alimentation:240VAC; Type de fiche d'alimentation:Euro; Connector Type:UE; Couleur:Bleu; Puissance:40W; Température, max..:420°C; Température, min.:370°C; Tension d'alimentation Vac:240V STATION DE SOUDAGE PRISE EU/UK 80W; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+160°C +480°C; Puissance de sortie:80W; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; Consommation de puissance:80W; Température, max..:480°C; Température, min.:160°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V STATION DE SOUDAGE PRISE EU/UK 60W; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+160°C +480°C; Puissance de sortie:60W; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro; Consommation de puissance:60W; Température, max..:480°C; Température, min.:160°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:220V FER A SOUDER 40W BLUE PRISE UK; Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+370°C +420°C; Tension, alimentation:240VAC; Type de fiche d'alimentation:UK; Connector Type:UK; Couleur:Bleu; Puissance:40W; Température, max..:420°C; Température, min.:370°C; Tension d'alimentation Vac:240V FER A SOUDER 40W BLUE PRISE EU; Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+420°C +460°C; Tension, alimentation:240VAC; Type de fiche d'alimentation:Euro; Connector Type:UE; Couleur:Bleu; Puissance:40W; Température, max..:460°C; Température, min.:420°C; Tension d'alimentation Vac:240V CLE A CHOC 12V PRISE ANGLAISE; Tension d'alimentation Vac:12V; Puissance:220W; Taille du porte-outil:0.5''; Type de fiche d'alimentation:UK; Capacité, batterie:2.6Ah; Couple:160Nm; Dimension mandrin:1/2''; Hauteur:320mm; Nombre de piles:2; Poids:4.2kg; Profondeur:100mm; Puissance de sortie:220 watts; Taux d'impacts, max..:2700BPM; Tension, alimentation c.c. max..:12V; Tension, batterie:12V; Type de pile:NiMH; Vitesse vide (tr/min):0-2400rpm KIT OUTILS + FER A SOUDER PRISE UK; Contenu du kit:Micro-Cutting Plier, Clean Cut Micro Nipper, Heavy Duty Long Nose Plier, Desoldering Pump, Solder Aid Tool Kit, Slot Screwdriver 2.0mm, Slot Screwdriver 2.5mm, Slot Screwdriver 3.0mm, Phillips Screwdriver PH00, Phillips Screwdriver PH0, Tamperfree Torx Screwdriver T5, Tamperfree Torx Screwdriver T6, Tamperfree Torx Screwdriver T7, Tamperfree Torx Screwdriver T8, Tamperfree Torx Screwdriver T10, Tamperfree Torx Screwdriver T15, Extremely Fine And KIT REPARATION + FER A SOUDER PRISE EURO; Contenu du kit:Digital Multimeter, Mains Tester, 40W Soldering Iron, Soldering Tip Cleaner, Desoldering Pump, VDE Combination Pliers, VDE Side Cutter, VDE Long Nose, Pliers, VDE Cable Stripper, Electrician Scissors, Utility Knife, VDE Slot Screwdriver, VDE Slot Screwdriver, VDE Phillips Screwdriver, VDE Phillips, Screwdriver, Ball-Point Hex Key Set, 2 PCS Tweezer Set, Utility Component Storage Box, Adjustable Wrench ENROULEUR HO5RRF 4 PRISES 16A 2P+T 10M; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Euro Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:32.8ft; Longueur de câble - Métrique:10m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Catégorie d'approbation:NF; Couleur:Noir / Orange; Couleur de connecteur:Noir / Orange; Longueur cordon:10m; Longueur câble:10m; Nombre de contacts:4; Nombre de sorties:4; Puissance, charge:3520W; Tension c.a.:250V; Type de con PRISE MURAL RJ11; Type de connecteur:RJ11; Genre:Embase; Nombre de ports:1; Terminaison du contact:Montage en surface; Connector Type:RJ11; Couleur:White; Ports, number of:1; Type de montage:Montage en surface PRISE DE MISE A LA TERRE; Nombre de bornes:1; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Type de borne:Stud MULTIPRISE PREMIUM ALU LINE; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:3m; Nombre de sorties:12; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur MULTIPRISE SUPER-SOLID-LINE; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:2.5m; Nombre de sorties:8; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur ENROULEUR 4 PRISES 16A 2P+T 40M; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Euro Socket; Tension:250V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:131.2ft; Longueur de câble - Métrique:40m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Catégorie d'approbation:NF; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Longueur cordon:40m; Longueur câble:40m; Nombre de contacts:4; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard BLOC 5 PRISES 2P+T16A + INTER 1,5M BLANC; Connecteur type A:French Plug; Connecteur type B:French Socket; Tension:230V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:4.92ft; Longueur de câble - Métrique:1.5m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Fiche Française; Connecteur type B:5 x Fiche Française; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Fréquence:50Hz; Longueur câble:1.50m; Nombre de sorties:5; Tension c.a.:230V; Type de connecteur:Réglette de BLOC 5 PRISES 2P+T16A + INTER 4M BLANC; Connecteur type A:French Plug; Connecteur type B:French Socket; Tension:230V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:13.12ft; Longueur de câble - Métrique:4m; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Fiche Française; Connecteur type B:5 x Fiche Française; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Fréquence:50Hz; Longueur câble:4m; Nombre de sorties:5; Tension c.a.:230V; Type de connecteur:Réglette de sort PRISE DE MISE A LA TERRE 3X10MM; Nombre de bornes:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MULTIPRISE PREMIUM LINE 60KA; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:3m; Nombre de sorties:6; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur DECAPEUR THERMIQUE 2000W+SAC PRISE EURO; Puissance, entrée:2kW; Heat Temperature Range:+50°C +650°C; Type de fiche d'alimentation:Euro; Débit d'air:250l/min or 500l/min; Poids:0.8kg; Puissance:2kW FER A SOUDER 40W BLACK PRISE UK; Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+420°C +460°C; Tension, alimentation:240VAC; Type de fiche d'alimentation:UK; Connector Type:UK; Couleur:Black; Puissance:40W; Température, max..:460°C; Température, min.:420°C; Tension d'alimentation Vac:240V KIT REPARATION + FER A SOUDER PRISE UK; Contenu du kit:Digital Multimeter, Mains Tester, 40W Soldering Iron, Soldering Tip Cleaner, Desoldering Pump, VDE Combination Pliers, VDE Side Cutter, VDE Long Nose, Pliers, VDE Cable Stripper, Electrician Scissors, Utility Knife, VDE Slot Screwdriver, VDE Slot Screwdriver, VDE Phillips Screwdriver, VDE Phillips, Screwdriver, Ball-Point Hex Key Set, 2 PCS Tweezer Set, Utility Component Storage Box, Adjustable Wrench BLOC 5 PRISES SANS CABLE + INTER BLANC; Connecteur type A:French Plug; Connecteur type B:French Socket; Tension:230V; Courant:16A; Couleur de la gaine:Blanc; Type de câble assemblé:Cordon électrique; Connecteur type A:Prise Française; Connecteur type B:5 x Prise Française; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Nombre de sorties:5; Tension c.a.:230V; Type de connecteur:Réglette de sortie standard PISTOLER AIR CHAUD PRISE EURO 230V; Puissance, entrée:210W; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+400°C +430°C; Type de fiche d'alimentation:Euro; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Puissance:210W VISSEUSE SS FIL 100 EMBOUTS PRISE UK; Contenu du kit:Cordless Driver & 100 Pieces Bits SCIE CIRCULAIRE 2200W PRISE EURO; Tension d'alimentation Vac:230V; Puissance, entrée:2200W; Type de scie:Circulaire; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre de la lame:235mm; Longueur:410mm; Poids:7.5kg; Profondeur, découpe 45° max.:65; Vitesse, vide:5000t/min PISTOLET A COLLE PRISE UK; Type d'accessoire:Adhesive Applicator; Type d'applicateur:Adhésif thermofusible; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Scotch Weld Hot Melt AE Adhesive Sticks CHARGEUR UNIVERSAL NICD/NI-MH PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:AAA/AA/C/D/PP3 Ni-CD/NiMH Batteries; Type de chargeur de batterie:Bureau; Technologies de batterie supportées:NiCd, NiMH; Tension, alimentation:230V; Tailles de batterie acceptées:AAA, AA, C, D, PP3; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:NiCd, NiMH MULTITOOL 230V PRISE UK; Type de fiche d'alimentation:UK; Gamme de vitesse max..:35000t/min; Gamme de vitesse min.:15000t/min; Nombre de vitesses:2; Poids:0.55kg; Puissance:125W; Tension d'alimentation Vac:230V; Vitesse, vide:35000t/min COMPRESSEUR 1.5KW 24L 230V PRISE EURO; Tension d'alimentation Vac:230V; Puissance, entrée:1.5kW; Pression de fonctionnement max..:8bar; Pression d'air recommandé max..:8bar; Pression de fonctionnement:8bar; Type d'accouplement pneumatique:Rapide MICROSCOPE NUMERIQUE MONITEUR PRISE EU; Magnification:10x 70x; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):240mm; Longueur:270mm; Longueur (entièrement allongée):270mm MULTIPRISE SUPER-SOLID-LINE; Genre:Connecteur mâle / Embase; Tension:230VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connecteur type A:Schuko Plug; Connecteur type B:Schuko Sockets; Connector Type:Euro; Couleur de la gaine:Noir; Longueur câble:2.5m; Nombre de sorties:5; Orientation du connecteur:Câble; Taille du conducteur:1.5mmË›; Tension c.a.:230VAC; Type de connecteur:Schuko; Type de câble assemblé:Secteur ULTRA SLIM ESD MAGNIFIER PRISE UK; Puissance:28W; Light Source:Fluorescente; Longueur:950mm; Diamètre, lentille:175mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) DREMEL 300 GIFT KIT 2010 PRISE UK FICHE MULTIPRISE X4 2X10/16A + 2X6A; Courant:16A; Calibre du Fusible:16A; Couleur de connecteur:Blanc; Tension c.a.:230V; Catégorie d'approbation:NF; Connector Type:IEC; Couleur:Blanc; Genre:Connecteur mâle; Nombre de sorties:2; Orientation du connecteur:Borne de raccordement rapide; Tension:230VAC; Terminaison du contact:Vis; Type de connecteur:Adaptateur AC SCIE SAUTEUSE 710W PRISE EURO; Puissance, entrée:710W; Type de scie:Sauteuse; Type de fiche d'alimentation:Euro; Capacité de coupe, acier:8mm; Capacité de coupe, alumin.um:20mm; Capacité de coupe, bois:100mm; Longueur cordon:4m; Vitesse de découpe:3000t/min; Vitesses coups/min:3000/min CHARGEUR UNIVERSAL NICD/NIMH PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:AAA/AA/PP3 Ni-CD/NiMH Batteries; Type de chargeur de batterie:Bureau; Technologies de batterie supportées:NiCd, NiMH; Tension, alimentation:240V; Tailles de batterie acceptées:AAA, AA, PP3; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:NiCd, NiMH CHARGEUR UNI LI-ION/LI-POLY PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:Li-Ion / Li-Polymer Batteries; Type de chargeur de batterie:Borne de raccordement; Technologies de batterie supportées:Lithium-Ion, Lithium-Polymère; Tension, alimentation:12VDC; Type de fiche d'alimentation:UK 3.6V LI-ION SCREWDRIVER PRISE UK; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité, batterie:1Ah; Couple max..:3Nm; Dimension mandrin:1/4''; Poids:0.3kg; Temps de charge:5h; Tension, batterie:3.6V; Type de pile:Lithium-Ion; Vitesse, vide:180t/min PISTOLET A COLLE 240V PRISE UK; Tension d'alimentation Vac:240V; Diamètre bâton de colle:11mm; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Poids:0.35kg VACUUM CLEANER 230V PRISE UK; Puissance:1.2kW; Débit:61l/s; Poids:12.7kg; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité:25l; Capacité (sec):20l; Débit d'air:61 l/sec ADAPTATEUR MULTI PRISE 18W 18V; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Puissance:18W; Gamme tension entrée VAC:90V 264V; Tension, sortie:18V; Courant, sortie:1A; Connecteur de sortie:2,1 mm x 5,5 mm x 12 mm; Type de fiche d'alimentation:UK / Euro / US; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Connecteur mâle 2,1 mm; Montage alimentation:Borne de raccordement; Tension d'alimentation typique:110V AC / 230V AC; Tension d'entrée:90V AC 264V AC; Type de montage:Borne de raccordement rapide CHARGEUR 1 HOUR FAST NICD/NIMH PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:AAA/AA/PP3 Ni-CD/NiMH Batteries; Type de chargeur de batterie:Bureau; Technologies de batterie supportées:NiCd, NiMH; Tension, alimentation:13.8VDC; Tailles de batterie acceptées:AAA, AA, PP3; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:NiCd, NiMH CHARGEUR 12V LEAD ACID 420MA PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:Lead Acid Batteries; Type de chargeur de batterie:Lead Acid; Technologies de batterie supportées:Plomb acide; Tension, alimentation:230V; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:Plomb acide; Tension, sortie:12V 10.8V LI-ION SCREWDRIVER PRISE UK; Tension, batterie:10.8V; Couple max..:25Nm; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité de perçage dans de l'acier:8mm; Capacité de perçage dans du bois:20mm; Poids:0.95kg; Tension VDC:10.8V; Vitesse, vide:410t/min IMPACT DRILL 500W 240V PRISE UK; Tension d'alimentation Vac:230V; Taille du porte-outil:13mm; Capacité de perçage dans de l'acier:8mm; Capacité de perçage dans du bois:25mm; Capacité de perçage:10mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Chuck Type:Autoserrant; Couple max..:7.5Nm; Poids:1.6kg; Puissance de sortie:228W; Puissance, entrée:500W; Taux d'impacts, max..:48.000BPM; Vibration:33m/sË›; Vitesse vide (tr/min):1st Gear 0 - 50 / 2nd Gear 0 - 3000 rpm; Vitesse, vide:3000t/min 14.4V LI-ION COMBI DRILL PRISE UK; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité de perçage:10mm; Capacité de perçage dans de l'acier:13mm; Capacité de perçage dans du bois:30mm; Capacité, vissage:8mm; Couple max..:40Nm; Tension, alimentation c.c.:14.4V 10.8V IMPACT DRIVER LI-ION PRISE UK; Tension, batterie:10.8V; Couple max..:105Nm; Capacité:1.3Ah; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Poids:1kg; Taux d'impacts, max..:3.1BPM; Vitesse, vide:2.6t/min 14.4V COMBI DRILL LI-ION, PRISE UK; Taille du porte-outil:10mm; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Capacité de perçage:10mm; Capacité de perçage dans de l'acier:10mm; Capacité de perçage dans du bois:25mm; Couple max..:38Nm; Gamme de vitesse max..:400t/min; Gamme de vitesse min.:0t/min; Poids:1.4kg; Taux d'impacts, max..:21000BPM; Tension, alimentation c.c.:14.4V PISTOLET A COLLE 230V 7MM STICK PRISE UK; Tension d'alimentation Vac:240V; Diamètre bâton de colle:7mm; Type de fiche d'alimentation:UK; Poids:140g PISTOLET A COLLE 11MM STICK PRISE UK; Tension d'alimentation Vac:240V; Diamètre bâton de colle:11mm; Type de fiche d'alimentation:UK; Poids:240g PRISE UTE. 1U; Type de connecteur:Schuko; Nombre de sorties:9; Tension c.a.:230V; Courant:16A; Couleur de connecteur:Gris; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur:438.5mm; Tension, alimentation:230V COMPRESSEUR 1.5KW 24L 230V PRISE EURO; Puissance, entrée:1.5kW; Pression de fonctionnement max..:8bar; Capacité:24l PRISE SCHUKO. 1U; Type de connecteur:Schuko; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:230V; Courant:16A; Couleur de connecteur:Gris; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Longueur:210mm; Tension, alimentation:230V MICROSCOPE NUMERIQUE USB PRISE EU; Magnification:20x 120x; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur (externe):240mm; Longueur (entièrement allongée):270mm DREMEL 300 TUBE KIT 2010 PRISE UK CHARGEUR AA/AAA NICD/NIMH PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:AAA/AA Ni-CD/NiMH Batteries; Type de chargeur de batterie:Borne de raccordement; Technologies de batterie supportées:NiCd, NiMH; Tension, alimentation:13.8VDC; Tailles de batterie acceptées:AAA, AA; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:NiCd, NiMH CHARGEUR UNIVERSAL DESKTOP PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:AAA/AA/C/D/PP3 Ni-CD/NiMH Batteries; Type de chargeur de batterie:Bureau; Technologies de batterie supportées:NiCd, NiMH; Tension, alimentation:240VAC; Tailles de batterie acceptées:AAA, AA, C, D, PP3; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:NiCd, NiMH CHARGEUR 12V LEAD ACID 220MA PRISE UK; Type d'accessoire:Battery Charger; A utiliser avec:Lead Acid Batteries; Type de chargeur de batterie:Lead Acid; Technologies de batterie supportées:Plomb acide; Tension, alimentation:230V; Type de fiche d'alimentation:UK; Technologie de la batterie:Plomb acide; Tension, sortie:12V 14.4V LI-ION DRILL DRIVER PRISE UK; Tension, batterie:14.4V; Capacité de perçage dans de l'acier:10mm; Capacité de perçage dans du bois:25mm; Couple max..:28Nm; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Vitesse, vide:450t/min PRISE MURALE MARON PQT40; Fermeture des matériaux:Nylon; Couleur:Brown; Longueur/hauteur:45mm; Matière:Nylon; Taille de perçage:7mm; Vis correspondante:5 - 6mm SCIE SAUTEUSE 570W PRISE EURO; Longueur, lame:8.5''; Type de scie:Sauteuse; Cadence de charge par minute:2700; Capacité de coupe, acier:10mm; Capacité de coupe, bois:135mm; Poids:2.8kg; Tension, batterie:18V; Type de pile:Lithium-Ion; Vitesses coups/min:2700 PINCE MULTIPRISE 10; Type de pince:Joint rainuré; Ecartement des machoires:45mm; Longueur, machoire:36mm; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Handle Type:Blindé; Poids:453g PINCE MULTIPRISE 12; Type de pince:Joint rainuré; Ecartement des machoires:55mm; Longueur, machoire:52mm; Longueur, hors tout:300mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Handle Type:Blindé; Poids:745g MULTIPRISE UK; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Action de commutation:SPST; Calibre du Fusible:13A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Largeur (externe):315mm; Longueur cordon:2m; Lo MULTIPRISE UK; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:UK Mains Socket; Tension:250V; Courant:13A; Couleur de la gaine:Blanc; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Action de commutation:SPST; Calibre du Fusible:13A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:UK Sockets x 4; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Blanc; Couleur de connecteur:Blanc; Largeur (externe):315mm; Longueur cordon:2m; PINCE MULTIPRISE; Type de pince:Pompe eau; Ecartement des machoires:52mm; Longueur, machoire:35mm; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:250mm; Longueur en pouces:10''; Normes:DIN 5231 PINCE MULTIPRISE AUTOREGLABLE; Taille AF - Métrique:23mm; Longueur:170mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:28mm FER A SOUDER 25W (PRISE UK); Puissance de sortie:25W; Heat Temperature Range:+430°C; Type de fiche d'alimentation:UK; Température de fonctionnement max..:430°C; Tension d'alimentation Vac:230V FER A SOUDER 60W (PRISE UK); Puissance de sortie:60W; Heat Temperature Range:+520°C; Type de fiche d'alimentation:UK; Température de fonctionnement max..:520°C; Tension d'alimentation Vac:230V PRISE INDUSTRIELLE 16A BLEU 90DEG; Série:Commando; Genre:Connecteur mâle; Tension:250V; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Type:Broche; Couleur:Bleu; Courant efficace max.:16A; Fréquence, fonctionnement:50Hz; IP / NEMA Rating:IP44; Largeur (externe):64mm; Longueur/hauteur:107mm; Nombre de broches:3; Nombre de contacts:3; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Normes:BS4343, 1992/BS EN60309-2, CEE17, IEC309; Orientati BLOC MULTIPRISES 4 VOIES 13A NOIR; Type de connecteur:Réglette de sortie standard; Matériau du corps du connecteur:ABS (Acrylonitrile-butadiène-styrène) / Polycarbonate; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Courant:13A; Couleur de connecteur:Noir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Calibre du Fusible:13A; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Noir; Courant, total:13A; Genre:Embase; Largeur (externe):315mm; Longueur/hauteur:31mm; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Normes:BS1363A; Or MULTIPRISE UK; Type de connecteur:Réglette de sortie standard; Matériau du corps du connecteur:ABS (Acrylonitrile-butadiène-styrène) / Polycarbonate; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Courant:13A; Couleur de connecteur:Noir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Action de commutation:SPST; Calibre du Fusible:13A; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Noir; Courant, total:13A; Genre:Embase; Largeur (externe):315mm; Longueur/hauteur:31mm; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Normes:BS1 MULTIPRISE UK; Type de connecteur:Réglette de sortie standard; Matériau du corps du connecteur:ABS (Acrylonitrile-butadiène-styrène) / Polycarbonate; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Courant:13A; Couleur de connecteur:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Action de commutation:SPST; Calibre du Fusible:13A; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Blanc; Courant, total:13A; Genre:Embase; Largeur (externe):315mm; Longueur/hauteur:31mm; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Normes:B PRISE LIBRE; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M12; Matériau du corps du connecteur:Polyamide; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de pâles:4; Nombre de voies PRISE CABLE; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Polyamide; Genre:Embase; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Etain; Approval Bodies:UL; Connector Type:Circulaire; Contact Material:CuZn; Contact Plating:Etain; Contact Type:Fiche; Couleur:Black; Courant:4A; Diamètre, câble max..:8mm; Diamètre, câble min.:6mm; IP / NEMA Rati FER A SOUDER 40W (PRISE UK); Puissance de sortie:40W; Heat Temperature Range:+460°C; Type de fiche d'alimentation:UK; Température de fonctionnement max..:460°C; Tension d'alimentation Vac:230V PINCE MULTIPRISE 14; Type de pince:Joint rainuré; Ecartement des machoires:55mm; Longueur, machoire:52mm; Longueur, hors tout:350mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Handle Type:Blindé; Poids:790g PINCE MULTIPRISE 165MM; Type de pince:Pompe eau; Ecartement des machoires:32mm; Longueur, machoire:23mm; Longueur, hors tout:165mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:32mm; Longueur:165mm; Poids:160g MULTIPRISE IEC; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:Douille IEC; Tension:250V; Courant:10A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:IEC Sockets x 6; Contact Material:Laiton, Plaqué nickel; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Insulator Material:Noryl; Largeur (externe):228mm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; Lon MULTIPRISE IEC; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Douille IEC; Tension:250V; Courant:10A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Connecteur type A:Schuko Plug R/A; Connecteur type B:IEC Sockets x 6; Contact Material:Laiton, Plaqué nickel; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Insulator Material:Noryl; Largeur (externe):228mm; Longueur cordon:2m; Longueur câ PRISE LIBRE; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M8; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M8; Nombre de contacts:3; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; IP / NEMA Rating:IP67 DIN 40050; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voies:3; Normes:DIN/VDE 0660 part PINCE MULTIPRISE ISOLEE 1000V. 250MM; Type de pince:Joint coulissant; Ecartement des machoires:35mm; Longueur, machoire:33mm; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) PRISE APPAREIL; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:CuZn/Ni; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:A souder; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Approval Bodies:UL; Connector Type:Circulaire; Contact Material:CuZn; Contact Plating:Or; Contact Type:Broche; Couleur:Silver; Courant:4A; IP / NEMA Rating:IP67; Inflammabilité:UL94V-2; Longu PRISE APPAREIL; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:CuZn/Ni; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Approval Bodies:UL; Connector Type:Circulaire; Contact Material:CuZn; Contact Plating:Or; Contact Type:Broche; Couleur:Silver; Courant:4A; IP / NEMA Rating:IP67; Inflammabilité:UL94V-2; Longueur MINI HUB 4 PORTS USB 2.0 PRISE UK; Nombre de ports:4; Style de hub:Alimenté; Contenu du kit:Hub, software and guide, Uk Plug; Hub alimenté:USB 2.0; Largeur (externe):72mm; Longueur/hauteur:17mm; Ports, number of:4; Profondeur:51mm PRISE IP68 MONTAGE PANNEAU USB TYPE A; Type de connecteur:USB 2.0 A; Série:Buccaneer; Nombre de contacts:4; Montage connecteur:Suspendu; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Plating:Nickel; Catégorie d'approbation:IP68, EN60529 (when mated); Connecteur type A:USB 2.0 A; Connecteur type B:USB 2.0 B; Connector Type:USB; Courant:1A; Diamètre, accouplement:38.1mm; Epaisseur, panneau max..:5.2mm; Epaisseur, panneau min.:0.8mm; IP / NEMA Rating:IP68; Inf PRISE CHASSIS 4 VOIES; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:Buccaneer; Matériau du corps du connecteur:Nylon; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:UL94V-0; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:32A; Force diélectrique, Vca:2 BLOC MULTIPRISES 4WAY 13A BLANC; Type de connecteur:Réglette de sortie standard; Matériau du corps du connecteur:ABS (Acrylonitrile-butadiène-styrène) / Polycarbonate; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Courant:13A; Couleur de connecteur:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Action de commutation:SPST; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Blanc; Courant, total:13A; Genre:Embase; Largeur (externe):315mm; Longueur/hauteur:31mm; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Normes:BS1363A PISTOLET A AIR CHAUD 230V PRISE UK; Puissance, entrée:1.8kW; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+100°C +550°C; Type de fiche d'alimentation:UK; Débit d'air:250-550 l/min; Poids:570g; Puissance:1.8kW; Puissance de sortie:1800W; Tension c.a.:230V PISTOLET A AIR CHAUD 230V PRISE UK; Puissance, entrée:2kW; Tension d'alimentation Vac:230V; Heat Temperature Range:+80°C +650°C; Type de fiche d'alimentation:UK; Débit d'air:200-550 l/min; Poids:620g; Puissance:2kW; Puissance de sortie:2000W; Tension c.a.:230V PRISE SEULE 2+E; Genre:Embase; Nombre de contacts:2; Nombre de rangées:1; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Cuivre / zinc; Plaquage du contact:Nickel; Body Plating:Etain; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Laiton; Courant:16A; Diamètre, câble max..:6.5mm; IP / NEMA Rating:IP54; Matière:Polyamide; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de contacts de puissance:2; Nombre de contacts de terre:1; Nombre de positions:2; Nombre de voies:2+PE; Orientation PINCE MULTIPRISE ALLIGATOR ISOLEE; Type de pince:Alligator; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:250mm; Longueur en pouces:10''; Poids:350g RACCORD PRISE 6MM; Type d'accouplement:Plug; Diamètre extérieur:6mm; Matière:Plastic; Taille applicable:6mm RACCORD PRISE 8MM; Type d'accouplement:Plug; Diamètre extérieur:8mm; Matière:Plastic; Taille applicable:8mm RACCORD PRISE 10MM; Type d'accouplement:Plug; Diamètre ext du tube:10mm; Diamètre extérieur:10mm; Matière:Plastic; Taille applicable:10mm RACCORD PRISE 12MM; Type d'accouplement:Plug; Diamètre extérieur:12mm; Matière:Plastic; Taille applicable:12mm PINCE MULTIPRISE AUTOREGLABLE; Taille AF - Métrique:38mm; Longueur:230mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:45mm PRISE MOBILE 2P+T 16A 220V PLASTIQUE; Genre:Embase; Tension:250VAC; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Fil; Contact Type:Fiche; Couleur:Bleu; Matière:Plastique; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Normes:CEI 309-1/309-2 et EN60309-1/EN60; Orientation du connecteur:Câble; Type de montage:Câble PRISE MOBILE 3P+N+T 32A 380V; Genre:Embase; Tension:415V; Courant:32A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Fil; Contact Type:Fiche; Nombre de pâles:5; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:Câble; Type de montage:Câble PINCE MULTIPRISE ISOLEE; Type de pince:Pompe eau; Ecartement des machoires:52mm; Longueur, machoire:35mm; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Longueur:250mm PRISE DE SURFACE RJ45 8/8 VOIES; Genre:Embase; Nombre de contacts:8; Nombre de positions:8; Terminaison du contact:Vis; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or sur nickel; Couleur:Beige; Couleur de la gaine:Bleu,orange,noir,rouge,vert,jaune,marron,gris; Méthode de terminaison:Borne vis; Nombre de voies:8 FER A SOUDER 25W (PRISE UK); Puissance de sortie:25W; Heat Temperature Range:+400°C; Type de fiche d'alimentation:UK; Température de fonctionnement max..:400°C; Tension d'alimentation Vac:230V BLOC MULTIPRISES 4WAY 13A BLANC; Type de connecteur:Réglette de sortie standard; Matériau du corps du connecteur:ABS (Acrylonitrile-butadiène-styrène) / Polycarbonate; Nombre de sorties:4; Tension c.a.:250V; Courant:13A; Couleur de connecteur:Blanc; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Calibre du Fusible:13A; Contact Material:Laiton solide; Couleur:Blanc; Courant, total:13A; Genre:Embase; Largeur (externe):315mm; Longueur/hauteur:31mm; Nombre de canaux de sortie:4; Nombre de sorties:4; Normes:BS1363A; Or PINCE MULTIPRISE; Type de pince:Pompe eau; Ecartement des machoires:46mm; Longueur, machoire:35mm; Longueur, hors tout:240mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) RACCORD PRISE 4MM; Type d'accouplement:Plug; Diamètre extérieur:4mm; Matière:Plastic; Taille applicable:4mm PINCES MULTIPRISES; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Ecartement des machoires:30mm; Longueur:175mm; Longueur, hors tout:175mm; Normes:DIN 5231D et ISO 8976 FER A SOUDER 15W 230V PRISE UK; Puissance de sortie:15W; Heat Temperature Range:+370°C; Tension, alimentation:230VAC; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Black; Diamètre:23mm; Longueur:200mm; Longueur cordon:1.5m; Longueur câble:1.5m; Longueur, corps:122mm; Longueur, poignée:122mm; Poids:170g; Puissance:15W; Température de fonctionnement max..:370°C; Température, max..:370°C; Tension, rupture max..:2500V; Tension d'alimentation Vac:230V; Type de panne:Biseau FER A SOUDER 25W 230V PRISE UK; Puissance de sortie:25W; Heat Temperature Range:+390°C; Tension, alimentation:230VAC; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Black; Diamètre:23mm; Longueur:200mm; Longueur cordon:1.5m; Longueur câble:1.5m; Longueur, corps:122mm; Longueur, poignée:122mm; Poids:180g; Puissance:25W; Température de fonctionnement max..:390°C; Température, max..:390°C; Tension, rupture max..:2500V; Tension d'alimentation Vac:230V; Type de panne:Biseau PRISE INDUSTRIELLE 16A BLEUE IP67; Série:Commando; Genre:Connecteur mâle; Tension:250V; Courant:16A; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Type:Broche; Couleur:Bleu; Courant efficace max.:16A; Diamètre du corps:66mm; IP / NEMA Rating:IP67; Insulator Material:Polyamide; Longueur/hauteur:109mm; Matière:Polycarbonate; Nombre de broches:3; Nombre de contacts:3; Nombre de pâles:3; Nombre de voies:3; Normes:BS4343, 1992/EN60309-2, CEE17, MULTIPRISE IEC; Connecteur type A:Prise européenne; Connecteur type B:Douille IEC; Tension:250V; Courant:6A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:6.3A; Connecteur type A:Schuko Plug R/A; Connecteur type B:IEC Sockets x 5; Contact Material:Laiton, Plaqué nickel; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Insulator Material:Noryl; Largeur (externe):228mm; Longueu PRISE DE SURFACE RJ11 6/4 VOIES; Genre:Embase; Nombre de contacts:4; Nombre de positions:6; Terminaison du contact:Vis; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur:Beige; Couleur de la gaine:Blanc, noir, rouge, vert, jaune, bleu; Méthode de terminaison:Borne vis; Nombre de voies:6 PRISE DE SURFACE RJ12 6/6 VOIES; Genre:Embase; Nombre de contacts:6; Nombre de positions:6; Terminaison du contact:Vis; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur:Beige; Couleur de la gaine:Blanc, noir, rouge, vert, jaune, bleu; Méthode de terminaison:Borne vis; Nombre de voies:6 PINCE MULTIPRISE; Type de pince:Pompe eau; Longueur, hors tout:250mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:1.625''; Longueur:250mm; Normes:DIN ISO 8976; Poids:290g CONDAMNATION PRISE ELEC. PETIT; Type de verrouillage:Prise électrique; Matériau verrou:PP (Polypropylène); Couleur verrou:Rouge; Couleur:Red; Largeur (externe):50mm; Longueur/hauteur:90mm; Matière:Polypropylene; Profondeur:50mm PRISE LIBRE; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M12; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de pâles:4; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Câble; Résist PRISE LIBRE; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M12; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de pâles:4; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Câble; Résist CONDAMNATION PRISE ELEC. GRAND; Type de verrouillage:Prise électrique; Matériau verrou:PP (Polypropylène); Couleur verrou:Rouge; Couleur:Red; Largeur (externe):80mm; Longueur/hauteur:180mm; Matière:Polypropylene; Profondeur:80mm DRIVER DE LIGNE RS232/422 MALE PRISE UK; Convertir de:RS-232; Convertir vers:RS-422; Couleur:Noir; Distance de fonctionnement:2km PRISE LIBRE; Type de connecteur:Industriel circulaire; Série:E Series M12; Matériau du corps du connecteur:Nylon; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Nickel; Connector Type:Circulaire; Contact Material:Cuivre zinc; Contact Plating:Nickel; Contact Type:Broche; Courant:4A; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de pâles:4; Nombre de voies:4; HEAT GUN, 2 SPEED PRISE UK; Puissance, entrée:1.6kW; Tension d'alimentation Vac:240V; Heat Temperature Range:+300°C +500°C; Débit d'air:240/500 l/min.; Hauteur:200mm; Largeur (externe):240mm; Poids:700g; Profondeur:89mm; Puissance:1.6kW; Tension c.a.:240V PRISE APPAREIL; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Alliage de cuivre zinc; Genre:Embase; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Suspendu; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:5; Terminaison du contact:A souder; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Approval Bodies:UL; Connector Type:Circulaire; Contact Material:CuZn; Contact Plating:Or; Contact Type:Fiche; Couleur:Silver; Courant:4A; IP / NEMA Rating:IP67; Inflammabilité:UL94V-2; L PINCE MULTIPRISES COBRA 180MM; Type de pince:Pompe eau; Longueur, hors tout:180mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:1.25''; Longueur:180mm; Normes:DIN ISO 8976; Poids:170g PRISE RCD; Tension c.a.:230V; Courant:13A; Calibre du Fusible:13A; Courant, déclenchement:30mA; Normes:non-latching; Puissance:3.12kW; Temps de déplacement:30ms PRISE APPAREIL; Type de connecteur:Industriel circulaire; Matériau du corps du connecteur:Alliage de cuivre zinc; Genre:Embase; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Suspendu; Taille du connecteur:M12; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Approval Bodies:UL; Connector Type:Circulaire; Contact Material:CuZn; Contact Plating:Or; Contact Type:Fiche; Couleur:Silver; Courant:4A; IP / NEMA Rating:IP67; Inflammabilité:UL94V-2; Longue PINCE MULTIPRISES COBRA 300MM; Type de pince:Pompe eau; Longueur, hors tout:300mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Ecartement des machoires:2''; Longueur:300mm; Normes:DIN ISO 8976; Poids:530g CHARGEUR BASIC 4 PLUS PRISE UK; Type d'accessoire:Chargeur; A utiliser avec:Batterie 1-4 NiCd ou NiMH; Type de chargeur de batterie:Borne de raccordement; Technologies de batterie supportées:NiCd, NiMH; Tension, alimentation:230VAC; Tailles de batterie acceptées:AA, AAA, PP3; Type de fiche d'alimentation:UK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:150mA; Largeur (externe):68mm; Longueur/hauteur:120mm; Profondeur:81mm; Technologie de la batterie:NiCd, NiMH; Tension, alimentation max..:240VAC; PRISE PERITEL; Type de connecteur:Amplificateur RC / Phono; Nombre de contacts:20; Genre:Connecteur mâle; Plaquage du contact:Etain; Matériau du corps du connecteur:Plaque d'acier nickelé, protecteur de contact en polypropylène; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:RCA / Phono; Contact Material:Cuivre / Alliage de nickel; Contact Plating:Etain; Courant:1.5A; Insulator Material:Polycarbonate; Matière:Acier plaqué nickel, enveloppe en polypropylène; Nombre de positions:20; Nombre de pâles:20 PRISE MURALE ROUGE PQT40; Fermeture des matériaux:Nylon; Couleur:Red; Longueur/hauteur:35mm; Matière:Nylon; Taille de perçage:5.5mm; Vis correspondante:3.5 - 5mm PISTOLET A AIRE CHAUD 230V PRISE UK; Température, max..:570°C; Poids:700g; Heat Temperature Range:+50°C +570°C; Puissance, entrée:1.8kW; Tension d'alimentation Vac:230V; Type de fiche d'alimentation:UK SMB/PRISE DROITE A ECROU; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A pince / A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-174A/U, RG-188A/U, RG-316/U, Raychem 5026A1318, 5026A1331, 5026A1631, CLFH316, EPD26995Q, URM95; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Méthode de terminaison:A pince / A souder; Orientation du conne SMB/PRISE MONTAGE AVANT A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle droit; Impédance:50ohm; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de corps:Straight Jack; Type de câble coaxial:174A/U, 188A/U, 316/U, URM 95; Type de montage:Suspendu PRISE FEMELLE SMA DROITE RG405; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-405, 0.085'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Câble; Body Plating:Or; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or; Fréquence, fonctionnement max..:18GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:Stainless Steel; PRISE FILTREE IEC + FUSIBLE 4A; Type de filtre:Secteur; Courant:4A; Capacité:470è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / TUV / UL; Courant de fuite:350è¾A; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):33.4mm; Longueur/hauteur:65mm; Nombre de phases:Une; Profondeur:57.8mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab SMB/PRISE MONTAGE ARRIERE A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Impédance:50ohm; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de montage:Suspendu PRISE FEMELLE. FME RG58C/U; Type de connecteur:Coaxial FME; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58C, RG-141A, URM-43, 76, Belden 9907; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial FME; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Fréquence, fonctionnement max..:2.0GHz; Insulator Material:Delrin; Matière du diélectrique:Delrin PRISE FEMELLE. FME RG174A/U; Type de connecteur:Coaxial FME; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-174A, RG-188A, RG-316; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial FME; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or; Fréquence, fonctionnement max..:2.0GHz; Insulator Material:Delrin; Matière du diélectrique:Delrin; Matériau, co PRISE TWINAX MONTAGE AVANT ISOLEE; Type de connecteur:Twinaxial, Coaxial; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Montage connecteur:Suspendu; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Twinaxial, Coaxial; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de connecteur coaxial:TWINAX 70; Type de montage:Suspendu PRISE TWINAX MONTAGE AVANT; Type de connecteur:Twinaxial, Coaxial; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Montage connecteur:Suspendu; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Twinaxial, Coaxial; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de connecteur coaxial:TWINAX 70; Type de montage:Suspendu PRISE TWINAX MONTAGE ARRIERE ISOLEE; Type de connecteur:Twinaxial, Coaxial; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Montage connecteur:Suspendu; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Twinaxial, Coaxial; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de connecteur coaxial:TWINAX 70; Type de montage:Suspendu PRISE MALE DROITE 75R CT100; Type de connecteur:Coaxial F; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:Verrouillé par rotation; Impédance:75ohm; RG Cable Type:CT100; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial F; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Fréquence, fonctionnement max..:2GHz; Insulator Material:Polyéthylène; Matériau, corps de la fiche:Zinc Alloy; Mé PRISE MALE DROITE 75R RG59B/U; Type de connecteur:Coaxial F; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:75ohm; RG Cable Type:RG-140/U, RG-210/U, RG-59B/U, RG-62A/U, 9291, Belden 9291, KX 25, KX 52, KX 53, KX 6A, URM90; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial F; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Fréquence, fonctionnement max..:2GHz; In PRISE MALE DROITE 75R CT125; Type de connecteur:Coaxial F; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:Verrouillé par rotation; Impédance:75ohm; RG Cable Type:CT125; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial F; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Fréquence, fonctionnement max..:2GHz; Insulator Material:Polyéthylène; Matériau, corps de la fiche:Zinc Alloy; Mé PRISE MALE DROITE 75R CT125; Type de connecteur:Coaxial F; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:75ohm; RG Cable Type:CT125; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial F; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Fréquence, fonctionnement max..:2GHz; Insulator Material:Polyéthylène; Matériau, corps de la fiche:Zinc Alloy; Méthode de termin PRISE MALE DROITE 75R RG59B/U; Type de connecteur:Coaxial F; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:Verrouillé par rotation; Impédance:75ohm; RG Cable Type:RG-140/U, RG-210/U, RG-59B/U, RG-62A/U, 9291, Belden 9291, KX 25, KX 52, KX 53, KX 6A, URM90; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Plaquage du contact:Etain; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial F; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Etain; Fréquence, fonctionnement PRISE COUDEE MALE SMA; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle de cloison angle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-178, RG-178LC, RG-196; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur cuivre; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Orientation du connecteur:Câble; T PRISE DROITE SMA FEMELLE POUR 2.6/50/D; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Orientation du connecteur:Câble; Rési CHARGEUR PRISE ANGLAISE; Type d'accessoire:Charger; A utiliser avec:Power Tool Batteries; Type de chargeur de batterie:Borne de raccordement; Technologies de batterie supportées:NiCd; Tension, alimentation:230V; Type de fiche d'alimentation:UK PRISE DROITE SMA FEMELLE POUR 5/50S; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur mâle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur cuivre; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Orientation du connecteur:Câble; SMA/PRISE DROITE A SOUDER CAB .085; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-405, 0.085'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Or; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Insulator Material:PTFE; Matière:Laiton; Méthode de terminaison:A souder; BNC50/PRISE DROITE CABLE 2.6/50+75; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Insulator Material:PTF N50/PRISE DROITE A PLATINE CAB 2.6/50S+D; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:BBR; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:Lai SHV/PRISE DROITE MALE A PLATINE CAB 5/50; Type de connecteur:Coaxial SHV; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:2GHz; Montage connecteur:Câble; Fréquence, fonctionnement max..:2GHz; Matière:Laiton nickelé; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Orientation du connecteur:Câble; Température de fonctionnement max..:165°C; Température d'utilisation TNC/PRISE DROITE ETANCHE CABLE 2.6/50; Type de connecteur:Coaxial TNC; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:TNC, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:L N50/PRISE DROITE CABLE 10+11/50+75S+D; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-11, RG-144, RG-165, RG-213, RG-214, RG-216, RG-225, RG-393; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Câble; Body Plating:BBR; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Ins N50/PRISE DROITE ETANCHE CAB 2.6/50+75; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:BBR; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material: SMA/PRISE DROITE A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-405, 0.085'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG405/U, RG4 SMA/PRISE DROITE A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-402, 0.141'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG402/U, RG4 SMA/PRISE DROITE A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur mâle bride droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-402, 0.141'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de câble coaxial:R BNC/PRISE DROITE A PRESSE-ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141, RG-142, RG-142FTX, RG-223, RG-400; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du conn SMA/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir / A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A sertir / A souder; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial: SMA/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-142, RG-142FTX, RG-223, RG-400; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A sertir; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG5 N/PRISE DROITE A PRESSE-ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-11, RG-144, RG-165, RG-213, RG-214, RG-216, RG-225, RG-393; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du connecte BNC50/PRISE DROITE A SERTIR CAB 2.6/50S; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-174; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:La BNC50/PRISE DROITE A PE CABLE 5/50; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141, RG-142, RG-142FTX, RG-223, RG-400; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Or; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Insul TNC/PRISE DROITE A PE CABLE 5/50S; Type de connecteur:Coaxial TNC; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:TNC, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:Laiton; Méthode de terminaison:Pince TNC/PRISE DROITE A PLATINE CAB 2.6/50+75; Type de connecteur:Coaxial TNC; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:TNC, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:L SMA/PRISE DROITE A SERT/SOUD CAB 2.6/50S; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir / A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Or; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:12.4kHz; Insulator Material:PTF BNC50/PRISE DROITE CAB 2.6/50+75; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Insulator Material:PTFE; BNC50/PRISE DROITE A PE CABLE 2.6/50; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Or; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Insulator Material:PT BNC75/PRISE DROITE A SERTIR CAB 2.6/75; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:75ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:1.5GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:Nickel; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:1GHz; Insulator Material:PTFE; Matière:Lai N50/PRISE DROITE A PLATINE CAB 5/50S+D; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141, RG-142, RG-142FTX, RG-223, RG-400; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:BBR; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insu N50/PRISE DROITE ETANCHE CAB 2.6/50+75; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Body Plating:BBR; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:11GHz; Insulator Material: MULTIPRISE IEC 2M 6 VOIES; Connecteur type A:UK Plug; Connecteur type B:Douille IEC; Tension:250V; Courant:10A; Couleur de la gaine:Noir; Longueur de câble - Impérial:6.56ft; Longueur de câble - Métrique:2m; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de câble assemblé:Secteur; Calibre du Fusible:10A; Connecteur type A:UK Mains Plug; Connecteur type B:IEC Sockets x 6; Contact Material:Laiton, Etamé; Couleur:Noir; Couleur de connecteur:Noir; Largeur (externe):40.1mm; Longueur cordon:2m; Longueur câble:2m; L SMB/PRISE DROITE A PRESSE ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-178, RG-178LC, RG-196; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG178 B/U, RG196 A/U, U SMA/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A sertir; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG58 C/U, RG141 A/U, RG SMA/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir / A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-174, RG-174FTX, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:12.4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A sertir / A souder; Orientation du connecteur SMA/PRISE DROITE A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-402, 0.141'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de câble coa BNC/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Méthode de terminaison:A sertir; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG58 C/U, RG141 A/U, RG303/U, URM43, URM72, URM76, URM108, URM BNC/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:75ohm; RG Cable Type:RG-59; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:1.5GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:1.5GHz; Méthode de terminaison:A sertir; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble c N/PRISE DROITE A PLATINE/PRESSE-ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-11, RG-144, RG-165, RG-213, RG-214, RG-216, RG-225, RG-393; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du con N/PRISE DROITE PANNEAU A PRESSE-ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial N; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141, RG-142, RG-142FTX, RG-223, RG-400; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:N, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du connecteur:Su SMB/PRISE DROITE A PRESSE ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-178, RG-178LC, RG-196; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG178 B/U, RG196 A/U, URM110, KX21 SMB/PRISE DROITE A PRESSE ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG174 A/U, RG142, RG188 A/U, SMB/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial SMB; Style de corps:Connecteur femelle droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-179, RG-187, RG-188, RG-316; Matériau du contact:Laiton; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Câble; Connector Type:SMB, Coaxial; Contact Material:Laiton; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A sertir; Orientation du connecteur:Câble; Type de câble coaxial:RG174 A/U, RG142, RG188 A/U, SMA/PRISE DROITE A SOUDER; Type de connecteur:Coaxial SMA; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A souder; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-405, 0.085'' Semi-Rigid; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:18GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:SMA, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:A souder; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de câble coa BNC/PRISE DROITE A SERTIR; Type de connecteur:Coaxial BNC; Style de corps:Connecteur femelle de cloison droit; Terminaison RF coaxiale:A sertir; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:4GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:Coaxial BNC; Contact Plating:Or sur nickel; Fréquence, fonctionnement max..:4GHz; Méthode de terminaison:A sertir; Orientation du connecteur:Suspendu; Type de câble coaxial:RG58 C/U, RG141 A/U, RG303/U, URM43, URM72, U TNC/PRISE DROITE A PRESSE-ETOUPE; Type de connecteur:Coaxial TNC; Style de corps:Connecteur femelle bride droit; Terminaison RF coaxiale:Pince; Impédance:50ohm; RG Cable Type:RG-58, RG-141, RG-142, RG-142FTX, RG-223, RG-400; Matériau du contact:Cuivre-béryllium; Plaquage du contact:Or; Fréquence, max..:11GHz; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:TNC, Coaxial; Contact Material:Cuivre-béryllium; Contact Plating:Or sur nickel; Méthode de terminaison:Pince; Orientation du connecteur:Suspend BAGUE ORANGE POUR CONNECTEUR XLR; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Orange BAGUE DE COULEUR BLEU POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Bleu BAGUE DE COULEUR BLANCHE POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Blanc BAGUE DE COULEUR NOIRE POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Noir BAGUE DE COULEUR MARRON POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Marron BAGUE DE COULEUR ROUGE POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Rouge BAGUE JAUNE POUR CONNECTEUR XLR; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Jaune BAGUE DE COULEUR VERTE POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Vert BAGUE VIOLETTE POUR CONNECT. XLR; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Violet BAGUE DE COULEUR GRISE POUR SERIE XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XX Series XLR Cable Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Gris BAGUES DE COULEUR PQ60; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:RCA / Phono Plug; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Rouge/Noir BAGUES DE COULEUR PQ60; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:RCA / Phono Plug; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Assortie BAGUE POUR FICHE DIN MIXTE PQ24; Type d'accessoire:Locking Ring; A utiliser avec:592 Series DIN Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Audio, DIN; Couleur:Blanc / Jaune / Vert / Rouge / Bleu KIT BAGUE DE MARQUAGE HELAGRIP; Type d'accessoire:Cable Markers; A utiliser avec:Cable; Diamètre, câble min.:2.25mm; Diamètre, câble max..:5mm; Couleur de marqueur:Varié; Matériau marqueur:PVC; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (20-Jun-2011); Body Material:PVC (Polyvinyl Chloride); Couleur:Various; Largeur (externe):265mm; Longueur/hauteur:45mm; Matière:PVC; Profondeur:170mm BAGUETTE D'EXTRACTION MPT1; Type d'accessoire:Soldering Aid Tool; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur:5mm; Longueur:150mm; Profondeur:4mm; Température, max..:300°C BAGUE POUR WSP 150; Type d'accessoire:Tip Retainer Nut; A utiliser avec:Weller WSP150 Soldering Pencil; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BAGUETTE D'EXTRACTION MPT3; Type d'accessoire:Soldering Aid Tool; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur:10mm; Longueur:150mm; Profondeur:4mm; Température, max..:300°C GAINE THERMO BAGUE D'IDENT 3.2MM PQT 250; Série:HX-SCE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:3.2mm; I.D. Max récupéré:1.58mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Longueur (métrique):50mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Diamètre intérieur:3.2mm; Diamètre, avant rétreint:3.2mm; Diamètre, câble max..:3.2mm; Diamètre, câble min.:1.58mm; Diamètre, retreint complet:1.58mm; Longueur/hau GAINE THERMO BAGUE D'IDENT 6.4MM PQT 250; Série:HX-SCE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:6.4mm; I.D. Max récupéré:3.18mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Longueur (métrique):50mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Diamètre intérieur:6.4mm; Diamètre, avant rétreint:6.4mm; Diamètre, câble max..:6.4mm; Diamètre, câble min.:3.18mm; Diamètre, retreint complet:3.18mm; Longueur/hau OUTIL INSERT BAGUE MARQUAGE; A utiliser avec:HGRN1-3 Bore Sleeves; Diamètre, câble max..:2.8mm; Diamètre, câble min.:1.3mm GAINE THERMO BAGUE D'IDENT 9.5MM PQT 250; Série:HX-SCE; Matériau gaines / manchons thermorétractables:PO (Polyoléfine); Shrink Ratio:2:1; I.D. Fourni:9.5mm; I.D. Max récupéré:4.75mm; Couleur gaines / manchons thermorétractables:Jaune; Longueur (métrique):50mm; Type d'accessoire:Heatshrink; Body Material:PO (Polyolefin); Couleur:Jaune; Diamètre intérieur:9.5mm; Diamètre, avant rétreint:9.5mm; Diamètre, câble max..:9.5mm; Diamètre, câble min.:4.75mm; Diamètre, retreint complet:4.75mm; Longueur/hau OUTIL INSERT BAGUE MARQUAGE; A utiliser avec:HGRN2-5 Bore Sleeves; Diamètre, câble max..:5mm; Diamètre, câble min.:2.25mm BAGUE DE CODAGE POUR SERIE XLR-XX; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Transparent BAGUE; Type d'accessoire:Gauge Ring; A utiliser avec:D Fuse; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Calibre du Fusible:35A; Matière:Céramique; Nombre de fusibles:1; Taille du fusible:DIII BAGUE CODAGE VIOLETE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Violet BAGUE ISOLANTE; Type d'accessoire:Flange Insulator; A utiliser avec:Weller TCP, TCP3M, TCP12V, W60D, W60E, W100D, W100E; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BAGUE MARQUAGE H/SHK 6/2 0 PQ 100; Shrink Ratio:3:1; I.D. Min:3mm; I.D. Max:6mm; Légende:0; Couleur, légende:Noir; Couleur:Blanc; Diamètre, avant rétreint:6mm; Diamètre, câble max..:6mm; Diamètre, câble min.:3mm; Diamètre, retreint complet:2mm; Inflammabilité:ASTMD876; Matière:Polyoléfine; Température de fonctionnement max..:135°C; Température d'utilisation min:-55°C BAGUE COUPLAGE MOTEURS UNI-LAT; Matériau Accouplement:Brass; Diamètre, extérieur:28mm; Diamètre du trou:10mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, radiale:31N; Diamètre:28mm; Diamètre extérieur max..:28mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:10mm; Longueur:25.4mm; Taille, corps d'accouplement:27; Vitesse, rotationnelle:5000t/min BAGUE ACIER INOXYDABLE 3MM; Diamètre, câble:3mm; Fermeture des matériaux:Acier inoxydable; Matière:acier inoxidable; Taille (mm):3mm BAGUE CODAGE ROUGE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Rouge BAGUE CODAGE VERTE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Vert BAGUE 10MM COMP FIT; Type d'accouplement:Tubing Sleeve; Diamètre du trou:10mm; Diamètre, extérieur:10mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre:13mm; Diamètre extérieur:10mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Longueur, hors tout:7mm; Matière:Brass BAGUE CODAGE MARRON; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Marron BAGUE CODAGE GRIS; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Gris BAGUE CODAGE BLANCHE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Blanc BAGUE CODAGE NOIRE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Noir BAGUE CODAGE ORANGE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Orange BAGUE CODAGE JAUNE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Jaune BAGUE CODAGE BLEUE; Type d'accessoire:Code Key; A utiliser avec:XLR Connectors - Cable Mount; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Bleu BAGUE 4MM COMP FIT; Type d'accouplement:Tubing Sleeve; Diamètre du trou:4mm; Diamètre, extérieur:4mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre:6.4mm; Diamètre extérieur:4mm; Diamètre, perçage max..:4mm; Longueur, hors tout:4.2mm; Matière:Brass BAGUE 6MM COMP FIT; Type d'accouplement:Tubing Sleeve; Diamètre du trou:6mm; Diamètre, extérieur:6mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre:8.5mm; Diamètre extérieur:6mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Longueur, hors tout:5.5mm; Matière:Brass BAGUE COUPLAGE MOTEURS UNI-LAT; Matériau Accouplement:Brass; Diamètre, extérieur:19.1mm; Diamètre du trou:6.35mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, radiale:19N; Diamètre:19.1mm; Diamètre extérieur max..:19.1mm; Diamètre, perçage max..:6.35mm; Diamètre, perçage min.:6.35mm; Longueur:19.1mm; Taille, corps d'accouplement:18; Vitesse, rotationnelle:6000t/min BAGUE DE COUPLAGE MOTEURS FLEX-M; Taille, corps d'accouplement:26; Couple:2.3Nm; Longueur, hors tout:28.4mm; Matériau Accouplement:Aluminium; Diamètre, extérieur:25.6mm; Diamètre du trou:6mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre:25.6mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:6mm; Longueur:28.4mm BAGUE ACIER INOXYDABLE 5MM; Diamètre, câble:5mm; Fermeture des matériaux:Acier inoxydable; Matière:acier inoxidable; Taille (mm):5mm BAGUETTE DE NETTOYAGE PQ50; Type d'accessoire:Swab; A utiliser avec:Pinpoint Solvent, Adhesive and Lubricant Applications; Matériau extrémité tampon:Polyvinylidene Flouride; Taille extrémité tampon:1.93 x 15.7mm; Handle Material:Polypropylène; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) BAGUETTE DE NETTOYAGE PQ50; Type d'accessoire:Swab; A utiliser avec:Cleaning Magnetic, Optical, Audio and Video Heads; Matériau extrémité tampon:Chamois Cloth; Taille extrémité tampon:0.38'' x 0.88''; Longueur, poignée:2.37''; Handle Material:ABS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) BAGUE DE CODAGE POUR EMBASE ROUGE; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Rouge; Taille du connecteur:14 BAGUE DE CODAGE JAUNE; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Jaune; Taille du connecteur:14 BAGUE DE CODAGE POUR EMBASE ROUGE; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Rouge; Taille du connecteur:12 BAGUE DE CODAGE POUR EMBASE VERT; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Vert; Taille du connecteur:14 BAGUE DE CODAGE POUR FICHE MALE JAUNE; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Jaune; Taille du connecteur:12 BAGUE DE CODAGE POUR EMBASE JAUNE; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Jaune; Taille du connecteur:14 BAGUE DE CODAGE POUR FICHE MALE VERT; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Vert; Taille du connecteur:14 BAGUE DE CODAGE POUR EMBASE VERT; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Vert; Taille du connecteur:10 BAGUE DE CODAGE POUR FICHE MALE ROUGE; Série:TRIM TRIO; Type d'accessoire:Coding Ring; A utiliser avec:UTS Series Connector; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Anneau, Codage; Couleur:Rouge; Taille du connecteur:12 BAGUETTE D'EXTRACTION MPT2; Type d'accessoire:Soldering Aid Tool; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Largeur:5mm; Longueur:150mm; Profondeur:4mm; Température, max..:300°C BAGUE COUPLAGE MOTEURS UNI-LAT; Matériau Accouplement:Brass; Diamètre, extérieur:19.1mm; Diamètre du trou:6.35mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge, radiale:19N; Diamètre:19.1mm; Diamètre extérieur max..:19.1mm; Diamètre, perçage max..:6mm; Diamètre, perçage min.:6mm; Longueur:19.1mm; Taille, corps d'accouplement:18; Vitesse, rotationnelle:6000t/min BAGUE DE COUPLAGE MOTEURS FLEX-M; Taille, corps d'accouplement:33; Couple:5.6Nm; Longueur, hors tout:40.1mm; Matériau Accouplement:Aluminium; Diamètre, extérieur:33.5mm; Diamètre du trou:10mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre:33.5mm; Diamètre, perçage max..:10mm; Diamètre, perçage min.:10mm; Longueur:40.1mm MODULE A LED; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:1.8V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:2; Intensité lumineuse:7.5mcd; Display Size:8.89mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge; Courant, If max..:15mA; Dimension de la lentille:5mm; Intensité lumineuse typique:7.5mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Largeur, zone active:8.89mm; Longueur d'onde typ.:645nm; Longueur d'onde MODULE A LED VERT; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Vert; Tension, direct If:2.2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:2; Intensité lumineuse:25mcd; Display Size:8.89mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Vert; Couleur, LED:Vert; Courant, If max..:30mA; Intensité lumineuse typique:25mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Longueur d'onde typ.:565nm; Longueur d'onde, crête:565nm; Longueur/hauteur:4.95mm; Nombre de segments: MODULE A LED VERT; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Vert; Tension, direct If:2.2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:50mcd; Display Size:19.05mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Vert; Couleur, LED:Vert; Courant, If max..:30mA; Intensité lumineuse typique:50mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Longueur d'onde typ.:565nm; Longueur d'onde, crête:565nm; Longueur/hauteur:4.95mm; Nombre de segments MODULE A LED; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:4 Rouge; Tension, direct If:1.8V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:8; Intensité lumineuse:7.5mcd; Display Size:8.89mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge; Courant, If max..:15mA; Courant, If nom par segment:3mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:7.5mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:7.5mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section trans MODULE A LED JAUNE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Jaune; Tension, direct If:2.1V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:38mcd; Display Size:8.89mm x 8.89mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Jaune; Couleur, LED:Jaune; Courant, If max..:25mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:38mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:38mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section tra MODULE A LED VERT; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:4 Vert; Tension, direct If:2.2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:8; Intensité lumineuse:25mcd; Display Size:8.89mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Vert; Couleur, LED:Vert; Courant, If max..:30mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:25mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:25mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section trans MODULE A LED VERT; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Vert; Tension, direct If:2.2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:50mcd; Display Size:8.89mm x 8.89mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Vert; Couleur, LED:Vert; Courant, If max..:30mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:50mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:50mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section transve MODULE HORLOGE 0.56 4 DIG VERT CA; No. of Digits / Alpha:4; Taille de caractère:14.22mm; Couleur de LED:Vert; Connexion commune:Anode commune; Intensité lumineuse:4.5mcd; Courant, direct, If:20mA; Tension, direct If:2.2V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Background Colour:Gris; Couleur, LED:Vert; Courant, If nom par segment:20mA; Courant, If, intensité lumineuse:20mA; Courant, direct, If:20mA; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:3.2mcd; Largeur (externe):19.1mm; Longueur/hauteur:51. MODULE HORLOGE 0.56 4 DIG VERT CC; No. of Digits / Alpha:4; Taille de caractère:14.22mm; Couleur de LED:Vert; Connexion commune:Cathode commune; Intensité lumineuse:4.5mcd; Courant, direct, If:20mA; Tension, direct If:2.2V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Background Colour:Noir; Couleur, LED:Vert; Courant, If nom par segment:20mA; Courant, If, intensité lumineuse:20mA; Courant, direct, If:20mA; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:3.2mcd; Largeur (externe):19.1mm; Longueur/hauteur:5 MODULE HORLOGE 14 SEGMENTS 0.54 2 DIG CC; Format Caractère:14 segments; Taille de caractère:13.7mm; Couleur de LED:Rouge; Connexion commune:Cathode commune; No. of Digits / Alpha:2; Largeur, surface d'affichage:25.2mm; Hauteur, surface d'affichage:21mm; Tension, alimentation:1.9V; Courant, direct, If:20mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Background Colour:Gris; Couleur, LED:Rouge; Courant, If nom par segment:50mA; Courant, If, intensité lumineuse:20mA; Courant, direct, If:20mA; Intensité lumineuse t MODULE HORLOGE 0.4 3 DIGIT VERT CC; No. of Digits / Alpha:3; Taille de caractère:10mm; Couleur de LED:Vert; Connexion commune:Cathode commune; Intensité lumineuse:5mcd; Courant, direct, If:20mA; Tension, direct If:2.25V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Background Colour:Gris; Couleur, LED:Vert; Courant, If nom par segment:25mA; Courant, If, intensité lumineuse:10mA; Courant, direct, If:20mA; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:5mcd; Largeur (externe):12.8mm; Longueur/hauteur:30.02m MODULE A LED ROUGE HE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:2; Intensité lumineuse:23mcd; Display Size:8.89mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge HE; Courant, If max..:30mA; Intensité lumineuse typique:23mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Longueur d'onde typ.:635nm; Longueur d'onde, crête:635nm; Longueur/hauteur:4.95mm; Nombre de s MODULE A LED JAUNE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Jaune; Tension, direct If:2.1V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:38mcd; Display Size:19.05mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Jaune; Couleur, LED:Jaune; Courant, If max..:25mA; Intensité lumineuse typique:38mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Longueur d'onde typ.:583nm; Longueur d'onde, crête:583nm; Longueur/hauteur:4.95mm; Nombre de segm MODULE A LED JAUNE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Jaune; Tension, direct If:2.1V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:8; Intensité lumineuse:70mcd; Display Size:8.89mm x 19.05mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Jaune; Couleur, LED:Jaune; Courant, If max..:25mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:70mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:70mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section tr MODULE A LED VERT; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Vert; Tension, direct If:2.2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:8; Intensité lumineuse:100mcd; Display Size:8.89mm x 19.05mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Vert; Couleur, LED:Vert; Courant, If max..:30mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:100mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:100mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section tra MODULE HORLOGE 0.56 4 DIG ROUGE CA; No. of Digits / Alpha:4; Taille de caractère:14.22mm; Couleur de LED:Rouge; Connexion commune:Anode commune; Intensité lumineuse:5.5cd; Courant, direct, If:20mA; Tension, direct If:2.05V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Background Colour:Gris; Couleur, LED:Vert; Courant, If nom par segment:20mA; Courant, If, intensité lumineuse:20mA; Courant, direct, If:20mA; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:3.2mcd; Largeur (externe):19.1mm; Longueur/hauteur:5 MODULE A LED; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:1.8V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:15mcd; Display Size:19.05mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge; Courant, If max..:15mA; Dimension de la lentille:5mm; Intensité lumineuse typique:15mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Largeur, zone active:19.05mm; Longueur d'onde typ.:645nm; Longueur d'onde MODULE A LED; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:1.8V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:8; Intensité lumineuse:30mcd; Display Size:8.89mm x 19.05mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge; Courant, If max..:15mA; Courant, If nom par segment:3mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:30mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:30mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section transvers MODULE A LED ROUGE HE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:1; Intensité lumineuse:80mcd; Display Size:8.89mm x 19.05mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge HE; Courant, If max..:30mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:80mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:80mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, sectio MODULE A LED ROUGE HE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:45mcd; Display Size:19.05mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge HE; Courant, If max..:30mA; Intensité lumineuse typique:45mcd; Largeur (externe):20.32mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Longueur d'onde typ.:635nm; Longueur d'onde, crête:635nm; Longueur/hauteur:4.95mm; Nombre de MODULE A LED JAUNE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Jaune; Tension, direct If:2.1V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:2; Intensité lumineuse:20mcd; Display Size:8.89mm x 3.81mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Jaune; Couleur, LED:Jaune; Courant, If max..:25mA; Intensité lumineuse typique:20mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section transversale du cordon:0.58mm; Longueur d'onde typ.:583nm; Longueur d'onde, crête:583nm; Longueur/hauteur:4.95mm; Nombre de segme MODULE A LED ROUGE HE; Configuration LED:Module de barre; Couleur de LED:Rouge; Tension, direct If:2V; Courant, direct, If:20mA; Nombre de LED:4; Intensité lumineuse:45mcd; Display Size:8.89mm x 8.89mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Rouge; Couleur, LED:Rouge HE; Courant, If max..:30mA; Courant, If nom par segment:20mA; Hauteur, surface éclairée:8.89mm; Intensité lumineuse typique:45mcd; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:45mcd; Largeur (externe):10.16mm; Largeur, section MODULE HORLOGE 0.56 4 DIG VERT CA; No. of Digits / Alpha:4; Taille de caractère:14.22mm; Couleur de LED:Vert; Connexion commune:Anode commune; Intensité lumineuse:4.5mcd; Courant, direct, If:20mA; Tension, direct If:2.2V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Background Colour:Noir; Couleur, LED:Vert; Courant, If nom par segment:20mA; Courant, If, intensité lumineuse:20mA; Courant, direct, If:20mA; Intensité lumineuse typique par segment, typ If:3.2mcd; Largeur (externe):19.1mm; Longueur/hauteur:51. ULTRASONIC TX/RX MODULE 50KHZ; Sensor Type:Émetteur-récepteur ultrasonique; Température de fonctionnement:-30°C +70°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle:30°; Capacité:2400pF; Diamètre:15mm; Divergence du faisceau:30°; Fréquence:50kHz; Largeur (externe):30.5mm; Longueur/hauteur:32.65mm; Niveau de bruit:113dB; Profondeur:31mm; Sensibilité:-67 dB; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, entrée:20VAC SONAR RANGING MODULE ULTRASONIC; Silicon Fabricant:Prowave; Kit Application Type:Capteur; Application Sous Type:Mesure de gamme solaire; Contenu du kit:Module Board, 400EP14D Enclosed Type Transducer, Detail Electrical Schematic; Caractéristiques:High Gain Amplifier, Bi-Direction I/O Pin, Built-In Variable RC Oscillator Matching; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Caractéristiques du kit:Built-in Variable RC Oscillator Matching Transducers with Different Frequencies, High Gain Amplifier; Courant, alime MODULE BLUETOOTH CMS; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Nombre de broches:129; MSL:MSL 4 - 72 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Bande passante:1000kHz; Interface de contrôle:Série; Numéro de la fonction logique:9820; Numéro générique:9820; Pas:1mm; Pas, rang:1mm; Racine de la référence:9820; Taux de transfert de données max..:921.6Kilobaud; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2.85 MODULE TIMER MULTIFONCTION; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MT Series Multimode Relay; Fonctions retard:Multifunction; Plage de temps:0.05sec - 240heures MODULE RELAIS 12VCC DPCO; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:12A; Tension AC nominale du contact:240V; Résistance, bobine:192ohm; Configuration contact:DPCO; Type de bobine:DC, Monostable; Puissance de fonctionnement nominale:750mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:58mm; Largeur (externe):73.5mm; Profondeur:27mm; Approuvé:UL, VDE; Capacité de rupture:3000 VA; Configuration des contacts:DPCO; Consommation électrique moyenne: MODULE RELAIS 12VCC 4PCO; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:6A; Tension AC nominale du contact:240V; Résistance, bobine:192ohm; Configuration des contacts:4PCO; Type de bobine:CC; Puissance de fonctionnement nominale:750mW; Montage relais:Rail DIN; Hauteur, dimension externe:58mm; Largeur (externe):73.5mm; Profondeur:27mm; Approval Bodies:UL / VDE; Capacité de rupture:1500 VA; Consommation électrique moyenne:750mW; Contact Configuration:4PCO; C CIRCUIT MODULE DE PUISSANCE 10A 600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Nombre de broches:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10A; Courant, sortie crête:10A; Courant, sortie max.:10A; Délais E/S:615ns; Délais d'entrée:470ns; Délais de sortie:615ns; Fréquence:20kHz; Gamme de tension d'alimentation:12V 20V; Nombre de canaux de sortie:3; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:10UP60; Racine de la référence:10; Température de fonctionnement max..:150°C; Températ CIRCUIT MODULE DE PUISSANCE 10A 600V; Type de driver:Moteur; Configuration module:IGBT; Délais d'entrée:590ns; Délais de sortie:700ns; Gamme de tension d'alimentation:12V 20V; Type de boîtier CI Driver:SIP; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:10A; Courant, sortie max.:10A; Fréquence:20kHz; Nombre de canaux de sortie:3; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:10UP60; Racine de la référence:10; Température de MODULE DRIVER DE PUISSANCE 20A 600V; Nombre de canaux de sortie:3; Courant, sortie:20A; Tension, sortie:450V; Gamme de tension d'alimentation:12V 20V; Type de boîtier CI Driver:SIP; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:20A; Fréquence:20kHz; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:16UP60; Racine de la référence:16; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, al MODULE RELAIS 24VCC DPCO; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:12A; Tension AC nominale du contact:240V; Résistance, bobine:777ohm; Configuration des contacts:DPCO; Type de bobine:CC, Monostable; Puissance de fonctionnement nominale:741mW; Montage relais:Rail DIN; Hauteur, dimension externe:58mm; Largeur (externe):73.5mm; Profondeur:27mm; Approval Bodies:UL / VDE; Capacité de rupture:3000 VA; Consommation électrique moyenne:741mW; Contact Configur MODULE RELAIS 230VCA 3PCO; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.a. nom.:230V; Courant de contact max..:10A; Tension AC nominale du contact:240V; Résistance, bobine:19.465kohm; Configuration des contacts:3PCO; Type de bobine:CA; Puissance de fonctionnement nominale:1VA; Montage relais:Rail DIN; Hauteur, dimension externe:58mm; Largeur (externe):73.5mm; Profondeur:27mm; Approval Bodies:UL / VDE; Capacité de rupture:2500 VA; Consommation électrique moyenne:1VA; Contact Configuration:3PCO MODULE DRIVER DE PUISSANCE 16A 600V; Nombre de canaux de sortie:3; Courant, sortie:16A; Tension, sortie:450V; Gamme de tension d'alimentation:12V 20V; Type de boîtier CI Driver:SIP; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:16A; Fréquence:20kHz; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:16UP60; Racine de la référence:16; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, al MODULE MULTIMODE AVEC DIODE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MT Series Multimode Relay MODULE RELAIS 24VCC 3PCO; Type de relais:Usage général; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:10A; Tension AC nominale du contact:240V; Résistance, bobine:777ohm; Configuration des contacts:3PCO; Type de bobine:CC; Puissance de fonctionnement nominale:741mW; Montage relais:Rail DIN; Hauteur, dimension externe:58mm; Largeur (externe):73.5mm; Profondeur:27mm; Approval Bodies:UL / VDE; Capacité de rupture:2500 VA; Consommation électrique moyenne:741mW; Contact Configuration:3PCO; CIRCUIT MODULE DE PUISSANCE 16A 600V; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:16A; Tension, Vce sat max..:600V; Dissipation de puissance Pd:35W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:IGBT; Courant, sortie:16A; Courant, sortie max.:16A; Délais d'entrée:590ns; Délais de sortie:660ns; Fréquence:20kHz; Gamme de tension d'alimentation:12V 20V; Nombre CIRCUIT MODULE DE PUISSANCE 16A 600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Nombre de broches:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:IGBT; Courant, sortie:16A; Courant, sortie max.:16A; Délais d'entrée:590ns; Délais de sortie:660ns; Fréquence:20kHz; Gamme de tension d'alimentation:12V 20V; Nombre de canaux de sortie:3; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:16UP60; Racine de la référence:16; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation MODULE DE PUISSANCE DRIVER DE MOTEUR; Tension d'entrée primaire:450V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:500V; Courant, sortie:1.6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SIP; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:1.6A; Dissipation de puissance:5.8W; Dissipation de puissance Pd:5.8W; Fréquence:20kHz; Numéro de la fonction logique:3101; Numéro générique:3101; Racine de la référence:3101; Température de fon MODULE LCD COULEUR TFT 5.7 POUCES; Type d'écran LCD:TFT; Pixel Size (H x W):0.36mm x 0.36mm; Pas de pixel (H x L):0.12mm x 0.36mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):86.4mm x 115.2mm; Tension, alimentation:3.3V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur, police:262 k; Courant rétro-éclairage:4mA; Courant, alimentation:150mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:320 x 240; Fréquence, alimentation:55kHz; Hauteur, surface d'affichage:86.4mm; Interface Type:40 pin C-MOS; MODULE THYRISTOR 58A 1600V; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant, It moy:25A; Courant, It efficace:54A; Courant Itsm (50Hz):350A; Courant max. - Tenu (lh):100mA; Tension, Vgt:1.5V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:SOT-227B; Nombre de broches:4; Courant, Itsm:400A; Fréquence, Itsm:50Hz; Température, Igt:25°C; Température, Tc:110°C; Température, Vgt:25°C; Tension, Vrrm:1600V; Type Thyristor/Triac:Thyristor; Typ MODULE THYRISTOR 82A 1200V; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant, It moy:34A; Courant, It efficace:53A; Courant Itsm (50Hz):520A; Courant max. - Tenu (lh):100mA; Tension, Vgt:1.5V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Courant, Itsm:600A; Fréquence, Itsm:50Hz; Température, Igt:25°C; Température, Tc:110°C; Température, Vgt:25°C; Tension, Vrrm:1200V; Type Thyristor/Triac:Thyristor; Type de boîtier:SOT-227B; Type de terminaison: visser MODULE DE PUISSANCE; Tension d'entrée primaire:450V; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:600V; Courant, sortie:10A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SIP; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10A; Dissipation de puissance:27W; Dissipation de puissance Pd:27W; Fréquence:20kHz; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:10UP60; Racine de la référence:10; Température de fonctionnement max..:150° MODULE SMART POWER; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:10A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:43W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-20°C +125°C; Type de boîtier de transistor:SPM32-AA; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance:43W; Dissipation de puissance, max..:43W; Puissance Pd:43W; Temps de montée:270ns; Tension Vces:600V; Type de bo MODULE DE PUISSANCE; Tension d'entrée primaire:450V; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:600V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:SIP; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Dissipation de puissance:7.5W; Dissipation de puissance Pd:7.5W; Fréquence:20kHz; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:06UP60; Racine de la référence:06; Température de fonctionnement max..:150° MODULE DE PUISSANCE DRIVER DE MOTEUR; Dissipation de puissance Pd:38W; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Nombre de broches:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie:6A; Courant, sortie max.:6A; Dissipation de puissance:38W; Fréquence:20kHz; Nombre de canaux de sortie:3; Numéro de la fonction logique:60; Numéro générique:20UP60; Racine de la référence:20; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension d'entrée primaire:450V; Tension, alim MODULE LCD MONO STN 1/4 VGA 144.78MM; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.345mm x 0.345mm; Pas de pixel (H x L):0.36mm x 0.36mm; Mode d'affichage:Transflectif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):120mm x 89mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant rétro-éclairage:160mA; Format pixel:320 x 240; Largeur (externe):167mm; Largeur, zone active:120mm; Longueur/hauteur:10mm; Pas:0.36mm; Profondeur:109mm; Profondeur, surface d'aff MODULE LCD COULEUR TFT 7.0 POUCES; Type d'écran LCD:TFT; Pas de pixel (H x L):0.1905mm x 0.1905mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):91.44mm x 152.4mm; Tension, alimentation:3.3V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur, police:262 k; Courant rétro-éclairage:4mA; Courant, alimentation:250mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:800 x 480; Fréquence, alimentation:70kHz; Hauteur, surface d'affichage:91.44mm; Interface Type:40 pin C-MOS; Largeur (externe):165mm; Larg SIMPLE MODULE NUMERIQUE COMPACT; Style de contact:SPDT; Courant de contact max..:16A; Sortie du régulateur:Digital; Gammes de temporisation:24h / 7day; A utiliser avec:OEM Applications; Contact Type:SPDT; Courant de contact max.:16A; Type de sortie:Numérique MODULE IGBT 6 PACK 1200V; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:40A; Tension, Vce sat max..:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.05kW; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITOP 3; Nombre de broches:36; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Ic max.. permanent b:32A; Courant, Ic moy.:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Diamètre, trous de fixation:2mm; Entraxe de TRANSISTOR MOSFET MODULE 6 PACK 75V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.3V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITOP 2; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:A; Configuration module:Six; Courant de drain continu Id, Canal N:100A; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:140A; Diamètre, trous de fixation:2mm; Entra MODULE DIODE/THYRISTOR 50A 1400V; Tension Vdrm:1400V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:50A; Courant, It efficace:95A; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Config. Brochage:A7; Courant, Itsm:1500A; Diamètre, trous de fixation:6.4mm; Entraxe de fixation:80mm; Largeur (externe):30mm; Longueur/hauteur:93mm; Profondeur:20mm; Tension, Vrrm:1400V; Tension, isolation:3000V; Type Thyrist MODULE BLUETOOTH DATA AQ; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE AVEC AUTO TRACK 15A 3.3VIN; Tension d'entrée primaire:3.65V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:2.5V; Courant, sortie:15A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:15A; Fréquence:300kHz; Numéro générique:03010; Précision:2%; Racine de la référence:03010; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie aj MODULE CMS AVEC AUTO TRACK 6A 5VIN; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:600kHz; Numéro générique:05050; Précision:2%; Racine de la référence:05050; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tensio MODULE AVEC AUTO TRACK 6A 12VIN; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:320kHz; Numéro générique:12050; Précision:2%; Racine de la référence:12050; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustab MODULE AVEC AUTO TRACK 6A 3.3VIN; Tension d'entrée primaire:3.3V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:2.5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:600kHz; Numéro générique:03050; Précision:2%; Racine de la référence:03050; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustab MODULE DE PUISSANCE 6A 12VIN; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:350kHz; Numéro générique:12000; Précision:2%; Racine de la référence:12000; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustable MODULE AVEC AUTO TRACK 10A 5VIN; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:10A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10A; Fréquence:300kHz; Numéro générique:05060; Précision:2%; Racine de la référence:05060; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajust MODULE AVEC AUTO TRACK 15A 5VIN; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:15A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:15A; Fréquence:300kHz; Numéro générique:05010; Précision:2%; Racine de la référence:05010; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajust MODULE DE PUISSANCE CMS 6A 12VIN; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:350kHz; Numéro générique:12000; Précision:2%; Racine de la référence:12000; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension MODULE CMS AVEC AUTO TRACK 6A 12VIN; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:320kHz; Numéro générique:12050; Précision:2%; Racine de la référence:12050; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tens MODULE AVEC AUTO TRACK 10A 12VIN; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:10A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10A; Fréquence:350kHz; Numéro générique:12060; Précision:2%; Racine de la référence:12060; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie aju MODULE CMS AVEC AUTO TRACK 10A 12V; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:10A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10A; Fréquence:350kHz; Numéro générique:12060; Précision:2%; Racine de la référence:12060; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Te MODULE SMART POWER; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-20°C +125°C; Type de boîtier de transistor:SPM32-AA; Nombre de broches:32; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:50W; Dissipation de puissance, max..:50W; Puissance Pd:50W; Temps de montée:340ns; Tension Vces:600V; Type de bo MODULE IGBT 6 PACK 1200V; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:130A; Tension, Vce sat max..:2.15V; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMiX 13s; Nombre de broches:20; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:120A; Courant, Ic max.. permanent b:85A; Courant, Ic moy.:120A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Diamètre, trous de fixation:5.4mm; Entraxe de fixation:50mm; Largeur (exte MODULE TRANSCEIVER DIL; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fréquence:433MHz; Gamme:250 m; Taux de transfert:100 kbps; Taux de transfert de données max..:100000bps; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, alimentation:3.3V MODULE NUMERIQUE SIMPLE CANAL; Courant de contact max..:4mA; Sortie du régulateur:Digital; Gammes de temporisation:24h / 7day; A utiliser avec:OEM Applications; Contact Type:ON/OFF; Courant de contact max.:4mA; Longueur/hauteur:45.5mm; Tension, alimentation max..:3VDC; Type de montage:Montage sur panneau; Type de sortie:Numérique MODULE DE CONTACT 1NO+1NC; A utiliser avec:DILMP Contactors; Nombre de pâles:2; Tension, contact c.a. max..:500V; Tension, contact c.c. max..:220V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:EN / IEC; Courant:10A; Courant de contact:10A; Courant, AC1 max., contact principal:10A; Tension, bobine c.a. nom.:500VAC; Tension, isolement:690VAC; Type de borne:Screw MODULE DE CONTACT 2NO+2NC; A utiliser avec:DILMP Contactors; Nombre de pâles:4; Courant de contact max..:10A; Tension, contact c.a. max..:500V; Tension, contact c.c. max..:220V; Terminaisons commutateur:Vis; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:EN / IEC; Courant:10A; Courant de contact:10A; Courant, AC1 max., contact principal:10A; Tension, bobine c.a. nom.:500VAC; Tension, isolement:690VAC; Type de borne:Screw MODULE CMS AVEC AUTO TRACK 10A 3.3VIN; Tension d'entrée primaire:3.3V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:2.5V; Courant, sortie:10A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10A; Fréquence:300kHz; Numéro générique:03060; Précision:2%; Racine de la référence:03060; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; MODULE DE PUISSANCE 6A 5-VIN; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:700kHz; Numéro générique:05000; Précision:2%; Racine de la référence:05000; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustable m MODULE DE PUISSANCE CMS 6A 5VIN; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:700kHz; Numéro générique:05000; Précision:2%; Racine de la référence:05000; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension d MODULE AFFICHEUR LCD GRAPHIQUE; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.345mm x 0.345mm; Pas de pixel (H x L):0.36mm x 0.36mm; Mode d'affichage:Transflectif; Viewing Area (H x W):92mm x 122mm; Tension, alimentation:5V; Angle, vision, axe X min.:30°; Background Colour:Gris; Hauteur, surface d'affichage:115.185mm; Interface Type:8-bit Bidirectional; Largeur (externe):165.5mm; Largeur, surface d'affichage:86.385mm; Longueur/hauteur:109mm; Pas:2.54mm; Profondeur MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:33W; Température, différentielle:68°C; Série:RC6-6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.6A; Largeur (externe):30mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:4.01mm; Profondeur:34mm; Puissance, pompage de chaleur:30W; Tension, entrée max..:8.2V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:78W; Température, différentielle:68°C; Série:RC12-8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.4A; Largeur (externe):40mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:3.63mm; Profondeur:44mm; Puissance, pompage de chaleur:71W; Tension, entrée max..:14.7V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:6W; Température, différentielle:68°C; Série:RC3-2.5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Largeur (externe):16mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:4.04mm; Profondeur:20.5mm; Puissance, pompage de chaleur:6W; Tension, entrée max..:3.6V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:60W; Température, différentielle:68°C; Série:RC12-6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:5.6A; Largeur (externe):40mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:4.01mm; Profondeur:44mm; Puissance, pompage de chaleur:54W; Tension, entrée max..:14.6V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:26W; Température, différentielle:68°C; Série:RC12-2.5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:2.5A; Largeur (externe):30mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:4.04mm; Profondeur:34mm; Puissance, pompage de chaleur:23W; Tension, entrée max..:14.7V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:39W; Température, différentielle:68°C; Série:RC12-4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.7A; Largeur (externe):30mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:3.43mm; Profondeur:34mm; Puissance, pompage de chaleur:36W; Tension, entrée max..:14.6V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:10W; Température, différentielle:68°C; Série:RC3-4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.7A; Largeur (externe):16mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:3.43mm; Profondeur:20.5mm; Puissance, pompage de chaleur:9W; Tension, entrée max..:3.6V MODULE LED POUR RELAIS; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:6V; Tension, entrée min.:24V MODULE RELAIS; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:20A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:1.2kohm; Configuration contact:1RT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:78.8mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:76mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:SPCO; Courant de contact c.a. max.:10A; Longueur/hauteur:78.8mm; Nombre de pâles:2; Température de fonctionnement max..:70°C; Tempér MODULE, POWER ENTRY; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:IEC; Epaisseur, panneau:2.25mm; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):44mm; Largeur, découpe panneau:27.25mm; Longueur/hauteur:34mm; Méthode de terminaison:Connexion rapide; Nombre de sorties:1; Température de fonctionnement max..:+70°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; Type de montage:S MODULE EMBASE IEC 1A; Type de filtre:Standard; Courant:1A; Courant de fuite max:500è¾A; Capacité:0.047è¾F; Inductance, min.:11mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Noir; Courant de fuite:500è¾A; Hauteur, dessus du panneau:2.5mm; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):30.5mm; Largeur, découpe panneau:28.0mm; Longueur/hauteur:60mm; Matière, boîtier:Thermoplastique noir, UL94V-0; Nombre de phases:Une; Profondeur:40.4mm; Profondeur, derrière panneau:40.35mm; Taille de l'image:30.5 x 50mm; Températu MODULE EMBASE IEC 2A; Courant:2A; Courant de fuite max:5è¾A; Capacité:0.047è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Couleur:Black; Courant de fuite:5è¾A; Hauteur, dessus du panneau:2.5mm; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):30.5mm; Largeur, découpe panneau:28.0mm; Longueur/hauteur:60mm; Matière, boîtier:Thermoplastique noir, UL94V-0; Nombre de phases:Une; Profondeur:40.4mm; Taille de l'image:30.5 x 50mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; MODULE DRIVER MOSFET/IGBT; Type de driver:IGBT; Courant, sortie crête:8A; Résistance de sortie:3ohm; Délais d'entrée:1è¾s; Délais de sortie:1è¾s; Gamme de tension d'alimentation:14.4V 15.6V; Type de boîtier CI Driver:Rectangular; Nombre de broches:34; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant d'entrée max.. niveau haut:0.29mA; Courant, sortie:8A; Courant, sortie + max.:8A; Différentiel de tension dv/dt:50kV/è¾s; Délais E/S:1è¾s; Fréquence, max..:100kHz; Nombr MODULE D'ALIMENTATION DOUBLE SORTIE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:200mA; Gamme tension entrée VAC:110V 125V, 220V 250V; Longueur:78mm; Largeur:42mm; Hauteur:28mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant d'ondulation c.c.:0.5mA; Courant, sortie 2:-50mA; Courant, sortie max.:200mA; Courant, sortie min.:-50mA; Largeur (externe):42mm; Longueur/hauteur:30mm; Profondeur:78mm; Régulation, charge:1%; Régulation, ligne:1%; Températu MODULE LED POUR RELAIS; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:220VDC; Tension, entrée min.:6VDC MODULE LED POUR RELAIS; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:60VDC; Tension, entrée min.:28VDC MODULE LED; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:230V; Tension, entrée min.:110V MODULE RELAIS; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:20A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:300ohm; Configuration contact:1RT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:78.8mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:76mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:SPCO; Courant de contact c.a. max.:10A; Longueur/hauteur:78.8mm; Nombre de pâles:1; Série:48; Température de fonctionnement max..:70° MODULE RELAIS; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:20A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:300ohm; Configuration contact:2RT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:78.8mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:76mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:DPCO; Courant de contact c.a. max.:10A; Longueur/hauteur:78.8mm; Nombre de pâles:2; Série:48; Température de fonctionnement max..:70° MODULE MOV 24V; Série:DVS; Suppressor Type:Varistance; Nombre de sorties:4; Tension:38VDC; Courant de pic:1kA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, crête max.., 8/20us:1000A; Energie transitoire max.. (10/1000uS):8.8J; Fréquence, mesure de capacité:440Hz; Largeur (externe):78mm; Longueur/hauteur:55mm; Pointe de courant:1kA; Profondeur:12.5mm; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension VDC:38V; Tension c.a.:3 MODULE AFFICHEUR LCD 2X16 B/L; No. of Digits / Alpha:32; Compteur Ligne / caractère:16 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:4.35mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:54.7mm; Hauteur, surface d'affichage:9mm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Hauteur, pixel:0.55mm; Largeur (externe):65mm; Largeur, caractère:2.95mm; Largeur, point:0.6mm; Longueur/hauteur:19.5mm; Nombre de colonnes:16; Nombre de rangées:2; Pas MODULE LED POUR RELAIS; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:24VDC; Tension, entrée min.:6VDC MODULE LED POUR RELAIS; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:110V; Tension, entrée min.:230V MODULE RELAIS; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:20A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:1.2kohm; Configuration contact:1RT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:78.8mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:76mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:SPCO; Courant de contact c.a. max.:10A; Longueur/hauteur:78.8mm; Nombre de pâles:1; Série:48; Température de fonctionnement max..:70 KIT DE DEVELOPPEMENT USB-UART MODULE; Supported Devices:FT232RQ; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Convertisseur UART USB vers série; Caractéristiques du kit:Single Chip USB to Asynchronous Serial Data Transfer Interface, Entire USB Protocol Handled; MCU Supported Families:FT232RQ; Outils / carte d'application:Development; Type:Development Module; Type d'outils de développement:Development Kit MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:19W; Température, différentielle:68°C; Série:RC3-8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.4A; Largeur (externe):20mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:3.63mm; Profondeur:24.5mm; Puissance, pompage de chaleur:17W; Tension, entrée max..:3.6V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:22W; Température, différentielle:68°C; Série:RC6-4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:3.7A; Largeur (externe):23.5mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:3.43mm; Profondeur:28mm; Puissance, pompage de chaleur:20W; Tension, entrée max..:8.2V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:43W; Température, différentielle:68°C; Série:RC6-8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:7.4A; Largeur (externe):30mm; Longueur cordon:100mm; Longueur/hauteur:3.63mm; Profondeur:34mm; Puissance, pompage de chaleur:39W; Tension, entrée max..:8.2V MODULE THERMOELECTRIQUE; Transducer Function:Réfrigérateur thermoélectrique; Puissance:5.8W; Température, différentielle:67°C; Série:NL1025T; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant dc max:1.8A; Largeur (externe):8.8mm; Longueur cordon:50.8mm; Longueur/hauteur:2.1mm; Profondeur:11mm; Puissance, pompage de chaleur:5W; Tension, entrée max..:4.4V MODULE EMBASE IEC 4A; Type de filtre:Standard; Courant:4A; Courant de fuite max:500è¾A; Capacité:0.047è¾F; Inductance, min.:1.6mH; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite:500è¾A; Hauteur, dessus du panneau:2.5mm; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):30.5mm; Largeur, découpe panneau:28.0mm; Longueur/hauteur:60mm; Matière, boîtier:Thermoplastique noir, UL94V-0; Nombre de phases:Une; Profondeur:40.4mm; Taille de l'image:30.5 x 50mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'util MODULE EMBASE IEC 10A; Courant:10A; Courant de fuite max:5è¾A; Capacité:0.047è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite:5è¾A; Hauteur, dessus du panneau:2.5mm; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):30.5mm; Largeur, découpe panneau:28.0mm; Longueur/hauteur:60mm; Matière, boîtier:Thermoplastique noir, UL94V-0; Nombre de phases:Une; Profondeur:40.4mm; Taille de l'image:30.5 x 50mm; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; peur, découpe MODULE DE PUISSANCE ENTREE AJUSTABLE; Tension d'entrée primaire:18V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:2.25A; Type de boîtier CI régulateur de tension:DIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2.25A; Fréquence:300kHz; Précision:2%; Racine de la référence:8080; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajusta MODULE, POWER ENTRY, FUSE HOLDER; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:A souder; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:VDE, cULus; Connector Type:IEC; IP / NEMA Rating:IP40; Méthode de terminaison:A souder; Nombre de sorties:1; Normes:##; Puissance, dissipation max.. du fusible:1.6W; Tension c.a.:250V; Type de borne:6.35mm x 0.8mm; Type de connecteur:Connecteur d'entrée fusible; Type de montage:Suspendu MODULE, POWER ENTRY, 2POLE; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:10A IEC, 12A UL/CSA; Connector Type:IEC; Couleur:Black; Courant max.:12A; Epaisseur, panneau max..:6.0mm; Méthode de terminaison:Connexion rapide; Nombre de sorties:1; Normes:C14 acc. to IEC/EN 60320-1; Orientation du connecteur:En applique; Température de fonctionnement MODULE AFFICHEUR LCD 40X2; No. of Digits / Alpha:80; Compteur Ligne / caractère:40 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert; Taille de caractère:5.55mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:154mm; Hauteur, surface d'affichage:15.8mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Largeur (externe):192mm; Largeur, caractère:3.2mm; Longueur/hauteur:36mm; Profondeur:14mm; Technologie d'afficheur:LCD; Type de caractère:5x7 Dot matrix; Type de rétro-éclairage: MODULE AFFICHEUR LCD 16X2 STN.; No. of Digits / Alpha:32; Compteur Ligne / caractère:16 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert; Taille de caractère:5.75mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Réflecteur; Largeur, surface d'affichage:63.5mm; Hauteur, surface d'affichage:15.8mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Largeur (externe):85mm; Largeur, caractère:3.15mm; Longueur/hauteur:36mm; Profondeur:9.3mm; Profondeur, surface d'affichage:15.8mm; Technologie d'afficheur:STN; Type de carac MODULE D'ALIMENTATION 5V 3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:76mm; Largeur:50.7mm; Hauteur:22.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:70%; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Fréquence, entrée:400Hz; Largeur (externe):50.7mm; Longueur/hauteur:76mm; P MODULE D'ALIMENTATION 24V 1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:1.3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:90.5mm; Largeur:65.5mm; Hauteur:33.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:77%; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Fréquence, entrée:400Hz; Largeur (externe):90mm; Longueur/hauteur:6 MODULE DIODE+ LED; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:24VDC; Tension, entrée min.:6VDC DIODE MODULE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:Switching Relay; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, entrée max..:220VDC; Tension, entrée min.:6VDC MODULE RELAIS; Tension, bobine c.a. nom.:230V; Courant de contact max..:20A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:28kohm; Configuration contact:1RT; Consommation électrique moyenne:1.2VA; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:78.8mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:76mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:SPCO; Courant de contact c.a. max.:10A; Longueur/hauteur:78.8mm; Nombre de pâles:1; Série:48; Température de fonctionnement max..:70 MODULE MOV 240V; Série:DVS; Suppressor Type:Varistance; Nombre de sorties:4; Tension:369VDC; Courant de pic:6.5kA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, crête max.., 8/20us:6500A; Energie transitoire max.. (10/1000uS):140J; Fréquence, mesure de capacité:440Hz; Largeur (externe):78mm; Longueur/hauteur:55mm; Pointe de courant:6.5kA; Profondeur:12.5mm; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension VDC:369V; Tension TERMINAL MODULE, IDC, GREY. 241B; Type de connecteur:Fil- -carte; Série:241B; Terminaison du contact:IDC / IDT; Nombre de contacts:10; Nombre de rangées:2; Pas:5.08mm; Couleur:Gris; Diamètre du conducteur max..:0.65mm; Diamètre du conducteur min.:0.4mm; Entraxe de fixation:95mm; Largeur (externe):105mm; Longueur/hauteur:23mm; Méthode de terminaison:IDC; Nombre de pâles:20; Nombre de voies:10; Numéro AWG max..:22AWG; Numéro AWG min.:26AWG; Référence BT:241B MODULE, POWER ENTRY, 1POLE; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:10A ENEC/VDE, 15A UL/CSA; Connector Type:IEC; Courant efficace max.:100A; Courant max.:12A; Epaisseur, panneau max..:6.0mm; Largeur (externe):27.2mm; Longueur/hauteur:34mm; Méthode de terminaison:Connexion rapide; Nombre de sorties:1; Profondeur, derrière panneau:35.15mm; Taille de découpe, pannea MODULE DE PUISSANCE 6A 5-VIN; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:700kHz; Numéro générique:05000; Précision:2%; Racine de la référence:05000; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustable m MODULE 3UX21HPX220; Profondeur externe - Impérial:8.66''; Profondeur externe - Métrique:220mm; Hauteur externe - Impérial:10.32''; Hauteur externe - Métrique:262.05mm; Hauteur du rack (U):3; Largeur du rack (HP):21; Profondeur de la carte - Métrique:220mm; Largeur externe - Impérial:4.19''; Largeur externe - Métrique:106.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur, dimension externe:262.05mm; Largeur (externe):106.3mm; Matière:Aluminium anodisé; Profondeur:220mm; Profondeur de la carte:220mm; Profo CAPOT POUR MODULE 42HPX160MM; Profondeur externe - Impérial:6.3''; Profondeur externe - Métrique:160mm; Hauteur externe - Impérial:5.07''; Hauteur externe - Métrique:128.7mm; Hauteur du rack (U):42; Largeur du rack (HP):42; Profondeur de la carte - Métrique:160mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur, dimension externe:128.7mm; Profondeur:160mm; Profondeur de la carte:160mm; Profondeur externe:160mm; Série:RIPAC; Taille du paquet:1 MODULE AFFICHEUR LCD GRAPHIQUE; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.345mm x 0.345mm; Pas de pixel (H x L):0.36mm x 0.36mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):89mm x 120mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur, surface d'affichage:120mm; Largeur (externe):167mm; Largeur, surface d'affichage:89mm; Longueur/hauteur:109mm; Profondeur:10mm; Résolution:320 (W) x 240 (H); Technologie d'afficheur:LCD, F-STN, B&W, Negative (with uppe MODULE 3UX21HPX160; Profondeur externe - Impérial:6.3''; Profondeur externe - Métrique:160mm; Hauteur externe - Impérial:5.07''; Hauteur externe - Métrique:128.7mm; Hauteur du rack (U):3; Largeur du rack (HP):21; Profondeur de la carte - Métrique:160mm; Largeur externe - Impérial:4.19''; Largeur externe - Métrique:106.3mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur, dimension externe:128.7mm; Largeur (externe):106.3mm; Matière:Aluminium anodisé; Profondeur:160mm; Profondeur de la carte:160mm; Profondeu MODULE RECEPTEUR; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:2.5mA; Distance de fonctionnement:45m; Fréquence:433MHz; Largeur (externe):38mm; Longueur/hauteur:14mm; Profondeur:2mm; Sensibilité RF:-105dBm; Taux de transfert de données max..:2000bps; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation:5V MODULE RECEPTEUR FM SIL; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:6mA; Fréquence:433.92MHz; Largeur (externe):17mm; Longueur/hauteur:49mm; Profondeur:4mm; Sensibilité RF:-107dBm; Température de fonctionnement max..:80°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension, alimentation:5V MODULE TRANSMETTEUR FM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:14A; Distance de fonctionnement:200m; Fréquence:433MHz; Safety Category:DTI MPT1340 approved, CE marked; Taux de transfert de données max..:10000bps; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-10°C; Tension, alimentation:9V MODULE NVRAM 256K; Taille mémoire:256Kbit; Configuration mémoire:32K x 8; Caractéristiques NVRAM:Batterie interne; Type d'interface:Parallèle; Temps d'accès:100ns; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.5V; Type de boîtier de CI mémoire:DIP; Nombre de broches:28; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Configuration mémoire:32K x 8; Interface:Parallel; Interface Type:Parallel; Numéro de la fonction logique:3281; Numéro générique:3281; Racine de la référence:3281; Taille mémoire:256Kbit; MODULE, POWER ENTRY, 2POLE; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / UL; Catégorie d'approbation:10A IEC, 12A UL/CSA; Connector Type:IEC; Couleur:Black; Courant max.:12A; Epaisseur, panneau max..:6.0mm; Méthode de terminaison:Connexion rapide; Nombre de sorties:1; Normes:C14 acc. to IEC/EN 60320-1; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation m MODULE EMBASE IEC 6A; Courant:6A; Courant de fuite max:5è¾A; Capacité:0.047è¾F; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite:5è¾A; Hauteur, dessus du panneau:2.5mm; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):30.5mm; Largeur, découpe panneau:28.0mm; Longueur/hauteur:60mm; Matière, boîtier:Thermoplastique noir, UL94V-0; Nombre de phases:Une; Profondeur:40.4mm; Taille de l'image:30.5 x 50mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension c.a.:250V; peur, découpe p MODULE D'ALIMENTATION 24V 0.6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:600mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:110mm; Largeur:50.8mm; Hauteur:23mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:78%; Fréquence, entrée:50Hz; Largeur (externe):50.8mm; Longueur/hauteur:110mm; Profondeur:23mm; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 100V DC 375V MODULE D'ALIMENTATION 12V 2.5A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:2.5A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:110mm; Largeur:65mm; Hauteur:33mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:75%; Fréquence, entrée:50Hz; Largeur (externe):65mm; Longueur/hauteur:120mm; Profondeur:33mm; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 100V DC 375V DC; T MODULE D'ALIMENTATION 24V 1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:1.3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:110mm; Largeur:65mm; Hauteur:33mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:77%; Fréquence, entrée:50Hz; Largeur (externe):65mm; Longueur/hauteur:120mm; Profondeur:33mm; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 100V DC 375V DC; T MODULE D'ALIMENTATION +5V +/-12V; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:110mm; Largeur:65mm; Hauteur:33mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Courant, sortie 2:600mA; Courant, sortie 3:600mA; Efficacité:78%; Fréquence, entrée:50Hz; Largeur (externe):65mm; Longueur/hauteur:120mm; Profondeur:33mm; Tensio MODULE D'ALIMENTATION 24V 0.6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:600mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:76mm; Largeur:50.7mm; Hauteur:22.7mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:78%; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Fréquence, entrée:400Hz; Largeur (externe):50.7mm; Longueur/hauteur: MODULE D'ALIMENTATION 5V 6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:90.5mm; Largeur:65.5mm; Hauteur:33.5mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:70%; Fréquence, alimentation max..:400Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Fréquence, entrée:400Hz; Largeur (externe):90.5mm; Longueur/hauteur:65.5m MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:3mW; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Courant, alimentation:70mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 3r; Diamètre, extérieur:11mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:35mm; Largeur (externe):11mm; Longueur d'onde, crête:670nm; Longueur/hauteur:37mm; Temps moyen d'erreur:150000h; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; Température, stockage max..:85°C; Température, stockage min.:-40°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:633nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Courant, alimentation:70mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:11mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:35mm; Largeur (externe):11mm; Longueur/hauteur:37mm; Temps moyen d'erreur:30000h; Température de fonctionnement:-10°C +45°C; Température, stockage max..:85°C; Température, stockage min.:-40°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension, alimentation min.:3.5V MODULE DE VFD 2X 20CH 5MM; Résolution:2 x 20; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):11.5mm x 70.8mm; Courant, alimentation:130mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle; Courant, alimentation max.:137mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Entraxe de fixation, L x l:29.0 x 108.0mm; Hauteur, caractère:8.0mm; Interface Type:Parallel; Largeur (externe):116mm; Largeur, caractère:2.4mm; Largeur, point:0.4mm; Largeur, surface d'affichage:70.8mm; Lig MODULE DE VFD 2X20 9MM; Résolution:2 x 20; Zone d'affichage (H x L):18.8mm x 102.6mm; Courant, alimentation:400mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Format de caractère:Dot Matrix; Largeur (externe):146mm; Longueur/hauteur:43mm; Profondeur:19mm; Température de fonctionnement max..:+85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de caractère:Matrice point 5 x 7; Type d'interface:LCD parallèle / série 4/8 bits; Courant, alimentation max. MODULE VFD 128X8 GRAPHIQUE 12VDC; Résolution:128 x 8; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):28.5mm x 363mm; Courant, alimentation:500mA; Gamme de tension d'alimentation:10.8V 13.2V; Type d'interface:Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:557mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Interface Type:Serial; Largeur (externe):370mm; Largeur, surface d'affichage:307mm; Lignes, nombres de:1; Longueur/hauteur:46mm; Nombre de caractères par lig MODULE VFD 16X9 STARBURST 12VDC; Résolution:1 x 16; Format Caractère:14 segments; Viewing Area (H x W):10mm x 138.4mm; Courant, alimentation:300mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:263mA; Diamètre, trous de fixation:4.0mm; Entraxe de fixation, L x l:25 x 185/215; Format de caractère:14 Segment; Hauteur, caractère:9.0mm; Largeur (externe):225.5mm; Largeur, surface d'affichage:138.4mm; Lignes, nombres de:1; Longu MODULE, POWER ENTRY, 1POLE; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:10A ENEC/VDE, 15A UL/CSA; Connector Type:IEC; Courant efficace max.:100A; Courant max.:12A; Epaisseur, panneau max..:6.0mm; Largeur (externe):44mm; Longueur/hauteur:34mm; Méthode de terminaison:Connexion rapide; Nombre de sorties:1; Profondeur, derrière panneau:32.15mm; Taille de découpe, panneau: MODULE TRIGGER ZERO-V; Tension, alimentation:440V; Série:SKPC100; Température de fonctionnement:-30°C +100°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Zero Voltage or Instantaneous Switching Applications; Approval Bodies:VDE; Courant d'entrée max..:30mA; Courant de déclenchement de porte max, Igt:1.7A; Courant, sortie max.:1.7A; Différentiel de tension dv/dt:100V/è¾s; Entraxe de fixation:80mm; Fréquence, alimentation max..:450Hz; Fréquence, alimentation min.:45Hz; Inflammabilité:UL94V-0; Lar MODULE IGBT 1200V 200A; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:300A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:4; Configuration module:Une; Courant Ic Vce sat:200A; Courant, Ic max.. permanent a:300A; Courant, Icm impulsionnel:600A; Dissipation de puissance:1.5kW; Dissipation de puissance, max..:1.3kW; Largeur (externe):108mm; Longueur/hauteur:35mm; Nombre de transistors:1; Poids: MODULE D'ALIMENTATION +5V; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:100mA; Gamme tension entrée VAC:110V 125V; Longueur:50mm; Largeur:41mm; Hauteur:28mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant d'ondulation c.c.:0.5mA; Largeur (externe):41mm; Longueur/hauteur:29.6mm; Profondeur:50mm; Régulation, charge:1%; Régulation, ligne:1%; Température de fonctionnement max..:70°C; Tension d'alimentation typique:120V AC; Tension d'entrée:110V AC 12 MODULE DE PUISSANCE 500V 5A; Nombre de canaux de sortie:3; Courant, sortie:5A; Tension, sortie:500V; Gamme de tension d'alimentation:13.5V 16.5V; Type de boîtier CI Driver:SPM27-BA; Nombre de broches:27; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de la sortie, entrant min.:7A; Courant de la sortie, sortant min.:7A; Puissance, Ptot:20W; Racine de la référence:0550; Température de fonctionnement max..:125°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, ali SOFT-START CONTROL MODULE; Gamme de tension d'alimentation:110V / 230V; Nombre de phases:Une; Courant:25A; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:CE; Courant efficace max.:26A; Courant, charge:25A; Courant, sortie max.:15A; Largeur (externe):43mm; Longueur/hauteur:26mm; Profondeur:56mm; Tension, alimentation max..:253VAC; Tension, alimentation min.:207VAC; Tension, isolation:5000V; Type de montage:Montage vis; courant, charge max..:25A MODULE DE SUPPRESSION RFI 6A; Courant:6A; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Etiquette d'ampérage 1/4''; Courant, Id max..:6A; Courant, sortie:6A; Largeur (externe):44mm; Longueur/hauteur:43mm; Nombre de phases:Une; Normes:EN55022; Profondeur:72mm; Suppressor Type:Secteur; Série:F; Tension de fonctionnement:110V AC 230V AC; Tension, contrôle c.a. max..:230V; Type de connecteur:Borne MODULE DE SUPPRESSION RFI 10A; Courant:10A; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Etiquette d'ampérage 1/4''; Courant, Id max..:10A; Courant, sortie:10A; Largeur (externe):44mm; Longueur/hauteur:43mm; Nombre de phases:Une; Normes:EN55022; Profondeur:72mm; Suppressor Type:Secteur; Série:F; Tension de fonctionnement:110V AC 230V AC; Tension, contrôle c.a. max..:230V; Type de connecteur:Borne MODULE DE SUPPRESSION RFI 15A; Courant:15A; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Goujon et écrou M4; Courant, Id max..:15A; Courant, sortie:15A; Largeur (externe):62mm; Longueur/hauteur:45mm; Nombre de phases:Une; Normes:EN55022; Profondeur:92mm; Suppressor Type:Secteur; Série:F; Tension de fonctionnement:110V AC 230V AC; Tension, contrôle c.a. max..:230V; Type de connecteur:Borne MODULE LASER; Longueur d'onde typ.:635nm; Puissance de sortie:1mW; Laser Lens:Asphérique; Courant, alimentation:130mA; Tension:6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:10mm; Longueur/hauteur:20mm; Tension, alimentation max..:6VDC; Tension, alimentation min.:4.5V MODULE LASER LINEAIRE; Longueur d'onde typ.:635nm; Puissance de sortie:3mW; Laser Lens:Ligne; Courant, alimentation:130mA; Tension:6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Classe, laser:Classe 2M; Diamètre, extérieur:11.5mm; Divergence faisceau:1mrad; Longueur/hauteur:55mm; Tension, alimentation max..:6VDC; Tension, alimentation min.:4.5V MODULE CARTE PROTOTYPE; Caractéristiques du kit:29 x 10 Hole Proto Area, Separate Lines for Power Rails, Patch Area for Non-proto Components; Outils / carte d'application:Development; Type:Prototyping Board; Type d'outils de développement:Prototype Module MODULE DE PUISSANCE 6A 12VIN; Tension d'entrée primaire:13.2V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:350kHz; Numéro générique:12000; Précision:2%; Racine de la référence:12000; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension de sortie ajustable MODULE TRIGGER PHASE-ANGLE; Tension, alimentation:230V; Série:X10224; Température de fonctionnement:0°C +65°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); A utiliser avec:AC Resistive or Inductive Loads; Approval Bodies:CE; Diamètre, trous de fixation:10mm; Fréquence, alimentation max..:60Hz; Fréquence, alimentation min.:50Hz; Largeur (externe):22mm; Longueur/hauteur:42mm; Profondeur:22mm; Puissance, Ptot:1.5W; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:110V; Tension, alimentation m MODULE DRIVER DE THYRISTOR; Gamme de tension d'alimentation:110V AC / 240V AC / 415V AC; Fréquence, alimentation:60Hz; Température de fonctionnement:-5°C +65°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:CE; Courant efficace max.:300mA; Largeur (externe):100mm; Longueur/hauteur:36mm; Profondeur:160mm; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-5°C; Tension, alimentation c.a. max..:415V; Tension, alimentation c.a. min:380V; Tension, alimentation max..:440VAC; Type MODULE DE SUPPRESSION RFI 25A; Courant:25A; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Goujon et écrou M4; Courant, Id max..:25A; Courant, sortie:25A; Largeur (externe):75mm; Longueur/hauteur:55mm; Nombre de phases:Une; Normes:EN55022; Profondeur:105mm; Suppressor Type:Secteur; Série:F; Tension de fonctionnement:110V AC 230V AC; Tension, contrôle c.a. max..:230V; Type de connecteur:Borne MODULE DE REDONDANCE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:15A; Puissance:360W; Longueur:110mm; Largeur:35mm; Hauteur:110mm; Approval Bodies:CB / CSA / EN / IEC / UL; Fréquence, alimentation max..:63Hz; Fréquence, alimentation min.:47Hz; Largeur (externe):35mm; Longueur/hauteur:110mm; Poids:500g; Profondeur:110mm; Tension, alimentation:264V; Tension, alimentation max..:24V; Tension, alimentation min.:24V; Tension, entrée:24VDC; Te MODULE DE VFD 4X20 5MM; Résolution:4 x 20; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):26mm x 90.4mm; Courant, alimentation:310mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-10°C +65°C; Courant, alimentation max.:326mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Entraxe de fixation, L x l:54.0 x 140.0mm; Hauteur, caractère:5mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):150mm; Largeur, caractère:3mm; Largeur, po MODULE DE VFD 126X32 GRAPHIQUE; Résolution:126 x 32; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):20.6mm x 82mm; Courant, alimentation:400mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Entraxe de fixation, L x l:31.0 x 119.0mm; Hauteur, caractère:4.4mm; Interface Type:Serial; Largeur (externe):126mm; Largeur, point:0.5mm; Largeur, surface d'affichage:82mm; Lignes, nombres de: MODULE USB MALE; Type de connecteur:USB 2.0 A; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Vis; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:DIN EN 61 984; Connector Type:USB; Contact Type:Broche; Courant:1A; Degré de pollution:3; Genre du contact:Broche; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Vis M3; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de rangées:1; Nombre de voies:4; Normes:USB 2.0; Orie MODULE FEMELLE 6 VOIES PROTEGEES; Série:HAN; Genre:Embase; Nombre de contacts:6; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Type:Fiche; Courant:16A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Contacts sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:6; Normes:DIN VDE 0627; Orienta MODULE MALE CC PROTEGE 4 VOIES; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Type:Broche; Courant:40A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:4; MODULE FEMELLE EEE 20 VOIES; Série:HAN; Genre:Embase; Nombre de contacts:20; Nombre de rangées:5; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Type:Fiche; Courant:16A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:20; Normes:DIN EN 61984; Orientation du conn MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:4mm x 2mm; Courant, alimentation:70mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:11mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:35mm; Largeur (externe):11mm; Longueur d'onde, crête:670nm; Longueur/hauteur:37mm; Temps moyen d'erreur:150000h; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; Température, stockage max..:85°C; Température, stockage min.:-40°C; Tension, alimentation max..:5V; Tensio MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:670nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:5mm x 5mm; Courant, alimentation:35mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:16mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:150mm; Largeur (externe):16mm; Longueur/hauteur:49mm; Temps moyen d'erreur:30000h; Température de fonctionnement:-10°C +45°C; Température, stockage max..:85°C; Température, stockage min.:-40°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension, alimentation min.:3.5V MODULE DE VFD 1X20 9MM; Résolution:1 x 20; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):8.85mm x 112.6mm; Courant, alimentation:240mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:315mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Entraxe de fixation, L x l:26.0 x 160.0mm; Hauteur, caractère:8.8mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):164mm; Largeur, caractère:4.45mm; Lar MODULE VFD 96X8 GRAPHIQUE 12VDC; Résolution:96 x 8; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):12.55mm x 153.4mm; Courant, alimentation:300mA; Gamme de tension d'alimentation:10.8V 13.2V; Type d'interface:Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:263mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Interface Type:Serial; Largeur (externe):215mm; Largeur, surface d'affichage:153.4mm; Lignes, nombres de:1; Longueur/hauteur:27mm; Nombre de caractères par MODULE COVERTISSEUR SERIE RS232/485; Type d'accessoire:Interface Converter; Tension:32VDC; Courant:75mA; Longueur:98mm; Largeur (externe):25mm; Profondeur:90.5mm; Input Type:RS485; Longueur/hauteur:79mm; Nombre de voies:1; Température de fonctionnement max..:50°C; Température d'utilisation min:0°C; Type de montage:Rail DIN; Type de sortie:RS232 KIT EVAL MODULE TPS40200-001; Caractéristiques:Single P-Channel MOSFET and Single Rectifier; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Convertisseur buck; Caractéristiques du kit:Adjustable w/Feedback Resistor, 300kHz Switching Frequency, P-channel MOSFET, Single Rectifier; Core Architecture:Contrôleur Buck asynchrone; Core Sub-Architecture:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; MCU Supported Families:TPS40200; Outils / carte d'application:Evaluation; Racine de la référ MODULE LASER LINEAIRE; Longueur d'onde typ.:650nm; Puissance de sortie:3mW; Laser Lens:Ligne; Courant, alimentation:50mA; Tension:6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Classe, laser:Classe 2M; Diamètre, extérieur:11.5mm; Divergence faisceau:1mrad; Longueur/hauteur:55mm; Température de fonctionnement:0°C +40°C; Tension, alimentation max..:6VDC; Tension, alimentation min.:4.5V MODULE 3UX42HPX220; Profondeur externe - Impérial:8.66''; Profondeur externe - Métrique:220mm; Hauteur externe - Impérial:10.32''; Hauteur externe - Métrique:262.05mm; Hauteur du rack (U):3; Largeur du rack (HP):42; Profondeur de la carte - Métrique:220mm; Largeur externe - Impérial:8.39''; Largeur externe - Métrique:213mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur, dimension externe:262.05mm; Largeur (externe):213mm; Matière:Aluminium anodisé; Profondeur:220mm; Profondeur de la carte:220mm; Profondeu MODULE SUB D FEMELLE; Type de connecteur:Sub-D; Série:HAN Modular; Nombre de contacts:9; Genre:Embase; Terminaison du contact:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Courant:5A; Degré de pollution:3; Genre du contact:Fiche; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Contacts sertir; Nombre de rangées:2; Nombre de voies:9; Normes:DIN VDE 0627, DIN VDE 0110, DIN EN 61984; Orientation du connecteur:Câb MODULE DDD MALE 17W; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:17; Nombre de rangées:3; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:10A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Contacts sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:17; Normes:DIN VDE 0627; Orientation du connecteur:Câble; Résistance d'isolement:10 MODULE EEE MALE 20 VOIES; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:20; Nombre de rangées:5; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Type:Broche; Courant:16A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:20; Normes:DIN EN 61984; Orientation MODULE MALE AXIAL A VIS 3 VOIES 8MM; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Argent; Contact Type:Broche; Courant:40A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Vis; No MODULE AXIAL FEMELLE A VIS 3 VOIES 10MM; Série:HAN; Genre:Embase; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Argent; Contact Type:Fiche; Courant:40A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de FENETRE DE VISITE 36 MODULES; A utiliser avec:PC/ABS Cabinets; Matériau du boîtier:Polycarbonate; Indice de protection:65; Hauteur externe - Impérial:14.84''; Largeur externe - Impérial:13.03''; Hauteur externe - Métrique:377mm; Largeur externe - Métrique:331mm; Body Material:Polycarbonate; Gamme:Pour 36 modules; Hauteur, dimension externe:377mm; IP / NEMA Rating:IP65; Largeur (externe):331mm; Matière:Polycarbonate; Profondeur:377mm; Série:PICCOLO; Température de fonctionnement max..:80°C; Tempé MODULE DE PUISSANCE 500V 6A; Nombre de canaux de sortie:3; Courant, sortie:6A; Tension, sortie:500V; Gamme de tension d'alimentation:13.5V 16.5V; Type de boîtier CI Driver:SPM27-BA; Nombre de broches:27; Température de fonctionnement:-20°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Puissance, Ptot:20W; Racine de la référence:0650; Tension, alimentation max..:16.5V; Tension, alimentation min.:13.5V; Type de boîtier:SPM27BA; Type de driver:Puissance; Type de terminaison:Traversant MODULE RECEPTEUR FM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:14mA; Distance de fonctionnement:300m; Fréquence:433MHz; Safety Category:DTI MPT1340 approved, CE marked; Taux de transfert de données max..:10000bps; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-10°C; Tension, alimentation:9V MODULE LINKLED 1W WBLANC; Série:LinkLED; Type de modeule LED:Plug and Play; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:3800K; Flux lumineux Test:20lm; Configuration module de puissance:Barre d'éclairage; Tension, alimentation:3.42V; Courant Test:350mA; Puissance:1.2W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur, LED:Blanc chaud; Courant, direct, If:350mA; Courant, direct, If:350mA; Dissipation de puissance:1W; Dissipation de puissance Pd:1W; Flux lumineux:20lm; Tension, Vf max..:3. MODULE MALE PROTEGE 6 VOIES; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:6; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Type:Broche; Courant:16A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Contacts sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:6; Normes:DIN VDE 0627; O MODULE AXIAL MALE A VIS 3 VOIES; Série:HAN; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Argent; Contact Type:Broche; Courant:40A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Vis; Nombre KIT, EVALUATION MODULE, 2.4GHZ; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Kit Application Type:Carte de développement sans fil; Contenu du kit:2x CC2500EM Evaluation Modules, 2x Antennas; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Evaluate SmartRF04 Products, Perform RF Measurements, Develop a Prototype; Core Architecture:Emetteur-récepteur RF; Core Sub-Architecture:Communication; Outils / carte d'application:Evaluation; Supported Devices:CC2500; Type:Evaluation Module Kit; Type d'outils de MODULE DE PUISSANCE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Puissance:500mVA; Longueur:35mm; Largeur:32mm; Hauteur:16mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Consommation de puissance:2VA; IP / NEMA Rating:IP40; Largeur (externe):32mm; Longueur/hauteur:35mm; Profondeur:16mm; Température de fonctionnement max..:55°C; Température d'utilisation min:-25°C; Tension d'alimentation typique:230V AC; Tension, alimentation:230V; Tension, entrée:230VAC; Type d'alimentation:Adaptateur; Typ MODULE D'ALIMENTATION 5V 3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:110mm; Largeur:50.8mm; Hauteur:23mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:70%; Fréquence, entrée:50Hz; Largeur (externe):50.8mm; Longueur/hauteur:110mm; Profondeur:23mm; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 100V DC 375V DC; Ten MODULE D'ALIMENTATION 12V 1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.3A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:110mm; Largeur:50.8mm; Hauteur:23mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / cUL / UL / VDE; Efficacité:75%; Fréquence, entrée:50Hz; Largeur (externe):50.8mm; Longueur/hauteur:110mm; Profondeur:23mm; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 100V DC 375V D MODULE D'ALIMENTATION 40W 12V; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:3.3A; Puissance:40W; Gamme tension entrée VAC:90V 264V; Gamme tension entrée VDC:100V 375V; Longueur:120mm; Largeur:65mm; Hauteur:33mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:CE / UL; Efficacité:80%; Fréquence, entrée:400Hz; Largeur (externe):120mm; Longueur/hauteur:33mm; Profondeur:65mm; Tension d'entrée:90V AC 264V AC, 100V DC 375V DC; Tension, alim FENETRE DE VISITE 24 MODULES; A utiliser avec:PC/ABS Cabinets; Matériau du boîtier:Polycarbonate; Indice de protection:65; Hauteur externe - Impérial:8.98''; Largeur externe - Impérial:8.58''; Hauteur externe - Métrique:228mm; Largeur externe - Métrique:218mm; Body Material:Polycarbonate; Gamme:Pour 24 modules; Hauteur, dimension externe:228mm; IP / NEMA Rating:IP65; Largeur (externe):218mm; Matière:Polycarbonate; Profondeur:248mm; Série:PICCOLO; Température de fonctionnement max..:80°C; Tempéra MODULE BASIC STAMP 2P-40; Caractéristiques:Processor Speed 20 MHz Turbo, Scratch Pad RAM 128 Bytes, PBASIC Commands 61; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur programmable; Caractéristiques du kit:20MHz Turbo Processor Speed, 12000 PBASIC Instructions/sec, 38Bytes RAM; MCU Supported Families:BS2P40, BS2P24; Outils / carte d'application:Programming; Racine de la référence:2; Supported Devices:BS2P40, BS2P24; Type:Stamp Module; Type d'outils de développement:Stamp Module; Type de produit IC:P MODULE D'ALIMENTATION 15W +/-12V-0.6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:625mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:55mm; Largeur:45mm; Hauteur:24mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:625mA; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):55mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, MODULE D'ALIMENTATION 15W 5V/3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:77mm; Largeur:45mm; Hauteur:26.4mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):77mm; Longueur/hauteur:26.4mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne: MODULE D'ALIMENTATION 15W 12V-1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:77mm; Largeur:45mm; Hauteur:26.4mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):77mm; Longueur/hauteur:26.4mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, MODULE TRIGGER; Tension, alimentation:240V; Série:SKPC200; Température de fonctionnement:0°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:WIC, B2HZ, B2HK Power Circuits; Approval Bodies:VDE; Courant, sortie max.:1.9A; Différentiel de tension dv/dt:500V/è¾s; Entraxe de fixation:80mm; Fréquence, alimentation max..:65Hz; Fréquence, alimentation min.:45Hz; Impédance, entrée:100kohm; Inflammabilité:UL94V-0; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:32mm; Profondeur:70mm; Température de fonction MODULE D'ALIMENTATION 15W +/-12V-0.6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:625mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:77mm; Largeur:45mm; Hauteur:26.4mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:625mA; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):77mm; Longueur/hauteur:26.4mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulati MODULE D'ALIMENTATION 30W 15V-2.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:2A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:76mm; Largeur:51mm; Hauteur:28mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):76mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne: MODULE-BLEUTOOTH SERIE; Caractéristiques du kit:Bluetooth Transmission Class 1, Data Transfer rate Up to 300Kbps over UART, Serial Interface; Outils / carte d'application:Bluetooth System Development; Type:Bluetooth Module; Type d'outils de développement:Bluetooth Module USB MEASUREMENT MODULE 12BIT LS USB 1.1; Nombre de voies:16; Taux d'échantillonnage:50kSPS; Tension, entrée max..:20V; Bande passante:1MHz; Hauteur, dimension externe:83mm; Largeur (externe):80mm; Profondeur:25.4mm; Base de temps:Watchdog timer; Echantillonnage:8 kS; Interface Type:USB 1.1 Low Speed (LS); Nombre d'entrées:16; Résolution:12 bit; Taille du buffer:4k FIFO; Tension, entrée:20V; Tension, sortie:5V USB MEASUREMENT MODULE 12BIT FS USB 2.0; Nombre de voies:16; Taux d'échantillonnage:50kSPS; Tension, entrée max..:20V; Bande passante:1MHz; Hauteur, dimension externe:83mm; Largeur (externe):80mm; Profondeur:25.4mm; Base de temps:Watchdog timer; Echantillonnage:50 kS; Interface Type:USB 2.0 Full Speed (FS); Nombre d'entrées:16; Résolution:12 bit; Tension, entrée:20V; Tension, sortie:5V MODULE D'ALIMENTATION 15W +/-15V/0.5A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:500mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:55mm; Largeur:45mm; Hauteur:24mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:500mA; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):55mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, MODULE D'ALIMENTATION 30W 5V-6.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:76mm; Largeur:51mm; Hauteur:28mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):76mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20 USB MEASUREMENT MODULE 16BIT; Nombre de voies:8; Taux d'échantillonnage:200kSPS; Tension, entrée max..:10V; Bande passante:1MHz; Hauteur, dimension externe:83mm; Largeur (externe):80mm; Profondeur:25.4mm; Echantillonnage:200 kS; Interface Type:USB 2.0; Nombre d'entrées:8; Résolution:16 bit; Tension, entrée:10V USB MEASUREMENT MODULE 12BIT; Nombre de voies:24; Taux d'échantillonnage:8kSPS; Tension, entrée max..:20V; Hauteur, dimension externe:157mm; Largeur (externe):102mm; Profondeur:40mm; Base de temps:Watchdog timer; Echantillonnage:8 kS; Interface Type:USB 1.1; Nombre d'entrées:24; Résolution:12 bit; Taille du buffer:4 k; Tension, entrée:20V MEASUREMENT MODULE, USB- THERMO; Nombre de voies:8; Taux d'échantillonnage:16Ech/s; Tension, entrée max..:40V; Hauteur, dimension externe:127mm; Largeur (externe):88.9mm; Profondeur:35.56mm; Interface Type:USB 2.0 Full-Speed, 1.1 Compatible; Résolution:24 bit A/D; Sensor Type:Thermocouples, Type J, K, T, E, R, S, B, N SERIE VERS ETHERNET MODULE AES 256RJ; Applications Outils / Carte:Conception intégrée; Interface Type:Serial; MCU Supported Families:XPort; Outils / carte d'application:Conception embarquée; Type:Development Kit; Type d'outils de développement:Embedded Ethernet Device Server WIPORT MODULE SERIE VERS WIFI 802.11B/G; Applications Outils / Carte:Réseau sans fil; Outils / carte d'application:Serial-to-Ethernet networking; Type:Wireless Device Server Module; Type d'outils de développement:Ethernet Module WIPORT MODULE CANAUX SERIES/ETHERNET; Applications Outils / Carte:Connectivité série-vers-Ethernet; Interface Type:Serial; Outils / carte d'application:Serial-to-Ethernet networking; Type:Embedded Ethernet Device Server; Type d'outils de développement:Ethernet Module MODULE D'ALIMENTATION 15W 12V-1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:55mm; Largeur:45mm; Hauteur:24mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):55mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, lig MODULE D'ALIMENTATION 15W 15V-1.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:55mm; Largeur:45mm; Hauteur:24mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):55mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne: MODULE D'ALIMENTATION 15W 15V-1.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:77mm; Largeur:45mm; Hauteur:26.4mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):77mm; Longueur/hauteur:26.4mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, li MODULE D'ALIMENTATION 30W 12V-2.5A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:2.5A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:76mm; Largeur:51mm; Hauteur:28mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):76mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, lign MODULE D'ALIMENTATION 30W 24V-1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:76mm; Largeur:51mm; Hauteur:28mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):76mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, lig MODULE D'ALIMENTATION 30W +/-15V-1.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:76mm; Largeur:51mm; Hauteur:28mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:1A; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):76mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge MODULE D'ALIMENTATION 30W 5V-6.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:96mm; Largeur:51mm; Hauteur:29.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):76mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne: MODULE D'ALIMENTATION 30W 24V-1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:96mm; Largeur:51mm; Hauteur:29.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):96mm; Longueur/hauteur:29.5mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, MODULE D'ALIMENTATION 30W +/-12V-1.3A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:96mm; Largeur:51mm; Hauteur:29.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:1.25A; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):96mm; Longueur/hauteur:29.5mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulati MODULE D'ALIMENTATION 30W +/-15V-1.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:96mm; Largeur:51mm; Hauteur:29.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:1A; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):96mm; Longueur/hauteur:29.5mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, ch MODULE DIODE LASER; Longueur d'onde typ.:633nm; Puissance de sortie:900è¾W; Taille de faisceau laser:5mm x 5mm; Courant, alimentation:35mA; Tension:5V; Classe, laser:Classe 2; Diamètre, extérieur:16mm; Divergence faisceau:0.5mrad; Gamme:150mm; Largeur (externe):16mm; Longueur/hauteur:49mm; Temps moyen d'erreur:30000h; Température de fonctionnement:-10°C +45°C; Température, stockage max..:85°C; Température, stockage min.:-40°C; Tension, alimentation max..:5V; Tension, alimentation min.:3.5V MODULE DE VFD 2X20 5MM; Résolution:2 x 20; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):12.9mm x 78.65mm; Courant, alimentation:280mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:294mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Entraxe de fixation, L x l:36.5 x 116mm; Hauteur, caractère:4.65mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):124mm; Largeur, caractère:2.65mm; Larg MODULE DE VFD 2X40 5MM; Résolution:2 x 40; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):16mm x 188.55mm; Courant, alimentation:500mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:735mA; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Entraxe de fixation, L x l:16.5 x 230.0mm; Hauteur, caractère:5.05mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):240mm; Largeur, caractère:3.3mm; Larg MODULE DE VFD 126X64 GRAPHIQUE; Résolution:126 x 64; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):41.45mm x 83mm; Courant, alimentation:750mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:RS232, SPI; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Diamètre, trous de fixation:3.2mm; Entraxe de fixation, L x l:66.0 x 123mm; Hauteur, caractère:4.4mm; Interface Type:RS232, SPI; Largeur (externe):129mm; Largeur, point:0.5mm; Largeur, surface d'affichage:82mm; Lignes, nom MODULE LCD STN LED B/L 12X2; No. of Digits / Alpha:24; Compteur Ligne / caractère:12 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Mode d'affichage:Transflectif; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Largeur (externe):55.7mm; Largeur, caractère:2.65mm; Longueur/hauteur:32mm; Profondeur:12.8mm; Technologie d'afficheur:STN; Type de caractère:Alphanumeric dot matrix MODULE LCD STN REFLECT 16X2; No. of Digits / Alpha:32; Compteur Ligne / caractère:16 x 2; Taille de caractère:5.56mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Réflecteur; Largeur, surface d'affichage:61mm; Hauteur, surface d'affichage:16mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Largeur (externe):80mm; Largeur, caractère:2.96mm; Longueur/hauteur:36mm; Profondeur:9.7mm; Technologie d'afficheur:STN; Type de caractère:Alphanumeric dot matrix MODULE POE 3 CANAUX SERIE VERS ETHERNET; Applications Outils / Carte:Calcul et réseau pour circuit programmable; Interface Type:Serial; MCU Supported Families:Xport AR; Type:Embedded Processor Module; Type d'outils de développement:Embedded Network Processor Module MODULE DE PERSONNALISATION; Type d'accessoire:Personality Module; A utiliser avec:DSP-4300 Model Digital Cable Analyzer; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, TRANSMITTER, AM, 433MHZ; Gamme de fréquence:433.92MHz; Taux de transfert de données max..:0.003Mbps; Courant, alimentation:22mA; Type de modulation:AM; Température de fonctionnement:-20°C +60°C; Courant:11mA; Fréquence:433.92MHz; Taux de transfert:200; Taux de transfert de données max..:3000bps; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, alimentation:3VDC; Tension, alimentation max..:5VDC; Tension, alimentation min.:1.5VDC ALIMENTATION BUFFER MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:25A; Puissance:600W; Longueur:110mm; Largeur:54mm; Hauteur:110mm; Approval Bodies:CB / CSA / EN / IEC / UL; Fréquence, alimentation max..:63Hz; Fréquence, alimentation min.:47Hz; Largeur (externe):54mm; Longueur/hauteur:110mm; Poids:700g; Profondeur:110mm; Tension, alimentation:264V; Tension, entrée:28VDC; Tension, sortie max..:28VDC; Tension, sortie min.:24VDC; Type MODULE USB FEMELLE; Type de connecteur:USB 2.0 A; Série:HAN; Genre:Embase; Nombre de contacts:4; Terminaison du contact:Traversant; Montage connecteur:Câble; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Catégorie d'approbation:DIN EN 61 984; Connector Type:USB; Contact Type:Fiche; Courant:1A; Degré de pollution:3; Genre du contact:Fiche; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Câble de brassage de raccordement rapide; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de rangées:1; Nombre MODULE SUD B MALE; Type de connecteur:Sub-D; Série:HAN Modular; Nombre de contacts:9; Genre:Connecteur mâle; Terminaison du contact:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Sub-D, Miniature; Courant:5A; Degré de pollution:3; Genre du contact:Broche; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Contacts sertir; Nombre de rangées:2; Nombre de voies:9; Normes:DIN VDE 0627, DIN VDE 0110, DIN EN 61984; Orientation du connect MODULE FEMELLE DDD 17W; Série:HAN; Nombre de contacts:17; Nombre de rangées:3; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:10A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Contacts sertir; Nombre de cycles d'accouplements:500; Nombre de voies:17; Normes:DIN VDE 0627; Résistance d'isolement:10Mohm; Température de fonctionnement max..:+125°C; Température d'utilisation min:-4 MODULE AXIAL FEMELLE A VIS 3 VOIES; Série:HAN; Genre:Embase; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Argent; Contact Type:Fiche; Courant:40A; Degré de pollution:3; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Polycarbonate; Méthode de terminaison:Vis; Nombre de voie MODULES MOSFET SMART 2A 500V; Tension, entrée:500V; Courant, sortie:1A; Tension, sortie:500V; Nombre de canaux de sortie:3; Dissipation de puissance Pd:10W; Gamme de tension d'alimentation:13.5V 16.5V; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-20°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1A; Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:2A; Dissipation de puissance:10W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:10W; Résistance Rds(on):4ohm; Température, Tj max..:150°C; T PORTE MODULE NON ETANCHE 18 VOIES; Série:MQS; Type d'accessoire:Cover; A utiliser avec:18 Position Tab Housings; Matériau du corps du connecteur:PBT GF20; Connector Type:Matériel; Couleur:Noir; Matière:PBT GF20; Nombre de positions:18; Nombre de voies:18; Numéro AWG:0.75AWG MODULE DE DEV POUR VNC1L; Caractéristiques:Embedded Dual USB Host Controller IC Device, Jumper Selectable UART; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Contrôleur d'hôte MCU vers USB embarqué; Caractéristiques du kit:VNC1L Embedded USB Host Controller IC Device, USB A Type Socket to Interface w/USB Peripheral Device; Contenu du kit:Board; MCU Supported Families:VNC1L; Outils / carte d'application:Développement; Racine de la référence:1; Silicon Fabricant:FTDI; Type:Development Mo IC, POWER MODULE, SMD MODULE-10; DC / DC Converter Output Type:Ajustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:4.5V 14V; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:6A; Approval Bodies:CSA / IEC / UL; Tension, alimentation:5V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Montage en surface; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:10; Racine de la référence:8; Température de fonctionnement:-40°C RELAIS MODULE DPDT 8A 12VDC; Tension, bobine c.c. nom.:12V; Courant de contact max..:15A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:300ohm; Configuration contact:DPDT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:82.9mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:64.6mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:DPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Longueur/hauteur:82.9mm; Nombre de pâles:2; Série:4C; Température de fonctio MODULE IGBT 6 PACK 114A 1200V TRENCH; Courant de collecteur DC:114A; Tension, Vce sat max..:2.15V; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITOP 4; Nombre de broches:70; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:114A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Temps de descente:88ns; Temps de montée:33ns; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-40°C; Tension Vce Sat typ.:1.7V; Tension Vces:1.2kV; MODULE, RECEIVER, AM, 433MHZ; Courant:3.5mA; Sensibilité RF:105 dBm; Taux de transfert:0.2 - 3 KHz; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:-10°C; Tension, alimentation:5VDC MODULE MULTIFONCTIONS; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (19-Dec-2011) MODULE VIDEO OSD BOB-4; Silicon Fabricant:Decade Engineering; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Bitmap Graphics & Vector Graphics Commands, Automatic Vertical Scrolling, VBI Data Transmission; Applications Outils / Carte:Inspection vidéo distance, Générateur d'écrans noirs, Incrustation de données GPS; Caractéristiques du kit:Simple Hookup, Serial Data, Video I/O, Automatic Vertical Scrolling, Automatic Video Mode Control; Core Architecture:Afficheur; Core Sub-Architecture:Vidéo OSD; MCU MODULE ZIGBEE XBEE 1MW ANTENNE CHIP; MCU Supported Families:XBee; Taux de transfert:250Kbps; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:Long Range Data Integrity, Low Power, Advanced Networking & Security, ADC and I/O Line Support; Type:XBee RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module KIT ZIGBEE XBEEPRO AVEC MODULES; Silicon Fabricant:Digi International; Nom de famille Silicon:XBee; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Low-power Sleep Modes, 802.15.4/multipoint Network Topologies; Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:9V Battery Clip, USB Development Board; Contenu du kit:(1) XBee-PRO 802.15.4 w/ Wire Antenna, (1) XBee-PRO 802.15.4 w/ U.fl Connector, (1) XBee 802.15.4 w/ Wire Antenna, (1) XBee 802.15.4 w/ Chip Antenna, (1) XBee 802.15.4 w MODULE DE DECLENCHEMENT; Tension, alimentation:240V; Série:X10644; Température de fonctionnement:+10°C +60°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Approval Bodies:CE; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Longueur/hauteur:26mm; Profondeur:7mm; Puissance, Ptot:0.5W; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:10°C; Tension, alimentation c.a. max..:240V; Tension, alimentation c.a. min:110V; Tension, alimentation max..:240V; Tension, alimentation min.:110V; Type de RELAIS MODULE SPDT 16A 24VDC; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:25A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:1.2kohm; Configuration contact:SPDT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:82.9mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:64.6mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:SPDT; Courant de contact c.a. max.:25A; Longueur/hauteur:82.9mm; Nombre de pâles:1; Série:4C; Température de fonct MODULE BANDE BLANCHE PQ6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:FGA / FGB Distribution Board; Type d'accessoire:Blanking Strip MODULE SERIE VERS WIFI; Applications Outils / Carte:Réseau sans fil intégré; Outils / carte d'application:Embedded Wireless Networking; Type:Wireless Device Server Module; Type d'outils de développement:Kit de démonstration MODULE ZIGBEE BASE SUR SN250; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu du kit:Power Amplified Module with on-board ceramic antenna; Outils / carte d'application:ZigBee Networking; Température, max..:85°C; Température, min.:-40°C; Type d'outils de développement:Power Amplified Wireless Meshing Module MODULE GPS HAUTE SENSIBILITE; Nombre de voies:20; Interface Type:UART MODULE WIFI-SERIE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:No JTAG Interface, 10/100 BASE-T Ethernet Support or Wireless Interface; Outils / carte d'application:Conception embarquée; Type:Hardware - Daughter Card; Type d'outils de développement:Embedded Module MODULE D'ALIMENTATION 15W 24V-0.6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:625mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:55mm; Largeur:45mm; Hauteur:24mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):55mm; Longueur/hauteur:28mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, lig MODULE D'ALIMENTATION 15W 24V-0.6A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:625mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:77mm; Largeur:45mm; Hauteur:26.4mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):77mm; Longueur/hauteur:26.4mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, MODULE D'ALIMENTATION 15W +/-15V-0.5A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:500mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:77mm; Largeur:45mm; Hauteur:26.4mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:500mA; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):77mm; Longueur/hauteur:26.4mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:45mm; Régulati MODULE D'ALIMENTATION 30W 15V-2.0A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:2A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:96mm; Largeur:51mm; Hauteur:29.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):96mm; Longueur/hauteur:29.5mm; Ondulation de tension de sortie de crête crête:150mV; Profondeur:51mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, li I/O MODULE, OVER USB AND ETHERNET; Nombre de voies:14; Taux d'échantillonnage:50kSPS; Tension, entrée max..:5V; Hauteur, dimension externe:185mm; Largeur (externe):75mm; Profondeur:30mm; Bande passante, analogique:100kHz; Echantillonnage:50 kS; Interface Type:Ethernet (10Base-T) or USB (2.0 Full Speed); Longueur/hauteur:2.54mm; Résolution:16 bit; Taille du buffer:4MB MEASUREM MODULE, USB- ALLR, THERMO; Nombre de voies:8; Taux d'échantillonnage:16Ech/s; Tension, entrée max..:40V; Hauteur, dimension externe:127mm; Largeur (externe):88.9mm; Profondeur:35.56mm; Interface Type:USB 2.0 Full-Speed, 1.1 Compatible; Résolution:24 bit A/D; Sensor Type:Thermocouples, Type J, K, T, E, R, S, B, N et RTD (2, 3, 4 fils) MODULE WIRELESS USB 62.5KBPS 50M; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:USB; Nombre de broches:12; Nombre de voies:1; Racine de la référence:6935; Taux de transfert:62.5Kbps; Technologie:USB; Tension, alimentation max..:3.6V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de terminaison:Traversant; Type de transceiver:USB MODULE LED 6X1W BLANC CHAUD; Série:LUMILIGHT; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:3800K; Flux lumineux Test:20lm; Configuration module de puissance:Barre d'éclairage; Tension, alimentation:3.42V; Courant Test:350mA; Puissance:1.2W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Couleur, LED:Blanc chaud; Dimension de la lentille:L = 324mm, W = 13.5mm; Dissipation de puissance:6W; Dissipation de puissance Pd:6W; Flux lumineux:82lm; Flux lumineux typique:9 MODULES MOSFET SMART 3A 500V; Tension, entrée:500V; Courant, sortie:3A; Tension, sortie:500V; Nombre de canaux de sortie:3; Dissipation de puissance Pd:10W; Gamme de tension d'alimentation:13.5V 16.5V; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement:-20°C +150°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id cont.:1.5A; Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:3A; Dissipation de puissance:10W; Polarité transistor:N Canal; Puissance Pd:10W; Résistance Rds(on):2.4ohm; Température, Tj max..:15 MODULE NON ETANCHE 18 VOIES; Série:MQS; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:18; Nombre de rangées:2; Pas:2.54mm; Montage connecteur:Câble; Connector Type:Rectangulaire; Couleur:Noir; Matière:PBT GF15; Nombre de positions:18; Nombre de voies:18; Numéro AWG max..:0.75AWG; Numéro AWG min.:0.35AWG; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance RELAIS MODULE DPDT 8A 230VAC; Tension, bobine c.a. nom.:230V; Courant de contact max..:15A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:28kohm; Configuration contact:DPDT; Consommation électrique moyenne:1.2VA; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:82.9mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:64.6mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:DPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Longueur/hauteur:82.9mm; Nombre de pâles:2; Série:4C; Température de fonct RELAIS MODULE DPDT 8A 24VDC; Tension, bobine c.c. nom.:24V; Courant de contact max..:15A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:1.2kohm; Configuration contact:DPDT; Consommation électrique moyenne:500mW; Montage du relais:DIN Rail; Hauteur, dimension externe:82.9mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:64.6mm; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Configuration des contacts:DPDT; Courant de contact c.a. max.:15A; Longueur/hauteur:82.9mm; Nombre de pâles:2; Série:4C; Température de foncti MODULE RF NANOPAN 5360; Largeur (externe):20mm; MCU Supported Families:nanoPAN; Outils / carte d'application:RF Testing; Profondeur:30mm; Température, max..:85°C; Température, min.:-40°C; Tension, alimentation c.c. max..:3.6V; Tension, alimentation c.c. min.:2.4V; Type:RF Module; Type d'outils de développement:Module RF; Type de sortie:RF, 6dBm MODULE ZIGBEE XBEEPRO 1MW CONNECTEUR UFL; MCU Supported Families:XBee; Taux de transfert:250Kbps; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:Long Range Data Integrity, Low Power, Advanced Networking & Security, ADC and I/O Line Support; Type:XBee RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module DIAGNOSISMODULE SITOP SELECT; Tension VDC:24V; Courant:10A; Nombre de pâles:4; Approval Bodies:CE / UL; Largeur (externe):72mm; Longueur/hauteur:90mm; Poids:0.4kg; Safety Category:ClassIII; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension, alimentation max..:30VDC; Tension, alimentation min.:22VDC; Tension, entrée min.:22V; Tension, sortie:24VDC; Tension, sortie max..:30V COMMUTATEUR MODULE NOIR; Tension DC nominale du contact:24V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPNO; Contacts:SP - Mom; Couleur:Black; Couleur levier / capuchon:Noir; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:50mA; Courant de contact c.c. max.:50mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:3.2mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:10000000; Entraxe de fixation, L x l:33 x 32mm; Epaisseur, MODULE ENFICHABLE 3U 6HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:1.2''; Largeur externe - Métrique:30.48mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):30.48mm; Largeur du rack (HP):6 MODULE ENFICHABLE 3U 8HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:1.6''; Largeur externe - Métrique:40.64mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):40.64mm; Largeur du rack (HP):8 MODULE ENFICHABLE BLINDE 3U 10HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:2''; Largeur externe - Métrique:50.8mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):50.8mm; Largeur du rack (HP):10 MODULE ENFICHABLE 3U 12HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:2.4''; Largeur externe - Métrique:60.96mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):60.96mm; Largeur du rack (HP):12 MODULE ENFICHABLE BLINDE 3U 8HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:1.6''; Largeur externe - Métrique:40.64mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):40.64mm; Largeur du rack (HP):8 MODULE ENFICHABLE BLINDE 3U 121HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:2.4''; Largeur externe - Métrique:60.96mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):60.96mm; Largeur du rack (HP):12 MODULE LED 1X1W BLANC 5°; Série:LUMISPOT; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc; Température de couleur proximale:10000K; Flux lumineux Test:45lm; Configuration module de puissance:Circulaire; Tension, alimentation:3.42V; Courant Test:350mA; Puissance:1.2W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:5°; Consommation de puissance:1.2W; Couleur, LED:Blanc; Dimension de la lentille:Dia = 21.5mm, H = 15.5mm; Dissipation de puissance:1W; Dissipation de puissance Pd:1W; Flux lumineu MODULE IGBT MTP 600V; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:114A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:658W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:MTP; Nombre de broches:12; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Demi-pont; Courant Ic Vce sat:50A; Courant, Ic max.. permanent a:114A; Courant, Icm impulsionnel:350A; Dissipation de puissance:658W; Dissipation de puissance, max..:658W; Puissanc MODULE ACQUISITION DE DONNEES 16 VOIES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, TRANSMITTER, AM, 433MHZ; Gamme de fréquence:433MHz; Taux de transfert de données max..:0.003Mbps; Sensibilité dBm:10dBm; Gamme de tension d'alimentation:3V 12V; Courant, alimentation:12.5mA; Type de modulation:AM; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Courant:12mA; Fréquence:433.92MHz; Taux de transfert de données max..:3000 bps; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, alimentation:3VDC; Tension, alimentation max..:12VDC MODULE, READER, RFID, QUAD TAG; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) GSM/GPRS MODULE & B2B COMMUTATEUR MODULE BLEU; Tension DC nominale du contact:24V; Courant de contact max..:50mA; Terminaisons commutateur:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPNO; Contacts:SP - Mom; Couleur:Blue; Couleur levier / capuchon:Bleu; Courant , Tension c.c. contact-contact max.:50mA; Courant de contact c.c. max.:50mA; Diamètre de perçage du circuit imprimé:3.2mm; Durée de vie, mécanique:10000000; Durée de vie, électrique:10000000; Entraxe de fixation, L x l:33 x 32mm; Epaisseur, p PORTE MODULE NON ETANCHE 12 VOIES; Série:MQS; Type d'accessoire:Shield; A utiliser avec:12 Position Receptacle Housings; Connector Type:Matériel; Couleur:Marron; Matière:PBT20%FV; Nombre de contacts:12; Nombre de positions:12; Nombre de voies:12; Numéro AWG max..:0.6AWG; Numéro AWG min.:0.35AWG; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension VDC:16V; Type de connecteur:Matériel ENERGY HARVEST MODULE, 1.8-3.6V, 4.6MJ; Silicon Fabricant:Advanced Linear Devices; Kit Application Type:Gestion d'alimentation; Application Sous Type:Récupération d?énergie; Caractéristiques:Modules are Designed to Continuously and Actively Operate to Capture, Accumulate and Conserve Energy; Applications Outils / Carte:Stockage de l'énergie; Caractéristiques du kit:Broad Range of Irregular Input Voltage, Current & Waveforms, Onboard Energy Storage, CMOS Compatible; Hauteur:18mm; Largeur (externe ENERGY HARVEST MODULE, 1.8-3.6V, 30MJ; Silicon Fabricant:Advanced Linear Devices; Kit Application Type:Gestion d'alimentation; Application Sous Type:Récupération d?énergie; Caractéristiques:Modules are Designed to Continuously and Actively Operate to Capture, Accumulate and Conserve Energy; Applications Outils / Carte:Stockage de l'énergie; Caractéristiques du kit:Broad Range of Irregular Input Voltage, Current & Waveforms, Onboard Energy Storage, CMOS Compatible; Hauteur:18mm; Largeur (externe) PSU, MODULE, 50W, 48V/1A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:48V; Courant, sortie:1A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:110mm; Largeur:64mm; Hauteur:33.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V AC / 2 ENERGY HARVEST MODULE, 3.1-5.2V, 55MJ; Silicon Fabricant:Advanced Linear Devices; Kit Application Type:Gestion d'alimentation; Application Sous Type:Récupération d?énergie; Caractéristiques:Modules are Designed to Continuously and Actively Operate to Capture, Accumulate and Conserve Energy; Applications Outils / Carte:Stockage de l'énergie; Caractéristiques du kit:Broad Range of Irregular Input Voltage, Current & Waveforms, Onboard Energy Storage, CMOS Compatible; Hauteur:18mm; Largeur (externe) SCR/DIODE MODULE; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:55A; Courant, It efficace:95A; Courant Itsm (50Hz):1.5kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double Thyristor série; Courant, Itsm:1500A; Température, courant:85°C; Tension, Vrrm:1600V; Tension, Vrsm:1700V; Type Thyristor/Tr PSU, MODULE, 50W, 12V/4, 2A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:4.2A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:79mm; Largeur:64mm; Hauteur:32mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V AC / PSU, MODULE, 50W, 15V/3, 4A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:3.4A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:79mm; Largeur:64mm; Hauteur:32mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V AC / PSU, MODULE, 50W, 24V/2, 1A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:2.1A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:79mm; Largeur:64mm; Hauteur:32mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V AC / PSU, MODULE, 50W, 15V/3, 4A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:3.4A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:110mm; Largeur:64mm; Hauteur:33.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V A PSU, MODULE, 50W, 24V/2, 1A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:2.1A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:110mm; Largeur:64mm; Hauteur:33.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V A MODULE, PLUG-IN, 6U, 4HP; Hauteur externe - Impérial:10.5''; Hauteur externe - Métrique:266.7mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):6; Hauteur, dimension externe:266.7mm; Largeur du rack (HP):4 SCR/DIODE MODULE; Tension Vdrm:1200V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:40A; Courant, It efficace:75A; Courant Itsm (50Hz):1kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double Thyristor série; Courant, Itsm:1000A; Température, courant:85°C; Tension, Vrrm:1200V; Tension, Vrsm:1300V; Type Thyristor/Tria MODULE DOUBLE DIODE FAST 42A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.4kV; Courant, If moy.:42A; Tension, Vf max..:1.85V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, If efficace:120A; Courant, Ifs max.:1.2kA; Nombre de broches:3; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:2.14è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +130°C; Température, courant:85°C; Tension, Vrsm:1.4kV; Tension, direct If:1.85V; Tension, isolation:3.6kV; Type de boîtier:SEMIPACK 1; Type de boîtier diode: MODULE ETHERNET-SERIE; Module d'interface:Ethernet; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Solution intégrée; Caractéristiques du kit:Plug-and-Play Firmware, Integrated 10/100Mbit Ethernet Interface, UART Serial Interface; Outils / carte d'application:Conception embarquée; Type:Embedded Device Server Module; Type d'outils de développement:Embedded Module MODULE ZIGBEE XBEE 1MW ANTENNE CABLE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:Long Range Data Integrity, Low Power, Advanced Networking & Security, ADC and I/O Line Support; MCU Supported Families:XBee; Température, max..:85°C; Température, min.:-40°C; Type:XBee RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module MODULE ZIGBEE XBEE 1MW CONNECTEUR UFL; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:Long Range Data Integrity, Low Power, Advanced Networking & Security, ADC and I/O Line Support; MCU Supported Families:XBee; Type:XBee RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module KIT ZIGBEE XBEE AVEC MODULES; Silicon Fabricant:Digi International; Application Sous Type:Module RF embarqué; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Low-power Sleep Modes, 802.15.4/multipoint Network Topologies; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:International Power Supply with U.S. Europe, UK, and Australia Style Plugs; Contenu du kit:(2) XBee 802.15.4 w/ Wire Antenna, (1) RS-232 Development Board,(1) USB Development Board, (1) MODULE ZIGBEE XBEEPRO 1MW ANTENNE CABLE; MCU Supported Families:XBee; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:Long Range Data Integrity, Low Power, Advanced Networking & Security, ADC and I/O Line Support; Type:XBee RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module MODULE DIODE 100A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:125A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.75kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Anode to Stud; Taille du filetage:M12; Temps actif pour IFSM:10ms; Température, Tj max..:180°C; Tension, Vrsm:1.6V; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:DO-205AC; Type de boîtier diode:DO-205AC; courant Ifsm:1.75kA MODULE SERIE VERS WIFI; Compliance Standard:IEEE 802.11b; Fréquence RF:2.484GHz; Puissance transmise:14dBm; Module d'interface:Serial; Applications Module:Communications industrielles, machines de jeu et distributeurs, systèmes de sécurité; Applications Outils / Carte:Réseau sans fil intégré; Outils / carte d'application:Embedded Wireless Networking; Type:Wireless Device Server Module; Type d'outils de développement:Kit de démonstration MODULE DIODE 70A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:95A; Tension, Vf max..:1.5V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.15kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Anode to Stud; Taille du filetage:M8; Temps actif pour IFSM:10ms; Température, Tj max..:180°C; Tension, Vrsm:1.6V; Tension, direct If:1.5V; Type de boîtier:DO-203AB; Type de boîtier diode:DO-203AB; courant Ifsm:1.15kA MODULE DIODE 100A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:125A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration diode:Une; Courant, Ifs max.:1.75kA; Diode Type:Recouvrement standard; Nombre de broches:2; Polarité:Cathode to Stud; Taille du filetage:M12; Temps actif pour IFSM:10ms; Température, Tj max..:180°C; Tension, Vrsm:1.6V; Tension, direct If:1.55V; Type de boîtier:DO-205AC; Type de boîtier diode:DO-205AC; courant Ifsm:1.75kA ISR, + TO -, 5V, 1A, SIP MODULE-3; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:-5V; Courant, sortie:1A; Tension, alimentation:5V; Type de convertisseur DC / DC:SIP; Convertisseur DC / DC de montage:Montage en surface; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, alimentation max..:7V; Tension, alimentation min.:4.75V; Type POWER MODULE, MINI, 18V WIDE ADJ; DC / DC Converter Output Type:Ajustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:4.5V 18V; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:2.25A; Tension, alimentation:12V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2.25A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:5; Racine de la référence:08080; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Température de fonctionnement max..:85°C; Te MODULE ENFICHABLE BLINDE 3U 4HP; Hauteur externe - Impérial:5.25''; Hauteur externe - Métrique:133.35mm; Largeur externe - Impérial:0.8''; Largeur externe - Métrique:20.32mm; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Hauteur du rack (U):3; Hauteur, dimension externe:133.35mm; Largeur (externe):20.32mm; Largeur du rack (HP):4 MODULE; Contenu du kit:Combination Plier, Side Cutter Plier, Multigrip Plier; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contenu de la trousse, Nombre de Pieces:3; Contenu du kit:Combination plier, Side cutter plier, Multigrip plier MODULE LED 1X1W BLEU 5X20°; Série:LUMISPOT; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Bleu roi; Longueur d'onde typ.:460nm; Configuration module de puissance:Circulaire; Tension, alimentation:3.42V; Courant Test:350mA; Puissance:1.2W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:5°; Consommation de puissance:1.2W; Couleur, LED:Bleu; Dimension de la lentille:Dia = 21.5mm, H = 15.5mm; Dissipation de puissance:1W; Dissipation de puissance Pd:1W; Longueur/hauteur:15.5mm; Nombre de LED:1; Profon MODULE LED 1X1W BLANC 25°; Série:LUMISPOT; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc; Température de couleur proximale:10000K; Flux lumineux Test:45lm; Configuration module de puissance:Circulaire; Tension, alimentation:3.42V; Courant Test:350mA; Puissance:1.2W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:25°; Consommation de puissance:1.2W; Couleur, LED:Blanc; Dimension de la lentille:Dia = 21.5mm, H = 15.5mm; Dissipation de puissance:1W; Dissipation de puissance Pd:1W; Flux lumin PSU, MODULE, 50W, 5V/9A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:9A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:110mm; Largeur:64mm; Hauteur:33.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V AC / 230 PSU, MODULE, 50W, 12V/4, 2A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:4.2A; Puissance:50W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Longueur:110mm; Largeur:64mm; Hauteur:33.5mm; Approval Bodies:cUL / EN / IEC / UL; Fréquence, entrée:63Hz; Largeur (externe):110mm; Longueur/hauteur:31.5mm; Poids:295g; Profondeur:64mm; Régulation, charge:50mV; Régulation, ligne:20mV; Tension d'alimentation typique:110V A MODULE DOUBLE DIODE FAST 42A; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.5kV; Courant, If moy.:42A; Tension, Vf max..:1.85V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Cathode commune; Courant, Ifs max.:1.2kA; Nombre de broches:3; Temps actif pour IFSM:10ms; Temps trr max.:2.14è¾s; Température de fonctionnement:-40°C +130°C; Température, courant:85°C; Tension, Vrsm:1.5kV; Tension, direct If:1.85V; Tension, isolation:3.6kV; Type de boîtier:SEMIPACK 1; Type de boîtier diode:SEMIPACK 1; Type d MODULE, BISM II WITH POWER AMPLIFIER; Taux de transfert:300Kbps; Température de fonctionnement:-10°C +85°C; MCU Supported Families:BISM II; Outils / carte d'application:Système de développement Bluetooth; Type:Bluetooth Module; Type d'outils de développement:Bluetooth Module MODULE VFD 112X16; Résolution:112 x 16; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):11.45mm x 52.5mm; Courant, alimentation:250mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:273mA; Diamètre, trous de fixation:3.0mm; Entraxe de fixation, L x l:31.0 x 75.0mm; Format de caractère:Dot Graphic; Hauteur, caractère:4.93mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):80mm; MODULE VFD 256X64; Résolution:256 x 64; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):28.65mm x 115.05mm; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, RS232; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Diamètre, trous de fixation:3.2mm; Format de caractère:Dot Graphic; Interface Type:Parallel, RS232; Largeur (externe):159mm; Largeur, surface d'affichage:115.1mm; Lignes, nombres de:64; Longueur/hauteur:50mm; Nombre de caractères par ligne:256; Pas:0.45m BLACKFIN PROCESSOR MODULE, CORE; Silicon Fabricant:Analog Devices; Core Architecture:Blackfin; Nom de famille Silicon:Blackfin; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On-board Core Voltage Regulator, Low Voltage Reset Circuit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:ADSP-BF537 Blackfin Processor, 32MB SDRAM, 25MHz Clock, 8MB Flash; MCU Supported Families:ADSP-BF537; Tension, alimentation:3.3V; Type:Evaluation Module; Type d'accessoire:Processor Module MODULE IGBT DOUBLE 1200V; Courant de collecteur DC:78A; Tension, Vce sat max..:3V; Dissipation de puissance Pd:400W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance:400W; Dissipation de puissance, max..:400W; Puissance Pd:400W; Style de boîtier alternatif:M34a; Temps de de MODULE, ZIGBEE, SMA CONN, 0DBM; MCU Supported Families:JN5139; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Module d'interface:Serial, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Sans fil basse puissance robuste et sécurisé, Jouets et périphériques de jeux, Télémétrie; Applications Outils / Carte:Réseau de capteurs sans fil; Contenu du kit:Module with an SMA Antenna Connector; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Température, max..:70°C; MODULE, TRANSCEIVER; Fréquence:868MHz MODULE VFD 2X16 5MM; Résolution:2 x 16; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):11.4mm x 51.36mm; Courant, alimentation:150mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:158mA; Diamètre, trous de fixation:2.5mm; Entraxe de fixation, L x l:31.0 x 75.0mm; Format de caractère:Dot Matrix; Hauteur, caractère:4.76mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):80mm; La MODULE VFD 140X16; Résolution:140 x 16; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):11.45mm x 69.85mm; Courant, alimentation:250mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:305mA; Diamètre, trous de fixation:3.2mm; Entraxe de fixation, L x l:29.0 x 108.0mm; Format de caractère:Dot Graphic; Hauteur, caractère:4.93mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):116 MODULE VFD 128X64; Résolution:128 x 64; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):28.65mm x 57.45mm; Courant, alimentation:410mA; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.25V; Type d'interface:I2C, Parallèle, SPI; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Diamètre, trous de fixation:2.5mm; Format de caractère:Dot Graphic; Interface Type:I2C, Parallel, SPI; Largeur (externe):96mm; Largeur, surface d'affichage:56.6mm; Lignes, nombres de:64; Longueur/hauteur:47mm; Nombre de cara RF MODULE, WITH BGA FOOTPRINT; Type d'accessoire:Kit de démarrage MODULE IGBT 1200V ECONOPACK3; Courant de collecteur DC:35A; Tension, Vce sat max..:3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Econopack 2; Nombre de broches:17; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:6; Puissance Pd:200W; Température, c MODULE IGBT DOUBLE 1200V; Courant de collecteur DC:290A; Tension, Vce sat max..:3V; Dissipation de puissance Pd:1.4kW; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:1.4kW; Dissipation de puissance, max..:1.4kW; Puissance Pd:1.4kW; Style de boîtier alternatif:M62a; Temps MODULE IGBT DOUBLE 1200V; Courant de collecteur DC:115A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:460W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance:460W; Dissipation de puissance, max..:460W; Puissance Pd:460W; Style de boîtier alternatif:M34a; Temps de PROJECTION MODULE KIT, OSTAR; Puce noyau:STP04CM596; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Dominant Wavelength Colours, ESD-withstand Voltage up to 2kV, Outstanding Brightness and Luminance; Outils / carte d'application:Evaluation; Supported Devices:STP04CM596; Type:OSTAR Projection LED Board; Type d'outils de développement:Carte d'évaluation MODULE ZIGBEE XBEE ZNET 2.5 1MW; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:Serial; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Transmission et Réception de données; Caractéristiques du kit:High Performance, Low Power, Advanced Networking and Security, Operate within the ZigBee Protocol; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:XBee RF Module; Type d'accessoire:RPSMA Antenna Connector; Type d'outils de développement:M MODULE, RECEIVER, FM MODULE, RECEIVER; Fréquence:868MHz MODULE, RCM4200 CORE; Silicon Fabricant:Rabbit Semiconductor; Nombre de noyau de silicium:RCM4200; Nom de famille Silicon:RabbitCore; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:10/100 Base-T Ethernet, 8 Channel 12-bit A/D Converter; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation:3.3V; Type d'accessoire:Core Module CABLE MODULE, 3 X 8.5-9.5MM; Type d'accessoire:Cable Module; A utiliser avec:Universal Cable Entry Systems; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, câble max..:9.5mm; Diamètre, câble min.:8.5mm; IP / NEMA Rating:IP65; Nombre de trous:3; Normes:VK9; Température de fonctionnement max..:135°C; Température d'utilisation min:-40°C MODULE, PIC32, FOR EXPLORER 16; Série:PIC32; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques:72MHz 512K flash, 32K RAM, 100pin device. In conjunction with Explorer 16 Dev' Board (P/N DM240001).; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC32; Silicon Fabricant:Microchip; Type d'accessoire:Plug-In Module MODULE VFD 4X20 5MM; Résolution:4 x 20; Format Caractère:Matrice de points; Viewing Area (H x W):20.9mm x 70.8mm; Courant, alimentation:275mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:289mA; Diamètre, trous de fixation:2.5mm; Entraxe de fixation, L x l:55.0 x 93.0 mm; Format de caractère:Dot Matrix; Hauteur, caractère:4.7mm; Interface Type:Parallel; Largeur (externe):98mm; Largeur, caractère MODULE IGBT 1200V ECONOPIM; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:105A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:EconoPIM 2; Nombre de broches:24; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:105A; Courant, Icm impulsionnel:150A; Courant, If moy.:75A; Courant, Ifs max.:500A; Dissipation de puissance:350W; Dissipation de pui MODULE IGBT 1200V ECONOPACK3; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:3.2V; Dissipation de puissance Pd:80W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Econopack 3; Nombre de broches:17; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance:80W; Dissipation de puissance, max..:80W; Nombre de transistors:6; Puissance Pd:80W; Température, cou MODULE IGBT CHOPPER 1200V; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:105A; Tension, Vce sat max..:3V; Dissipation de puissance Pd:625W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance, max..:625W; Puissance Pd:625W; Tension Vces:1.2kV; Type de boîtier:M34a MODULE LCD MONO STN 4.8POUCE; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.44mm x 0.44mm; Pas de pixel (H x L):0.47mm x 0.47mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):30.05mm x 124.3mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Molex 5378-2090; Courant rétro-éclairage:5.5mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:256 x 64; Fréquence, alimentation:70kHz; Largeur (externe):160mm; Largeur, zone active:120mm; Longueur/hauteur:12mm; Pas:0.47mm; P MODULE LCD MONO STN 5.1POUCE; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.48mm x 0.48mm; Pas de pixel (H x L):0.5mm x 0.5mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):68mm x 123mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Molex 52207-2690; Courant rétro-éclairage:5.5mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:240 x 128; Fréquence, alimentation:70kHz; Largeur (externe):159.4mm; Largeur, zone active:123mm; Longueur/hauteur:11mm; Pas:0.5mm; Profo MODULE LCD MONO STN 5.1POUCE; Type d'écran LCD:STN; Pixel Size (H x W):0.47mm x 0.47mm; Pas de pixel (H x L):0.5mm x 0.5mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):68mm x 123mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant rétro-éclairage:5.5mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:240 x 128; Fréquence, alimentation:70kHz; Largeur (externe):159.4mm; Largeur, zone active:120mm; Longueur/hauteur:11mm; Pas:0.5mm; Profondeur:101mm; Profondeur, surface d MODULE GRAPHIQUE LCD; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.47mm x 0.47mm; Pas de pixel (H x L):0.5mm x 0.5mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):68mm x 123mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant rétro-éclairage:5.5mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:240 x 128; Fréquence, alimentation:70kHz; Largeur (externe):159.4mm; Largeur, zone active:123mm; Longueur/hauteur:11mm; Pas:0.5mm; Profondeur:101mm; Profondeur, surface d'affich REAL-TIME-CLOCK MODULE SMD 32.768KHZ; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:hh:mm:ss; Type d'horloge:RTC; Type d'interface:I2C; Gamme de tension d'alimentation:1.2V 5.5V, 1.8V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:SON; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Caractéristiques RTC:Alarme programmable; Courant, alimentation max.:250nA; Crystal Case Type:Ceramic SMD; Fréquence, horloge:32.768kHz; Fréquence, sortie:32.768kHz; Interface:I2C; Interface Type:I2C; KIT FULL SPEED USB PLUG-IN MODULE; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC18; Nombre de noyau de silicium:PIC18F; Nom de famille Silicon:PIC18FxxJxx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Full Speed USB Demonstration, Operated Either Stand Alone or as Plug-In Module; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:USB 2.0 Full Speed and Low Speed Demonstration and Development Board Featuring the PIC18F87J50; MODULE ZIGBEE XBEE 802.15.4 1MW; MCU Supported Families:XBee; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Développement ZigBee; Caractéristiques du kit:Long Range Data Integrity, Low Power, Advanced Networking & Security, ADC and I/O Line Support; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:XBee RF Module; Type d'accessoire:RPSMA Antenna Connector; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE, RF ASK/OOK RX, 433MHZ; Gamme de fréquence:280MHz 433.92MHz; Taux de transfert de données max..:4.8Kbps; Sensibilité dBm:-105dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Courant, alimentation:4mA; Type de modulation:ASK / OOK; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Sensibilité:-105dBm; Taux de transfert de données max..:4.8Kbps; Tension, alimentation:5V; Tension, alimentation c.c. max..:4.5V; MODULE, RCM3000 CORE; Silicon Fabricant:Rabbit Semiconductor; Nom de famille Silicon:RabbitCore; Caractéristiques:Battery Backable, Real-Time Clock, Watchdog Supervisor; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation:3.3V; Type d'accessoire:Core Module MODULE, RF ASK/OOK RX, 433MHZ; Gamme de fréquence:433MHz; Taux de transfert de données max..:4.8Kbps; Sensibilité dBm:-104dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Courant, alimentation:2.4mA; Type de modulation:ASK / OOK; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Sensibilité:-104dBm; Taux de transfert de données max..:4.8Kbps; Tension, alimentation:5V; Tension, alimentation c.c. max..:4.5V; Tension, MODULE, RECEIVER; Fréquence:868MHz MODULE DE COM.PLUG-IN SENTRON PAC; Fonction mètre:Power; Température de fonctionnement:-5°C +55°C; Taille compteur:96mm x 96mm x 73mm MODULE VFD 140X32; Résolution:140 x 32; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):21.61mm x 69.85mm; Courant, alimentation:350mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Courant, alimentation max.:368mA; Diamètre, trous de fixation:3.2mm; Entraxe de fixation, L x l:42.0 x 93 0 mm; Format de caractère:Dot Graphic; Hauteur, caractère:4.61mm; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):98m MODULE VFD 256X32; Résolution:256 x 32; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):14.25mm x 115mm; Courant, alimentation:500mA; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.25V; Type d'interface:I2C, Parallèle, SPI; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Format de caractère:Dot Graphic; Interface Type:I2C, Parallel, SPI; Largeur (externe):159mm; Largeur, surface d'affichage:114.6mm; Lignes, nombres de:32; Longueur/hauteur:32mm; Nombre de cara MODULE VFD 256X128; Résolution:256 x 128; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):41.5mm x 83.1mm; Courant, alimentation:850mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Diamètre, trous de fixation:3.5mm; Format de caractère:Dot Graphic; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):131mm; Largeur, surface d'affichage:83.1mm; Lignes, nombres de:128; Longueur/hauteur:66mm; Nombre de caract BLACKFIN PROCESSOR MODULE, CORE; Silicon Fabricant:Analog Devices; Core Architecture:Blackfin; Nom de famille Silicon:Blackfin; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On-board Core Voltage Regulator, Low Voltage Reset Circuit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:ADSP-BF533 Blackfin Processor, 32MB SDRAM, 600MHz Clock, 2MB Flash; MCU Supported Families:ADSP-BF533; Tension, alimentation:3.3V; Type:Evaluation Module; Type d'accessoire:Processor Module BLACKFIN PROCESSOR MODULE, CORE; Silicon Fabricant:Analog Devices; Core Architecture:Blackfin; Nom de famille Silicon:Blackfin; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On-board Core Voltage Regulator, Low Voltage Reset Circuit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:ADSP-BF561 Blackfin Dual Core Processor, 64MB 32bit SDRAM, 8MB Flash; MCU Supported Families:ADSP-BF561; Tension, alimentation:3.3V; Type:Evaluation Module; Type d'accessoire:Processor Module RF MODULE, WITH PA/LNA; Tension, alimentation:3.4V; Type d'accessoire:Kit de démarrage RF MODULE; Type d'accessoire:Kit de démarrage MODULE IGBT 1200V ECONOPIM; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:55A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:EconoPIM; Nombre de broches:24; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Courant, If moy.:40A; Courant, Ifs max.:315A; Dissipation de puissance:200W; Dissipation de puissanc MODULE IGBT 1200V ECONOPACK3; Courant de collecteur DC:72A; Tension, Vce sat max..:3V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension, Vceo:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier de transistor:Econopack 3; Nombre de broches:17; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance:350W; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:6; Puissance Pd:350W; Température, MODULE LCD MONO STN 5.1POUCE; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.48mm x 0.48mm; Pas de pixel (H x L):0.5mm x 0.5mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):68mm x 123mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Molex 52207-2690; Courant rétro-éclairage:130mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:240 x 128; Largeur (externe):159.4mm; Largeur, zone active:123mm; Longueur/hauteur:11mm; Pas:0.5mm; Pr MODULE LCD MONO STN 1/4 VGA 4.7POUCE; Type d'écran LCD:STN; Pixel Size (H x W):0.285mm x 0.285mm; Pas de pixel (H x L):0.3mm x 0.3mm; Mode d'affichage:Transmissif; Viewing Area (H x W):75.5mm x 100mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Connector Type:Molex 52103-1217; Courant rétro-éclairage:5mA; Format pixel:320 x 240; Fréquence, alimentation:70kHz; Largeur (externe):129.6mm; Largeur, zone active:100mm; Longueur/hauteur:7.5mm; Pas:0.3mm; Profondeur:92.6mm; Profondeur, surface MODULE ZIGBEE XBEE ZNET 2.5 1MW; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:Serial; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Transmission et Réception de données; Caractéristiques du kit:High Performance, Low Power, Advanced Networking and Security, Operate within the ZigBee Protocol; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:XBee RF Module; Type d'accessoire:Wire Antenna; Type d'outils de développement:Matériel / L MODULE ZIGBEE XBEE ZNET 2.5 1MW; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Transmission et Réception de données; Caractéristiques du kit:High Performance, Low Power, Advanced Networking and Security, Operate within the ZigBee Protocol; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:XBee RF Module; Type d'accessoire:Chip Antenna; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE, ZIGBEE, CER ANT, 0DBM; MCU Supported Families:JN5139; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Module d'interface:Serial, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Sans fil basse puissance robuste et sécurisé, Jouets et périphériques de jeux, Télémétrie; Applications Outils / Carte:Réseau de capteurs sans fil; Contenu du kit:Module with an Integrated Ceramic Antenna; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Température, max..:7 MODULE ME 8M SDRAM 2M FLASH; Caractéristiques:2MB Flash, 8MB SDRAM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Hauteur:18.67mm; Largeur (externe):19.05mm; Longueur:36.7mm; Tension, alimentation:3.3V MODULE, SD CARD, RCM4300; Silicon Fabricant:Rabbit Semiconductor; Nombre de noyau de silicium:RCM4300; Nom de famille Silicon:RabbitCore; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:10/100 Base-T Ethernet, 8 Channel 12-bit Resolution; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation:3.3V; Type d'accessoire:SD Card MODULE, RCM3400 CORE; Silicon Fabricant:Rabbit Semiconductor; Nom de famille Silicon:RabbitCore; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:8 Channel 12-Bit A/D with Programmable Gain, 5 Serial Ports; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation:3.3V; Type d'accessoire:Core Module CABLE MODULE, 2 X 10.5-12.5MM; Type d'accessoire:Cable Module; A utiliser avec:Universal Cable Entry Systems; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, câble max..:12.5mm; Diamètre, câble min.:10.5mm; IP / NEMA Rating:IP65; Nombre de trous:2; Normes:VK12; Température de fonctionnement max..:135°C; Température d'utilisation min:-40°C TERMINAISON MODULE DE LED; Type d'accessoire:End Plug; A utiliser avec:Powerwhite Linear Modules; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Type de câble assemblé:Basse tension CABLE ENTREE MODULE DE LED I/P; Type d'accessoire:Entry Cable; A utiliser avec:PWM Series LV Linear Modules; Nombre de fils:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Taille:12AWG; Type de câble assemblé:Basse tension KIT, PIC32 USB PLUG IN MODULE; Conversion de:PIC32MX; Conversion vers:Carte Explorer 16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:PIC32; Outils / carte d'application:USB Development; Supported Devices:AC244006; Type d'outils de développement:Carte de développement KIT, PIC24 USB PLUG IN MODULE; Conversion de:100-TQFP; Conversion vers:Carte Explorer 16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:PIC24F; Outils / carte d'application:Développement; Supported Devices:PIC24FJ256GB110; Type d'outils de développement:Carte de développement MODULE, TRANSMITTER, FM MODULE, CAT5E, UTP, BASIX; Type de connecteur:RJ45; Genre:Embase; Nombre de contacts:8; Nombre de positions:8; Nombre de ports:1; Catégorie LAN:Cat5e; Terminaison du contact:IDC / IDT; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or; Ports, number of:1 MODULE ZIGBEE SN250 AVEC CONN UFL; MCU Supported Families:EM250; Type de processeur:EM250; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:I2C, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Automatic Meter Reading, Wireless Alarms & Security, Wireless Sensor Networks; Caractéristiques du kit:UART Interface with DMA, Optional Software Support for Hardware I2C and SPI, Small Form Factor; Outils / carte d'application: MODULE ZIGBEE SN250 AVEC CONN UFL; MCU Supported Families:EM250; Type de processeur:EM250; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:I2C, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Automatic Meter Reading, Wireless Alarms & Security, Wireless Sensor Networks; Caractéristiques du kit:UART Interface with DMA, Optional Software Support for Hardware I2C and SPI; Outils / carte d'application:Module ZigBee; Supp MODULE 5POLE 2.5MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:5; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:20A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; MODULE 10POLE 0.5MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:10; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Courant:10A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:10; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; Température de fonctionnement max..:100°C; Températ MODULE 10POLE 0.5MM FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Nombre de contacts:10; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:10A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:10; Orientation du connecteur:Câble; Ré MODULE THYRISTOR; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:50A; Courant, It efficace:130A; Courant Itsm (50Hz):1.5kA; Courant max. - Tenu (lh):250mA; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Itsm:1500A; Tension, Vrrm:1600V; Type Thyristor/Triac:SCR; Type de boîtier:A46; Type de terminaison: visser MODULE THYRISTOR/DIODE; Tension Vdrm:600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant, It moy:15A; Courant Itsm (50Hz):225A; Tension, Vgt:2.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Diode de roue libre; Courant, Itsm:225A; Type Thyristor/Triac:Module thyristor / diode MODULE, PICTAIL PLUS RF CARD; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC; A utiliser avec:Explorer 16 Development Kit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Application Sous Type:Carte de fréquence radio; Gamme de fréquence:2.4GHz; Kit Application Type:Communication; MCU Supported Families:PIC; Outils / carte d'application:Communications sans-fils; Type d'outils de développement:Module RF MODULE ANTIPARASITAGE; Suppressor Type:Secteur; Tension de fonctionnement:110V AC 250V AC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de phases:Une; Normes:UL, CSA; Tension, contrôle c.a. max..:250V MODULE, ECIO, 40PIN PICMICRO; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:8bit 18 Series PICmicro, Programmable from USB, Bootloader S/W Included, 4MHz Ceramic Resonator; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MODULE, 44/100PIN, DSPIC33F GP SERIES; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Module enfichable MODULE DE 16 CLES MIXTES; Contenu du kit:5 to 24mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE DE 8 TOURNEVIS PH/PLAT; Contenu du kit:3, 3.5, 4, 5.5, 6.5, 8mm, PH1, PH2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, RADIO, 2.4GHZ, USB STICK; Taux de transfert de données max..:500Kbps; Module d'interface:USB; Caractéristiques du kit:Range Up to 100m, Communication Via Virtual COM Port, Configurable Data Rate and Transfer Channel; Outils / carte d'application:Communications sans fil; Type d'outils de développement:Modem RF MODULE, RADIO, 868/915MHZ; Type de modulation:FSK / GFSK; Taux de transfert de données max..:500Kbps; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Sensibilité dBm:-111dBm; Courant, alimentation:42mA; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; Caractéristiques du kit:868MHz/915MHz ISM Frequency Band, Over-the-Air Data Rate Up to 250kbps; Outils / carte d'application:Développement RF; Supported Devices:eZ430-RF2500; Type d'outils de développement:Module RF MODULE THYRISTOR; Tension Vdrm:600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant, It moy:260A; Courant Itsm (50Hz):300A; Tension, Vgt:2.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Itsm:250A; Tension, Vrrm:600V; Type Thyristor/Triac:Module thyristor / diode DC I/O MODULE, SPST N/O; Type d'accessoire:AC Output Module; Courant:3.5A; Largeur (externe):43.2mm; Profondeur:15.2mm; Approval Bodies:CE / CSA / TUV; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Courant de contrôle typique:14mA; Courant de fuite:1.5è¾A; Courant charge max. RMS:3.5A; Courant charge min RMS:0.02A; Courant, charge:3.5A; Longueur/hauteur:31.8mm; Pointe de courant:5A; Série:70-ODC; Temps, t off:50è¾s; Temps, t on:20è¾s; Température de fonctionnement max..:100°C; Température d'utilisat AC I/O MODULE, 3A; Courant, charge:3A; Switching Mode:Zero Crossing; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Chute de tension courant:1.6V; Contact Configuration:SPST-NO; Courant de contrôle typique:12mA; Courant de fuite:2.5mA; Courant, charge min:20mA; Load Voltage Range:24V AC 280V AC; Pointe de courant:80A; Série:OAC; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-30°C; Tension d'entrée:2.5V DC 8V DC; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:280VAC; Tension, MODULE POUR CONNECTEUR MALE; Série:Han High Density; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:25; Nombre de rangées:3; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:D25; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire de puissance; Contact Type:Broche; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de voies:25; Orientation du connecteur:Câble; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance; Type de connecteur insérer:Mâle; Type de m MODULE, GPS IT321, SIRFSTARIII; Protocole:NMEA, SiRF Binary; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Nombre de voies:12; Position Accuracy:1.8m; Module d'interface:Serial; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:SiRFstarIII; Outils / carte d'application:Téléphones mobiles, PND, PC pocket; Supported Devices:SiRF GSC3f/LP Chip; Type d'outils de développement:Module récepteur GPS MODULE DECLENCHEMENT SERIE AUTOMOBILE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MSO2000, DPO2000 Series Digital Phosphor Oscilloscopes MODULE LCD 16X2 X-TMP; No. of Digits / Alpha:32; Compteur Ligne / caractère:16 x 2; Taille de caractère:5.56mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Réflecteur; Largeur, surface d'affichage:66mm; Hauteur, surface d'affichage:16.2mm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Connector Type:L 2 x 8; Courant, alimentation:1.5mA; Hauteur, caractère:5.56mm; Hauteur, pixel:0.60mm; Humidité:90%; Largeur (externe):36mm; Largeur, caractère:2.96mm; Largeur, point:0.70mm; Longueur/hauteur:85mm; No MODULE LCD 16X4 LED RETRO-ECL.; No. of Digits / Alpha:64; Compteur Ligne / caractère:16 x 4; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:4.75mm; Mode d'affichage:Transflectif; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Connector Type:T 1 x 16; Courant, alimentation:2.5mA; Hauteur, caractère:4.75mm; Hauteur, pixel:0.55mm; Humidité:90%; Largeur (externe):60mm; Largeur, caractère:2.95mm; Largeur, point:0.55mm; Longueur/hauteur:87mm; Nombre de colonnes:16; Nombre de rangées:4; Profond MODULE LCD 20X2 LED RETRO-ECL. X-TMP; No. of Digits / Alpha:40; Compteur Ligne / caractère:20 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:5.55mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:85mm; Hauteur, surface d'affichage:18.5mm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Connector Type:L 2 x 8; Courant, alimentation:2.0mA; Hauteur, caractère:5.55mm; Hauteur, pixel:0.65mm; Humidité:90%; Largeur (externe):116mm; Largeur, caractère MODULE LCD 20X2 LED RETRO-ECL.; No. of Digits / Alpha:40; Compteur Ligne / caractère:20 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:9.22mm; Tension, alimentation:5.5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:123mm; Hauteur, surface d'affichage:23mm; Température de fonctionnement:0°C +40°C; Connector Type:T 1 x 14; Courant, alimentation:2.0mA; Hauteur, caractère:9.22mm; Hauteur, pixel:0.92mm; Humidité:90%; Largeur (externe):43mm; Largeur, caractère:4.84mm MODULE LCD 20X4 STN REFLECT; No. of Digits / Alpha:80; Compteur Ligne / caractère:20 x 4; Taille de caractère:4.75mm; Tension, alimentation:5.5V; Mode d'affichage:Réflecteur; Largeur, surface d'affichage:76mm; Hauteur, surface d'affichage:25.2mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Connector Type:T 1 x 16; Courant, alimentation:1.5mA; Hauteur, caractère:4.75mm; Hauteur, pixel:0.55mm; Humidité:90%; Largeur (externe):60mm; Largeur, caractère:2.95mm; Largeur, point:0.55mm; Longueur/hauteur:9 MODULE LCD 24X2 LED RETRO-ECL.; No. of Digits / Alpha:48; Compteur Ligne / caractère:24 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:5.55mm; Tension, alimentation:5.5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:93.5mm; Hauteur, surface d'affichage:16mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Connector Type:L 2 x 7; Courant, alimentation:1.5mA; Hauteur, pixel:0.65mm; Humidité:90%; Largeur (externe):36mm; Largeur, caractère:3.2mm; Largeur, point:0.7mm; Long CONVERTISSEUR AC/DC è…12V 0.4A/10W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:380mA; Puissance:10W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:64mm; Largeur:45mm; Hauteur:19mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:380mA; Courant, sortie 3:-380mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Te CONVERTISSEUR AC/DC è…12V 0.7A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:650mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:74mm; Largeur:54mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:650mA; Courant, sortie 3:-650mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…12V/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:2A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:74mm; Largeur:54mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:200mA; Courant, sortie 3:200mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension CONVERTISSEUR AC/DC 12V 2.5A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:2.5A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montag CONVERTISSEUR AC/DC 5V 3A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:96mm; Largeur:54mm; Hauteur:23.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:Châssis; CONVERTISSEUR AC/DC 12V 1.3A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:96mm; Largeur:54mm; Hauteur:23.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:C CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…15V/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:112mm; Largeur:63.8mm; Hauteur:25.6mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:500mA; Courant, sortie 3:500mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tens KIT USB/ENET CYNET MODULE 868MHZ; Silicon Fabricant:Cyan; Nombre de noyau de silicium:mCOG-UPE-1X-M1-8; Kit Application Type:Communication et Réseautage; Application Sous Type:Module passerelle USB/Ethernet; Contenu du kit:Module, Dongle, Cables and CyanIDE CD; Caractéristiques:Provides Back Channel Connectivity, Linking the RF Network to a Monitoring & Control Centre; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:eCOG1X14Z5 MCU, EM260 Zigbee Coprocessor, 16MB External SDRAM, SD/SDHC/MMC S MODULE, BLUETOOTH V2.0, CLASS 1, BC04; Gamme de fréquences d'utilisation:2.402GHz 2.48GHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Physical Interfaces:UART, USB; Taux de transfert:3Mbps; Puissance transmise:16.5dBm; Receiving Signal Range:-88dBm; Type de modulation:DPSK / DQPSK; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:Bluetooth 2.0 & EDR Certification, Full Bluetooth Data Rate, Low Current Consumption; Type:Blue MODULE RECEPTEUR FM SIL; Gamme de fréquence:433.92MHz; Taux de transfert de données max..:20Kbps; Sensibilité dBm:-105dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:12mA; Type de modulation:FM; Température de fonctionnement:-10°C +55°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Système de sécurité domestique et commercial, Contrôles distance de portails; Caractéristiques du kit:High Sensitivity, Signal Strength Output, Double RF Filtering, Analogue/Digi MODULE LCD MONO STN 9.4POUCE; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.27mm x 0.27mm; Pas de pixel (H x L):0.3mm x 0.3mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:CMOS; Viewing Area (H x W):196mm x 148mm; Tension, alimentation:5V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Courant rétro-éclairage:5mA; Courant, entrée:1A; Format pixel:640 x 480; Fréquence, alimentation:70kHz; Largeur (externe):257.5mm; Largeur, zone active:192mm; Longueur/hauteur:7mm; Pas:0.3mm; Profondeur:174mm; Profondeur, surface d' MODULE, GSM/GPRS, TRIBAND, SMD; Fréquence RF:1.9GHz; Caractéristiques du kit:Tri-band, SIM Application Toolkit, GPRS Mobile Station Class B, GPRS Multi-slot Class 10/8; Applications Outils / Carte:Application M2M pour application de combinés minces et compacts; MCU Supported Families:SIM340; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:GSM / GPRS SMT Module; Type d'outils de développement:GSM, GPRS Module MODULE LED VERT; Série:OPA729; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Vert; Longueur d'onde typ.:530nm; Flux lumineux Test:480lm; Configuration module de puissance:Barre d'éclairage; Tension, alimentation:18V; Courant Test:700mA; Puissance:10W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:40°; Consommation de puissance:10W; Couleur, LED:Vert; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Flux lumineux:480lm; Flux lumineux typique:480lm; Intensité lumineuse typique MODULE VFD GRAPHIQUE 128X32 5VDC; Résolution:128 x 32; Format Caractère:Graphique en points; Viewing Area (H x W):20.65mm x 83.05mm; Courant, alimentation:250mA; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Type d'interface:Parallèle, Série; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Format de caractère:Dot Graphic; Interface Type:Parallel, Serial; Largeur (externe):122mm; Largeur, surface d'affichage:83.1mm; Lignes, nombres de:4; Longueur/hauteur:44mm; Nombre de caractères par ligne:16; Pro EVALUATION MODULE KIT CC2550 EMK; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Kit Application Type:Communication; Application Sous Type:Communication sans fil 2,4 GHz; Contenu du kit:CC2550EM Evaluation Module, Antenna; Caractéristiques:Programmable Output Power up to +1dBm, Integrated Analog Temperature Sensor; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Transmetteur RF; Caractéristiques du kit:Evaluate SmartRF04 Products, Perform RF Measurements, Develop a Prototype; Contenu du kit:1x Mod MODULE, RCM3200 CORE; Silicon Fabricant:Rabbit Semiconductor; Nom de famille Silicon:RabbitCore; Caractéristiques:Battery Backable, Real-Time Clock, Watchdog Supervisor; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation:3.3V; Type d'accessoire:Core Module CABLE MODULE, 8 X 5.5-6.5MM; Type d'accessoire:Cable Module; A utiliser avec:Universal Cable Entry Systems; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Diamètre, câble max..:6.5mm; Diamètre, câble min.:5.5mm; IP / NEMA Rating:IP65; Nombre de trous:8; Normes:VK6; Température de fonctionnement max..:135°C; Température d'utilisation min:-40°C MODULE IGBT DOUBLE 200A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5kW; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:200A; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:1.5kW; Dissipation de puissance, max..:1.5kW; Largeur (externe):108mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transis MODULE IGBT 6-PACK 15A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:17; Configuration module:Six; Courant Ic Vce sat:15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance:110W; Largeur (externe):107mm; Longueur/hauteur:20mm; Nombre de transistors:6; Profondeur:45mm; Puissance Pd:110W; Temp MODULE IGBT 6-PACK 100A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:150A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:700W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:21; Configuration module:Six; Courant Ic Vce sat:100A; Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:300A; Dissipation de puissance:700W; Dissipation de puissance, max..:700W; Largeur (externe):122mm; Longueur/hauteur:20mm; Nombre de transistors: MODULE LED ETANCHE 12V AMBRE; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Ambre; Flux lumineux Test:30lm; Configuration module de puissance:Chaîne LED; Tension, alimentation:12V; Courant Test:20mA; Température de fonctionnement:-35°C +65°C; Angle, vision:120°; Consommation de puissance:250mW; Couleur, LED:Ambre; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Emission lumineuse, totale:30lm; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:92mm; Nombre de LED:15; Profondeur:1 MODULE LED ETANCHE 12V BLANC; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Blanc; Flux lumineux Test:40lm; Configuration module de puissance:Chaîne LED; Tension, alimentation:12V; Courant Test:20mA; Température de fonctionnement:-35°C +65°C; Angle, vision:120°; Consommation de puissance:250mW; Couleur, LED:Blanc; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Emission lumineuse, totale:40lm; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:92mm; Nombre de LED:15; Profondeur:1 MODULE TRANSCEIVER 434MHZ FM PROG; Gamme de fréquence:433.19MHz 434.57MHz; Type de modulation:FSK; Taux de transfert de données max..:115.2Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Sensibilité dBm:-100dBm; Courant, alimentation:31mA; Applications Outils / Carte:Automatisation industrielle, Modem radio, Contrôle d'accès; Caractéristiques du kit:240Bytes Data Packet Length, Longer RF Range, Serial Transmission Speed and Error Checking; Outils / carte d'application:434MHz Transceiver; Se MODULE EMETTEUR 434MHZ AM 3V; Gamme de fréquence:433.82MHz 434.02MHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.5V; Courant, alimentation:5.5mA; Type de modulation:OOK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:AM OOK Transmitter Module, Buffer Stage for Enhanced Power and Low Harmonics on Output; Outils / carte d'application:434MHz Transmitter; Type:Transmitter Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE RECEPTEUR 433MHZ AM SUPERHET; Gamme de fréquence:433.92MHz; Sensibilité dBm:-114dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:7.5mA; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:AM Modulation, 433.92MHz Frequency, 2400 bps; Outils / carte d'application:Récepteur 434MHz AM; Type:Receiver Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module 6-PACK IGBT, MODULE, 15A, 600V 3 PH; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:15A; Tension, Vce sat max..:2V; Dissipation de puissance Pd:55W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SPM27-CC; Nombre de broches:27; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance:55W; Dissipation de puissance, max..:55W; Tension Vces:600V; Transistor Type:Module IGBT; Type de boît MODULE HIGH CURRENT 2POLE MALE; Série:EpicŽ; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:2; Nombre de rangées:1; Pas:12.6mm; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:Vis; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Contact Type:Broche; Courant:82A; Méthode de terminaison:Connexion vis : 10 - 25 mmË›; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:2; Orientation MODULE 4POLE 1.0MM FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:MCB 4; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:25A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Câble; Résis CONTACT REMOVAL OUTIL 10POLE MODULE; A utiliser avec:EPIC Rectangular Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE 20POLE 0.56MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:20; Nombre de rangées:3; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Or; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre; Contact Plating:Or; Courant:4A; Diamètre, câble max..:0.52mm; Diamètre, câble min.:0.2mm; Méthode de terminaison:A sertir; Nombre de cycles d'accouplements:50; Nombre de voies:20; Orientat FRAME 2 MODULE FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:Rectangulaire; Orientation du connecteur:Câble; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance POWER MODULE F18, RD, 105A, 480VAC; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:480V; Courant, If moy.:105A; Tension, Vf max..:1.65V; Diode Module Configuration:Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser POWER MODULE F18, SDK, 55A, 600VAC; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:55A; Courant, It efficace:55A; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Courant, Ib:55A; Courant, Itsm:1500A; Tension, Vrrm:1600V; Type Thyristor/Triac:SCR; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser MODULE PLUG-IN POUR PIC24F16KA102; Conversion de:100-SOIC; Conversion vers:28-SOIC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Plug-In Module; Type de montage:Borne de raccordement rapide MODULE, GSM/GPRS, QUAD BAND; Nombre de voies:4; Protocole:TCP / IP, UDP, SMTP, FTP; Gamme de tension d'alimentation:3.22V 4.5V; Fréquence RF:1.9GHz; Module d'interface:UART; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications Outils / Carte:Télémétrie et télécontrôle, Système de sécurité; MCU Supported Families:GM862; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:GSM / GPRS Module; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module IC, DC/DC UMODULE, 6A, 28V, 118LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:1MHz; Précision:0.5%; Racine de la référence:4603; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; Te IC, DC/DC UMODULE, 5A, 36V, 141LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:141; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:3A; Courant, sortie max.:10A; Fréquence:400kHz; Racine de la référence:4607; Tension de sortie ajustable max.:24V; Tension de sortie ajustable min:800mV; Tension, alimen IC, DC/DC UMODULE, 12A, 118LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12A; Fréquence:850kHz; Précision:1%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; Tens IC, DC/DC UMODULE, 12A, 118LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12A; Fréquence:850kHz; Précision:0.25%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; T MODULE, SERIAL TO ETHERNET; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Contrôleur Ethernet; Caractéristiques:10/100 Mbit Ethernet Port, Two Serial Ports; Contenu du kit:Serial-to-Ethernet Module; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M3; MCU Supported Families:Stellaris LM3S6432; Nom de famille Silicon:Stellaris; Outils / carte d'application:Communications; Type:Serial-to-Ethernet Module; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE, ECIO, 28PIN PICMICRO; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:8bit 18 Series PICmicro, Programmable from USB, Bootloader S/W Included, 4MHz Ceramic Resonator; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MODULE RECEPTEUR; Gamme de fréquence:433MHz; Taux de transfert de données max..:3Kbps; Sensibilité dBm:-106dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:5mA; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant:3.7mA; Distance de fonctionnement:75m; Fréquence:433MHz; Fréquence, max..:433MHz; Fréquence, min.:433MHz; Largeur (externe):30.5mm; Longueur/hauteur:20.3mm; Nombre de broches:9; Profondeur:8mm; Sensibilité:-110dBm; Sensibilité RF:-107d IC, RTC MODULE, W/NVRAM CONTROL; Format de calendrier:JJ:MM:AAAA; Format d'horloge:hh:mm:ss; Type d'horloge:RTC; Configuration mémoire:114 x 8; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI numérique:DIP; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement:0°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques RTC:Sortie onde carrée; Configuration mémoire:114 x 8; Interface:Multiplexed; Nombre de canaux de sortie:12; Racine de la référence:4287; Tension, alimentation max..:5 MODULE, GSM/GPRS, DUAL BAND; Protocole:TCP / IP; Gamme de tension d'alimentation:3.5V 4.2V; Interface Type:I2C, Serial, SIP MODULE, LIGHTING REF DESIGN, AUTO; Kit Application Type:Test; Application Sous Type:Analyseur série; Caractéristiques:LIN Protocol Module, Intersystem Communication, Main Body Controller; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:Automotive Ambient Lighting Module, Demonstrates MCU Based Control of RGB LED Device; MCU Supported Families:PIC12Fxx, MCP2021; Type:Reference Design MODULE, TRANSCEIVER, TRX433S; Gamme de fréquence:430.24MHz 439.75MHz; Type de modulation:FSK; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 3.8V; Courant, alimentation:21mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:SIP TIMER MODULE 240VAC; Tension d'entrée nominale:240V; Montage relais:Borne de raccordement rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Fonctions retard:AI: DI; Largeur (externe):38mm; Longueur/hauteur:54mm; Profondeur:16.8mm; Série:Série 86; Température de fonctionnement max..:50°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, bobine c.a. nom.:240V; Type:Bi-fonction; Type d'ajustement:Fente tournevis; Type de montage:Borne de raccordement rapide MODULE DE 7 TOURNEVIS TORX; Contenu du kit:T10, T15, T20, T25, T27, T30, T40; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de tournevis:Torx MODULE, RADIO, 868MHZ; Gamme de fréquence:863MHz 868.6MHz; Taux de transfert de données max..:250Kbps; Module d'interface:SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Sensibilité dBm:-110dBm; Courant, alimentation:45mA; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; Caractéristiques du kit:Integrated software stack with extensive functions, Integrated ceramic aerial; Outils / carte d'application:Communications sans fil; Supported Devices:MSP430F1232; Type d'outils de développement:Mod DC DC UMODULE, 28VIN, 6A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:8A; Fréquence:800kHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4606; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:0.6V; Tension, alimentation max..:28V; Te DC DC UMODULE, 36VIN, 5A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:7A; Fréquence:850kHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4612; Tension de sortie ajustable max.:15V; Tension de sortie ajustable min:3.3V; Tension, alimentation max..:36V; IC, DC DC UMODULE, 36VI, 5A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:7A; Fréquence:850kHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4612; Tension de sortie ajustable max.:15V; Tension de sortie ajustable min:3.3V; Tension, alimentation max..:36 CONNECTEUR POUR MODULE DUMMY; Série:Han Modular; Type d'accessoire:Blank Module; A utiliser avec:Han Modular; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Connector Type:Rectangulaire de puissance; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance MODULE, GSM/GPRS/EDGE BAND; Caractéristiques du kit:E-GSM/GPRS/EGPRS Quad Band Version; Applications Outils / Carte:Communication sans fil; MCU Supported Families:ARM9; Outils / carte d'application:Communications sans fil; Type:Wireless CPU; Type d'outils de développement:Module CPU MODULE PIP 3A 4.5-14V HORZ T/H; DC / DC Converter Output Type:Ajustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:4.5V 14V; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:3A; Approval Bodies:CSA / IEC / UL; Tension, alimentation:12V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:3A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:10; Précision:1.5%; Racine de la référence:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension DC/DC UMODULE 12A 118-LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:14A; Fréquence:850kHz; Précision:0.3%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:0.6V; Tension, alimentation max..:20V; Tension, DC/DC UMODULE 12A 118-LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:1.5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:14A; Fréquence:850kHz; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:0.6V; Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation DC/DC UMODULE 6A 104-LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:104; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:8A; Fréquence:850kHz; Précision:0.15%; Racine de la référence:4602; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:0.6V; Tension, alimentation max..:20V; Tension, a MODULE DECLENCHEMENT SERIE ORDINATEUR; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MSO2000, DPO2000 Series Digital Phosphor Oscilloscopes MODULE DECLENCHEMENT SERIE EMBARQUE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MSO2000, DPO2000 Series Digital Phosphor Oscilloscopes MODULE LCD 16X2 STN LED E/TEMP; No. of Digits / Alpha:32; Compteur Ligne / caractère:16 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:5.56mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:66mm; Hauteur, surface d'affichage:16mm; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Connector Type:L 2 x 8; Courant, alimentation:1.5mA; Hauteur, pixel:0.60mm; Humidité:90%; Largeur (externe):36mm; Largeur, caractère:2.96mm; Largeur, point:0.70mm; Long MODULE ZIGBEE BASE SUR SN250; MCU Supported Families:EM250; Type de processeur:EM250; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:I2C, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Automatic Meter Reading, Wireless Alarms & Security, Wireless Sensor Networks; Caractéristiques du kit:UART Interface with DMA, Optional Software Support for Hardware I2C and SPI, Small Form Factor; Outils / carte d'application:Modul MODULE ZIGBEE BASE SUR SN250; MCU Supported Families:EM250; Type de processeur:EM250; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:I2C, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.8V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Automatic Meter Reading, Wireless Alarms & Security, Wireless Sensor Networks; Outils / carte d'application:Module ZigBee; Supported Devices:ETRX2; Température, max..:85°C; Température, min.:-40°C; Type d'adaptateur:Power Amplified M MODULE, ENET ACCESS POINT, ZIGBEE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:Ethernet Access Point; Supported Devices:ETRX2; Type d'outils de développement:ENET Access Point MODULE 3POLE 1.5MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:50A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; MODULE 3POLE 1.5MM FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:50A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:3; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; Tempér MODULE 4POLE 4.0MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:25A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; MODULE 4POLE 4.0MM FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:MCB 4; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:25A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Câble; Résis CONTACT REMOVAL OUTIL 4POLE MODULE; A utiliser avec:EPIC Rectangular Connectors MODULE 10POLE 2.5MM FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Nombre de contacts:10; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:10A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:10; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; Tem FRAME 5 MODULE MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:Rectangulaire; Orientation du connecteur:Câble; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance FRAME 7 MODULE MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:Rectangulaire; Orientation du connecteur:Câble; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance MODULE LCD 128X64 LED RETRO-ECL.; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:FSTN; Pixel Size (H x W):0.28mm x 0.34mm; Pas de pixel (H x L):0.32mm x 0.38mm; Mode d'affichage:Transflectif; Viewing Area (H x W):45.2mm x 27mm; Tension, alimentation:3.3V; Courant, alimentation:0.72mA; Format pixel:128 x 64; Hauteur, surface d'affichage:27mm; Largeur (externe):55.2mm; Largeur, surface d'affichage:45.2mm; Lignes, nombres de:128; Longueur/hauteur:39mm; Nombre de colonnes:64; Profondeur:6mm; Tec MODULE LCD 8X2 STN REFLECT; No. of Digits / Alpha:16; Compteur Ligne / caractère:8 x 2; Taille de caractère:5.56mm; Tension, alimentation:5.5V; Mode d'affichage:Réflecteur; Largeur, surface d'affichage:38mm; Hauteur, surface d'affichage:16mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Largeur (externe):58mm; Largeur, caractère:2.96mm; Longueur/hauteur:32mm; Profondeur:9.8mm; Technologie d'afficheur:STN; Type de caractère:Alphanumeric dot matrix MODULE LCD 16X2 STN LED B/L; No. of Digits / Alpha:32; Compteur Ligne / caractère:16 x 2; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:5.56mm; Tension, alimentation:5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:61mm; Hauteur, surface d'affichage:15.8mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Largeur (externe):84mm; Largeur, caractère:2.96mm; Longueur/hauteur:44mm; Profondeur:14mm; Technologie d'afficheur:STN; Type de caractère:Alphanumeric dot matrix CONVERTISSEUR AC/DC 5V 1.4A/7W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:1.4A; Puissance:7W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:50.8mm; Largeur:25.4mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:PC CONVERTISSEUR AC/DC 12V 0.6A/7W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:585mA; Puissance:7W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:50.8mm; Largeur:25.4mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage CONVERTISSEUR AC/DC è…15V 0.3A/10W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:300mA; Puissance:10W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:64mm; Largeur:45mm; Hauteur:19mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:300mA; Courant, sortie 3:-300mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Te CONVERTISSEUR AC/DC 12V 1.3A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:74mm; Largeur:54mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:P CONVERTISSEUR AC/DC 5V 6A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:PCB; CONVERTISSEUR AC/DC è…15V 1A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:1A; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension, sortie 2:-15V; Type d CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…15V/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:2A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:96mm; Largeur:54mm; Hauteur:23.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:150mA; Courant, sortie 3:150mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension CONVERTISSEUR AC/DC è…15V 1A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:1A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:112mm; Largeur:63.8mm; Hauteur:25.6mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:1A; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension, sortie 2:-15V; Type d' MODULE USB/ENET FILLESS METER BUS; Applications Module:Lecture automatique de compteur, compteurs multifonction, lecteurs et concentrateur; MCU Supported Families:eCOG / RC11X0; Type de processeur:eCOG1X; Taux de transfert:100Mbps; Module d'interface:USB; Gamme de tension d'alimentation:3.3V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:USB / Ethernet Gateway; Supported Devices:RC11X0; Type d'outils de développement:USB / Ethernet Module MODULE, BLUETOOTH, CLASS 2, BC04; Gamme de fréquences d'utilisation:2.402GHz 2.48GHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Physical Interfaces:UART, USB; Puissance transmise:4dBm; Receiving Signal Range:-83dBm; Type de modulation:DPSK / DQPSK; Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:Bluetooth Standard 2.0 and EDR Certification, Low Current Consumption, 7ACL Link & 3SCO Link; Type:Bluetooth Module; Type d'outils de développement:Module Bluetooth MODULE BLUETOOTH DATA AQ; Taux de transfert:90Kbps; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Serveur FlexiPanel, Programmation sur le terrain sans fil, Communication Bluetooth; Caractéristiques du kit:FCC / CE certified Class 1 Bluetooth V2.0, Radio, FlexiPanel Server, Wireless Field Programming; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Tension, alimentation:5.5V; Type:Bluetooth Module; Type d'accessoire:Toothpick; Type d' MODULE IGBT DOUBLE 150A 600V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:150A; Tension, Vce sat max..:2.35V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:150A; Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:300A; Dissipation de puissance:500W; Dissipation de puissance, max..:500W; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transistors: MODULE IGBT DOUBLE 200A 600V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:2.45V; Dissipation de puissance Pd:660W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:200A; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:660W; Dissipation de puissance, max..:660W; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transistors: MODULE IGBT DOUBLE 200A 1200V TRENCH; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:300A; Tension, Vce sat max..:2.25V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:200A; Courant, Ic max.. permanent a:300A; Courant, Icm impulsionnel:600A; Dissipation de puissance:1.04kW; Dissipation de puissance, max..:1.04kW; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de t MODULE IGBT 6-PACK 25A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:25A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:17; Configuration module:Six; Courant Ic Vce sat:25A; Courant, Ic max.. permanent a:35A; Courant, Icm impulsionnel:70A; Dissipation de puissance:180W; Largeur (externe):107mm; Longueur/hauteur:20mm; Nombre de transistors:6; Profondeur:45mm; Puissance Pd:180W; Temp MODULE IGBT 6-PACK 50A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:75A; Tension, Vce sat max..:2.65V; Dissipation de puissance Pd:360W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:17; Configuration module:Six; Courant Ic Vce sat:50A; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:150A; Dissipation de puissance:360W; Dissipation de puissance, max..:360W; Largeur (externe):107mm; Longueur/hauteur:20mm; Nombre de transistors:6; MODULE, USB-SERIAL, FT232RQ BASED; Silicon Fabricant:FTDI; Nombre de noyau de silicium:FT232R; Kit Application Type:Interface; Application Sous Type:Mini-B USB; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Reduced Development Time, Rapid Integration into Existing Systems, USB Powered; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Reduced Development Time, Rapid Integration into Existing Systems, Based on FT232RQ Device; Convertir de:USB; Pas:2.54mm; Pas, rang:13mm; Type:USB to Serial; Type de mo MODULE LED ETANCHE 12V BLEU; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Bleu; Flux lumineux Test:12lm; Configuration module de puissance:Chaîne LED; Tension, alimentation:12V; Courant Test:20mA; Température de fonctionnement:-35°C +65°C; Angle, vision:120°; Consommation de puissance:250mW; Couleur, LED:Bleu; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Emission lumineuse, totale:12lm; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:92mm; Nombre de LED:15; Profondeur:11.5 DRIVER DE LED 1A 36V UMODULE LGA-66; Application driver de LED:Automobile, Eclairage aéronautique; Topologie:Buck (Abaisseur); Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Tension, sortie:13V; Tension d'entrée:4V 36V; Type de contrôle de gradation:PWM; Température de fonctionnement:0°C +125°C; Type de boîtier CI Driver:LGA; Fréquence de commutation:500kHz; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de broches:66; Racine de la référence:8040; Tension, alimentation max..:3 MODULE TRANSCEIVER 434MHZ AM 3V; Gamme de fréquence:433.92MHz; Type de modulation:ASK; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; Puissance transmise:10mW; Sensibilité dBm:-106dBm; Courant, alimentation:13mA; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Caractéristiques du kit:High Sensitivity and Power Down Functionality, Ideal for a 2-way Radio System Needing to Save Space; Interface Type:UART; Outils / carte d'application:Mini ASK Transceiver; Sensibilité:-106dBm; Taux de transfert de donné MODULE TRANSCEIVER 434MHZ AM 5V; Gamme de fréquence:433.92MHz; Type de modulation:ASK; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Puissance transmise:10mW; Sensibilité dBm:-106dBm; Courant, alimentation:13mA; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Caractéristiques du kit:High Sensitivity and Power Down Functionality, Ideal for a 2-way Radio System Needing to Save Space; Interface Type:UART; Outils / carte d'application:Mini ASK Transceiver; Sensibilité:-106dBm; Taux de transfert de donné MODULE 2.4GHZ ZIGBEE HI-PWR CORDINATOR; MCU Supported Families:XTR-ZB1; Taux de transfert:250Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Applications:Gestion et contrôle de réseau; Applications Outils / Carte:Gestion et contrôle de réseau; Caractéristiques du kit:MESH Configuration , O-QPSK Modulation, -102dBm Sensitivity, 13dBm Output Power; Outils / carte d'application:Network Management and Control; Type:High Power Coordinator; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE 2.4GHZ ZIGBEE LO-PWR END DEVICE; MCU Supported Families:XTR-ZB1; Taux de transfert:250Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Applications:Gestion et contrôle de réseau; Applications Outils / Carte:Gestion et contrôle de réseau; Caractéristiques du kit:Automatic and User Transparent Encrypted Data Transmission, Wide Area Coverage; Outils / carte d'application:Network Management and Control; Type:High Power End Device; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE 2.4GHZ ZIGBEE LO-PWR CORDINATOR; MCU Supported Families:XTR-ZB1; Taux de transfert:250Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Applications:Gestion et contrôle de réseau; Applications Outils / Carte:Gestion et contrôle de réseau; Caractéristiques du kit:Automatic and User Transparent Encrypted Data Transmission, Wide Area Coverage; Outils / carte d'application:Network Management and Control; Type:High Power Coordinator; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE EMETTEUR 869MHZ FM HI-PWR; Gamme de fréquence:869.4MHz 869.65MHz; Taux de transfert de données max..:19.2Kbps; Gamme de tension d'alimentation:3V 5V; Courant, alimentation:450mA; Type de modulation:FSK; Température de fonctionnement:-20°C +85°C; Caractéristiques du kit:869MHz Frequency, FSK Modulation, 500mW Power, Long Range of Digital Data Transmission; Outils / carte d'application:869MHz Transmitter; Type:Transmitter Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE EMETTEUR 869MHZ FM; Gamme de fréquence:868.3MHz; Gamme de tension d'alimentation:5V; Courant, alimentation:24mA; Type de modulation:2FSK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:868MHz Frequency, 5V Supply Voltage, 24mA Supply Current, 6dBm Output Power, Square Wave Modulation; Outils / carte d'application:869MHz Transmitter; Type:PLL FM Transmitter Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE EMETTEUR 433MHZ AM SIL; Gamme de fréquence:433.82MHz 434.02MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:4mA; Type de modulation:OOK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:OOK Modulation, In Compliance with EN 300220, EN 301489 and EN 60950 European Standard; Outils / carte d'application:433MHz Transmitter; Type:Transmitter Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE EMETTEUR 2.4GHZ AUDIO; Caractéristiques du kit:2.4GHz Digital Audio Signal Transmitter, 10dBm Transmit Power; Outils / carte d'application:Digital Audio Transmitter; Type:Digital Audio Transmitter; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE, ECIO, 40PIN PICMICRO, 4PK; Silicon Fabricant:Matrix; Nom de famille Silicon:PICmicro; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:Usable with Labview and VB, C++, USB Powered; Outils / carte d'application:Programmation / Configuration; Type:Hardware / Software - Dev Kit (Dev Tool); Type d'outils de développement:Programming Adapter MODULE COEUR BLACKFIN; Silicon Fabricant:Analog Devices; Core Architecture:Blackfin; Nom de famille Silicon:Blackfin; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On-board Core Voltage Regulator, Low Voltage Reset Circuit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:ADSP-BF548 Blackfin Processor, 64MB DDR RAM, 533MHz Clock, 8MB Flash; MCU Supported Families:ADSP-BF548; Tension, alimentation:3.3V; Type:Evaluation Module; Type d'accessoire:Core Processor Module MODULE INDUSTRIAL CORE; Silicon Fabricant:Analog Devices; Core Architecture:Blackfin; Nom de famille Silicon:Blackfin; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On-board Core Voltage Regulator, Low Voltage Reset Circuit; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:ADSP-BF537 Blackfin Processor, 32MB SDRAM, 25MHz Clock, 8MB Flash; MCU Supported Families:ADSP-BF537; Tension, alimentation:3.3V; Type:Evaluation Module; Type d'accessoire:Core Processor Module MODULE, PWR, DSPICDEM, MC1H, 3PHASE; Silicon Fabricant:Microchip; Nombre de noyau de silicium:dsPIC30F; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Contrôle des moteurs; Application Sous Type:Moteur triphasé; Caractéristiques:This Power Module is Intended for AC Induction Motor and Power Inverter that Operate from AC Voltage; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:dsPIC30F; Outils / carte d'application:Evaluation / Développement de contrôle moteur; Type d'outils de développement RF TRANSCEIVER MODULE,2.4GHZ; Taux de transfert de données max..:250Kbps; Gamme de fréquence:2.4GHz; Sensibilité dBm:-94dBm; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; Courant, alimentation:23mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:SPI; MCU Supported Families:PIC16F, PIC18F, PIC24F/H, dsPIC33 and PIC32; Outils / carte d'application:RF Evaluation / Development; Puissance transmise:0dBm; Sensibilité:-94 dBm; Supported Devices:MRF24J40; Taux de transfert de données max..:0.25Mbps; Températ IGBT MODULE, DUAL, 600V, 200A; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:2.8V; Dissipation de puissance Pd:780W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Dissipation de puissance:780W; Dissipation de puissance, max..:780W; Transistor Type:Module IGBT; Type de boîtier:Module POWER MODULE F18, SDK, 105A, 530VAC; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:105A; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Courant, Ib:105A; Courant, Itsm:2250A; Tension, Vrrm:1400V; Type Thyristor/Triac:SCR; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser MODULE, RADIO DATA MODEM, 868MHZ; Caractéristiques du kit:Transmit Power 500mW, RF Data Rates Up to 19.2kbps, Complies with R&TTE Directive 1999/5/EC; Outils / carte d'application:Communications sans fil; Supported Devices:AT91SAM7Sxx; Type d'outils de développement:Modem RF MODULE, BLUETOOTH, DATA/AUDIO COMMS; Physical Interfaces:UART; Taux de transfert:921.6Kbps; Type de modulation:FHSS; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Caractéristiques du kit:Digital Audio Interface, Small Form Factor, UART Interface; Contenu du kit:Radio Bluetooth, antenne, logiciel de protocole empilable; Outils / carte d'application:Système de développement Bluetooth; Supported Devices:BlueNiceCom 4; Type d'outils de développement:Module Bluetooth IC, DC/DC UMODULE, 6A, 28V, 104LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:104; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:800kHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4602; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; IC, DC/DC UMODULE, 12A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12A; Fréquence:850kHz; Précision:0.25%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; T IC, DC/DC UMODULE, 6A, 118LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:1MHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4603; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; Tension IC, DC/DC UMODULE, 12A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12A; Fréquence:850kHz; Précision:1%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; Tens PSU, PFC MODULE, 1600W; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:85V AC 264V AC / 120V DC 370V DC; Puissance:1.6kW; Tension, sortie:380V; Courant, sortie:4.2A; Approval Bodies:cUL / TUV / UL /; Tension, alimentation:264V; Type de convertisseur DC / DC:Module; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Efficacité:95%; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:120V 370V; Hauteur:12.7mm; Largeur:116.8mm; Largeur (externe):116.8mm; Longueur:61mm; DIODE, MODULE, 100A, 1200V, GEN VII; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:1.45V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Une; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier:ADD-A-Pak; Type de boîtier diode:Module; Type de terminaison: visser MODULE, PLUG-IN, DSPIC33FJ256MC710; Conversion de:100-TQFP; Conversion vers:100-TQFP; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Plug-In Module SERIE-ENET MODULE 1 PORT DEVICELINX; Applications Outils / Carte:Connectivité série-vers-Ethernet; MCU Supported Families:RS232, RS422, RS485; Outils / carte d'application:Serial to Ethernet Device Server; Type:Serial to Ethernet Bridge Module; Type d'outils de développement:Serial to Ethernet Bridge Module MODULE, TRANSMITTER, TX433S; Gamme de fréquence:430.24MHz 439.75MHz; Gamme de tension d'alimentation:2.2V 5.4V; Courant, alimentation:10.5mA; Type de modulation:FSK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:SIP; Sensibilité:-109dBm MODULE, RECEIVER, RX433S; Gamme de fréquence:430.24MHz 439.75MHz; Courant, alimentation:10.5mA; Type de modulation:FSK; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Supply:2,2V 5,4V; Sensibilité:-109dBm; Taux de transfert de données max..:256Kbps MODULE TRANSISTOR IGBT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:20A; Tension, Vce sat max..:1.8V; Dissipation de puissance Pd:56W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-20°C +150°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:23; Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance:56W; Dissipation de puissance, max..:56W; Tension Vces:600V; Type de boîtier:Module; Type de terminaison: visser MODULE, BLUETOOTH + AUDIO; Gamme de tension d'alimentation:1.7V 6.5V; Taux de transfert:2.178Mbps; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Integrated Antenna, Bluetooth 2.0 Compliant, Bluetooth 2.1 Ready, Class 2 - Range up to 30 Meters; Outils / carte d'application:Casque, haut-parleurs sans-fils, lecteur MP3, VoIP, capteurs analogiques industriels; Supported Devices:BlueCore05-MM; Type d'outils de développement:Module Bluetooth CONV DC/DC 24V 2.0A 10-SIP MODULE; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:2A; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:10; Précision:2%; Racine de la référence:4243; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension d'entrée primaire:24V; Tension, alimentation max..:36VDC; Tension, alimentation min.:18VDC; Tension, entrée max..:36V; Tension, sortie max..:5V; Type de boîtier:SIP Module; Type de boîtier CI régulateur de MODULE MOSFET PONT H 100V; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:3.3V; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITOP 2; Nombre de broches:16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Boitier CI:A; Configuration module:Demi-pont; Courant de drain continu Id, Canal N:80A; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:120A; Diamètre, trous de fixation:2mm; Entraxe de f MODULE, MULTIBUS, RS232; Silicon Fabricant:Evidence; Kit Application Type:Communication et Réseautage; Application Sous Type:Module RS232 Multibus FLEX; Contenu du kit:Board; Applications Outils / Carte:MCU, MPU, DSP, DSC pour applications générales; Core Architecture:Communication et Réseautage; Core Sub-Architecture:Module RS232 Multibus FLEX; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:Hardware - Daughter Card; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE PORT ETHERNET ET MONITEUR EXTERNE; Type d'accessoire:Module; A utiliser avec:MSO2000, DPO2000 Series Digital Phosphor Oscilloscopes MODULE LCD 16X1 STN REFLECT; No. of Digits / Alpha:16; Compteur Ligne / caractère:16 x 1; Taille de caractère:6.56mm; Tension, alimentation:5.5V; Mode d'affichage:Réflecteur; Largeur, surface d'affichage:64.5mm; Hauteur, surface d'affichage:13.8mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Connector Type:T 1 x 16; Courant, alimentation:1.5mA; Hauteur, caractère:6.56mm; Hauteur, pixel:0.55mm; Humidité:90%; Largeur (externe):36mm; Largeur, caractère:3.07mm; Largeur, point:0.75mm; Longueur/hauteur MODULE LCD 16X4 LED RETRO-ECL. X-TMP; No. of Digits / Alpha:64; Compteur Ligne / caractère:16 x 4; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:4.75mm; Mode d'affichage:Transflectif; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Connector Type:T 1 x 16; Courant, alimentation:2.0mA; Hauteur, caractère:4.75mm; Hauteur, pixel:0.55mm; Humidité:90%; Largeur (externe):60mm; Largeur, caractère:2.95mm; Largeur, point:0.55mm; Longueur/hauteur:87mm; Nombre de colonnes:16; Nombre de rangées:4; CONVERTISSEUR AC/DC 5V 2A/10W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:2A; Puissance:10W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:64mm; Largeur:45mm; Hauteur:19mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:PCB; Type CONVERTISSEUR AC/DC è…15V 0.5A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:500mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:74mm; Largeur:54mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:500mA; Courant, sortie 3:-500mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; CONVERTISSEUR AC/DC 24V 1.3A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de monta CONVERTISSEUR AC/DC è…12V 1.3A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:1.3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:1.3A; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension, sortie 2:-12V; CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…12V/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:600mA; Courant, sortie 3:600mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Ten CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…15V/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:88.9mm; Largeur:63.5mm; Hauteur:21.5mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:500mA; Courant, sortie 3:-500mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Te CONVERTISSEUR AC/DC 24V 0.6A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:600mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:96mm; Largeur:54mm; Hauteur:23.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:C CONVERTISSEUR AC/DC 48V 0.6A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:48V; Courant, sortie:625mA; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:112mm; Largeur:63.8mm; Hauteur:25.6mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montag DC DC MODULE 500MA 40V SD 35LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:35; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:500mA; Fréquence:1.1MHz; Précision:0.1%; Racine de la référence:8021; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:0.8V; Tension, alimentation max..:36V MODULE TRANSMITTER FM SIL; Gamme de fréquence:433.92MHz; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:12mA; Type de modulation:FM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Système de sécurité domestique et commercial, Contrôles distance de portails; Caractéristiques du kit:Temperature Compensated RF Output, Fully Shielded, Data Rates up to 128kbits/sec; Courant:12mA; Distance de fonctionnement:400m; Fréquence:433.92MHz; Largeur (externe):10mm; Longueur/haut MODULE LED ROUGE; Série:OPA730; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Rouge; Longueur d'onde typ.:625nm; Flux lumineux Test:312lm; Configuration module de puissance:Anneau; Tension, alimentation:15V; Courant Test:700mA; Puissance:12W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:40°; Consommation de puissance:12W; Couleur, LED:Rouge; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Flux lumineux:312lm; Flux lumineux typique:312lm; Intensité lumineuse typique:24.82mc MODULE LED BLANC; Série:OPA742; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Blanc; Température de couleur proximale:6500K; Flux lumineux Test:41lm; Configuration module de puissance:Circulaire; Tension, alimentation:3.6V; Courant Test:350mA; Puissance:1W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:23°; Consommation de puissance:1W; Couleur, LED:Blanc; Courant, direct, If:350mA; Courant, direct, If:350mA; Flux lumineux:41lm; Flux lumineux typique:41lm; Gamme de température de MODULE IGBT DOUBLE 100A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:150A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:780W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:100A; Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:300A; Dissipation de puissance:780W; Dissipation de puissance, max..:780W; Largeur (externe):108mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transistor MODULE IGBT DOUBLE 150A 1200V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1kW; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:150A; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:1kW; Dissipation de puissance, max..:1kW; Largeur (externe):108mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transistors:2 MODULE XBEE ZB 1MW W/WIROUGE ANT; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:UART; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:XBee ZB Platform, 400ft Outdoor RF Line-of-sight Range, 250Kbps Data Rate, Wire Whip Antenna; Outils / carte d'application:Mesh Networking; Type:RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module MODULE XBEE ZB 1MW W/CHIP ANT; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:UART; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:XBee ZB Platform, 400ft Outdoor RF Line-of-sight Range, 250Kbps Data Rate, Chip Antenna; Outils / carte d'application:Mesh Networking; Type:RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module MODULE XBEE ZB 1MW W/U.FL ANT CONN; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:UART; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:XBee ZB Platform, 400ft Outdoor RF Line-of-sight Range, 250Kbps Data Rate, U.FL Antenna; Outils / carte d'application:Mesh Networking; Type:RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module MODULE ENET BRIDGE WIFI AIRBORNE; Caractéristiques du kit:Highly Integrated Transparent 802.11b/g Wireless Ethernet Bridge, Integrated 10 base-T Ethernet PHY; Outils / carte d'application:Ethernet vers 802.11b sans fil ; Type:Wireless Ethernet Bridge Module; Type d'outils de développement:Bridge sans fil embarqué MODULE, SELECT 4X10A; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Courant, sortie:12A; Gamme tension entrée VDC:22V 30V; Longueur:125mm; Largeur:70mm; Hauteur:125mm; Approval Bodies:CE / cULus; Courant, entrée:1.1A; Efficacité:97%; Fréquence, entrée:50Hz; IP / NEMA Rating:IP20; Largeur (externe):72mm; Longueur/hauteur:80mm; Poids:220g; Profondeur:72mm; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension d'alimentation typique:24V DC; Tension d'entrée:22V DC 30V DC; T MODULE, 44/100PIN, DSPIC33F MC SERIES; Conversion de:44-QFN; Conversion vers:100-QFN; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Module enfichable MODULE LED ETANCHE 12V ROUGE; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Rouge; Flux lumineux Test:14lm; Configuration module de puissance:Chaîne LED; Tension, alimentation:12V; Courant Test:20mA; Température de fonctionnement:-35°C +65°C; Angle, vision:120°; Consommation de puissance:250mW; Couleur, LED:Rouge; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Emission lumineuse, totale:14lm; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:92mm; Nombre de LED:15; Profondeur:1 MODULE LED ETANCHE 12V VERT; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Vert; Flux lumineux Test:37lm; Configuration module de puissance:Chaîne LED; Tension, alimentation:12V; Courant Test:20mA; Température de fonctionnement:-35°C +65°C; Angle, vision:120°; Consommation de puissance:250mW; Couleur, LED:Vert; Courant, direct, If:20mA; Courant, direct, If:20mA; Emission lumineuse, totale:37lm; Largeur (externe):18mm; Longueur/hauteur:92mm; Nombre de LED:15; Profondeur:11.5 CONVERT DC/DC 30W 48V 11DIP MODULE; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:36V 75V; Puissance:30W; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:8A; Approval Bodies:cUL / EN / UL; Tension, alimentation:48V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; Tension, isolation:1.5kV; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:8A; Fréquence:500kHz; Nombre de broches:11; Racine de la référence:48560; Température de fonctionnem MODULE USB 2 PORTS BASE SUR FT2232H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Convertisseur FIFO / USB vers série; Caractéristiques du kit:USB 2.0 Hi-Speed Compatible, Reduced Development Time, Rapid Integration into Existing Systems; Convertir de:USB; Convertir vers:UART/MPSSE IC; MCU Supported Families:FT2232H; Outils / carte d'application:Interface Module; Supported Devices:FT2232H; Type:Evaluation Module; Type d'adaptateur:2 Port Mini Module; Type d'outils de développement:Mat MODULE, PIC18F45K20, 44/84 PIN TQFP; Conversion de:44-TQFP; Conversion vers:84-PIM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Supported Devices:PIC18F45K20; Type d'adaptateur:Plug-In Module; Type de montage:Borne de raccordement rapide MODULE TRANSCEIVER 868MHZ FM PROG; Gamme de fréquence:869.19MHz 869.87MHz; Type de modulation:FSK; Taux de transfert de données max..:115.2Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Sensibilité dBm:-100dBm; Courant, alimentation:31mA; Applications Outils / Carte:Automatisation industrielle, Modem radio, Contrôle d'accès; Caractéristiques du kit:Channel Setting, Choice of Serial Data Rate, Emitted RF Power, 870MHz FM Transceiver; Interface Type:RS232, Serial; Outils / carte d'applicatio MODULE EMETTEUR 434MHZ AM 5V; Gamme de fréquence:433.82MHz 434.02MHz; Gamme de tension d'alimentation:3.5V 5.5V; Courant, alimentation:5.7mA; Type de modulation:OOK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:AM OOK Transmitter Module, Buffer Stage for Enhanced Power and Low Harmonics on Output; Outils / carte d'application:434MHz Transmitter; Type:Transmitter Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE RECEPTEUR 869MHZ; Sensibilité dBm:-111dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:7mA; Type de modulation:FM; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:Front-end SAW Filtered to an Higher Electromagnetic Immunity, Sensibility Super-het FM Receiver; Outils / carte d'application:Récepteur 434MHz FM (FSK); Type:FM Super Het Receiver; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE RECEPTEUR 433MHZ AM SUPEREGEN; Gamme de fréquence:433.92MHz; Sensibilité dBm:-106dBm; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Courant, alimentation:3mA; Type de modulation:ASK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:RF Generator with 100% Modulation, Trimmable Capacitor, Low Current, Low Antenna Radiation; MCU Supported Families:HCSXXX Microchip; Outils / carte d'application:Récepteur 434MHz Standard; Type:Standard OOK Receiver; Type d'outils de développ MODULE EMETTEUR 433MHZ AM DIL; Gamme de fréquence:433.92MHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 5V; Courant, alimentation:6mA; Type de modulation:OOK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:OOK Modulation, 5Vdc Supply Voltage, 6mA Supply Current, 2dBm Output Power, DIL Package; Outils / carte d'application:434MHz AM Transmitter; Type:Transmitter Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE MP3 PLAYER SPI / STAND ALONE; Silicon Fabricant:Olimex; Kit Application Type:Audio; Application Sous Type:Couche audio MPEG 1 et 2; Caractéristiques:Stereo Audio Input / Output, Plays MP3, WAV, PCM Files; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Lecteur MP3; Caractéristiques du kit:VS1002 Hardware Decoder, On Board SD/MMC Card Connector, Stereo Audio Microphone, Headphone Jack; MCU Supported Families:VS1002; Outils / carte d'application:Lecteur MP3; Type:MP3 Player Module; MODULE TRANSCEIVER 2.4GHZ NRF24L01; Taux de transfert de données max..:2Mbps; Gamme de fréquence:2.4GHz; Gamme de tension d'alimentation:1.8V 3.6V; Module d'interface:SPI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:NRF24L01 2.4GHz Low Power Transceiver, 125 RF Channels, Up to 2MB Data Rate; MCU Supported Families:NRF24Lx; Outils / carte d'application:Transceiver basse puissance; Supported Devices:NRF24L01; Type:RF Transceiver; Type d'outils de développement:Matériel - Module OUTPUT MODULE 5-60VDC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:Control of DC loads; Approval Bodies:CE / CSA; Catégorie d'approbation:UL Recognised; Largeur (externe):48.8mm; Longueur/hauteur:41.1mm; Profondeur:10.2mm; Température de fonctionnement max..:70°C; Température d'utilisation min:-30°C; Tension, isolation:4000V; Tension, sortie max..:60V; Type de montage:Vis; Type de terminaison:Traversant POWER ENTRY MODULES; Série:FN390; Genre:Connecteur mâle; Tension:250VAC; Courant:10A; Montage connecteur:Suspendu; Terminaison du contact:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de connecteur:Connecteur d'entrée filtré MODULE I/O; Tension:5V; Courant:18A; Longueur:31.8mm; Largeur (externe):43.2mm; Profondeur:15.2mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) POWER MODULE F18, RD, 90A, 480VAC; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:480V; Courant, If moy.:90A; Tension, Vf max..:1.4V; Diode Module Configuration:Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser POWER MODULE F18, RD, 105A, 600VAC; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:105A; Tension, Vf max..:1.65V; Diode Module Configuration:Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser MODULE, GSM/GPRS/GPS QUAD BAND, BGA; Nombre de voies:4; Protocole:TCP / IP, UDP, SMTP, FTP; Gamme de tension d'alimentation:3.22V 4.5V; Fréquence RF:1.9GHz; Module d'interface:UART; Caractéristiques du kit:Low Power Consumption, Jamming Detection, Integrated TCP/IP Protocol Stack; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications Outils / Carte:Télémétrie et télécontrôle, Système de sécurité; MCU Supported Families:GE863; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type:GSM / GPRS / GPS Modu IC, DC/DC UMODULE, 6A, 118LGA; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:1MHz; Nombre de broches:118; Précision:0.25%; Racine de la référence:4603; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; Tension d'entrée primaire:20V; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, entrée max IC, DC/DC UMODULE, 6A, 118LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:1MHz; Précision:0.25%; Racine de la référence:4603; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; Tensio IC, DC/DC UMODULE, 6A, 118LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:118; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:1MHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4603; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; Tension IC, DC/DC UMODULE, 5A, 36V, 141LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:141; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:3A; Courant, sortie max.:10A; Fréquence:400kHz; Racine de la référence:4607; Tension de sortie ajustable max.:24V; Tension de sortie ajustable min:800mV; Tension, alimen PILLAR FOR CINTERION MODULE, 5MM; Type d'accessoire:Pillar MODULE, ZIGBEE PRO, W/INTEGRATED ANT; MCU Supported Families:JN5148; Wireless Protocol:IEEE 802.15.4; Module d'interface:JTAG, Serial, SPI, UART; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications:Sans fil basse puissance robuste et sécurisé, Jouets et périphériques de jeux, Télémétrie; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communication; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module DUAL, DIODE, MODULE, 100A, 1200V; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:1.2kV; Courant, If moy.:100A; Tension, Vf max..:1.45V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier:ADD-A-Pak; Type de boîtier diode:Module; Type de terminaison: visser MODULE, RFID, READER, S251B, 134.2KHZ; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:Wireless Access; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE USB-TTL SER CONV PCB; Module d'interface:USB; Gamme de tension d'alimentation:4.25V 5.25V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:USB; Outils / carte d'application:Interface Module; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE USB-TTL SER CONV PCB 3V3; Type d'accessoire:PCB Module; A utiliser avec:TTL to USB Serial Converter; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Outils / carte d'application:Interface Module; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module MODULE, USB TAP, PQII/III, C/W TGT I/F; Core Architecture:Architecture d'alimentation; Core Sub-Architecture:Architecture d'alimentation; Caractéristiques:Use Software or Hardware Breakpoints, Crash-Proof Control of the Target Processor; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Processeur Freescale; MCU Supported Families:56F8XXXFP, 56F83xx, 56F801x x, ColdFire; MPU Supported Families:CodeWarrior; Outils / carte d'application:Development / Debugging / Programming; Supported Device MODULE, ARF32, BLUETOOTH, DATA; Gamme de fréquences d'utilisation:2.402GHz 2.48GHz; Gamme de tension d'alimentation:2.85V 3.6V; Physical Interfaces:UART; Taux de transfert:921.6Kbps; Puissance transmise:1mW; Receiving Signal Range:-85dBm; Type de modulation:FHSS; Température de fonctionnement:-35°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Communication Bluetooth bidirectionnelle simultanée; Caractéristiques du kit:Data Version, 2.45GHz Frequency Band, Air Rate is 723k MODULE, ARF32, BLUETOOTH, AUDIO; Gamme de fréquences d'utilisation:2.402GHz 2.48GHz; Gamme de tension d'alimentation:2.85V 3.6V; Physical Interfaces:UART; Taux de transfert:921.6Kbps; Puissance transmise:1mW; Receiving Signal Range:-85dBm; Type de modulation:FHSS; Température de fonctionnement:-35°C +70°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Communication Bluetooth bidirectionnelle simultanée; Caractéristiques du kit:Data and Analogue Audio Version, 2.45GHz Frequency Ba IC, MODULE PIP 10A HORZ T/H 11-DIP; DC / DC Converter Output Type:Ajustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:4.5V 14V; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:10A; Approval Bodies:CSA / IEC / UL; Tension, alimentation:5V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:10A; Courant, sortie max.:10A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:11; Précision:1.5%; Racine de la référence:08; Température de MODULE RF TRX 2.4GHZ +20DBM; Type de modulation:FHSS; Taux de transfert de données max..:250Kbps; Gamme de fréquence:2.405GHz 2.48GHz; Sensibilité dBm:-102dBm; Gamme de tension d'alimentation:2.4V 3.6V; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Supports ZigBee, MiWi, MiWi P2P and Proprietary Wireless Networking Protocols; Interface Type:SPI; MCU Supported Families:PIC16F, PIC18F, PIC24F/H, dsPIC33 and PIC32; Outils / carte d'application:Sans-fil - Communicat DC-UPS-MODULE 24V/6A USB; Gamme tension entrée VDC:22V 29V; Tension, sortie:24V; Longueur:125mm; Largeur:70mm; Hauteur:125mm; Approval Bodies:CE / cULus; Courant, entrée:1.1A; Courant, sortie:6A; Efficacité:94%; Fréquence, entrée:50Hz; IP / NEMA Rating:IP20; Largeur (externe):50mm; Longueur/hauteur:125mm; Nombre de canaux de sortie:1; Poids:400g; Profondeur:125mm; Puissance:144W; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension d'alimentation typique:24V DC; DC-UPS-MODULE 24V/40A USB; Gamme tension entrée VDC:22V 29V; Tension, sortie:24V; Longueur:125mm; Largeur:70mm; Hauteur:125mm; Approval Bodies:CE / cULus; Courant, entrée:1.1A; Courant, sortie:40A; Efficacité:97%; Fréquence, entrée:50Hz; IP / NEMA Rating:IP20; Largeur (externe):102mm; Longueur/hauteur:125mm; Nombre de canaux de sortie:1; Poids:1.1kg; Profondeur:125mm; Puissance:960W; Température de fonctionnement max..:60°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension d'alimentation typique:24V MODULE RS485 POUR M850; Type d'accessoire:RS485; A utiliser avec:M850; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE HACHEUR IGBT 400A 1200V; Courant de collecteur DC:400A; Tension, Vce sat max..:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 3; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Hacheur; Type de boîtier:SEMITRANS 3; Type de terminaison: visser MODULE DE BASE SSR 25A 4-32VDC; Control Voltage Range:4V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:24V AC 265V AC; Configuration des contacts:SPST; Courant, charge:25A; Switching Mode:Zero Crossing; Relay Terminals:Ressort; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST; Courant de pic:325A; Courant charge max. RMS:25A; Pointe de courant:325A; Série:RX1A; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:265VAC; Tension, charge efficace min.:24VAC; Type de borne:Spring MODULE DIODE + LED 6-24VDC; Type d'accessoire:Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE RJ AV FLOORBOITE SIMPLE MODULE, USB TAP, DSC, C/W I/F; Core Architecture:80C51; Core Sub-Architecture:56800/E; Caractéristiques:Split-second Single-step Execution, Control and Debug your Software Running In-target; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Processeur Freescale; MCU Supported Families:56F8XXXFP, 56F83xx, 56F801x x, ColdFire; MPU Supported Families:CodeWarrior; Outils / carte d'application:Development / Debugging / Programming; Supported Devices:HAWK HYBRID; Type:USB TAP Module; Type d'acce MODULE. DIN. 107MM. BASE+PIED. 18.5MM; Type d'accessoire:Base Element with Foot; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Hauteur, dimension externe:36.5mm; Largeur (externe):18.5mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Profondeur externe:118mm; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 107MM. BASE. 35MM; Type d'accessoire:Base Element; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Hauteur, dimension externe:36.5mm; Largeur (externe):35mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Profondeur externe:118mm; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 107MM LATERALE+PIED 11.5MM; Type d'accessoire:End Section with Foot; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Hauteur, dimension externe:36.5mm; Largeur (externe):11.5mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Profondeur externe:118mm; Type de boîtier:Rail DIN PUISSANCE MODULE AUTORANGING 100W; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:50V; Courant, sortie:10A; Puissance:100W; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (19-Dec-2011) MODULE SOCKET MPLAB PM3 16PIN QFN; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE DE SECOURS UNIVERSEL; Gamme tension entrée VAC:230V; Longueur:58mm; Largeur:54mm; Hauteur:95mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) AC CURRENT CLAMP MODULE; Type DMM:Pince; Fonctions DMM:Courant AC; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (19-Dec-2011) SWITCH MODULE, SINGLE; Configuration des contacts:SPST-NO; Fonctionnement de commutation:Off-(On); Style d'actionneur:Rond; Terminaisons commutateur:Plomb; Couleur levier / capuchon:Noir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Contacts:Off-(On); Course min:1mm; Force, fonctionnement:5N; Série:ESM; Type d'actionnement:Rond RELAIS STATIQUE MODULE DIN 60VDC 5A; Control Voltage Range:3V DC 10V DC; Tension de fonctionnement:1V DC 60V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:60A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:60A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:60V; Tension, charge effica RELAIS STATIQUE MODULE DIN 100VDC 8A; Control Voltage Range:20V DC 28V DC; Tension de fonctionnement:1V DC 100V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:10A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:100A; Courant charge max. RMS:8A; Courant charge min RMS:0A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:100A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:100V; Tension, charge RELAIS STATIQUE MODULE DIN 60VDC 5A; Control Voltage Range:20V DC 28V DC; Tension de fonctionnement:1V DC 60V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:60A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:60A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:60V; Tension, charge effic RELAIS STATIQUE MODULE DIN 380VAC 5A; Control Voltage Range:15V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:48V AC 380V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:530V; Tension, cha RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 4A; Control Voltage Range:3V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:24V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:4A; Switching Mode:Zero Crossing; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:130A; Courant charge max. RMS:4A; Courant charge min RMS:0.02A; Courant, contrôle, 5Vcc:3mA; Pointe de courant:125A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge effic RELAIS STATIQUE MODULE DIN 60VDC 3A; Control Voltage Range:3V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:3V DC 60V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:3A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:5A; Courant charge max. RMS:3A; Courant charge min RMS:0.02A; Courant, contrôle, 5Vcc:3mA; Pointe de courant:5A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:60V; Tension, charge effica RELAIS STATIQUE MODULE DIN 380VAC 8A; Control Voltage Range:4V DC 15V DC; Tension de fonctionnement:48V AC 380V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:10A; Switching Mode:Zero Crossing; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:8A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge eff RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 8A; Control Voltage Range:15V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:12V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:10A; Switching Mode:Random Turn On; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:8A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge e MODULE, TX/RX, W/ PSU, IP-LINK; Caractéristiques du kit:Power and Data via a Single Coaxial Cable, Upto 1000meters distance on Coaxial Cable; Type:IP-Link IC, MODULE PIP .9-3.6V 3A HORZ T/H; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:3.6V; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module traversant; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:3A; Courant, sortie max.:3A; Fréquence:700kHz; Précision:3%; Racine de la référence:04000; Tension de sortie ajustable max.:3.6V; Tension de sortie ajustable min:900mV; Tension, a MODULE PIP .9-5.5V 2.25A HORZ TH; Tension d'entrée primaire:14V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:2.25A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module traversant; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:2.25A; Courant, sortie max.:2.25A; Fréquence:300kHz; Précision:3%; Racine de la référence:08000; Tension de sortie ajustable max.:5.5V; Tension de sortie ajustable min:900mV; Tens IC, MODULE PIP 16A 14VIN T/H 11-DIP; DC / DC Converter Output Type:Ajustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:4.5V 14V; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:16A; Approval Bodies:CSA / IEC / UL; Tension, alimentation:5V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:16A; Courant, sortie max.:16A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:11; Précision:1.5%; Racine de la référence:08; Température d MODULE PIP 3A 4.5-14V T/H 10-DIP; DC / DC Converter Output Type:Ajustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension d'entrée:4.5V 14V; Tension, sortie:5.5V; Courant, sortie:3A; Approval Bodies:CSA / IEC / UL; Tension, alimentation:5V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:3A; Courant, sortie max.:3A; Fréquence:300kHz; Nombre de broches:10; Précision:1.5%; Racine de la référence:08; Température de fonc MODULE USB WLESS STICK W/ANT 868MHZ; Applications Outils / Carte:Collecte de données, Surveillance, Contrôle distance et Réseau de capteurs; Caractéristiques du kit:Configurable Data Rates and RF Channels, Flexible Addressing and Network Topologies; Outils / carte d'application:Sans-fil - Transmission des données; Type:Wireless USB Adapter; Type d'outils de développement: RF Module MODULE LED 3.6W 190LM 3000K CRI 85; Série:ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:3220K; Flux lumineux Test:190lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:360mA; Puissance:3.6W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:400mA; Courant, direct, If:400mA; Courant, direct, If:400mA; Dissipation de puissance:4.4W; Dissipation de puissance Pd:4.4W; MODULE LED 6.7W 300LM 2700K CRI 85; Série:ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:2870K; Flux lumineux Test:300lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.7W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W; Flux MODULE LED 6.7W 340LM 4000K CRI 94; Série:ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc neutre; Température de couleur proximale:4260K; Flux lumineux Test:340lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.7W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W; Flu MODULE LED 3.6W 220LM 3500K CRI 87; Série:MINI ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc neutre; Température de couleur proximale:3600K; Flux lumineux Test:220lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:360mA; Puissance:3.6W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:400mA; Courant, direct, If:400mA; Courant, direct, If:400mA; Dissipation de puissance:4.6W; Dissipation de puissance Pd: MODULE LED 3.6W 230LM 6500K CRI 87; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc froid; Température de couleur proximale:7040K; Flux lumineux Test:230lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:360mA; Puissance:3.6W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:400mA; Courant, direct, If:400mA; Courant, direct, If:400mA; Dissipation de puissance:4.6W; Dissipation de puissance Pd:4.6W; Flux lumineux:23 MODULE LED 6.7W 390LM 3500K CRI 87; Série:MINI ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc neutre; Température de couleur proximale:3600K; Flux lumineux Test:390lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.7W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W MODULE LED 6.7W 410LM 5000K CRI 87; Série:MINI ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc froid; Température de couleur proximale:5311K; Flux lumineux Test:410lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.7W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W; MODULE, ARF54, EURO; Gamme de fréquence:869.4MHz 869.65MHz; Type de modulation:FM; Taux de transfert de données max..:57.6Kbps; Puissance transmise:500mW; Sensibilité dBm:-108dBm; Courant, alimentation:700mA; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Communication sans fil; Caractéristiques du kit:Two-way Digital Link over 6000m, Programmable up to 57.6kbps Rough Data Rate; Interface Type:UART; Outils / carte d'application:Communication sans fil; Type:Modem Module; Type d'outils IC, MODULE PIP 3.3VIN 8A VERT 8-SIP; Tension d'entrée primaire:3.65V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:2.5V; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:Module SIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:8A; Fréquence:600kHz; Précision:3%; Racine de la référence:03010; Tension de sortie ajustable max.:2.5V; Tension de sortie ajustable min:800mV; Tension, alimentation max..:3.65V; Tension, al UMODULE DC/DC 4A 66LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:66; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.375V; Type de régulation de tension:Switch Mode UMODULE DC/DC DUAL 8A 144LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:144; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de régulation de tension:Switch Mode MODULE PLUG-IN PIC16F193X 44P PIC18; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Plug-in Module MODULE DIODE 80A 1600V; Tension, Vrrm:1.6V; Courant, If moy.:80A; Tension, Vf max..:1.55V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ifs max.:2kA; Diode Type:Module de puissance; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Température, Tj max..:125°C; Type de boîtier:A12; Type de terminaison: visser; courant Ifsm:2kA MODULE IGBT DEMI-PONT 400A 1200V; Courant de collecteur DC:400A; Tension, Vce sat max..:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 3; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Double; Type de boîtier:SEMITRANS 3; Type de terminaison: visser MODULE IGBT SIMPLE 600A 1200V; Courant de collecteur DC:600A; Tension, Vce sat max..:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 4; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Une; Type de boîtier:SEMITRANS 4; Type de terminaison: visser MODULE DIODE; Type d'accessoire:Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE DIODE + LED 6-24VDC; Type d'accessoire:Modules; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE. CAT5E. EUROMOD; Type de connecteur:RJ45; Série:Euromod; Genre:Embase; Nombre de contacts:8; Nombre de positions:8; Nombre de ports:1; Catégorie LAN:Cat5e; Terminaison du contact:IDC / IDT; Plaquage du contact:Or; Matériau du contact:Bronze phosphoreux; Connector Type:RJ45; Contact Material:Bronze phosphoreux; Contact Plating:Or / Nickel; Inflammabilité:UL94V-0; Matière:Thermoplastic; Nombre de cycles d'accouplements:500; Ports, number of:1 MODULE HACHEUR IGBT 150A 1200V; Courant de collecteur DC:150A; Tension, Vce sat max..:1.2kV; Température de fonctionnement:-40°C +150°C; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 2; Nombre de broches:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Hacheur; Type de boîtier:SEMITRANS 2; Type de terminaison: visser MODULE RELAIS SPCO 24VAC 16A; Tension, bobine c.a. nom.:24V; Courant de contact max..:30A; Tension AC nominale du contact:250V; Résistance, bobine:320ohm; Configuration des contacts:SPCO; Consommation électrique moyenne:1.2VA; Montage relais:Rail DIN; Hauteur, dimension externe:78.8mm; Largeur (externe):15.8mm; Profondeur:76mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Approval Bodies:BEAB / CSA / DEMKO / IMQ / SEMKO / SETI / SEV / UL / VDE; Contact Configuration:SPCO; Courant:16A; Courant de commutation:16A; MODULE. DIN. 72MM LATERALE 11.25MM; Type d'accessoire:End Section; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Largeur (externe):11.25mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 72MM LATERALE+PIED 11.25MM; Type d'accessoire:End Section with Foot; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Largeur (externe):11.25mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 107MM. BASE+PIED. 35MM; Type d'accessoire:Base Element with Foot; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Hauteur, dimension externe:36.5mm; Largeur (externe):35mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Profondeur externe:118mm; Type de boîtier:Rail DIN MODULE 12 CLÉS MIXTES ARTICULE Å” CLIQUET; Contenu du kit:8mm to 19mm; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Gamme:8-9-10-11-12-13-14-15-16-17-18-19mm + adaptor for sockets and bits MODULE PIC WEB-SERVER TCP-IP; Silicon Fabricant:Microchip; Core Architecture:PIC; Core Sub-Architecture:PIC18; Nombre de noyau de silicium:PIC18F; Nom de famille Silicon:PIC18FxxJxx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Mini ICSP/ICD Connector, Power-Over-Ethernet; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); A utiliser avec:PIC18F67J60 Microcontroller; Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:PIC18F67J60 MCU, Mini ICSP/ICD Connector, Power-Over-Ethernet Support; Outils / carte d'ap MODULE RECEPTEUR GPS 16 VOIES LO-VOLT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, EVALUATION, FOR PGA870; Kit Application Type:Amplificateur; Application Sous Type:Ampli op.; Contenu du kit:CD-ROM; Caractéristiques:On Board Switches for Device Power-up and Power-down, Gain Setting, and Gain Latch Modes; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:PGA870; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR TPS22932B; Kit Application Type:Gestion d'alimentation; Application Sous Type:Commutateur de charge; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Output Current of 110mA, Operates Over 0.9V to 3.6V Range; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:TPS22931, TPS22932, TPS22932B; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR TAS5611PHD; Kit Application Type:Amplificateur; Application Sous Type:Amplificateur de puissance audio Classe D; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Self-contained Protection System; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Standard 1VRMS Input, Double-sided PCB, Stereo PurePath Premier Pro Evaluation Module; MCU Supported Families:TAS5611, TAS5613PHD; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR TAS5616PHD; Kit Application Type:Amplificateur; Application Sous Type:Amplificateur de puissance audio Classe D; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Self-contained Protection System; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Standard 1VRMS Input, Double-sided PCB, Stereo PurePath Premier Pro Evaluation Module; MCU Supported Families:TAS5616PHD. TAS5508PAG; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR ADS1148; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CAN; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Compatible with the TI Modular EVM System, Contains all Support Circuitry; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:All Support Circuitry, GPIO Access, Voltage Reference Options External or On-board; MCU Supported Families:ADS1148; Type:Evaluation Module SWITCH MODULE, QUADRANT; Style d'actionneur:Supérieur; Terminaisons commutateur:A souder; Nombre de directions:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contacts:2 Axis; Nombre de positions:8; Série:QS; Type d'actionnement:Supérieur; Type de borne:Card Edge SWITCH MODULE, QUADRANTW/ARROWS; Style d'actionneur:Supérieur; Terminaisons commutateur:A souder; Nombre de directions:1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contacts:2 Axis; Nombre de positions:4; Série:QS; Type d'actionnement:Supérieur; Type de borne:Card Edge SWITCH MODULE, ROCKER, W/ARROWS; Style d'actionneur:Supérieur; Terminaisons commutateur:A souder; Nombre de directions:1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contacts:1 Axis; Nombre de positions:2; Série:RS; Type d'actionnement:Supérieur; Type d'actionneur:Rocker; Type de borne:Card Edge MODULE, DEV, USB-RS232, 2 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 4KB Transmit Buffer, 4KB Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R, FT2232, FT232BM; Type:Development Module MODULE, CONVERTER, DB9 - USB, MALE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Male DB9 Connector MODULE, RF, TRX, 915MHZ; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, PLUG-IN, PIC18LF45K22; Conversion de:PIC18LF45K22; Conversion vers:Carte Explorer; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de montage:Borne de raccordement rapide MODULE, PLUG-IN, PIC18F87K22; Conversion vers:Carte Explorer HPC; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de montage:Borne de raccordement rapide MODULE D'EVALUATION AM17X; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:ARM9; Nombre de noyau de silicium:AM1x; Nom de famille Silicon:Sitara - AM17xx; Contenu du kit:Application Baseboard, Touch-screen LCD, Accessories and Software; Caractéristiques:Network/USB/Serial Connectors, LCD Display, PC Card Expansion; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Network/USB/Serial Connectors, PC Card Expansion, Debug, Cables; MCU Supported Families:AM17x; Ty MODULE TOWER SYSTEM MEMORY; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:Coldfire; Core Sub-Architecture:Coldfire v1, Coldfire v2, Coldfire v3; Nombre de noyau de silicium:MCF51, MCF52, MCF53; Nom de famille Silicon:Flexis - MCF51AC, MCF521x, MCF5301x; Contenu du kit:Memory Board, Getting Started DVD, Quick Start Guide; Caractéristiques:Serial Flash, SD Card, Compact Flash; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Microcontrôleur; Caractéristiques du kit:Designed to be Combined MODULE D'EVALUATION POUR UCC28810 100W; Puce noyau:UCC28810; Topologie:Convertisseur; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:900mA; Tension d'entrée:90V AC 264V AC; Type de contrôle de gradation:PWM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Boost Follower or Fixed Output PFC Stage, PFC & O/P Current Disable, External / Internal PWM Dimming; MCU Supported Families:UCC28810; Type:LED Lighting Power Controller MODULE DEV 64 PIN 1X USB VNC2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques:Embedded USB Host Controller IC Device, UART, Parallel FIFO and SPI Interfaces can be Programmed; Caractéristiques du kit:Embedded USB Host Controller, UART, Parallel FIFO, USB Type A Socket to Interface w/ USB Peripherals; Contenu du kit:Board; MCU Supported Families:VNCL2-64Q; Silicon Fabricant:FTDI; Type:Development Module MODULE DEV 64 PIN 2X USB VNC2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques:Embedded USB Host Controller IC Device, UART, Parallel FIFO and SPI Interfaces can be Programmed; Caractéristiques du kit:Embedded USB Host Controller, UART, Parallel FIFO, USB Type A Socket to Interface w/ USB Peripherals; Contenu du kit:Board; MCU Supported Families:VNCL2-64Q; Silicon Fabricant:FTDI; Type:Development Module MODULE D'EVALUATION STAND ALONE AUDIO; Kit Application Type:Amplificateur; Application Sous Type:Amplificateur de puissance audio Classe D; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Mono Speaker Amplifier Operation, On-board USB-to-I2C Controller, Analog RCA Input Connectors; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Mono Speaker Amplifier Operation, Onboard USB-to-I2C Controller, Analog RCA Input Connectors; MCU Supported Families:TPA2028D1; Type:Audio Amplifier MODULE D'EVALUATION POUR DAC7718; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CNA; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Compatible with the TI Modular EVM System, Contains all Support Circuitry; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Bipolar and Unipolar Mode of Operation, Serial Interface Header, Onboard Jumpers; MCU Supported Families:DAC7718; Type:DAC MODULE. DIN. 72MM. BASE. 11.25MM; Type d'accessoire:Base Element; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Largeur (externe):11.25mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 72MM. BASE. 22.5MM; Type d'accessoire:Base Element; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Largeur (externe):22.5mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 72MM. BASE. 45MM; Type d'accessoire:Base Element; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Largeur (externe):45mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 72MM PIED; Type d'accessoire:Foot Element; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Matériau du boîtier:Polyamide; Type de boîtier:Rail DIN MODULE. DIN. 107MM. BASE. 18.5MM; Type d'accessoire:Base Element; A utiliser avec:PCB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Body Material:PA (Polyamide); Couleur du boîtier:Vert; Couleur du corps:Vert; Hauteur, dimension externe:36.5mm; Largeur (externe):18.5mm; Matériau du boîtier:Polyamide; Profondeur externe:118mm; Type de boîtier:Rail DIN MODULE D'EVAL TPS5430; Caractéristiques:Internally Compensated for Lower Parts Count, Supported by SWIFT Designer Software Tool; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Internally Compensated for Lower Part Count, 500kHz Switching Frequency, Greater than 90% Efficiency; Core Architecture:Convertisseur abaisseur DC/DC; Core Sub-Architecture:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; Outils / carte d'application:Evaluation; Racine de la référence:5430; Supported Devices:TPS5430 MODULE DE PUISSANCE DC - 8 V 16 A 128 W; Type de sortie d'alimentation:Adjustable; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:8V; Courant, sortie:16A; Puissance:128W; Longueur:677.93mm; Largeur:425.7mm; Hauteur:192mm; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (19-Dec-2011); Approval Bodies:CSA / IEC / UL; Poids:2.8kg; Poids, unité min.:2.8kg MODULE DE CHARGE 60V 120A 600W 2 SLOT; Voltage Measuring Range AC:6V 60V; Température de fonctionnement:0°C +55°C; SVHC:Bis (2-ethylhexyl)phthalate (DEHP) (19-Dec-2011) MODULE PLUG-IN PIC32MX795F512L; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:PIC32; Type:Hardware - Daughter Card SWITCH MODULE, DOUBLE, IP65, W/ARROWS; Configuration des contacts:DPST-NO; Fonctionnement de commutation:Off-(On); Style d'actionneur:Rond; Terminaisons commutateur:Plomb; Couleur levier / capuchon:Noir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:DPST-NO; Contacts:Off-(On); Course min:1.5mm; Force, fonctionnement:3.5N; Série:DSM; Type d'actionnement:Rond SWITCH MODULE, DOUBLE, IP65, W/ARROWS; Configuration des contacts:DPST-NO; Fonctionnement de commutation:Off-(On); Style d'actionneur:Rond; Terminaisons commutateur:Plomb; Couleur levier / capuchon:Noir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:DPST-NO; Contacts:Off-(On); Course min:1.5mm; Force, fonctionnement:3.5N; Série:DSM; Type d'actionnement:Rond SWITCH MODULE, QUADRANT; Style d'actionneur:Supérieur; Terminaisons commutateur:A souder; Nombre de directions:1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contacts:2 Axis; Nombre de positions:4; Série:QS; Type d'actionnement:Supérieur; Type de borne:Card Edge SWITCH MODULE, ROCKER; Style d'actionneur:Supérieur; Terminaisons commutateur:A souder; Nombre de directions:1; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contacts:1 Axis; Nombre de positions:2; Série:RS; Type d'actionnement:Supérieur; Type d'actionneur:Rocker; Type de borne:Card Edge RELAIS STATIQUE MODULE DIN 100VDC 6A; Control Voltage Range:3V DC 10V DC; Tension de fonctionnement:1V DC 100V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:6A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:100A; Courant charge max. RMS:6A; Courant charge min RMS:0A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:100A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:100V; Tension, charge e RELAIS STATIQUE MODULE DIN 100VDC 6A; Control Voltage Range:20V DC 28V DC; Tension de fonctionnement:1V DC 100V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:6A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:100A; Courant charge max. RMS:6A; Courant charge min RMS:0A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:100A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:100V; Tension, charge RELAIS STATIQUE MODULE DIN 380VAC 5A; Control Voltage Range:4V DC 15V DC; Tension de fonctionnement:48V AC 530V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Switching Mode:Zero Crossing; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge effi RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 5A; Control Voltage Range:3V DC 15V DC; Tension de fonctionnement:12V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:280V; Tension, char RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 5A; Control Voltage Range:15V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:12V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:280V; Tension, cha RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 3A; Control Voltage Range:3V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:24V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:3A; Switching Mode:Zero Crossing; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:90A; Courant charge max. RMS:3A; Courant charge min RMS:0.02A; Courant, contrôle, 5Vcc:3mA; Pointe de courant:86A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficac RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 5A; Control Voltage Range:3V DC 15V DC; Tension de fonctionnement:12V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:280V; Tension, char MODULE PLUG-IN 44QFN-100PIN DSPIC33F; Conversion de:44-QFN; Conversion vers:Module Plug-In Explorer 16; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de montage:CMS RELAIS STATIQUE MODULE DIN 100VDC 8A; Control Voltage Range:3V DC 10V DC; Tension de fonctionnement:1V DC 100V DC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:10A; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:100A; Courant charge max. RMS:8A; Courant charge min RMS:0A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:100A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge efficace max..:100V; Tension, charge RELAIS STATIQUE MODULE DIN 280VAC 5A; Control Voltage Range:15V DC 32V DC; Tension de fonctionnement:12V AC 280V AC; Configuration des contacts:SPST-NO; Courant, charge:5A; Switching Mode:Zero Crossing; Relay Terminals:Connexion Cage Clamp; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Courant de pic:250A; Courant charge max. RMS:5A; Courant charge min RMS:0.06A; Courant, contrôle, 5Vcc:15mA; Pointe de courant:239A; Série:DRA; Tension de contrôle:DC; Tension, charge eff MODULE D'EVALUATION POUR OMAP 3530; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex-A8; Nombre de noyau de silicium:AM35x; Nom de famille Silicon:Sitara - AM35x; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:USB Host Control Functionality, High-speed MMC/SD; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:MCU, MPU, DSP, DSC pour applications générales; Caractéristiques du kit:Main Board w/ 3.7'' VGA/QVGA Touch Screen LCD Display, Camera Connectors, USB H MODULE PICTAIL PLUS CARTE RF MRF24J40MB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Emetteur-récepteur RF; Caractéristiques:PICtail Connector Right Angle Header; Caractéristiques du kit:MRF24J40MB PICtail/PICtail Plus Daughter Board, Can Plug into Multiple Demo and Development Boards; Contenu du kit:Board; Core Architecture:CI RF; Core Sub-Architecture:Module transmetteur RF sans fil; Type:Daughter Board MODULE, EVALUATION, DM642; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:C6000; Core Sub-Architecture:DSP56300; Nombre de noyau de silicium:TMS320DM6; Nom de famille Silicon:DaVinci - TMS320DM64xx; Contenu du kit:DM642 EVM Baseboard, CD, Power Supply, Quick Start Guide; Caractéristiques:DSP & Memory, Video Capture, Video Display, Audio, Connectivity, Emulation, Power, Miscellaneous; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:720MHz DM642 DSP, 4MB Flash, 32MB of 133MHz SDRAM and LED IR MODULE 850NM 3W; Longueur d'onde, crête:860nm; Courant, If moy.:1A; Temps de montée:10ns; Temps de descente:10ns; Intensité rayonnée:1.2W/Sr; Angle, vision:60°; Gamme de tension d'alimentation:15.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Courant, direct, If:1A; Dissipation de puissance:21W; Dissipation de puissance Pd:21W; Longueur d'onde typ.:850nm; Puissance de sortie:3W; Tension, Vf max..:18V; Type de boîtier:CMS LED IR MODULE 850NM 3.6W; Longueur d'onde, crête:860nm; Courant, If moy.:1A; Temps de montée:10ns; Temps de descente:10ns; Intensité rayonnée:1.4W/Sr; Angle, vision:60°; Gamme de tension d'alimentation:15.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, direct, If:1A; Courant, direct, If:1A; Dissipation de puissance:21W; Dissipation de puissance Pd:21W; Longueur d'onde typ.:850nm; Puissance de sortie:3.6W; Tension, Vf max..:18V; Type de boîtier:CMS MODULE LED 3.6W 160LM 2700K CRI 85; Série:ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:2870K; Flux lumineux Test:160lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:360mA; Puissance:3.6W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:400mA; Courant, direct, If:400mA; Courant, direct, If:400mA; Dissipation de puissance:4.4W; Dissipation de puissance Pd:4.4W; MODULE LED 6.7W 390LM 4000K CRI 87; Série:MINI ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc neutre; Température de couleur proximale:4260K; Flux lumineux Test:390lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.5W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W AC CONTR, 3 PH, 1600V, 83A, MODULE; Tension Vdrm:1600V; Courant de déclenchement de porte max, Igt:100mA; Courant, It moy:27A; Courant, It efficace:83A; Courant Itsm (50Hz):520A; Courant max. - Tenu (lh):200mA; Tension, Vgt:1.5V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:12 MODULE LED 6.7W 360LM 3000K CRI 85; Série:ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:3220K; Flux lumineux Test:360lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.7W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W; Flux MODULE LED 3.6W 230LM 5000K CRI 87; Série:MINI ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc froid; Température de couleur proximale:5311K; Flux lumineux Test:230lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:360mA; Puissance:3.6W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:400mA; Courant, direct, If:400mA; Courant, direct, If:400mA; Dissipation de puissance:4.6W; Dissipation de puissance Pd:4 MODULE LED 6.7W 410LM 6500K CRI 87; Série:MINI ZENIGATA; Type de modeule LED:Carte + LED; Couleur de LED:Blanc froid; Température de couleur proximale:7040K; Flux lumineux Test:410lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:10.2V; Courant Test:640mA; Puissance:6.7W; Température de fonctionnement:-30°C +90°C; Couleur, LED:Blanc normal; Courant max.:700mA; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Dissipation de puissance:8W; Dissipation de puissance Pd:8W; TXRX RS232 UMODULE 32LGA; Type de driver:Émetteur-récepteur; Type d'interface:RS232; Nombre de drivers:2; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier CI Driver:LGA; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:RS232 TXRX RS232 UMODULE 32LGA; Type de driver:Émetteur-récepteur; Type d'interface:RS232; Nombre de drivers:2; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI Driver:LGA; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:RS232 UMODULE DC/DC 8A 68LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de régulation de tension:Switch Mode UMODULE DC/DC 8A 68LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de régulation de tension:Switch Mode UMODULE DC/DC DUAL 8A 144LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:2; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:144; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Type de régulation de tension:Switch Mode UMODULE DC/DC 4A 113LGA; Tension d'entrée primaire:60V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:113; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:60V; Tension, alimentation min.:4.5V; Type de régulation de tension:Step Down MODULE PLUG-IN DSPIC33FJ64GS610 SMPS; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Plug-in Module MODULE ANALYSER CAN BUS; Kit Application Type:Interface; Application Sous Type:Analyseur de bus CAN; Contenu du kit:CAN BUS Analyzer Tool, Cable, User Guide/Software CD; Caractéristiques:Supports CAN 2.0b and ISO11898-2, Direct access to CAN H and CAN L, CAN TX and CAN RX signals; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Used to Develop and Debug a High-Speed CAN Network; Type:CAN BUS Analyzer Tool MODULE, MULTIPLIER 1:1, HAN YELLOCK; Série:Han-Yellock; Nombre de contacts:5; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de connecteur:Rectangulaire MODULE, MULTIPLIER 3:2, HAN YELLOCK; Série:Han-Yellock; Nombre de contacts:3; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de connecteur:Rectangulaire MODULE, MULTIPLIER 4:1, HAN YELLOCK; Série:Han-Yellock; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de connecteur:Rectangulaire MODULE, MULTIPLIER 5:0, HAN YELLOCK; Série:Han-Yellock; Nombre de contacts:5; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de connecteur:Rectangulaire MODULE, MALE, HAN YELLOCK, 20A; Série:Han-Yellock; Nombre de contacts:5; Nombre de rangées:1; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type de connecteur:Rectangulaire LCD MODULE, 2.8'', 240 X 320; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:Graphique; Pas de pixel (H x L):0.18mm x 0.06mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:I2C, SPI, RS232, USB; Viewing Area (H x W):43.2mm x 57.6mm; Tension, alimentation:5V LCD MODULE, 5.7'', 640 X 480; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:Graphique; Pas de pixel (H x L):0.1764mm x 0.0588mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:I2C, SPI, RS232, USB; Viewing Area (H x W):84.672mm x 112.896mm; Tension, alimentation:5V MODULE DE DEVELOPPEMENT FPGA; Caractéristiques:Ultra Fast FPGA Configuration, JTAG Interface; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:FT2232HQ Dual, Hi-Speed USB UART/FIFO IC Used for USB Communications, JTAG Interface; Contenu du kit:Board; Core Architecture:Cyclone; Core Sub-Architecture:Cyclone II; MCU Supported Families:EP2C5F256C8N; Nom de famille Silicon:EP2C5; Type:Development Module MODULE RF TWIMO HP868; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:HP868 UMODULE BUCK 15A 133LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:15A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4627; Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, sortie max..:5V; Type de régulation de tension:BUCK UMODULE BUCK 3A 76LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:76; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:8033; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:3.6V; Tension, sortie max..:24V; Type de régulation de tension:BUCK MODULE, USB, SERIAL HUB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) TXRX RS232 UMODULE 32LGA; Type de driver:Émetteur-récepteur; Type d'interface:RS232; Nombre de drivers:2; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier CI Driver:LGA; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:RS232 TXRX RS232 UMODULE 32LGA; Type de driver:Émetteur-récepteur; Type d'interface:RS232; Nombre de drivers:2; Gamme de tension d'alimentation:4.5V 5.5V; Type de boîtier CI Driver:LGA; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:0°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:RS232 UMODULE DC/DC 4A 66LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:66; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.375V; Type de régulation de tension:Switch Mode UMODULE DC/DC 5A 141LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:16V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:141; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation min.:4.5V; Type de régulation de tension:Buck-Boost UMODULE DC/DC 500MA 35LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:500mA; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:35; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:3V; Type de régulation de tension:Step Down UMODULE DC/DC 4A 113LGA; Tension d'entrée primaire:60V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:113; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:60V; Tension, alimentation min.:4.5V; Type de régulation de tension:Step Down UMODULE DC/DC ULN 2A 71LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:10V; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:71; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:3.6V; Type de régulation de tension:Buck DRIVER DE LED UMODULE 1A 66LGA; Application driver de LED:Automobile, Eclairage aéronautique; Topologie:Buck (Abaisseur); Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:1A; Tension, sortie:13V; Tension d'entrée:4V 36V; Type de contrôle de gradation:PWM; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier CI Driver:LGA; Fréquence de commutation:500kHz; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Nombre de broches:66; Type de driver:LED MODULE TOWER SYSTEM MPC5125; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:Architecture d'alimentation; Core Sub-Architecture:Architecture d'alimentation; Nombre de noyau de silicium:MPC5xxx; Nom de famille Silicon:mobileGT; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:HDMI Port with HDMI-DVI Adaptor, 10/100BaseT Ethernet port; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:MCU, MPU, DSP, DSC pour applications générales; Caractéristiques du kit:Modular Development Platform that Enables Rapid MODULE 4POLE 1.0MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:4; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Taille du connecteur:MCS 4; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:25A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:4; Orientation du connecteur:Câble MODULE 5POLE 1.5MM FEMELLE; Série:EpicŽ MC; Genre:Embase; Nombre de contacts:5; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Fiche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Contact Material:Alliage de cuivre, Plaqué argent dur; Courant:20A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:5; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; Tempér MODULE 10POLE 2.5MM MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Nombre de contacts:10; Nombre de rangées:2; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Câble; Terminaison du contact:A sertir; Matériau du contact:Cuivre; Plaquage du contact:Argent; Connector Type:Rectangulaire; Courant:10A; Méthode de terminaison:Borne sertir; Nombre de cycles d'accouplements:100; Nombre de voies:10; Orientation du connecteur:Câble; Résistance, contact:2mohm; Température de fonctionnement max..:100°C; Températ FRAME 2 MODULE MALE; Série:EpicŽ MC; Genre:Connecteur mâle; Genre du contact:Broche; Montage connecteur:Suspendu; Connector Type:Rectangulaire; Orientation du connecteur:Câble; Type de connecteur:Rectangulaire de puissance MODULE, TOWER SYS, MCF51MM; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:Coldfire; Core Sub-Architecture:Coldfire v1; Nombre de noyau de silicium:MCF51; Nom de famille Silicon:Flexis - MCF51MM; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Integrated Open-Source BDM Debugging Tool, Includes Power Regulation Circuitry; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:Flexis Series; Type:Development Board MODULE, DEV, USB-RS232, 1 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 128Byte Transmit Buffer, 256Byte Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R; Type:Development Module MODULE, DEV, USB-RS232, 4 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 2KB Transmit Buffer, 2KB Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R, FT2232, FT232BM; Type:Development Module MODULE, DEV, USB-RS422, 1 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 128Byte Transmit Buffer, 256Byte Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R, FT2232, FT232BM; Type:Development Module MODULE, DEV, USB-RS422, 2 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 4KB Transmit Buffer, 4KB Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R, FT2232, FT232BM; Type:Development Module IC, DC/DC è¾MODULE, 2A, 36V, 50LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:10V; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:50; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:2A; Courant, sortie max.:2A; Fréquence:2.4MHz; Précision:0.4%; Racine de la référence:8023; Température de fonctionnement max..:85°C; Température d'utilisation min:-40°C; MODULE TOWER SYSTEM GRAPHICAL LCD; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:Coldfire; Core Sub-Architecture:Coldfire v1; Nombre de noyau de silicium:MCF51; Nom de famille Silicon:Flexis - MCF51AC, MCF521x, MCF5301x; Contenu du kit:USB Cable, An Interactive DVD with Demo Projects; Caractéristiques:3.2'' QVGA TFT LCD Display with Touch Sensitive Overlay, microSD card for Memory Expansion; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Afficheur LCD; Caractéristiques du kit:3.2'' QVG MODULE, EVALUATION, FOR TPS61175; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; Application Sous Type:Régulateur élévateur; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Synchronous External Switching Frequency, User Defined Soft-Start into Full Load; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:TPS61175; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR ADS1146; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CAN; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Compatible with the TI Modular EVM System, Contains all Support Circuitry; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:All Support Circuitry, GPIO Access, Voltage Reference Options External or On-board; MCU Supported Families:ADS1146; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR ADS1147; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CAN; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Compatible with the TI Modular EVM System, Contains all Support Circuitry; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:All Support Circuitry, GPIO Access, Voltage Reference Options External or On-board; MCU Supported Families:ADS1147; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR TLV70018; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; Application Sous Type:LDO; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Stable with 0.1uF Ceramic Output Cap, 2% Accuracy, Low Output Noise and Low PSRR; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:2% Accuracy, Low Output Noise, Low PSRR, Stable with Output Capacitor 0.1è¾F; MCU Supported Families:TLV70018; Type:Evaluation Module MODULE, EVALUATION, FOR ADS1209; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CAN; Contenu du kit:Board; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:2mm, 5mm Terminal Screw Connector, 9-pin D-sub Connector, 2.5V Reference; MCU Supported Families:ADS1209; Type:Evaluation Module KIT, EVALUATION MODULE FOR CC2591; Contenu du kit:2x CC2591EM Evaluation Modules, External Components, 2x 2.4 GHz Antennas; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Used as an Add-on to Existing 2.4 GHz System to Increase Output Power to +20 dBm; Contenu du kit:2 x CC2591EM evaluation modules, 2 x 2.4 GHz antennas, CC2591 (2.4 GHz RF Front End), required external components; Core Architecture:Frontal RF; Core Sub-Architecture:Communication et Réseautage; MCU Supported Families:RF-IC P CAPTEUR DE TEMPERATURE MODULE 8DFN; Type de sortie CI:Numérique; Gamme de précision de détection:è… 1°C; Gamme de température de détection:-40°C +125°C; Courant, alimentation:200è¾A; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier de capteur CI:DFN; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:98242 MODULE D'EVALUATION PWM MOTOR DRIVER; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Contrôle des moteurs; Application Sous Type:Commande moteur PWM; Caractéristiques:PWM Input Motor Driver Module, Double-Side, Self-Contained Protection System; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Self-Contained Protection System (Short-Circuit and Thermal), Double-side, Plated-through PCB Layout; MCU Supported Families:DRV8412; Type:PWM Motor Driver MODULE D'EVALUATION POUR DAC8728; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CNA; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On Board Jumpers to Control Dac Control Pins, Serial Interface Header; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Bipolar and Unipolar Mode of Operation, Serial Interface Header, Onboard Jumpers; MCU Supported Families:DAC8728; Type:DAC MODULE D'EVALUATION POUR DAC8218; Kit Application Type:Acquisition de données; Application Sous Type:CNA; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On Board Jumpers to Control Dac Control Pins, Serial Interface Header; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Bipolar and Unipolar Mode of Operation, Serial Interface Header, Onboard Jumpers; MCU Supported Families:DAC8218; Type:DAC MODULE D'EVALUATION POUR TAS3108; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Nombre de noyau de silicium:TAS3108; Kit Application Type:Audio / Vidéo; Application Sous Type:Processeur audio; Contenu du kit:EVM Board, Interface Board, Output Board; Caractéristiques:USB-to-PC Connection for Software Control, Socketed EEPROM; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Socketed EEPROM, I2S Input & Output Connectors, USB-to-PC Connection for Software Control; MCU Supported Families:TAS3108; Type:Au MODULE D'EVALUATION POUR AM3517; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex-A8; Nombre de noyau de silicium:AM35x; Nom de famille Silicon:Sitara - AM35x; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Touch Screen LCD, Applications Board; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Evaluating AM35x Processors and Begin Building Industrial Applications; MCU Supported Families:AM35x; Type:Evaluation Module MODULE, RADIO, 2.4GHZ; Taux de transfert de données max..:500Kbps; Gamme de fréquence:2.4GHz 2.483GHz; Sensibilité dBm:-98dBm; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; Module d'interface:SPI, UART; Courant, alimentation:25mA; Caractéristiques du kit:Integrated Software Stack W/ Extensive Functions, OEM Radio Module, Integrated Ceramic Aerial; Outils / carte d'application:Communications sans fil; Supported Devices:MSP430F1232; Type d'outils de développement:Module RF DCDC UMODULE, BUCK BOOST, 5A, 141LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:16V; Courant, sortie:5A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:141; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de sortie max. Isw:10mA; Courant, sortie max.:5A; Fréquence:400kHz; Racine de la référence:4605; Tension de sortie ajustable max.:16V; Tension de sortie ajustable min:0.8V; Tension, alim IC, DC DC UMODULE, 36VIN, 2A, 50LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:10V; Courant, sortie:2A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:50; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:2A; Fréquence:2.4MHz; Racine de la référence:8023; Tension de sortie ajustable max.:10V; Tension de sortie ajustable min:0.8V; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimen SERIAL-ENET MODULE, 2 PORT, DEVICELINX; Applications Outils / Carte:Connectivité série-vers-Ethernet; MCU Supported Families:RS232, RS422, RS485; Outils / carte d'application:Serial to Ethernet Device Server; Type:Serial to Ethernet Bridge Module; Type d'outils de développement:Serial to Ethernet Bridge Module MODULE, DEV, USB-RS485, 1 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 128Byte Transmit Buffer, 256Byte Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R, FT2232, FT232BM; Type:Development Module MODULE, DEV, USB-RS485, 4 COM PORT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Works with USB 1.1 & 2.0 Host and Hub Ports, FIFO: 2KB Transmit Buffer, 2KB Receive Buffer; MCU Supported Families:FT232R, FT2232, FT232BM; Type:Development Module MODULE DE PUISSANCE; Type de filtre:EMI; Courant:6A; Tension:250V; Courant de fuite max:560è¾A; Capacité:0.22è¾F; Inductance, min.:450è¾H; Terminaisons filtre:Connexion rapide; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant de fuite:560è¾A; Tension c.a.:250V; Type de terminaison:Faston Tab MODULE ZIGBEE ETRX3 CHIP ANT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE, CONVERTER, DB9 - USB, FEMALE; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Female DB9 Connector MODULE BLUETOOTH CLASS1 2.1; Gamme de tension d'alimentation:3.1V 3.6V; Physical Interfaces:UART, USB; Taux de transfert:2.178Mbps; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Class 1, Range up to 300 Metres; Outils / carte d'application:Lecteur code barre, scanner RFID, instrument médical, PDA, téléphone portable, ordinateur portable; Supported Devices:WT11; Type d'outils de développement:Module Bluetooth MODULE BLUETOOTH CLASS2 2.1; Gamme de tension d'alimentation:3.1V 3.6V; Physical Interfaces:UART, USB; Taux de transfert:2.178Mbps; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Integrated Chip Antenna, Enhanced Data Rate; Outils / carte d'application:Lecteur codes barres, scanner RFID, matériel médical, PDA, téléphone mobile, PC, ordinateur portable; Supported Devices:WT12; Type d'outils de développement:Module Bluetooth MODULE, RF, TRX, 2.4GHZ, IEEE 802.11; Type de modulation:DSSS; Taux de transfert de données max..:1000Kbps; Gamme de fréquence:2.4GHz 2.48GHz; Sensibilité dBm:-91dBm; Gamme de tension d'alimentation:2.7V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:External antenna option with ultra miniature coaxial (U.FL) connector; Interface Type:SPI; MCU Supported Families:PIC18, PIC24, dsPIC33, and PIC32; Puissance transmise:10dBm; Sensibilité:-91 dBm; Taux de transfert de données max..:1Mb KIT PROCESSOR MODULE PSOC 5; Silicon Fabricant:Cypress Semiconductor; Core Architecture:PSoC; Nombre de noyau de silicium:CY8C55; Nom de famille Silicon:PSoC; Contenu du kit:PSoC Programmer, and Documentation, PSoC Creator; Caractéristiques:Programmable System-on-chip Design Methodology and Architecture; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Designed to Evaluate and Experiment with Cypress PSoC5 Design Methodology and Architecture; MCU Supported Families:CY8C55; Type:Module Kit MODULE ZIGBEE ETRX351 CHIP ANT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE D'EVALUATION POUR TPS54240; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Nombre de noyau de silicium:TPS54240; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; Application Sous Type:Convertisseur abaisseur DC/DC; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Compensation Components are External to IC and External Divider for Adjustable Output Voltage; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Demonstrate the Small, PCB Areas that may be Achieved when Designing with the T MODULE DEV 32 PIN 2X USB VNC2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques:Embedded USB Host Controller IC Device, UART, Parallel FIFO and SPI Interfaces can be Programmed; Caractéristiques du kit:Embedded USB Host Controller, UART, Parallel FIFO, USB Type A Socket to Interface w/ USB Peripherals; Contenu du kit:Board; MCU Supported Families:VNC2-32Q; Silicon Fabricant:FTDI; Type:Development Module MODULE LCD 16X1 LED RETRO-ECL.; No. of Digits / Alpha:16; Compteur Ligne / caractère:16 x 1; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:6.56mm; Tension, alimentation:5.5V; Mode d'affichage:Transflectif; Largeur, surface d'affichage:64.5mm; Hauteur, surface d'affichage:13.8mm; Température de fonctionnement:0°C +50°C; Connector Type:T 1 x 16; Courant, alimentation:1.5mA; Hauteur, caractère:6.56mm; Hauteur, pixel:0.55mm; Humidité:90%; Largeur (externe):80mm; Largeur, caractère:3.0 MODULE LCD 20X4 LED RETRO-ECL. X-TMP; No. of Digits / Alpha:80; Compteur Ligne / caractère:20 x 4; Rétro-éclairage de couleur:Vert jaune; Taille de caractère:4.75mm; Mode d'affichage:Transflectif; Température de fonctionnement:-20°C +70°C; Connector Type:T 1 x 16; Courant, alimentation:2.5mA; Hauteur, caractère:4.75mm; Hauteur, pixel:0.55mm; Humidité:90%; Largeur (externe):60.0mm; Largeur, caractère:2.95mm; Largeur, point:0.55mm; Longueur/hauteur:98.0mm; Nombre de colonnes:20; Nombre de rangée CONVERTISSEUR AC/DC 24V 0.3A/7W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:290mA; Puissance:7W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:50.8mm; Largeur:25.4mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage CONVERTISSEUR AC/DC 12V 0.8A/10W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:830mA; Puissance:10W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:64mm; Largeur:45mm; Hauteur:19mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:PCB CONVERTISSEUR AC/DC 24V 0.4A/10W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:415mA; Puissance:10W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:64mm; Largeur:45mm; Hauteur:19mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:PCB CONVERTISSEUR AC/DC 5V 3A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:3A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:74mm; Largeur:54mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:PCB; Typ CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…15V/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:2A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:74mm; Largeur:54mm; Hauteur:19.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:150mA; Courant, sortie 3:150mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension CONVERTISSEUR AC/DC 48V 0.3A/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:48V; Courant, sortie:625mA; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:96mm; Largeur:54mm; Hauteur:23.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:C CONVERTISSEUR AC/DC 5V&è…12V/15W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:3; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:2A; Puissance:15W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:96mm; Largeur:54mm; Hauteur:23.3mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Courant, sortie 2:200mA; Courant, sortie 3:200mA; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Tension CONVERTISSEUR AC/DC 5V 6A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:112mm; Largeur:63.8mm; Hauteur:25.6mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage:Châss CONVERTISSEUR AC/DC 12V 2.5A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:12V; Courant, sortie:2.5A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:112mm; Largeur:63.8mm; Hauteur:25.6mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montage CONVERTISSEUR AC/DC 24V 1.3A/30W MODULE; Type de sortie d'alimentation:Fixe; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:24V; Courant, sortie:1.25A; Puissance:30W; Gamme tension entrée VAC:85V 264V; Gamme tension entrée VDC:85V 370V; Longueur:112mm; Largeur:63.8mm; Hauteur:25.6mm; Approval Bodies:CB / EN / IEC / UL; Tension d'alimentation typique:115V AC / 230V AC; Tension d'entrée:85V AC 264V AC, 85V DC 370V DC; Tension, entrée:240VAC; Type d'alimentation:Châssis fermé; Type de montag MODULE, EVAL, DIG VIDEO, TMS320DM365; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:C6000; Core Sub-Architecture:ARM9 / DSP; Nombre de noyau de silicium:OMAP-L; Nom de famille Silicon:DaVinci - TMS320DM65xx; Contenu du kit:Board, Power Supply, Cable, Technical Reference; Caractéristiques:128Mbytes of DDR2 DRAM, UART Interface, 1 Composite Video DAC Output; Caractéristiques du kit:1 Video Input Port, 1 Set of 3 Component Video Inputs, Compatible with Windows 2000, XP and Vista; MCU Suppo MODULE, BLUETOOTH, CLASS 1, BC04; Gamme de fréquences d'utilisation:2.402GHz 2.48GHz; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Physical Interfaces:UART, USB; Taux de transfert:3Mbps; Puissance transmise:16.5dBm; Receiving Signal Range:-88dBm; Type de modulation:DPSK / DQPSK; Température de fonctionnement:-20°C +75°C; Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:Bluetooth 2.0 & EDR Certification, Full Bluetooth Data Rate, Low Current Consumption; Type:Bluetooth MODULE, GSM/GPRS TRIBAND, DIP; Fréquence RF:1.9GHz; Caractéristiques du kit:Tri-band, SIM Application Toolkit, GPRS Mobile Station Class B, GPRS Multi-slot Class 10/8; Applications Outils / Carte:Télémétrie, Télémesure, Système de communication de données mobiles M2M; MCU Supported Families:SIM340; Type:GSM / GPRS Plug-in Module MODULE LED ROUGE; Série:OPA729; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Rouge; Longueur d'onde typ.:625nm; Flux lumineux Test:260lm; Configuration module de puissance:Barre d'éclairage; Tension, alimentation:12.5V; Courant Test:700mA; Puissance:10W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:40°; Consommation de puissance:10W; Couleur, LED:Rouge; Courant, direct, If:700mA; Courant, direct, If:700mA; Flux lumineux:260lm; Flux lumineux typique:260lm; Intensité lumineuse ty MODULE LED BLANC; Série:OPA731; Type de modeule LED:Conseil + LED + Connector; Couleur de LED:Blanc; Température de couleur proximale:6500K; Flux lumineux Test:960lm; Configuration module de puissance:Carré; Tension, alimentation:18V; Courant Test:1.4A; Puissance:20W; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Angle, vision:40°; Consommation de puissance:20W; Couleur, LED:Blanc; Courant, direct, If:1.4A; Courant, direct, If:1.4A; Flux lumineux:960lm; Flux lumineux typique:960lm; Gamme de température de cou MODULE USB A - RS232 CARTE PROTOTYPE; Taux de transfert:1Mbps; Gamme de tension d'alimentation:3.2V 3.4V, 4.25V 5.25V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface Type:UART, USB; Outils / carte d'application:USB to Serial RS232 Level Converter; Supported Devices:FT232R; Type d'outils de développement:USB to RS232 UART Serial Converter PCB MODULE IGBT DOUBLE 100A 600V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:100A; Tension, Vce sat max..:2.4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:100A; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance:310W; Dissipation de puissance, max..:310W; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transistors:2 MODULE IGBT DOUBLE 400A 600V NPT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:400A; Tension, Vce sat max..:2.55V; Dissipation de puissance Pd:1.25kW; Tension, Vceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:400A; Courant, Ic max.. permanent a:400A; Courant, Icm impulsionnel:800A; Dissipation de puissance:1.25kW; Dissipation de puissance, max..:1.25kW; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transi MODULE IGBT DOUBLE 150A 1200V TRENCH; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:200A; Tension, Vce sat max..:2.3V; Dissipation de puissance Pd:735W; Tension, Vceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Configuration module:Double; Courant Ic Vce sat:150A; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance:735W; Dissipation de puissance, max..:735W; Largeur (externe):92mm; Longueur/hauteur:30mm; Nombre de transist MODULE IGBT 6-PACK IPM 30A 600V PT; Polarité transistor:N Canal; Courant de collecteur DC:30A; Tension, Vce sat max..:2.7V; Dissipation de puissance Pd:85W; Tension, Vceo:600V; Température de fonctionnement:-20°C +100°C; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:15; Configuration module:Six; Courant Ic Vce sat:30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:60A; Dissipation de puissance:85W; Dissipation de puissance, max..:85W; Largeur (externe):70mm; Longueu MODULE WATCHPORT DISTANCE-PROX SENSOR; Type d'accessoire:Distance / Proximity Sensor; A utiliser avec:Watchport Sensors For Drop-in Networking; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Réseau transparent; MCU Supported Families:XBee; Outils / carte d'application:Drop-in Networking; Type:Distance / Proximity Sensor; Type d'outils de développement:Capteur Watchport MODULE XBEE ZB 1MW W/RPSMA ANT CONN; Taux de transfert:250Kbps; Module d'interface:UART; Gamme de tension d'alimentation:2.1V 3.6V; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Connectivité sans fil; Caractéristiques du kit:XBee ZB Platform, 400ft Outdoor RF Line-of-sight Range, 250Kbps Data Rate, RPSMA Antenna; Outils / carte d'application:Mesh Networking; Type:RF Module; Type d'outils de développement:Xbee - Module MODULE USB 4 PORTS BASE SUR FT4232H; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Convertisseur FIFO / USB vers série; Caractéristiques du kit:USB 2.0 Hi-Speed Compatible, Reduced Development Time, Rapid Integration into Existing Systems; Convertir de:USB 2; Convertir vers:UART/MPSSE IC; MCU Supported Families:FT4232H; Outils / carte d'application:Interface Module; Supported Devices:FT4232H; Type:Evaluation Module; Type d'adaptateur:4 Port Mini Module; Type d'outils de développement:M MODULE RECEPTEUR 434MHZ AM 3V; Gamme de fréquence:433.92MHz; Sensibilité dBm:-113dBm; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Courant, alimentation:6mA; Type de modulation:ASK; Température de fonctionnement:-20°C +80°C; Caractéristiques du kit:High Sensitivity, Provided with Input SAW Filter for Enhanced Immunity to Electromagnetic Helds; Outils / carte d'application:Récepteur ASK; Type:Receiver Module; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE 2.4GHZ ZIGBEE LO-PWR ROUTER; MCU Supported Families:XTR-ZB1; Taux de transfert:250Kbps; Gamme de tension d'alimentation:2V 3.6V; Applications:Gestion et contrôle de réseau; Applications Outils / Carte:Gestion et contrôle de réseau; Caractéristiques du kit:Automatic and User Transparent Encrypted Data Transmission, Wide Area Coverage; Outils / carte d'application:Network Management and Control; Type:High Power Router; Type d'outils de développement:Matériel / Logiciel - Module ANTENNE POUR MODULES HAUTE PUISSANCE; Type d'accessoire:2.4GHz Antenna MODULE RECEPTEUR 2.4GHZ AUDIO; Applications Outils / Carte:Idéal pour commander les Haut-parleurs sans fil, le Home cinéma, les Amplificateurs de casque; Caractéristiques du kit:2.5GHz Frequency, Compatible with Digital Audio Transmitter TX-AUDIO-2.4; Outils / carte d'application:Récepteur Audio Numérique; Type:Digital Audio Receiver; Type d'outils de développement:Matériel - Module MODULE ENC28J60 SPI / ETHERNET; Silicon Fabricant:Olimex; Kit Application Type:Communication et Réseautage; Application Sous Type:Contrôleur Ethernet; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Microcontroller Interface, SPI; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Contrôleur Ethernet intégré; Caractéristiques du kit:ENC28J60 10Mbit Ethernet Controller, On-board RJ45 Connector with Build in Ethernet Transformer; MCU Supported Families:ENC28J60; Outils / carte d'application:Embedded E IR RECEIVER MODULE; Fréquence porteuse:38kHz; Gamme de transmission:45m; Directivité:45°; Gamme de tension d'alimentation:2.5V 5.5V; Courant, alimentation:450è¾A; Type de boîtier opto:Traversant; Température de fonctionnement:-25°C +85°C; Angle, vision:45°; Dissipation de puissance:30mW; Dissipation de puissance Pd:30mW; Nombre de broches:3; Type de boîtier:SIP IGBT MODULE TRANSISTOR; DC / DC Converter Output Type:Fixe; Nombre de canaux de sortie:4; Tension d'entrée:18V 22V; Puissance:3W; Tension, sortie:15V; Courant, sortie:33mA; Tension, sortie 2:15V; Courant, sortie 2:33mA; Tension, sortie 3:15V; Courant, sortie 3:110mA; Tension, alimentation:20V; Type de convertisseur DC / DC:DIP; Convertisseur DC / DC de montage:Traversant; Tension, isolation:2.5kV; Dissipation de puissance, max..:1.5W; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement:-10°C POWER MODULE F18, RD, 90A, 530VAC; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:530V; Courant, If moy.:90A; Tension, Vf max..:1.4V; Diode Module Configuration:Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser POWER MODULE F18, RD, 105A, 380VAC; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:380V; Courant, If moy.:105A; Tension, Vf max..:1.65V; Diode Module Configuration:Series; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser POWER MODULE F18, SDK, 40A, 600VAC; Courant de déclenchement de porte max, Igt:150mA; Courant, It moy:40A; Courant, It efficace:40A; Tension, Vgt:3V; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; Type de boîtier Thyristor / Triac:Module; Nombre de broches:7; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Configuration module:Puissance; Courant, Ib:40A; Courant, Itsm:1000A; Tension, Vrrm:1600V; Type Thyristor/Triac:SCR; Type de boîtier:F18; Type de terminaison: visser MODULE BLUETOOTH CLASS1 2.1; Taux de transfert:3Mbps; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Points d'accès, Assistants numériques personnels; Caractéristiques du kit:Fully Qualified Bluetooth System V 2 + EDR, CE and FCC, Integrated Chip Antenna, USB Version 2.0; MCU Supported Families:WT12; Outils / carte d'application:Lecteur de code barre, scanners RFID Instrumentation médicale, PDA, Téléphones mobiles, PC portables; Type:Bluetoot MODULE PLUG-IN POUR PIC18F46J11; Conversion de:44-TQFP; Conversion vers:Carte Explorer; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Type d'accessoire:Plug-In Module; Type de montage:Borne de raccordement rapide IC, DC/DC MODULE, 10A, 104LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:10A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:104; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:10A; Fréquence:850kHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4600; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; Te IC, DC/DC UMODULE, 6A, 28V, 104LGA; Tension d'entrée primaire:28V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:104; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:6A; Fréquence:800kHz; Précision:1.5%; Racine de la référence:4602; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:28V; IC, DC/DC UMODULE, 12A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12A; Fréquence:850kHz; Précision:0.25%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; T IC, DC/DC UMODULE, 12A, 133LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Tension, sortie:5V; Courant, sortie:12A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, sortie max.:12A; Fréquence:850kHz; Précision:0.25%; Racine de la référence:4601; Tension de sortie ajustable max.:5V; Tension de sortie ajustable min:600mV; Tension, alimentation max..:20V; T MODULE, GPS RECEIVER, EXT ANT; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, alimentation:45mA; Sensibilité:-155dBm MODULE, GSM/GPRS, QUADBAND + EDGE MC75I; Nombre de voies:4; Protocole:AT, GSM quadri-bande, TCP/IP; Gamme de tension d'alimentation:3.2V 4.5V; Fréquence RF:1.9GHz; Interface Type:I2C, SIP MODULE, GSM/GPRS, QUADBAND, TC63I; Nombre de voies:4; Protocole:AT, GSM quadri-bande, TCP/IP; Gamme de tension d'alimentation:3.2V 4.5V; Fréquence RF:1.9GHz; Interface Type:I2C, SIP MODULE, GSM/GPRS, QUADBAND + JAVA TC65I; Nombre de voies:4; Protocole:AT, GSM quadri-bande, TCP/IP; Gamme de tension d'alimentation:3.2V 4.5V; Fréquence RF:1.9GHz; Interface Type:I2C, SIP MODULE LED RING 16 INFRAROUGE; Série:OPA82; Type de modeule LED:Plug and Play; Couleur de LED:Infrarouge; Longueur d'onde typ.:850nm; Configuration module de puissance:Anneau; Tension, alimentation:5V; Courant Test:20mA; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Diamètre, extérieur:50.8mm; Nombre de LED:16; Type de terminaison:Traversant MODULE LED LUXSPOT 400LM WARM BLANC; Série:LUXSPOT; Type de modeule LED:Connecteur; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:3100K; Flux lumineux Test:400lm; Configuration module de puissance:Circulaire; Tension, alimentation:24V; Puissance:14.5W MODULE LED LUXSPOT 375LM WARM BLANC; Série:LUXSPOT; Type de modeule LED:Connecteur; Couleur de LED:Blanc chaud; Température de couleur proximale:2900K; Flux lumineux Test:375lm; Configuration module de puissance:Circulaire; Tension, alimentation:24V; Puissance:14.5W MODULE DE CONTACT UNIPOLAIRE; Configuration des contacts:SPST-NO; Force, fonctionnement:0.7N; Tension DC nominale du contact:28V; Courant de contact max..:100mA; Type d'actionnement:Supérieur; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Contact Configuration:SPST-NO; Contact Material:Or; Contacts:SPNO; Couleur:Noir / Blanc; Courant de contact c.a. max.:6A; Courant de contact c.c. max.:100mA; Courant de contact max.:100mA; Largeur (externe):14.4mm; Largeur, découpe panneau:14.5mm; Longueur, découpe panneau:14.5m MODULE APPLICATION. 4000. FLEXRAY; Type d'accessoire:Déclenchement série automobile étendu et module d'analyse; A utiliser avec:Série MSO4000B, DPO4000B MODULE APPLICATION. 4000. USB; Type d'accessoire:Déclenchement série USB et module d'analyse; A utiliser avec:Série MSO4000B, DPO4000B LCD MODULE, 7.0'', 800 X 480; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:Graphique; Pas de pixel (H x L):0.1905mm x 0.0635mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:I2C, SPI, RS232, USB; Viewing Area (H x W):91.44mm x 152.4mm; Tension, alimentation:5V MODULE RF TWIMO MP868; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); MCU Supported Families:HP868 UMODULE BUCK 8A 68LGA; Tension d'entrée primaire:5.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:8A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:68; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4608; Tension, alimentation max..:5.5V; Tension, alimentation min.:2.7V; Tension, sortie max..:5V; Type de régulation de tension:BUCK UMODULE BUCK 5A 84LGA; Tension d'entrée primaire:26.5V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:6A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:84; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4618; Tension, alimentation max..:26.5V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, sortie max..:5V; Type de régulation de tension:BUCK UMODULE BUCK 3A 76LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:76; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:8033; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:3.6V; Tension, sortie max..:24V; Type de régulation de tension:BUCK UMODULE BUCK 3A 76LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:3A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:76; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:8033; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:3.6V; Tension, sortie max..:24V; Type de régulation de tension:BUCK EVAL KIT 4 MODULE 230V TW & EW; Contenu du kit:LED Modules, Heat Sinks, Dimmer Switch, Flash Drive, Hardware; Série:LMR4 IC, MODULE, GYRO, ACCEL, MAG, 24PIN; Gamme d'accélération:è… 18g; Nombre d'axes:3; Type d'interface:SPI; Sensibilité par axe:3.33mg / LSB; Type de boîtier de capteur CI:ML-24-2; Nombre de broches:24; Gamme de tension d'alimentation:4.75V 5.25V; Température de fonctionnement:-40°C +105°C; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:Serial, SPI MODULE BLEUTOOTH AT DATA INT ANT; Physical Interfaces:UART; Taux de transfert:2.1Mbps; Receiving Signal Range:-84dBm; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MODULE BLEUTOOTH AT DATA EXT ANT; Physical Interfaces:UART; Taux de transfert:2.1Mbps; Receiving Signal Range:-84dBm; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MODULE BLEUTOOTH AUDIO INT ANT; Physical Interfaces:UART; Taux de transfert:3Mbps; Receiving Signal Range:-86dBm; Température de fonctionnement:-30°C +70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MODULE BLEUTOOTH HCI DATA EXT ANT; Physical Interfaces:HCI, USB; Taux de transfert:2.1Mbps; Receiving Signal Range:-84dBm; Température de fonctionnement:-30°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011) MODULE RADIO 868MHZ INT ANT; Puissance transmise:5mW; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications:Espaces de loisirs, Appareils de jeu, Contrôle des piscines et bains remous; Fréquence RF:869.65MHz; Interface Type:Serial MODULE 2.4GHZ INT ANT FCC; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications:Bâtiments commerciaux, Surveillance sur le terrain, Gestion des services publics; Fréquence RF:2.483GHz; Interface Type:UART; Puissance transmise:125mW MODULE 2.4GHZ EXT ANT CE; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications:Bâtiments commerciaux, Surveillance sur le terrain, Gestion des services publics; Fréquence RF:2.483GHz; Interface Type:UART; Puissance transmise:50mW MODULE 2.4GHZ INT ANT CE; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications:Bâtiments commerciaux, Surveillance sur le terrain, Gestion des services publics; Fréquence RF:2.483GHz; Interface Type:UART; Puissance transmise:50mW MODULE 2.4GHZ PLUG INT ANT CE; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Applications:Bâtiments commerciaux, Surveillance sur le terrain, Gestion des services publics; Fréquence RF:2.483GHz; Interface Type:UART; Puissance transmise:50mW MODULES INSERT POUR TIROIRS 19; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Body Material:Aluminium; Hauteur du rack (U):3; Largeur (externe):8mm; Profondeur externe:160mm MODULE TOWER SYSTEM K40; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M4; Nombre de noyau de silicium:MK; Nom de famille Silicon:Kinetis - K40; Contenu du kit:Board Assembly, USB Cable, Quick Start Guide; Caractéristiques:Capacitive Touch Pads, LCD 28 Segments, Tower Connectivity for Access to USB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Evaluation / Développement de MCU; MCU Supported Families:K40; Type:Evaluation Module MODULE TOWER SYSTEM K60; Silicon Fabricant:Freescale; Core Architecture:ARM; Core Sub-Architecture:Cortex - M4; Nombre de noyau de silicium:MK; Nom de famille Silicon:Kinetis - K60; Contenu du kit:Board Assembly, USB Cable, Quick Start Guide; Caractéristiques:Capacitive Touch Pads, LCD 28 Segments, Tower Connectivity for Access to USB; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Applications Outils / Carte:Evaluation / Développement de MCU; MCU Supported Families:K60; Type:Evaluation Module LCD MODULE, 3.0'', 240 X 400; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:Graphique; Pas de pixel (H x L):0.1635mm x 0.0545mm; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:I2C, SPI, RS232, USB; Viewing Area (H x W):39.24mm x 65.4mm; Tension, alimentation:5V LCD MODULE, 3.5'', 320 X 240; Rétro-éclairage de couleur:Blanc; Type d'écran LCD:Graphique; Mode d'affichage:Transmissif; Type d'interface:I2C, SPI, RS232, USB; Viewing Area (H x W):52.56mm x 70.08mm; Tension, alimentation:5V MODULE DIODE 600V 300A INT-A-PAK; Nombre de phases:Une; Tension, Vrrm:600V; Courant, If moy.:300A; Tension, Vf max..:1.96V; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Configuration module:Double UMODULE TXRX RS232 32BGA; Type de driver:Émetteur-récepteur; Type d'interface:RS232; Nombre de drivers:2; Gamme de tension d'alimentation:3V 3.6V; Type de boîtier CI Driver:BGA; Nombre de broches:32; Température de fonctionnement:-40°C +85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Interface:RS232; Racine de la référence:2882 BUCK BOOST UMODULE 34VOUT 141LGA; Tension d'entrée primaire:36V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:4A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:141; Température de fonctionnement:-55°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4609; Tension, alimentation max..:36V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, sortie max..:34V; Type de régulation de tension:BUCK-BOOST UMODULE BUCK 15A 133LGA; Tension d'entrée primaire:20V; Nombre de canaux de sortie:1; Courant, sortie:15A; Type de boîtier CI régulateur de tension:LGA; Nombre de broches:133; Température de fonctionnement:-40°C +125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Racine de la référence:4627; Tension, alimentation max..:20V; Tension, alimentation min.:4.5V; Tension, sortie max..:5V; Type de régulation de tension:BUCK MODULE D'EVALUATION POUR TMS320C6457; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Core Architecture:C6000; Core Sub-Architecture:ARM9 / DSP; Nombre de noyau de silicium:OMAP-L; Nom de famille Silicon:TMS320C64xx; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:On-board JTAG Emulation, Trace Pod Header, Code Composer Studio Integrated Development Environment; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:High Speed DSP Interconnect Enabled by Gigabit EMAC & SRIO SERDES Interfaces, 256MB of 667MHz DDR2; MCU MODULE USB STICK ETRX2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011) MODULE D'EVALUATION SWIFT REG TPS54226; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Nombre de noyau de silicium:TPS54226; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; Application Sous Type:Convertisseur abaisseur synchrone; Contenu du kit:Board, Doc; Caractéristiques:Fast Transient Response with No External Compensation; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Caractéristiques du kit:Auto-Skip Mode to Enable Higher Efficiency at Light Loads; MCU Supported Families:TPS54226; Type:Buck Con MODULE D'EVALUATION POUR TPS7A3001/4901; Silicon Fabricant:Texas Instruments; Nombre de noyau de silicium:TPS7A3001, TPS7A4901; Kit Application Type:Gestion de l'alimentation ? Régulateur de tension; Application Sous Type:Régulateur linéaire niveau de désexcitation (LDO) bas; Contenu du kit:Board; Caractéristiques:Stable with
